FR2461406A1 - JFET circuit with single supply voltage - turns JFET off by transistor switch grounding capacitor connected to gate - Google Patents
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Abstract
Description
La présente invention concerne un circuit de commutation à transistor à effet de champ du type à jonction comportant une unique source de courant et elle se rapporte plus particulièrement à un circuit de commutation dans lequel la charge électrique d'un condensateur est utilisée pour appliquer une tension négative à la porte du transistor à effet de champ du type à jonction de sorte que ce transistor est commuté à 11 état non conducteur. The present invention relates to a junction type field effect transistor switching circuit comprising a single current source and relates more particularly to a switching circuit in which the electrical charge of a capacitor is used to apply a voltage. negative at the gate of the junction type field effect transistor so that this transistor is switched to the non-conductive state.
Jusqu'à présent, seuls les transistors à effet de champ du type à enrichissement ont été utilisés comme éléments de commutation dans les circuits de commutation ayant une unique source de courant du fait que les transistors à effet de champ de ce type particulier peuvent être mis à l'état non conducteur sans qu'il soit nécessaire de porter leur porte à une tension négative par rapport à la source. Au contraire, avec un transistor à effet de champ du type à appauvrissement ou un transistor à effet de champ du type à jonction, dans lequel la porte doit être portée à une tension négative par rapport à la source, il est nécessaire d'utiliser deux sources de courant et, par conséquent, ces types de transistors ne peuvent être utilisés dans un circuit de commutation n'ayant qtune seule source de courant. Up to now, only the field effect transistors of the enrichment type have been used as switching elements in switching circuits having a single current source since the field effect transistors of this particular type can be switched on. in the non-conducting state without it being necessary to carry their door to a negative tension compared to the source. On the contrary, with a field effect transistor of the depletion type or a field effect transistor of the junction type, in which the gate must be brought to a negative voltage with respect to the source, it is necessary to use two current sources and therefore these types of transistors cannot be used in a switching circuit having only one current source.
Par conséquent, l'un des buts de l'invention est de réaliser un circuit de commutation à transistor à effet de champ comportant une unique source de courant dans lequel untransistor à effet de champ du type à jonction est utilisé comme élément de commutation. Ce but est atteint en utilisant un transistor à effet de champ du type à jonction comme élément de commutation, un condensateur dont une première borne est raccordée, par l'intermédiaire d'une diode, à la masse et des moyens de commutation pour porter le condensateur et la première borne à la tension de lamasse. Consequently, one of the aims of the invention is to provide a field effect transistor switching circuit comprising a single current source in which a junction type field effect transistor is used as a switching element. This object is achieved by using a field effect transistor of the junction type as switching element, a capacitor, a first terminal of which is connected, by means of a diode, to ground and switching means for carrying the capacitor and the first terminal at the mass voltage.
Avec cet agencement, lorsque les moyens de commutation sont commutés à l'état conducteur, le transistor à effet de champ est commuté à l'état non conducteur par la charge électrique du condensateur qui est appliquée à la porte du transistor à effet de champ sous forme d'une tension négative. With this arrangement, when the switching means are switched to the conductive state, the field effect transistor is switched to the non-conductive state by the electrical charge of the capacitor which is applied to the gate of the field effect transistor under form of a negative voltage.
D'autres caractéristiques de l'invention ressortiront & la lecture de la description qui va suivre et à l'examen du dessin annexé dans lequel
- La Figure 1 représente le schéma d'un circuit de commutation selon l'invention utilisé en tant que commutateur de remise à zéro dans un circuit intégrateur pour un appareil pbotographique
- La Figure 2 est un schéma de circuit d'un circuit de coutation selon la présente invention utilisé en tant que commutateur de mémoire pour un appareil photographique
- La Figure 3A est une représentation du potentiel au point P du schéma de circuit représenté sur la Figure 1 ; et
- La Figure 3B est une courbe représentant la région de travail du transistor à effet de champ du type à jonction.Other characteristics of the invention will emerge on reading the description which follows and on examining the appended drawing in which
- Figure 1 shows the diagram of a switching circuit according to the invention used as a reset switch in an integrator circuit for a pbotographic device
- Figure 2 is a circuit diagram of a costing circuit according to the present invention used as a memory switch for a camera
- Figure 3A is a representation of the potential at point P of the circuit diagram shown in Figure 1; and
- Figure 3B is a curve representing the working region of the junction-type field effect transistor.
Sur la Figure I à laquelle on se réfèrera maintenant, on a représenté le sbhéma d'un circuit de commutation selon l'invention qui est utilisé dans un circuit intégrateur pour un appareil photographique. Ce circuit de commutation à transistor à effet de champ du type à jonction est utilisé-comme commutateur de remise à zéro pour un condensateur 4 dans un circuit classique de commande d'obturateur d'appareil photographique qui comprend : un circuit photométrique et mémorisateur 1 pour mesurer la luminance du sujet et effectuer des opérations logiques sur la valeur mesurée en combinaison avec la sensibilité de la pellicule, le numéro d'ouverture du diaphragme etc. ; un circuit intégrateur qui comporte une diode 2 pour effectuer un dévemp- pement logarithmique, un condensateur 4 et un amplificateur opérationnel 3 ; un amplificateur 5 qui. sert de comparateur et un électro-aimant 6 coopérant avec le rideau arrière d'un obturateur focal.Le circuit de commutation comprend un transistor à effet de champ du type à jonction 7 dont le drain et la source sont connectés aux bornes opposées du condensateur 4 et un condensateur 9 dont une borne est connectée à une source de courant, par l'intermédiaire d'une résistance 10, et dont l'autre borne est connectée à la porte du transistor à effet de champ 7. La jonction du condensateur 9 avec la porte du transistor 7 est connectée à la masse, par l'intermédiaire d'une diode 8, et la jonction du condensateur 9 avec la résistance 10 est raccordée à la masse, par l'intermédiaire du trajet collecteur émetteur d'un transistor 11 destiné à servir de moyen de commutation. In Figure I to which we will now refer, there is shown the diagram of a switching circuit according to the invention which is used in an integrator circuit for a camera. This junction-type field effect transistor switching circuit is used as a reset switch for a capacitor 4 in a conventional camera shutter control circuit which includes: a photometric and memory circuit 1 for measure the luminance of the subject and perform logical operations on the measured value in combination with the sensitivity of the film, the aperture number of the diaphragm etc. ; an integrator circuit which comprises a diode 2 for carrying out a logarithmic deviation, a capacitor 4 and an operational amplifier 3; an amplifier 5 which. serves as a comparator and an electromagnet 6 cooperating with the rear curtain of a focal shutter. The switching circuit comprises a field effect transistor of the junction type 7, the drain and the source of which are connected to the opposite terminals of the capacitor 4. and a capacitor 9, one terminal of which is connected to a current source, via a resistor 10, and the other terminal of which is connected to the gate of the field effect transistor 7. The junction of the capacitor 9 with the gate of transistor 7 is connected to ground, via a diode 8, and the junction of capacitor 9 with resistor 10 is connected to ground, via the emitter collector path of a transistor 11 intended to serve as a switching means.
La base du transistor 11 est portée à une tension élevée par un signal de départ du rideau avant produit par un dispositif 12 lors du déclenchement de l'obturateur. The base of transistor 11 is brought to a high voltage by a starting signal from the front curtain produced by a device 12 when the shutter is released.
On décrira maintenant le fonctionnemnt du circuit intégrateur pour appareil photographique, qui utilise le circuit de commutation à transistor à effet de champ du type à jonction construit comme décrit ci-dessus. A description will now be given of the operation of the integrating circuit for a camera, which uses the junction-type field effect transistor switching circuit constructed as described above.
A la suite de l'application du signal de sortie du circuit photométrique et niemorisateur 1 à l'anode de la diode 2, un courant proportionnel à la différence de tension entre ce signal de sortie et une tension de référence Bref1 appliquée à la borne d'entrée positive de l'amplificateur opérationnel 3 est produit pour charger le condensateur 4 du circuit intégrateur. Cependant, en l'absence du signal de départ du rideau avant du dispositif 12, le transistor 11 est bloqué, ou non conducteur, et la porte du transistor à effet de champ 7 est à une tension positive aussi bien pendant qu'après la charge du condensateur 9, et par conséquent, le- transistor 7 est conducteur. Following the application of the output signal from the photometric and niemorizer circuit 1 to the anode of diode 2, a current proportional to the voltage difference between this output signal and a reference voltage Bref1 applied to terminal d The positive input of the operational amplifier 3 is produced to charge the capacitor 4 of the integrator circuit. However, in the absence of the start signal from the front curtain of the device 12, the transistor 11 is blocked, or non-conductive, and the gate of the field effect transistor 7 is at a positive voltage both during and after charging. of the capacitor 9, and therefore the transistor 7 is conductive.
Par conséquent, le courant s'écoule par le trajet drain-source du transistor 7 et le condensateur 4 n'est pas chargé. Consequently, the current flows through the drain-source path of the transistor 7 and the capacitor 4 is not charged.
Lorsque le signal de départ du rideau avant du dispositif 12 est à un haut niveau de tension, le transistor 11 est rendu conducteur de sorte que la jonction entre le condensateur 9 et la résistance 10 est à la tension de la masse. Il en résulte que l'autre borne du condensateur 9 est à une tension négative par rapport à la tension de la masse et que, de ce fait, le transistor 7 est rendu non conducteur et que le condensateur 4 commence à se charger. Lorsque la tension de charge aux bornes du condensateur 4 devient inférieure à la tension de référence Vréf2 appliquée à l'amplificateur opérationnel 5, l'électro-aimant 6 est désexcité et l'obtrateur se ferme. Ainsi, la prise de photographie est achevée.La fonction de la diode 8 est d'empêcher la décharge de la charge électrique du condensateur 9 lorsque la jonction P du condensateur 9 avec la borne de la porte du transistor à effet de champ 7 est à une tension négative. Ainsi, la jonction P du condensateur 9 est maintenue à une tension négative pendant une très longue période de temps de sorte que le transistor 7 peut rester non conducteur pendant une période de temps qui dépasse de beaucoup le temps de charge du condensateur 4. When the start signal of the front curtain of the device 12 is at a high voltage level, the transistor 11 is made conductive so that the junction between the capacitor 9 and the resistor 10 is at ground voltage. It follows that the other terminal of the capacitor 9 is at a negative voltage with respect to the voltage of the ground and that, as a result, the transistor 7 is made non-conductive and that the capacitor 4 begins to charge. When the charging voltage across the capacitor 4 becomes lower than the reference voltage Vref2 applied to the operational amplifier 5, the electromagnet 6 is de-energized and the shutter closes. Thus, the taking of photography is completed. The function of the diode 8 is to prevent the discharge of the electric charge of the capacitor 9 when the junction P of the capacitor 9 with the terminal of the gate of the field effect transistor 7 is at a negative voltage. Thus, the junction P of the capacitor 9 is maintained at a negative voltage for a very long period of time so that the transistor 7 can remain non-conductive for a period of time which greatly exceeds the charging time of the capacitor 4.
La tension appliquée à la porte du transistor à effet de champ à jonction 7, c'est-à-dire au point P, et la région de travail du transistor 7 pour les états conducteur et non conducteur du transistor Il ont été représentés respectivement sur la Figure 3A et sur la Figure 3B. Comme clairement représenté sur le dessin, le potentiel au point P tombe d'une tension positive à une tension négative à peu près égale à la tension de la source de courant d'où il résulte que le transistor 7 est fortement inversement polarisé et ainsi rendu parfaitement non conducteur. The voltage applied to the gate of the junction field effect transistor 7, that is to say at the point P, and the working region of the transistor 7 for the conductive and non-conductive states of the transistor II have been shown respectively on Figure 3A and Figure 3B. As clearly shown in the drawing, the potential at point P falls from a positive voltage to a negative voltage roughly equal to the voltage of the current source from which it follows that the transistor 7 is strongly inversely polarized and thus rendered perfectly non-conductive.
On décrira ci-après en se référant à la Figure 2, sur laquelle les mêmes références ont été utilisées pour désigner les mêmes éléments que sur la Figure 1, un autre mode de réalisation préféré de l'invention dans laquelle le circuit de commutation à-transistor à effet de champ à jonction selon l'invention e-st utilisé en tant que commutateur de mémoire dans le circuit photométrique et mémorisateur 7. Another preferred embodiment of the invention will be described below with reference to FIG. 2, in which the same references have been used to designate the same elements as in FIG. junction field effect transistor according to the invention e-st used as a memory switch in the photometric circuit and memory 7.
Une diode photoélectrique 20 servant à produire un courant proportionnel à la luminance du sujet et raccordée entre les bornes d'entrée d'un amplificateur opérationnel 22 qui comporte une diode logarithmique 21 dans son circuit de contre-réaction. Une tension de référence Vréf3, qui correspond à la sensibilité de la pellicule et au numéro d'ouverture du diaphragme, est appliquée à la borne d'entrée positive de l'amplificateur opérationnel 22. Le signal de sortie de l'amplificateur opérationnel 22 est appliqué, par l'intermédiaire du trajet drain-source du transistor à effet de champ du type à jonction 7, à un condensateur de mémoire 24 et à la borne d'entrée positive d'un amplificateur opérationnel 23 qui constitue un étage suiveur en tension. A photoelectric diode 20 used to produce a current proportional to the luminance of the subject and connected between the input terminals of an operational amplifier 22 which comprises a logarithmic diode 21 in its feedback circuit. A reference voltage Vref3, which corresponds to the sensitivity of the film and to the aperture number of the diaphragm, is applied to the positive input terminal of the operational amplifier 22. The output signal of the operational amplifier 22 is applied, via the drain-source path of the junction-type field effect transistor 7, to a memory capacitor 24 and to the positive input terminal of an operational amplifier 23 which constitutes a voltage follower stage .
La borne de porte du transistor 7 est raccordée, par l'intermédiaire d'une diode 8, à la masse et, par l'intermédiaire d'un condensateur 9 et d'une résistance 10, à la source de tension. La jonction entre le condensateur 9 et la résistance 10 est raccordée à la masse par l'intermédiaire du trajet collecteur-émetteur d'un transistor 11, qui sert de moyens de commutation, et est portée à la tension de la masse par un signal d'un dispositif de mémoire 25. The gate terminal of the transistor 7 is connected, via a diode 8, to ground and, via a capacitor 9 and a resistor 10, to the voltage source. The junction between the capacitor 9 and the resistor 10 is connected to ground via the collector-emitter path of a transistor 11, which serves as switching means, and is brought to the ground voltage by a signal d 'a memory device 25.
Avec l'agencement ci-dessus mentionné des éléments, le transistor 7 est conducteur s'il nty a aucun signal de la mémoire, et ainsi, un condensateur 24 est chargé par l'intermédiaire du transistor 7 par une tension correspondant au logarithme de la luminance du sujet. Le courant est également amplifié en intensité par l'amplificateur opérationnel 23 puis appliqué au circuit minuteur représenté sur la Figure 1. With the above-mentioned arrangement of the elements, the transistor 7 is conductive if there is no signal from the memory, and thus, a capacitor 24 is charged via the transistor 7 by a voltage corresponding to the logarithm of the luminance of the subject. The current is also amplified in intensity by the operational amplifier 23 then applied to the timer circuit shown in FIG. 1.
Si un signal de mémoire est présent à cet instant, le transistor 11 est conducteur de sorte que la porte du transistor à effet de champ du type à jonction 7 est rendue négative par rapport à la masse et que le transistor 7 est rendu non conducteur. If a memory signal is present at this time, the transistor 11 is conductive so that the gate of the junction-type field effect transistor 7 is made negative with respect to ground and that the transistor 7 is made non-conductive.
Il en résulte qu'une tension correspondant au logarithme de la luminance du sujet est mise en mémoire par le condensateur 24 ; ensuite le temps d'exposition est commandé de la manière classique connue dans la technique. As a result, a voltage corresponding to the logarithm of the subject's luminance is stored in memory by the capacitor 24; then the exposure time is controlled in the conventional manner known in the art.
Comme décrit ci-dessus en détail, grâce au circuit de commutation de la wésente invention, la commutation d'un transistor à effet de champ du type jonction devient possible avec une unique source de tension et le circuit de commutation est d'un emploi plus particulièrement avantageux comme circuit de commutation utilisé dans un circuit de commande d'exposition commandé avec une unique source de courant dans un appareil photographique, par exemple. As described above in detail, thanks to the switching circuit of the present invention, the switching of a field effect transistor of the junction type becomes possible with a single voltage source and the switching circuit is more useful. particularly advantageous as a switching circuit used in an exposure control circuit controlled with a single current source in a camera, for example.
Le transistor à effet de champ est maintenu à l'état non conducteur pendant une très longue période de temps du fait que le trajet de décharge du condensateur 9, qui sert à porter la borne de porte du transistor à effet de champ du type à jonction à un potentiel négatif, est bloqué par la diode 8, et on a ainsi réalisé un nouveau circuit de commutation original, à hautes performances, susceptible de nombreuses applications. The field effect transistor is kept in the non-conductive state for a very long period of time because the discharge path of the capacitor 9, which serves to carry the gate terminal of the field effect transistor of the junction type. at a negative potential, is blocked by diode 8, and a new original switching circuit, high performance, capable of numerous applications, has thus been produced.
Claims (2)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| FR7903315A FR2461406A1 (en) | 1979-02-09 | 1979-02-09 | JFET circuit with single supply voltage - turns JFET off by transistor switch grounding capacitor connected to gate |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2461406A1 true FR2461406A1 (en) | 1981-01-30 |
| FR2461406B1 FR2461406B1 (en) | 1982-07-16 |
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ID=9221774
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| FR7903315A Granted FR2461406A1 (en) | 1979-02-09 | 1979-02-09 | JFET circuit with single supply voltage - turns JFET off by transistor switch grounding capacitor connected to gate |
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|---|---|
| FR (1) | FR2461406A1 (en) |
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1979
- 1979-02-09 FR FR7903315A patent/FR2461406A1/en active Granted
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EXBK/76 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2461406B1 (en) | 1982-07-16 |
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