FR2405537A1 - Dispositif de memoire programmable - Google Patents

Dispositif de memoire programmable

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Abstract

Pour réaliser une mémoire morte programmable dont les points de mémoire consistent en des transistors connectés par leur canal base-émetteur entre des conducteurs orthogonaux d'une première et d'une seconde pluralité de conducteurs avec un fusible dans la liaison d'émetteur. La sélection d'un point de mémoire est assurée par la circulation d'un courant sur un conducteur de la première pluralité et l'application d'un niveau de tension haut sur un conducteur de la seconde pluralité; en mode de programmation, ce niveau de tension est surélevé et l'intensité du courant accrue pour fondre le fusible du point de mémoire sélectionné alors qu'un élément saturable relié à chaque conducteur de la seconde pluralité absorbe le courant résultant de ce niveau de tension à travers tout conducteur n'entrant pas dans la sélection du point de mémoire. Application : mémoires mortes programmables par coupure sélective de fusibles reliant des émetteurs de points de mémoire aux lignes ou aux colonnes.
FR7729998A 1977-10-05 1977-10-05 Dispositif de memoire programmable Granted FR2405537A1 (fr)

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FR2405537B1 FR2405537B1 (fr) 1980-04-18

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0052481A2 (fr) * 1980-11-13 1982-05-26 Fujitsu Limited Dispositif à semiconducteur ayant un circuit d'identification de l'état du dispositif
FR2541494A1 (fr) * 1983-02-21 1984-08-24 Hitachi Ltd Dispositif de memoire a semi-conducteurs, notamment memoire morte programmable, bipolaire, apte a realiser l'operation de lecture a des vitesses elevees

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0052481A2 (fr) * 1980-11-13 1982-05-26 Fujitsu Limited Dispositif à semiconducteur ayant un circuit d'identification de l'état du dispositif
EP0052481A3 (en) * 1980-11-13 1984-06-06 Fujitsu Limited Semiconductor device having a device state identifying circuit
FR2541494A1 (fr) * 1983-02-21 1984-08-24 Hitachi Ltd Dispositif de memoire a semi-conducteurs, notamment memoire morte programmable, bipolaire, apte a realiser l'operation de lecture a des vitesses elevees

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FR2405537B1 (fr) 1980-04-18

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