FR2389237A1 - Diode a jonction hyperabrupte, et procede de fabrication d'une telle diode - Google Patents
Diode a jonction hyperabrupte, et procede de fabrication d'une telle diodeInfo
- Publication number
- FR2389237A1 FR2389237A1 FR7712949A FR7712949A FR2389237A1 FR 2389237 A1 FR2389237 A1 FR 2389237A1 FR 7712949 A FR7712949 A FR 7712949A FR 7712949 A FR7712949 A FR 7712949A FR 2389237 A1 FR2389237 A1 FR 2389237A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- conductivity type
- junction diode
- ridges
- defining
- type layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
L'invention concerne une diode présentant, en courant alternatif, une variation très abrupte et relativement importante de capacité, lorsqu'on lui applique une polarisation inverse de valeur croissante. Sur un substrat N**+ on forme par épitaxie une épaisse couche N que l'on sculpte, par exemple par usinage ionique, suivant des nervures 21. Grâce à un masque de silice 33, on limite la formation d'une jonction P**+N; par diffusion de dopant P dans le matériau N, à la surface des nervures et à leur voisinage immédiat 34. La jonction obtenue présente les caractéristiques de la diode selon l'invention. Application en électronique à très haute fréquence.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7712949A FR2389237A1 (fr) | 1977-04-29 | 1977-04-29 | Diode a jonction hyperabrupte, et procede de fabrication d'une telle diode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7712949A FR2389237A1 (fr) | 1977-04-29 | 1977-04-29 | Diode a jonction hyperabrupte, et procede de fabrication d'une telle diode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2389237A1 true FR2389237A1 (fr) | 1978-11-24 |
FR2389237B1 FR2389237B1 (fr) | 1981-11-13 |
Family
ID=9190071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR7712949A Granted FR2389237A1 (fr) | 1977-04-29 | 1977-04-29 | Diode a jonction hyperabrupte, et procede de fabrication d'une telle diode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2389237A1 (fr) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2844921A1 (fr) * | 2002-09-25 | 2004-03-26 | St Microelectronics Sa | Capacite variable |
-
1977
- 1977-04-29 FR FR7712949A patent/FR2389237A1/fr active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2844921A1 (fr) * | 2002-09-25 | 2004-03-26 | St Microelectronics Sa | Capacite variable |
US6979852B2 (en) | 2002-09-25 | 2005-12-27 | Stmicroelectronics S.A. | Variable capacitance |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2389237B1 (fr) | 1981-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
IE812047L (en) | Semiconductor device | |
TW346683B (en) | Semiconductor device and process for producing the same | |
EP0834913A4 (fr) | Dispositif pour semi-conducteur | |
EP0122459A3 (fr) | Dispositif semi-conducteur comprenant une diode et un condensateur | |
EP0323856A3 (fr) | Structure de substrat pour dispositif à semi-conducteur composite | |
JPS55120175A (en) | Variable capacitance diode with plural super-capacitance variable electrode structures | |
EP0311445A3 (fr) | Dispositif laser à semi-conducteur et son procédé de fabrication | |
GB1434961A (en) | Integrated circuit arrangements | |
FR2389237A1 (fr) | Diode a jonction hyperabrupte, et procede de fabrication d'une telle diode | |
EP0275180A3 (fr) | Capteur d'images à état solide | |
FR2379134A1 (fr) | Memoire a semi-conducteurs | |
EP0282407A3 (fr) | Dispositif semi-conducteur utilisant des puits quantiques multiples | |
EP0225001A3 (fr) | Diodes semi-conductrices à hétérostructure | |
JPS5313370A (en) | Varactor diode | |
JPS53115185A (en) | Memory type variable capacitive device | |
EP0340412A3 (fr) | Détecteur de position d'un rayon lumineux à semi-conducteur et dispositif lecteur d'images utilisant ce détecteur | |
JPS6328347B2 (fr) | ||
EP0402851A3 (fr) | Dispositif semi-conducteur comportant des couches d'empêchement de champ d'inversion ayant une pluralité de matériau de concentration d'impuretés selon la direction en profondeur et son procédé de fabrication | |
GB1468572A (en) | Junction-type avalanche diode | |
IE811621L (en) | Semiconductor device | |
JPS55120173A (en) | Schottky type variable capacitance diode with plural electrode structures | |
JPS55120178A (en) | Mis variable capacitance diode with plural electrode structures | |
JPS55120177A (en) | Variable capacitance diode with plural electrode structures | |
JPS53118390A (en) | Thin film luminous element | |
CN1146076A (zh) | 半导体器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |