FR1393012A - Procédé de fabrication de couches de préférence monocristallines pour des composants à semi-conducteurs - Google Patents

Procédé de fabrication de couches de préférence monocristallines pour des composants à semi-conducteurs

Info

Publication number
FR1393012A
FR1393012A FR973379A FR973379A FR1393012A FR 1393012 A FR1393012 A FR 1393012A FR 973379 A FR973379 A FR 973379A FR 973379 A FR973379 A FR 973379A FR 1393012 A FR1393012 A FR 1393012A
Authority
FR
France
Prior art keywords
semiconductor components
monocrystalline layers
preferably monocrystalline
manufacturing preferably
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR973379A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens and Halske AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens and Halske AG
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens and Halske AG, Siemens AG filed Critical Siemens and Halske AG
Priority to FR973379A priority Critical patent/FR1393012A/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR1393012A publication Critical patent/FR1393012A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
FR973379A 1964-05-05 1964-05-05 Procédé de fabrication de couches de préférence monocristallines pour des composants à semi-conducteurs Expired FR1393012A (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR973379A FR1393012A (fr) 1964-05-05 1964-05-05 Procédé de fabrication de couches de préférence monocristallines pour des composants à semi-conducteurs

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR973379A FR1393012A (fr) 1964-05-05 1964-05-05 Procédé de fabrication de couches de préférence monocristallines pour des composants à semi-conducteurs

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1393012A true FR1393012A (fr) 1965-03-19

Family

ID=8829338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR973379A Expired FR1393012A (fr) 1964-05-05 1964-05-05 Procédé de fabrication de couches de préférence monocristallines pour des composants à semi-conducteurs

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR1393012A (fr)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1458851A (fr) Procédé de production de couches supraconductrices
FR1427316A (fr) Procédé pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteurs
FR1419266A (fr) Procédé de fabrication du p-nitrosophénol
FR1393012A (fr) Procédé de fabrication de couches de préférence monocristallines pour des composants à semi-conducteurs
FR1448383A (fr) Procédé de fabrication d'éléments semi-conducteurs
FR1420169A (fr) Procédé de fabrication de monocristaux semi-conducteurs par dépôt de substance semi-conductrice
FR1405168A (fr) Procédé de fabrication de semi-conducteurs
FR1476976A (fr) Procédé de fabrication de couches de monocristaux de sélénium orientés avec précision
FR1490480A (fr) Procédé de fabrication de 2-imidazolidinones substituées
FR1400895A (fr) Procédé pour fabriquer des composants à semi-conducteurs
FR1307108A (fr) Procédé pour fabriquer des couches semi-conductrices monocristallines
FR1453006A (fr) Procédé de fabrication des éléments semiconducteurs
FR1481283A (fr) Procédé de fabrication de circuits semiconducteurs intégrés
FR1504419A (fr) Procédé de fabrication du cyclohexyl-3 butène-1
FR1406342A (fr) Procédé pour fabriquer des composants à semi-conducteurs
FR1488038A (fr) Procédé de fabrication de couches épitaxiales à partir de composés semi-conducteurs
FR1441177A (fr) Procédé de fabrication de composants semi-conducteurs
FR1437789A (fr) Procédé de fabrication de cristaux semi-conducteurs
FR1409652A (fr) Procédé de diffusion à vase ouvert pour fabriquer des éléments semiconducteurs
CH450453A (fr) Procédé de fabrication du N-dipropylacétate de choline
FR1439782A (fr) Procédé de fabrication de semiconducteurs
FR1406131A (fr) Procédé de fabrication de couches photosensibles pour la diazotypie
FR1470851A (fr) Procédé de fabrication de composants à semi-conducteurs
FR1399443A (fr) Procédé pour déposer des couches épitaxiales de matières composées semi-conductrices
FR1307109A (fr) Procédé de fabrication de couches semi-conductrices monocristallines