FR1308356A - Méthode pour contrôler le dopage d'un corps semiconducteur à croissance par vapeur - Google Patents

Méthode pour contrôler le dopage d'un corps semiconducteur à croissance par vapeur

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0068839A1 (fr) * 1981-06-29 1983-01-05 Fujitsu Limited Procédé et appareil pour la croissance d'un semiconducteur à partir de la phase gazeuse

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EP0068839A1 (fr) * 1981-06-29 1983-01-05 Fujitsu Limited Procédé et appareil pour la croissance d'un semiconducteur à partir de la phase gazeuse
US4507169A (en) * 1981-06-29 1985-03-26 Fujitsu Limited Method and apparatus for vapor phase growth of a semiconductor

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