FR1112725A - Perfectionnements aux procédés de fabrication des monocristaux de semi-conducteurs comportant des jonctions p. n. - Google Patents

Perfectionnements aux procédés de fabrication des monocristaux de semi-conducteurs comportant des jonctions p. n.

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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001011115A1 (fr) * 1999-08-04 2001-02-15 Forschungsinstitut für mineralische und metallische Werkstoffe Edelsteine/Edelmetalle GmbH Procede de production d'un cristal segmente

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WO2001011115A1 (fr) * 1999-08-04 2001-02-15 Forschungsinstitut für mineralische und metallische Werkstoffe Edelsteine/Edelmetalle GmbH Procede de production d'un cristal segmente

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