FI93065B

FI93065B - Method and arrangement for indicating an overload condition of a circuit breaker

Info

Publication number: FI93065B
Application number: FI925450A
Authority: FI
Inventors: Jarmo Loukusa; Kauko Varanka
Original assignee: Nokia Telecommunications Oy
Priority date: 1992-11-30
Filing date: 1992-11-30
Publication date: 1994-10-31
Also published as: EP0671077A1; FI93065C; FI925450A0; GB2288031B; DE4396117T1; SE9502018L; FI925450A; WO1994013062A1; GB2288031A; AU5564494A; SE9502018D0; GB9510895D0

Description

x 93065x 93065

Menetelmä ja sovitelma kytkinelimen ylikuormitustilanteen ilmaisemiseksi.Method and arrangement for detecting an overload condition of a coupling member.

Keksinnön kohteena on menetelmä kytkinelimen yli-5 kuormitustilanteen ilmaisemiseksi, jossa menetelmässä mi tataan ohjauskytkimellä varustetun signaalitietä syöttävän kytkinelimen ylikuormitusta.The invention relates to a method for detecting an overload condition of a switching element, in which method the overload of a switching element supplying a signal path with a control switch is measured.

Tunnetuissa ratkaisuissa tasavirtakytkimien ylivir-tatilanteiden ilmaisu on suoritettu tutkimalla vasta kyt-10 kimen jälkeistä tilannetta, eli on tutkittu syötettävän johtimen jännitettä, jolloin joudutaan väistämättä käsittelemään suuria jännitteitä ja tämän vuoksi on myös jouduttu käyttämään erillisiä liitäntäpiirejä, jotta tietoa kytkimen ylivirtatilanteesta voitaisiin käsitellä esimer-15 kiksi mikroprosessorilogiikalla.In known solutions, the detection of overcurrent situations in DC switches has been performed by examining the situation only after the switch, i.e. the voltage of the supplied conductor has been studied, in which case high voltages have to be handled and therefore separate connection circuits have to be used to process information about the switch overcurrent. with microprocessor logic.

Tunnettuja ratkaisuja ylivirtailmaisussa ovat komparaattorien yhteydessä olevat virtapeilit tai jännitteen jakokytkennät vastuksilla toteutettuna. Komparaattoria on käytetty tutkimaan virtapeililtä tai jännitteenjakovas-20 tuksilta saatavaa virtaa ja komparaattori on ilmaissut kytkimen mahdollisen ylivirtatilanteen. Tasavirtakytkimil-tä usein edellytetään pieniohmisuutta ja tällöin myös jännitehäviö kytkimessä jää niin pieneksi ettei se riitä vir-tapeilimittaukseen. Virtapeilimittaus ei aina siis ole 25 käyttökelpoinen.Known solutions for overcurrent detection are current mirrors connected to comparators or voltage distribution connections implemented with resistors. The comparator has been used to study the current from the current mirror or voltage divider and the comparator has indicated a possible overcurrent condition of the switch. Low-ohmicity is often required for DC switches, in which case the voltage drop in the switch remains so small that it is not sufficient for current mirror measurement. Thus, current mirror measurement is not always usable.

Tämän keksinnön tarkoituksena on tuoda esiin uuden-tyyppinen menetelmä, joka välttää tunnettuihin ratkaisuihin liittyvät ongelmat.It is an object of the present invention to provide a new type of method which avoids the problems associated with known solutions.

Tämä tarkoitus saavutetaan keksinnön mukaisella me-30 netelmällä, jolle on tunnusomaista, että ylikuormituksen • havaitsemiseksi tutkitaan kytkinelimen ohjauskytkimen kautta kulkevaa virtaa ja että havaittaessa signaalitietä syöttävän kytkinelimen ohjauskytkimen kautta kulkevan virran muuttuminen, niin tällöin ohjauskytkimen päävirtatiel-35 tä muodostetaan ylivirtatilanteen ohjaussignaali ilmaisu- 2 95065 kytkimelle jolla muodostetaan ilmaisusignaali ylivirtati-lanteesta.This object is achieved by the method according to the invention, which is characterized in that the current flowing through the control switch of the switching element is examined in order to detect overload and that a switch for generating a detection signal from an overcurrent condition.

Keksinnön mukainen menetelmä perustuu siihen ajatukseen, että ylikuormittumisen mittaaminen suoritetaan 5 pienjännitepuolelta mittaamalla kytkinelimiä ohjaavaa piiriä sen sijaan että mitattaisiin kytkimen jälkeistä syötettävää johdinta. Ideana on se, että kytkinelintä tai kytkinelimiä ohjaavan piirin virran muutosta käytetään itse kytkinelimien ylikuormituksen havainnointiin.The method according to the invention is based on the idea that the overload measurement is performed on the low voltage side by measuring the circuit controlling the switching elements instead of measuring the supply conductor after the switch. The idea is that the change in current in the circuit controlling the switch element or switches is used to detect the overload of the switch elements themselves.

10 Keksinnön mukaisella menetelmällä saavutetaan usei ta etuja, sillä keksinnön mukaisessa sovitelmassa voidaan käyttää pienjännitekomponentteja. Uudessa ratkaisussa ei myöskään tarvita erillisiä liitäntäpiirejä mikroprosesso-riliitäntää varten, jolloin mahdollistetaan ylivirtailmai-15 su suoraan logiikka-tasolle. Uusi ratkaisu on myös toiminnaltaan riippumaton kriteeriojännitteen eli tasavirtakyt-kimellä kytkettävän ja kytkintä kuormittavan jännitteen vaihteluista. Ylikuormituksen mittaamista varten ei tarvita mitään vastuksia kuten jännitejakokytkennässä, jotka 20 vastukset pienentäisivät katkostilan resistanssia maihin ja tämän vuoksi saadaan vuotovirta pieneksi. Keksinnön mukaisen ratkaisun vaatima komponenttimäärä on pieni.The method according to the invention achieves several advantages, since low-voltage components can be used in the arrangement according to the invention. The new solution also does not require separate interface circuits for the microprocessor interface, thus enabling an overcurrent earth to the direct logic level. The new solution is also functionally independent of variations in the criterion voltage, ie the voltage to be switched by the DC switch and the voltage to load the switch. No resistors are required to measure the overload, as in a voltage distribution circuit, which would reduce the resistance of the open condition to ground and therefore make the leakage current small. The number of components required by the solution according to the invention is small.

Keksinnön kohteena on myös sovitelma kytkinelimen ylikuormitustilanteen ilmaisemiseksi, joka sovitelma käs-25 ittää signaalitietä syöttävän puolijohdekytkinelimen, joka käsittää ohjauselektrodin ja päävirtatie-elektrodin, joka sovitelma edelleen käsittää ohjauselektrodin virtaa rajoittavan välineen, joka on sovitettu ohjauselektrodin ja signaalitien välille, joka sovitelma edelleen käsittää 30 kytkinelimen ohjauselektrodille kytketyn ohjauskytkimen, joka käsittää ohjauselektrodin ja päävirtatie-elektrodit.The invention also relates to an arrangement for detecting an overload condition of a switching member, the arrangement comprising a signal path supplying semiconductor switching member comprising a control electrode and a main current electrode, the arrangement further comprising a control electrode current limiting means further arranged between the control electrode and the signals. a control switch connected to the control electrode, comprising a control electrode and main current electrodes.

Menetelmän osalta esitetyissä tunnetuissa ratkaisuissa esiintyvien ongelmien poistamiseksi sovitelmalle on tunnusomaista, että sovitelma edelleen käsittää ohjauskyt-35 kimen päävirtatielle sovitetun resistanssin ja edelleen • 3 93065 sovitelma käsittää ilmaisukytkimen, joka käsittää ohjaus-elektrodin ja päävirtatie-elektrodit, joka ohjauselektrodi on kytketty ohjauskytkimen päävirtatielle sovitettuun resistanssiin.In order to overcome the problems in the known solutions presented for the method, the arrangement is further characterized in that the arrangement further comprises a control switch-adapted resistance to the main current path and further • 3 93065 the arrangement comprises a detection switch comprising a control electrode and .

5 Keksintöä selitetään seuraavassa lähemmin viitaten oheiseen piirustukseen, jossa kuvio 1 esittää keksinnön mukaisen ylivirtailmaisi-men piirikaaviota.The invention will now be described in more detail with reference to the accompanying drawing, in which Figure 1 shows a circuit diagram of an overcurrent detector according to the invention.

Kuvion 1 mukaisesti sovitelma kytkinelimen yli-10 kuormitustilanteen ilmaisemiseksi käsittää signaalitietä A (potentiaalissa -VCRN) syöttävän puolijohdekytkinelimen Q4, Q5. Potentiaali -VCRN esittää kytkettävää kriteerio-jännitettä, jota kytkinelimet Q4, Q5 kytkevät. Kriteerio-jännite voi olla esimerkiksi välillä - 20 V - - 70 V.According to Fig. 1, an arrangement for detecting an over-10 load condition of a switching element comprises a semiconductor switching element Q4, Q5 supplying the signal path A (potential -VCRN). The potential VCRN shows the switchable criterion voltage to be switched by the switching elements Q4, Q5. The criterion voltage can be, for example, between - 20 V and - 70 V.

15 Puolijohdekytkimet ovat esimerkiksi npn-transistoreja, jotka käsittävät kannan B, emitterin E ja kollektorin C. Toiminnan kannalta on riittävää että on vain yksi trans-sistori, esimerkiksi Q4. Puolijohdekytkin Q4 käsittää, oh-jauselektrodin 1 ja päävirtatie-elektrodit 2 ja 3 eli kan-20 nan B, kollektorin C ja emitterin E. Vastaavasti toinen kytkinelin eli transistori Q5 käsittää ohjauselektrodin 4 ja päävirtatie-elektrodit 5 ja 6 eli kannan B, kollektorin C ja emitterin E. Edelleen sovitelma käsittää ohjauselekt-rodien 1 ja 4 virtaa rajoittavan välineen,kuten Zenerdio-25 din Z3, joka on sovitettu ohjauselektrodin 1 ja signaali- > · · : tien A, vastaavasti ohjauselektrodin 4 ja signaalitien A välille. Zenerdiodin Z3 rinnalle on kytketty resistanssi R55. Kytkinelimen Q4 toisen päävirtatie-elektrodin 3 eli emitterin, ja signaalitien A välille on kytketty resis-30 tanssi R33, ja vastaavasti toisen kytkinelimen Q5 toisen päävirtatie-elektrodin 6 eli emitterin ja signaalitien A välille on kytketty resistanssi R34. Kummankin kytkinelimen Q4, Q5 kollektorit eli elektrodit 2 ja 5 ovat maapo-tentiaalissa.Semiconductor switches are, for example, npn transistors comprising a base B, an emitter E and a collector C. It is sufficient for operation that there is only one transistor, for example Q4. The semiconductor switch Q4 comprises, the control electrode 1 and the main current electrodes 2 and 3, i.e. the base 20 B, the collector C and the emitter E. and emitter E. Further, the arrangement comprises current limiting means for control electrodes 1 and 4, such as Zenerdio-25 din Z3, arranged between the control electrode 1 and the signal path A, respectively, the control electrode 4 and the signal path A. A resistor R55 is connected in parallel with the Zener diode Z3. A resistor R33 is connected between the second main current electrode 3 of the switching member Q4, i.e. the emitter, and the signal path A, and a resistance R34 is connected between the second main current electrode 6, i.e. the emitter, and the signal path A of the second switching member Q5, respectively. The collectors or electrodes 2 and 5 of each switching element Q4, Q5 are at ground potential.

35 Edelleen sovitelma käsittää kytkinelimen Q4 vas- 4 9306535 The arrangement further comprises a coupling member Q4 corresponding to 4 93065

taavasti Q5, ohjauselektrodille l, vastaavasti 4, eli kannoille B kytketyn ohjauskytkimen Q3, joka käsittää ohjaus-elektrodin 7 ja päävirtatie-elektrodit 8 ja 9. Ohjauskyt-kin Q3 on myös edullisesti npn-transistori, jossa kanta B, 5 kollektori C ja emitteri E. Ohjauskytkimen Q3 ohjauselekt-rodi 7 on kytketty resistanssin R53 kautta control-pistee-seen 10, joka käytännössä on maapotentiaali. Ohjaustran-sistorin Q3 emitterin E, eli elektrodin 9 ja kannan B eli elektrodin 7 välille on kytketty suuriohminen resistanssi 10 R30. Kytkinelimien ohjauselektrodien 1 ja 4 eli kantojen BQ5, to the control electrode 1, respectively 4, i.e. a control switch Q3 connected to the bases B, comprising a control electrode 7 and the main current electrodes 8 and 9. The control switch Q3 is also preferably an npn transistor with a base B, 5 a collector C and an emitter E. The control electrode 7 of the control switch Q3 is connected via a resistor R53 to a control point 10, which is practically a ground potential. A high ohmic resistor R30 is connected between the emitter E, i.e. the electrode 9, of the control transistor Q3 and the base B, i.e. the electrode 7. The control electrodes 1 and 4 of the switching elements, i.e. the bases B

ja niitä ohjaavan ohjauskytkimen Q3 kollektorin C eli elektrodin 8 väliin on sovitettu resistanssi R54, joka muodostaa tarvittavan jännite-eron kytkinelimien ja ohjauskytkimen välille.and a resistor R54 is arranged between the collector C, i.e. the electrode 8, of the control switch Q3 which controls them, which forms the necessary voltage difference between the switch members and the control switch.

15 Sovitelma edelleen käsittää ohjauskytkimen Q3 pää- virtatielle sovitetut resistanssit R52 ja R29. Ohjauskytkimen Q3 päävirtatie eli kollektori-emitteri -virtapiiri on yhteydessä potentiaaliin V5P (5 volttia, positiivinen) pisteessä 11.Edelleen sovitelma käsittää ilmaisukytkimen 20 Q12, joka käsittää ohjauselektrodin 12 ja päävirtatie-The arrangement further comprises resistors R52 and R29 arranged on the main current path of the control switch Q3. The main current path of the control switch Q3, i.e. the collector-emitter circuit, is connected to the potential V5P (5 volts, positive) at point 11. Further, the arrangement comprises a detection switch 20 Q12 comprising a control electrode 12 and a main current path.

elektrodit 13 ja 14. Ilmaisukytkimen ohjauselektrodi 12 on kytketty ohjauskytkimen Q3 päävirtatielle eli emitteripii-riin sovitettuun resistanssiin R52. Ilmaisukytkin Q12 on edullisesti pnp-transistori, jonka toinen päävirtatie-25 elektrodi 14 eli emitteri E on kytketty potentiaaliin V5Pelectrodes 13 and 14. The control electrode 12 of the detection switch is connected to the main current path of the control switch Q3, i.e. to the resistor R52 arranged in the emitter circuit. The detection switch Q12 is preferably a pnp transistor whose second main current path electrode 14, i.e. the emitter E, is connected to the potential V5P

• · pisteessä 15. Transistorin eli ilmaisukytkimen Q12 kanta B eli ohjauselektrodin 12 on kytketty ohjaustransistorin Q3 emitteripiirissä olevaan resistanssiin R52. Ilmaisukytkimen Q12 toinen päävirtatie-elektrodi 13 eli kollektori on 30 kytketty resistanssin R51 kautta maapotentiaaliin. Resis- .: tanssin R51 toinen pää ja samalla myös ilmaisutransisto- • · rin Q12 kollektori C on yhteydessä linjan 16 kautta mikroprosessoriin 17, jolle mahdollinen ylivirtatilanne ilmaistaan. Kyseessä on siis suora ylivirtailmaisu logiikka-ta-35 solle eli mikropiirille 17 5 voltin jännitteellä.• · at point 15. The base B of the transistor, i.e. the detection switch Q12, i.e. the control electrode 12 is connected to the resistance R52 in the emitter circuit of the control transistor Q3. The second main current electrode 13 of the detection switch Q12, i.e. the collector, is connected to the ground potential via a resistor R51. The other end of the resistor dance R51 and at the same time also the collector C of the detection transistor Q12 is connected via line 16 to the microprocessor 17, to which a possible overcurrent situation is detected. It is thus a direct overcurrent detection for the logic-ta-35 sol, i.e. the microcircuit 17 at a voltage of 5 volts.

93065 593065 5

Kytkinelimiä eli transistoreita ohjataan ohjausvir-ralla I, joka tulee ohjauskytkimeltä Q3. Q3 puolestaan voidaan aktivoida control-signaalilla pisteestä 10 kytkemällä control nollaksi eli maapotentiaaliin. Normaaliti-5 lanteessa eli tilanteessa, jossa ei ole ylivirtaa tulee virta pisteestä 11 eli positiivisesta potentiaalista V5P Q3:n läpi, joka vakiovirta syötetään transistorien Q4 ja Q5 kantapiiriin 1, vastaavasti 4. Q3:n kollektorivirralla siis ohjataan kytkinelimiä Q4 ja Q5.The switching elements, i.e. transistors, are controlled by the control current I coming from the control switch Q3. Q3, in turn, can be activated by a control signal from point 10 by switching control to zero, i.e. to ground potential. In the normal-5 situation, i.e. in the situation where there is no overcurrent, current flows from point 11, i.e. the positive potential V5P, through Q3, which constant current is applied to the base circuit 1 of transistors Q4 and Q5, respectively. 4. The collector current of Q3 thus controls switching elements Q4 and Q5.

10 Ylikuormitustilanteessa Zenerdiodi Z3 rajoittaa virran transistoreilla Q4 ja Q5 sillä tavalla, että kun R33:n ja R34:n jännite on riittävän suuri, niin Zenerdiodi Z3 alkaa imeä kannalle tulevaa ohjausvirtaa ja rajoittaa sitä. Zenerdiodin Z3 kynnysjännite on 3.3 Volttia. Kun 15 kytkinelimien eli kytkintransistoreiden Q4 ja Q5 kantavir-taa otetaan Zenerdiodin Z3 kautta signaalitielle A, niin se aiheuttaa sen, että virta ohjaustransistorin Q3 pää-elektrodien 8 ja 9 kautta eli kollektori-emitteri -virtapiirissä kasvaa, koska kytkintransistoreiden Q4 ja Q5 20 potentiaali kantojensa B välisessä pisteessä elektrodeilla 1 ja 4 menee negatiivisemmaksi, koska Zenerdiodi Z3 vetää sitä negatiivisemmaksi. Kun jännite kannalla 1 ja 4 tulee negatiivisemmaksi, niin virta ohjaustransistorin Q3 läpi siis kasvaa ja resistanssien R52 ja R29 välinen piste 18 25 menee negatiivisemmaksi. Tällöin jänniteasetus muodostuu • · sellaiseksi, että ilmaisutransistorin eli ilmaisukytkimen Q12:n kanta B eli elektrodi 12 saa ohjausvirran eli avautuu ja silloin se kytkee R51:n positiiviseen potentiaaliin 15 ja mikroprosessori 17 saa tiedon, että lähtö on muu-30 ttunut ykköseksi eli on kyseessä ylikuormitustilanne.10 In the event of an overload, the Zener diode Z3 limits the current in the transistors Q4 and Q5 in such a way that when the voltage of R33 and R34 is high enough, the Zener diode Z3 starts to absorb the control current coming to the base and limits it. The threshold voltage of Zener diode Z3 is 3.3 volts. When the base current of the switching elements 15, i.e. the switching transistors Q4 and Q5, is taken via the Zener diode Z3 to the signal path A, it causes the current through the main electrodes 8 and 9 of the control transistor Q3 to increase in the collector-emitter circuit because the switching transistors Q4 and Q5 At the point between B, electrodes 1 and 4 become more negative because Zener diode Z3 pulls it more negative. As the voltage at bases 1 and 4 becomes more negative, the current through control transistor Q3 thus increases and the point 18 between resistors R52 and R29 becomes more negative. In this case, the voltage setting is • · such that the base B of the detection transistor, i.e. the detection switch Q12, i.e. the electrode 12 receives a control current, i.e. opens and then switches R51 to a positive potential 15 and the microprocessor 17 receives information that the output has changed to one, i.e. an overload situation.

·* Edullisessa toteutusmuodossa kytkennässä vastukset R52, •« R29 ja R51 on mitoitettu siten, että kun control-piste 10 on ei-aktiivinen, niin ohjaustransistorin Q3 läpi ei mene virtaa, jolloin jännite R52 ja R29 välisessä pisteessä ei 35 voi mennä riittävän alas aktivoidakseen ilmaisintransis- • 6 93065 torin Q12 kantaa 12 ja sitä kautta mikroprosessoria 17 linjasta 16.· * In the preferred embodiment, the resistors R52, R29 and R51 in the circuit are dimensioned so that when the control point 10 is inactive, no current flows through the control transistor Q3, so that the voltage at the point R52 and R29 cannot go low enough to activate the detector transistor Q12 carries 12 and thereby a microprocessor 17 from line 16.

Ylikuormitus siis havaitaan kytkimen Q4, Q5 kan-tavirtaa ohjaavasta ohjaustransistorin Q3:n emitteripii-5 ristä eli päävirtatieltä resistanssilta R52. Ylikuormitus näkyy ohjaavan piirin virran kasvuna.Thus, the overload is detected from the emitter circuit 5 of the control transistor Q3 controlling the carrier current of the switch Q4, Q5, i.e. from the main current path, the resistance R52. The overload is shown as an increase in the current in the control circuit.

Sovitelmaa hyväksikäyttävässä menetelmässä kytkin-elimen Q4, Q5 ylivirtatilanteen ilmaisemiseksi mitataan ohjauskytkimellä Q3 varustetun signaalitietä A syöttävän 10 kytkinelimen Q4, Q5 ylikuormitusta ja menetelmässä ylikuormituksen havaitsemiseksi tutkitaan kytkinelimen Q4, Q5 ohjauskytkimen Q3 kautta kulkevaa virtaa ja havaittaessa signaalitietä A syöttävän kytkinelimen Q4, Q5 ohjauskytkimen Q3 kautta kulkevan virran I muuttuminen, niin täl-15 löin ohjauskytkimen Q3 päävirtatieltä eli emitteripiiristä muodostetaan ylivirtatilanteen ohjaussignaali K ilmaisu-kytkimen Q12 kannalle 12. Ilmaisukytkimellä muodostetaan ilmaisusignaali L ylivirtatilanteesta linjaan 16 mikroprosessorille 17.In the method utilizing the arrangement for detecting the overcurrent situation of the switch member Q4, Q5, the overload of the switch member Q4, Q5 supplying the signal path A with the control switch Q3 is measured. If the current I changes, then an overcurrent control signal K is generated from the main current path of the control switch Q3, i.e. the emitter circuit, to the base 12 of the detection switch Q12. The detection switch L generates a detection signal L from the overcurrent situation to line 16 to the microprocessor 17.

20 Menetelmän edullisessa toteutusmuodossa kytkineli men Q4, Q5 ohjauskytkimen Q3 kautta kulkevan virran muuttuminen aikaansaadaan siirtämällä virtaa virranrajoitusvä-lineellä eli esimerkiksi Zenerdiodilla Z3 ohi kytkinelimen Q4, Q5. Kyseinen tapa on vaivaton tapa muodostaa signaali, . 25 jonka perusteella ylivirtatilannetta tutkitaan. Edelleen * · edullisessa toteutusmuodossa ilmaisusignaali L muodostetaan ilmaisukytkimen Q12 päävirtatielle sovitetun resistanssin R51 yli muodostuvasta jännitteestä U(R51), joka kytketään ohjauskytkimen Q3 päävirtatieltä muodostetun 30 ylivirtatilanteen ohjaussignaalilla K ilmaisukytkimelle ·· Q12. Menetelmän edullisessa toteutusmuodossa ilmaisukyt- kimen eli ilmaisutransistorin Q12 kannalle 12 muodostetaan ohjaussignaali K kytkinelimien Q4, Q5 ohjauskytkimen Q3 päävirtatielle sovitetun resistanssin R52 yli muodostuvan 35 jännitteen muutoksesta U(R52).In a preferred embodiment of the method, the change of the current flowing through the control switch Q3 of the switch element Q4, Q5 is effected by shifting the current by a current limiting means, i.e. for example Zener diode Z3, past the switch element Q4, Q5. This method is an effortless way to generate a signal,. 25 on the basis of which the overcurrent situation is investigated. Furthermore, in the preferred embodiment, the detection signal L is generated by a voltage U (R51) over the resistor R51 applied to the main current path of the detection switch Q12, which is connected to the detection switch K12 by the overcurrent control signal K formed from the main current path of the control switch Q3. In a preferred embodiment of the method, a control signal K is generated on the base 12 of the detection switch, i.e. the detection transistor Q12, from a change in the voltage U (R52) formed across the resistance R52 of the control switch Q3 applied to the main current path of the switching elements Q4, Q5.

Il 7 93065Il 7 93065

Keksinnön mukaisen sovitelman edullisessa toteutus-muodossa ilmaisukytkimen Q12 päävirtatielle on sovitettu suuriohminen resistanssi R51, jonka yli muodostuva jännite U(R51) saatuna pisteestä 15 on ilmaisukytkimellä Q12 kyt-5 kettävissä ohjauskytkimeltä Q3 saatavalla ohjauksella K. Suuriohmisuus aikaansaa sen, että jännitehäviö vastuksessa R5l tulee riittäväksi, jotta syntyy riittävä signaali linjaan 16. Ohjauskytkimen Q3 päävirtatielle sovitettu resistanssi R52 ja myös R29 ovat pieniohmisia, jotta ohjaus-10 transistorin Q3 emitteripiiri toimisi oikealla tavalla.In a preferred embodiment of the arrangement according to the invention, a high ohmic resistance R51 is arranged on the main current path of the detection switch Q12, over which the voltage U (R51) obtained from point 15 can be switched by the detection switch Q12 with the control K obtained from the control switch Q3. to generate a sufficient signal on line 16. The resistor R52 and also R29 applied to the main current path of the control switch Q3 are low-ohmic for the emitter circuit of the control transistor Q3 to function properly.

Keksinnön mukaista ratkaisua voidaan hyväksikäyttää esimerkiksi tasavirtamerkinantolaitteissa, jolloin signaa-litie A esittää linjaa, jolle merkinantoimpulsseja halutaan kytkeä. Kuviossa 1 tasavirtakytkimet Q4, Q5 kytkevät 15 maapotentiaalia signaalitielle A.The solution according to the invention can be utilized, for example, in direct current signaling devices, in which case the signal path A represents the line to which the signaling pulses are to be connected. In Figure 1, the DC switches Q4, Q5 connect 15 ground potentials to the signal path A.

Vaikka keksintöä on edellä selostettu viitaten oheisten piirustusten mukaisiin esimerkkeihin, on selvää ettei keksintö ole rajoittunut niihin, vaan sitä voidaan monin tavoin muunnella oheisten patenttivaatimusten esit-20 tämän keksinnöllisen ajatuksen puitteissa.Although the invention has been described above with reference to the examples according to the accompanying drawings, it is clear that the invention is not limited thereto, but can be modified in many ways within the scope of this inventive idea of the appended claims.

• · • < • «• · • <• «

Claims

A method for indicating an overcurrent state in a switching means, in which method is measured the overload in the switching means (Q4, Q5) provided with a control circuit (Q3) and supplying a signal path (A), characterized in that to detect an overload, the current (I) passing through the switchgear control coupling and the change in the current (I) making through the signal path (A) supplying the switchgear control coupling is detected from the control coupling (Q3). ) main current path a control signal (K) for an overcurrent state to an indication circuit (Q12), which generates a signal (L) indicating the overcurrent state. 15

2. A method according to claim 1, characterized in that the change in the current (I) which is effected via the control coupling (Q3) of the coupling means is accomplished by transmitting current past the coupling means by means of a current limiting means (Z3). 20

3. A method according to claim 1 or 2, characterized in that the indication signal (L) is formed by a voltage U (R51) generated over a resistance (R15) arranged in the main circuit path of the indication coupling (Q12). is coupled to the indication coupling j (Q12) generated from the main current path of the control coupling (Q3).

4. A method according to claim 1 or 2, characterized in that the control signal (K) of the indicating coupling (Q12) is generated by a change in the voltage formed over a resistance (R52) in the main current path of the coupler means (Q4, Q5). control coupling (Q3). ♦ ·

Apparatus for indicating an overload condition of a switching means, comprising: - a semiconductor switching means (Q4) supplying a signal path (A),

Q5), comprising a control electrode (1) and main current path electrodes (2, 3), a means (Z3) which limits the current of the control electrode (1) and is arranged between the control electrode (1) and the signal path (A), 5. a control coupling (Q3) coupled to the control electrode (Q4, Q5) comprising a control electrode (7) and main current electrodes (8, 9), characterized in that the device further comprises 10. a resistor arranged in the main coupling path (Q3) An indication circuit (Q12) comprising a control electrode (12) and main current path electrodes (13, 14), said control electrode (12) being coupled to the resistance (R52) provided in the main circuit path (Q52).

6. Device according to claim 5, characterized in that a high-ohmic resistance (R51) is provided in the main current path of the indicating coupling (Q12), over which a voltage can be generated by the indicating coupling (Q12) when it has received a control signal (K) from the control coupling. (Q3).

7. Device according to claim 5, characterized in that the resistance (R52) provided in the main current path of the control coupling (Q3) is low. IM • K