FI59190B - Omvandlare foer mikrofon eller liknande och foerfarande foer dess framstaellning - Google Patents
Omvandlare foer mikrofon eller liknande och foerfarande foer dess framstaellning Download PDFInfo
- Publication number
- FI59190B FI59190B FI783956A FI783956A FI59190B FI 59190 B FI59190 B FI 59190B FI 783956 A FI783956 A FI 783956A FI 783956 A FI783956 A FI 783956A FI 59190 B FI59190 B FI 59190B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- microphone
- transducer
- converter
- foerfarande foer
- och foerfarande
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
- H04R17/02—Microphones
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Description
R5F*1 m (l1)ltUU.LUTU*|ULKAieU CQ1Qn
JB&& 1 J ' ; UTLÄCONINOSSKRIFT 0 * 7 V
5¾¾ C «« Patentti ray Sr. rv:· tty 10 06 1931 ^ Patent meddelat ^ T ^ (51) Kv.lk?/tet.CL3 H 04 H 17/02 SUOMI—FINLAND (21) fW«ih»k*mo.-P**n««.6fcn<nf 703956 (22) Halnmlv«l«ft —AMBIminHac 21.12.78 ^ * (23) Alkupllvi—CIWghMadai 21.12.78 (41) T«Hut (iriklMlal—BNvlt off«ntll( 22 ¢)6 80 «tint- och rtgirterstyralMn ' ' AmMcan utta|d och «UkrlftM puWk*r»d 27.02.8l (32)(33)(31) iyrdatqr «notku»—B«g«H priorlut (71) Ab. Godenhielm & Co Oy., Vänrikki Stoolinkatu 10 a 2k, 00100 Helsinki 10, Suomi-Finland(FI) (72) Bertil Godenhielm, Helsinki, Suomi-Finland(FI) (7*0 Oy Roister Ab (5*0 Muunnin mikrofonia tai sentapaista varten ja menetelmä sen valmistamiseksi - Omvandlare för mikrofon eller liknande och förfarande för dess framstalining Tämä keksintö koskee muunninta mikrofonia tai sentapaista varten, joka muunnin on pietsosähköinen taivutusmuunnin. Keksinnön kohteena on myös menetelmä muuntimen valmistamiseksi.
Viime vuosikymmenenä on pietsosähköisen ilmiön hyväksikäyttö muissakin kuin suodatin- ja resonaattorisovellutuksissa lisääntynyt huomattavasti. Tämä johtuu osaksi uusien materiaalien käyttöönotosta, osaksi valmistustekniikassa tapahtuneesta voimakkaasta kehityksestä. Varsinkin ultraäänitaajuuksilla pietsosähköisten muuntamien käyttö on yleistä. Tässä taajuusalueessa voidaan käyttää hyväksi elementin mekaanisia resonansseja, jolloin hyötysuhde on suuri, jopa kymmeniä prosentteja.
Audiotaajuuksilla ultraäänitekniikassa sovellettujen paksuus-ja pituusmuuntimien toiminta on jokseenkin tehotonta pienen taajuuden ja väliaineen ja muuntimen välisen suuren impedanssieron vuoksi.
I < 59190
Pientaajuusmuuntimen toiminta perustuukin yleensä taivutusmuodon hyväksikäyttöön.
Kuvio 1 esittää mikrofoneissa yleistä keraamista ns. bimorfia. Siinä polarisaatio vaihtaa elementin keskitasossa suuntaa. Jos muunnin on yksikiteinen, voidaan taivutuselementti valmistaa kuviossa 2 esitetyn periaatteen mukaisesti. Kentän ollessa palkin ylä- ja alapuoliskossa vastakkaissuuntainen on x^-akselin suuntaisen venymän etumerkki eri palkin ylä- ja alaosassa seurauksena palkin taipuminen.
Keksinnön kohteena on alussa mainittua lajia oleva muunnin, jolle on pääasiassa tunnusomaista, että muunnin koostuu kahdesta palkista, jotka ovat päistään yhdistetyt toisiinsa muodostaen yhden kappaleen. Tällaisella muuntimellä on suurempien ominaistaajuuksien osuus paljon pienempi kuin kuvioiden 1 ja 2 mukaisilla, toisesta päästään tuetuilla muuntimilla ja muuntimen dynaaminen massa on huomattavan pieni. Sen varausvaste on kaksinkertainen kuvan 1 muuntimeen verrattuna, jolloin on otettu huomioon, että toisesta päästään jäykästi kiinnitetyn muuntimen on oltava puolet lyhyempi kuin keskeltä kiinnitetyn, jotta ne mahtuisivat samaan tilaan.
Muuntimen valmistusmenetelmälle on puolestaan tunnusomaista, että kide päällystetään metallikalvolla, elektrodikuvio etsataan tähän kalvoon etsataan kiteen ääriviivat, minkä jälkeen kide etsataan selektiivisesti käyttäen sen pinnassa olevaa ohutkalvoa maskina ja lopuksi maskina ollut kalvo poistetaan, niin että jäljelle jää elektrodikuvio.
Keksinnön mukaista muunninta selitetään seuraavassa tarkemmin oheiseen piirustukseen viitaten, jossa kuviot 1 ja 2 esittävät tunnettuja muunnintyyppejä perspektiivikuvina, kuvio 3 esittää keksinnön mukaisella muuntimella varustettua kidemikrofonia pystyleikkauksena, kuvio U esittää keksinnön mukaisessa mikrofonissa käytettävää muunninta perspekt iivikuvana, kuvio 5 esittää muunninelementtiä impulssivastetta laskettaessa, ja kuvio 6 esittää kuvion U mukaisen muuntimen impulssivastetta (a, b) ja tunnetun muuntimen impulssivastetta (c).
59190 3
Kuvion 3 mukaisessa mikrofonissa on lieriömäisen rungon ja etu- ja takakannen välissä tukilevy 8, jonka rakoon on sovitettu keksinnön mukainen muunnin 9· Muuntimen ja etuontelon 10 välissä on kalvo 11, jonka reunat tukeutuvat tukilevyyn ja jonka kartiomainen keskikohta painaa etujäänityksellä muuntimen yläpalkkia vasten yhdestä pisteestä. Tukilevyn alapintaan on kiinnitetty FET-transistori 12.
Kuvion 1» esittämässä pietsosähköiseen kidemikrofoniin tarkoitetussa taivu-tusmuuntimessa on yläpalkki 1 ja alapalkki 2, jotka on kummastakin päästään yhdistetty toisiinsa kaarevien siltojen 3 ja 1* avulla. Palkkien pinnalle on sovitettu elektrodit 5 ja 6 kuvion osoittamalla tavalla siten, että kumpikin elektrodi sijaitsee kummankin palkin pinnalla. Kuviossa k on myös esitetty muuntimen sähkökytkentä. Muunnin on kvartsia.
Mikrofonin kalvon tai vastaavan painaessa muunninta vasten nuolen F suunnassa taipuu muunnin aiheuttaen muutoksia jännitteessä V.
Riittävän mekaanisen lujuuden saavuttamiseksi muuntimen paksuuden tulee olla vähintään luokkaa 25 ^im. Tästä johtuen muuntimen impedanssitaso on korkea, jolloin impedanssiepäsovitusta vahvistimeen kvartsin ollessa materiaalina ei voida välttää.
Alarajakulmataajuuden ti) = - = G /(C + C ) (jossa C * muuntimen sähkökapasi- LA pp AA h iij tanssi ja G^ = vahvistimen tuloadmittanssi) yläpuolella mikrofonin herkkyydeksi saadaan tällöin s = 2o ig (V-1L2L) ♦ 20 1« ω
p 1 V E A
jossa = vahvistimen sisäänmenokapasitanssi Vq on se jännite, joka saadaan muun-timesta avoimeen piiriin ja p on vapaan äänikentän paine.
Pienikohinaisen JFET-vahvistimen sisäänmeno impedanssi on luokkaa 1-5 pF. Halkaisijaltaan 5 mm mikrofonissa muuntimen mitoiksi tulee 1 = 2 mm, w * 0,5 mm ja t = 25 jom. Kapasitanssiksi saadaan näin 1,6 pF. Epäsovitus vahvistimeen on siis -h - -12 dB. Avoimen piirin herkkyydeksi saadaan -65 dB (re 1 V/0,1 Pa).
Dynaamisen alueen alaraja
Leq * 20 18 <δ^) - S- 4 59190 jossa on painotettu kohinajännite vahvistimen sisääntulossa, määräytyy lähinnä JFET:n kanavan termisen kohinan mukaan. Pientaajui-nen generaatio-rekombinaatiokohina ei juuri vaikuta A-painotettuun kohinatasoon.
Jos valkoisen kohinan taso on 75 nV/ Hz, saadaan dynaamisen alueen alarajaksi noin 40 dB.
Vahvistimessa syntyvä särö on niin pientä, ettei se juuri rajoita dynaamista aluetta. Epälineaarisuus johtuu osittain muunti-men korkeamman vapausasteen muodonmuutoksista, osittain kalvon mahdollisesta epälineaarisesta toiminnasta.
Poikkeaman impulssivastetta laskettaessa voidaan käyttää kuvion 5 mukaista elementtiä, joka on sähköisesti ja meekanisesti kuormitettu. Tässä mekaaninen piiri kuvaa esimerkiksi mikrofonin kalvon ja väliaineen yhteisvaikutusta ja sähköinen piiri suuri-impedanssi-sen vahvistimen sisäänmenoa. Tästä elementistä voidaan laskea ominaisfunktiot. Mitä korkeammasta taajuudesta on kyse, sitä enemmän ominaisfunktio muistuttaa sinifunktiota.
Kuviossa 6 on esitetty poikkeaman impulssivaste (a), varauksen impulssivaste (b), molemmat vaimentamattomia, sekä vertailun vuoksi toisesta päästään kiinteästi tuetun palkin poikkeaman vaimen-tamaton impulssivaste (c). Käyriä vertaamalla voidaan todeta, että keksinnön mukaisessa muuntimessa on suurempien ominaistaajuuksien osuus paljon pienempi kuin tunnetussa yksipalkkisessa muuntimessa, mikä on edullista.
Keksinnön mukaisen muuntimen dynaaminen massa on vain noin 38 % kokonaismassasta. Tämä on varsin vähän, kun otetaan huomioon, että pelkän vapaasti ripustetun palkin dynaaminen massa on yhtä suuri kuin todellinen massa.
Keksinnön mukainen muunnin valmistetaan seuraavalla tavalla.
Muunnin tehdään selektiivisesti etsaamalla esim. noin 25 ^um:n paksuisesta NT-leikatusta kiillotetusta kvartsilevystä. Käytetyn fotolitografisen menetelmän pääpiirteet ovat seuraavat. Ensin päällystetään kide tyhjöhöyrystämällä kromia ja kultaa molemmin puolin yhtäaikaa, jolloin metallikalvon ja kvartsin väliset jännitykset kumoutuvat eikä kide taivu.
Elektrodikuvio valmistetaan selektiivisesti etsaamalla, jonka jälkeen päällystetään kide uudelleen ja etsataan kalvoon kiteen 1 *>>(' ,1 ^ 59190 ääriviivat. Tämän jälkeen kvartsi etsataan selektiivisesti käyttäen sen pinnassa olevaa ohutkalvoa maskina, jonka jälkeen maskina ollut kalvo poistetaan ja jäljelle jää elektrodikuvio.
Muunnin voidaan kontaktoida kylmähitsaamalla käyttäen esim.
25 yum:n vahvuista kultalankaa ja sen jälkeen se kiinnitetään liimaamalla kalvoon ja tukipisteeseen. Muuntimen esijännittämiseksi voidaan mikrofonin kalvo esipainaa noin 2 mm vesipatsaan paineella.
Kuten edellä on mainittu, on keksinnön mukainen muunnin kvartsia. Vaikka tällä aineella on pieni kytkentäkerroin ja permittivi-teetti, on keksinnön mukainen muunnin osoittautunut käyttökelpoiseksi. Esimerkkinä voidaan mainita, että kuvion 3 mukaisesti rakennetun mikrofonin 4 kHz herkkyydeksi on saatu 24 mV/Pa, jota on pidettävä riittävänä.
Keksintö ei rajoitu vain kvartsin käyttöön muuntimen raaka-aineena, vaan muunnin voidaan valmistaa muistakin aineista, joilla on vastaavat ominaisuudet.
i m .* '
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI783956A FI59190C (fi) | 1978-12-21 | 1978-12-21 | Omvandlare foer mikrofon eller liknande och foerfarande foer dess framstaellning |
SE7910611A SE433158B (sv) | 1978-12-21 | 1979-12-21 | Pietoelektrisk avbojningsomvandlare for mikrofon eller liknande samt forfarande for framstellning av omvandlaren |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI783956A FI59190C (fi) | 1978-12-21 | 1978-12-21 | Omvandlare foer mikrofon eller liknande och foerfarande foer dess framstaellning |
FI783956 | 1978-12-21 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI783956A FI783956A (fi) | 1980-06-22 |
FI59190B true FI59190B (fi) | 1981-02-27 |
FI59190C FI59190C (fi) | 1981-06-10 |
Family
ID=8512245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI783956A FI59190C (fi) | 1978-12-21 | 1978-12-21 | Omvandlare foer mikrofon eller liknande och foerfarande foer dess framstaellning |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FI (1) | FI59190C (fi) |
SE (1) | SE433158B (fi) |
-
1978
- 1978-12-21 FI FI783956A patent/FI59190C/fi not_active IP Right Cessation
-
1979
- 1979-12-21 SE SE7910611A patent/SE433158B/sv not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE7910611L (sv) | 1980-06-22 |
FI783956A (fi) | 1980-06-22 |
SE433158B (sv) | 1984-05-07 |
FI59190C (fi) | 1981-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Haller et al. | A surface micromachined electrostatic ultrasonic air transducer | |
US4885781A (en) | Frequency-selective sound transducer | |
US2900536A (en) | Design of electro-mechanical transducer elements | |
US6249075B1 (en) | Surface micro-machined acoustic transducers | |
US4435986A (en) | Pressure transducer of the vibrating element type | |
US3676722A (en) | Structure for bimorph or monomorph benders | |
JP3353728B2 (ja) | 音響振動センサ | |
FI59190B (fi) | Omvandlare foer mikrofon eller liknande och foerfarande foer dess framstaellning | |
CN115278490A (zh) | 压电式mems麦克风 | |
JP2000205940A (ja) | センサ素子及び振動波センサ | |
WO2022104960A1 (zh) | 膜层结构测试系统及膜层电学参数测试结构 | |
US3360770A (en) | Vibration sensor | |
Olson | Field‐type acoustic wattmeter | |
KR20020087204A (ko) | 금속 코팅된 이소불화비닐 필름을 진동판으로 사용한초소형 마이크로폰 | |
SU883681A1 (ru) | Датчик давлени с частотным выходом | |
JPH08321740A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP2000151337A (ja) | 弾性表面波共振器フィルタ | |
SU362514A1 (ru) | Пьезоэлектрический микрофон | |
JPS6330575B2 (fi) | ||
SU1134889A1 (ru) | Устройство дл измерени усилий | |
JPS6067829A (ja) | 圧力検知器 | |
JPH0654846B2 (ja) | Fm変調器 | |
Bosetti et al. | Single-Layer Corrugated Aluminum Nitride Membranes as Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers with Differential Readout and Actuation | |
JPH0643928B2 (ja) | 応力センサ | |
KR20040091207A (ko) | 압전 음향 변환기 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM | Patent lapsed |
Owner name: GODENHIELM, BERTIL |