FI123964B - Solcell och anordning och förfarande för framställning av en solcell - Google Patents
Solcell och anordning och förfarande för framställning av en solcell Download PDFInfo
- Publication number
- FI123964B FI123964B FI20075140A FI20075140A FI123964B FI 123964 B FI123964 B FI 123964B FI 20075140 A FI20075140 A FI 20075140A FI 20075140 A FI20075140 A FI 20075140A FI 123964 B FI123964 B FI 123964B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- layer
- solar cell
- produced
- tin oxide
- laser
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 80
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 3
- WCOSNLGKHNWDQR-UHFFFAOYSA-N germanium;indium;oxotin Chemical compound [Ge].[In].[Sn]=O WCOSNLGKHNWDQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 239000000289 melt material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 81
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 61
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 239000000047 product Substances 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- -1 MgF2 Chemical class 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 2
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N oxo-bis(oxoalumanyloxy)titanium Chemical compound O=[Al]O[Ti](=O)O[Al]=O CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020187 CeF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000001744 T-lymphocyte Anatomy 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006353 environmental stress Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 230000037072 sun protection Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Claims (36)
1. Ett förfarande för att genom laserdeponering producera minst ett lager (362-368) 5 som har en yta och som är framställt för att användas som en del av en solcell med flera materiallager, vid vilken ablateras material frän ett strälmäl med en lasersträle, och varvid pulslängden vid nämnda laserdeponering är mindre än 1 ns, känneteck-nat av att det produceras en beläggning genom laserdeponering som baserar sig pä kryoablation och vid vilken pulsfrekvensen är minst 1 MHz och vid vilken skannas 10 en pulserad lasersträle (49) med en roterbar optisk skanner (10) som innefattar minst en spegel (21-28) för att reflektera nämnda lasersträle och vars skanhastighet är minst sä stor att pä varandra följande laserpulsers bredvid varandra liggande träff-punkter pä strälmälets yta överlappar varandra högst 1/3 av träffpunktsdiametem. 15
2. Förfarande enligt patentkrav 1, kännetecknat av att nämnda lager görs samman- hängande pä ett omräde som är minst 0,2 dm2.
3. Förfarande enligt patentkrav 1, kännetecknat av att nämnda lager görs samman-hängande pä ett omräde som är minst 0,5 dm2. 20
4. Förfarande enligt patentkrav 1, kännetecknat av att nämnda lager görs samman- CO 2 g hängande pä ett omräde som är minst 1,0 dm . c\j i o -n-
5. Förfarande enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknat av att det product; 25 ceras ett halvledarlager eller ett ledande lager. CL O lS
6. Förfarande enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknat av att laserde- ° 7 ^ poneringen genomförs vid ett tryck som är 10 Pa - 10 kPa och företrädesvis vid ett tryck som är 10 Pa - 10 kPa. 30 31
7. Förfarande enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknat av att avständet mellan strälmälsmaterialet (47) och lagret (50) som produceras ställs in pä ett värde som är mindre än 25 cm, lämpligen mindre än 15 cm och speciellt mindre än 10 cm. 5
8. Förfarande enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknat av att strälmä- lets (47) ablaterade yta ablateras upprepade gänger.
9. Förfarande enligt nägot av patentkraven 2-4, kännetecknat av att pä nämnda sammanhängande lager skapas en yta vars grovhet vid en skanning med ett atom- 10 kraftsmikroskop (AFM) pä ett omräde av 100 pm2 är under 100 nm.
10. Förfarande enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknat av att det produceras ett lager vars optiska transmission inte är under 88 %, lämpligen inte under 90 % och speciellt inte under 92 %. 15
11. Förfarande enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknat av att det produceras ett lager av ledande transparent material (364) som bestär av indium-tennoxid, zinkoxid med tillsatt aluminium, tennoxid eller tennoxid med tillsatt fluor. 1
12. Förfarande enligt nägot av patentkraven 1-11, kännetecknat av att det produ- ceras ett lager av ledande, icke transparent material som bestär av aluminium eller o koppar. i o
^ 13. Förfarande enligt nägot av patentkraven 1-11, kännetecknat av att det produ- 2. ceras ett lager av halvledande material (366) som bestär av kisel, germanium- ^ indiumtennoxid, zinkoxid med tillsatt aluminium, tennoxid eller tennoxid med till- satt fluor. o o CVJ 32
14. Förfarande enligt nägot av patentkraven 1-11, kännetecknat av att det produ-ceras ett lager med en icke-reflekterande yta (362) som bestär av kiselnitrid eller titanoxid. 5
15. Förfarande enligt nägot av patentkraven 1-11, kännetecknat av att det produ- ceras ett lager som innehäller minst 80 % metalloxid eller en blandning därav.
16. Förfarande enligt nägot av patentkraven 1-11, kännetecknat av att det produ-ceras ett lager av kolmaterial som innehäller över 90 atom-% koi varav över 70 % är 10 sp3-bundet.
17. Förfarande enligt nägot av patentkraven 1-11, kännetecknat av att det produ-ceras ett lager som innehäller koi, kväve och/eller bor. 15
18. Förfarande enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknat av att pä nämnda solcells yttre yta (362) produceras en flerlagerskonstruktion.
19. Förfarande enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknat av att det produceras minst ett lager vars tjocklek är 20 nm - 20 pm, företrädesvis 100 nm - 5 pm. 20
20. En solcell med Hera materiallager, kännetecknad av att den innefattar ett genom o förfarandet enligt patentkrav 1 framställt materiallager som är sammanhängande pä ° ett omräde av minst 0,2 dm . i | 25
21. Solcell enligt patentkrav 20, kännetecknad av att nämnda lager är samman- ^ hängande pä ett omräde som är minst 0,5 dm2. LO o o
22. Solcell enligt patentkrav 20, kännetecknad av att nämnda lager är samman hängande pä ett omräde som är minst 1,0 dm2. 30 33
23. Solcell enligt nägot av patentkraven 20 - 22, kännetecknad av att grovheten hos nämnda sammanhängande lagers yta vid en skanning med ett atomkraftsmikroskop (AFM) pa ett omräde av 100 μιη2 är under 100 nm.
24. Solcell enligt nägot av patentkraven 20 - 23, kännetecknad av att det produce- rade lagrets optiska transmission inte är under 88 %, lämpligen inte under 90 % och speciellt inte under 92 %.
25. Solcell enligt nägot av patentkraven 20 - 24, kännetecknad av att den har ett 10 lager av ledande transparent material som innehäller indium-tennoxid, zinkoxid med tillsatt aluminium, tennoxid eller tennoxid med tillsatt fluor.
26. Solcell enligt nägot av patentkraven 20 - 24, kännetecknad av att den har ett lager av ledande, icke transparent material som innehäller aluminium eller koppar. 15
27. Solcell enligt nägot av patentkraven 20 - 24, kännetecknad av att den har ett lager av halvledande material (366) som innehäller kisel, germanium-indiumtennoxid, zinkoxid med tillsatt aluminium, tennoxid eller tennoxid med tillsatt fluor. 20
28. Solcell enligt nägot av patentkraven 20 - 24, kännetecknad av att den har ett 0 lager med en icke-reflekterande beläggning (362) som innehäller kiselnitrid eller ° titanoxid.
29. Solcell enligt nägot av patentkraven 20 - 24, kännetecknad av att närnnda lager 1 25 innehäller metall, metalloxid, metallnitrid, metallkarbid eller blandningar därav. o
30. Solcell enligt nägot av patentkraven 20 - 24, kännetecknad av att närnnda lager o 3 ^ innehäller kolmaterial med over 90 atom-% kol varav over 70 % är sp -bundet. 34
31. Solcell enligt nägot av patentkraven 20 - 24, kännetecknad av att nämnda lager innehäller koi, kväve och/eller bor.
32. Solcell enligt nägot av patentkraven 21 - 31, kännetecknad av att solcellens 5 yttre yta omfattar en konstruktion med flera lager.
33. Solcell enligt nägot av patentkraven 21 - 32, kännetecknad av att nämnda m in st ena lagers tjocklek är 20 nm - 20 pm, företrädesvis 100 nm - 5 pm.
34. Ett arrangemang för att producera minst ett lager för en solcell med flera lager, varvid arrangemanget innefattar medel för att producera minst ett lager med yta ge-nom laserdeponering, varvid pulslängden vid laserdeponeringen är mindre än 1 ns, kännetecknat av att arrangemanget innefattar medel (10-52) för att producera ett lager genom laserdeponering som baserar sig pä kryoablation, varvid pulsfrekvensen 15 vid nämnda laserdeponering är minst 1 MHz och varvid arrangemanget innefattar en roterbar optisk skanner (10) för att skanna en pulserad lasersträle (49), varvid den roterbara skannem har minst en spegel (21-28) för att reflektera nämnda lasersträle, och vilkens skanners skanhastighet är minst sä stor att pä varandra följande laserpul-sers bredvid varandra liggande träffpunkter pä strälmälets yta överlappar varandra 20 högst 1/3 av träffpunktsdiametem. CO
35. Arrangemang enligt patentkrav 34, kännetecknat av att arrangemanget innefat- i ° tar en processkammare (510) där nämnda ätminstone ena lager produceras och me- i ^2 del (571-575) för att producera minst tvä lager för samma solcell i samma kammare 1 25 (510). o 't
36. Arrangemang enligt patentkrav 34 eller 35, kännetecknat av att arrangemanget o innefattar en processkammare (510) där nämnda ätminstone ena lager produceras och medel för att bearbeta samma solcell i samma kammare.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20075140A FI123964B (sv) | 2006-02-23 | 2007-02-23 | Solcell och anordning och förfarande för framställning av en solcell |
Applications Claiming Priority (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20060177A FI20060177L (sv) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | Förfarande för att producera ytor av god kvalitet och produkt med en yta av god kvalitet |
| FI20060181A FI20060181L (sv) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | Förfarande för att producera ytor och material med hjälp av laserablation |
| FI20060178A FI20060178L (sv) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | Ytbeläggningsförfarande |
| FI20060177 | 2006-02-23 | ||
| FI20060182 | 2006-02-23 | ||
| FI20060181 | 2006-02-23 | ||
| FI20060178 | 2006-02-23 | ||
| FI20060182A FI20060182L (sv) | 2005-07-13 | 2006-02-23 | Ytbehandlingsteknik i anslutning till ablationstekniken och ytbehandlingsanläggning |
| FI20060357 | 2006-04-12 | ||
| FI20060357A FI124239B (sv) | 2006-02-23 | 2006-04-12 | Ett element som har en elledande hinnartad struktur för att åstadkomma en värmande och/eller kylande effekt med hjälp av elström |
| FI20075140A FI123964B (sv) | 2006-02-23 | 2007-02-23 | Solcell och anordning och förfarande för framställning av en solcell |
| FI20075140 | 2007-02-23 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20075140A0 FI20075140A0 (sv) | 2007-02-23 |
| FI20075140A FI20075140A (sv) | 2007-08-24 |
| FI123964B true FI123964B (sv) | 2014-01-15 |
Family
ID=37832288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20075140A FI123964B (sv) | 2006-02-23 | 2007-02-23 | Solcell och anordning och förfarande för framställning av en solcell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FI (1) | FI123964B (sv) |
-
2007
- 2007-02-23 FI FI20075140A patent/FI123964B/sv not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI20075140A (sv) | 2007-08-24 |
| FI20075140A0 (sv) | 2007-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101467584B1 (ko) | 태양 전지 및 태양 전지를 생산하는 설비 및 방법 | |
| CN101389439A (zh) | 太阳能电池以及用于生产太阳能电池的设备和方法 | |
| KR20090003255A (ko) | 탄소 질화물 코팅 및 탄소 질화물 코팅된 제품 | |
| RU2467851C2 (ru) | Солнечный элемент и способ и система для его изготовления | |
| FI123964B (sv) | Solcell och anordning och förfarande för framställning av en solcell | |
| FI124524B (sv) | Anordning och förfarande för framställning av en halvledare | |
| FI124358B (sv) | Beläggning på ett glassubstrat och belagd glasprodukt | |
| FI124359B (sv) | Beläggning av ett plastsubstrat och belagd plastprodukt | |
| FI124360B (sv) | Beläggning på ett fibersubstrat och belagd fiberprodukt |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 123964 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |
|
| MM | Patent lapsed |