FI116753B - Aallonpituudeltaan säädettävä laserjärjestely - Google Patents
Aallonpituudeltaan säädettävä laserjärjestely Download PDFInfo
- Publication number
- FI116753B FI116753B FI980860A FI980860A FI116753B FI 116753 B FI116753 B FI 116753B FI 980860 A FI980860 A FI 980860A FI 980860 A FI980860 A FI 980860A FI 116753 B FI116753 B FI 116753B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- laser
- control element
- arrangement according
- external
- laser arrangement
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/0622—Controlling the frequency of the radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Description
Aallonpituudeltaan säädettävä laserjärjestely
Keksinnön ala
Keksintö liittyy aallonpituudeltaan säädettävään diodilc sinnön kohteena on tarkemmin aallonpituudeltaan jatkuvasti sääde 5 järjestely, joka käsittää laserlähteen ja kontrollielementin, joiden I ja kontrollielementin väli muodostaa ulkoisen ontelon, ja kontrolli* sovitettu muuttamaan ulkoisen ontelon optisia ominaisuuksia.
Keksinnön tausta
Aallonpituudeltaan säädettäviä lasereita voidaan käytt 10 sovelluksissa, joita ovat esimerkiksi tietoliikenne ja spektroskopi; tapoja säätää diodiiaserin aallonpituutta ovat lämpötilan ja/tai dio kevan sähkövirran muuttaminen. Lämpötilan ja ohjausvirran vaik aallonpituuteen on kuitenkin pieni, joten säätötavat eivät sovellu lonpituuden viritykseen sovelluksissa, joissa vaaditaan useiden r i 15 viritysaluetta.
| Diodiiaserin aallonpituutta voidaan muuttaa luotettav mällä diodiiaserin kanssa erillistä, ulkoista onteloa. Tunnetussa tel ^ kaksi paljon käytettyä onteloratkaisua nimittäin Littman/Metcalf- I konfiguraatiot, joita esitetty julkaisussa Lasers & Optronics, Conti :"\ 20 nable Diode Lasers, sivut 15-17, June 1993, mikä otetaan tähä . Kummassakin ratkaisussa diodilaserista lähtevä säteily kollimoidi • · * .***' ja kohdistetaan hilaan, josta ainakin osa säteilystä heijastuu taka • f « l.l seriin joko suoraan tai peilin avulla. Littrow-konfiguraatiossa diod V:’ lonpituutta säädetään muuttamalla esimerkiksi hilan kulmaa. Littm • · * 25 toteutuksessa diodiiaserin aallonpituutta muutetaan kääntämällä : maa.
Koska Littman/Metcalf- ja Littrow -toteutuksissa peil •.f*: asennon säätäminen vaatii suurta tarkkuutta, halutun aallonpituud :***: nen on vaikeaa tunnetun tekniikan mukaisissa toimintamuodoissa.
11 2
Diodilaserin aallonpituutta on myös voitu laboratoric käyttämällä laserin edessä lasilevyä, joka toimii puoliläpäisevänä f serin takana peiliä, joka liikkuu. Lasilevyn etäisyys laserista on noi takapeilin etäisyys on noin 20 pm. Taaemman peilin etäisyyttä vc 5 ratkaisussa muuttaa pietsosähköisesti, jolloin myös laserin ääliöni tuu. Tarkemmin tällaista ratkaisua kuvataan julkaisussa Zhu, X.
D.T. 1996, Liquid detection with InGaAsP semiconductor lasers Y pie short external cavities, Applied Optics, vol. 35, no. 24, pp. 468£ otetaan tähän viitteeksi. Tämän ratkaisun ongelma on se, että se 10 että liikkuvan peilin kohdistus vaatii huomattavasti mekaniikkaa, ts ei ole mahdollista tässä muodossaan integroida yhdeksi lasermod nettua on myös yhteen liikkuvaan peiliin perustuva yhteiselle optis< integroitu rakenne. Tätä ratkaisua esitetään tarkemmin julkaisus Y., Honma, K. & Nagaoka, S. 1996, Tunable laser diode using a r 15 machined external mirror, Electronics Letters, vol. 32, no. 13, pp. mikä otetaan tähän viitteeksi. Ongelmana tällaisen ratkaisun teol dyntämisessä on kuitenkin se, ettei optisia alustoja, jotka on varu villa mikropeileillä, valmisteta teollisesti eikä ratkaisu siten ole vie hyödynnettävä. Kummankin laboratorioasteella olevan ratkaisun 20 on lisäksi kestävyys ja luotettavuus.
Keksinnön lyhyt selostus *· · : Keksinnön tavoitteena on siten toteuttaa laserjärjestely s : Y; lä mainitut ongelmat saadaan ratkaistua.
* * Tämä saavutetaan aallonpituudeltaan jatkuvasti säädett . v. 25 järjestelyllä, joka käsittää laserlähteen ja kontrollielementin, joiden I ♦ · · ja kontrollielementin väli muodostaa ulkoisen ontelon, ja kontrollk * elektrostaattisesti säädettävä siten, että kontrollielementti muutt . . ontelon optisia ominaisuuksia ainakin yhden säätöosan mikromekc • · · * keellä. Edelleen laserlähteen ja kontrollielementin väli, joka muo< 30 puolisen ontelon, on lyhyt, edullisesti nollasta satoihin laseriähte 11 3
Keksinnön mukaisella laserjärjestelyllä saavutetaan ui Aallonpituudeltaan säädettävästä laserjärjestelystä voidaan valmis tua tekniikan tasoa pienempi, yksinkertaisempi ja halvempi. Lisäks sa ratkaisuissa tärkeitä ja suurta tarkkuutta vaativia optisia kohdisti 5 vita. Tämä helpottaa oleellisesti laserjärjestelyn teollista valmistami dollistaa kannettavan laitteen valmistamisen pienen koon, keveydei suuden ansiosta. Keksinnön mukainen laserjärjestely on myös säädettävissä, mikä vaaditaan esimerkiksi prosessoriohjatussa sov Kaiken kaikkiaan keksinnön mukainen laseijärjestely on halpa, piei 10 luotettava ja pitkäikäinen.
Kuvioiden lyhyt selostus
Keksintöä selostetaan nyt lähemmin edullisten suoritusm teydessä, viitaten oheisiin piirroksiin, joissa kuvio 1 esittää tunnetun tekniikan mukaista säädettävät 15 ria, kuvio 2A esittää keksinnön mukaista säädettävää laserm kuvio 2B esittää keksinnön mukaista säädettävää las käytettäessä takapeiliä, kuvio 2C esittää keksinnön mukaista säädettävää las 20 käytettäessä kahta kontrollielementtiä, kuvio 2D esittää keksinnön mukaista säädettävää las : käytettäessä ontelossa olevaa peiliä, :Y; kuvio 3 esittää mikrotyöstettyä Fabry-Perot -interferometr • · kuvio 4 esittää säädettävää hilaa, • · . v. 25 kuvio 5 esittää laserjärjestelyn rivi- ja/tai matriisirakennett * * · Y kuvio 6 esittää lasermoduulin aallonpituutta mikrotyöstc
Perot -interferometrin ohjausjännitteen funktiona.
:Keksinnön yksityiskohtainen selostus
Keksinnön mukainen ratkaisu soveltuu käytettäväksi esir • .. ...... ..... . .
11 4 104, josta säteily 108 lähtee laserjärjestelyn ulkopuolelle. Osan si 104 kuitenkin myös diffraktoi peiliin 106, josta optinen säteily heijas hilalle 104 ja siitä takaisin linssin 102 kautta laserlähteeseen 101 teen 100 ja peilin 106 väli toimii laserlähteen 100 ulkopuolisena or 5 on vaikutusta laserlähteestä 100 lähtevän säteilyn 108 aallonpitu hoon. Kun ontelon optisia ominaisuuksia muutetaan esimerkiksi I peiliä 106, voidaan laserlähteestä 100 lähtevän säteilyn aallonpil taa. Tällaisessa järjestelyssä optiset kohdistukset ovat hyvin tarl koonpano on siten hyvin vaativaa työtä. Järjestelyn koko on myös 10 velluksiin liian suuri, koska ulkoinen ontelo on tyypillisesti kymme metrien mittainen. Peilin kääntäminen vaatii lisäksi tarkkaa mekanii Kuviossa 2A on esitetty keksinnön mukainen taserjärj käsittää laserlähteen 200, kontrollielementin 202 ja kotelorakentes lainen laserjärjestely muodostaa keksinnön mukaisen yhden la: 15 220, joista voidaan puolestaan muodostaa rivi- ja/tai matriisirakenfc kuviossa 5). Kontrollielementti 202 on edullisesti Fabry-Perot -in1 Fabry-Perot -interferometri käsittää substraatin 204, joka toimii Oi sevänä peilinä. Fabry-Perot -interferometri käsittää säätöosana ; staattisesti liikutettavan peilin, joka on myös osittain läpäisevä. Ke 20 ratkaisun kontrollielementti 202 kontrolloi laserjärjestelystä lähte> aallonpituutta. Laserlähteen 200 ja kontrollielementin 202 väli, joka • · * ulkopuolisen ontelon, on tässä ratkaisussa hyvin lyhyt, geometrise siihen ei kuulu keilaa taittavaa, heijastavaa tai muuten optisesti r :Y: komponenttia kuten linssiä tai peiliä. Tämä tekee laserjärjestelysl ♦ · 25 mahdollistaa aivan uudenlaisten laitteiden valmistamisen. Laserlä keksinnön mukaisessa ratkaisussa edullisesti diodi-laser, joilaise maattinen aallonpituus sijaitsee tyypillisesti näkyvän valon aluee * puna-alueella. Sekä laserlähde 200 että kontrollielementti 202 oi , . pakattu yhden kokonaisuuden muodostavaksi integroiduksi lase • · « 30 Tätä varten kumpikin komponentti on pakattu koteloon 210, jonka muoto sinänsä ei ole keksinnön kannalta oleellinen, vaan kotelo j 5 Tämä puolestaan saa aikaan laserjärjestelyyn kuuluvan ulkoisen onl naisuuksien muutoksen, erityisesti heijastavuuden muutoksen, ja s leen laserlähteen 200 aallonpituuden muutoksen. Kuvion 2A mukai; kaisussa lasermoduulin säteily voidaan ottaa käyttöön laserlähteen 5 ja/tai takasuunnassa.
Kuviossa 2B on esitetty keksinnön edullinen toimintamu< laserlähteen 200 takana on peili 212. Muutoin ratkaisu on samanla kuvion 2A ratkaisukin. Tällöin laserlähteen 200 takapeilin 2002 ja ta van peilin 212 välille muodostuu ulkoinen ontelo, jolla voidaan vaikut 10 moduulin säteilemään aallonpituuteen ja koherenssiin. Takapeili 21 kokonaan tai osittain heijastava. Kuvion 2B mukaisessa ratkaisussa duulin säteily voidaan ottaa käyttöön laserlähteen 200 etu- ja/tai i nassa.
Kuviossa 20 on esitetty keksinnöllisen ratkaisun edulline 15 tamuoto, jossa laserlähteen 200 molemmin puolin on kontrollielem Muutoin ratkaisu on samanlainen kuin kuvion 2A ratkaisukin. Tällöin duulilla on kaksi ulkoista onteloa: ensimmäinen on laserlähteen 200 2002 ja kontrollielementin 202 välissä ja toinen on laserlähteen 20C 2001 ja kontrollielementin 202 välissä. Tässä ratkaisussa lasermodui 20 voidaan ottaa käyttöön laserlähteen 200 etu- ja/tai takasuunnassa.
Kuvioiden 2A, 2B ja 2C mukaisissa keksinnöllisissä rai ·«· diodilaserin 200 ja kontrollielementin 202 välinen etäisyys on vain i kymmeniä mikrometrejä, ollen esimerkiksi 25 μπι. Lasermoduuli on r :V: toteutus (Extremely-Short-External-Cavity). Diodilaser 200 puolesta :**: 25 esimerkiksi noin yhden mikrometrin aallonpituudella. Tällöin laserlähc ··* .v. olla keksinnön mukaisessa ratkaisussa esimerkiksi kvant • · ·
GaAs/GalnAsP/GalnP-suurteholaser, joka toimii noin 980 nm aallonp • t »
Kuviossa 2D on esitetty keksinnöllinen ratkaisu, jossa käv • . koisessa ontelossa olevaa ontelopeiliä 250, joka on edullisesti 45° • t * ::l/ 30 laserlähteen 200 säteilyn suuntaan nähden. Myös tässä toimintamuc *··* serlähteen 200 ja kontrollielementin 202 välinen etäisyys voidaan p 11 6 tuuksiin. Kontroiiielementti 202 voi keksinnöllisessä ratkaisussa s laserlähteen 200 etu- ja/tai takapuolella ja lasersäteily voidaan otti joko diodilaserlähteen 200 etu- tai takapuolelta.
Kuviossa 3 on esitetty keksinnön mukainen Fabry-Perc 5 metri hieman tarkemmin. Fabry-Perot -interferometri käsittää int« ontelon pituuden määrittävän kerroksen 300, substraatin 302, s peilin 304, rengaselektrodin 306. Keksinnön mukainen Fabry-Perc metri on tunnetulla tavalla piin pintaan mikrotyöstetty ja siten sub on edullisesti piitä. Kytkemällä peilien 302 ja 304 välille jännite ele 10 avulla peili 304, joka on sama kuin kuvioissa 2A, 2B ja 2C peili kohti substraattipeiliä 302. Näin interferometri n sisäisen ontelon : voidaan säätää. Tällaisen piin pintaan mikrotyöstetyn Fabry-Pero metrin sisäisen ontelon 305 pituus on laserin aallonpituuden luokk kiksi 2 μιη. Peilin 304 mikromekaaninen liike voi olla kymmeniä pre 15 terferometrin sisäisen ontelon 305 pituudesta. Aallonpituuden s vittava liike on tyypillisesti kuitenkin laserin aallonpituuden luokkaa kuitenkin jopa vähemmän kuin kymmenesosa aallonpituudesta. Pe keen epätarkkuus on esimerkiksi alle 20 nm, mikä mahdollistaa h peilin 304 liikuttamisen ja laserin aallonpituuden säädön. Tällainen 20 kaan keksinnön mukaisessa diodilaserjärjestelyssä esimerkiksi \ nm osittain jatkuvasti säädettävän aallonpituusalueen (esim. 980nrr • * * \„! kun säteen spektraalinen jakauma on noin 0.3 nm FWHM (Full Wic ximum). Kontrollielementtinä 202 toimivan Fabry-Perot -interferoi : V: dettävän peilin 304 optinen pinta on tavallisesti poikkimitaltaan esin 25 pm. Koska laserlähteen 200 säteen koko diodilaserin etupeilin l *#* vain esimerkiksi 2.5 pm x 0.6 pm, on laserin keilan kohdistamir Eielementin optiselle pinnalle helppoa. Keksinnön mukaisessa ratka • · » tetty Fabry-Perot -interferometri on kuvattu tarkemmin myös pater . , sa US 5561523, joka otetaan tähän viitteeksi.
• · * ***;/ 30 Kuviossa 4 on esitetty säädettävä hila, joka toimiin ke • · *···’ ratkaisun kontrollielementtinä 202 eli hilaa käytetään Fabry-Pero 11 7 dia ja ne ovat tavallisesti joitain kymmeniä mikrometrejä pitkiä j< mikrometrin levyisiä (käytetystä aallonpituudesta riippuen). Kun n; 404 ovat samalla tasolla, pinta heijastaa oleellisesti kaiken optii
Nauhoja 402 voidaan liikuttaa pinnan normaalin suunnassa 1/4 5 kun nauhat ovat kaukaisimmillaan toisistaan, optinen säteily diffr nasta. Hilan toimintaa säädetään siis useilla säätöosina toimivi 402. Kun säätöosia 402 liikutetaan hilan optiset ominaisuudet mi mä optisten ominaisuuksien muuttuminen ja hilassa tapahtunu romekaaninen muutos muuttavat myös laserlähteen aallonpituus 10 nakin hilan heijastavuus muuttuu. Hila on edullisesti samaan tai staattisesti säädettävissä kuin Fabry-Perot -interferometrikin. Ku nen hila on esimerkiksi Silicon Light Machinesin valmistama Gl kaan (Grating Light Valve™) perustuva mikromekaaninen rakenne
Kuviossa 5 on esitetty periaatteellisella tavalla laserjärje 15 moduulien kytkeminen rivi- tai matriisimuotoon. Ratkaisu käsittää 500 - 512 ja kontrollielementit 514 - 526. Rivi- tai matriisimuotooi laserlähteet 500 - 512 ja kontrollielementit 514 - 526 on pakattu sermoduuliksi. Laserjärjestely voi käsittää pelkästään vain yhder moduulin, jossa laserlähteitä/kontroll(elementtejä on rivissä enemr 20 si. Toisaalta keksinnön mukaisen laserjärjestelyn mukainen ma sittää N x M laserlähdettä/kontrollielementtiä, jossa N ja M ovat suuria kokonaislukuja N, M e [2.....ooj. Kukin laserelementti vc : ratkaisussa virittää lähettämään omaa aallonpituuttaan siten, ett£ :Y: den eteen on sijoitettu vastaavan muotoinen ja kokoinen kontr • * .···. 25 jossa on esimerkiksi Fabry-Perot interferometrit laserlähteitä vas .v. dilla. Kun integroitu laserrivi tai -matriisi valmistetaan samassa pi * * * .'.I, mistusprosessissa, on laserelementtien aallonpituusvaihtelu tyyp ·’ * muutamia nanometrejä. Yksittäisen laserelementin emittoimaa a on hyvin vaikea säätää halutuksi. Käyttämällä hyväksi kuviossa 5 ' 30 jestelyä voidaan kunkin laserelementin aallonpituus säätää hah tamalla kunkin ulkoiseen onteloon sijoitetun kontrollielementin orr 8 sessa tai kirjoituksessa. Vastaavasti järjestelyä voidaan käyttää hy roskopiassa.
Kuviosta 6 nähdään lasermoduulin lähettämän säteilyn lonpituuden muutos muutettaessa kontrollielementtinä olevan Fab 5 terferometrin ohjausjännitettä. Aallonpituus muuttuu tässä kokee missään 3.7 nm (984.7 nm ... 981 nm) Fabry-Perot -interferome jännitteen muuttuessa 3.875 V ... 4.8 V.
Vaikka keksintöä on edellä selostettu viitaten oheisten mukaiseen esimerkkiin, on selvää, ettei keksintö ole rajoittunut siih 10 tä voidaan muunnella monin tavoin oheisten patenttivaatimustei keksinnöllisen ajatuksen puitteissa.
• · · • 1 ♦ · · • 1 ♦ ·· 1 • · • · ♦ • » m * · • · • φ *· · • · • 1 · * # ♦ • ·· • · · » 1 « • · « • ♦ 1 ·♦· · ·1 φ i • ♦
Claims (9)
11 g Patentti vaati m u kset
1. Aallonpituudeltaan jatkuvasti säädettävä laserjärjestel sittää laserlähteen (200) ja kontrollielementin (202), joiden laserläl ja kontrollielementin (202) väli muodostaa ulkoisen ontelon, 5 li elementti (202) on elektrostaattisesti säädettävä siten, että kontrc (202) muuttaa ulkoisen ontelon optisia ominaisuuksia ainakin yh osan (206, 402) mikromekaanisella liikkeellä, tunnettu siitä, lähteen (200) ja kontrollielementin (202) väli, joka muodostaa ulkop telon, on lyhyt, edullisesti nollasta satoihin laserlähteen (200) aallo; 10 ja kontrollielementti (202) on Fabry-Perot -interferometri, jc substraatin (204, 302,400) ja sisäisen ontelon (205, 305), ja kontrollielementtinä (202) oleva Fabry Perot -interferonie laserjärjestelyn ulkoisen ontelon optisia ominaisuuksia ainakin yh 15 osan (206) mikromekaanisella liikkeellä, joka on enintään kymmer teja Fabry-Perot interferometrin sisäisen ontelon (205, 305) pituude
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laserjärjesteiy, t u n i tä, että laserlähteen (200) ja kontrollielementin (202) väli, joka mu kopuolisen ontelon, on optiselta geometrialtaan suora ja ulkopuol 20 on sovitettu toimimaan ilman laserlähteen (200) keilaa muokkaav .···. nenttia. • « • · ·
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laserjärjesteiy, tu π i 9 9 tä, että kontrollielementti (202) on mikrotyöstetty Fabry-Perot -int joka on elektrostaattisesti säädettävä. • « · • · · 1.1' 25 4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laserjärjesteiy, tu n i tä, että laserlähteen (200) ja kontrollielementin (202) välisessä ulk< telossa on ontelopeili (700). * * * • · · ·«+ · :1: 5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laserjärjesteiy, t u n i * ·« » 1
7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen laser-järjestely, t u n r tä, että useat laserlähteet (500 - 512) ja kontrollielementit (514 -1 tegroitu yhteen rivi- tai matriisi mod uuliksi.
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laserjärjestely, t u n r 5 tä, että laserjärjestely käsittää kaksi ulkoista onteloa ja laserlähteer lemmin puolin ulkoisten onteloiden päissä on kontroliielementti (202
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laserjärjestely, t u n i tä, että lasermoduuli (220) on sovitettu säteilemään molempiin suur
10. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laserjärjestely, ti 10 siitä, että lasermoduuli (220) on sovitettu säteilemään yhteen suunti
11. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laserjärjestely, 11 siitä, että laserjärjestely käsittää kaksi ulkoista onteloa ja ensimme sen ontelon päässä on peili (212) ja toisen ulkoisen ontelon pääsi rollielementti (202) siten, että laserlähde (200) on peilin (212) ja l· 15 mentin (202) välissä. ··· • ♦ • « • ·* * · · • · · ··* • * • · » • · * e · • * • · «·· • · • · * • · * • · • * · * · · • ♦ · • * * · · • · · ··· · 1 • · • » • · ·
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI980860A FI116753B (fi) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | Aallonpituudeltaan säädettävä laserjärjestely |
| US09/293,064 US6192059B1 (en) | 1998-04-17 | 1999-04-16 | Wavelength-tunable laser configuration |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI980860 | 1998-04-17 | ||
| FI980860A FI116753B (fi) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | Aallonpituudeltaan säädettävä laserjärjestely |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI980860A0 FI980860A0 (fi) | 1998-04-17 |
| FI980860A FI980860A (fi) | 1999-10-18 |
| FI116753B true FI116753B (fi) | 2006-02-15 |
Family
ID=8551538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI980860A FI116753B (fi) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | Aallonpituudeltaan säädettävä laserjärjestely |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6192059B1 (fi) |
| FI (1) | FI116753B (fi) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282213B1 (en) | 1998-09-14 | 2001-08-28 | Interscience, Inc. | Tunable diode laser with fast digital line selection |
| US6661945B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-12-09 | Kaiser Optical Systems, Inc. | Multi-band wavelength dispersive device for use in dense wavelength division multiplexing (DWDM) networks |
| FR2812769B1 (fr) * | 2000-08-04 | 2003-08-29 | Cit Alcatel | Laser accordable en semi-conducteur a emission par la tranche |
| US6717964B2 (en) | 2001-07-02 | 2004-04-06 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers |
| US7027469B2 (en) | 2001-11-30 | 2006-04-11 | Optitune Plc | Tunable filter |
| TW580547B (en) * | 2002-11-11 | 2004-03-21 | Delta Electronics Inc | Tunable light source module |
| US6859330B2 (en) * | 2003-06-04 | 2005-02-22 | Intel Corporation | Micromachined pellicle splitters and tunable laser modules incorporating same |
| US20070165400A1 (en) * | 2004-02-11 | 2007-07-19 | Patrick Linder | Light unit and method for generating light rays |
| WO2005078879A1 (de) * | 2004-02-11 | 2005-08-25 | Technomedia Ag | Laserdiode mit externem resonator und über druck auf die laseroide einstellbarer wellenlänge |
| US7945087B2 (en) * | 2006-06-26 | 2011-05-17 | Orbotech Ltd. | Alignment of printed circuit board targets |
| US20080088928A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Kaiser Optical Systems | Optical configurations for achieving uniform channel spacing in wdm telecommunications applications |
| US8073064B2 (en) * | 2008-04-18 | 2011-12-06 | Newport Media, Inc. | Robust FFT trigger point tracking for echo channels in OFDM based communication systems |
| US9331455B1 (en) * | 2012-01-23 | 2016-05-03 | Nlight Photonics Corporation | Frequency locked diode laser devices exhibiting low power penalty |
| TWI499855B (zh) * | 2012-03-09 | 2015-09-11 | Dmark Co Ltd | 光學雷達設備之雷射波長控制構造及其方法 |
| JP6812693B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2021-01-13 | 富士ゼロックス株式会社 | レーザ部品及びレーザ光発生装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4556979A (en) | 1982-11-08 | 1985-12-03 | University Of California | Piezoelectrically tuned short cavity dye laser |
| JPH0690329B2 (ja) * | 1985-10-16 | 1994-11-14 | ブリティシュ・テレコミュニケ−ションズ・パブリック・リミテッド・カンパニ | ファブリペロ−干渉計 |
| US5022745A (en) * | 1989-09-07 | 1991-06-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror |
| US5572543A (en) | 1992-04-09 | 1996-11-05 | Deutsch Aerospace Ag | Laser system with a micro-mechanically moved mirror |
| JPH06214169A (ja) * | 1992-06-08 | 1994-08-05 | Texas Instr Inc <Ti> | 制御可能な光学的周期的表面フィルタ |
| US5291502A (en) * | 1992-09-04 | 1994-03-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Electrostatically tunable optical device and optical interconnect for processors |
| WO1995013638A1 (en) | 1993-11-08 | 1995-05-18 | International Business Machines Corporation | Hybrid external coupled cavity semiconductor laser device |
| US5636059A (en) | 1995-02-08 | 1997-06-03 | Blue Sky Research, Incorporated | Cylindrical microlens external cavity for laser diode frequency control |
| US5905571A (en) * | 1995-08-30 | 1999-05-18 | Sandia Corporation | Optical apparatus for forming correlation spectrometers and optical processors |
| US5739945A (en) * | 1995-09-29 | 1998-04-14 | Tayebati; Parviz | Electrically tunable optical filter utilizing a deformable multi-layer mirror |
| US5771253A (en) | 1995-10-13 | 1998-06-23 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | High performance micromechanical tunable verticle cavity surface emitting laser |
| US5629951A (en) | 1995-10-13 | 1997-05-13 | Chang-Hasnain; Constance J. | Electrostatically-controlled cantilever apparatus for continuous tuning of the resonance wavelength of a fabry-perot cavity |
| US5835517A (en) | 1996-10-04 | 1998-11-10 | W. L. Gore & Associates, Inc. | WDM multiplexer-demultiplexer using Fabry-Perot filter array |
| US5914553A (en) * | 1997-06-16 | 1999-06-22 | Cornell Research Foundation, Inc. | Multistable tunable micromechanical resonators |
-
1998
- 1998-04-17 FI FI980860A patent/FI116753B/fi not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-04-16 US US09/293,064 patent/US6192059B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6192059B1 (en) | 2001-02-20 |
| FI980860A0 (fi) | 1998-04-17 |
| FI980860A (fi) | 1999-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI116753B (fi) | Aallonpituudeltaan säädettävä laserjärjestely | |
| Baillard et al. | Interference-filter-stabilized external-cavity diode lasers | |
| US6205159B1 (en) | Discrete wavelength liquid crystal tuned external cavity diode laser | |
| US7415049B2 (en) | Laser with tilted multi spatial mode resonator tuning element | |
| US7286579B2 (en) | Apparatus and method for adjusting external-cavity lasers | |
| CA1075800A (en) | Etalon laser mode selector | |
| US7466729B2 (en) | Wavelength monitor for use with more than one wavelength | |
| Zhang et al. | Continuous wavelength tuning in micromachined Littrow external-cavity lasers | |
| EP1509980B1 (en) | Resonator | |
| US6556599B1 (en) | External cavity laser using angle-tuned filter and method of making same | |
| JPH11307879A (ja) | 波長可変レーザー | |
| Liu et al. | A novel integrated micromachined tunable laser using polysilicon 3-D mirror | |
| CN112751259A (zh) | 一种基于柔性机械结构的类同步调谐外腔半导体激光器 | |
| KR20200124284A (ko) | 외부 공동 양자 캐스케이드 레이저 | |
| US6639922B2 (en) | Wavelength locker and optical system using the same | |
| CN114258619A (zh) | 外腔激光设备、对应的系统和方法 | |
| US5619318A (en) | Optical displacement sensor | |
| Vassiliev et al. | Vibration-proof ecdl with an intracavity interference filter | |
| US20020191269A1 (en) | Process for fabry-perot filter train configuration using derived mode field size | |
| US20060227821A1 (en) | Tunable laser | |
| JP2002261385A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| US20060227820A1 (en) | Tunable laser | |
| JPH0755423A (ja) | 光学式変位センサ | |
| Zhang et al. | MEMS Continuously Tunable Lasers | |
| Cai et al. | MEMS tunable dual-wavelength laser with large tuning range |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GB | Transfer or assigment of application |
Owner name: VALTION TEKNILLINEN TUTKIMUSKESKUS |
|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 116753 Country of ref document: FI |
|
| MM | Patent lapsed |