ES2451066A1 - Sensor, device and radiation measurement method based on floating gate transistor (Machine-translation by Google Translate, not legally binding) - Google Patents
Sensor, device and radiation measurement method based on floating gate transistor (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)Info
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Abstract
Description
Sensor, dispositivo y método de medición de radiación basado en transistor de puerta flotante Sensor, device and radiation measurement method based on floating gate transistor
Campo de la invención Field of the Invention
La presente invención se engloba dentro del campo de los sensores. En concreto, de los sensores de radiación que emplean transistores de puerta flotante. The present invention falls within the field of sensors. Specifically, radiation sensors that use floating gate transistors.
Antecedentes de la invención Background of the invention
En la actualidad se conocen muchos tipos de sensores de radiación basados en transistores CMOS de puerta flotante. Many types of radiation sensors based on floating gate CMOS transistors are currently known.
La mayoría de los sensores de radiación están basados en tecnologías EEPROM y disponen de una puerta de carga y una puerta de control. Por ejemplo, la patente US6172368 divulga un transistor de puerta flotante con un terminal de control o modulación y un terminal de carga o grabación. Estos dos nodos o terminales están separados de la puerta flotante por un dieléctrico muy delgado. La carga de la puerta flotante se realiza elevando la tensión del terminal de carga a un nivel que provoque el traspaso de cargas a través del dieléctrico hasta la puerta flotante. Se puede hacer una modulación de la puerta flotante controlando la tensión del terminal de modulación. La magnitud de esta modulación vendrá determinada por el grosor del dieléctrico y el área de solapamiento entre la puerta flotante y el terminal de control. Most radiation sensors are based on EEPROM technologies and have a loading door and a control door. For example, US6172368 discloses a floating gate transistor with a control or modulation terminal and a charging or recording terminal. These two nodes or terminals are separated from the floating door by a very thin dielectric. The loading of the floating door is carried out by raising the voltage of the charging terminal to a level that causes the transfer of loads through the dielectric to the floating door. A modulation of the floating door can be made by controlling the voltage of the modulation terminal. The magnitude of this modulation will be determined by the thickness of the dielectric and the area of overlap between the floating door and the control terminal.
Existen otras tecnologías, como la divulgada en el documento de patente WO9512134-A1, que eliminan la puerta de control, y realizan la carga a través de una puerta de carga, pero tienen el inconveniente de que necesitan dos capas de polisilicio diferenciadas. There are other technologies, such as the one disclosed in patent document WO9512134-A1, which eliminate the control door, and carry out the loading through a loading door, but have the disadvantage that they need two differentiated polysilicon layers.
En tecnología CMOS estándar existe la posibilidad de cargar la puerta flotante utilizando el efecto túnel en un transistor PMOS que comparte la puerta flotante con la puerta flotante del sensor. Así por ejemplo el documento de patente US2010096556 divulga el empleo de dos transistores de puerta flotante en los que uno de ellos se usa para cargar la puerta flotante y el otro como transistor, para medir la corriente y evaluar la tensión de puerta flotante. El problema con este dispositivo es que los nodos de los transistores no están diseñados para soportar las tensiones altas necesarias para la carga de la puerta flotante. El proceso de carga suele dañar estos terminales, provocando corrientes de fugas lo que no permite evaluar correctamente la tensión de puerta. Por ello se usan dos transistores diferentes, uno de ellos para grabar, que será dañado y el otro para medir. In standard CMOS technology there is the possibility of loading the floating door using the tunnel effect in a PMOS transistor that shares the floating door with the floating door of the sensor. Thus, for example, patent document US2010096556 discloses the use of two floating gate transistors in which one of them is used to load the floating gate and the other as a transistor, to measure the current and evaluate the floating gate voltage. The problem with this device is that the transistor nodes are not designed to withstand the high voltages necessary for loading the floating door. The charging process usually damages these terminals, causing leakage currents, which does not allow the door voltage to be correctly evaluated. Therefore, two different transistors are used, one of them to record, which will be damaged and the other to measure.
Los dispositivos descritos presentan una dependencia de la señal a medir con la temperatura. Para corregir esto la mayoría de los dispositivos incorporan un segundo par transistor que se cargan a tensiones parecidas al sensor y de esta manera se eliminan los efectos de compensación térmica, divulgado por ejemplo en la patente US4678916. The described devices have a dependence on the signal to be measured with temperature. To correct this, most of the devices incorporate a second transistor pair that are loaded at voltages similar to the sensor and in this way the effects of thermal compensation are eliminated, disclosed for example in US4678916.
Descripción de la invención Description of the invention
Un primer aspecto de la presente invención se refiere a un sensor de radiación basado en transistor de puerta flotante, que comprende al menos un primer transistor de puerta flotante con un primer y un segundo terminal, una puerta flotante, un substrato, una isla del segundo terminal con el mismo tipo de dopado que el segundo terminal pero de menor densidad de dopado, y una capa de óxido de puerta entre la puerta flotante y el substrato. Tanto la puerta flotante como la capa de óxido de puerta se extienden sobre la isla del segundo terminal hasta la zona de mayor dopado del terminal. A first aspect of the present invention relates to a radiation sensor based on a floating gate transistor, comprising at least a first floating gate transistor with a first and a second terminal, a floating gate, a substrate, an island of the second terminal with the same type of doping as the second terminal but of lower doping density, and a layer of door oxide between the floating door and the substrate. Both the floating door and the oxide layer of the door extend over the island of the second terminal to the highest doped area of the terminal.
En una realización preferente, la puerta flotante del primer transistor de puerta flotante comprende un área de extensión para aumentar el área de detección de radiación. In a preferred embodiment, the floating gate of the first floating gate transistor comprises an extension area to increase the radiation detection area.
El sensor de radiación puede también comprender un segundo transistor de puerta flotante idéntico al primer transistor, bien sin el área de extensión o bien con un área de extensión de diferentes características físicas. The radiation sensor may also comprise a second floating gate transistor identical to the first transistor, either without the extension area or with an extension area of different physical characteristics.
Un segundo aspecto de la presente invención se refiere a un dispositivo de medición de radiación basado en transistor de puerta flotante, que comprende un sensor de radiación anterior (en las realizaciones con dos transistores), y un circuito medidor de corriente encargado de medir la diferencia de corriente de cada uno de los transistores del sensor de radiación, la cual es proporcional a la radiación recibida por el sensor de radiación. A second aspect of the present invention relates to a radiation measuring device based on a floating gate transistor, comprising a previous radiation sensor (in embodiments with two transistors), and a current measuring circuit responsible for measuring the difference of current of each of the radiation sensor transistors, which is proportional to the radiation received by the radiation sensor.
La presente invención se refiere también a un método de medición de radiación basado en transistor de puerta flotante. El método comprende la etapa de medir la diferencia de corriente de cada uno de los transistores de un sensor de radiación anterior (en las realizaciones con dos transistores), la cual es proporcional a la radiación recibida por el sensor de radiación. The present invention also relates to a radiation measurement method based on floating gate transistor. The method comprises the step of measuring the current difference of each of the transistors of a previous radiation sensor (in embodiments with two transistors), which is proportional to the radiation received by the radiation sensor.
Breve descripción de los dibujos Brief description of the drawings
A continuación se pasa a describir de manera muy breve una serie de dibujos que ayudan a comprender mejor la invención y que se relacionan expresamente con una realización de dicha invención que se presenta como un ejemplo no limitativo de ésta. A series of drawings that help to better understand the invention and that expressly relate to an embodiment of said invention which is presented as a non-limiting example thereof is described very briefly below.
La Figura 1 muestra un transistor de puerta flotante estándar, de acuerdo al estado del arte. Figure 1 shows a standard floating gate transistor, according to the state of the art.
La Figura 2 muestra un transistor de puerta flotante estándar con isla, para aplicaciones de alto voltaje, de acuerdo al estado del arte. Figure 2 shows a standard floating gate transistor with island, for high voltage applications, according to the state of the art.
La Figura 3 muestra un transistor de puerta flotante sin puerta de control ni puerta de grabación, objeto de la presente invención. Figure 3 shows a floating gate transistor without control gate or recording gate, object of the present invention.
La Figura 4 representa el transistor con un área de detección de radiación mayor debido al área de extensión conectada a la puerta flotante. Figure 4 represents the transistor with a larger radiation detection area due to the extension area connected to the floating door.
La Figura 5 muestra, en otra realización, el empleo de dos transistores como sensor de radiación. Figure 5 shows, in another embodiment, the use of two transistors as a radiation sensor.
La Figura 6 muestra, para la realización de la Figura 3, el empleo de un medidor de corrientes para evaluar la diferencia de corriente de cada uno de los transistores. Figure 6 shows, for the embodiment of Figure 3, the use of a current meter to evaluate the current difference of each of the transistors.
Descripción detallada de la invención Detailed description of the invention
La Figura 1 muestra un transistor de puerta flotante estándar conocido, donde se muestra un primer terminal (1) -por ejemplo el surtidor-, la puerta flotante (2), un segundo terminal (3) -por ejemplo el drenador-, y una capa de óxido de puerta (5) entre la puerta flotante (2) y el substrato (6), en el caso de la figura, de tipo p-. Figure 1 shows a known standard floating gate transistor, showing a first terminal (1) - for example the spout -, the floating gate (2), a second terminal (3) - for example the drain -, and a door oxide layer (5) between the floating door (2) and the substrate (6), in the case of the figure, of type p-.
La Figura 2 representa un transistor de puerta flotante con tensión de drenador ampliada, para aplicaciones de alto voltaje, de acuerdo al estado del arte. La diferencia con el transistor de la Figura 1 es la incorporación de una isla (4) en el segundo terminal (3), con el mismo tipo de dopado que el segundo terminal (3) pero de menor densidad de dopado. Este tipo de transistores con la isla debajo del drenador es estándar en aplicaciones en las que se necesitan conectar voltajes de varias decenas de voltios, ya que eleva la tensión de ruptura entre drenador -segundo terminal (3)-, y substrato (6). La capa de óxido de puerta (5) se extiende únicamente entre la puerta flotante (2) y el substrato (6), y no se extiende sobre la isla (4) ya que al ser muy fina tiene una tensión de ruptura baja. Figure 2 depicts a floating gate transistor with extended drain voltage, for high voltage applications, according to the state of the art. The difference with the transistor of Figure 1 is the incorporation of an island (4) in the second terminal (3), with the same type of doping as the second terminal (3) but of lower doping density. This type of transistors with the island below the drain is standard in applications where voltages of several tens of volts are needed, since it raises the breakdown voltage between drain -second terminal (3) -, and substrate (6). The door oxide layer (5) extends only between the floating door (2) and the substrate (6), and does not extend over the island (4) since being very thin it has a low breaking stress.
La Figura 3 representa un sensor de radiación de acuerdo a la presente invención, formado por un primer transistor de puerta flotante (10) que comprende: Figure 3 represents a radiation sensor according to the present invention, formed by a first floating gate transistor (10) comprising:
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- Un primer terminal (1) del transistor de puerta flotante. A first terminal (1) of the floating gate transistor.
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- La puerta flotante (2). The floating door (2).
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- Un segundo terminal (3) del transistor de puerta flotante. A second terminal (3) of the floating gate transistor.
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- Una isla (4) del segundo terminal, con el mismo tipo de dopado que el segundo terminal (3) pero de menor densidad de dopado. An island (4) of the second terminal, with the same type of doping as the second terminal (3) but of lower doping density.
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- Una capa de óxido de puerta (5). A layer of door oxide (5).
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- Substrato (6), de dopado opuesto al primer (1) y segundo (3) terminal. Substrate (6), doped opposite to the first (1) and second (3) terminal.
La diferencia fundamental entre este transistor con el ya conocido (el de la Figura 2) es que la capa de óxido de puerta The fundamental difference between this transistor and the already known one (the one in Figure 2) is that the gate oxide layer
(5) se extiende también por encima de la isla (4). En la estructura estándar si se extendiese la puerta con el óxido de puerta (5) por encima de la isla (4) no se podría usar en aplicaciones de alto voltaje para las que está pensado, ya que el drenador con estas tensiones no rompería con el substrato (6), pero sí con la puerta (2), dañando el dispositivo. (5) also extends above the island (4). In the standard structure if the door were extended with the door oxide (5) above the island (4) it could not be used in high voltage applications for which it is intended, since the drain with these tensions would not break with the substrate (6), but with the door (2), damaging the device.
En el segundo terminal (3) se le ha añadido alrededor una isla (4) del mismo material y opuesto al substrato, pero de menor densidad de dopado. De esta manera, al estar menos dopada, permite aplicar al segundo terminal (3) tensiones más elevadas de los 5 V que la tecnología soporta, sin que se produzcan rupturas del terminal diodo contra el substrato. Gracias a esto puede aplicarse al segundo terminal (3) una tensión suficiente para provocar el efecto túnel deseado y cargar la puerta flotante (2) directamente a través del segundo terminal (3). El transistor (10) con la puerta flotante cargada se comportará como un transistor normal MOS, con una pequeña resistencia adicional en el nodo dopado débilmente. En el ejemplo de la Figura 3, suponiendo un substrato (6) tipo p-, el drenador del transistor sería preferiblemente el primer terminal (1) para minimizar las corrientes de fuga y el surtidor o fuente del transistor NMOS sería el segundo terminal (3). Durante la carga de la puerta flotante (2) el segundo terminal (3) actuaría de drenador y el primer terminal (1) actuaría de fuente, preferiblemente llevado a tierra. In the second terminal (3) an island (4) of the same material and opposite to the substrate, but of lower doping density, has been added around it. In this way, being less doped, allows to apply to the second terminal (3) higher voltages of the 5 V that the technology supports, without breaking the diode terminal against the substrate. Thanks to this, sufficient voltage can be applied to the second terminal (3) to cause the desired tunnel effect and load the floating door (2) directly through the second terminal (3). The transistor (10) with the floating gate loaded will behave like a normal MOS transistor, with a small additional resistance in the weakly doped node. In the example of Figure 3, assuming a substrate (6) type p-, the drain of the transistor would preferably be the first terminal (1) to minimize leakage currents and the supplier or source of the NMOS transistor would be the second terminal (3 ). During the loading of the floating door (2) the second terminal (3) would act as a drain and the first terminal (1) would act as a source, preferably grounded.
Por tanto, en la presente invención el óxido de puerta se extiende por encima de la isla hasta la zona de contacto de drenador más dopada, lo que permite elevar la tensión de drenador -sin provocar rupturas contra el substrato- a una tensión suficientemente elevada en la que se transfieran cargas desde el drenador -segundo terminal (3)- a la puerta flotante (2) a través de la capa de óxido de puerta (5) fina. La isla (4) es necesaria porque sin ella el drenador rompería con el substrato (6) a una tensión menor de la que se necesita para transferir cargas a la puerta flotante (2) a través del óxido de puerta (5), impidiendo la carga de la misma. También novedoso es extender la puerta flotante (2) del transitor por encima de la isla (4), lo que permite transferir cargas desde drenador/isla a la puerta flotante (2), a través del óxido de puerta. Novedoso es así mismo aplicar esta estructura a dispositivos de memoria de puerta flotante. También es novedoso en la invención, como resultado de su especial estructura, el que puede cargarse la puerta flotante (2) a través del drenador -segundo terminal (3)- sin necesidad de usar terminales de carga extras como transistores adicionales o puertas de cargas, que requieren de una capa adicional de polisilicio. Therefore, in the present invention the gate oxide extends over the island to the more doped drain contact area, which allows the drain tension to be raised - without causing ruptures against the substrate - at a sufficiently high tension in that loads are transferred from the drain - second terminal (3) - to the floating door (2) through the thin layer of door oxide (5). The island (4) is necessary because without it the drain would break with the substrate (6) at a lower tension than is needed to transfer loads to the floating door (2) through the door oxide (5), preventing the load of it. It is also novel to extend the floating gate (2) of the transitor above the island (4), which allows loads to be transferred from the drain / island to the floating gate (2), through the door oxide. It is also innovative to apply this structure to floating door memory devices. It is also novel in the invention, as a result of its special structure, that the floating door (2) can be charged through the drain -second terminal (3) - without the need to use extra load terminals as additional transistors or load doors , which require an additional layer of polysilicon.
La invención comprende por tanto: The invention therefore comprises:
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- un transistor MOSFET situado en un substrato (6) y compuesto por un primer terminal (1) y un segundo terminal (3) separados por una región de canal definida (8) en el substrato (6); a MOSFET transistor located on a substrate (6) and composed of a first terminal (1) and a second terminal (3) separated by a defined channel region (8) in the substrate (6);
- --
- una isla (4) dopada de la misma impureza que el segundo terminal (3) pero de una densidad de impurezas mucho más baja. Esta isla puede ser la utilizada para emplazar transistores de canal P en tecnologías estándar CMOS; an island (4) doped with the same impurity as the second terminal (3) but with a much lower density of impurities. This island can be used to place P-channel transistors in standard CMOS technologies;
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- una puerta flotante (2) que se extiende sobre el canal (8) y parte de la zona de bajo dopado del surtidor, separada de ambos por un óxido dieléctrico de puerta (5). a floating door (2) extending over the channel (8) and part of the low doped area of the spout, separated from both by a dielectric oxide of the door (5).
Como se indica en la Figura 4, extendiendo la puerta flotante (2) en un área de mayor extensión (7), al estar ésta separada del sustrato por un material dieléctrico -generalmente óxido de silicio-, se extiende el área de la capacidad entre la puerta flotante y el substrato, obteniendo así una mayor área de detección de radiación, lo que redunda en una mayor sensibilidad, ya que la radiación que atraviese ese área de extensión (7) provocará una descarga de la puerta flotante. Como se indica en dicha Figura 4, la puerta flotante (2) está conectada eléctricamente a dicho área de extensión (7) de una capacidad de valor nominal preferiblemente pequeño, pero de área preferiblemente grande para captar más cantidad de radiación. As indicated in Figure 4, extending the floating door (2) over an area of greater extension (7), as it is separated from the substrate by a dielectric material - usually silicon oxide -, the capacity area is extended between the floating door and the substrate, thus obtaining a greater radiation detection area, which results in a greater sensitivity, since the radiation that crosses that extension area (7) will cause a discharge of the floating door. As indicated in said Figure 4, the floating door (2) is electrically connected to said extension area (7) of a capacity of preferably small nominal value, but preferably large area to capture more radiation.
En esencia esta estructura es conocida como un transistor (10) de puerta flotante en la que el primer terminal (1) y el segundo terminal (3) pueden ser drenador y surtidor, o viceversa. Este transistor (10) está provisto en el segundo terminal (3) de una zona de menor dopado, isla (4), que le permite soportar mayores tensiones al terminal sin provocar rupturas. El tercer terminal del transistor (2), que actúa de puerta, permanece flotante pero conectado a uno de los terminales de una capacidad que hará las veces de área de extensión (7) para aumentar la sensibilidad. El otro terminal de la capacidad podrá ser el propio substrato u otra capa de polisilicio o aluminio. El sensor no puede funcionar sin el área de extensión (7). Esta área de extensión es la capacidad donde se detectan las partículas y es común a todos los sensores de radiación, que se basan en crear una diferencia de potencial entre dos terminales de una capacidad, creando así un campo eléctrico. Las partículas, al atravesar el dieléctrico que separa las placas del condensador, choca con los átomos del dieléctrico y le arranca electrones. Estos al estar inmersos en un campo eléctrico serán acelerados hacia uno de los terminales de la capacidad, recombinándose y variando así la carga efectiva de la capacidad, y con ello la diferencia de potencial entre los terminales. Con esta estructura, la carga de la puerta flotante (2) se realiza elevando la tensión del segundo terminal (3) y provocando así un campo eléctrico entre dicho segundo terminal (3) y la puerta flotante (2), y con ello el traspaso de cargas del segundo terminal (3) a la puerta flotante (2). In essence this structure is known as a floating gate transistor (10) in which the first terminal (1) and the second terminal (3) can be drain and spout, or vice versa. This transistor (10) is provided in the second terminal (3) with an area of smaller doping, island (4), which allows it to withstand higher voltages to the terminal without causing breakages. The third terminal of the transistor (2), which acts as a door, remains floating but connected to one of the terminals of a capacity that will act as an extension area (7) to increase the sensitivity. The other capacity terminal may be the substrate itself or another layer of polysilicon or aluminum. The sensor cannot function without the extension area (7). This extension area is the capacity where particles are detected and is common to all radiation sensors, which are based on creating a potential difference between two terminals of a capacity, thus creating an electric field. The particles, crossing the dielectric that separates the plates of the capacitor, collides with the atoms of the dielectric and plucks electrons. These being immersed in an electric field will be accelerated towards one of the terminals of the capacity, recombining and thus varying the effective charge of the capacity, and with it the potential difference between the terminals. With this structure, the loading of the floating door (2) is carried out by raising the voltage of the second terminal (3) and thus causing an electric field between said second terminal (3) and the floating door (2), and with it the transfer of loads from the second terminal (3) to the floating door (2).
Una vez cargada la puerta a una tensión determinada el segundo terminal (3) puede usarse como surtidor, y el primer terminal (1) como drenador. La corriente drenador-surtidor está modulada por la tensión de puerta flotante (2). Midiendo ésta corriente, se tiene un indicativo de la tensión de puerta a la que está cargado el dispositivo. Once the door is loaded at a certain voltage, the second terminal (3) can be used as a dispenser, and the first terminal (1) as a drain. The drain-spout current is modulated by the floating gate voltage (2). Measuring this current, there is an indication of the gate voltage at which the device is charged.
La presente invención aporta las siguientes ventajas: The present invention provides the following advantages:
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- Permite la carga de la puerta flotante (2) directamente a través de uno de los terminales del transistor segundo terminal (3)-, sin necesidad de usar dispositivos adicionales. It allows the loading of the floating door (2) directly through one of the terminals of the second terminal transistor (3) -, without the need to use additional devices.
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- Permite elevar la tensión del segundo terminal (3) a los niveles necesarios para la carga de la puerta flotante, sin provocar rupturas eléctricas en los terminales. It allows to raise the voltage of the second terminal (3) to the levels necessary for the loading of the floating door, without causing electrical ruptures in the terminals.
- Permite grabar/cargar la puerta flotante respetando las reglas eléctricas del proceso. - It allows to record / load the floating door respecting the electrical rules of the process.
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- Controlando el área de solape de la isla (4) del segundo terminal con la puerta flotante (2), puede usarse el segundo terminal (3) como nodo de modulación de la tensión de puerta. By controlling the overlapping area of the island (4) of the second terminal with the floating door (2), the second terminal (3) can be used as the modulation node of the door voltage.
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- El dispositivo completo, con su dispositivo de modulación y carga requiere únicamente de un tipo de dopado (en vez de dos P y N), un único óxido de puerta y un único tipo de polisicilicio. The complete device, with its modulation and loading device requires only one type of doping (instead of two P and N), a single door oxide and a single type of polysicilice.
La Figura 5 muestra otra realización preferente, donde se ha añadido un segundo transistor (10a) de puerta flotante igual al primer transistor (10), pero sin la capacidad de captación de radiación, esto es, sin el área de extensión (7). En la figura se representa el primer terminal (1a), la puerta flotante (2a), el segundo terminal (3a) y la isla (4a) del segundo terminal de este segundo transistor (10a). La ventaja de esta realización es que los segundos terminales (3,3a) de ambos transistores (10,10a) pueden usarse para cargar las dos puertas flotantes (2,2a) al mismo potencial, de manera que ambos transistores presenten la misma corriente drenador-fuente. De esta manera, al ser ambos dispositivos iguales, presentarán variaciones de corriente similares por efectos térmicos o dependientes de las tensiones de drenador o fuente, lo que permite discriminar qué variaciones de corriente son debidas a estos efectos y cuáles son debidas a la descarga de la puerta flotante provocada por la radiación. De esta manera, comparando ambas corrientes se pueden compensar las derivas térmicas asumiendo que al estar en un espacio muy reducido y la generación de calor de ambos es despreciable y se encuentran por tanto a la misma temperatura. Figure 5 shows another preferred embodiment, where a second floating gate transistor (10a) equal to the first transistor (10) has been added, but without the ability to capture radiation, that is, without the extension area (7). The figure shows the first terminal (1a), the floating door (2a), the second terminal (3a) and the island (4a) of the second terminal of this second transistor (10a). The advantage of this embodiment is that the second terminals (3,3a) of both transistors (10,10a) can be used to charge the two floating doors (2,2a) to the same potential, so that both transistors have the same drain current -source. In this way, since both devices are the same, they will have similar current variations due to thermal effects or dependent on the drain or source voltages, which allows to discriminate which current variations are due to these effects and which are due to the discharge of the Floating door caused by radiation. In this way, comparing both currents, the thermal drifts can be compensated assuming that being in a very small space and the heat generation of both is negligible and are therefore at the same temperature.
5 En otra realización preferente, no mostrada en las figuras, el segundo transistor (10a), de puerta flotante idéntico al primer transistor (10), podría disponer también de un área de extensión (7), pero en ese caso ésta sería de diferentes características físicas (e.g. tamaño, capacidad efectiva o grosor del dieléctrico). In another preferred embodiment, not shown in the figures, the second transistor (10a), of floating door identical to the first transistor (10), could also have an extension area (7), but in that case this would be of different physical characteristics (eg size, effective capacity or thickness of the dielectric).
La Figura 6 muestra el uso de un circuito medidor de corriente (12) para evaluar la diferencia de corriente de cada uno de los transistores objeto de la presente invención, comparando las corrientes proporcionadas por los sensores (10,10a) Figure 6 shows the use of a current measuring circuit (12) to evaluate the current difference of each of the transistors object of the present invention, comparing the currents provided by the sensors (10,10a)
10 y obteniendo una señal proporcional a la diferencia de carga entre el transistor con el área de extensión (7) y el otro transistor (sin el área de extensión o con un área de extensión diferente). Esta diferencia de carga será proporcional a la radiación recibida por los transistores. 10 and obtaining a signal proportional to the load difference between the transistor with the extension area (7) and the other transistor (without the extension area or with a different extension area). This load difference will be proportional to the radiation received by the transistors.
Claims (6)
- 4.Four.
- Sensor de radiación según la reivindicación 2, caracterizado por que comprende un segundo transistor (10a) de puerta flotante idéntico al primer transistor (10) pero con un área de extensión (7) de diferentes características físicas. Radiation sensor according to claim 2, characterized in that it comprises a second floating gate transistor (10a) identical to the first transistor (10) but with an extension area (7) of different physical characteristics.
- 5.5.
- Dispositivo de medición de radiación basado en transistor de puerta flotante, caracterizado por que comprende un Radiation measuring device based on floating gate transistor, characterized in that it comprises a
- Categoría Category
- 56 Documentos citados Reivindicaciones afectadas 56 Documents cited Claims Affected
- A A A
- US 6141243 A (ASLAM AMER et al.) 31.10.2000, columna 1, línea 59 – columna 4, línea 59; figuras 1-3. US 6690056 B1 (REEDY RONALD E et al.) 10.02.2004, columna 3, línea 62 – columna 19, línea 3; figuras 1-13. 1-6 1-6 US 6141243 A (ASLAM AMER et al.) 31.10.2000, column 1, line 59 - column 4, line 59; Figures 1-3. US 6690056 B1 (REEDY RONALD E et al.) 10.02.2004, column 3, line 62 - column 19, line 3; Figures 1-13. 1-6 1-6
- Categoría de los documentos citados X: de particular relevancia Y: de particular relevancia combinado con otro/s de la misma categoría A: refleja el estado de la técnica O: referido a divulgación no escrita P: publicado entre la fecha de prioridad y la de presentación de la solicitud E: documento anterior, pero publicado después de la fecha de presentación de la solicitud Category of the documents cited X: of particular relevance Y: of particular relevance combined with other / s of the same category A: reflects the state of the art O: refers to unwritten disclosure P: published between the priority date and the date of priority submission of the application E: previous document, but published after the date of submission of the application
- El presente informe ha sido realizado • para todas las reivindicaciones • para las reivindicaciones nº: This report has been prepared • for all claims • for claims no:
- Fecha de realización del informe 05.02.2014 Date of realization of the report 05.02.2014
- Examinador J. Botella Maldonado Página 1/4 Examiner J. Maldonado Bottle Page 1/4
- Novedad (Art. 6.1 LP 11/1986) Novelty (Art. 6.1 LP 11/1986)
- Reivindicaciones Reivindicaciones 1-6 SI NO Claims Claims 1-6 IF NOT
- Actividad inventiva (Art. 8.1 LP11/1986) Inventive activity (Art. 8.1 LP11 / 1986)
- Reivindicaciones Reivindicaciones 1-6 SI NO Claims Claims 1-6 IF NOT
- Documento Document
- Número Publicación o Identificación Fecha Publicación Publication or Identification Number publication date
- D01 D01
- US 6141243 A (ASLAM AMER et al.) 31.10.2000 US 6141243 A (ASLAM AMER et al.) 31.10.2000
- D02 D02
- US 6690056 B1 (REEDY RONALD E et al.) 10.02.2004 US 6690056 B1 (REEDY RONALD E et al.) 02.10.2004
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| US6141243A (en) * | 1996-11-12 | 2000-10-31 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Sensor element |
| US6690056B1 (en) * | 1999-04-06 | 2004-02-10 | Peregrine Semiconductor Corporation | EEPROM cell on SOI |
-
2012
- 2012-09-26 ES ES201231486A patent/ES2451066B1/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6141243A (en) * | 1996-11-12 | 2000-10-31 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Sensor element |
| US6690056B1 (en) * | 1999-04-06 | 2004-02-10 | Peregrine Semiconductor Corporation | EEPROM cell on SOI |
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