ES2411282B1 - Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre. - Google Patents

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Abstract

Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre de las que cuentan con al menos un receptor de media temperatura (3) y un receptor de alta temperatura (4) donde cada receptor de alta temperatura (4) se sitúa encima y ligeramente por delante de cada receptor de media temperatura (3), de manera que parte de los rayos que rebotan en el receptor de media temperatura (3) calientan la parte posterior del receptor de alta temperatura (4) y donde el receptor de alta temperatura (4) se sitúa de manera que la mayor parte de su superficie está enfrentada con la pared de la cavidad (2), quedando libre solo la parte baja del receptor (4).

Description

CONFIGURACIÓN DE LOS RECEPTORES EN PLANTAS DE CONCENTRACIÓN SOLAR DE TORRE
Sector técnico de la invención Esta invención pertenece al campo de las tecnologías solares de concentración para la producción de vapor sobrecalentado, más específicamente a tecnología de recep tor central de torre con campo de helióstatos para aplicación en generación de elec tricidad. Antecedentes de la invención Si bien la radiación solar es una fuente térmica de elevada temperatura y elevada energía en origen, la utilización de la misma en las condiciones del flujo que llega a la superficie terrestre destruye prácticamente todo su potencial de convertirse en traba jo, por la drástica reducción de la temperatura disponible. Por esta razón, se hace uso en las centrales solares termoeléctricas (CST), de sistemas de concentración óptica, que permiten lograr mayores densidades de flujo y con ello temperaturas más elevadas. En la actualidad existen principalmente tres tecnologias diferentes desarrolladas para su uso en plantas solares. Estas son: de receptor central, colectores cilindro- parabólicos y discos Stirling. Todas ellas hacen uso solamente de la componente directa de la radiación solar, lo que les obliga a tener dispositivos de seguimiento solar. La invención reivindicada pertenece a los sistemas de torre o receptor central (3D). Estos utilizan espejos de gran superficie (40-125 m2 por unidad) denominados helióstatos, que están dotados de un sistema de control para reflejar la radiación so lar directa sobre un receptor central situado en la parte superior de una torre. En esta tecnología, la radiación solar concentrada calienta en el receptor un fluido a tempera turas de hasta 10000C, cuya energía térmica puede después utilizarse para la gene
ración de electricidad. En la actualidad, se cuenta con diferentes tipos de receptores con distintas configu raciones. Entre otros se encuentran los receptores de media temperatura y los recep tores de alta temperatura. Si el fluido caloportador es agua, los receptores de media temperatura también se denominan receptores de vapor saturado o evaporadores y los receptores de alta temperatura se denominan receptores de vapor sobrecalentado. Entre ellos se instala un calderin.
Los receptores de concentración solar de torre pueden ser exteriores o disponerse en una cavidad ubicada en la parte superior de la torre con el fin de disminuir las pérdidas térmicas. La configuración debe pennitir que la potencia incidente supere en magnitud las pérdidas que se presentan por radiación y convección. En los receptores de vapor sObrecalentado, la temperatura alcanzada en la superficie es mayor que en los receptores de vapor saturado, razón por la cual las pérdidas por radiación también son mayores, sin embargo, tienen la ventaja de aumentar la eficiencia del ciclo termodinámico, con lo que esas pérdidas quedan compensadas. En la patente W02009121030A2 se proponen distintas configuraciones de paneles y tubos con el objeto de absorber la radiación solar concentrada incidente. La mayoria de las configuraciones incluye tubos o paneles con partes transparentes que son muy distintas a la configuración propuesta en esta patente y los objetivos y ventajas que se van a describir en los apartados siguientes. En la patente US20080078378 se propone una configuración de paneles que consiste en situar los paneles del receptor de vapor sobrecalentado encima de los paneles del receptor de vapor saturado. En la patente W02011030331A2 se reivindican varias configuraciones de calderin y receptores de vapor saturado y sobrecalentado. Configuraciones con ambos receptores situados de manera concéntrica y configuraciones en las que se separa fisicamente el receptor de vapor saturado y el de vapor sobrecalentado. Por todo ello, la presente invención tiene como objetivo diseñar una configuración de receptores que aglutine las ventajas de la utilización de vapor a alta temperatura, solventando los riesgos existentes, consiguiendo un mayor control de la planta y favoreciendo de esta manera la estabilidad y durabilidad de ésta y sus componentes. Descripción de la invención La presente invención se refiere a una configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre con separación física de los receptores de media temperatura y de alta temperatura. En los casos en los que el fluido caloportador es agua, en el receptor de media temperatura es donde se produce la evaporación del fluido caloportador obteniéndose vapor saturado a la salida y en el receptor de alta temperatura se lleva a cabo un sobrecalentamiento de dicho vapor. Entre ambos receptores se instala un calderín o separador de fases que asegura que en el receptor de alta temperatura entra sólo vapor. El hecho de separar la etapa de evaporación de la de sobrecalentamiento reduce el riesgo tecnológico ya que al no existir cambio de fase en el mismo receptor, tampoco existen los problemas de altos gradientes térmicos derivados de los diferentes coeficientes de película de ambas fases. Además los problemas de control asociados a la variabilidad del recurso solar se reducen también drásticamente. Este sistema, a diferencia del estado de la técnica conocido, no ubica los módulos de los receptores de media y alta temperatura alejados entre sí, si no que la configuración propuesta en la invención comprende uno o varios receptores de media temperatura y uno o varios receptores de alta temperatura independientes, ubicados de tal manera, que los receptores de alta temperatura se sitúan físicamente encima y ligeramente por delante de los receptores de media temperatura. Entre ellos, se colocan una serie de calderines o separadores que hacen que el fluido bifásico que sale de los receptores de media temperatura llegue únicamente como vapor a los receptores de alta temperatura. La configuración de receptores y paneles propuesta es válida tanto si se encuentran dentro de una cavidad o no. En el caso de que se utilice el diseño de receptor en cavidad, las pérdidas ténnicas en el receptor que sigue esta configuración, es decir con el receptor de alta temperatura por encima del receptor de media temperatura, disminuyen con respecto a otras configuraciones con receptor en cavidad en las que se separan los receptores en cavidades distintas. Esto se debe a que, en la configuración reivindicada y con los receptores dentro de una cavidad, la apertura de la misma (por donde entra la radiación incidente) tiene su centro situado por debajo del limite inferior del receptor de atta temperatura de manera que la mayor parte de la superficie del receptor queda enfrentada con la pared interior de la cavidad. Esta pared generalmente se encuentra revestida de material aislante reflectante. Gracias a que el receptor se encuentra situado en lo alto de la torre, los rayos solares que reflejan los helióstatos inciden sin problemas en toda la superficie del receptor, ya que entran desde abajo con una trayectoria tal que, a pesar de no estar el receptor de alta temperatura enfrentado con la apertura de la cavidad, la radiación entra por la apertura alcanzando el receptor de atta temperatura y sin impactar en las paredes exteriores de la cavidad. La consecuencia de que el receptor de alta temperatura tenga la mayor parte de su superficie enfrentada al interior de la cavidad y muy poco a la apertura es que pennite que un alto porcentaje de la energia emitida por el receptor de alta temperatura en forma de pérdidas por radiación llegue al material aislante del interior de la cavidad y sea reflejada y posteriormente reabsorbida por el propio receptor de alta tem peratura o por el receptor de media temperatura, disminuyendo las pérdidas y aumentando la eficiencia de la planta. Otra característica de esta configuración es el hecho de colocar el receptor de alta temperatura adelantado respecto al receptor de media temperatura. Debido a esta configuración, una parte de los rayos que se reflejan en el receptor de media alcanzan la cara trasera del receptor de alta. Hasta ahora se ha probado con éxito la producción de vapor saturado en paneles en los que la radiación incide s610 en una de sus caras. En estos casos, el coeficiente de convección de los enormes caudales de líquido saturado de recirculadón y las temperaturas relativamente bajas del fluido que circula por los receptores de media temperatura evitan tener temperaturas de metal demasiado altas. Sin embargo, para los receptores de alta temperatura por los que sólo incide radiación por una sola cara y por los que circula vapor a muy alta temperatura, se esperan temperaturas de metal mayores a 600 oC en algunas zonas, lo que conlleva a la creación de tensiones en los materiales. En el caso de los receptores de alta temperatura de la invención reciben radiación por ambas caras en la zona más crítica de los mismos (zona donde los picos de flujo son mayores y habrá mayores temperaturas de meta!), puesto que absorben la radiación procedente de los helióstatos por delante, pero también reciben radiación por detrás en la zona baja ya que en esa zona incide casi toda la energía reflejada por la zona alta de los receptores de media temperatura situados justo detrás. La configuración aqui descrita permite por tanto homogeneizar la temperatura de metal de la zona inferior de los receptores de alta temperatura, con las ventajas técnicas que eso supone: tensiones existentes mucho más bajas y deformaciones mucho más uniformes en la zona más critica de los receptores de alta temperatura consiguiendo así la prolongación de la vida de los materiales. En una configuración como la propuesta en esta patente es conveniente que los helióstatos con una mancha o proyección más pequeña (por ejemplo heliostatos más cercanos a la torre) se enfoquen hacia los paneles de alta temperatura, con el fin de tener menores pérdidas por desborde (puesto que es necesario tener un minimo número de helióstatos enfocados hacia estos paneles para dar una potencia determinada al receptor) y un mejor control de los picos de flujo en el receptor de alta temperatura. Los helióstatos más cercanos a la torre se enfocarán entonces hacia un punto más alto (el centro del receptor de alta temperatura) que el resto de los helióstatos por lo que la energía media anual que son capaces de reflejar es mayor que en otras configuraciones donde el receptor de alta temperatura no esté situado encima del de media temperatura (por efecto coseno, de los bloqueos y las sombras). En este tipo de configuraciones, por tanto, se incrementa también la energía bruta que llega a los receptores solares. las ventajas anteriormente mencionadas son válidas tanto para el caso en el que el fluido caloportador sea agua/vapor como si se trata de aceites, sales o cualquier otro fluido. Esta configuración es tal que permite simplificar el control de la planta, disminuir los requerimientos de flujo de potencia en ésta (al aumentar la eficiencia del receptor) y mejorar el rendimiento de la misma ante transitorios o durante los arranques y las paradas. Y se obtiene vapor sobrecalentado de forma eficiente y controlada, para poder garantizar así la durabilidad y la operación normal continuadas de dicha planta solar en sus diferentes aplicaciones: producción de electricidad, producción de calor de proceso, producción de combustibles solares y aplicación a procesos termoquímicoso Descripción de los dibujos Para complementar la descripción que antecede y con objeto de ayudar a una mejor comprensión de las caracteristicas de la invención, se va a realizar una descripción detallada de una realización preferida, en base a un juego de dibujos que se acompañan a esta memoria descriptiva y en donde con carácter meramente orientativo y no limitativo se ha representado lo siguiente: La figura 1 muestra un esquema de una torre con tres cavidades, dentro de cada una un receptor de media temperatura y otro de alta temperatura. La figura 2 muestra una vista bidimensional de la configuración propuesta y una disposición básica para receptores de media y alta temperatura dentro de una cavidad. En las anteriores figuras, las referencias numéricas corresponden a las siguientes partes y elementos.
1.-Torre central. 2.-Cavidades. 3.-Receptor media temperatura (receptor de vapor saturado o evaporador) 4.-Receptor de alta temperatura (sobrecalentador) 5.-Aislamiento
6.-Apertura Realización preferente de la invención Para facilitar la comprensión de la invención a continuación se expone de manera detallada yen base a las figuras, una realización preferente.
En esta realización preferente el fluido caloportador que circula por la instalación es agua, de manera que el receptor de media temperatura (3) se denomina receptor de vapor saturado o evaporador y el receptor de alta temperatura (4) se denomina re ceptor de vapor sobrecalentado. Tal y como se observa en la figura 1, en una realización preferente el diseño de la configuración o ubicación de los receptores (3, 4) en lo alto de la torre (1) seria el siguiente: tres receptores de vapor saturado (3) y tres de vapor sobrecalentado (4), ubicados dos a dos, en tres cavidades (2) diferentes. Los receptores de vapor sobre calentado (4) están situados encima y ligeramente por delante de los de vapor salu· rada (3). En la realización preferente el receptor de vapor saturado (3) esta formado por tubos verticales y el sobrecalentador (4) por tubos horizontales o verticales, en ambos ca sos con colectores a la entrada y salida del fluido en el receptor. Se coloca un recep tor de cada tipo en cada cavidad (2), con varios planos por cada receptor de vapor saturado (3) y sobrecalentado (4) (es decir, los paneles forman ángulos distintos con respecto a una dirección dada). También se consideran varias cavidades (2) en una misma torre (1), orientadas hacia diferentes lugares, con un calderín situado encima del receptor de vapor sobrecalen tado (4) en cada una de las cavidades construidas. La eficiencia global del receptor solar se eleva con esta configuración dado que se reducen las pérdidas ténnicas por estar el receptor de vapor sobrecalentado (4) (que tiene las temperaturas de pared más altas) enfrentado en su mayor parte con la pa red de la cavidad (2) y en consecuencia del aislamiento (5) que posee dicha pared, tal y como se observa en la figura 2. La radiación llega a los receptores desde cada una de las orientaciones y mientras que ésta sólo incide en una de las caras de los receptores de saturado (3), los recep tores de sobrecalentado (4) son iluminados por las dos caras al incidir sobre la zona inferior de la cara de atrás parte de la radiación que refleja el receptor de vapor satu rado (3). Esa zona, la inferior, es una zona crítica ya que en ella los picos de flujo son más altos por tanto, el hecho de recibir calor por las dos caras ayuda a que se dismi nuyan las tensiones de los materiales. Además, la energía bruta anual recibida por el receptor se incrementa por tener al gunos helióstatos un punto de enfoque más elevado que el estimado para otras con figuraciones.

Claims (5)

  1. REIVINDICACIONES
    ES 2 411 282 A l
    1.-Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre de las
    que cuentan con una serie de helióstatos alrededor de su base que reflejan la radia-
    S
    ción solar hacia al menos un receptor de media temperatura (3) y un receptor de alta
    temperatura (4) instalados en cavidades (2) caracterizado porque cada receptor de
    alta temperatura (4) se sitúa encima y ligeramente por delante de cada receptor de
    media temperatura (3), de manera que parte de los rayos que rebotan en el receptor
    de media temperatura (3) calientan la parte posterior del receptor de alta temperatu
    10
    ra.
  2. 2. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según
    reivindicación 1 caracterizado porque el receptor de alta temperatura (4) se sitúa de
    tal forma que la apertura (6) de la cavidad (2) en la que se encuentra instalado tiene
    su centro situado por debajo del límite inferior del receptor de alta temperatura (4) de
    15
    manera que la mayor parte de la superficie del receptor (4) queda enfrentada con la
    pared interior de la cavidad (2).
  3. 3. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según
    reivindicación 1 caracterizado porque el fluido caloportador es agua y el receptor de
    media temperatura (3) es el evaporador o receptor de vapor saturado y el receptor de
    20
    alta temperatura (4) es el sobrecalentador.
  4. 4. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según
    reivindicación 3 caracterizado porque el receptor de vapor saturado (3) está forma
    do por tubos verticales y el de vapor sobrecalentado (4) por tubos horizontales o ver
    ticales, en ambos casos con colectores a la entrada y salida del fluido en el receptor.
    25
    5. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según
    reivindicación 1 caracterizado porque la torre comprende tres receptores de vapor
    saturado (3) y tres de vapor sobrecalentado (4), ubicados dos a dos, en tres cavida
    des (2) diferentes.
  5. 6. Config uración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según
    30
    reivindicación 1 caracterizado porque los helióstatos con una mancha o proyección
    más pequeña (por ejemplo heliostatos más cercanos a la torre) se enfocan hacia un
    punto más alto que el resto de los helióstatos pues apuntan a los paneles del recep
    tor de alta temperatura (4).
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