ES2146864T5 - Procedimiento y dispositivo para la determinacion del espesor de capa, la conductibilidad y/o la calidad de contacto de capa de capas aplicadas sobre substratos. - Google Patents
Procedimiento y dispositivo para la determinacion del espesor de capa, la conductibilidad y/o la calidad de contacto de capa de capas aplicadas sobre substratos.Info
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Abstract
LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA LA DETERMINACION DEL ESPESOR O ESPESORES DE CAPA, LA CONDUCTIVIDAD TERMICA Y/O LA CALIDAD DEL CONTACTO DE CAPAS O SISTEMAS DE CAPAS COLOCADAS SOBRE SUSTRATOS CON MEDIOS FOTOTERMICOS, EN EL QUE SE DIRIGE LA LUZ SOBRE LA CAPA A DETERMINAR, IRRADIANDO LA LUZ PULSANTE SOBRE LA CAPA, Y SE MIDEN EL AUMENTO DE LA TEMPERATURA, EL DESCENSO DE LA TEMPERATURA Y /O LA AMPLITUD MAXIMA DEPENDIENTES DEL TIEMPO FOTOTERMICAMENTE CON UN DETECTOR.
Description
Procedimiento y dispositivo para la determinación
del espesor de capa, la conductibilidad y/o la calidad de contacto
de capa de capas aplicadas sobre sustratos.
La invención se refiere a un procedimiento de
acuerdo con el preámbulo de la Reivindicación 1 y un dispositivo
para la realización del procedimiento. La solución según la
invención es apropiada, además de para la medición puntual, también
para la verificación de la homogeneidad espacial de capas aplicadas.
Se pueden determinar así los parámetros de capas de materiales
sólidos, líquidos o pulverulentos. Es posible también realizar la
medición en objetos de medición movidos, sin que requiera un
seguimiento del dispositivo de medición. Esto último se ofrece
especialmente en el uso directamente en la producción.
Es conocido el empleo de procedimientos de
medición fototérmica para la evaluación de capas, especialmente de
los espesores de capa. Se utilizan aquí fuentes de luz moduladas y
de emisión continua, que generan una onda térmica en el objeto de
medición. La onda térmica se refleja en el límite de capa al menos
parcialmente, y además puede determinarse el espesor de capa
mediante el desplazamiento de fase entre la onda que sale de la
fuente modulada de luz y la onda térmica reflejada. La amplitud de
la onda térmica reflejada es una medida para la calidad obtenida del
contacto de la capa. Se conoce también la utilización de fuentes
impulsadas de luz, cuya duración de impulso y distribución espectral
de la probeta, para analizar capas y zonas, próximas a la
superficie, de cuerpos sólidos. Estos procedimientos no son
apropiados para una evaluación cuantitativa exacta para la
determinación de parámetros de la capa.
Los procedimientos conocidos de medición que
utilizan ondas térmicas presentan un tiempo de medición
relativamente largo, ya que la amplitud y la fase del estado
estabilizado de una onda térmica son empleadas como señales de
medición.
S. K. Lau, D. B. Almond y P. M. Patel, en
"Transient thermal Wave Techniques for the evaluation of surface
coatings" (Técnicas de onda térmica transitoria para la
evaluación de recubrimientos superficiales), 1261 Journal of Physics
D. Applied Physics, 24 (1991) 14 de Marzo, Nº 3, Bristol, Reino
Unido, Páginas 428 a 436, han descrito un procedimiento para la
determinación de espesores de capa que se basa en la interferencia
de ondas térmicas. Además, los rayos luminosos dirigidos mediante,
preferiblemente, una fuente de luz láser, sobre las superficies,
mediante conducción térmica en la capa y reflexión en los límites de
capa, deben atravesar varias veces la capa, para interferir la
superficie.
Otro procedimiento para la determinación del
espesor de capas aplicadas está descrito en el documento US
4.818.118. En este procedimiento debe determinarse el espesor de una
capa aplicada homogénea espacialmente, en el que un rayo láser es
dirigido sobre una probeta y calienta allí una primera zona del
recubrimiento con espesor desconocido. En combinación con ello se
mide, al cabo de un tiempo predeterminado, la distribución espacial
de temperatura en otra zona del recubrimiento y se compara la
distribución medida de temperatura con distribuciones de temperatura
de referencia que representan una determinada probeta de comparación
con un recubrimiento equivalente, de donde se puede deducir el
espesor de la capa o las características de aislamiento del
recubrimiento.
De ahí que sea finalidad de la invención
proporcionar un procedimiento y un dispositivo con los que puedan
determinarse los parámetros de capas aplicadas sobre sustratos en
poco tiempo con la suficiente precisión.
Según la invención se consigue esta finalidad
mediante las características mencionadas en la reivindicación 1 en
relación con el procedimiento y las características mencionadas en
la parte caracterizadora de la Reivindicación 10 para el
dispositivo. Configuraciones y realizaciones ventajosas resultan de
la utilización de las características contenidas en las
Reivindicaciones subordinadas.
Con la solución según la invención puede
caracterizarse, sin contacto y sin destrucción, capas y sistemas
individuales de tales capas en substratos de cuerpo sólido. Se
pueden medir y valorar además de forma sencilla el espesor de la
capa, la conductibilidad térmica de la capa o la calidad de contacto
de la capa en superficies límite de capas próximas o al substrato.
El procedimiento y el dispositivo según la invención pueden
utilizarse además directamente durante el proceso de recubrimiento
de substratos y recurrirse a los resultados de la medición para el
control del proceso de recubrimiento. Pero puede utilizarse en forma
de un control de calidad.
Son posibles también, además de mediciones
puntuales, la vigilancia de la homogeneidad espacial mediante
medición plana, en forma de retículo, del recubrimiento. Además, no
tiene ninguna importancia que las capas estén formadas de materiales
sólidos, líquidos o pulverulentos.
Una ventaja esencial de la solución según la
invención consiste en que la medición puede realizarse también en
objetos de medición movidos, sin que se requiera un movimiento
paralelo de seguimiento del sistema de medición. Esto produce una
simplificación esencial de la estructura de medición.
Si se completa la configuración de medición con
un aparato de medición de distancia, puede aumentarse la exactitud
de medición cuando la distancia entre objeto de medición, detector
fototérmico y fuente de luz puede ser mantenida, con un dispositivo
apropiado, en un valor constante. Se determina también,
permanentemente, la distancia al objeto de medición, y se suministra
la señal de distancia a una unidad de regulación que activa
consiguientemente el dispositivo de desplazamiento. A la valoración
del comportamiento temporal de la temperatura en la capa va unida
una disminución esencial del tiempo de medición requerido, con
respecto a las soluciones conocidas. Se elige también la longitud de
onda de la luz que hay que dirigir a la capa o al sistema a
caracterizar, de manera que la profundidad de penetración óptica
D_{E}, para el mayor número posible de materiales de capa, sea
pequeña en comparación con el espesor de capa D_{S} a medir.
Asimismo, la relación D_{S}/D_{E} debería ser igual o mayor que
10. Puede utilizarse luz en la zona de longitud de onda de
ultravioleta o infrarrojo para muchas capas de color y también
transparentes en la zona espectral visible. Como fuente de luz se
considera un láser que trabaje por impulsos, que irradie luz de la
correspondiente longitud de onda, o también una fuente de luz de
banda ancha, que sea filtrada espectralmente de forma apropiada. Con
un cierre electroóptico o electromecánico se puede regular y variar
la dirección del impulso luminoso. En la solución según la invención
es favorable que se realice la absorción de luz en una zona próxima
a la superficie de la capa que hay que evaluar, y que se emplee una
longitud apropiada de onda. Por difusión térmica llega una cierta
fracción de energía luminosa absorbida por la capa desde la zona
próxima a la superficie de la capa, que está determinada por la
profundidad de penetración óptica D_{E}, posteriormente en la
capa. Este proceso determina esencialmente el comportamiento de la
temperatura de la capa. Para el calentamiento de la superficie de la
capa es decisiva cuánta energía luminosa absorbida por difusión
térmica, dentro de la duración del impulso luminoso, se propaga
desde la zona de absorción, próxima a la superficie, en la capa.
Si el espesor de la capa D_{S} es pequeño
comparado con el diámetro de la mancha luminosa D_{L}, puede
aceptarse, para una descripción teórica, una difusión térmica
unidimensional. En el caso de duración de impulso luminoso t_{L}
proporcionalmente menor con respecto al tiempo de difusión térmica
t_{D}, puede despreciarse la difusión térmica durante el tiempo
del impulso, que produce el enfriamiento en la superficie, con
respecto al calentamiento de la superficie por absorción luminosa.
Se define además el tiempo de difusión t_{D} como tiempo en el que
la temperatura superficial de la capa cae hasta el valor 1/e del
valor máximo de temperatura T _{máx}. Se puede recurrir también al
tiempo de difusión t_{D} para la determinación de la
característica de capa.
Con el procedimiento según la invención puede
variarse la duración del impulso luminoso. Así, un impulso luminoso
breve produce una subida relativamente brusca de la temperatura en
comparación con la caída de temperatura en la superficie que es
producida por la difusión térmica en la capa. Si la duración del
impulso luminoso y el tiempo de difusión térmica poseen un orden
comparable de magnitud, la subida de temperatura y la caída de
temperatura se comportan consiguientemente. En tiempo de difusión
térmica relativamente breve en comparación con la duración de
impulso luminoso, hay que anotar una pequeña subida de la
temperatura superficial, y se alcanza el máximo de la temperatura en
el momento del máximo del impulso luminoso. Se determina, por
consiguiente, la temperatura superficial de la capa mediante el
impulso luminoso con respecto a su duración.
En la variación de la duración del impulso
luminoso se alcanzan características temporales del curso de
temperatura superficial T(t) que son proporcionales a la
conductibilidad térmica y al espesor de la capa correspondiente. En
conductibilidad térmica conocida puede valorarse, de forma
relativamente sencilla, por medio de la evaluación del curso de la
temperatura (subida de temperatura y/o caída de temperatura) o
incluso de la temperatura máxima. Pero también es posible valorar
conductibilidad y espesor de capa cuando el comportamiento de la
temperatura durante la fase de calentamiento y enfriamiento puede
ser descrito teóricamente con un modelo. Esto es posible cuando la
estructura de la capa es considerada como el mencionado
"condensador térmico".
En el caso de un breve impulso luminoso en
comparación con el tiempo de difusión, la corriente térmica,
determinada por el diámetro de rayo y la profundidad de penetración
óptica, es pequeña dentro de la duración del impulso luminoso. Para
una constelación semejante se evalúa el comportamiento de
enfriamiento. Si la duración de impulso luminoso y el tiempo de
difusión térmica se encuentran en el mismo orden de magnitud, se
puede servir del curso total de temperatura. Con variación de la
duración del impulso luminoso puede evaluarse también el
comportamiento de la temperatura para la determinación de los
parámetros de la capa.
Por medio de la sintonización del diámetro del
rayo (magnitud de la mancha de iluminación) y la zona detectada
puede considerarse la difusión en dirección normal o lateral con
respecto a la superficie de la capa. Se puede realizar la
descripción teórica y unidimensionalmente con ayuda de las
ecuaciones de Fick.
Además de esta posibilidad puede realizarse
también, sin embargo, una valoración puramente empírica, en la cual
se miden cursos característicos de temperaturas, en el caso de
variación de la duración del impulso o la longitud de la onda para
espesores de capa definidos y conocidos y estos valores de medida
son comparados con valores de medida (por ejemplo, en forma de
cursos de temperatura) de capas desconocidas de un sistema de capas
de la misma forma, determinados en mediciones posteriores y
almacenadas en una memoria para una comparación. La valoración
empírica es apropiada para una vigilancia directa del proceso en el
uso industrial.
Si se conoce la conductibilidad térmica del
material de la capa, puede determinarse el espesor de la capa
solamente con una única duración constante del impulso. En este
caso, la duración del impulso puede estar adaptada a la velocidad
deseada de medida. En sistemas de capas, el comportamiento de la
temperatura en la superficie depende de cómo en la conductibilidad
térmica (resistencia térmica) de todo el sistema de capas y qué
conductibilidad térmica tiene el substrato (sumidero térmico). Capas
próximas, o bien, el substrato dispuesto próximamente, influyen con
respecto al comportamiento de enfriamiento. Si se encuentra una capa
con elevada conductibilidad térmica en un substrato o está dispuesta
junto a otra capa con una baja conductibilidad térmica, la
superficie de la primera capa considerada se enfría más lentamente
que cuando la capa próxima o el substrato tienen también una buena
conductibilidad térmica. De ahí que el curso de la temperatura
depende de la temperatura superficial de todo el sistema de capas y
las variaciones de la monotonía.
(Curvatura
dT(t)/dt)
del curso de la temperatura
T(t) han de ser atribuidas a la diferencia con respecto a la
conductibilidad térmica de las capas individuales del sistema de
capas. Por consiguiente, mediante comparación empírica con sistemas
de capas de modelo o también mediante comparación con la descripción
teórica en el modelo del "condensador térmico", de la
característica de temperatura de todo el sistema de capas pueden ser
determinados la conductibilidad térmica y el espesor de cada una de
las
capas.
A continuación, se seguirá describiendo el modelo
teórico del "condensador térmico".
En él Q es la carga térmica del condensador
térmico después de la carga por el impulso luminoso. Se puede
describir la carga del modo siguiente:
(1)dQ/dt =
c\text{*} \ \rho \ \text{*} \ \Pi \ \text{*} \ R_{L}{}^{2}
(D_{E}-^{x}{}_{D}(t))\text{*}(dT(t)/dt) = \Pi \ \text{*} \
R_{L}{}^{2} \
\text{*}I_{Labs}(t)
(2)Q =
E_{Labs} = c\text{*} \ \rho \ \text{*} \ \Pi \ \text{*} \
R_{L}{}^{2} \text{*} \ (D_{E}
(T(t_{L})-T_{0})-
_{0}\int^{tL}x_{D}(t)\text{*}(dT(t)/dt))\approx 0 \ para \
t_{L} <<
t_{D}
en
donde:
c | calor específico del material de la capa; |
\rho | espesor del material de la capa; |
\Pi * R_{L}^{2} | superficie de la mancha de iluminación sobre la capa; |
I_{Labs} | intensidad luminosa absorbida; |
E_{Labs} | energía luminosa absorbida; |
x_{D}(t) | distancia de difusión térmica en el tiempo t |
t_{D} = Ds * D_{E} * \rho * c/\chi | tiempo característico de difusión; |
Ds | espesor de la capa; |
\chi | conductibilidad térmica de la capa. |
T_{0} | temperatura ambiente |
Durante el tiempo del impulso se recoge la
energía luminosa absorbida E_{Labs} en un determinado volumen,
estando determinado el volumen por la superficie de la mancha de
iluminación (\Pi * R_{L}^{2}) y la profundidad de penetración
óptica DE y la profundidad de la difusión térmica
x_{D}(t_{L}). Con el supuesto de que t_{L} es mucho
menor que el tiempo característico de difusión, se puede determinar
con la ecuación (2) la temperatura máxima T_{máx}=
T(t_{L}) desde la carga térmica Q. Esto es posible, ya que
son conocidos los demás parámetros al conocer simultáneamente el
material de capa y la longitud de la onda luminosa (D_{E} =
D_{E} (\lambda)).
Para el caso de que el diámetro de mancha de
iluminación 2*RL sea mayor que el espesor de la capa DS, es válida
la aproximación unidimensional de la difusión térmica. Resulta así
el gradiente espacial de temperatura
(3)grad_{x}T =
(T(t_{L} - T_{o})/D_{E} = -j_{x} \rightarrow /
\chi
Además, j \rightarrow es la densidad de
corriente térmica correspondiente a la primera ley de Fick.
Según la segunda ley de Fick es válido entonces
para t = t_{L}
(4)(\partial
T(t_{L})/\partial t) = (\chi/\rho \ \text{*} \
c)\text{*}(\partial^{2}T/\partial
x^{2})
Con el principio de que T(x,t') =
(T(t_{L}) - T_{0})*exp (\alpha * t + \beta *x) y t' =
t_{L} + t se resuelve la ecuación diferencial
(5)\partial
T/\partial t = \alpha/\beta^{2}\text{*}\partial^{2}T/\partial
x^{2}
Es válido entonces \deltaT/\deltat' =
\deltaT/\deltat.
\partial
T/\partial t' = \partial T/\partial
t
Por consiguiente, puede determinarse, mediante la
comparación de las ecuaciones (5) y (4)
\alpha/\beta^{2} = \chi/\rho \
\text{*} \
c
Después del final del impulso luminoso para el
tiempo t' = t_{L}+t, la magnitud determinante para la variación
del gradiente de temperatura no es ya, conforme a la ecuación (3),
la profundidad óptica de penetración D_{E}(\lambda) del
impulso luminoso estimulante, sino el espesor de capa D_{S}.
Por tanto, es válido para esta variación
(6)(\partial^{2}T/\partial X^{2})
= (T(t_{L})-T_{0}) \ \text{*} exp (\alpha
t-\beta x) / (D_{E} \ \text{*} \
D_{S})
Según las ecuaciones (4) y (5) es así
(7)\partial^{2}T / \partial x^{2}
= T / (D_{E}\text{*}D_{S}) = (\rho \ \text{*}c / \chi)\text{*} \
\partial T/\partial t = (\rho \ \text{*}c / \chi)\text{*} \ \alpha \
\text{*} \
T
Por consiguiente, es
(8)(\rho \
\text{*}c \ \text{*} \ \alpha / \chi = 1 / (D_{E} \ \text{*}D_{S}) \
y, \ por \ tanto, \alpha = \chi / (\rho \ \text{*}c \ \text{*}D_{E}
\
\text{*}D_{S})
El valor recíproco \alpha -1 =t_{D}
corresponde ya al tiempo característico de difusión antes
mencionado. Resulta, por consiguiente, el curso de temperatura,
dependiente del tiempo, en la superficie de la capa según
(9)T(t)
= (T(t_{L})-T_{0}) \ \text{*}exp ((-\chi /
\rho \ \text{*}c\text{*}D_{S} \text{*}
D_{E})\text{*}t)
Puede determinarse, análogamente, la descarga de
un condensador eléctrico con
(10)U(t) = Q_{el} / C_{el}
\ \text{*}exp ((-1 / (R_{el} \
\text{*}C_{el}))\text{*}t)
como la descarga del condensador
térmico correspondiente a la ecuación
(9).
Si se comparan las ecuaciones (9) y (10), pueden
reconocerse los parámetros equivalentes en la descarga de
condensador térmico con respecto a la descarga de condensador
eléctrico. La resistencia térmica R_{th} corresponde a la
resistencia eléctrica R_{el} y es
(11)R_{th} =
D_{S} / (\chi \ \text{*} \ \Pi \text{*}
R_{L}{}^{2})
La capacidad térmica
(12)C_{th} = c
\ \text{*} \ \rho \ \text{*} \ D_{E} \ \text{*} \ \Pi \ \text{*} \
R_{L}{}^{2}
Corresponde a la capacidad
eléctrica C_{el}. Y la temperatura T(t) es equivalente a la
tensión eléctrica U(t). Con ayuda de esta traslación cada
capa puede ser coordinada con una correspondiente resistencia
R_{th} y una capacidad C_{th} y ser utilizado el modelo de
condensador térmico. Hay que deducir de la ecuación (9) que el
descenso de temperatura se realiza exponencialmente y que el
exponente contiene como magnitudes desconocidas solamente el espesor
de capa
Ds.
Como el detector fototérmico abarca la zona
próxima a la superficie con la correspondiente radiación térmica y
no solamente un lugar x = 0, debe ser tenida en cuenta la
profundidad óptica de penetración en la longitud de onda infrarroja
utilizada del detector D_{E} (\lambda_{Det}) = D _{Det}.
Esto es posible mediante la determinación espacial de la ecuación
(7) con ayuda de un factor de peso g (x) = exp(-x/D_{Det}) para
todo el espesor de capa a considerar. Con el principio de separación
T(x, t) = T(x) * T(t) puede obtenerse una
integral adicional para la función T(x) dependiente
localmente, que suministra otro factor previo para la ecuación (8)
que es relevante para el caso de que D_{Det} sea aproximadamente
igual a D_{S}. Para el caso de que D_{Det} sea mucho menor que
D_{S}, se puede despreciar este factor.
La determinación espacial de la temperatura puede
realizarse con la siguiente ecuación:
(13)< T
(x)\text{*} \ T(t) >D_{Det} =
T(t)\text{*}_{o}\fint^{Ds} T(x) \ \text{*} \
exp(-x/D_{Det} \ \text{*} \ dx /
D_{Det}
con T(x) =
exp(-\chi\beta)
\newpage
La descarga del condensador térmico es realizada
mediante la resistencia térmica del substrato y la resistencia
térmica de la capa, o bien, en varias capas mediante la resistencia
de todo el sistema de capas. Además, la relación entre la
resistencia térmica del substrato R_{A} y la resistencia térmica
de la capa a determinar R_{S}, o bien, la resistencia térmica del
sistema de capas (para este caso R_{S} es la resistencia total),
determina la dinámica de la característica de temperatura en la
variación de espesor de capa y conductibilidad de una capa
individual. En el caso de que se considere un substrato con elevada
conductibilidad térmica y, por consiguiente, una baja resistencia
térmica R_{A} en comparación con la resistencia R_{s}, el
descenso de temperatura es determinado por la resistencia de capa
R_{S}. En este caso debería emplearse un impulso luminoso cuya
duración de impulso t_{L} sea pequeña con respecto al tiempo de
difusión térmica t_{D}. En cambio, si la resistencia térmica del
substrato R_{A} es mayor con respecto a la resistencia de la capa
a determinar R_{S}, se determina esencialmente el descenso de
temperatura en la superficie del objeto de medida (descarga del
condensador térmico) mediante la resistencia térmica del substrato
R_{A}. En este caso, por consiguiente, la dinámica del descenso de
temperatura de la superficie del objeto de medida está limitada con
respecto a la diferencia abarcable de espesor de capa y
conductibilidad de la capa. En tales condiciones se prefiere
utilizar, por tanto, el calentamiento de la superficie del objeto de
medida, que no es influido por la resistencia térmica del substrato
R_{A}. La relación entre duración del impulso luminoso t_{L} y
el tiempo de difusión térmica t_{D} debería ser optimizada, por
consiguiente, para la obtención de una velocidad máxima de medida y
una dinámica de medida. Por este motivo hay que regular la duración
del impulso de manera que la diferencia entre dos cursos de
temperatura sea maximizada con, respectivamente, distintos espesores
de capa y conductibilidades.
En sistemas con varias capas se puede calcular la
característica de temperatura temporal, como el tiempo de descarga
de un condensador, que está unido con una red de diferentes
resistencias. Para ello se coordina cada capa con una resistencia
totalmente determinada. Con un esquema de conexión de repuesto
derivado de la red puede calcularse el curso de descarga,
dependiente del tiempo, del condensador que hay que coordinar con la
correspondiente capa, de la que se registra la radiación térmica con
el detector fototérmico. Esta será, normalmente, la primera capa en
la superficie del objeto de medida.
En sistemas de capas en los que la capa más
superior es transparente, por ejemplo, una capa de barniz claro,
puede realizarse la absorción luminosa, según la elección de la
longitud de onda luminosa, solamente en la segunda capa, y el
cálculo debe ejecutarse para esta capa valorada como segundo
condensador. Si la primera capa no es transparente para la
observación de la radiación térmica, debe calcularse entonces la
característica de descarga del condensador térmico de la segunda
capa conforme al descenso de tensión en la resistencia térmica de la
primera capa. Para ello debe determinarse un esquema de conexión de
repuesto que tenga en cuenta todas las resistencias térmicas de las
capas existentes y la capacidad térmica de la segunda capa. De este
modo puede calcularse, para una estructura semejante de capa, el
curso de temperatura (curso de tensión), dependiente del tiempo, con
respecto a la resistencia térmica de la primera capa.
Para el esquema de conexión de repuesto puede
utilizarse, según la estructura del sistema de capas y el lugar de
la absorción luminosa local en este sistema de capas, una conexión
en serie, o también una conexión en paralelo, de condensadores y
resistencias. Se describe con más detalle, a continuación, la
invención a partir de ejemplos de realización.
La Fig. 1 muestra, en principio, una conocida
medición fototérmica, con ondas térmicas, de espesor de capa.
La Fig. 2 muestra un esquema de conexión
eléctrica para la carga y la descarga de un condensador.
La Fig. 3 muestra la característica de descarga
de un condensador.
La Fig. 4 muestra una estructura esquemática de
in dispositivo según la invención.
La Fig. 5 muestra, esquemáticamente, la
estructura de un sistema de dos cajas.
La Fig. 6 muestra un esquema de conexión de
repuesto para la estructura de varias capas según la Fig.5.
La Fig. 7 muestra el curso de temperatura
temporal en el caso de una duración menor de impulso luminoso.
La Fig. 8 muestra el curso de temperatura en el
caso de duración de impulso luminoso y tiempo de difusión
aproximadamente iguales.
La Fig. 9 muestra el curso de temperatura en el
caso de una muy grande duración de impulso luminoso.
La Fig. 10 muestra el curso de temperatura en una
combinación de una capa con una buena conductibilidad térmica con
una mala conductibilidad térmica.
La Fig. 11 muestra el curso de temperatura en una
combinación de dos capas con buena conductibilidad térmica.
La Fig. 12 muestra una estructura esquemática de
un dispositivo, según la invención, con un sistema de medida de
distancia.
La Fig. 1 muestra esquemáticamente un conocido
procedimiento de medición fototérmica en el que la luz modulada es
irradiada sobre una capa aplicada sobre un substrato. La absorción
de la onda luminosa modulada genera una onda térmica que se propaga
a través de la capa y es reflejada parcialmente sobre la superficie
límite de capa/substrato. La onda térmica reflejada genera una
modulación temporal de la temperatura superficial de la capa que
presenta un desplazamiento de fase a la onda luminosa modulada. En
estado estabilizado el desplazamiento de fase, entre onda luminosa y
onda térmica reflejada, suministra el espesor deseado de capa. La
amplitud de la onda térmica reflejada es tanto mayor cuanto menor es
la calidad del contacto entre capa y substrato. Sin embargo, para la
determinación de este parámetro se requiere que se alcance un estado
estabilizado. En espesores de capa en la zona de micrómetro se
requiere para ello un tiempo de medida de unos segundos, lo que es
demasiado lento para muchos fines de utiliza-
ción.
ción.
La Fig. 2 es un esquema de conexión de repuesto
en el que se considera una estructura de una capa en un substrato
como un condensador eléctrico que es descargado mediante una
resistencia. La Fig. 3 representa la característica, dependiente del
tiempo, de descarga del condensador eléctrico que corresponde a la
disminución temporal de la temperatura superficial de la capa que
fue irradiada con un impulso luminoso.
La Fig. 4 muestra una estructura de medida según
la invención en la que un impulso luminoso es irradiado desde una
fuente de luz sobre la capa 3 aplicada sobre un substrato 2 y la
influencia de la temperatura así producida es registrada con ayuda
de un detector termoóptico 4. Está representada también, rayada, la
zona calentada 5 de la capa. En el caso representado, la duración
del impulso es mucho menor que el tiempo de difusión. El diámetro de
la excitación de láser (diámetro de mancha de iluminación) está
ajustado para un modelo unidimensional de difusión. En la Fig. 5
está representado esquemáticamente un sistema de dos capas en el que
sobre un substrato 2 están aplicadas dos capas 3 y 6. De la Fig. 6
hay que deducir el correspondiente esquema de conexión de repuesto.
Además, C_{1} y R_{1} son el condensador térmico y la
resistencia de la capa 3, y R_{2} la resistencia térmica de la
capa 6. La descarga del "condensador térmico" C_{1} se
realiza mediante las resistencias térmicas de la capa 3 (resistencia
R_{1}), la capa 6 (resistencia R_{2}) y la resistencia térmica
del substrato (resistencia R_{a}).
El diagrama representado en la Fig. 7 reproduce
el curso temporal de temperatura para el caso de que sea regulada
una duración muy pequeña de impulso luminoso t_{L} con respecto al
tiempo de difusión característica t_{D} mediante conexión y
desconexión momentáneas de la fuente de luz o con ayuda de un cierre
optoelectrónico o bien electromecánico. En este caso, la temperatura
máxima Tmax se alcanza al cabo de poco tiempo. Hay que deducir
también de esta representación el momento en el que la temperatura
máxima T_{o} ha caído hasta el valor T = T_{o} *e^{-1} que
puede utilizarse como magnitud apropiada para la caracterización de
la capa.
La Fig. 8 muestra en un diagrama el curso de la
temperatura para el caso de que la duración del impulso luminoso
corresponda aproximadamente al tiempo de difusión t_{D}.
En el curso de temperatura mostrado en la Fig. 9,
la duración del impulso luminoso es esencialmente mayor que el
tiempo de difusión t_{D}.
En el diagrama representado en la Fig. 10 está
representado el curso de la temperatura, en un sistema de dos capas
y con una duración de impulso luminoso breve, dotado de una capa con
buena conductibilidad térmica y de una capa con mala conductibilidad
térmica. Durante la fase de caída de temperatura está reproducida
claramente la variación del curso de curvatura en la caída de
temperatura. Una valoración logarítmica aumenta la capacidad de
diferenciación de los componentes individuales del sistema de capas
(ajuste de curva con 2 exponentes para las dos capas y un tercer
exponente para el substrato). De la misma manera puede realizarse un
ajuste polinómico.
La Fig. 11 reproduce el curso de la temperatura
en un sistema de dos capas que está constituido por dos capas con
buena conductibilidad térmica, con los mismos espesores, como en la
Fig. 10. En la fase de la caída de temperatura, la variación de la
curvatura es claramente menor que en el caso de la curva
representada en la Fig. 10 y la temperatura cae esencialmente con
mayor rapidez.
En la Fig. 12 está representada una estructura
esquemática de medición de un dispositivo según la invención en la
que el objeto de medición 7 es desplazable, en forma de traslación,
a lo largo de la línea rayada. El aparato de medición fototérmica 4
está alojado en un dispositivo 8 desplazable, análogamente en forma
de traslación, en la dirección (perpendicularmente a la dirección de
desplazamiento del objeto de medición 7), mostrada con la flecha
doble, y con su ayuda puede ser movido hacia el objeto de medición
7, o alejado de éste, para poder conservar una distancia de medición
constante entre el aparato de medición fototérmica 4 y el objeto de
medición 7. Se realiza la regulación con un aparato de medición de
distancia 9 que registra la distancia, preferiblemente, en forma de
trayectoria óptica. Los rayos luminosos de medición del aparato
óptico de medición de distancia y del aparato de medición
fototérmica con impulso luminoso de excitación y el detector
fototérmico de registro están marcados con una línea de punto y
raya. Las señales de medición (líneas de puntos) del aparato de
medición de distancia 9 son transmitidas, mediante un controlador 10
a la regulación del accionamiento 8 del dispositivo. La línea de
puntos desde el aparato de medición fototérmica 4 al controlador 10
indica que también la posición momentánea que se desvía del estado
ideal del aparato de medición fototérmica 4 puede ser registrada por
el controlador 10 y utilizada para una corrección numérica de los
valores de medición fototérmica. Con esta regulación de la distancia
entre el objeto de medición 7 y el aparato de medición fototérmica 4
y/o la corrección numérica de los valores de medición en las
variaciones de distancia, puede mantenerse a un elevado nivel la
exactitud de la medición también en objetos de medición curvos 7 o
en variaciones de distancia producidos de otro modo. Se pueden
corregir pequeñas variaciones de distancia numéricamente, y grandes
variaciones de distancia, con ayuda del dispositivo desplazable 8.
Sin embargo, la influencia de variaciones de distancia sobre la
exactitud de medición tiene importancia solamente cuando la amplitud
máxima de la señal fototérmica es relevante para la medición. En la
mayoría de los casos no se utilizan magnitudes intensivas
(amplitudes), sino magnitudes estructurales (características
temporales), de la señal fototérmica, para la determinación de
características de capa, de manera que no desempeñan ningún papel
fluctuaciones de amplitud de señal debidas a variaciones de
distancia de baja frecuencia. La dirección de transmisión de los
datos está marcada con flechas en las uniones representadas de
puntos. Los datos que pueden ser emitidos por el controlador 10
pueden utilizarse para una valoración, por ejemplo, en forma
estadística y/o directamente para influir activamente sobre el
procedimiento de recubrimiento, para reaccionar a los defectos de
recubrimiento y mantener óptimamente éste en los valores
teóricos.
Claims (13)
1. Procedimiento para la determinación del
espesor o de los espesores de capa, de la(s)
conductibilidad(es) térmica(s) y/o de la calidad de
contacto de capa de capas o sistemas de capa aplicados sobre
substratos con medios fototérmicos, en el que la luz es dirigida de
forma pulsada a la capa a determinar, y el aumento de temperatura,
la caída de temperatura y/o la amplitud máxima, en función del
tiempo, son medidas fototérmicamente con un detector,
caracterizado porque la distancia entre el objeto de
medición, la fuente de luz y el detector se mide y regula.
2. Procedimiento de acuerdo con la Reivindicación
1, caracterizado porque el curso de temperatura temporal
medido es sometido a una comparación teórica/real con cursos de
temperatura determinados empíricamente que están memorizados en una
base científica.
3. Procedimiento de acuerdo con una de las
Reivindicaciones 1 ó 2, caracterizado porque es modificada la
duración del impulso luminoso.
4. Procedimiento de acuerdo con una de las
Reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque en la
determinación de dos capas y/o material de diferente espesor o una
capa individual y el substrato, es regulada de modo diferente la
duración del impulso para las dos capas o la capa individual y el
substrato, de manera que sea máxima la diferencia entre los cursos
de temperatura.
5. Procedimiento de acuerdo con una de las
Reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque se emplea la luz
con una longitud de onda con la que la profundidad de penetración
óptica D_{E} es pequeña con respecto al espesor de capa D_{S} a
medir.
6. Procedimiento de acuerdo con una de las
Reivindicaciones 1 a 5, caracterizado porque la subida de
temperatura y/o la caída de temperatura son valoradas
logarítmicamente o con un ajuste polinómico.
7. Procedimiento de acuerdo con una de las
Reivindicaciones 1 a 6, caracterizado porque los valores
térmicos medidos son valorados como parámetros eléctricos en la
carga y descarga de un condensador eléctrico.
8. Procedimiento de acuerdo con una de las
Reivindicaciones 1 a 7, caracterizado porque para la
valoración se evalúa como magnitud característica el tiempo en el
que la temperatura máxima T_{0}, después del final del impulso
luminoso, ha caído hasta una temperatura T = T_{0} *e^{-1}.
9. Procedimiento de acuerdo con una de las
Reivindicaciones 1 a 8, caracterizado porque se ajustan
mutuamente el diámetro de rayo luminoso y la zona de detección,
permitiendo una valoración con ayuda de las ecuaciones de Fick.
10. Dispositivo para la realización del
procedimiento de acuerdo con la Reivindicación 1, en la que una
fuente pulsátil de luz (1) dirige luz de longitud de onda conocida
sobre un objeto de medición (2) y la zona irradiada del objeto de
medición (2) es registrable con un detector fototérmico (3), siendo
los valores de medición suministrables a una unidad de valoración
para la realización de una comparación, estando un sistema de
medición a distancia (4) unido con el detector fototérmico (3) de
manera que, con ayuda de una regulación, puede mantenerse constante
la distancia del detector fototérmico (3) al objeto de medición
(2).
11. Dispositivo de acuerdo con la Reivindicación
10, caracterizado porque la fuente de luz (1) es de banda
ancha y presenta un filtrado espectral.
12. Dispositivo de acuerdo con la Reivindicación
10, caracterizado porque la fuente de luz (1) es un láser
pulsátil.
13. Dispositivo de acuerdo con la Reivindicación
10, caracterizado porque existe un cierre electroóptico o
electromecánico que regula la duración del impulso luminoso.
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