EP4727902A1 - Lebensdauerstabilisierung beschichteter optiken mittels elektronenstrahlheizen - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung eines optischen Elements, das Verfahren umfassend: Bereitstellen eines optischen Elements mit einem Substrat und einer Beschichtung, und Tempern des optischen Elements. Die Aufgabe, ein Verfahren und ein optisches Element bereitzustellen, welches die Nachteile des Stands der Technik lösen, wird dadurch gelöst, dass das Tempern des optischen Elements ein Bestrahlen der Beschichtung des optischen Elements mit Elektronen umfasst. Darüber hinaus bezieht sich die Erfindung auf ein optisches Element, auf ein Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen optischen Element und auf eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv sowie auf eine Vorrichtung zur Elektronenbestrahlung.

Description

_{13. Juni 2024} Lebensdauerstabilisierung beschichteter Optiken mittels Elektronenstrahlheizen ^{Technisches Gebiet Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung eines optischen Elements, das Verfahren umfassend: Bereitstellen eines optischen Elements mit einem Substrat und einer Beschichtung, und Tempern des optischen Elements. Darüber hinaus bezieht} _{sich die Erfindung auf ein optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage, auf ein Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen optischen Element und auf eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv sowie auf eine Vorrichtung zur Elektronenbestrahlung.} ^{Der Gegenstand der deutschen Patentanmeldung 102023205640.2 wird hiermit} _{durch Bezugnahme (incorporation by reference) aufgenommen.} ^{Hintergrund Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie sind darauf angewiesen, dass die zur Abbildung einer Maske in eine Bildebene genutzten optischen Elemente eine hohe Genauigkeit aufweisen. Ebenso hohe Anforderungen werden an die Oberflächenform der Masken selber gestellt. Die optischen Elemente sind während des Betriebs der Anlagen jedoch hohen Temperaturbelastungen ausgesetzt, die} _{unerwünschte Veränderungen in dem Substrat und der Beschichtung der optischen Elemente hervorrufen und zu unerwünschten Abbildungseigenschaften führen können. Um unerwünschten Veränderungen der optischen Elemente aufgrund von Temperaturbelastungen während des Betriebs vorzubeugen, wurde versucht, die optischen Elemente durch eine vorgelagerte Temperung zu stabilisieren. Aufgrund} ^{der Beschränkungen der zulässigen Temperatur können die optischen Elemente jedoch in einem gewöhnlichen Temperofen nicht auf eine für die komplette} _{Stabilisierung von Lebensdauereffekten notwendige Temperatur gebracht werden. Stattdessen bedarf es beispielsweise komplexer Temperprozesse, die eine Kühlung der Anbauteile ermöglichen.} ^{Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und ein optisches Element bereitzustellen, welche die oben beschriebenen Nachteile des Stands der Technik} _{lösen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Projektionsobjektiv und eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem verbesserten optischen Element sowie eine vorteilhafte Vorrichtung zur Elektronenbestrahlung anzugeben.} ^{Beschreibung der Erfindung Gemäß einem ersten Aspekt wird die Aufgabe für ein Verfahren zur Stabilisierung eines optischen Elements, das Verfahren umfassend: Bereitstellen eines optischen} _{Elements mit einem Substrat und einer Beschichtung, und Tempern des optischen Elements, dadurch gelöst, dass das Tempern des optischen Elements ein Bestrahlen der Beschichtung des optischen Elements mit Elektronen umfasst.} ^{Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines optischen Elements. Bei dem optischen Element kann es sich um ein reflektierendes optisches Element, beispielsweise einen Spiegel oder eine Maske, handeln. Denkbar ist auch, dass es sich bei dem optischen Element um eine Linse, ein Prisma, ein Hologramm und/oder eine Streuscheibe handelt. Das optische Element umfasst ein Substrat und eine Beschichtung. Das} _{Substrat kann beispielsweise SiSiC, Zerodur® von Schott AG, ULE® von Corning Inc., Quarzglas und/oder jede andere Art von Glas umfassen. Die Beschichtung kann eine oder mehrere Schichten umfassen. Bevorzugt ist die Beschichtung elektrisch leitfähig. Insbesondere handelt es sich um eine metallische Beschichtung. Bei der Beschichtung kann es sich um eine Beschichtung handeln, welche für den EUV-Wellenlängenbereich geeignet ist. Beispielsweise kann es sich um eine MoSi-Beschichtung handeln.} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{Die Beschichtung kann mindestens ein Schichtteilsystem umfassen. Das Schichtteilsystem kann mindestens eine Schicht umfassen, die gebildet ist oder als Verbindung zusammengesetzt ist aus mindestens einem Material der Gruppe: Nickel, Kohlenstoff, Bor-Karbid, Kobalt, Beryllium, Silizium, Silizium-Oxide. Diese Materialien weisen einerseits einen ausreichend hohen Absorptionskoeffizienten für EUV- Strahlung auf und verändern sich andererseits unter EUV-Strahlung zumindest im} _{Wesentlichen nicht. Die Schichtanordnung des mindestens einen Schichtteilsystems kann beispielweise eine periodische Abfolge von mindestens zwei Perioden an Einzelschichten umfassen. Die Perioden können Einzelschichten aus unterschiedlichen Materialien umfassen. Die Materialien der die Perioden bildenden Einzelschichten können beispielsweise Nickel und Silizium oder Kobalt und Beryllium sein.} ^{Bevorzugt kann die Beschichtung eine Reflexionsschicht umfassen. Die Reflexionsschicht kann mindestens ein auf die Reflexion von EUV-Strahlung, insbesondere Strahlung mit einer Wellenlänge von 13 nm oder 7 nm, optimiertes Schichtteilsystem umfassen. Die Reflexionsschicht kann eine periodische Abfolge von} _{mindestens einer Periode an Einzelschichten umfassen. Die Periode kann Einzelschichten mit unterschiedlichen Brechungsindices z. B. im EUV- Wellenlängenbereich umfassen. Es sind aber auch aperiodische Schichten oder eine Reflexionsschicht, die lediglich eine Schicht umfasst, denkbar.} ^{Optional kann zwischen dem Substrat und der Reflexionsschicht eine Schutzschicht aufgebracht werden. Die Schutzschicht soll verhindern, dass das Substrat z. B. durch EUV-Nutzstrahlung, also die in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage verwendete} _{Strahlung, kompaktiert. Die Schichtanordnung der Schutzschicht kann dabei mindestens eine Dicke von größer 20 nm, insbesondere größer 50 nm, umfassen, so dass die Transmission an EUV-Strahlung durch die Schichtanordnung hindurch weniger als 10 %, insbesondere weniger als 2 % beträgt.} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{Das Verfahren umfasst ein Tempern des optischen Elements. Unter einem Tempern kann eine Wärmebehandlung verstanden werden, bei der die Beschichtung des optischen Elements erhitzt wird. Insbesondere umfasst das Verfahren ein Tempern der Beschichtung des optischen Elements. Die Beschichtung des optischen Elements kann beispielsweise zumindest teilweise gleichmäßig erhitzt werden. Durch ein Tempern der Beschichtung des optischen Elements kann die Beschichtung des optischen Elements gegenüber Lebensdauereffekten stabilisiert werden. Insbesondere kann die Beschichtung hierdurch gegenüber Wärmeeintrag für die} _{spätere Anwendung stabilisiert werden. Das Tempern kann beispielsweise vorgelagert während des Herstellungsprozesses des optischen Elements erfolgen. Unerwünschte Veränderungen der Beschichtung, beispielsweise der Schichtspannung, können so vorteilhaft vermieden werden. Zudem kann das Substrat zumindest teilweise getempert werden. Insbesondere werden zumindest oberflächennahe Bereiche des Substrats getempert. Hiermit können beispielsweise Bereiche gemeint sein, die bis zu 5500 nm, bevorzugt bis zu 3400 nm, besonders bevorzugt bis zu 1700 nm, unterhalb der Oberfläche des optischen Elements liegen.} ^{Das Tempern des optischen Elements umfasst ein Bestrahlen der Beschichtung des optischen Elements mit Elektronen. Das Einbringen der Energie der Elektronen erfolgt dabei lokal in der Beschichtung, insbesondere in zumindest einer Schicht. Es wurde erkannt, dass das optische Element, insbesondere die Beschichtung des optischen Elements, mittels Elektronenbestrahlung vorteilhaft beheizt werden kann. Das Tempern erfolgt insbesondere dadurch, dass durch das Bestrahlen die Energie der Elektronen in der Beschichtung des optischen Elements deponiert wird. Beim} _{Bestrahlen der Beschichtung mit Elektronen kann die Energie der Elektronen über eine Stoßkaskade in Wärme umgewandelt werden. Die Beschichtung kann somit durch das Bestrahlen mit Elektronen gezielt erhitzt und dadurch vorgealtert werden. Der Wärmeeintrag kann wiederum zu Relaxationsprozessen führen, die die Beschichtung des optischen Elements für spätere Anwendungen des optischen Elements gegenüber Wärmeeintrag stabilisieren. Das Bestrahlen der Beschichtung des optischen Elements erfolgt insbesondere derart, dass zumindest die Beschichtung} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{stabilisiert wird. Die Zuordnung von Prozessparametern zu einer gewünschten} _{Stabilisierungswirkung kann gemäß einer geeigneten Kalibration erfolgen.} ^{Das Bestrahlen mit Elektronen erfolgt im Vakuum, insbesondere im Hochvakuum. Hierzu kann das optische Element in eine Vakuumkammer einer Vakuumanlage eingebracht werden. Die Vakuumanlage kann eine Elektronenstrahlquelle, insbesondere eine Elektronenkanone, enthalten, die einen Elektronenstrahl erzeugt.} _{Unter einer Elektronenkanone kann eine elektrische Anordnung zur Erzeugung von Elektronenstrahlen bezeichnet werden. Die Elektronenkanone stellt einen gebündelten und gerichteten Elektronenstrahl zur Verfügung. Der Elektronenstrahl kann beispielsweise einen Durchmesser von 0,1 mm bis 20 mm betragen.} ^{Mit Hilfe des Elektronenstrahls kann die Oberfläche der Beschichtung des optischen Elements gerastert werden. Die Rasterung erfolgt vorzugsweise mehrfach, beispielsweise zwei bis 10.000 Mal. Die wiederholte thermische Belastung durch eine mehrfache Rasterung führt zur Stabilisierung von Lebensdauereffekten. Die Rasterung} _{kann beispielsweise punktweise erfolgen. Das zu bestrahlende Feld kann in diskrete Punkte eingeteilt werden. Der Elektronenstrahl kann auf mindestens einen diskreten Punkt auf der Oberfläche gerichtet werden und auf diesem Punkt für eine bestimmte} ^{Zeit verweilen. Beispielsweise beträgt die Verweildauer Δt des Elektronenstrahls 10 ns bis 10 ms. In diesem Zeitintervall kann sich punktuell eine lokale Temperaturspitze an dem diskreten Punkt ergeben. Die Temperatur kann durch den Wärmeeintrag schlagartig hochschnellen. Sobald der Strahl am nächsten Punkt ist,} _{sinkt die Temperatur wieder ab. Durch die Elektronenstrahlung lässt sich das optische Element, insbesondere die Beschichtung, lokal auf viel höhere Temperaturen heizen als beispielsweise mit einem Temperofen. Aufgrund der starken Temperaturabhängigkeit der Relaxationen lassen sich die Temperaturspitzen für eine Stabilisierung nutzen. Neben den Temperaturspitzen kann sich mit der Zeit auch ein} ^{Nettoanstieg der Temperatur ΔT der Beschichtung des optischen Elements ergeben. SH/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{Es können zudem weitere Teile des optischen Elements, insbesondere des Substrats des optischen Elements, durch ein Bestrahlen der Beschichtung des optischen Elements mit Elektronen beeinflusst, insbesondere stabilisiert, werden. Durch die in der Beschichtung erzeugte Wärme kann beispielsweise auch das Substrat des optischen Elements zumindest teilweise erwärmt werden. Insbesondere oberflächennahe Teile des Substrats können durch ein Bestrahlen der Beschichtung} _{mit Elektronen ebenfalls erwärmt werden. Die Wärme kann auf weitere Teile des optischen Elements übergehen. Hierdurch können diese Teile des optischen Elements ebenfalls stabilisiert werden. Durch ein Bestrahlen der Beschichtung des optischen Elements mit Elektronen können so auch Teile des optischen Elements, die über die Beschichtung hinausgehen, ebenfalls vorteilhaft gegenüber Lebensdauereffekten stabilisiert werden.} ^{Insbesondere können in das Substrat eingebrachte Kompaktierungen zumindest teilweise stabilisiert werden. Das Tempern kann beispielsweise zu einem teilweisen Rückgang einer zuvor in das Substrat eingebrachten Kompaktierung führen, also zu einer Dekompaktierung. Die Dekompaktierung ist ein Effekt, der bei der Nutzung des Substrats in einer Projektionsbelichtungsanlage, wie beispielsweise einer EUV-} _{Projektionsbelichtungsanlage, über die Zeit auftritt und so zu einer nicht vernachlässigbaren Veränderung der Oberfläche des optischen Elements führen kann. Das Tempern beschleunigt den Prozess der Dekompaktierung, wodurch die über die Lebensdauer des Substrats verbleibende Veränderung durch Dekompaktierung vorteilhaft auf einen vernachlässigbaren Wert reduziert werden kann.} ^{Mit dem Verfahren lassen sich somit optische Elemente beispielsweise während der Herstellung oder auch nachträglich gezielt optimieren. Es hat sich gezeigt, dass optische Elemente mit dem vorliegenden Verfahren, insbesondere gegenüber} Lebensdauereffekten, vorteilhaft stabilisiert werden können. Das Verfahren erlaubt _{einen zielgerichteten Wärmeeintrag, welcher lokale Relaxationsprozesse nach sich zieht. Indem die Beschichtung des optischen Elements mit Elektronen bestrahlt wird, kann die Beschichtung des optischen Elements und optional oberflächennahe} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{Bereiche des Substrats gezielt getempert werden. Dabei wird insbesondere ein unerwünschtes Aufheizen von temperatursensiblen, beispielsweise geklebten} _{Anbauteilen vermieden. Thermisch-induzierte Kompaktierungsphänomene des Substratmaterials eines optischen Elements während der Verwendung können durch die Stabilisierung nach dem vorliegenden Verfahren vermieden werden.} ^{Gegenüber einem Tempern basierend auf alternativen Energiequellen wie beispielsweise Laserstrahlung bietet das Tempern mittels Elektronenbestrahlung zudem unter anderem den Vorteil, dass die Elektronenabsorption weitgehend} _{unabhängig von den optischen Eigenschaften des optischen Elements ist. Das Verfahren ist also insbesondere für unterschiedliche metallische Beschichtungen ohne erhöhten Anpassungsaufwand einsetzbar.} ^{Darüber hinaus sind die zurückgestreuten Elektronen weitgehend ungerichtet. Insbesondere durch die Beschichtung des optischen Elements können die auf diese auftreffenden Elektronen zurückgestreut werden. Dass die zurückgestreuten} _{Elektronen weitgehend ungerichtet sind, hat den Vorteil, dass es keine Reflexzonen in der Vakuumkammer gibt, die gekühlt werden müssen. Im Gegensatz hierzu ist insbesondere Laserstrahlung gerichtet und kann einen gekühlten Absorber erforderlich machen.} ^{Gemäß einer ersten vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird die Elektronenergie ETemp zum Tempern abhängig von der Dicke der Beschichtung des optischen Elements gewählt. Beispielsweise beträgt die Dicke der Beschichtung bis zu 500 nm, bevorzugt bis zu 450 nm, besonders bevorzugt bis zu 400 nm. Insbesondere wird die Elektronenergie ETemp zum Tempern abhängig von der Dicke mindestens} _{einer Schicht der Beschichtung des optischen Elements gewählt. Die Beschichtung kann somit vorteilhaft lokal erhitzt werden. Es wurde erkannt, dass die Eindringtiefe der Elektronen durch die Elektronenenergie beeinflusst wird. Es gilt, je größer die Elektronenenergie, desto tiefer die Eindringtiefe der Elektronen. Das Bremsvermögen nimmt dabei in erster Näherung antiproportional zur Elektronenenergie ab. Die} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{meiste Energie wird am Ende der Trajektorie deponiert, wo die Elektronen auf null abgebremst worden sind. Auf diese Weise kann eine gezielte lokale Wärmeeinbringung gewährleistet werden. Die Heiztiefe kann über die Elektronenenergie eingestellt werden. Die Elektronenenergie ETemp kann beispielsweise derart gewählt werden, dass die Energie lokal in der Beschichtung, insbesondere mindestens einer Schicht, eingebracht wird. Die Elektronenergie ETemp kann an verschiedene Beschichtungen angepasst werden. Bevorzugt wird die Elektronenergie ETemp derart gewählt, dass die Elektronenergie ETemp zumindest im} _{Wesentlichen vollständig in der Beschichtung des optischen Elements absorbiert wird. Die Elektronenenergie ETemp wird beispielsweise derart gewählt, dass die Energie ausschließlich in der Beschichtung, insbesondere mindestens einer Schicht, absorbiert wird. Ein Eindringen von Elektronen in darunterliegende Schichten bzw. in das Substrat des optischen Elements soll vorzugsweise vermieden werden, um unerwünschte Effekte wie beispielsweise unerwünschte Kompaktierungen zu vermeiden. Zum Tempern wird daher bevorzugt eine niedrige Elektronenergie ETemp gewählt.} ^{Insbesondere wird die Beschleunigungsspannung UTemp zum Tempern abhängig von der Dicke der Beschichtung des optischen Elements, insbesondere mindestens einer Schicht, gewählt. Die Elektronenenergie ETemp ist insbesondere abhängig von der} _{Spannung zur Beschleunigung der Elektronen, der Beschleunigungsspannung UTemp. Mit Hilfe der Beschleunigungsspannung UTemp kann die Elektronenenergie ETemp und so insbesondere die Eindringtiefe der Elektronen in beeinflusst werden.} ^{Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens beträgt die Beschleunigungsspannung UTemp zum Tempern 1 bis 30 keV, bevorzugt 1 bis 10 keV, weiter bevorzugt 11 bis 15 keV, weiter bevorzugt 16 bis 20keV, weiter bevorzugt 21 bis 30keV. Bevorzugt beträgt die Beschleunigungsspannung UTemp weniger als 30 keV.} _{Mit entsprechend niedrigen Beschleunigungsspannungen kann gezielt Energie in der Beschichtung des optischen Elements deponiert werden. Insbesondere kann Energie lokal in mindestens eine Deckschicht des optischen Elements eingebracht werden. So} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{kann beispielsweise je nach Dicke der mindestens einen Schicht, welche stabilisiert werden soll, eine Beschleunigungsspannung UTemp im Bereich 1 bis 30 keV gewählt werden. Die Beschleunigungsspannung UTemp kann beispielsweise 5 keV betragen. Die Beschleunigungsspannung UTemp kann je nach Schichtsystem berechnet werden. Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens beträgt die Stromstärke ITemp zum Tempern 0,1 bis 5 mA. Mit einer Beschleunigungsspannung UTemp im Bereich 1 bis 20 keV und einer Stromstärke ITemp im Bereich 0,1 bis 5 mA} _{können Leistungen im Bereich von 0,1 bis 100 W erzeugt werden. Bevorzugt beträgt die Stromstärke ITemp zum Tempern 0,5 bis 5 mA, besonders bevorzugt mehr als 0,5 mA. Während die Eindringtiefe der Elektronen insbesondere über die Beschleunigungsspannung UTemp eingestellt wird, kann die Leistung zusätzlich über die Stromstärke ITemp angepasst werden. Hierdurch kann wiederum Einfluss auf die Temperatur genommen werden. Eine höhere Stromstärke ITemp kann beispielsweise gewählt werden, um eine höhere Leistung und damit höhere Temperaturen zu erreichen. So kann beispielsweise die Dauer der Bestrahlung verkürzt werden.} Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens beträgt die ^{Temperatur beim Tempern ≥ 60 °C. Die Temperatur von ≥ 60 °C kann durch das Bestrahlen der Beschichtung mit Elektronen lokal in der Beschichtung und optional oberflächennahen Bereichen des Substrats erreicht werden. Beispielsweise beträgt die Temperatur 60 °C. Es sind jedoch auch deutlich höhere Temperaturen denkbar. Die Temperatur ist damit im Vergleich z. B. zur Lagerung über eine längere Zeit bei} _{Raumtemperatur überproportional hoch, wodurch eine Stabilisierung gewährleistet werden kann. Während des Temperns können an Grenzflächen Temperaturgefälle entstehen, wodurch die Beschichtung überproportional geheizt und Lebensdauereffekte der Beschichtung sowie oberflächennaher Bereiche zumindest nahezu komplett stabilisiert werden können.} ^{Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens umfasst das} _{Verfahren weiter: zumindest teilweises Kompaktieren des Substrats des optischen} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{Elements, wobei das Kompaktieren ein Bestrahlen des optischen Elements mit Elektronen umfasst. Das Verfahren kann somit ein Kompaktieren eines Substrats eines optischen Elements mittels Elektronenbestrahlung sowie ein Tempern des optischen Elements mittels Elektronenbestrahlung umfassen. Durch die unabhängigen Elektronenbestrahlungen kann die Flexibilität der Bearbeitung erhöht werden. Das Substrat kann durch die Bestrahlung mit Elektronen lokal kompaktiert werden. Dabei} kann das Substratmaterial durch die Bestrahlung lokal langfristig verdichtet werden. _{Hierdurch kann eine Veränderung, insbesondere eine Korrektur, der Oberflächenform des optischen Elements in der Nähe der bestrahlten Bereiche erzielt werden. So können durch Vorprozesse, insbesondere Beschichtungen, hinterlassene Oberflächenfehler ausgeglichen werden. Mit Hilfe der Bestrahlung der Beschichtung des optischen Elements kann die Kompaktierung, insbesondere eine Kompaktierung in oberflächennahen Bereichen des Substrats, vorzugsweise stabilisiert werden.} ^{Bevorzugt ist die für das Kompaktieren verwendete Elektronenenergie EKomp größer ist als die für das Tempern verwendete Elektronenergie ETemp. Damit kann eine tiefere Eindringtiefe erreicht werden. Insbesondere kann so die Elektronenenergie EKomp in} _{das Substrat unterhalb der Beschichtung des optischen Elements deponiert werden, um lokal eine Kompaktierung zu erreichen. Die Wirkzonen für die Korrektur und die Temperung sind somit unterschiedlich.} ^{Die Beschleunigungsspannung UKomp zum Kompaktieren beträgt bevorzugt mehr als 30 keV, insbesondere bevorzugt 31 bis 40 keV, weiter insbesondere bevorzugt 41 bis 50 keV, weiter insbesondere bevorzugt 51 bis 60 keV, weiter insbesondere bevorzugt 61 bis 70 keV, weiter insbesondere bevorzugt 71 bis 80 keV, weiter insbesondere bevorzugt 81 bis 90 keV, weiter insbesondere bevorzugt 91 bis 100 keV. Das} _{Kompaktieren erfolgt bevorzugt in einem Bereich zwischen 1 µm und 100 µm, insbesondere bevorzugt zwischen 1 µm und 10 µm, weiter insbesondere bevorzugt zwischen 11 µm und 20 µm, weiter insbesondere bevorzugt zwischen 21 µm und 30 µm, weiter insbesondere bevorzugt zwischen 31 µm und 40 µm, weiter insbesondere bevorzugt zwischen 41 µm und 50 µm, weiter insbesondere bevorzugt zwischen 51} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{µm und 60 µm, weiter insbesondere bevorzugt zwischen 61 µm und 70 µm, weiter insbesondere bevorzugt zwischen 71 µm und 80 µm, weiter insbesondere bevorzugt zwischen 81 µm und 90 µm, weiter insbesondere bevorzugt zwischen 91 µm und 100 µm unterhalb der Beschichtung des optischen Elements. Das Kompaktieren des Substrats des optischen Elements erfolgt bevorzugt vor dem Tempern des optischen Elements oder im Wesentlichen simultan hierzu. Insbesondere erfolgt das Bestrahlen des Substrats des optischen Elements vor dem Bestrahlen der Beschichtung des optischen Elements oder im Wesentlichen simultan hierzu. So lassen sich vorteilhaft sowohl die Beschichtung als auch die eingebrachte Kompaktierung stabilisieren. Zudem lässt sich das Tempern in-situ durchführen. Das} _{Kompaktieren und Tempern können parallel oder nacheinander in-situ durchgeführt werden. Dabei können die Beschleunigungsspannungen UKomp und UTemp der jeweiligen Prozesse aufeinander abgestimmt werden. Während das Tempern an der Oberfläche in der Beschichtung des optischen Elements stattfindet, wird die Kompaktierung bei in einer darunter liegenden Schicht in dem Substrat erzeugt. Die beiden Prozesse werden so aufeinander abgestimmt, dass das Heizen effizient ist und das Kompaktieren nicht negativ von dem Tempern beeinflusst wird. Dazu wird die Beschleunigungsspannung UKomp zum Kompaktieren vorzugsweise etwas größer als die Beschleunigungsspannung UTemp zum Tempern gewählt. So wird die eingebrachte Kompaktierung möglichst effizient geheizt. Der exakte Wert der Beschleunigungsspannungen kann abhängig von der Dicke der Beschichtung gewählt werden.} ^{Wird das Kompaktieren des Substrats vor dem Tempern des optischen Elements durchgeführt, können die Kompaktierung und die Stabilisierung des optischen Elements vorteilhaft mit der gleichen Elektronenkanone durchgeführt werden. Die} _{Elektronenkanone kann beispielsweise zunächst mit einer Beschleunigungsspannung UKomp zum Kompaktieren und anschließend mit einer Beschleunigungsspannung UTemp zum Tempern betrieben werden.} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{Das Kompaktieren des Substrats und das Tempern des optischen Elements können auch im Wesentlichen simultan erfolgen. Im Wesentlichen simultan meint insbesondere ein zumindest im Wesentlichen gleichzeitiges Kompaktieren des Substrats und Tempern des optischen Elements. Unter einem im Wesentlichen simultanen Kompaktieren des Substrats und Temperns des optischen Elements wird insbesondere verstanden, dass das Kompaktieren des Substrats und das Tempern des optischen Elements parallel erfolgen können. Hierzu können beispielsweise unterschiedliche Elektronenkanonen verwendet werden. Die Elektronenkanonen} _{können mit unterschiedlichen Beschleunigungsspannungen UKomp zum Kompaktieren und UTemp zum Tempern betrieben werden. Die Elektronenkanonen können in einer Anlage zur Elektronenbestrahlung vorgesehen sein. So kann auf eine für einen nachgelagerten Temperprozess zusätzliche Maschine, beispielsweise einen Temperofen, verzichtet werden. Das Verfahren ermöglicht so eine signifikante Einsparung von Produktionszeit und Fläche. Zudem lassen sich die Schichten durch die Elektronenstrahlung gezielt auf viel höhere Temperaturen heizen als mit einem} ^{Ofen. Es können Temperaturen von ≥ 60 °C, insbesondere mehr als 60 °C, erreicht} _werden. ^{Denkbar ist auch, dass an dem optischen Element, insbesondere der Beschichtung des optischen Elements, ein Gegenfeld, insbesondere ein dynamisches Gegenfeld, angelegt wird. So kann das optische Element sowohl zum Kompaktieren als auch zum Tempern mit der gleichen, höheren Elektronenenergie EKomp bestrahlt werden, wobei durch das} _{Gegenfeld die Elektronen für das Bestrahlen der Beschichtung gezielt abgebremst werden können. Dadurch kann ebenfalls ein Tempern der Beschichtung erzielt werden, wobei keine Änderung der Spannungsquelle der Elektronenstrahlung erforderlich ist.} ^{Gemäß einer zweiten Lehre wird die oben genannte Aufgabe für ein optisches Element, insbesondere ein reflektives optisches Element, dadurch gelöst, dass das} _{optische Element mit einem Verfahren gemäß dem ersten Aspekt stabilisiert wurde. Lebensdauereffekte des optischen Elements, insbesondere der Beschichtung des} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{optischen Elements, sind durch ein Tempern stabilisiert worden. Das optische Element ist insbesondere für die Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage geeignet. Beispielsweise handelt es sich bei dem optischen Element um einen beschichteten Spiegel. Die Beschichtung des Substrats des Spiegels kann mindestens ein auf die Reflexion von EUV-Strahlung, also Strahlung mit einer Wellenlänge von} _{13nm oder 7nm, optimiertes Schichtteilsystem umfassen. Diese Reflexionsschicht kann eine periodische Abfolge von mindestens einer Periode an Einzelschichten umfassen, wobei die Periode zwei Einzelschichten mit unterschiedlichem Brechungsindex im EUV-Wellenlängenbereich umfassen kann. Es sind aber auch aperiodische Schichten oder Beschichtungen, die lediglich eine Schicht umfassen, möglich.} ^{Gemäß einer dritten Lehre wird die oben genannte Aufgabe für ein Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie dadurch gelöst, dass das Projektionsobjektiv ein optisches Element gemäß dem zweiten Aspekt umfasst. Projektionsobjektive für die Mikrolithographie sind hohen Belastungen durch die Nutzstrahlung, deren Wellenlänge bevorzugt 13,5 nm beträgt, und Strahlung anderer} _{Wellenlängen ausgesetzt, wodurch diese während des Betriebes erwärmt werden. Durch die Verwendung eines optischen Elements gemäß dem zweiten Aspekt, welches also mit einem Verfahren gemäß dem ersten Aspekt stabilisiert wurde, kann eine Veränderung der Oberfläche über die Zeit, z. B. durch Dekompaktierung des Materials, vorteilhaft minimiert werden.} ^{Gemäß einer vierten Lehre wird die oben genannte Aufgabe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie dadurch gelöst, dass die Projektionsbelichtungsanlage ein Projektionsobjektiv gemäß dem dritten Aspekt umfasst. Eine Projektionsbelichtungsanlage kann zur Erzeugung eines Bilds eines in} _{einer Objektebene angeordneten Objekts in einer Bildebene mit einer Projektionslicht emittierenden Lichtquelle vorgesehen sein. Bei der Projektionsbelichtungsanlage gemäß dem vierten Aspekt handelt es sich um eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie. Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{dienen zur Herstellung von mikrostrukturierten oder nanostrukturierten Bauteilen der Mikroelektronik oder Mikrosystemtechnik. Mit Hilfe von Projektionsbelichtungsanlagen werden Strukturen, die auf einer Fotomaske ausgebildet sind, in verkleinernder Weise auf Wafer oder dergleichen abgebildet, um über mikrolithographische Prozesse die entsprechenden Strukturen auf dem Wafer zu} _{erzeugen. Insbesondere kann es sich bei einer Projektionsbelichtungsanlage um eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage oder eine DUV-Projektionsbelichtungsanlage handeln. Aufgrund der zunehmenden Miniaturisierung und Verkleinerung der Strukturbreiten werden Projektionsbelichtungsanlagen mit Arbeitslicht mit immer kleineren Wellenlängen betrieben, beispielsweise mit Wellenlängen im Bereich des extrem ultravioletten Lichts (EUV-Licht).} ^{Projektionsbelichtungsanlagen werden rund um die Uhr betrieben und jede Störung wirkt sich auf die Arbeitsleistung der Projektionsbelichtungsanlage aus. Durch die} _{Verwendung von langzeitstabilen Projektionsoptiken können die Wartungszeiten der Projektionsbelichtungsanlage vorteilhaft reduziert werden.} ^{Gemäß einer fünften Lehre wird die oben genannte Aufgabe für eine Vorrichtung zur Elektronenbestrahlung umfassend eine Vakuumanlage mit einer Vakuumkammer, wobei die Vakuumanlage eine Elektronenstrahlquelle, insbesondere eine Elektronenkanone, zur Erzeugung eines Elektronenstrahls enthält, dadurch gelöst, dass die Vorrichtung eingerichtet ist, an dem optischen Element, insbesondere der} _{Beschichtung des optischen Elements, ein Gegenfeld, insbesondere ein dynamisches Gegenfeld, zu erzeugen. Hierdurch kann insbesondere das optische Element sowohl zum Kompaktieren als auch zum Tempern mit der gleichen Elektronenenergie bestrahlt werden, wobei durch das Gegenfeld die Elektronen für das Bestrahlen der Beschichtung gezielt abgebremst werden.} ^{Die vorliegende Offenbarung umfasst auch den Gegenstand der folgenden Klauseln: SH/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{1. Verfahren zur Stabilisierung eines optischen Elements, das Verfahren umfassend:} - _{Bereitstellen eines optischen Elements mit einem Substrat und einer Beschichtung, und - Tempern des optischen Elements,} d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s das Tempern des optischen Elements ein Bestrahlen der Beschichtung des} o_{ptischen Elements mit Elektronen umfasst.} 2. Verfahren nach Klausel 1, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Elektronenergie ETemp, insbesondere die Beschleunigungsspannung UTemp,} z_{um Tempern abhängig von der Dicke der Beschichtung, insbesondere mindestens einer Schicht der Beschichtung, des optischen Elements gewählt wird.} 3. Verfahren nach Klausel 1 oder 2, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Beschleunigungsspannung UTemp zum Tempern 1 bis 30 keV, bevorzugt 1} b_{is 10 keV, weiter bevorzugt 11 bis 15 keV, weiter bevorzugt 16 bis 20keV, weiter bevorzugt 21 bis 30keV beträgt.} 4. Verfahren nach einer der Klauseln 1 bis 3, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Stromstärke ITemp zum Tempern 0,1 bis 25 mA, insbesondere 0,1 bis 5 mA,} w_{eiter insbesondere 5,1 bis 10 mA, weiter insbesondere 10,1 bis 15 mA, weiter insbesondere 15,1 bis 20 mA, weiter insbesondere 20,1 bis 25 mA beträgt.} 5. Verfahren nach einer der Klauseln 1 bis 4, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s} d_{ie Temperatur beim Tempern > 60 °C beträgt.} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} Verfahren nach einer der Klauseln 1 bis 5, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s das Verfahren weiter umfasst: - zumindest teilweises Kompaktieren des Substrats des optischen Elements,} w_{obei das Kompaktieren ein Bestrahlen des optischen Elements mit Elektronen umfasst} Verfahren nach Klausel 6, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die für das Kompaktieren verwendete Elektronenenergie EKomp größer ist als} d_{ie für das Tempern verwendete Elektronenergie ETemp.} Verfahren nach Klausel 6 oder 7, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Beschleunigungsspannung UKomp zum Kompaktieren mehr als 30 keV, insbesondere bevorzugt 31 bis 40 keV, weiter insbesondere bevorzugt 41 bis} 5_{0 keV, weiter insbesondere bevorzugt 51 bis 60 keV, weiter insbesondere bevorzugt 61 bis 70 keV, weiter insbesondere bevorzugt 71 bis 80 keV, weiter insbesondere bevorzugt 81 bis 90 keV, weiter insbesondere bevorzugt 91 bis 100 keV beträgt.} Verfahren nach einer der Klauseln 6 bis 8, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s das Kompaktieren des Substrats des optischen Elements vor dem Tempern der} B_{eschichtung des optischen Elements oder im Wesentlichen simultan hierzu erfolgt.} O^{ptisches Element, insbesondere reflektives optisches Element, stabilisiert} n_{ach einem Verfahren gemäß einer der Klauseln 1 bis 9.} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{11. Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie umfassend ein optisches Element} n_{ach Klausel 10.} ^{12. Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie umfassend ein} P_{rojektionsobjektiv nach Klausel 11.} ^{Weitere Ausgestaltungen und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden} detaillierten Beschreibung einiger beispielhafter Ausführungsformen der _{vorliegenden Erfindung in Verbindung mit der Zeichnung erläutert.} ^{Kurzbeschreibung der Zeichnung Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Die Aspekte der Offenbarung können am besten aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Figuren verstanden werden. Die Figuren sind schematisch und vereinfacht, sie zeigen nur Details, um das Verständnis der Ansprüche zu verbessern, während andere Details} _{weggelassen werden. Für identische oder korrespondierende Teile werden durchgängig die gleichen Bezugsziffern verwendet. Die einzelnen Merkmale jedes Aspekts können jeweils mit beliebigen oder allen Merkmalen der anderen Aspekte kombiniert werden. Diese und andere Aspekte, Merkmale und/oder technische Wirkungen sind aus den nachstehend beschriebenen Abbildungen ersichtlich und werden durch diese verdeutlicht:} ^{Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer} P_{rojektionsbelichtungsanlage gemäß dem vierten Aspekt,} ^{Fig. 2 ein Diagramm der Variation der maximalen Eindringtiefe von} E_{lektronen in eine MoSi-Beschichtung eines optischen Elements abhängig von der Elektronenenergie,} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{Fig. 3a-c Simulationen der Trajektorien von Elektronen, die durch eine} A_{usführungsform eines Verfahrens gemäß dem ersten Aspekt in ein optisches Element eingebracht wurden,} ^{Fig. 4a-b schematische Darstellungen von Ausführungsformen eines Verfahrens} g_{emäß dem ersten Aspekt zur Stabilisierung eines optischen Elements,} ^{Fig. 5a-b zeigt ein Bestrahlungsfeld für die Durchführung einer Ausführungsform eines Verfahrens gemäß dem ersten Aspekt zur Stabilisierung eines} o_{ptischen Elements sowie eine Temperaturentwicklung für diskrete Punkte des Bestrahlungsfelds, und} ^{Fig. 6 eine schematische Darstellung einer Anlage zur Elektronenbestrahlung} f_{ür die Durchführung einer Ausführungsform eines Verfahrens gemäß dem ersten Aspekt zur Stabilisierung eines optischen Elements.} ^{Detaillierte Beschreibung der Zeichnung Fig. 1 zeigt exemplarisch den prinzipiellen Aufbau einer Projektionsbelichtungsanlage 10 für die Mikrolithographie, in welcher die Erfindung Anwendung finden kann. Ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 10 weist neben einer Lichtquelle 12 eine Beleuchtungsoptik 13 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 14 in einer Objektebene 15 auf. Eine durch die Lichtquelle 12 erzeugte EUV-Strahlung 23 als optische Nutzstrahlung wird mittels eines in der Lichtquelle 12 integrierten} _{Kollektors derart ausgerichtet, dass sie im Bereich einer Zwischenfokusebene 24 einen Zwischenfokus durchläuft, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 11 trifft. Nach dem Feldfacettenspiegel 11 wird die EUV-Strahlung 23 von einem Pupillenfacettenspiegel 25 reflektiert. Unter Zuhilfenahme des Pupillenfacettenspiegels 25 und einer optischen Baugruppe 26 mit Spiegeln 26a, 26b und 26c werden Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 11 in das Objektfeld 14 abgebildet.} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{Beleuchtet wird ein im Objektfeld 14 angeordnetes Retikel 16, das von einem schematisch dargestellten Retikelhalter 17 gehalten wird. Eine lediglich schematisch dargestellte Projektionsoptik 18 dient zur Abbildung des Objektfeldes 14 in ein Bildfeld 19 in eine Bildebene 20. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 16 auf} _{eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 19 in der Bildebene 20 angeordneten Wafers 21, der von einem ebenfalls ausschnittsweise dargestellten Waferhalter 22 gehalten wird. Die Lichtquelle 12 kann Nutzstrahlung insbesondere in einem Wellenlängenbereich zwischen 5 nm und 30 nm emittieren.} ^{Die Erfindung kann ebenso in einer DUV-Projektionsanlage verwendet werden, die nicht dargestellt ist. Eine DUV-Anlage ist prinzipiell wie die oben beschriebene EUV- Projektionsanlage 10 aufgebaut, wobei in einer DUV-Anlage Spiegel und Linsen als optische Elemente verwendet werden können und die Lichtquelle einer DUV-Anlage eine Nutzstrahlung in einem Wellenlängenbereich von 100 nm bis 300 nm emittiert. Fig. 2 zeigt die Variation der maximalen Eindringtiefe von Elektronen in einem Schichtsystem einer MoSi-Beschichtung eines optischen Elements für verschiedene Elektronenenergien. Es wurde erkannt, dass bei einer Bestrahlung eines optischen Elements mit Elektronen die Eindringtiefe der Elektronen durch die} _{Elektronenenergie beeinflusst wird. So kann beispielsweise die Heiztiefe über die Elektronenenergie eingestellt werden. Dabei gilt, je größer die Elektronenenergie, desto tiefer die Eindringtiefe der Elektronen. Dadurch lässt sich gezielt die Beschichtung des optischen Elements bestrahlen, indem die Elektronenenergie z. B. an die Dicke der Beschichtung angepasst wird. Auf diese Weise kann sichergestellt werden, dass die Elektronenenergie ETemp zum Tempern zumindest im Wesentlichen vollständig in der Beschichtung des optischen Elements deponiert und die Beschichtung somit lokal getempert wird. Für ein Kompaktieren des Substrats des optischen Elements kann dagegen eine höhere Elektronenenergie EKomp gewählt werden, um das Substrat gezielt lokal zu kompaktieren.} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{In den Fig. 3a bis 3c sind Trajektorien simulierter Elektronenstrahlen gezeigt. Die hellen Linien repräsentieren dabei die simulierten Trajektorien der eindringenden Elektronen. Die durch dunkle Linien dargestellten Trajektorien repräsentieren Elektronen, die das Material im Streuprozess wieder verlassen. Auf der rechten Seite der Abbildungen sind die jeweiligen Materialtiefen angegeben. Fig. 3a zeigt eine Simulation der Trajektorien bei einer Elektronenenergie von 5 keV. Bei einer Elektronenenergie von 5 keV gelangen die Elektronen nicht in das Substrat des optischen Elements, welches unterhalb der untersten gestrichelten Linie beginnt. Fig. 3b und 3c zeigen analog die Trajektorien für Elektronenenergien von 15 keV bzw. 55 keV. In Fig. 3b dringen die Elektronen auch in oberflächennahe Bereiche des unterhalb der Beschichtung angeordneten Substrats des optischen Elements ein. Die} _{Elektronen erreichen hierbei Eindringtiefen von etwa bis zu etwa 5500 nm unterhalb der Oberfläche des optischen Elements. Bei einer Elektronenenergie von 55 keV dringen die Elektronen deutlich tiefer in das Substrat ein, wie es in Fig. 3c gezeigt ist. Fig. 4a und 4b zeigen ein Kompaktieren eines Substrats eines optischen Elements mittels Elektronenbestrahlung sowie ein anschließendes Tempern des optischen Elements mittels Elektronenbestrahlung. In Fig. 4a ist eine Bestrahlung eines optischen Elements 1 mit einer Elektronenenergie EKomp1 (links) zum Kompaktieren des Substrats 2 des optischen Elements 1 dargestellt. Im Anschluss an das Kompaktieren wird die Beschichtung 3 des optischen Elements 1 bestrahlt, um diese zu tempern, wie in Fig. 4b (links) gezeigt. Durch das Tempern lassen sich sowohl die Beschichtung 3 als auch die eingebrachte Kompaktierung stabilisieren.} ^{Reicht die in der Tiefe durch das Tempern eingebrachte Wärme nicht aus, ist es durch Anpassung der Bearbeitungsparameter beim Kompaktieren, insbesondere der Elektronenenergie EKomp2 und damit der Tiefe der Kompaktierungszone, möglich, die} _{effektive Temperung von Beschichtung 3 und Kompaktierung des optischen Elements 1 zu ermöglichen. Die Eindringtiefe der Elektronen ist abhängig von der Elektronenenergie. Die Elektronenenergie EKomp2 kann niedriger als die Elektronenenergie EKomp1 gewählt werden, wodurch die Elektronen weniger tief in das} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{Substrat 2 eindringen, um dort das Substratmaterial zu kompaktieren, wie in Fig. 4a (rechts) gezeigt. Die Elektronenenergie ETemp1 beim Tempern in Fig. 4b (rechts) wird nicht verändert, da sie auf das Schichtsystem 3 des optischen Elements 1 angepasst ist. In Fig. 5a ist die Einteilung eines Bestrahlungsfelds zur Bestrahlung der Beschichtung} _{eines optischen Elements in diskrete Punkte i,j gezeigt. Mit Hilfe eines Elektronenstrahls kann die Oberfläche der Beschichtung des optischen Elements gerastert werden. Die Rasterung erfolgt vorzugsweise mehrfach, beispielsweise zwei bis 10.000 Mal. Der Elektronenstrahl kann auf mindestens einen diskreten Punkt i,j auf der Oberfläche gerichtet werden und auf diesem Punkt für eine bestimmte Zeit} ^{verweilen. Beispielsweise beträgt die Verweildauer Δt des Elektronenstrahls 10 ns bis 10 ms. In diesem Zeitintervall kann sich punktuell eine lokale Temperaturspitze an dem diskreten Punkt ergeben, wie aus Fig. 5b hervorgeht. Die Temperatur kann durch} _{den Wärmeeintrag schlagartig hochschnellen. Fig. 5b skizziert die Temperaturentwicklung in jedem Punkt i,j; i,j+1; etc. Verweilt der Elektronenstrahl an einem Punkt schnellt die Temperatur T durch Wärmeeintrag schlagartig hoch und sinkt wieder ab, sobald der Strahl am nächsten Punkt ist. Neben den} ^{Temperaturspitzen ergibt sich mit der Zeit auch ein Nettoanstieg von Temperatur ΔT} _{im Gesamtspiegel. Aufgrund der starken Temperaturabhängigkeit der Relaxationen lassen sich die Temperaturspitzen für eine Stabilisierung nutzen.} ^{Fig. 6 zeigt eine Anlage zur Elektronenbestrahlung mit zwei Elektronenkanonen A, B. Die Elektronenkanone A dient zur Kompaktierung des Substrats 2, während mit Hilfe der Elektronenkanone B die Beschichtung 3 des optischen Elements 1 bestrahlt wird. Das Kompaktieren des Substrats 2 und das Tempern des optischen Elements 1} _{erfolgen im Wesentlichen simultan. Die Elektronenkanonen A, B werden hierzu mit unterschiedlichen Beschleunigungsspannungen UKomp zum Kompaktieren des Substrats 2 und UTemp zum Tempern des optischen Elements 1 betrieben. Die Elektronenkanone A wird mit einer Beschleunigungsspannung UKomp von 60 keV betrieben, während die Elektronenkanone B mit einer Beschleunigungsspannung} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} ^{UTemp von 10 keV betrieben wird. Die Stromstärke IKomp zum Kompaktieren beträgt 0,1 mA, wodurch eine Leistung PKomp von 6 W erreicht wird. Die Stromstärke ITemp} _{zum Tempern beträgt 2 mA, wodurch eine Leistung PKomp von 20 W erreicht wird. Auf diese Weise können in der Beschichtung 3 des optischen Elements 1 Temperaturen} ^{von ≥ 60 °C und damit eine Stabilisierung der Beschichtung 3 sowie oberflächennaher} _{Bereiche des Substrats 2 erreicht werden.} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024}

Claims

_{13. Juni 2024} P a t e n t a n s p r ü c h e ^{1. Verfahren zur Stabilisierung eines optischen Elements (1), das Verfahren umfassend:} - _{Bereitstellen eines optischen Elements (1) mit einem Substrat (2) und einer Beschichtung (3), und - Tempern des optischen Elements (1),} d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s das Tempern des optischen Elements (1) ein Bestrahlen der Beschichtung (3) des optischen Elements (1) mit Elektronen umfasst, wobei das Verfahren weiter umfasst: - zumindest teilweises Kompaktieren des Substrats (2) des optischen} E_{lements (1), wobei das Kompaktieren ein Bestrahlen des optischen Elements (1) mit Elektronen umfasst, wobei das Kompaktieren des Substrats (2) des optischen Elements (1) vor dem Tempern der Beschichtung (3) des optischen Elements (1) oder im Wesentlichen simultan hierzu erfolgt.} 2. Verfahren nach Anspruch 1, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Elektronenergie ETemp, insbesondere die Beschleunigungsspannung UTemp,} z_{um Tempern abhängig von der Dicke der Beschichtung (3), insbesondere mindestens einer Schicht der Beschichtung (3), des optischen Elements (1) gewählt wird.} 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s - 2 - d^{ie Beschleunigungsspannung UTemp zum Tempern 1 bis 30 keV, bevorzugt 1 bis} 1_{0 keV, weiter bevorzugt 11 bis 15 keV, weiter bevorzugt 16 bis 20keV, weiter bevorzugt 21 bis 30keV beträgt.} 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Stromstärke ITemp zum Tempern 0,1 bis 25 mA, insbesondere 0,1 bis 5 mA, weiter insbesondere 5,1 bis 10 mA, weiter insbesondere 10,1 bis 15 mA, weiter} i_{nsbesondere 15,1 bis 20 mA, weiter insbesondere 20,1 bis 25 mA beträgt. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,} d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s} d_{ie Temperatur beim Tempern > 60 °C beträgt.} 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die für das Kompaktieren verwendete Elektronenenergie EKomp größer ist als die} f_{ür das Tempern verwendete Elektronenergie ETemp.} 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Beschleunigungsspannung UKomp zum Kompaktieren mehr als 30 keV, insbesondere bevorzugt 31 bis 40 keV, weiter insbesondere bevorzugt 41 bis} 5_{0 keV, weiter insbesondere bevorzugt 51 bis 60 keV, weiter insbesondere bevorzugt 61 bis 70 keV, weiter insbesondere bevorzugt 71 bis 80 keV, weiter insbesondere bevorzugt 81 bis 90 keV, weiter insbesondere bevorzugt 91 bis 100 keV beträgt.} 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024} - 3 - a^{n dem optischen Element (1), insbesondere der Beschichtung (3) des optischen} E_{lements (1), ein Gegenfeld, insbesondere ein dynamisches Gegenfeld, angelegt wird.} 9. Verfahren nach Anspruch 8, d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s das optische Element (1) sowohl zum Kompaktieren als auch zum Tempern mit der gleichen Elektronenenergie bestrahlt wird, wobei durch das Gegenfeld die Elektronen für das Bestrahlen der Beschichtung (3) gezielt abgebremst werden.} _{10. Optisches Element (1), insbesondere reflektives optisches Element, stabilisiert nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9.} ^{11. Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie umfassend ein optisches Element} n_{ach Anspruch 10.} ^{12. Projektionsbelichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie umfassend ein} P_{rojektionsobjektiv nach Anspruch 11.} ^{13. Vorrichtung zur Elektronenbestrahlung, insbesondere zur Durchführung eines Verfahrens nach Anspruch 8 oder 9, die Vorrichtung umfassend: eine} V_{akuumanlage mit einer Vakuumkammer, wobei die Vakuumanlage mindestens eine Elektronenstrahlquelle, insbesondere eine Elektronenkanone, zur Erzeugung eines Elektronenstrahls enthält,} d ^{a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Vorrichtung eingerichtet ist, an dem optischen Element (1), insbesondere der} B_{eschichtung (3) des optischen Elements (1), ein Gegenfeld, insbesondere ein dynamisches Gegenfeld, zu erzeugen.} S^{H/hl 220968WO} 1_{3. Juni 2024}