EP4266082A1 - Control circuit for a piezoelectric ultrasonic transducer and ultrasonic transducer system - Google Patents

Control circuit for a piezoelectric ultrasonic transducer and ultrasonic transducer system Download PDF

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EP4266082A1
EP4266082A1 EP22168796.5A EP22168796A EP4266082A1 EP 4266082 A1 EP4266082 A1 EP 4266082A1 EP 22168796 A EP22168796 A EP 22168796A EP 4266082 A1 EP4266082 A1 EP 4266082A1
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EP
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voltage
primary
control circuit
ultrasonic transducer
switched connection
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Mark RODE
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Pepperl and Fuchs SE
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Publication date
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    • B06B2201/55Piezoelectric transducer

Definitions

  • the invention relates to control circuits for piezoelectric ultrasonic transducers with improved protection against overvoltages due to switching processes on transformer inductances.
  • Ultrasonic transducers are used for object detection and usually have a piezo actuator that requires a high electrical alternating voltage of around 100 to 200 V for excitation.
  • the voltage level of such a control voltage is usually provided by voltage transformation using a transformer in the final stage.
  • a periodic pulsed operating voltage is applied to the transformer on the primary side, which is accordingly transformed up to the desired control voltage.
  • the excitation takes place in pulse form for reasons of simpler circuit design.
  • an operating voltage provided is switched on or off on the primary side.
  • the pulse-shaped control of the transformer results in a relatively high switch-off voltage due to the electrical energy stored in the inductance of the primary-side transformer winding. This effect is also known as the flyback effect.
  • the high switch-off voltage on the primary side of the transformer resulting from the flyback effect must be limited to prevent damage to components Avoid control circuit.
  • the energy of the primary-side inductance is derived via diodes and dissipated as power loss in the form of heat.
  • Ultrasonic transducer systems usually control the ultrasonic transducer alternately in a transmission mode for emitting an ultrasonic transmission signal and a reception mode for receiving an ultrasonic reception signal that corresponds to an ultrasonic transmission signal reflected on one or more surrounding objects.
  • the resulting ultrasonic signal transit times, along with other features, are evaluated in order to obtain information about environmental objects located in the detection range of the ultrasonic transducer system.
  • When switching from transmitting mode to receiving mode it is necessary to completely dissipate the energy stored on the primary side as quickly as possible in order to provide the sensitivity at the beginning of the receiving mode as quickly as possible after the end of the transmitting mode.
  • Establishing the detection capability after the end of the transmission phase largely determines the distance up to which surrounding objects can be detected by the ultrasonic transducer system.
  • the limiting voltage is selected from a range between 100 and 150% of the amount of twice the operating voltage, in particular between 105 and 130% of the amount of twice the operating voltage.
  • the limiting voltage can be determined by selecting a threshold voltage or breakdown voltage of the Zener diode.
  • the protective circuit can be electrically non-capacitively coupled to the at least one switched connection.
  • a transformer is provided for transmission operation in order to be able to control the ultrasonic transducer, which is designed in particular as a piezo actuator, with correspondingly high control voltages.
  • the control takes place with an alternating voltage, which is usually provided by a pulsed operating voltage provided on the primary side of the transformer.
  • the pulsed operating voltage is created by applying or switching off an operating voltage, in particular using suitable semiconductor switches, such as. B. field effect transistors or the like.
  • a suitable protective circuit is usually provided which limits the voltage increase after the primary winding is switched off.
  • the protective circuit is therefore coupled to the switched connection of the at least one primary-side winding and has a Zener diode.
  • the starting voltage (breakdown voltage) of the Zener diode is intended to be at least twice the operating voltage with which the primary-side winding is switched.
  • the threshold voltage of the Zener diode By setting the threshold voltage of the Zener diode to a value above twice the operating voltage, an increase in the switch-off voltage across the primary-side winding beyond a voltage threshold defined by the threshold voltage is efficiently prevented. In this way, it is possible, firstly, to limit the voltage across the primary winding to protect the other components and, secondly, to select this voltage in such a way that it ensures optimal energy dissipation in interaction with the surrounding components.
  • any ultrasonic received signal received by the ultrasonic transducer can thus be detected in an improved manner, since the ultrasonic received signal is not superimposed by any decay signal after the end of the transmission operation or is only superimposed for a shorter period of time.
  • the operating voltage is buffered by a buffer capacity, with the protective circuit being coupled to the buffer capacity via a leakage resistor.
  • a charge reservoir can be created for one at the beginning of the The high inrush current required for the primary winding to be switched on can be provided. This return of the energy dissipated when switching off into the supply circuit makes it possible to reduce the power requirement of the control circuit.
  • the protective circuit can be coupled to the at least one switched connection via a diode, in particular directly via a diode, which, when a voltage difference occurs between the at least one switched connection and the Zener diode, limits a charge flow from or to the at least one switched connection a voltage change at the at least one switched connection.
  • the protective circuit can thus be decoupled by a serial connection with a diode, so that the capacitance input of the protective circuit on the switched transformer connection or on the primary winding of the transformer is reduced.
  • the series-connected diode allows the Zener diode to be biased so that its switching inertia is minimized.
  • a storage capacity is electrically connected in parallel to the Zener diode, which supplements the capacity of the Zener diode. This enables improved temporary storage of the electrical energy dissipated after the primary winding has been switched off, which is needed for the next switching cycle, i.e. H. can be used the next time the primary winding is switched on. Because the starting voltage of the Zener diode is specifically chosen to be higher than twice the operating voltage, when the switch-off voltage increases, the resulting current flow can flow through the primary winding into the storage capacity. This continues until the breakdown voltage of the Zener diode is reached. The current flow then continues into these until their breakdown voltage falls below again. At the same time, the extended flow also results in an increase in the secondary side voltage.
  • the storage capacity is particularly useful in conjunction with the diode provided in series with the protective circuit, which decouples the protective circuit from the transformer winding.
  • the diodes are therefore used to To decouple the capacity formed by the Zener diode and the storage capacity from the transformer circuit and to apply a bias voltage that increases the switching speed.
  • the capacity to absorb the outflowing charge is increased, so that the capacitance of the Zener diode no longer has a significant influence on the switching speed, but at the same time enables the energy flowing back from the transformer to be stored.
  • the energy stored in this capacity can then be fed back into the charge reservoir of the buffer capacity via the leakage resistor.
  • the transformer can have two primary-side windings, which are alternately connected to and disconnected from the operating voltage, so that the operating voltage is always only present on one of the primary-side windings.
  • the corresponding switched connections of the primary-side windings can in particular be connected to the protective circuit via a respective diode.
  • FIG. 1 shows an ultrasonic transducer system 1 with a control circuit 2 for a transmission operation of the ultrasonic transducer system 1 and a reception circuit 3 for a reception operation of the ultrasonic transducer system 1.
  • the control circuit 2 and the reception circuit 3 are connected to an ultrasonic transducer 4.
  • the receiving circuit 3 is only shown schematically, and the specific implementation will not be discussed further here.
  • the ultrasonic transducer 4 has a piezo actuator that can be controlled with high piezo voltages between 100 and 200 V in an ultrasonic frequency range in order to emit an ultrasonic transmission signal during transmission operation.
  • An ultrasound reception signal which is created by a reflection of the ultrasound transmission signal on one or more surrounding objects, leads to a change in capacitance that can be detected in the reception circuit 3 in a reception mode.
  • the control circuit 2 and the reception circuit 3 are generally operated in an alternating transmission and reception mode via a control unit 5.
  • the control circuit 2 includes a transformer 21, which is coupled to the ultrasonic transducer 4 on the secondary side.
  • the transformer 21 has two primary-side windings 22 and one secondary-side winding 23.
  • the primary-side windings 22 are alternately energized with a pulsed operating voltage that corresponds to the desired control frequency of the emitted ultrasonic transmission signal.
  • the primary-side windings 22 are connected to one another with a common center connection M, which is connected to a first supply potential U B (operating voltage).
  • U B operating voltage
  • the coupling to the first supply potential U B can take place via a resistor R2 and a capacitor C4, which provides a capacitance with respect to a second supply potential GND, in particular a ground potential.
  • a first switched connection A' of the first of the primary-side windings 22' is connected via a first semiconductor switch 24' to the second supply potential GND and a second switched connection A" of a second of the primary-side windings 22".
  • a second semiconductor switch 24" is connected to the second supply potential GND.
  • the semiconductor switches 24', 24" are alternately controlled using the control unit 5 according to the control frequency for opening or closing with a respective control signal S', S", so that the first and the second primary-side winding 22 ', 22" is energized and the other is separated from the operating voltage between the first supply potential U B and the second supply potential GND.
  • the secondary-side winding 23 is connected to the ultrasonic transducer 4, which can optionally be buffered with a buffer capacitor CR1. Due to the high switching currents that occur when the operating voltage is applied to the primary-side windings 22', 22", the first supply voltage can be buffered with a buffer capacity C2, which acts as a charge reservoir for high initial currents after one of the primary-side windings 22', 22" is switched on. serves.
  • the switched connections A', A" of the first and second primary-side windings 22', 22" are connected to a protective circuit 25 via a respective diode D1 and D2.
  • the forward directions of the diodes D1 and D2 each correspond to a positive voltage between the switched connections A', A" and the protective circuit 25.
  • the protective circuit 25 has a Zener diode ZD1, which is connected via the diodes D1 and D2 to the switched connection A ', A "and to the second supply potential GND.
  • the threshold voltage (breakdown voltage) U ZD of the Zener diode ZD1 corresponds to a voltage that is at least is set to twice the operating voltage, in particular slightly more than twice the operating voltage, in particular between 100% and 150%, preferably between 105% and 130%, of twice the operating voltage.
  • the starting voltage of the Zener diode thus defines a limiting voltage for the voltage at the switched connection A', A".
  • a switch-off voltage or a switch-off potential that is approximately twice the potential of the first supply potential U B (based on the second Supply potential GND).
  • the switch-off potential is applied to the protective circuit 25 via the diodes D1, D2 (minus the diode voltage).
  • the limitation of the voltage increase for the primary-side windings 22', 22" of the transformer 21 or the electronic semiconductor switch (transistor, FET, ...) 24', 24" connected to it is formed from the starting voltage U ZD of the Zener diode plus the diodes -Forward voltage of diodes D1 and D2. If the Zener diode ZD1 is used without the diodes D1 and D2, the limitation of the voltage rise corresponds to the starting voltage of the Zener diode ZD.
  • the protective circuit 25 limits the corresponding switch-off potential to the potential of the threshold voltage of the Zener diode ZD1. Without the Zener diode ZD1, the switch-off potential would continue to increase, since the stored electrical energy causes a current flow through the primary-side winding 22', 22", which acts back on the first supply potential VB or leads to a sharp increase in the voltage at the corresponding switched connection A' "A" would lead.
  • the Zener diode ZD1 limits the voltage increase to the threshold voltage.
  • a storage capacity is preferably connected in parallel to the Zener diode ZD1.
  • the parallel connection increases the charge-storing capacity, which takes over part of the amount of charge flowing out from the switched-off primary-side winding 22', 22" and is charged to a voltage level that corresponds to the starting voltage of the Zener diode ZD1.
  • the charge from the storage capacity C1 can now be supplied to the first supply potential VB, in particular there into the buffer capacity C2, in order to correspondingly supply the charge for the storage capacity C1 in a subsequent switching process to provide high initial current.
  • the current requirement of the control circuit 2 can be reduced, since part of the electrical energy derived when the corresponding primary winding is switched off can be used by storage in the storage capacity C1 and the buffer capacity C2 for a corresponding subsequent switching process with the required high initial current.
  • the diodes D1, D2 have the advantage that the capacity of the Zener diode ZD1 and the optional storage capacity C2 are decoupled from the switched connections A', A", so that their capacitance input into the switching of the transformer 21 is reduced.
  • the Zener diode the protective circuit 25 is biased via the leakage resistor R1, so that its switching inertia is reduced. The diodes decouple this part of the protective circuit from the primary-side windings and enable this biasing.
  • the protective circuit 25 also makes it possible to quickly dissipate the electrical energy from the primary-side windings 22 ', 22 ", so that less electrical energy remains in the transformer 21, and in particular after the end of the transmission operation, the transformer-ultrasonic transducer combination, which includes a resonant circuit, swings out the inductance of the secondary-side winding 23 and the capacitance of the piezo actuator of the ultrasonic transducer 4. This improves the performance for object detection in the close range, since an ultrasonic reception signal is not superimposed by a continuing oscillation of the resonant circuit formed.
  • FIG. 2 shows a signal-time diagram to illustrate the operation of the control circuit 2 for one of the switched connections A '. It can be seen that after the semiconductor switch 24 'in question is switched off (controlled by a low level of the control signal S'), the voltage at the switched connection A' immediately rises to twice the operating voltage 2 * U B and then due to the energy drain in the protective circuit 25 continues to rise to the limiting voltage U G as the current flow decreases and is held there until the energy stored in the transformer is reduced. As a result, the voltage at the switched connection A' collapses down to U B.
  • the entire circuit should be designed so that the voltage drop at the switched connection A' occurs by the time the next pulse of the control signal S' occurs.

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Ansteuerschaltung (2) für einen piezoelektrischen Ultraschallwandler (4) in einem Ultraschallwandlersystem (1), umfassend:
- einen Transformator (21) mit mindestens einer primärseitigen Wicklung (22, 22', 22");
- eine Schalteinheit mit einem Halbleiterschalter (24', 24"), die mit der mindestens einen primärseitigen Wicklung (22, 22', 22") über einen geschalteten Anschluss (A', A") verbunden ist,
- eine Steuereinheit (5), die ausgebildet ist, um eine Betriebsspannung (UB) alternierend an die mindestens eine primärseitige Wicklung (22, 22', 22") anzulegen oder davon zu trennen,
- eine Schutzschaltung (25), die mit dem geschalteten Anschluss (A', A") elektrisch gekoppelt ist und eine Zenerdiode (ZD1) aufweist, die eine Abschaltspannung am geschalteten Anschluss (A', A") betragsmäßig auf eine Begrenzungsspannung (UG) begrenzt, die mindestens der doppelten Betriebsspannung entspricht.

Figure imgaf001
The invention relates to a control circuit (2) for a piezoelectric ultrasonic transducer (4) in an ultrasonic transducer system (1), comprising:
- a transformer (21) with at least one primary winding (22, 22', 22");
- a switching unit with a semiconductor switch (24', 24"), which is connected to the at least one primary-side winding (22, 22', 22") via a switched connection (A', A"),
- a control unit (5) which is designed to alternately apply an operating voltage (U B ) to or disconnect it from the at least one primary-side winding (22, 22', 22"),
- a protective circuit (25) which is electrically coupled to the switched connection (A', A") and has a Zener diode (ZD1) which sets a switch-off voltage at the switched connection (A', A") to a limiting voltage (U G ) which corresponds to at least twice the operating voltage.
Figure imgaf001

Description

Technisches GebietTechnical area

Die Erfindung betrifft Ansteuerschaltungen für piezoelektrische Ultraschallwandler mit verbessertem Schutz gegenüber Überspannungen aufgrund von Schaltvorgängen an Transformatorinduktivitäten.The invention relates to control circuits for piezoelectric ultrasonic transducers with improved protection against overvoltages due to switching processes on transformer inductances.

Technischer HintergrundTechnical background

Ultraschallwandler werden zur Objekterkennung eingesetzt und weisen in der Regel einen Piezoaktor auf, der zur Anregung eine hohe elektrische Wechselspannung von etwa 100 bis 200 V benötigt. Das Spannungsniveau einer solchen Ansteuerspannung wird in der Regel durch Spannungstransformation mithilfe eines Transformators in der Endstufe bereitgestellt.Ultrasonic transducers are used for object detection and usually have a piezo actuator that requires a high electrical alternating voltage of around 100 to 200 V for excitation. The voltage level of such a control voltage is usually provided by voltage transformation using a transformer in the final stage.

Im Sendebetrieb wird eine periodische gepulste Betriebsspannung primärseitig an den Transformator angelegt, die entsprechend auf die gewünschte Ansteuerspannung hochtransformiert wird. Die Anregung erfolgt aus Gründen des einfacheren Schaltungsaufbaus pulsförmig. Zur pulsförmigen Anregung eines solchen Transformators wird eine bereitgestellte Betriebsspannung primärseitig aufgeschaltet bzw. abgeschaltet. Durch die pulsförmige Ansteuerung des Transformators ergibt sich aufgrund der in der Induktivität der primärseitigen Transformatorwicklung gespeicherten elektrischen Energie eine relativ hohe Abschaltspannung. Dieser Effekt wird auch als Flyback-Effekt bezeichnet.During transmission mode, a periodic pulsed operating voltage is applied to the transformer on the primary side, which is accordingly transformed up to the desired control voltage. The excitation takes place in pulse form for reasons of simpler circuit design. For pulse-shaped excitation of such a transformer, an operating voltage provided is switched on or off on the primary side. The pulse-shaped control of the transformer results in a relatively high switch-off voltage due to the electrical energy stored in the inductance of the primary-side transformer winding. This effect is also known as the flyback effect.

Die durch den Flyback-Effekt resultierende hohe Abschaltspannung an der Primärseite des Transformators muss begrenzt werden, um Schädigungen an Bauteilen der Ansteuerschaltung zu vermeiden. In der Regel wird die Energie der primärseitigen Induktivität über Dioden abgeleitet und als Verlustleistung in Form von Wärme abgeführt.The high switch-off voltage on the primary side of the transformer resulting from the flyback effect must be limited to prevent damage to components Avoid control circuit. As a rule, the energy of the primary-side inductance is derived via diodes and dissipated as power loss in the form of heat.

Ultraschallwandlersysteme steuern den Ultraschallwandler in der Regel wechselweise in einem Sendebetrieb zum Aussenden eines Ultraschallsendesignals und einem Empfangsbetrieb zum Empfangen eines Ultraschallempfangssignals, das einem an einem oder mehreren Umgebungsobjekten reflektierten Ultraschallsendesignal entspricht, an. Sich ergebende Ultraschallsignallaufzeiten nebst anderen Merkmalen werden ausgewertet, um Informationen über sich im Erfassungsbereich des Ultraschallwandlersystems befindliche Umgebungsobjekte zu erhalten. Beim Umschalten vom Sendebetrieb in den Empfangsbetrieb ist es notwendig, die auf der Primärseite gespeicherte Energie schnellstmöglich vollständig abzuleiten, um so die Empfindlichkeit zu Beginn des Empfangsbetriebs möglichst schnell nach dem Ende des Sendebetriebs bereitzustellen. Das Herstellen der Detektionsfähigkeit nach dem Ende der Sendephase entscheidet maßgeblich darüber, bis zu welcher Entfernung im Nahbereich Umgebungsobjekte durch das Ultraschallwandlersystem detektiert werden können.Ultrasonic transducer systems usually control the ultrasonic transducer alternately in a transmission mode for emitting an ultrasonic transmission signal and a reception mode for receiving an ultrasonic reception signal that corresponds to an ultrasonic transmission signal reflected on one or more surrounding objects. The resulting ultrasonic signal transit times, along with other features, are evaluated in order to obtain information about environmental objects located in the detection range of the ultrasonic transducer system. When switching from transmitting mode to receiving mode, it is necessary to completely dissipate the energy stored on the primary side as quickly as possible in order to provide the sensitivity at the beginning of the receiving mode as quickly as possible after the end of the transmitting mode. Establishing the detection capability after the end of the transmission phase largely determines the distance up to which surrounding objects can be detected by the ultrasonic transducer system.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Ansteuerschaltung für einen Ultraschallwandler und ein Ultraschallwandlersystem zur Verfügung zu stellen, die effizienter ist und eine verbesserte Leistungsfähigkeit für das Erkennen von Umgebungsobjekten im Nahbereich ermöglicht.It is the object of the present invention to provide a control circuit for an ultrasonic transducer and an ultrasonic transducer system that is more efficient and enables improved performance for detecting surrounding objects in the close range.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Diese Aufgabe wird durch die Ansteuerschaltung für einen Ultraschallwandler gemäß Anspruch 1 sowie durch das Ultraschallwandlersystem gemäß dem nebengeordneten Anspruch gelöst.This task is solved by the control circuit for an ultrasonic transducer according to claim 1 and by the ultrasonic transducer system according to the independent claim.

Weitere Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.Further refinements are specified in the dependent claims.

Gemäß einem ersten Aspekt ist eine Ansteuerschaltung für einen piezoelektrischen Ultraschallwandler in einem Ultraschallwandlersystem vorgesehen, umfassend:

  • einen Transformator mit mindestens einer primärseitigen Wicklung;
  • eine Schalteinheit mit einem Halbleiterschalter, die mit der mindestens einen primärseitigen Wicklung über einen geschalteten Anschluss verbunden ist,
  • eine Steuereinheit, die ausgebildet ist, um eine Betriebsspannung alternierend an die mindestens eine primärseitige Wicklung anzulegen oder davon zu trennen,
  • eine Schutzschaltung, die mit dem geschalteten Anschluss elektrisch gekoppelt ist und eine Zenerdiode aufweist, die eine Abschaltspannung am geschalteten Anschluss betragsmäßig auf eine Begrenzungsspannung begrenzt, die mindestens der doppelten Betriebsspannung entspricht.
According to a first aspect, a drive circuit for a piezoelectric ultrasonic transducer is provided in an ultrasonic transducer system, comprising:
  • a transformer with at least one primary winding;
  • a switching unit with a semiconductor switch, which is connected to the at least one primary-side winding via a switched connection,
  • a control unit which is designed to alternately apply an operating voltage to or disconnect from the at least one primary-side winding,
  • a protective circuit that is electrically coupled to the switched connection and has a Zener diode that limits the amount of a switch-off voltage at the switched connection to a limiting voltage that corresponds to at least twice the operating voltage.

Es kann vorgesehen sein, dass die Begrenzungsspannung aus einem Bereich zwischen 100 und 150 % des Betrags der doppelten Betriebsspannung, insbesondere zwischen 105 und 130 % des Betrags der doppelten Betriebsspannung gewählt ist.It can be provided that the limiting voltage is selected from a range between 100 and 150% of the amount of twice the operating voltage, in particular between 105 and 130% of the amount of twice the operating voltage.

Weiterhin kann die Begrenzungsspannung durch Wahl einer Einsatzspannung oder Durchbruchsspannung der Zenerdiode bestimmt sein.Furthermore, the limiting voltage can be determined by selecting a threshold voltage or breakdown voltage of the Zener diode.

Vorzugsweise kann die Schutzschaltung elektrisch nicht kapazitiv mit dem mindestens einen geschalteten Anschluss gekoppelt sein.Preferably, the protective circuit can be electrically non-capacitively coupled to the at least one switched connection.

In einer Ansteuerschaltung für einen Ultraschallwandler ist für einen Sendebetrieb ein Transformator vorgesehen, um den insbesondere als Piezoaktor ausgebildeten Ultraschallwandler mit entsprechend hohen Ansteuerspannungen ansteuern zu können. Die Ansteuerung erfolgt mit einer Wechselspannung, die in der Regel durch eine primärseitig dem Transformator bereitgestellte gepulste Betriebsspannung bereitgestellt wird. Die gepulste Betriebsspannung wird durch Anlegen oder Abschalten einer Betriebsspannung, insbesondere mithilfe geeigneter Halbleiterschalter, wie z. B. Feldeffekttransistoren oder dergleichen, erzeugt.In a control circuit for an ultrasonic transducer, a transformer is provided for transmission operation in order to be able to control the ultrasonic transducer, which is designed in particular as a piezo actuator, with correspondingly high control voltages. The control takes place with an alternating voltage, which is usually provided by a pulsed operating voltage provided on the primary side of the transformer. The pulsed operating voltage is created by applying or switching off an operating voltage, in particular using suitable semiconductor switches, such as. B. field effect transistors or the like.

Aufgrund der Induktivität der mindestens einen primärseitigen Wicklung des Transformators entsteht beim Abschalten der Betriebsspannung aufgrund der in der Induktivität gespeicherten elektrischen Energie eine erhebliche Spannungserhöhung an dem geschalteten Transformatoranschluss. Die Spannungserhöhung kann zur Schädigung oder Zerstörung von Bauteilen des Ultraschallwandlersystems führen. Daher wird in der Regel eine geeignete Schutzschaltung vorgesehen, die den Spannungsanstieg nach dem Abschalten der primärseitigen Wicklung begrenzt.Due to the inductance of the at least one primary-side winding of the transformer, when the operating voltage is switched off, a significant voltage increase occurs at the switched transformer connection due to the electrical energy stored in the inductance. The increase in voltage can lead to damage or destruction of components of the ultrasonic transducer system. Therefore A suitable protective circuit is usually provided which limits the voltage increase after the primary winding is switched off.

Unmittelbar nach dem Abschalten der primärseitigen Wicklung des Transformators liegt an dem geschalteten Transformatoranschluss in der Regel die doppelte Betriebsspannung an, da das Potential des entsprechenden anderen Transformatoranschlusses der primärseitigen Wicklung nicht geschaltet wird und dadurch konstant gehalten wird. Ohne weitere Maßnahmen würde nun aufgrund der in der Wicklung gespeicherten elektrischen Energie die Abschaltspannung über die primärseitige Wicklung weiter ansteigen, wenn ein Stromfluss aus der primärseitigen Wicklung stark begrenzt oder gar unterbunden wird.Immediately after the primary-side winding of the transformer is switched off, twice the operating voltage is usually present at the switched transformer connection, since the potential of the corresponding other transformer connection of the primary-side winding is not switched and is therefore kept constant. Without further measures, the switch-off voltage across the primary-side winding would continue to rise due to the electrical energy stored in the winding if a current flow from the primary-side winding is severely limited or even prevented.

Gemäß obiger Ansteuerschaltung wird daher die Schutzschaltung an den geschalteten Anschluss der mindestens einen primärseitigen Wicklung gekoppelt und weist eine Zenerdiode auf. Die Einsatzspannung (Durchbruchsspannung) der Zenerdiode ist minimal oberhalb der doppelten Betriebsspannung, mit der die primärseitige Wicklung geschaltet wird, vorgesehen. Durch das Festlegen der Einsatzspannung der Zenerdiode auf einen Wert oberhalb der doppelten Betriebsspannung wird ein Anstieg der Abschaltspannung über der primärseitigen Wicklung über eine durch die Einsatzspannung definierte Spannungsschwelle hinaus effizient unterbunden. Auf diese Weise ist es möglich, dass erstens die Spannung über der primärseitigen Wicklung zum Schutz der anderen Bauteile begrenzt wird und zweitens diese Spannung gerade so gewählt wird, dass sie im Zusammenspiel mit den umliegenden Bauteilen für einen optimalen Energieabfluss sorgt.According to the above control circuit, the protective circuit is therefore coupled to the switched connection of the at least one primary-side winding and has a Zener diode. The starting voltage (breakdown voltage) of the Zener diode is intended to be at least twice the operating voltage with which the primary-side winding is switched. By setting the threshold voltage of the Zener diode to a value above twice the operating voltage, an increase in the switch-off voltage across the primary-side winding beyond a voltage threshold defined by the threshold voltage is efficiently prevented. In this way, it is possible, firstly, to limit the voltage across the primary winding to protect the other components and, secondly, to select this voltage in such a way that it ensures optimal energy dissipation in interaction with the surrounding components.

Durch das gezielte Abfließen des Stromes in der Abschaltphase über die Schutzschaltung verbleibt beim Übergang vom Sendebetrieb zu einem Empfangsbetrieb weniger elektrische Energie im Transformator, so dass der Ausschwingvorgang am Ende des Sendebetriebs deutlich verkürzt wird. Ein etwaiges durch den Ultraschallwandler empfangenes Ultraschallempfangssignal kann somit in verbesserter Weise detektiert werden, da das Ultraschallempfangssignal nicht oder nur für eine kürzere Zeitdauer durch ein etwaiges Ausschwingsignal nach dem Ende des Sendebetriebs überlagert wird.Due to the targeted flow of current in the switch-off phase via the protective circuit, less electrical energy remains in the transformer during the transition from transmitting mode to receiving mode, so that the decay process at the end of transmitting mode is significantly shortened. Any ultrasonic received signal received by the ultrasonic transducer can thus be detected in an improved manner, since the ultrasonic received signal is not superimposed by any decay signal after the end of the transmission operation or is only superimposed for a shorter period of time.

Es kann vorgesehen sein, dass die Betriebsspannung durch eine Pufferkapazität gepuffert ist, wobei die Schutzschaltung über einen Ableitwiderstand mit der Pufferkapazität gekoppelt ist. Auf diese Weise kann ein Ladungsreservoir für einen zu Beginn des Einschaltvorgangs der primärseitigen Wicklung erforderlichen hohen Einschaltstrom bereitgestellt werden. Diese Rückführung der beim Abschalten abgeführten Energie in den Versorgungskreis ermöglicht es, den Strombedarf der Ansteuerschaltung zu reduzieren.It can be provided that the operating voltage is buffered by a buffer capacity, with the protective circuit being coupled to the buffer capacity via a leakage resistor. In this way, a charge reservoir can be created for one at the beginning of the The high inrush current required for the primary winding to be switched on can be provided. This return of the energy dissipated when switching off into the supply circuit makes it possible to reduce the power requirement of the control circuit.

Weiterhin kann die Schutzschaltung mit dem mindestens einen geschalteten Anschluss über eine Diode, insbesondere direkt über eine Diode, gekoppelt sein, die bei Auftreten einer Spannungsdifferenz zwischen dem mindestens einen geschalteten Anschluss und der Zenerdiode einen Ladungsfluss von bzw. zu dem mindestens einen geschalteten Anschluss zur Begrenzung einer Spannungsänderung an dem mindestens einen geschalteten Anschluss bewirkt.Furthermore, the protective circuit can be coupled to the at least one switched connection via a diode, in particular directly via a diode, which, when a voltage difference occurs between the at least one switched connection and the Zener diode, limits a charge flow from or to the at least one switched connection a voltage change at the at least one switched connection.

Somit kann die Schutzschaltung durch eine serielle Verschaltung mit einer Diode entkoppelt werden, so dass der Kapazitätseintrag der Schutzschaltung auf den geschalteten Transformatoranschluss bzw. auf die primärseitige Wicklung des Transformators verringert wird. Zudem ermöglicht es die in Serie geschaltete Diode, dass die Zenerdiode vorgespannt werden kann, so dass deren Schaltträgheit minimiert wird.The protective circuit can thus be decoupled by a serial connection with a diode, so that the capacitance input of the protective circuit on the switched transformer connection or on the primary winding of the transformer is reduced. In addition, the series-connected diode allows the Zener diode to be biased so that its switching inertia is minimized.

Es kann weiterhin vorgesehen sein, dass elektrisch parallel zur Zenerdiode eine Speicherkapazität geschaltet ist, die die Kapazität der Zenerdiode ergänzt. Dies ermöglicht ein verbessertes Zwischenspeichern der nach dem Abschalten der primärseitigen Wicklung abgeführten elektrischen Energie, die für den nächsten Schaltzyklus, d. h. beim nächsten Einschalten der primärseitigen Wicklung, verwendet werden kann. Dadurch, dass die Einsatzspannung der Zenerdiode gezielt höher als das Doppelte der Betriebsspannung gewählt wird, kann bei Anstieg der Abschaltspannung der resultierende Stromfluss durch die primärseitige Wicklung in die Speicherkapazität abfließen. Dies erfolgt solange, bis die Durchbruchsspannung der Zenerdiode erreicht ist. Der Stromfluss setzt sich dann in diese fort, bis deren Durchbruchspannung wieder unterschritten wird. Gleichzeitig ergibt der verlängerte Fluss aber auch eine Erhöhung der sekundärseitigen Spannung.It can also be provided that a storage capacity is electrically connected in parallel to the Zener diode, which supplements the capacity of the Zener diode. This enables improved temporary storage of the electrical energy dissipated after the primary winding has been switched off, which is needed for the next switching cycle, i.e. H. can be used the next time the primary winding is switched on. Because the starting voltage of the Zener diode is specifically chosen to be higher than twice the operating voltage, when the switch-off voltage increases, the resulting current flow can flow through the primary winding into the storage capacity. This continues until the breakdown voltage of the Zener diode is reached. The current flow then continues into these until their breakdown voltage falls below again. At the same time, the extended flow also results in an increase in the secondary side voltage.

Die Speicherkapazität ist insbesondere im Zusammenwirken mit der seriell zur Schutzschaltung vorgesehenen Diode sinnvoll, die die Schutzschaltung von der Transformator-Wicklung entkoppelt. Somit dienen die Dioden dazu, die durch die Zenerdiode und die Speicherkapazität gebildete Kapazität vom Transformatorkreis zu entkoppeln und eine Vorspannung anzulegen, die die Schaltgeschwindigkeit erhöht.The storage capacity is particularly useful in conjunction with the diode provided in series with the protective circuit, which decouples the protective circuit from the transformer winding. The diodes are therefore used to To decouple the capacity formed by the Zener diode and the storage capacity from the transformer circuit and to apply a bias voltage that increases the switching speed.

Darüber hinaus wird die Kapazität zur Aufnahme der abfließenden Ladung erhöht, so dass die Kapazität der Zenerdiode die Schaltgeschwindigkeit nicht mehr maßgeblich beeinflusst, aber gleichzeitig eine Speicherung der aus dem Transformator rückfließenden Energie ermöglicht. Die in dieser Kapazität gespeicherte Energie kann dann über den Ableitwiderstand in das Ladungsreservoir der Pufferkapazität zurückgespeist werden.In addition, the capacity to absorb the outflowing charge is increased, so that the capacitance of the Zener diode no longer has a significant influence on the switching speed, but at the same time enables the energy flowing back from the transformer to be stored. The energy stored in this capacity can then be fed back into the charge reservoir of the buffer capacity via the leakage resistor.

Gemäß einer Ausführungsform kann der Transformator zwei primärseitige Wicklungen aufweisen, die wechselweise mit der Betriebsspannung verbunden und von dieser getrennt werden, so dass die Betriebsspannung stets nur an einer der primärseitigen Wicklungen anliegt.According to one embodiment, the transformer can have two primary-side windings, which are alternately connected to and disconnected from the operating voltage, so that the operating voltage is always only present on one of the primary-side windings.

Die entsprechenden geschalteten Anschlüsse der primärseitigen Wicklungen können insbesondere über eine jeweilige Diode mit der Schutzschaltung verbunden sein.The corresponding switched connections of the primary-side windings can in particular be connected to the protective circuit via a respective diode.

Gemäß einem weiteren Aspekt ist ein Ultraschallwandlersystem vorgesehen umfassend:

  • einen piezoelektrischen Ultraschallwandler;
  • die obige Ansteuerschaltung, wobei eine sekundärseitige Wicklung des Transformators mit dem Ultraschallwandler verbunden ist.
According to a further aspect, an ultrasonic transducer system is provided comprising:
  • a piezoelectric ultrasonic transducer;
  • the above control circuit, wherein a secondary winding of the transformer is connected to the ultrasonic transducer.

Kurzbeschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Ausführungsformen werden nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1
eine schematische Darstellung eines Schaltbilds eines Ultraschallwandlersystems mit einer Ansteuerschaltung; und
Fig. 2
ein Signal-Zeit-Diagramm von Spannungssignalen der Ansteuerschaltung.
Embodiments are explained in more detail below with reference to the accompanying drawings. Show it:
Fig. 1
a schematic representation of a circuit diagram of an ultrasonic transducer system with a control circuit; and
Fig. 2
a signal-time diagram of voltage signals from the control circuit.

Beschreibung von AusführungsformenDescription of embodiments

Figur 1 zeigt ein Ultraschallwandlersystem 1 mit einer Ansteuerschaltung 2 für einen Sendebetrieb des Ultraschallwandlersystems 1 und einer Empfangsschaltung 3 für einen Empfangsbetrieb des Ultraschallwandlersystems 1. Die Ansteuerschaltung 2 und die Empfangsschaltung 3 sind mit einem Ultraschallwandler 4 verbunden. Die Empfangsschaltung 3 ist nur schematisch gezeigt, und es wird hierin nicht weiter auf die konkrete Ausführung eingegangen. Figure 1 shows an ultrasonic transducer system 1 with a control circuit 2 for a transmission operation of the ultrasonic transducer system 1 and a reception circuit 3 for a reception operation of the ultrasonic transducer system 1. The control circuit 2 and the reception circuit 3 are connected to an ultrasonic transducer 4. The receiving circuit 3 is only shown schematically, and the specific implementation will not be discussed further here.

Der Ultraschallwandler 4 weist einen Piezoaktor auf, der mit hohen Piezospannungen zwischen 100 und 200 V in einem Ultraschallfrequenzbereich ansteuerbar ist, um im Sendebetrieb ein Ultraschallsendesignal zu emittieren. Ein Ultraschallempfangssignal, das durch eine Reflexion des Ultraschallsendesignal an einem oder mehreren Umgebungsobjekten entsteht, führt in einem Empfangsbetrieb zu einer in der Empfangsschaltung 3 detektierbaren Kapazitätsänderung.The ultrasonic transducer 4 has a piezo actuator that can be controlled with high piezo voltages between 100 and 200 V in an ultrasonic frequency range in order to emit an ultrasonic transmission signal during transmission operation. An ultrasound reception signal, which is created by a reflection of the ultrasound transmission signal on one or more surrounding objects, leads to a change in capacitance that can be detected in the reception circuit 3 in a reception mode.

Die Ansteuerschaltung 2 und die Empfangsschaltung 3 werden über eine Steuereinheit 5 in der Regel in einem alternierenden Sende- und Empfangsbetrieb betrieben.The control circuit 2 and the reception circuit 3 are generally operated in an alternating transmission and reception mode via a control unit 5.

Die Ansteuerschaltung 2 umfasst einen Transformator 21, der sekundärseitig mit dem Ultraschallwandler 4 gekoppelt ist.The control circuit 2 includes a transformer 21, which is coupled to the ultrasonic transducer 4 on the secondary side.

Der Transformator 21 weist zwei primärseitige Wicklungen 22 und eine sekundärseitige Wicklung 23 auf. Die primärseitigen Wicklungen 22 werden wechselweise bestromt mit jeweils einer gepulsten Betriebsspannung, die der gewünschten Ansteuerfrequenz des ausgesendeten Ultraschallsendesignals entspricht. Die primärseitigen Wicklungen 22 sind mit einem gemeinsamen Mittenanschluss M miteinander verbunden, der an ein erstes Versorgungspotential UB (Betriebsspannung) angeschlossen ist. Insbesondere kann die Kopplung mit dem ersten Versorgungspotential UB über einen Widerstand R2 und einen Kondensator C4 erfolgen, der eine Kapazität bezüglich eines zweiten Versorgungspotentials GND, insbesondere eines Massenpotentials, vorsieht.The transformer 21 has two primary-side windings 22 and one secondary-side winding 23. The primary-side windings 22 are alternately energized with a pulsed operating voltage that corresponds to the desired control frequency of the emitted ultrasonic transmission signal. The primary-side windings 22 are connected to one another with a common center connection M, which is connected to a first supply potential U B (operating voltage). In particular, the coupling to the first supply potential U B can take place via a resistor R2 and a capacitor C4, which provides a capacitance with respect to a second supply potential GND, in particular a ground potential.

Ein erster geschalteter Anschluss A' der ersten der primärseitigen Wicklungen 22' ist über einen ersten Halbleiterschalter 24' mit dem zweiten Versorgungspotential GND und ein zweiter geschalteter Anschluss A" einer zweiten der primärseitigen Wicklungen 22" über einen zweiten Halbleiterschalter 24" mit dem zweiten Versorgungspotential GND verbunden. Die Halbleiterschalter 24', 24" werden wechselweise mithilfe der Steuereinheit 5 gemäß der Ansteuerfrequenz zum Öffnen oder Schließen mit einem jeweiligen Steuersignal S', S" angesteuert, so dass wechselweise die erste und die zweite primärseitige Wicklung 22', 22" bestromt wird und die jeweils andere von der Betriebsspannung zwischen dem ersten Versorgungspotential UB und dem zweiten Versorgungspotential GND getrennt wird.A first switched connection A' of the first of the primary-side windings 22' is connected via a first semiconductor switch 24' to the second supply potential GND and a second switched connection A" of a second of the primary-side windings 22". a second semiconductor switch 24" is connected to the second supply potential GND. The semiconductor switches 24', 24" are alternately controlled using the control unit 5 according to the control frequency for opening or closing with a respective control signal S', S", so that the first and the second primary-side winding 22 ', 22" is energized and the other is separated from the operating voltage between the first supply potential U B and the second supply potential GND.

Die sekundärseitige Wicklung 23 ist mit dem Ultraschallwandler 4 verbunden, der gegebenenfalls mit einem Pufferkondensator CR1 gepuffert sein kann. Aufgrund der hohen Schaltströme, die beim Anlegen der Betriebsspannung an die primärseitigen Wicklungen 22', 22" auftreten, kann die erste Versorgungsspannung mit einer Pufferkapazität C2 gepuffert sein, die als Ladungsreservoir für hohe Anfangsströme nach dem Einschaltvorgang einer der primärseitigen Wicklungen 22', 22" dient.The secondary-side winding 23 is connected to the ultrasonic transducer 4, which can optionally be buffered with a buffer capacitor CR1. Due to the high switching currents that occur when the operating voltage is applied to the primary-side windings 22', 22", the first supply voltage can be buffered with a buffer capacity C2, which acts as a charge reservoir for high initial currents after one of the primary-side windings 22', 22" is switched on. serves.

Die geschalteten Anschlüsse A', A" der ersten und der zweiten primärseitigen Wicklungen 22', 22" sind über eine jeweilige Diode D1 und D2 mit einer Schutzschaltung 25 verbunden. Die Durchlassrichtungen der Dioden D1 und D2 entsprechen jeweils einer positiven Spannung zwischen den geschalteten Anschlüssen A', A" und der Schutzschaltung 25.The switched connections A', A" of the first and second primary-side windings 22', 22" are connected to a protective circuit 25 via a respective diode D1 and D2. The forward directions of the diodes D1 and D2 each correspond to a positive voltage between the switched connections A', A" and the protective circuit 25.

Die Schutzschaltung 25 weist eine Zenerdiode ZD1 auf, die über die Dioden D1 und D2 mit dem geschalteten Anschluss A', A" und mit dem zweiten Versorgungspotential GND verbunden ist. Die Einsatzspannung (Durchbruchspannung) UZD der Zenerdiode ZD1 entspricht einer Spannung, die mindestens auf das Doppelte der Betriebsspannung, insbesondere etwas mehr als das Doppelte der Betriebsspannung, insbesondere zwischen 100% und 150 %, vorzugsweise zwischen 105% und 130%, des Doppelten der Betriebsspannung, eingestellt ist. Die Einsatzspannung der Zenerdiode definiert somit eine Begrenzungsspannung für die Spannung an dem geschalteten Anschluss A', A".The protective circuit 25 has a Zener diode ZD1, which is connected via the diodes D1 and D2 to the switched connection A ', A "and to the second supply potential GND. The threshold voltage (breakdown voltage) U ZD of the Zener diode ZD1 corresponds to a voltage that is at least is set to twice the operating voltage, in particular slightly more than twice the operating voltage, in particular between 100% and 150%, preferably between 105% and 130%, of twice the operating voltage. The starting voltage of the Zener diode thus defines a limiting voltage for the voltage at the switched connection A', A".

Durch den wechselseitigen Betrieb der primärseitigen Wicklungen 22', 22" entsteht am geschalteten Anschluss A', A" der primärseitigen Wicklungen 22', 22" nach dem Abschalten des betreffenden Halbleiterschalters 24', 24" (Öffnen des betreffenden Halbleiterschalters) eine Abschaltspannung bzw. ein Abschaltpotential, die/das etwa dem doppelten Potential des ersten Versorgungspotentials UB (bezogen auf das zweite Versorgungspotential GND) entspricht. Das Abschaltpotential liegt über die Dioden D1, D2 (abzüglich der Diodenspannung) an der Schutzschaltung 25 an. Die Begrenzung des Spannungsanstiegs für die primärseitigen Wicklungen 22', 22" des Transformators 21 oder den daran angeschalteten elektronischen Halbleiterschalter (Transistor, FET, ...) 24', 24" bildet sich aus der Einsatzspannung UZD der Zener-Diode plus der Dioden-Vorwärts-Spannung der Dioden D1 bzw. D2. Wird die Zenerdiode ZD1 ohne die Dioden D1 und D2 verwendet, entspricht die Begrenzung des Spannungsanstiegs gleich der Einsatzspannung der Zener-Diode ZD.Due to the alternating operation of the primary-side windings 22', 22", a switch-off voltage or a switch-off potential that is approximately twice the potential of the first supply potential U B (based on the second Supply potential GND). The switch-off potential is applied to the protective circuit 25 via the diodes D1, D2 (minus the diode voltage). The limitation of the voltage increase for the primary-side windings 22', 22" of the transformer 21 or the electronic semiconductor switch (transistor, FET, ...) 24', 24" connected to it is formed from the starting voltage U ZD of the Zener diode plus the diodes -Forward voltage of diodes D1 and D2. If the Zener diode ZD1 is used without the diodes D1 and D2, the limitation of the voltage rise corresponds to the starting voltage of the Zener diode ZD.

Die Schutzschaltung 25 begrenzt das entsprechende Abschaltpotential auf das Potential der Einsatzspannung der Zenerdiode ZD1. Ohne die Zenerdiode ZD1 würde das Abschaltpotential weiter ansteigen, da die gespeicherte elektrische Energie einen Stromfluss durch die primärseitige Wicklung 22', 22" bewirkt, der auf das erste Versorgungspotential VB zurückwirkt bzw. zu einem starken Ansteigen der Spannung an dem entsprechenden geschalteten Anschluss A', A" führen würde.The protective circuit 25 limits the corresponding switch-off potential to the potential of the threshold voltage of the Zener diode ZD1. Without the Zener diode ZD1, the switch-off potential would continue to increase, since the stored electrical energy causes a current flow through the primary-side winding 22', 22", which acts back on the first supply potential VB or leads to a sharp increase in the voltage at the corresponding switched connection A' "A" would lead.

Die Zenerdiode ZD1 begrenzt den Spannungsanstieg auf die Einsatzspannung.The Zener diode ZD1 limits the voltage increase to the threshold voltage.

Vorzugsweise ist parallel zur Zenerdiode ZD1 eine Speicherkapazität geschaltet. Die Parallelschaltung erhöht die ladungsspeichernde Kapazität, die einen Teil der abfließenden Ladungsmenge aus der abgeschalteten primärseitigen Wicklung 22', 22" übernimmt und auf ein Spannungsniveau geladen wird, das der Einsatzspannung der Zenerdiode ZD1 entspricht.A storage capacity is preferably connected in parallel to the Zener diode ZD1. The parallel connection increases the charge-storing capacity, which takes over part of the amount of charge flowing out from the switched-off primary-side winding 22', 22" and is charged to a voltage level that corresponds to the starting voltage of the Zener diode ZD1.

Über einen Ableitwiderstand R1, mit dem die Schutzschaltung 25 mit dem ersten Versorgungspotential VB verbunden ist, kann nun die Ladung aus der Speicherkapazität C1 dem ersten Versorgungspotential VB zugeführt werden, insbesondere dort in die Pufferkapazität C2, um bei einem nachfolgenden Schaltvorgang entsprechend die Ladung für den hohen Anfangsstrom zur Verfügung zu stellen. Dadurch kann der Strombedarf der Ansteuerschaltung 2 reduziert werden, da ein Teil der beim Ausschalten der entsprechenden primärseitigen Wicklung abgeleiteten elektrischen Energie durch Speicherung in der Speicherkapazität C1 und der Pufferkapazität C2 für einen entsprechenden nachfolgenden Schaltvorgang mit dem benötigten hohen Anfangsstrom genutzt werden kann.Via a leakage resistor R1, with which the protective circuit 25 is connected to the first supply potential VB, the charge from the storage capacity C1 can now be supplied to the first supply potential VB, in particular there into the buffer capacity C2, in order to correspondingly supply the charge for the storage capacity C1 in a subsequent switching process to provide high initial current. As a result, the current requirement of the control circuit 2 can be reduced, since part of the electrical energy derived when the corresponding primary winding is switched off can be used by storage in the storage capacity C1 and the buffer capacity C2 for a corresponding subsequent switching process with the required high initial current.

Die Dioden D1, D2 haben den Vorteil, dass die Kapazität der Zenerdiode ZD1 und der optionalen Speicherkapazität C2 von den geschalteten Anschlüssen A', A" entkoppelt sind, so dass deren Kapazitätseintrag in das Schalten des Transformators 21 verringert wird. Zum anderen ist die Zenerdiode der Schutzschaltung 25 über den Ableitwiderstand R1 vorgespannt, so dass deren Schaltträgheit verringert ist. Die Dioden entkoppeln diesen Teil der Schutzschaltung von den primärseitigen Wicklungen und ermöglichen dieses Vorspannen.The diodes D1, D2 have the advantage that the capacity of the Zener diode ZD1 and the optional storage capacity C2 are decoupled from the switched connections A', A", so that their capacitance input into the switching of the transformer 21 is reduced. On the other hand, the Zener diode the protective circuit 25 is biased via the leakage resistor R1, so that its switching inertia is reduced. The diodes decouple this part of the protective circuit from the primary-side windings and enable this biasing.

Die Schutzschaltung 25 ermöglicht zudem, die elektrische Energie aus den primärseitigen Wicklungen 22', 22" schnell abzuleiten, so dass weniger elektrische Energie im Transformator 21 verbleibt, und insbesondere nach Beenden des Sendebetriebs das Ausschwingen der Transformator-Ultraschallwandler-Kombination, die einen Schwingkreis mit der Induktivität der sekundärseitigen Wicklung 23 und der Kapazität des Piezoaktors des Ultraschallwandlers 4 bildet, verkürzt werden kann. Dies verbessert die Performance für Objektdetektionen im Nahbereich, da ein Ultraschallempfangssignal nicht von einem noch andauernden Ausschwingen des gebildeten Schwingkreises überlagert wird.The protective circuit 25 also makes it possible to quickly dissipate the electrical energy from the primary-side windings 22 ', 22 ", so that less electrical energy remains in the transformer 21, and in particular after the end of the transmission operation, the transformer-ultrasonic transducer combination, which includes a resonant circuit, swings out the inductance of the secondary-side winding 23 and the capacitance of the piezo actuator of the ultrasonic transducer 4. This improves the performance for object detection in the close range, since an ultrasonic reception signal is not superimposed by a continuing oscillation of the resonant circuit formed.

Figur 2 zeigt ein Signal-Zeit-Diagramm zur Veranschaulichung des Betriebs der Ansteuerschaltung 2 für einen der geschalteten Anschlüsse A'. Man erkennt, dass nach dem Abschalten des betreffenden Halbleiterschalters 24' (gesteuert durch einen niedrigen Pegel des Steuersignals S') die Spannung an dem geschalteten Anschluss A' sofort auf das Doppelte der Betriebsspannung 2*UB ansteigt und anschließend aufgrund des Energieabflusses in Schutzschaltung 25 weiter bis zu der Begrenzungsspannung UG bei abnehmenden Stromfluss ansteigt und dort gehalten wird, bis die im Transformator gespeicherte Energie abgebaut ist. Die Spannung an dem geschalteten Anschluss A' bricht in Folge bis auf UB zusammen. Die gesamte Schaltung sollte so ausgelegt sein, dass der Spannungsabfall an dem geschalteten Anschluss A' bis zum Einsetzten des nächsten Pulses des Steuersignals S' erfolgt ist. Figure 2 shows a signal-time diagram to illustrate the operation of the control circuit 2 for one of the switched connections A '. It can be seen that after the semiconductor switch 24 'in question is switched off (controlled by a low level of the control signal S'), the voltage at the switched connection A' immediately rises to twice the operating voltage 2 * U B and then due to the energy drain in the protective circuit 25 continues to rise to the limiting voltage U G as the current flow decreases and is held there until the energy stored in the transformer is reduced. As a result, the voltage at the switched connection A' collapses down to U B. The entire circuit should be designed so that the voltage drop at the switched connection A' occurs by the time the next pulse of the control signal S' occurs.

BezugszeichenlisteReference symbol list

11
UltraschallwandlersystemUltrasonic transducer system
22
AnsteuerschaltungControl circuit
33
EmpfangsschaltungReceiving circuit
44
UltraschallwandlerUltrasonic transducer
55
SteuereinheitControl unit
2121
Transformatortransformer
22, 22', 22"22, 22', 22"
primärseitige Wicklungenprimary side windings
2323
sekundärseitige Wicklungsecondary side winding
24', 24"24', 24"
HalbleiterschalterSemiconductor switch
2525
SchutzschaltungProtection circuit
UBUB
Betriebsspannung, erstes VersorgungspotentialOperating voltage, first supply potential
R1R1
AbleitwiderstandLeakage resistance
R2R2
WiderstandResistance
C1C1
SpeicherkapazitätStorage capacity
C2C2
PufferkapazitätBuffer capacity
C4C4
Kondensatorcapacitor
GNDGND
zweites Versorgungspotentialsecond supply potential
A', A"A', A"
geschaltete Anschlüsseswitched connections
D1, D2D1, D2
Diodendiodes
ZD1ZD1
ZenerdiodeZener diode

Claims (10)

Ansteuerschaltung (2) für einen piezoelektrischen Ultraschallwandler (4) in einem Ultraschallwandlersystem (1), umfassend: - einen Transformator (21) mit mindestens einer primärseitigen Wicklung (22, 22', 22"); - eine Schalteinheit mit einem Halbleiterschalter (24', 24"), die mit der mindestens einen primärseitigen Wicklung (22, 22', 22") über einen geschalteten Anschluss (A', A") verbunden ist, - eine Steuereinheit (5), die ausgebildet ist, um eine Betriebsspannung (UB) alternierend an die mindestens eine primärseitige Wicklung (22, 22', 22") anzulegen oder davon zu trennen, - eine Schutzschaltung (25), die mit dem geschalteten Anschluss (A', A") elektrisch gekoppelt ist und eine Zenerdiode (ZD1) aufweist, die eine Abschaltspannung am geschalteten Anschluss (A', A") betragsmäßig auf eine Begrenzungsspannung (UG) begrenzt, die mindestens der doppelten Betriebsspannung entspricht. Control circuit (2) for a piezoelectric ultrasonic transducer (4) in an ultrasonic transducer system (1), comprising: - a transformer (21) with at least one primary winding (22, 22', 22"); - a switching unit with a semiconductor switch (24', 24"), which is connected to the at least one primary-side winding (22, 22', 22") via a switched connection (A', A"), - a control unit (5) which is designed to alternately apply an operating voltage (U B ) to or disconnect it from the at least one primary-side winding (22, 22', 22"), - a protective circuit (25) which is electrically coupled to the switched connection (A', A") and has a Zener diode (ZD1) which sets a switch-off voltage at the switched connection (A', A") to a limiting voltage (U G ) which corresponds to at least twice the operating voltage. Ansteuerschaltung nach Anspruch 1, wobei die Begrenzungsspannung (UG) aus einem Bereich zwischen 100 und 150% des Betrags der doppelten Betriebsspannung (UB), insbesondere zwischen 105 und 130 % des Betrags der doppelten Betriebsspannung gewählt, ist.Control circuit according to claim 1, wherein the limiting voltage (U G ) is selected from a range between 100 and 150% of the amount of twice the operating voltage (U B ), in particular between 105 and 130% of the amount of twice the operating voltage. Ansteuerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Begrenzungsspannung (UG) durch Wahl einer Einsatzspannung oder Durchbruchsspannung (UZD) der Zenerdiode (ZD1) bestimmt ist.Control circuit according to claim 1 or 2, wherein the limiting voltage (U G ) is determined by selecting a threshold voltage or breakdown voltage (U ZD ) of the Zener diode (ZD1). Ansteuerschaltung (2) nach Anspruch 3, wobei die Schutzschaltung (25) mit dem mindestens einen geschalteten Anschluss über eine Diode (D1, D2) , insbesondere direkt über die Diode (D1, D2) , gekoppelt ist, die bei Auftreten einer Spannungsdifferenz zwischen dem mindestens einen geschalteten Anschluss (A', A") und der Zenerdiode (ZD1) einen Ladungsfluss von bzw. zu dem mindestens einen geschalteten Anschluss (A', A") zur Begrenzung einer Spannungsänderung an dem mindestens einen geschalteten Anschluss (A', A") bewirkt.Control circuit (2) according to claim 3, wherein the protective circuit (25) is coupled to the at least one switched connection via a diode (D1, D2), in particular directly via the diode (D1, D2), which occurs when a voltage difference occurs between the at least one switched connection (A', A") and the Zener diode (ZD1) causes a charge flow from or to the at least one switched connection (A', A") to limit a voltage change at the at least one switched connection (A', A"). Ansteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Schutzschaltung (25) elektrisch nicht kapazitiv mit dem mindestens einen geschalteten Anschluss (A', A") gekoppelt ist.Control circuit according to one of claims 1 to 4, wherein the protective circuit (25) is electrically non-capacitively coupled to the at least one switched connection (A', A"). Ansteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Schutzschaltung (25) elektrisch parallel zur Zenerdiode (ZD1) eine Speicherkapazität (C1) aufweist.Control circuit according to one of claims 1 to 5, wherein the protection circuit (25) has a storage capacity (C1) electrically parallel to the Zener diode (ZD1). Ansteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Betriebsspannung durch eine Pufferkapazität (C2) gepuffert ist, wobei die Schutzschaltung (25) über einen Ableitwiderstand (R1) mit der Pufferkapazität (C2) gekoppelt ist.Control circuit according to one of claims 1 to 6, wherein the operating voltage is buffered by a buffer capacitance (C2), the protective circuit (25) being coupled to the buffer capacitance (C2) via a leakage resistor (R1). Ansteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Transformator (21) zwei primärseitige Wicklungen (22, 22', 22") aufweist, die wechselweise mit der Betriebsspannung (UB) verbunden und von dieser getrennt werden, so dass die Betriebsspannung (UB) stets nur an einer der primärseitigen Wicklungen (22, 22', 22") anliegt.Control circuit according to one of claims 1 to 7, wherein the transformer (21) has two primary-side windings (22, 22 ', 22"), which are alternately connected to and separated from the operating voltage (U B ), so that the operating voltage ( U B ) is always only applied to one of the primary windings (22, 22', 22"). Ansteuerschaltung nach Anspruch 8, wobei die entsprechenden geschalteten Anschlüsse (A', A") der primärseitigen Wicklungen (22, 22', 22") insbesondere über eine jeweilige Diode (D1, D2) mit der Schutzschaltung (25) verbunden sind.Control circuit according to claim 8, wherein the corresponding switched connections (A', A") of the primary-side windings (22, 22', 22") are connected to the protective circuit (25), in particular via a respective diode (D1, D2). Ultraschallwandlersystem (1) umfassend: - einen piezoelektrischen Ultraschallwandler (4); - eine Ansteuerschaltung (2) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei eine sekundärseitige Wicklung (23) des Transformators (21) mit dem Ultraschallwandler (4) verbunden ist. Ultrasonic transducer system (1) comprising: - a piezoelectric ultrasonic transducer (4); - A control circuit (2) according to one of claims 1 to 9, wherein a secondary winding (23) of the transformer (21) is connected to the ultrasonic transducer (4).
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3618222A1 (en) * 1986-05-30 1987-12-03 Honeywell Regelsysteme Gmbh Transmitting/receiving circuit for ultrasonic transducers
DE102006054095A1 (en) * 2006-11-16 2008-05-21 Siemens Ag Ultrasonic sensor for e.g. monitoring surrounding of industrial and automobile areas, has damping unit i.e. induction coil, provided for reducing reverberation time of ultrasonic source after production of ultrasonic pulses
EP2189808B1 (en) * 2008-11-24 2013-03-13 ELMOS Semiconductor AG Device for controlling an ultrasound transmission/reception device
US20210220871A1 (en) * 2020-01-21 2021-07-22 Semiconductor Components Industries, Llc Devices, systems and processes for improving frequency measurements during reverberation periods for ultra-sonic transducers

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3618222A1 (en) * 1986-05-30 1987-12-03 Honeywell Regelsysteme Gmbh Transmitting/receiving circuit for ultrasonic transducers
DE102006054095A1 (en) * 2006-11-16 2008-05-21 Siemens Ag Ultrasonic sensor for e.g. monitoring surrounding of industrial and automobile areas, has damping unit i.e. induction coil, provided for reducing reverberation time of ultrasonic source after production of ultrasonic pulses
EP2189808B1 (en) * 2008-11-24 2013-03-13 ELMOS Semiconductor AG Device for controlling an ultrasound transmission/reception device
US20210220871A1 (en) * 2020-01-21 2021-07-22 Semiconductor Components Industries, Llc Devices, systems and processes for improving frequency measurements during reverberation periods for ultra-sonic transducers

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