EP4205188A1 - Method for treating an optoelectronic device - Google Patents

Method for treating an optoelectronic device

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EP4205188A1
EP4205188A1 EP21762717.3A EP21762717A EP4205188A1 EP 4205188 A1 EP4205188 A1 EP 4205188A1 EP 21762717 A EP21762717 A EP 21762717A EP 4205188 A1 EP4205188 A1 EP 4205188A1
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EP
European Patent Office
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optoelectronic device
laser beam
programmable elements
substrate
programmable
Prior art date
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Pending
Application number
EP21762717.3A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Olivier JEANNIN
Erwan Dornel
Frédéric MERCIER
Matthieu CHARBONNIER
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Aledia
Original Assignee
Aledia
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Filing date
Publication date
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    • H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H01L33/18—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region

Definitions

  • This description relates generally to a process for processing an optoelectronic device, in particular a process for modifying the optoelectronic device after its manufacture.
  • optoelectronic devices we mean devices suitable for performing the conversion of an electrical signal into electromagnetic radiation or vice versa, and in particular devices dedicated to the detection, measurement or emission of electromagnetic radiation.
  • An application example relates to a display screen comprising a support on which separate optoelectronic devices are fixed, each optoelectronic device comprising at least one light-emitting diode for the emission of signals relating to an image pixel.
  • Another application example relates to an image sensor comprising a support on which optoelectronic devices are individually fixed, each optoelectronic device comprising at least one photodiode for capturing signals relating to an image pixel.
  • a first example of application corresponds to the case of an optoelectronic device for which an operation calibration can be implemented after the manufacture of the optoelectronic device, the calibration operation possibly leading to a modification of operating parameters of the optoelectronic device.
  • the calibration operation can allow adjustment of the white balance of the optoelectronic device.
  • a second example of application corresponds to the case where the optoelectronic device comprises a system for protecting the optoelectronic device against electrostatic discharges (ESD, acronym for Electrostatic Discharge), in particular electrostatic discharges likely to occur during the process. manufacturing and handling of the optoelectronic device. Indeed, depending on the structure of the protection system, it may be necessary to provide a step for deactivating the protection system once the optoelectronic device is in place for the optoelectronic device to operate normally. [0007] To perform the step of deactivating the protection system, it may then be necessary to provide specific access terminals on the optoelectronic device. However, the desired dimensions of the optoelectronic device may not allow the presence of additional access terminals in addition to those provided for the normal operation of the optoelectronic device. Summary of the invention
  • One embodiment overcomes all or part of the drawbacks of the methods for treating optoelectronic devices described above, in particular the methods for modifying optoelectronic devices after their manufacture.
  • the optoelectronic device does not include specific access terminals for carrying out the processing of the optoelectronic device.
  • One embodiment provides a method for processing a region of an optoelectronic device further comprising a substrate adjacent to the region to be processed, the optoelectronic device comprising, in the region to be processed, programmable elements configured to be modified when exposed to a laser beam, the method comprising exposing at least one of the programmable elements to the focused laser beam through the substrate.
  • each programmable element comprises a conductive track, the method comprising the interruption of the conductive track of at least one of the programmable elements by the focused laser beam.
  • the optoelectronic device comprises a once-programmable memory comprising the programmable elements, the method comprising exposing a portion of said programmable elements to the focused laser beam.
  • the optoelectronic device comprises an electrostatic discharge protection system comprising the programmable elements, the method comprising exposing all the programmable elements to the focused laser beam.
  • the protection system comprises an interconnection circuit of electronic components and optoelectronic components via programmable elements.
  • the conductive tracks are metallic or made of a non-metallic electrically conductive material, in particular monocrystalline or polycrystalline doped silicon.
  • the optoelectronic device comprises light-emitting diodes and/or photodiodes.
  • the method comprises exposing the optoelectronic device to a pulse of the focused laser beam, the duration of said at least one pulse being between 0.1 ps and 1000 ps.
  • the method comprises exposing the optoelectronic device to said at least one pulse of the focused laser beam with a peak power of between 300 kW and 100 MW.
  • the method comprises exposing the optoelectronic device to said at least one pulse of the focused laser beam with a wavelength of between 1.2 ⁇ m and 4 ⁇ m.
  • the material making up the substrate is semiconductor.
  • the substrate is made of silicon, germanium, or a mixture or alloy of these compounds.
  • One embodiment also provides an optoelectronic device comprising a substrate and programmable elements in a stack resting on the substrate, at least one of the programmable elements having been modified by a laser beam focused through the substrate.
  • each programmable element comprises a conductive track, the conductive track of at least one of the programmable elements having been interrupted by the focused laser beam.
  • the optoelectronic device comprises a once-programmable memory comprising the programmable elements, a part of said programmable elements having been modified by the focused laser beam.
  • the optoelectronic device comprises a protection system against electrostatic discharges comprising the programmable elements, the protection system being activated when all the programmable elements are not modified by the focused laser beam.
  • Figure 1 is a sectional view, partial and schematic, of an embodiment of an optoelectronic device with light-emitting diodes
  • Figure 2 is a top view of a programmable element of the optoelectronic device shown in Figure 1;
  • FIG. 3 represents an electronic diagram of a once programmable memory
  • Figure 4 is a top view of programmable elements of the programmable memory once shown in Figure 3;
  • FIG. 5 represents an equivalent circuit diagram of an embodiment of an optoelectronic device with light-emitting diodes comprising a protection system against electrostatic discharges;
  • FIG. 6 represents an equivalent circuit diagram of another embodiment of an optoelectronic device with light-emitting diodes comprising a protection system against electrostatic discharges;
  • FIG. 7 illustrates an embodiment of a system for processing a laser optoelectronic device
  • FIG. 8 is a partial and schematic sectional view of a more detailed embodiment of the structure of a display pixel.
  • Embodiments will be described in the case of an optoelectronic device used for displaying an image pixel, and in particular an optoelectronic device comprising light-emitting diodes. However, it is clear that these embodiments can be implemented for an optoelectronic device used for the acquisition of an image pixel, and in particular an optoelectronic device comprising photodiodes.
  • a pixel of an image corresponds to the unitary element of the image displayed by a display screen.
  • An optoelectronic device allowing the display of an image pixel is referred to below as a display pixel.
  • the display screen is a color image display screen, it generally comprises for the display of each image pixel at least three emission and/or light intensity regulation components, also called display sub-pixels, which each emit light radiation substantially in a single color (eg, red, green, and blue). The superposition of the radiation emitted by these three display sub-pixels provides the observer with the colored sensation corresponding to the pixel of the displayed image.
  • the display pixel of the display screen is called the set formed by the three display sub-pixels used for the display of a pixel of an image.
  • the display screen is a monochrome image display screen, it generally comprises a single light source for displaying each image pixel.
  • Figure 1 is a sectional view, partial and schematic, of an embodiment of a display pixel Pix.
  • a display screen can comprise from 10 to 10 9 display pixels Pix.
  • Each display pixel Pix can occupy, in plan view, a surface comprised between 1 ⁇ m 2 and 100 mm 2 .
  • the thickness of each display pixel Pix can be between 1 ⁇ m and 6 mm.
  • the display pixel Pix comprises from bottom to top in FIG. 1:
  • control circuit An electronic circuit 10, called control circuit hereafter; and - an optoelectronic circuit 30.
  • the control circuit 10 comprises a lower face 12 and an upper face 14 opposite the lower face 12, the faces 12 and 14 preferably being parallel.
  • the control circuit 10 further comprises conductive pads 16 on the lower face 12.
  • the control circuit 10 may comprise a semiconductor substrate 18, a stack 20 of insulating layers covering the substrate 18 and conductive tracks 22 of several metallization levels. formed between the insulating layers of the stack 20 and connected by conductive vias, not shown.
  • Control circuit 10 may further comprise electronic components, not shown in FIG. 1, in particular transistors, formed in and/or on substrate 18.
  • An insulating layer, not shown, may cover semiconductor substrate 18 on the side opposite to the stack 20 and delimit the lower face 12 of the control circuit 10.
  • the control circuit 10 can also comprise through conductive vias, not shown, extending in the substrate 18, over the entire thickness of the substrate 18, and electrically insulated from the substrate, and making it possible to electrically connect the pads 16 to the front face of the substrate 18.
  • the semiconductor substrate 18 is, for example, a silicon substrate, in particular monocrystalline silicon.
  • the electronic components can then comprise insulated-gate field-effect transistors, also called MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistors.
  • substrate 18 may correspond to a non-semiconductor substrate.
  • the electronic components may comprise thin film transistors, also called TFT transistors (abbreviation for Thin-Film Transistor), the substrate 18 then possibly not being present.
  • the optoelectronic circuit 30 is fixed to the upper face 14 of the control circuit 10 .
  • the control circuit 10 can be formed directly on the optoelectronic circuit 30 .
  • the optoelectronic circuit 30 comprises a support 32 on which are formed light-emitting diodes LEDs, preferably at least three light-emitting diodes.
  • the light-emitting diodes can for example be of planar shape, of wire shapes or of pyramidal shape.
  • the optoelectronic circuit 30 may comprise photoluminescent blocks 34 covering the light-emitting diodes LED on the side opposite the control circuit 10 . Each photoluminescent block 34 faces at least one of the light-emitting diodes LED.
  • the optoelectronic circuit 30 comprises conductive elements 36, located in the support 32, and connected to the electrodes of the light-emitting diodes LED. Optoelectronic circuit 30 is electrically connected to control circuit 10 by conductive pads, which may correspond to conductive elements 36 , and which are in contact with conductive pads of control circuit 10 .
  • the optoelectronic circuit 30 comprises only the light-emitting diodes LED and the conductive elements 36 of these light-emitting diodes LED and the control circuit 10 comprises all the electronic components necessary for controlling the light-emitting diodes LED of the optoelectronic circuit 30 .
  • the optoelectronic circuit 30 can also comprise other electronic components in addition to the light-emitting diodes LED.
  • the display pixel processing operation implemented after the manufacture of the display pixel Pix, comprises laser processing of the display pixel Pix, as described below. in detail later.
  • the display pixel Pix comprises at least one programmable element 40 capable of being modified by the laser treatment.
  • the programmable element 40 comprises a conductive track capable of being interrupted by laser treatment.
  • the programmable element 40 may be provided in the control circuit 10.
  • the programmable element 40 may be formed at least in part by some of the conductive tracks 22, in particular by conductive tracks of the first level of metallization of the control circuit 10 which can be made of polycrystalline silicon or by conductive tracks of another level of metallization which can be metallic.
  • Figure 2 is a top view, partial and schematic, of an embodiment of a programmable element 40.
  • the programmable element 40 comprises two access pads 42 and 44 and a conductive track 46 s' extending between the two access pads.
  • the access pads 42 and 44 and the conductive track 46 can correspond to conductive tracks 22 of the control circuit 10 and/or to conductive elements 36 of the optoelectronic circuit 30.
  • the conductive track 46 can be metallic or made of a non-metallic electrically conductive material, in particular monocrystalline or polycrystalline doped silicon.
  • Each programmable element 40 once programmed is in one of the first or second configurations. In the first configuration, track 46 is not interrupted and connects the two pads 42, 44.
  • track 46 is interrupted and does not connect the two pads 42, 44.
  • the programmable element 40 forms a memory cell of a once programmable memory or OTP memory (English acronym for One Time Programmable).
  • OTP memory English acronym for One Time Programmable
  • the track 46 of the programmable element 40 of each memory cell is not interrupted so that the programmable element 40 is in the first configuration. This corresponds to the storage in the memory cell of binary data in a first state. Calibration operations can then be carried out for the optoelectronic device.
  • the programming step comprises, for some of the memory cells, interrupting the track 46 of the programmable element 40 of the memory cell to bring the programmable element 40 into the second configuration. This corresponds to the storage in the memory cell of binary data in a second state.
  • FIG 3 is an electrical diagram of an embodiment of an OTP memory 50.
  • the OTP memory 50 comprises a row of programmable elements 40. A terminal of each programmable element 40 is connected, for example connected, to a selection rail 52. The other terminal of each programmable element 40 is connected to a read circuit, not shown, by a read rail 54.
  • the programming of the memory 50 is obtained, for each programmable element 40, by the selective destruction or not of the conductive track 46 of this programmable element 40.
  • the reading of the digital data stored in the memory 50 can be obtained by placing the rail 52 at a reference potential and by reading the potentials on the reading rails 54.
  • the OTP memory 50 may comprise an array of memory cells arranged in rows and columns.
  • the programmable element 40 is part of a system for protecting the display pixel against electrostatic discharges.
  • the track 46 of each programmable element 40 is not interrupted so that the programmable element 40 is in the first configuration.
  • the display pixel protection system is then activated.
  • the programming step comprises, by laser processing, the interruption of the track 46 of each programmable element 40. This makes it possible to render the display pixel protection system inactive.
  • Figure 4 is a top view, partial and schematic, of programmable elements 40 of the memory 50 of Figure 3 or of a protection system against electrostatic discharges.
  • the programmable elements 40 of the display pixel can be formed by conductive tracks resting on the same layer.
  • the programmable elements 40 of a pair of adjacent programmable elements are spaced apart by a distance A so that each programmable element 40 can be programmed separately from the adjacent programmable element.
  • the distance A is greater than 2 ⁇ m, preferably greater than 5 ⁇ m.
  • FIGS. 5 and 6 each represent an embodiment of an equivalent electrical diagram of a display pixel Ten comprising an ESD protection system 60.
  • the display pixel Ten comprises all the elements of the pixel display shown in Figure 1 and further comprises an ESD protection system 60 .
  • the protection system 60 aims to form a privileged path for the passage of current in the case of an ESD so as to avoid degradation of the light-emitting diodes LED of the optoelectronic circuit 30 and/or of the electronic components of the control circuit 10 .
  • the protection system 60 is electrically connected to all the electronic components of the control circuit 10 and/or of the optoelectronic circuit 30 to be protected against ESD by electrical connections 62 shown in thick lines in FIGS. 5 and 6 .
  • the protection system 60 is also connected to one of the conductive pads 16 of the display pixel Ten which can be grounded GND. According to one embodiment, the protection system 60 corresponds to a short circuit provided between one of the conductive pads 16 and the electrical connections 62 . As a variant, the protection system 60 can comprise one or more electronic components 64, for example a diode.
  • the optoelectronic circuit 30 comprises at least three light-emitting diodes LED, the light-emitting diodes LED having a common anode electrode A and comprising separate cathode electrodes K.
  • the control circuit 10 comprises, for each light-emitting diode LED, a circuit with MOS transistors C for controlling the light-emitting diode LED comprising a terminal B which is connected to the cathode K of the diode. light-emitting LED in operation .
  • control circuit 10 comprises a terminal A′ connected to the common anode electrode A of the light-emitting diodes LED in operation, a terminal GND intended in operation to receive a low reference potential, for example ground, and a VCC terminal intended to receive a high reference potential in operation.
  • the high and low potentials can be applied between the conductive pads 16 of the control circuit 10 in operation.
  • the terminals B, A', and VCC may correspond to conductive tracks 22 present in the stack 20 of the electronic circuit 10.
  • the protection system 60 comprises programmable elements 40 connected in series with the conductive tracks 62. Before programming, all the programmable elements 40 are in the first configuration so that they behave like closed switches. After programming, all programmable elements 40 are in the second configuration so that they behave like open switches. Programmable elements 40 are located in the path of conductive tracks 62 at locations where an interruption of the electrical path is desired after programming.
  • the protection system 60 is connected to terminals B, A ', and VCC of the display pixel Pix, for example by conductive tracks of one of the metallization levels of the electronic circuit 10 and the protection system 60 is connected to the GND terminal.
  • the programming step results in the interruption of the electrical connections 62 between the terminals B, A′, and VCC.
  • the protection system 60 is connected to terminals A and K of the display pixel Pix for example by the conductive elements of the optoelectronic circuit 30 and the protection system 60 is connected to the GND terminal of the display pixel Pix.
  • the protection system 60 can also be connected to the VCC terminal of the display pixel Pix, for example by conductive tracks of one of the metallization levels of the electronic circuit to ensure that all the possible paths of current flow during electrostatic discharges are protected.
  • the programming step causes, for each display pixel Pix, the interruption of the electrical connections 62 between the terminals A and K.
  • Figure 7 is a sectional view, partial and schematic, of an embodiment of a processing system 70 of the display pixel Pix of Figure 1.
  • the processing system 70 comprises a laser source 71 and an optical focusing device 72 having an optical axis D.
  • the source 71 is adapted to supply an incident laser beam 73 to the focusing device 72 which supplies a convergent laser beam 74 .
  • the optical focusing device 72 can comprise an optical component, two optical components or more than two optical components, an optical component corresponding for example to a lens.
  • the incident laser beam 73 is substantially collimated along the optical axis D of the optical device 72.
  • FIG. 7 shows a region 75 of the display pixel Pix comprising the programmable elements to be programmed.
  • the laser must pass through a portion 76, hereinafter called the substrate, of the display pixel Pix and possibly of a support to which the display pixel Pix is attached.
  • the substrate 76 comprises a face 77 receiving the laser beam.
  • face 77 is flat and polished.
  • the processing is carried out while the display pixel Pix is not fixed to a support on the side of the control circuit 10.
  • the face 77 can correspond to the face 12 of the electronic circuit 10 and the processing of the display pixel Pix is preferably carried out on the side of the face 12 of the electronic circuit 10.
  • the processing is carried out while the display pixel Pix is fixed to a support of the side of the control circuit 10.
  • the processing of the display pixel Ten can be carried out on the side of the face 12 of the control circuit 10, through the support on which the electronic circuit 10 rests or can be carried out at the through the optoelectronic circuit 30.
  • the thickness of the substrate 76 is between 50 ⁇ m and 3 mm.
  • an antireflection layer is provided on the exposure face 77.
  • the substrate 76 may comprise at least one semiconductor material, for example silicon, in particular monocrystalline silicon, and/or at least an electrically insulating material, and/or at least one electrically conductive material.
  • the treatment corresponds to the exposure of parts of the region to be treated 75 so as to allow, for each exposed part, the destruction of the programmable element located in this part.
  • the laser power can be adapted so as to be high enough to destroy the programmable element, and low enough not to damage neighboring elements.
  • the wavelength of the laser beam 74 supplied by the processing system 70 is greater than the wavelength corresponding to the band gap (bandgap) of the material mainly making up the substrate 76 , preferably at least 500 nm, more preferably at least 700 nm. This advantageously makes it possible to reduce the interactions between the laser beam 74 and the substrate 76 when the laser beam 74 passes through the substrate 76.
  • the wavelength of the laser beam 74 supplied by the system treatment 70 is not greater than the wavelength corresponding to the band gap (bandgap) of the material making up the substrate 76, preferably more than 2500 nm. this advantageously makes it possible to more easily supply a laser beam forming a laser spot of small dimensions.
  • the wavelength of the laser beam 74 is chosen equal to about 2 ⁇ m.
  • the wavelength of the laser beam 74 is chosen equal at about 2 pm or 2.35 pm.
  • the laser beam 74 is polarized. According to one embodiment, the laser beam 74 is polarized according to a rectilinear polarization. This advantageously makes it possible to improve the interactions of the laser beam 74 with the region to be treated 75. According to another embodiment, the laser beam 74 is polarized according to a circular polarization. This advantageously makes it possible to promote the propagation of the laser beam 74 in the substrate 76.
  • the laser beam 74 is emitted by the processing system 70 in the form of one pulse, two pulses or more than two pulses, each pulse having a duration between 0.1 ps and 1000 ps.
  • the peak power of the laser beam for each pulse is between 300 kW and 100 MW.
  • the fact of using longer pulses than pulses of duration strictly less than 100 femtoseconds makes it possible to reduce the peak power of the laser beam 74 and therefore to reduce the nonlinear interactions of the laser beam 74 with the substrate 76.
  • using pulses shorter than nanosecond pulses avoids unwanted heating outside the region to be treated 75 likely to cause deterioration of the layers adjacent to the region to be treated 75.
  • the programming processing of the display pixel can be implemented once tests have been performed on the display pixel.
  • OTP memory display and programming may depend on test result.
  • the tests can comprise a measurement of display properties of the display pixel, for example the white balance, and the data or data written in the OTP memory depends on the measurements carried out.
  • the display properties of the display pixel are modified according to the data written in the OTP memory which can be read by the control circuit.
  • the display pixel programming process may be implemented once the display pixel is placed on the final support.
  • ESD protection is achieved throughout manipulation of the display pixel.
  • the electrostatic discharge protection system since the electrostatic discharge protection system is rendered inactive after the programming processing, the electrostatic discharge protection system can essentially comprise conductive tracks and be of reduced dimensions.
  • FIG. 8 is a partial and schematic sectional view of a more detailed embodiment of the display pixel Ten.
  • the control circuit 10 of the display pixel Pix comprises from bottom to top in FIG. 8:
  • the semiconductor substrate for example monocrystalline silicon, an insulating layer 78 on the side of the lower face 12 and the two conductive pads 16;
  • the stack 20 of insulating layers for example silicon oxide and/or silicon nitride, covering the substrate 18 and the conductive tracks 22 with several levels of metallization formed between the insulating layers of the stack 20 including in particular pads 82 exposed on the upper face 14 of the electronic circuit 10, the conductive tracks 22 of the first metallization level possibly being made of polycrystalline silicon and forming in particular the gates of the MOS transistors 80 and the conductive tracks 22 of the other metallization levels possibly being metal tracks, for example aluminum, silver, copper or zinc; and
  • TSV Through Silicon Vias
  • the optoelectronic circuit 30 of the display pixel Pix comprises from bottom to top in FIG. 8:
  • the support 32 comprising a lower face 86 in contact with the upper face 14 and comprising conductive pads 88 exposed on the lower face 86, in contact with the pads 82, and a multilayer insulating structure 92, for example made of silicon oxide and silicon nitride, extending between the studs 88 and covering the studs 88 and comprising openings 93 exposing portions of the studs 88;
  • each wire 94 being in contact with one of the pads 88 through one of the openings 93;
  • a shell 98 comprising a stack of semiconductor layers covering an upper portion of each wire 94 and extending over the insulating layer 96 between the wires 94, the shell 98 comprising in particular an active layer which is the layer from which the majority is emitted radiation supplied by the light-emitting diode and comprising for example confinement means, such as multiple quantum wells;
  • the electrode layer 102 being adapted to allow the electromagnetic radiation emitted to pass by light-emitting diodes and being composed of a transparent and conductive material such as indium-tin oxide (or ITO, English acronym for Indium Tin Oxide), zinc oxide doped with aluminum or gallium, or graphene;
  • ITO indium-tin oxide
  • ITO Indium Tin Oxide
  • each photoluminescent block 34 covering certain sets of light-emitting diodes LED or blocks transparent to the radiation emitted by the light-emitting diodes, each photoluminescent block comprising phosphors adapted, when they are excited by the light emitted by the associated LED light-emitting diodes, to emit light at a wavelength different from the wavelength of the light emitted by the associated LED light-emitting diodes ;
  • a protective layer 108 covering the insulating layers 106, the side faces of the blocks 34 and the electrode layer 102 between the blocks 104;
  • each wall 110 possibly comprising a core 112 surrounded by a coating 114 reflecting the wavelength of the radiation emitted by the photoluminescent blocks 34 and/or the light-emitting diodes LED;
  • a color filter 116 covering at least some of the photoluminescent blocks 34;
  • Each wire 94 has for example an average diameter, corresponding for example to the diameter of the disc having the same area as the cross section of the wire 94, comprised between 5 nm and 5 ⁇ m, preferably between 100 nm and 2 ⁇ m, more preferentially between 200 nm and 1.5 ⁇ m and a height greater than or equal to greater than 1 time, preferably greater than or equal to 3 times and even more preferably greater than or equal to 5 times the mean diameter, in particular greater than 500 nm, preferably comprised between 1 pm and 50 pm.
  • Wires 94 comprise at least one semiconductor material.
  • the semiconductor material can be silicon, germanium, silicon carbide, a II IV compound, for example GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN or AlInGaN, a compound II-VI or a combination of at least two of these compounds.
  • the light-emitting diodes LED are suitable for emitting blue light, that is to say radiation whose wavelength is in the range from 430 nm to 490 nm.
  • the first wavelength corresponds to green light and is in the range of 510 nm to 570 nm.
  • the second wavelength corresponds to red light and is in the range of 600 nm to 720 nm.
  • the light-emitting diodes LED are for example adapted to emit radiation in the ultraviolet.
  • the first wavelength corresponds to blue light and is in the range of 430 nm to 490 nm.
  • the second wavelength corresponds to green light and is in the range of 510 nm to 570 nm.
  • the third wavelength corresponds to red light and is in the range of 600 nm to 720 nm.
  • a light-emitting diode display pixel comprising pyramids of micrometric or nanometric size, a pyramid being a three-dimensional structure of which a part is of elongated pyramidal or conical shape.
  • This pyramidal structure can be truncated, that is to say that the top of the cone is absent, giving way to a plateau.
  • the base of the pyramid is inscribed in a polygon whose dimension of the sides is from 100 nm to 10 ⁇ m, preferably between 1 and 3 ⁇ m.
  • the polygon forming the base of the pyramid can be a hexagon.
  • the height of the pyramid between the base of the pyramid and the apex or the summit plateau varies from 100 nm to 20 ⁇ m, preferentially between 1 ⁇ m and 10 ⁇ m. Furthermore, even if embodiments have been described in the case of display pixels with light-emitting diodes comprising microwires or nanowires, it is clear that these embodiments can relate to a display pixel with planar light-emitting diodes. wherein each light-emitting diode is formed by a stack of planar semiconductor layers.

Abstract

The present invention relates to a method for treating a region (75) of an optoelectronic device (Pix) additionally comprising a substrate (76) adjacent to the region to be treated (75). In the region to be treated, the optoelectronic device comprises programmable elements designed to be modified when they are exposed to a laser beam. The method comprises exposing at least one of the programmable elements to the laser beam focused through the substrate.

Description

DESCRIPTION DESCRIPTION
Procédé de traitement d'un dispositif optoélectroniqueMethod for processing an optoelectronic device
La présente demande de brevet revendique la priorité de la demande de brevet français FR20/08792 qui sera considérée comme faisant partie intégrante de la présente description. This patent application claims the priority of the French patent application FR20/08792 which will be considered as forming an integral part of the present description.
Domaine technique Technical area
[0001] La présente description concerne de façon générale un procédé de traitement d'un dispositif optoélectronique, notamment un procédé de modification du dispositif optoélectronique après sa fabrication. [0001] This description relates generally to a process for processing an optoelectronic device, in particular a process for modifying the optoelectronic device after its manufacture.
Technique antérieure Prior technique
[0002] Par dispositifs optoélectroniques, on entend des dispositifs adaptés pour effectuer la conversion d'un signal électrique en un rayonnement électromagnétique ou inversement, et notamment des dispositifs dédiés à la détection, la mesure ou l'émission d'un rayonnement électromagnétique. Un exemple d'application concerne un écran d'affichage comprenant un support sur lequel sont fixés des dispositifs optoélectroniques distincts, chaque dispositif optoélectronique comprenant au moins une diode électroluminescente pour l'émission de signaux relatifs à un pixel d'image. Un autre exemple d'application concerne un capteur d'images comprenant un support sur lequel sont fixés individuellement des dispositifs optoélectroniques, chaque dispositif optoélectronique comprenant au moins une photodiode pour la capture de signaux relatifs à un pixel d ' image . [0002] By optoelectronic devices, we mean devices suitable for performing the conversion of an electrical signal into electromagnetic radiation or vice versa, and in particular devices dedicated to the detection, measurement or emission of electromagnetic radiation. An application example relates to a display screen comprising a support on which separate optoelectronic devices are fixed, each optoelectronic device comprising at least one light-emitting diode for the emission of signals relating to an image pixel. Another application example relates to an image sensor comprising a support on which optoelectronic devices are individually fixed, each optoelectronic device comprising at least one photodiode for capturing signals relating to an image pixel.
[0003] Pour certaines applications, il est nécessaire de prévoir une étape de modification du dispositif optoélectronique après sa fabrication. [0003] For certain applications, it is necessary to provide a step for modifying the optoelectronic device after its manufacture.
[0004] Un premier exemple d'application correspond au cas d'un dispositif optoélectronique pour lequel une opération d'étalonnage peut être mise en oeuvre après la fabrication du dispositif optoélectronique, l'opération d'étalonnage pouvant entraîner une modification de paramètres de fonctionnement du dispositif optoélectronique. A titre d'exemple, pour un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes pour l'affichage d'un pixel d'image, l'opération d'étalonnage peut permettre le réglage de la balance des blancs du dispositif optoélectronique. [0004] A first example of application corresponds to the case of an optoelectronic device for which an operation calibration can be implemented after the manufacture of the optoelectronic device, the calibration operation possibly leading to a modification of operating parameters of the optoelectronic device. By way of example, for an optoelectronic device comprising light-emitting diodes for displaying an image pixel, the calibration operation can allow adjustment of the white balance of the optoelectronic device.
[0005] Dans ce but, il est connu de prévoir une mémoire dans le dispositif optoélectronique dans laquelle peuvent être écrites des données après l'opération d'étalonnage pour modifier le fonctionnement du dispositif optoélectronique. Pour réaliser l'opération d'écriture dans la mémoire du dispositif optoélectronique, il peut alors être nécessaire de prévoir sur le dispositif optoélectronique des bornes d'accès à cette mémoire. Toutefois, les dimensions souhaitées du dispositif optoélectronique peuvent ne pas permettre la présence de bornes d'accès supplémentaires en plus de celles prévues pour le fonctionnement normal du dispositif optoélectronique . [0005] For this purpose, it is known to provide a memory in the optoelectronic device in which data can be written after the calibration operation to modify the operation of the optoelectronic device. To perform the write operation in the memory of the optoelectronic device, it may then be necessary to provide access terminals to this memory on the optoelectronic device. However, the desired dimensions of the optoelectronic device may not allow the presence of additional access terminals in addition to those provided for the normal operation of the optoelectronic device.
[0006] Un deuxième exemple d'application correspond au cas où le dispositif optoélectronique comprend un système de protection du dispositif optoélectronique contre les décharges électrostatiques (ESD, sigle anglais pour Electrostatic Discharge) , notamment les décharges électrostatiques susceptibles de se produire au cours du procédé de fabrication et de manipulation du dispositif optoélectronique. En effet, selon la structure du système de protection, il peut être nécessaire de prévoir une étape de désactivation du système de protection une fois que le dispositif optoélectronique est mis en place pour que le dispositif optoélectronique fonctionne normalement. [0007] Pour réaliser l'étape de désactivation du système de protection, il peut alors être nécessaire de prévoir des bornes d'accès spécifiques sur le dispositif optoélectronique. Toutefois, les dimensions souhaitées du dispositif optoélectronique peuvent ne pas permettre la présence de bornes d'accès supplémentaires en plus de celles prévues pour le fonctionnement normal du dispositif optoélectronique. Résumé de l'invention [0006] A second example of application corresponds to the case where the optoelectronic device comprises a system for protecting the optoelectronic device against electrostatic discharges (ESD, acronym for Electrostatic Discharge), in particular electrostatic discharges likely to occur during the process. manufacturing and handling of the optoelectronic device. Indeed, depending on the structure of the protection system, it may be necessary to provide a step for deactivating the protection system once the optoelectronic device is in place for the optoelectronic device to operate normally. [0007] To perform the step of deactivating the protection system, it may then be necessary to provide specific access terminals on the optoelectronic device. However, the desired dimensions of the optoelectronic device may not allow the presence of additional access terminals in addition to those provided for the normal operation of the optoelectronic device. Summary of the invention
[0008] Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés de traitement des dispositifs optoélectroniques décrits précédemment, notamment les procédés de modification des dispositifs optoélectroniques après leur fabrication. [0008] One embodiment overcomes all or part of the drawbacks of the methods for treating optoelectronic devices described above, in particular the methods for modifying optoelectronic devices after their manufacture.
[0009] Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique ne comprend pas de bornes d'accès spécifiques pour réaliser le traitement du dispositif optoélectronique . [0009]According to one embodiment, the optoelectronic device does not include specific access terminals for carrying out the processing of the optoelectronic device.
[0010] Un mode de réalisation prévoit un procédé de traitement d'une région d'un dispositif optoélectronique comprenant en outre un substrat adjacent à la région à traiter, le dispositif optoélectronique comprenant, dans la région à traiter, des éléments programmables configurés pour être modifiés lorsqu'ils sont exposés à un faisceau laser, le procédé comprenant l'exposition d'au moins l'un des éléments programmables au faisceau laser focalisé au travers du substrat . One embodiment provides a method for processing a region of an optoelectronic device further comprising a substrate adjacent to the region to be processed, the optoelectronic device comprising, in the region to be processed, programmable elements configured to be modified when exposed to a laser beam, the method comprising exposing at least one of the programmable elements to the focused laser beam through the substrate.
[0011] Selon un mode de réalisation, chaque élément programmable comprend une piste conductrice, le procédé comprenant l'interruption de la piste conductrice d'au moins l'un des éléments programmables par le faisceau laser focalisé. According to one embodiment, each programmable element comprises a conductive track, the method comprising the interruption of the conductive track of at least one of the programmable elements by the focused laser beam.
[0012] Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une mémoire une fois programmable comprenant les éléments programmables, le procédé comprenant l'exposition d'une partie desdits éléments programmables au faisceau laser focalisé. [0012] According to one embodiment, the optoelectronic device comprises a once-programmable memory comprising the programmable elements, the method comprising exposing a portion of said programmable elements to the focused laser beam.
[0013] Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend un système de protection contre des décharges électrostatiques comprenant les éléments programmables, le procédé comprenant l'exposition de tous les éléments programmables au faisceau laser focalisé. [0013] According to one embodiment, the optoelectronic device comprises an electrostatic discharge protection system comprising the programmable elements, the method comprising exposing all the programmable elements to the focused laser beam.
[0014] Selon un mode de réalisation, le système de protection comprend un circuit d'interconnexion de composants électroniques et de composants optoélectroniques par l'intermédiaire des éléments programmables. According to one embodiment, the protection system comprises an interconnection circuit of electronic components and optoelectronic components via programmable elements.
[0015] Selon un mode de réalisation, les pistes conductrices sont métalliques ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment du silicium dopé monocristallin ou polycristallin. According to one embodiment, the conductive tracks are metallic or made of a non-metallic electrically conductive material, in particular monocrystalline or polycrystalline doped silicon.
[0016] Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend des diodes électroluminescentes et/ou des photodiodes. According to one embodiment, the optoelectronic device comprises light-emitting diodes and/or photodiodes.
[0017] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend l'exposition du dispositif optoélectronique à une impulsion du faisceau laser focalisé, la durée de ladite au moins une impulsion étant comprise entre 0,1 ps et 1000 ps . According to one embodiment, the method comprises exposing the optoelectronic device to a pulse of the focused laser beam, the duration of said at least one pulse being between 0.1 ps and 1000 ps.
[0018] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend l'exposition du dispositif optoélectronique à ladite au moins une impulsion du faisceau laser focalisé avec une puissance crête comprise entre 300 kW et 100 MW. According to one embodiment, the method comprises exposing the optoelectronic device to said at least one pulse of the focused laser beam with a peak power of between 300 kW and 100 MW.
[0019] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend l'exposition du dispositif optoélectronique à ladite au moins une impulsion du faisceau laser focalisé avec une longueur d'onde comprise entre 1,2 pm et 4 pm. [0020] Selon un mode de réalisation, le matériau composant le substrat est semiconducteur. According to one embodiment, the method comprises exposing the optoelectronic device to said at least one pulse of the focused laser beam with a wavelength of between 1.2 μm and 4 μm. According to one embodiment, the material making up the substrate is semiconductor.
[0021] Selon un mode de réalisation, le substrat est en silicium, en germanium, ou en un mélange ou alliage de ces composés . [0021] According to one embodiment, the substrate is made of silicon, germanium, or a mixture or alloy of these compounds.
[0022] Un mode de réalisation prévoit également un dispositif optoélectronique comprenant un substrat et des éléments programmables dans un empilement reposant sur le substrat, au moins l'un des éléments programmables ayant été modifié par un faisceau laser focalisé au travers du substrat. [0022] One embodiment also provides an optoelectronic device comprising a substrate and programmable elements in a stack resting on the substrate, at least one of the programmable elements having been modified by a laser beam focused through the substrate.
[0023] Selon un mode de réalisation, chaque élément programmable comprend une piste conductrice, la piste conductrice d'au moins l'un des éléments programmables ayant été interrompue par le faisceau laser focalisé. According to one embodiment, each programmable element comprises a conductive track, the conductive track of at least one of the programmable elements having been interrupted by the focused laser beam.
[0024] Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une mémoire une fois programmable comprenant les éléments programmables, une partie desdits éléments programmables ayant été modifiée par le faisceau laser focalisé. According to one embodiment, the optoelectronic device comprises a once-programmable memory comprising the programmable elements, a part of said programmable elements having been modified by the focused laser beam.
[0025] Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend un système de protection contre des décharges électrostatiques comprenant les éléments programmables, le système de protection étant activé lorsque tous les éléments programmables ne sont pas modifiés par le faisceau laser focalisé. According to one embodiment, the optoelectronic device comprises a protection system against electrostatic discharges comprising the programmable elements, the protection system being activated when all the programmable elements are not modified by the focused laser beam.
Brève description des dessins Brief description of the drawings
[0026] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : [0027] la figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes ; These characteristics and advantages, as well as others, will be explained in detail in the following description of particular embodiments made on a non-limiting basis in relation to the attached figures, among which: Figure 1 is a sectional view, partial and schematic, of an embodiment of an optoelectronic device with light-emitting diodes;
[0028] la figure 2 est une vue de dessus d'un élément programmable du dispositif optoélectronique représenté en figure 1 ; Figure 2 is a top view of a programmable element of the optoelectronic device shown in Figure 1;
[0029] la figure 3 représente un schéma électronique d'une mémoire programmable une fois ; FIG. 3 represents an electronic diagram of a once programmable memory;
[0030] la figure 4 est une vue de dessus d'éléments programmables de la mémoire programmable une fois représentée en figure 3 ; Figure 4 is a top view of programmable elements of the programmable memory once shown in Figure 3;
[0031] la figure 5 représente un schéma électrique équivalent d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant un système de protection contre les décharges électrostatiques ; [0031] FIG. 5 represents an equivalent circuit diagram of an embodiment of an optoelectronic device with light-emitting diodes comprising a protection system against electrostatic discharges;
[0032] la figure 6 représente un schéma électrique équivalent d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant un système de protection contre les décharges électrostatiques ; [0032] FIG. 6 represents an equivalent circuit diagram of another embodiment of an optoelectronic device with light-emitting diodes comprising a protection system against electrostatic discharges;
[0033] la figure 7 illustre un mode de réalisation d'un système de traitement d'un dispositif optoélectronique au laser ; et [0033] FIG. 7 illustrates an embodiment of a system for processing a laser optoelectronic device; and
[0034] la figure 8 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé de la structure d'un pixel d'affichage. [0034] FIG. 8 is a partial and schematic sectional view of a more detailed embodiment of the structure of a display pixel.
Description des modes de réalisation Description of embodiments
[0035] De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits de commandes de pixels d'affichage sont bien connus de la personne du métier et ne sont pas décrits en détail. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. The same elements have been designated by the same references in the different figures. In particular, the structural and/or functional elements common to the different embodiments may have the same references and may have structural properties, identical dimensions and materials. For the sake of clarity, only the steps and elements useful for understanding the embodiments described have been represented and are detailed. In particular, display pixel control circuits are well known to those skilled in the art and are not described in detail. Unless otherwise specified, when reference is made to two elements connected together, this means directly connected without intermediate elements other than conductors, and when reference is made to two elements connected (in English "coupled") between them, this means that these two elements can be connected or be linked through one or more other elements.
[0036] Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". [0036] In the following description, when reference is made to absolute position qualifiers, such as the terms "front", "rear", "up", "down", "left", "right", etc., or relative, such as the terms "above", "below", "upper", "lower", etc., or to qualifiers of orientation, such as the terms "horizontal", "vertical", etc. ., unless otherwise specified, reference is made to the orientation of the figures or to an optoelectronic device in a normal position of use. Unless specified otherwise, the expressions “about”, “approximately”, “substantially”, and “of the order of” mean to within 10%, preferably within 5%. Further, the terms "insulating" and "conductive" herein are understood to mean "electrically insulating" and "electrically conducting", respectively.
[0037] Des modes de réalisation vont être décrits dans le cas d'un dispositif optoélectronique utilisé pour l'affichage d'un pixel d'image, et en particulier un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre pour un dispositif optoélectronique utilisé pour l'acquisition d'un pixel d'image, et en particulier un dispositif optoélectronique comprenant des photodiodes. Embodiments will be described in the case of an optoelectronic device used for displaying an image pixel, and in particular an optoelectronic device comprising light-emitting diodes. However, it is clear that these embodiments can be implemented for an optoelectronic device used for the acquisition of an image pixel, and in particular an optoelectronic device comprising photodiodes.
[0038] Un pixel d'une image correspond à l'élément unitaire de l'image affichée par un écran d'affichage. Un dispositif optoélectronique permettant l'affichage d'un pixel d'image est appelé par la suite pixel d'affichage. Lorsque l'écran d'affichage est un écran d'affichage d'images couleur, il comprend en général pour l'affichage de chaque pixel d'image au moins trois composants d'émission et/ou de régulation de l'intensité lumineuse, également appelés sous-pixels d'affichage, qui émettent chacun un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur (par exemple, le rouge, le vert et le bleu) . La superposition des rayonnements émis par ces trois sous-pixels d'affichage fournit à l'observateur la sensation colorée correspondant au pixel de l'image affichée. On appelle dans ce cas pixel d'affichage de l'écran d'affichage l'ensemble formé par les trois sous-pixels d'affichage utilisés pour l'affichage d'un pixel d'une image. Lorsque l'écran d'affichage est un écran d'affichage d'images monochromes, il comprend en général une seule source lumineuse pour l'affichage de chaque pixel d'image. A pixel of an image corresponds to the unitary element of the image displayed by a display screen. An optoelectronic device allowing the display of an image pixel is referred to below as a display pixel. When the display screen is a color image display screen, it generally comprises for the display of each image pixel at least three emission and/or light intensity regulation components, also called display sub-pixels, which each emit light radiation substantially in a single color (eg, red, green, and blue). The superposition of the radiation emitted by these three display sub-pixels provides the observer with the colored sensation corresponding to the pixel of the displayed image. In this case, the display pixel of the display screen is called the set formed by the three display sub-pixels used for the display of a pixel of an image. When the display screen is a monochrome image display screen, it generally comprises a single light source for displaying each image pixel.
[0039] La figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un pixel d'affichage Pix. Un écran d'affichage peut comprendre de 10 à 109 pixels d'affichage Pix. Chaque pixel d'affichage Pix peut occuper en vue de dessus une surface comprise entre 1 pm2 et 100 mm2. L'épaisseur de chaque pixel d'affichage Pix peut être comprise entre 1 pm et 6 mm. Figure 1 is a sectional view, partial and schematic, of an embodiment of a display pixel Pix. A display screen can comprise from 10 to 10 9 display pixels Pix. Each display pixel Pix can occupy, in plan view, a surface comprised between 1 μm 2 and 100 mm 2 . The thickness of each display pixel Pix can be between 1 μm and 6 mm.
[0040] Le pixel d'affichage Pix comprend du bas vers le haut en figure 1 : [0040] The display pixel Pix comprises from bottom to top in FIG. 1:
- un circuit électronique 10, appelé circuit de commande par la suite ; et - un circuit optoélectronique 30. - An electronic circuit 10, called control circuit hereafter; and - an optoelectronic circuit 30.
[0041] Le circuit de commande 10 comprend une face inférieure 12 et une face supérieure 14 opposée à la face inférieure 12, les faces 12 et 14 étant de préférence parallèles. Le circuit de commande 10 comprend en outre des plots conducteurs 16 sur la face inférieure 12. Le circuit de commande 10 peut comprendre un substrat semiconducteur 18, un empilement 20 de couches isolantes recouvrant le substrat 18 et des pistes conductrices 22 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement 20 et connectées par des vias conducteurs non représentés. Le circuit de commande 10 peut en outre comprendre des composants électroniques, non représentés en figure 1, notamment des transistors, formés dans et/ou sur le substrat 18. Une couche isolante, non représentée, peut recouvrir le substrat semiconducteur 18 du côté opposé à l'empilement 20 et délimiter la face inférieure 12 du circuit de commande 10. Le circuit de commande 10 peut en outre comprendre des vias conducteurs traversants, non représentés, s'étendant dans le substrat 18, sur toute l'épaisseur du substrat 18, et isolés électriquement du substrat, et permettant de relier électriquement les plots 16 à la face avant du substrat 18. Le substrat semiconducteur 18 est, par exemple, un substrat en silicium, notamment en silicium monocristallin. Les composants électroniques peuvent alors comprendre des transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS (Metal-Oxide Semiconductor) . Selon un autre mode de réalisation, le substrat 18 peut correspondre à un substrat non semiconducteur. Selon un mode de réalisation, les composants électroniques peuvent comprendre des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT (sigle anglais pour Thin-Film Transistor) , le substrat 18 pouvant alors ne pas être présent. [ 0042 ] Le circuit optoélectronique 30 est fixé à la face supérieure 14 du circuit de commande 10 . A titre de variante, notamment lorsque les composants électroniques comprennent des transistors en couches minces , également appelés transistors TFT , le circuit de commande 10 peut être formé directement sur le circuit optoélectronique 30 . The control circuit 10 comprises a lower face 12 and an upper face 14 opposite the lower face 12, the faces 12 and 14 preferably being parallel. The control circuit 10 further comprises conductive pads 16 on the lower face 12. The control circuit 10 may comprise a semiconductor substrate 18, a stack 20 of insulating layers covering the substrate 18 and conductive tracks 22 of several metallization levels. formed between the insulating layers of the stack 20 and connected by conductive vias, not shown. Control circuit 10 may further comprise electronic components, not shown in FIG. 1, in particular transistors, formed in and/or on substrate 18. An insulating layer, not shown, may cover semiconductor substrate 18 on the side opposite to the stack 20 and delimit the lower face 12 of the control circuit 10. The control circuit 10 can also comprise through conductive vias, not shown, extending in the substrate 18, over the entire thickness of the substrate 18, and electrically insulated from the substrate, and making it possible to electrically connect the pads 16 to the front face of the substrate 18. The semiconductor substrate 18 is, for example, a silicon substrate, in particular monocrystalline silicon. The electronic components can then comprise insulated-gate field-effect transistors, also called MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistors. According to another embodiment, substrate 18 may correspond to a non-semiconductor substrate. According to one embodiment, the electronic components may comprise thin film transistors, also called TFT transistors (abbreviation for Thin-Film Transistor), the substrate 18 then possibly not being present. [0042] The optoelectronic circuit 30 is fixed to the upper face 14 of the control circuit 10 . As a variant, in particular when the electronic components comprise thin film transistors, also called TFT transistors, the control circuit 10 can be formed directly on the optoelectronic circuit 30 .
[ 0043 ] Le circuit optoélectronique 30 comprend un support 32 sur lequel sont formées des diodes électroluminescentes DEL, de préférence au moins trois diodes électroluminescentes . Les diodes électroluminescentes peuvent par exemple être de forme planaire , de formes filaires ou de forme pyramidale . Le circuit optoélectronique 30 peut comprendre des blocs photoluminescents 34 recouvrant les diodes électroluminescentes DEL du côté opposé au circuit de commande 10 . Chaque bloc photoluminescent 34 est en vis-à-vis d ' au moins l ' une des diodes électroluminescentes DEL . [0043] The optoelectronic circuit 30 comprises a support 32 on which are formed light-emitting diodes LEDs, preferably at least three light-emitting diodes. The light-emitting diodes can for example be of planar shape, of wire shapes or of pyramidal shape. The optoelectronic circuit 30 may comprise photoluminescent blocks 34 covering the light-emitting diodes LED on the side opposite the control circuit 10 . Each photoluminescent block 34 faces at least one of the light-emitting diodes LED.
[ 0044 ] Le circuit optoélectronique 30 comprend des éléments conducteurs 36 , situés dans le support 32 , et connectés aux électrodes des diodes électroluminescentes DEL . Le circuit optoélectronique 30 est relié électriquement au circuit de commande 10 par des plots conducteurs , qui peuvent correspondre aux éléments conducteurs 36 , et qui sont au contact de plots conducteurs du circuit de commande 10 . [0044] The optoelectronic circuit 30 comprises conductive elements 36, located in the support 32, and connected to the electrodes of the light-emitting diodes LED. Optoelectronic circuit 30 is electrically connected to control circuit 10 by conductive pads, which may correspond to conductive elements 36 , and which are in contact with conductive pads of control circuit 10 .
[ 0045 ] De préférence , le circuit optoélectronique 30 comprend seulement les diodes électroluminescentes DEL et les éléments conducteurs 36 de ces diodes électroluminescentes DEL et le circuit de commande 10 comprend la totalité des composants électroniques nécessaires à la commande des diodes électroluminescentes DEL du circuit optoélectronique 30 . A titre de variante , le circuit optoélectronique 30 peut également comprendre d ' autres composants électroniques en plus des diodes électroluminescentes DEL . [0046] Selon un mode de réalisation, l'opération de traitement du pixel d'affichage, mise en oeuvre après la fabrication du pixel d'affichage Pix, comprend un traitement au laser du pixel d'affichage Pix, comme cela est décrit plus en détail par la suite. Dans ce but, le pixel d'affichage Pix comprend au moins un élément programmable 40 susceptible d'être modifié par le traitement au laser. Selon un mode de réalisation, l'élément programmable 40 comprend une piste conductrice susceptible d'être interrompue par un traitement au laser. L'élément programmable 40 peut être prévu dans le circuit de commande 10. Selon un mode de réalisation, l'élément programmable 40 peut être formé au moins en partie par certaines des pistes conductrices 22, notamment par des pistes conductrices du premier niveau de métallisation du circuit de commande 10 qui peuvent être en silicium polycristallin ou par des pistes conductrices d'un autre niveau de métallisation qui peuvent être métalliques. Preferably, the optoelectronic circuit 30 comprises only the light-emitting diodes LED and the conductive elements 36 of these light-emitting diodes LED and the control circuit 10 comprises all the electronic components necessary for controlling the light-emitting diodes LED of the optoelectronic circuit 30 . As a variant, the optoelectronic circuit 30 can also comprise other electronic components in addition to the light-emitting diodes LED. [0046] According to one embodiment, the display pixel processing operation, implemented after the manufacture of the display pixel Pix, comprises laser processing of the display pixel Pix, as described below. in detail later. For this purpose, the display pixel Pix comprises at least one programmable element 40 capable of being modified by the laser treatment. According to one embodiment, the programmable element 40 comprises a conductive track capable of being interrupted by laser treatment. The programmable element 40 may be provided in the control circuit 10. According to one embodiment, the programmable element 40 may be formed at least in part by some of the conductive tracks 22, in particular by conductive tracks of the first level of metallization of the control circuit 10 which can be made of polycrystalline silicon or by conductive tracks of another level of metallization which can be metallic.
[0047] La figure 2 est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un élément programmable 40. L'élément programmable 40 comprend deux plots d'accès 42 et 44 et une piste conductrice 46 s'étendant entre les deux plots d'accès. Les plots d'accès 42 et 44 et la piste conductrice 46 peuvent correspondre à des pistes conductrices 22 du circuit de commande 10 et/ou à des éléments conducteurs 36 du circuit optoélectronique 30. De façon générale, la piste conductrice 46 peut être métallique ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment du silicium dopé monocristallin ou polycristallin. Chaque élément programmable 40 une fois programmé se trouve dans l'une de première ou deuxième configurations. Dans la première configuration, la piste 46 n'est pas interrompue et connecte les deux plots 42, 44. Dans la deuxième configuration, la piste 46 est interrompue et ne connecte pas les deux plots 42, 44. [0048] Selon un mode de réalisation, l'élément programmable 40 forme une cellule mémoire d'une mémoire une fois programmable ou mémoire OTP (sigle anglais pour One Time Programmable) . Dans ce mode de réalisation, après la fabrication du dispositif optoélectronique, la piste 46 de l'élément programmable 40 de chaque cellule mémoire n'est pas interrompue de sorte que l'élément programmable 40 est dans la première configuration. Ceci correspond au stockage dans la cellule mémoire d'une donnée binaire à un premier état. Des opérations d'étalonnage peuvent alors être réalisées pour le dispositif optoélectronique. L'étape de programmation comprend, pour certaines des cellules mémoire, l'interruption de la piste 46 de l'élément programmable 40 de la cellule mémoire pour amener l'élément programmable 40 dans la deuxième configuration. Ceci correspond au stockage dans la cellule mémoire d'une donnée binaire à un deuxième état. Figure 2 is a top view, partial and schematic, of an embodiment of a programmable element 40. The programmable element 40 comprises two access pads 42 and 44 and a conductive track 46 s' extending between the two access pads. The access pads 42 and 44 and the conductive track 46 can correspond to conductive tracks 22 of the control circuit 10 and/or to conductive elements 36 of the optoelectronic circuit 30. In general, the conductive track 46 can be metallic or made of a non-metallic electrically conductive material, in particular monocrystalline or polycrystalline doped silicon. Each programmable element 40 once programmed is in one of the first or second configurations. In the first configuration, track 46 is not interrupted and connects the two pads 42, 44. In the second configuration, track 46 is interrupted and does not connect the two pads 42, 44. According to one embodiment, the programmable element 40 forms a memory cell of a once programmable memory or OTP memory (English acronym for One Time Programmable). In this embodiment, after the manufacture of the optoelectronic device, the track 46 of the programmable element 40 of each memory cell is not interrupted so that the programmable element 40 is in the first configuration. This corresponds to the storage in the memory cell of binary data in a first state. Calibration operations can then be carried out for the optoelectronic device. The programming step comprises, for some of the memory cells, interrupting the track 46 of the programmable element 40 of the memory cell to bring the programmable element 40 into the second configuration. This corresponds to the storage in the memory cell of binary data in a second state.
[0049] La figure 3 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'une mémoire OTP 50. La mémoire OTP 50 comprend une rangée d'éléments programmables 40. Une borne de chaque élément programmable 40 est reliée, par exemple connectée, à un rail 52 de sélection. L'autre borne de chaque élément programmable 40 est connectée à un circuit de lecture, non représenté, par un rail de lecture 54. La programmation de la mémoire 50 est obtenue, pour chaque élément programmable 40, par la destruction sélective ou non de la piste conductrice 46 de cet élément programmable 40. En fonctionnement, la lecture de la donnée numérique stockée dans la mémoire 50 peut être obtenue en mettant le rail 52 à un potentiel de référence et en lisant les potentiels sur les rails de lecture 54. A titre de variante, la mémoire OTP 50 peut comprendre une matrice de cellules mémoire agencées en rangées et en colonnes . [0050] Selon un autre mode de réalisation, l'élément programmable 40 fait partie d'un système de protection du pixel d'affichage contre les décharges électrostatiques. Dans ce mode de réalisation, après la fabrication du pixel d'affichage, la piste 46 de chaque élément programmable 40 n'est pas interrompue de sorte que l'élément programmable 40 est dans la première configuration. Le système de protection du pixel d'affichage est alors activé. L'étape de programmation comprend, par traitement au laser, l'interruption de la piste 46 de chaque élément programmable 40. Ceci permet de rendre inactif le système de protection du pixel d'affichage. Figure 3 is an electrical diagram of an embodiment of an OTP memory 50. The OTP memory 50 comprises a row of programmable elements 40. A terminal of each programmable element 40 is connected, for example connected, to a selection rail 52. The other terminal of each programmable element 40 is connected to a read circuit, not shown, by a read rail 54. The programming of the memory 50 is obtained, for each programmable element 40, by the selective destruction or not of the conductive track 46 of this programmable element 40. In operation, the reading of the digital data stored in the memory 50 can be obtained by placing the rail 52 at a reference potential and by reading the potentials on the reading rails 54. As alternatively, the OTP memory 50 may comprise an array of memory cells arranged in rows and columns. According to another embodiment, the programmable element 40 is part of a system for protecting the display pixel against electrostatic discharges. In this embodiment, after the manufacture of the display pixel, the track 46 of each programmable element 40 is not interrupted so that the programmable element 40 is in the first configuration. The display pixel protection system is then activated. The programming step comprises, by laser processing, the interruption of the track 46 of each programmable element 40. This makes it possible to render the display pixel protection system inactive.
[0051] La figure 4 est une vue de dessus, partielle et schématique, d'éléments programmables 40 de la mémoire 50 de la figure 3 ou d'un système de protection contre les décharges électrostatiques. Les éléments programmables 40 du pixel d'affichage peuvent être formés par des pistes conductrices reposant sur une même couche. Les éléments programmables 40 d'une paire d'éléments programmables adjacents sont espacés d'une distance A afin que chaque élément programmable 40 puisse être programmé séparément de l'élément programmable adjacent. Selon un mode de réalisation, la distance A est supérieure à 2 pm, de préférence supérieure à 5 pm. Selon un mode de réalisation, il n'y a pas d'autres composants électroniques ni de pistes conductrices selon la direction d'empilement des couches de l'empilement 20 au-dessus et au- dessous de la piste conductrice 46 à moins de 10 pm de la piste conductrice 46. Figure 4 is a top view, partial and schematic, of programmable elements 40 of the memory 50 of Figure 3 or of a protection system against electrostatic discharges. The programmable elements 40 of the display pixel can be formed by conductive tracks resting on the same layer. The programmable elements 40 of a pair of adjacent programmable elements are spaced apart by a distance A so that each programmable element 40 can be programmed separately from the adjacent programmable element. According to one embodiment, the distance A is greater than 2 μm, preferably greater than 5 μm. According to one embodiment, there are no other electronic components or conductive tracks along the stacking direction of the layers of the stack 20 above and below the conductive track 46 at less than 10 pm of conductive track 46.
[0052] Les figures 5 et 6 représentent chacune un mode de réalisation d'un schéma électrique équivalent d'un pixel d'affichage Dix comprenant un système de protection ESD 60. Le pixel d'affichage Dix comprend l'ensemble des éléments du pixel d'affichage représenté en figure 1 et comprend, en outre, un système 60 de protection contre les ESD . Le système de protection 60 vise à former un chemin privilégié pour le passage de courant dans le cas d ' une ESD de façon à éviter une dégradation des diodes électroluminescentes DEL du circuit optoélectronique 30 et/ou des composants électroniques du circuit de commande 10 . Le système de protection 60 est connecté électriquement à tous les composants électroniques du circuit de commande 10 et/ou du circuit optoélectronique 30 devant être protégés contre les ESD par des liaisons électriques 62 représentées en traits épais sur les figures 5 et 6 . Le système de protection 60 est en outre relié à l ' un des plots conducteurs 16 du pixel d ' af fichage Dix qui peut être mis à la masse GND . Selon un mode de réalisation, le système de protection 60 correspond à un court-circuit prévu entre l ' un des plots conducteurs 16 et les liaisons électriques 62 . A titre de variante , le système de protection 60 peut comprendre un ou plusieurs composants électroniques 64 , par exemple une diode . FIGS. 5 and 6 each represent an embodiment of an equivalent electrical diagram of a display pixel Ten comprising an ESD protection system 60. The display pixel Ten comprises all the elements of the pixel display shown in Figure 1 and further comprises an ESD protection system 60 . The protection system 60 aims to form a privileged path for the passage of current in the case of an ESD so as to avoid degradation of the light-emitting diodes LED of the optoelectronic circuit 30 and/or of the electronic components of the control circuit 10 . The protection system 60 is electrically connected to all the electronic components of the control circuit 10 and/or of the optoelectronic circuit 30 to be protected against ESD by electrical connections 62 shown in thick lines in FIGS. 5 and 6 . The protection system 60 is also connected to one of the conductive pads 16 of the display pixel Ten which can be grounded GND. According to one embodiment, the protection system 60 corresponds to a short circuit provided between one of the conductive pads 16 and the electrical connections 62 . As a variant, the protection system 60 can comprise one or more electronic components 64, for example a diode.
[ 0053 ] Dans les figures 5 et 6 , le circuit optoélectronique 30 comprend au moins trois diodes électroluminescentes DEL , les diodes électroluminescentes DEL étant à électrode d ' anode A commune et comprenant des électrodes de cathodes K distinctes . En outre , dans les figures 5 et 6 , le circuit de commande 10 comprend, pour chaque diode électroluminescente DEL, un circuit à transistors MOS C de commande de la diode électroluminescente DEL comprenant une borne B qui est connectée à la cathode K de la diode électroluminescente DEL en fonctionnement . En outre , le circuit de commande 10 comprend une borne A' connectée à l ' électrode d ' anode A commune des diodes électroluminescentes DEL en fonctionnement , une borne GND destinée en fonctionnement à recevoir un potentiel de référence bas , par exemple la masse , et une borne VCC destinée à recevoir en fonctionnement un potentiel de référence haut . Les potentiels haut et bas peuvent être appliqués entre les plots conducteurs 16 du circuit de commande 10 en fonctionnement. Selon un mode de réalisation, les bornes B, A' , et VCC peuvent correspondre à des pistes conductrices 22 présentes dans l'empilement 20 du circuit électronique 10. [0053] In FIGS. 5 and 6, the optoelectronic circuit 30 comprises at least three light-emitting diodes LED, the light-emitting diodes LED having a common anode electrode A and comprising separate cathode electrodes K. In addition, in FIGS. 5 and 6, the control circuit 10 comprises, for each light-emitting diode LED, a circuit with MOS transistors C for controlling the light-emitting diode LED comprising a terminal B which is connected to the cathode K of the diode. light-emitting LED in operation . In addition, the control circuit 10 comprises a terminal A′ connected to the common anode electrode A of the light-emitting diodes LED in operation, a terminal GND intended in operation to receive a low reference potential, for example ground, and a VCC terminal intended to receive a high reference potential in operation. The high and low potentials can be applied between the conductive pads 16 of the control circuit 10 in operation. According to one embodiment, the terminals B, A', and VCC may correspond to conductive tracks 22 present in the stack 20 of the electronic circuit 10.
[0054] Le système de protection 60 comprend des éléments programmables 40 connectés en série avec les pistes conductrices 62. Avant la programmation, tous les éléments programmables 40 sont dans la première configuration de sorte qu'ils se comportent comme des interrupteurs fermés. Après la programmation, tous les éléments programmables 40 sont dans la deuxième configuration de sorte qu'ils se comportent comme des interrupteurs ouverts. Les éléments programmables 40 sont situés sur le parcours des pistes conductrices 62 aux emplacements où une interruption du chemin électrique est souhaitée après la programmation. The protection system 60 comprises programmable elements 40 connected in series with the conductive tracks 62. Before programming, all the programmable elements 40 are in the first configuration so that they behave like closed switches. After programming, all programmable elements 40 are in the second configuration so that they behave like open switches. Programmable elements 40 are located in the path of conductive tracks 62 at locations where an interruption of the electrical path is desired after programming.
[0055] Dans le schéma électrique équivalent de la figure 5, le système de protection 60 est connecté aux bornes B, A' , et VCC du pixel d'affichage Pix, par exemple par des pistes conductrices de l'un des niveaux de métallisation du circuit électronique 10 et le système de protection 60 est connecté à la borne GND. L'étape de programmation entraîne l'interruption des liaisons électriques 62 entre les bornes B, A' , et VCC. In the equivalent electrical diagram of Figure 5, the protection system 60 is connected to terminals B, A ', and VCC of the display pixel Pix, for example by conductive tracks of one of the metallization levels of the electronic circuit 10 and the protection system 60 is connected to the GND terminal. The programming step results in the interruption of the electrical connections 62 between the terminals B, A′, and VCC.
[0056] Dans le schéma électrique équivalent de la figure 6, le système de protection 60 est connecté aux bornes A et K du pixel d'affichage Pix par exemple par les éléments conducteurs du circuit optoélectronique 30 et le système de protection 60 est connecté à la borne GND du pixel d'affichage Pix. Le système de protection 60 peut en outre être connecté à la borne VCC du pixel d'affichage Pix, par exemple par des pistes conductrices de l'un des niveaux de métallisation du circuit électronique pour assurer que tous les chemins possibles de circulation de courant lors de décharges électrostatiques sont protégés. L'étape de programmation entraîne, pour chaque pixel d'affichage Pix, l'interruption des liaisons électriques 62 entre les bornes A et K. In the equivalent electrical diagram of Figure 6, the protection system 60 is connected to terminals A and K of the display pixel Pix for example by the conductive elements of the optoelectronic circuit 30 and the protection system 60 is connected to the GND terminal of the display pixel Pix. The protection system 60 can also be connected to the VCC terminal of the display pixel Pix, for example by conductive tracks of one of the metallization levels of the electronic circuit to ensure that all the possible paths of current flow during electrostatic discharges are protected. The programming step causes, for each display pixel Pix, the interruption of the electrical connections 62 between the terminals A and K.
[0057] La figure 7 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un système de traitement 70 du pixel d'affichage Pix de la figure 1. [0057] Figure 7 is a sectional view, partial and schematic, of an embodiment of a processing system 70 of the display pixel Pix of Figure 1.
[0058] Le système de traitement 70 comprend une source laser 71 et un dispositif optique de focalisation 72 ayant un axe optique D. La source 71 est adaptée à fournir un faisceau laser incident 73 au dispositif de focalisation 72 qui fournit un faisceau laser 74 convergent. Le dispositif optique de focalisation 72 peut comprendre un composant optique, deux composants optiques ou plus de deux composants optiques, un composant optique correspondant par exemple à une lentille. De préférence, le faisceau laser incident 73 est sensiblement collimaté selon l'axe optique D du dispositif optique 72. The processing system 70 comprises a laser source 71 and an optical focusing device 72 having an optical axis D. The source 71 is adapted to supply an incident laser beam 73 to the focusing device 72 which supplies a convergent laser beam 74 . The optical focusing device 72 can comprise an optical component, two optical components or more than two optical components, an optical component corresponding for example to a lens. Preferably, the incident laser beam 73 is substantially collimated along the optical axis D of the optical device 72.
[0059] On a représenté en figure 7 une région 75 du pixel d'affichage Pix comprenant les éléments programmables à programmer. De façon générale, pour atteindre la région à traiter 75 le laser doit traverser une portion 76, appelée substrat par la suite, du pixel d'affichage Pix et éventuellement d'un support auquel est fixé le pixel d'affichage Pix. Le substrat 76 comprend une face 77 recevant le faisceau laser. De préférence, la face 77 est plane et polie. Selon un mode de réalisation, le traitement est réalisé alors que le pixel d'affichage Pix n'est pas fixé à un support du côté du circuit de commande 10. Dans ce cas, la face 77 peut correspondre à la face 12 du circuit électronique 10 et le traitement du pixel d'affichage Pix est de préférence réalisé du côté de la face 12 du circuit électronique 10. Selon un autre mode de réalisation, le traitement est réalisé alors que le pixel d'affichage Pix est fixé à un support du côté du circuit de commande 10. Dans ce cas, le traitement du pixel d'affichage Dix peut être réalisé du côté de la face 12 du circuit de commande 10, au travers du support sur lequel repose le circuit électronique 10 ou peut être réalisé au travers du circuit optoélectronique 30. FIG. 7 shows a region 75 of the display pixel Pix comprising the programmable elements to be programmed. In general, to reach the region 75 to be treated, the laser must pass through a portion 76, hereinafter called the substrate, of the display pixel Pix and possibly of a support to which the display pixel Pix is attached. The substrate 76 comprises a face 77 receiving the laser beam. Preferably, face 77 is flat and polished. According to one embodiment, the processing is carried out while the display pixel Pix is not fixed to a support on the side of the control circuit 10. In this case, the face 77 can correspond to the face 12 of the electronic circuit 10 and the processing of the display pixel Pix is preferably carried out on the side of the face 12 of the electronic circuit 10. According to another embodiment, the processing is carried out while the display pixel Pix is fixed to a support of the side of the control circuit 10. In this case, the processing of the display pixel Ten can be carried out on the side of the face 12 of the control circuit 10, through the support on which the electronic circuit 10 rests or can be carried out at the through the optoelectronic circuit 30.
[0060] Selon un mode de réalisation, l'épaisseur du substrat 76 est comprise entre 50 pm et 3 mm. Selon un mode de réalisation, une couche antireflet, non représentée, est prévue sur la face d'exposition 77. Le substrat 76 peut comprendre au moins un matériau semiconducteur, par exemple du silicium, en particulier du silicium monocristallin, et/ou au moins un matériau isolant électriquement, et/ou au moins un matériau conducteur électriquement. According to one embodiment, the thickness of the substrate 76 is between 50 μm and 3 mm. According to one embodiment, an antireflection layer, not shown, is provided on the exposure face 77. The substrate 76 may comprise at least one semiconductor material, for example silicon, in particular monocrystalline silicon, and/or at least an electrically insulating material, and/or at least one electrically conductive material.
[0061] Selon un mode de réalisation, le traitement correspond à l'exposition de parties de la région à traiter 75 de façon à permettre, pour chaque partie exposée, la destruction de l'élément programmable situé dans cette partie. La puissance laser peut être adaptée de manière à être suffisamment élevée pour détruire l'élément programmable, et suffisamment faible pour ne pas endommager les éléments voisins. According to one embodiment, the treatment corresponds to the exposure of parts of the region to be treated 75 so as to allow, for each exposed part, the destruction of the programmable element located in this part. The laser power can be adapted so as to be high enough to destroy the programmable element, and low enough not to damage neighboring elements.
[0062] Selon un mode de réalisation, la longueur d'onde du faisceau laser 74 fourni par le système de traitement 70 est supérieure à la longueur d'onde correspondant à l'écart de bandes (bandgap) du matériau composant principalement le substrat 76, de préférence d'au moins 500 nm, plus préférentiellement d'au moins 700 nm. Ceci permet de façon avantageuse de réduire les interactions entre le faisceau laser 74 et le substrat 76 lors de la traversée du substrat 76 par le faisceau laser 74. Selon un mode de réalisation, la longueur d'onde du faisceau laser 74 fourni par le système de traitement 70 n'est pas supérieure à la longueur d'onde correspondant à l'écart de bandes (bandgap) du matériau composant le substrat 76, de préférence de plus 2500 nm. Ceci permet de façon avantageuse de pouvoir fournir plus facilement un faisceau laser formant un spot laser de faibles dimensions. According to one embodiment, the wavelength of the laser beam 74 supplied by the processing system 70 is greater than the wavelength corresponding to the band gap (bandgap) of the material mainly making up the substrate 76 , preferably at least 500 nm, more preferably at least 700 nm. This advantageously makes it possible to reduce the interactions between the laser beam 74 and the substrate 76 when the laser beam 74 passes through the substrate 76. According to one embodiment, the wavelength of the laser beam 74 supplied by the system treatment 70 is not greater than the wavelength corresponding to the band gap (bandgap) of the material making up the substrate 76, preferably more than 2500 nm. this advantageously makes it possible to more easily supply a laser beam forming a laser spot of small dimensions.
[0063] Dans le cas où le substrat 76 est principalement en silicium qui a un écart de bandes de 1,14 eV, ce qui correspond à une longueur d'onde de 1,1 pm, la longueur d'onde du faisceau laser 74 est choisie égale à environ 2 pm. Dans le cas où le substrat 76 est principalement en germanium qui a un écart de bandes de 0, 661 eV, ce qui correspond à une longueur d'onde de 1,87 pm, la longueur d'onde du faisceau laser 74 est choisie égale à environ 2 pm ou 2,35 pm. [0063] In the case where the substrate 76 is mainly made of silicon which has a band gap of 1.14 eV, which corresponds to a wavelength of 1.1 μm, the wavelength of the laser beam 74 is chosen equal to about 2 μm. In the case where the substrate 76 is primarily germanium which has a band gap of 0.661 eV, which corresponds to a wavelength of 1.87 µm, the wavelength of the laser beam 74 is chosen equal at about 2 pm or 2.35 pm.
[0064] Selon un mode de réalisation, le faisceau laser 74 est polarisé. Selon un mode de réalisation, le faisceau laser 74 est polarisé selon une polarisation rectiligne. Ceci permet de façon avantageuse d'améliorer les interactions du faisceau laser 74 avec la région à traiter 75. Selon un autre mode de réalisation, le faisceau laser 74 est polarisé selon une polarisation circulaire. Ceci permet de façon avantageuse de favoriser la propagation du faisceau laser 74 dans le substrat 76. According to one embodiment, the laser beam 74 is polarized. According to one embodiment, the laser beam 74 is polarized according to a rectilinear polarization. This advantageously makes it possible to improve the interactions of the laser beam 74 with the region to be treated 75. According to another embodiment, the laser beam 74 is polarized according to a circular polarization. This advantageously makes it possible to promote the propagation of the laser beam 74 in the substrate 76.
[0065] Selon un mode de réalisation, le faisceau laser 74 est émis par le système de traitement 70 sous la forme d'une impulsion, de deux impulsions ou plus de deux impulsions, chaque impulsion ayant une durée comprise entre 0,1 ps et 1000 ps . La puissance crête du faisceau laser pour chaque impulsion est comprise entre 300 kW et 100 MW. Le fait d'utiliser des impulsions plus longues que des impulsions de durées inférieures strictement à 100 femtosecondes permet de réduire la puissance crête du faisceau laser 74 et donc de réduire les interactions non linéaires du faisceau laser 74 avec le substrat 76. Le fait d'utiliser des impulsions plus courtes que des impulsions nanosecondes permet d'éviter un échauffement indésirable en dehors de la région à traiter 75 susceptible d'entraîner une détérioration des couches voisines de la région à traiter 75. According to one embodiment, the laser beam 74 is emitted by the processing system 70 in the form of one pulse, two pulses or more than two pulses, each pulse having a duration between 0.1 ps and 1000 ps. The peak power of the laser beam for each pulse is between 300 kW and 100 MW. The fact of using longer pulses than pulses of duration strictly less than 100 femtoseconds makes it possible to reduce the peak power of the laser beam 74 and therefore to reduce the nonlinear interactions of the laser beam 74 with the substrate 76. using pulses shorter than nanosecond pulses avoids unwanted heating outside the region to be treated 75 likely to cause deterioration of the layers adjacent to the region to be treated 75.
[0066] Dans le mode de réalisation dans lequel les éléments programmables font partie d'une mémoire une fois programmable, le traitement de programmation du pixel d'affichage peut être mis en oeuvre une fois que des tests ont été réalisés sur le pixel d'affichage et la programmation de la mémoire OTP peut dépendre du résultat des tests. Selon un mode de réalisation, les tests peuvent comprendre une mesure de propriétés d'affichage du pixel d'affichage, par exemple la balance des blancs, et la donnée ou les données écrites dans la mémoire OTP dépend des mesures réalisées. En fonctionnement, les propriétés d'affichage du pixel d'affichage sont modifiées en fonction des données écrites dans la mémoire OTP qui peuvent être lues par le circuit de commande. In the embodiment in which the programmable elements are part of a once-programmable memory, the programming processing of the display pixel can be implemented once tests have been performed on the display pixel. OTP memory display and programming may depend on test result. According to one embodiment, the tests can comprise a measurement of display properties of the display pixel, for example the white balance, and the data or data written in the OTP memory depends on the measurements carried out. In operation, the display properties of the display pixel are modified according to the data written in the OTP memory which can be read by the control circuit.
[0067] Dans le mode de réalisation dans lequel les éléments programmables font partie d'un système de protection contre les décharges électrostatiques, le traitement de programmation du pixel d'affichage peut être mis en oeuvre une fois que le pixel d'affichage est placé sur le support final. De cette façon, une protection contre les décharges électrostatiques est obtenue tout au long de la manipulation du pixel d'affichage. De façon avantageuse, comme le système de protection contre les décharges électrostatiques est rendu inactif après le traitement de programmation, le système de protection contre les décharges électrostatiques peut comprendre essentiellement des pistes conductrices et être de dimensions réduites. In the embodiment in which the programmable elements are part of an electrostatic discharge protection system, the display pixel programming process may be implemented once the display pixel is placed on the final support. In this way, ESD protection is achieved throughout manipulation of the display pixel. Advantageously, since the electrostatic discharge protection system is rendered inactive after the programming processing, the electrostatic discharge protection system can essentially comprise conductive tracks and be of reduced dimensions.
[0068] La figure 8 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé du pixel d'affichage Dix. [ 0069 ] Selon un mode de réalisation, le circuit de commande 10 du pixel d ' af fichage Pix comprend de bas en haut en figure 8 : [0068] FIG. 8 is a partial and schematic sectional view of a more detailed embodiment of the display pixel Ten. [0069] According to one embodiment, the control circuit 10 of the display pixel Pix comprises from bottom to top in FIG. 8:
- le substrat semiconducteur 18 , par exemple du silicium monocristallin, une couche isolante 78 du côté de la face inférieure 12 et les deux plots conducteurs 16 ; - The semiconductor substrate 18, for example monocrystalline silicon, an insulating layer 78 on the side of the lower face 12 and the two conductive pads 16;
- des transistors MOS 80 , formés dans et sur le substrat 18 ;- MOS transistors 80, formed in and on the substrate 18;
- l ' empilement 20 de couches isolantes , par exemple en oxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium, recouvrant le substrat 18 et les pistes conductrices 22 de plusieurs niveaux de métallisation formés entre les couches isolantes de l ' empilement 20 dont notamment des plots 82 exposés sur la face supérieure 14 du circuit électronique 10 , les pistes conductrices 22 du premier niveau de métallisation pouvant être en silicium polycris tallin et former notamment les grilles des transistors MOS 80 et les pistes conductrices 22 des autres niveaux de métallisation pouvant être des pistes métalliques , par exemple en aluminium, en argent , en cuivre ou en zinc ; et - the stack 20 of insulating layers, for example silicon oxide and/or silicon nitride, covering the substrate 18 and the conductive tracks 22 with several levels of metallization formed between the insulating layers of the stack 20 including in particular pads 82 exposed on the upper face 14 of the electronic circuit 10, the conductive tracks 22 of the first metallization level possibly being made of polycrystalline silicon and forming in particular the gates of the MOS transistors 80 and the conductive tracks 22 of the other metallization levels possibly being metal tracks, for example aluminum, silver, copper or zinc; and
- des vias 84 conducteurs et isolés latéralement , également appelés TSV ( sigle anglais pour Through Silicon Vias ) traversant le substrat 18 et reliant les plots 16 à des plots 90 du premier niveau de métallisation de l ' empilement 20 . - vias 84 conductors and laterally insulated, also called TSV (English acronym for Through Silicon Vias) passing through the substrate 18 and connecting the pads 16 to pads 90 of the first level of metallization of the stack 20 .
[ 0070 ] Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 30 du pixel d ' af fichage Pix comprend de bas en haut en figure 8 : [0070] According to one embodiment, the optoelectronic circuit 30 of the display pixel Pix comprises from bottom to top in FIG. 8:
- le support 32 comprenant une face inférieure 86 au contact de la face supérieure 14 et comprenant des plots conducteurs 88 exposés sur la face inférieure 86 , au contact des plots 82 , et une structure isolante multicouches 92 , par exemple en oxyde de silicium et en nitrure de silicium, s ' étendant entre les plots 88 et recouvrant les plots 88 et comprenant des ouvertures 93 exposant des portions des plots 88 ; - the support 32 comprising a lower face 86 in contact with the upper face 14 and comprising conductive pads 88 exposed on the lower face 86, in contact with the pads 82, and a multilayer insulating structure 92, for example made of silicon oxide and silicon nitride, extending between the studs 88 and covering the studs 88 and comprising openings 93 exposing portions of the studs 88;
- des microfils ou nanofils 94, appelés fils par la suite (six fils étant représentés) , chaque fil 94 étant en contact avec l'un des plots 88 au travers de l'une des ouvertures 93 ; - microwires or nanowires 94, called son thereafter (six son being shown), each wire 94 being in contact with one of the pads 88 through one of the openings 93;
- une couche isolante 96 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque fil 94 et s'étendant sur la couche isolante 92 entre les fils 94 ; - an insulating layer 96 extending over the side flanks of a lower portion of each wire 94 and extending over the insulating layer 92 between the wires 94;
- une coque 98 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant une portion supérieure de chaque fil 94 et s'étendant sur la couche isolante 96 entre les fils 94, la coque 98 comprenant notamment une couche active qui est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente et comportant par exemple des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples ; - a shell 98 comprising a stack of semiconductor layers covering an upper portion of each wire 94 and extending over the insulating layer 96 between the wires 94, the shell 98 comprising in particular an active layer which is the layer from which the majority is emitted radiation supplied by the light-emitting diode and comprising for example confinement means, such as multiple quantum wells;
- une couche conductrice 100 et réfléchissante, s'étendant sur la coque 98 entre les fils 94 ; - A conductive layer 100 and reflective, extending over the shell 98 between the son 94;
- une couche 102 formant une électrode recouvrant, pour chaque fil 94, la coque 98 et s'étendant, en outre, sur la couche conductrice 100 entre les fils 94, la couche d'électrode 102 étant adaptée à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes et étant composée d'un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide) , de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène ; - a layer 102 forming an electrode covering, for each wire 94, the shell 98 and extending, in addition, over the conductive layer 100 between the wires 94, the electrode layer 102 being adapted to allow the electromagnetic radiation emitted to pass by light-emitting diodes and being composed of a transparent and conductive material such as indium-tin oxide (or ITO, English acronym for Indium Tin Oxide), zinc oxide doped with aluminum or gallium, or graphene;
- les blocs photoluminescents 34 recouvrant certains ensembles de diodes électroluminescentes DEL ou des blocs transparents au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes, chaque bloc photoluminescent comprenant des luminophores adaptés , lorsqu ' ils sont excités par la lumière émise par les diodes électroluminescentes DEL associées , à émettre de la lumière à une longueur d ' onde di f férente de la longueur d ' onde de la lumière émise par les diodes électroluminescentes DEL associées ; - the photoluminescent blocks 34 covering certain sets of light-emitting diodes LED or blocks transparent to the radiation emitted by the light-emitting diodes, each photoluminescent block comprising phosphors adapted, when they are excited by the light emitted by the associated LED light-emitting diodes, to emit light at a wavelength different from the wavelength of the light emitted by the associated LED light-emitting diodes ;
- une couche isolante 106 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 34 , la couche isolante 106 pouvant ne pas être présente ; - an insulating layer 106 covering the upper face of each block 34, the insulating layer 106 possibly not being present;
- une couche de protection 108 recouvrant les couches isolantes 106 , les faces latérales des blocs 34 et la couche d ' électrode 102 entre les blocs 104 ; - A protective layer 108 covering the insulating layers 106, the side faces of the blocks 34 and the electrode layer 102 between the blocks 104;
- des murs 110 entre les blocs 104 , chaque mur 110 pouvant comprendre un coeur 112 entouré d ' un revêtement 114 réfléchissant à la longueur d ' onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 34 et/ou les diodes électroluminescentes DEL ; - Walls 110 between the blocks 104, each wall 110 possibly comprising a core 112 surrounded by a coating 114 reflecting the wavelength of the radiation emitted by the photoluminescent blocks 34 and/or the light-emitting diodes LED;
- un filtre de couleur 116 recouvrant au moins certains des blocs photoluminescents 34 ; et - A color filter 116 covering at least some of the photoluminescent blocks 34; and
- une couche d ' encapsulation 118 recouvrant l ' ensemble de la structure . - A layer of encapsulation 118 covering the entire structure.
Chaque fil 94 a par exemple un diamètre moyen, correspondant par exemple au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil 94 , compris entre 5 nm et 5 pm, de préférence entre 100 nm et 2 pm, plus préférentiellement entre 200 nm et 1 , 5 pm et une hauteur supérieure ou égale supérieure à 1 fois , de préférence supérieure ou égale à 3 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 5 fois le diamètre moyen, notamment supérieure à 500 nm, de préférence comprise entre 1 pm et 50 pm . Les fils 94 comprennent au moins un matériau semiconducteur . Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de si licium, un composé I I I-V, par exemple du GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Each wire 94 has for example an average diameter, corresponding for example to the diameter of the disc having the same area as the cross section of the wire 94, comprised between 5 nm and 5 μm, preferably between 100 nm and 2 μm, more preferentially between 200 nm and 1.5 μm and a height greater than or equal to greater than 1 time, preferably greater than or equal to 3 times and even more preferably greater than or equal to 5 times the mean diameter, in particular greater than 500 nm, preferably comprised between 1 pm and 50 pm. Wires 94 comprise at least one semiconductor material. The semiconductor material can be silicon, germanium, silicon carbide, a II IV compound, for example GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN or AlInGaN, a compound II-VI or a combination of at least two of these compounds.
[0071] Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes DEL sont adaptées à émettre de la lumière bleue, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 430 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la première longueur d'onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d'onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Selon un autre mode de réalisation, les diodes électroluminescentes DEL sont par exemple adaptées à émettre un rayonnement dans l'ultraviolet. Selon un mode de réalisation, la première longueur d'onde correspond à de la lumière bleue et est dans la plage de 430 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d'onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d'onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm . According to one embodiment, the light-emitting diodes LED are suitable for emitting blue light, that is to say radiation whose wavelength is in the range from 430 nm to 490 nm. According to one embodiment, the first wavelength corresponds to green light and is in the range of 510 nm to 570 nm. According to one embodiment, the second wavelength corresponds to red light and is in the range of 600 nm to 720 nm. According to another embodiment, the light-emitting diodes LED are for example adapted to emit radiation in the ultraviolet. According to one embodiment, the first wavelength corresponds to blue light and is in the range of 430 nm to 490 nm. According to one embodiment, the second wavelength corresponds to green light and is in the range of 510 nm to 570 nm. According to one embodiment, the third wavelength corresponds to red light and is in the range of 600 nm to 720 nm.
[0072] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, le mode de réalisation dans lequel les éléments programmables font partie d'une mémoire une fois programmable et le mode de réalisation dans lequel les éléments programmables font partie d'un système de protection contre les décharges électrostatiques peuvent être combinés. Le pixel d'affichage peut alors à la fois comprendre des éléments programmables qui font partie d'une mémoire une fois programmable et des éléments programmables qui font partie d'un système ESD. [ 0073 ] Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus . En particulier, même si des modes de réalisation ont été décrits dans le cas de pixels d ' af fichage à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils , il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un pixel d ' af fichage à diodes électroluminescentes comprenant des pyramides de taille micrométrique ou nanométrique , une pyramide étant une structure tridimensionnelle dont une partie est de forme pyramidale ou conique allongée . Cette structure pyramidale peut être tronquée , c' est-à-dire que le haut du cône est absent , laissant place à un plateau . La base de la pyramide est inscrite dans un polygone dont la dimension des côtés est de 100 nm à 10 pm, préférentiellement entre 1 et 3 pm . Le polygone formant la base de la pyramide peut être un hexagone . La hauteur de la pyramide entre la base de la pyramide et le sommet ou le plateau sommital varie de 100 nm à 20 pm, préférentiellement entre 1 pm et 10 pm . En outre , même si des modes de réalisation ont été décrits dans le cas de pixels d ' af fichage à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils , il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un pixel d ' af fichage à diodes électroluminescentes planaires dans lequel chaque diode électroluminescente est formée par un empilement de couches semiconductrices planes . Various embodiments and variants have been described. Those skilled in the art will understand that certain features of these various embodiments and variations could be combined, and other variations will occur to those skilled in the art. In particular, the embodiment in which the programmable elements are part of a once-programmable memory and the embodiment in which the programmable elements are part of an electrostatic discharge protection system can be combined. The display pixel can then include both programmable elements that are part of a once programmable memory and programmable elements that are part of an ESD system. [0073] Finally, the practical implementation of the embodiments and variants described is within the abilities of those skilled in the art based on the functional indications given above. In particular, even if embodiments have been described in the case of light-emitting diode display pixels comprising microwires or nanowires, it is clear that these embodiments may relate to a light-emitting diode display pixel comprising pyramids of micrometric or nanometric size, a pyramid being a three-dimensional structure of which a part is of elongated pyramidal or conical shape. This pyramidal structure can be truncated, that is to say that the top of the cone is absent, giving way to a plateau. The base of the pyramid is inscribed in a polygon whose dimension of the sides is from 100 nm to 10 μm, preferably between 1 and 3 μm. The polygon forming the base of the pyramid can be a hexagon. The height of the pyramid between the base of the pyramid and the apex or the summit plateau varies from 100 nm to 20 μm, preferentially between 1 μm and 10 μm. Furthermore, even if embodiments have been described in the case of display pixels with light-emitting diodes comprising microwires or nanowires, it is clear that these embodiments can relate to a display pixel with planar light-emitting diodes. wherein each light-emitting diode is formed by a stack of planar semiconductor layers.

Claims

25 25
REVENDICATIONS Procédé de traitement d'une région (75) d'un dispositif optoélectronique (Pix) comprenant en outre un substrat (18 ; 76) adjacent à la région à traiter (75) , le dispositif optoélectronique comprenant, dans la région à traiter, des éléments programmables (40) configurés pour être modifiés lorsqu'ils sont exposés à un faisceau laser, le procédé comprenant l'exposition d'au moins l'un des éléments programmables au faisceau laser focalisé (74) au travers du substrat. Procédé selon la revendication 1, dans lequel chaque élément programmable (40) comprend une piste conductrice (46) , le procédé comprenant l'interruption de la piste conductrice d'au moins l'un des éléments programmables (40) par le faisceau laser focalisé (74) . Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend une mémoire une fois programmable (50) comprenant les éléments programmables (40) , le procédé comprenant l'exposition d'une partie desdits éléments programmables (40) au faisceau laser focalisé (74) . Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend un système (60) de protection contre des décharges électrostatiques comprenant les éléments programmables (40) , le procédé comprenant l'exposition de tous les éléments programmables (40) au faisceau laser focalisé (74) . Procédé selon la revendication 4, dans lequel le système de protection (60) comprend un circuit d'interconnexion de composants électroniques (C) et de composants optoélectroniques (DEL) par l'intermédiaire des éléments programmables (40) . Procédé selon la revendication 2, dans lequel les pistes conductrices (46) sont métalliques ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment du silicium dopé monocristallin ou polycristallin . Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend des diodes électroluminescentes (DEL) et/ou des photodiodes. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant l'exposition du dispositif optoélectronique (Pix) à au moins une impulsion du faisceau laser focalisé (74) , la durée de ladite au moins une impulsion étant comprise entre 0,1 ps et 1000 ps . Procédé selon la revendication 8, comprenant l'exposition du dispositif optoélectronique (Pix) à ladite au moins une impulsion du faisceau laser focalisé (74) avec une puissance crête comprise entre 300 kW et 100 MW. . Procédé selon la revendication 8 ou 9, comprenant l'exposition du dispositif optoélectronique (Pix) à ladite au moins une impulsion du faisceau laser focalisé (74) avec une longueur d'onde comprise entre 1,2 pm et 4 pm. . Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le matériau composant le substrat (18 ; 76) est semiconducteur. . Procédé selon la revendication 11, dans lequel le substrat (18 ; 76) est en silicium, en germanium, ou en un mélange ou alliage de ces composés . Dispositif optoélectronique (Pix) comprenant un substrat (18) et des éléments programmables (40) dans un empilement (20) reposant sur le substrat, au moins l'un des éléments programmables (40) ayant été modifié par un faisceau laser focalisé (74) au travers du substrat. Dispositif optoélectronique selon la revendication 13, dans lequel chaque élément programmable (40) comprend une piste conductrice (46) , la piste conductrice d'au moins l'un des éléments programmables (40) ayant été interrompue par le faisceau laser focalisé (74) . Dispositif optoélectronique selon la revendication 13 ou 14, dans lequel le dispositif optoélectronique (Dix) comprend une mémoire une fois programmable (50) comprenant les éléments programmables (40) , une partie desdits éléments programmables (40) ayant été modifiée par le faisceau laser focalisé (74) . Dispositif optoélectronique selon la revendication 13 ou 14, dans lequel le dispositif optoélectronique (Dix) comprend un système (60) de protection contre des décharges électrostatiques comprenant les éléments programmables (40) , le système de protection étant activé lorsque tous les éléments programmables (40) ne sont pas modifiés par le faisceau laser focalisé (74) . Dispositif optoélectronique selon la revendication 16, dans lequel le système de protection (60) comprend un circuit d'interconnexion de composants électroniques (C) et de composants optoélectroniques (DEL) par l'intermédiaire des éléments programmables (40) . Dispositif optoélectronique selon la revendication 14, dans lequel les pistes conductrices (46) sont métalliques ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment du silicium dopé monocristallin ou polycristallin . Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 13 à 18, dans lequel le dispositif 28 optoélectronique (Pix) comprend des diodes électroluminescentes (DEL) et/ou des photodiodes. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 13 à 19, dans lequel le matériau composant le substrat (18) est semiconducteur. Dispositif optoélectronique selon la revendication 20, dans lequel le substrat (18) est en silicium, en germanium, ou en un mélange ou alliage de ces composés. CLAIMS Process for treating a region (75) of an optoelectronic device (Pix) further comprising a substrate (18; 76) adjacent to the region to be treated (75), the optoelectronic device comprising, in the region to be treated, programmable elements (40) configured to change when exposed to a laser beam, the method comprising exposing at least one of the programmable elements to the focused laser beam (74) through the substrate. A method according to claim 1, wherein each programmable element (40) comprises a conductive trace (46), the method comprising interrupting the conductive trace of at least one of the programmable elements (40) by the focused laser beam (74) . A method according to claim 1 or 2, wherein the optoelectronic device (Pix) comprises a once programmable memory (50) comprising the programmable elements (40), the method comprising exposing a portion of said programmable elements (40) to the focused laser beam (74). A method according to claim 1 or 2, wherein the optoelectronic device (Pix) comprises an electrostatic discharge protection system (60) comprising the programmable elements (40), the method comprising exposing all of the programmable elements (40) to the focused laser beam (74). A method according to claim 4, wherein the protection system (60) comprises a circuit for interconnecting electronic components (C) and optoelectronic components (LED) through the programmable elements (40). Process according to Claim 2, in which the conductive tracks (46) are metallic or made of a non-metallic electrically conductive material, in particular monocrystalline or polycrystalline doped silicon. Method according to any one of Claims 1 to 6, in which the optoelectronic device (Pix) comprises light-emitting diodes (LEDs) and/or photodiodes. Method according to any one of claims 1 to 7, comprising exposing the optoelectronic device (Pix) to at least one pulse of the focused laser beam (74), the duration of said at least one pulse being between 0.1 ps and 1000 ps. A method according to claim 8, comprising exposing the optoelectronic device (Pix) to said at least one pulse of the focused laser beam (74) with a peak power of between 300 kW and 100 MW. . Method according to claim 8 or 9, comprising exposing the optoelectronic device (Pix) to said at least one pulse of the focused laser beam (74) with a wavelength between 1.2 pm and 4 pm. . Method according to any one of claims 1 to 10, in which the material forming the substrate (18; 76) is semiconductor. . Method according to claim 11, in which the substrate (18; 76) is made of silicon, germanium, or a mixture or alloy of these compounds. Optoelectronic device (Pix) comprising a substrate (18) and programmable elements (40) in a stack (20) resting on the substrate, at least one of programmable elements (40) having been modified by a focused laser beam (74) through the substrate. An optoelectronic device according to claim 13, wherein each programmable element (40) comprises a conductive track (46), the conductive track of at least one of the programmable elements (40) having been interrupted by the focused laser beam (74) . An optoelectronic device according to claim 13 or 14, wherein the optoelectronic device (Dix) comprises a once programmable memory (50) comprising the programmable elements (40), a portion of said programmable elements (40) having been modified by the focused laser beam (74) . Optoelectronic device according to Claim 13 or 14, in which the optoelectronic device (Dix) comprises an electrostatic discharge protection system (60) comprising the programmable elements (40), the protection system being activated when all the programmable elements (40 ) are not modified by the focused laser beam (74). An optoelectronic device according to claim 16, wherein the protection system (60) comprises a circuit for interconnecting electronic components (C) and optoelectronic components (LED) via the programmable elements (40). Optoelectronic device according to Claim 14, in which the conductive tracks (46) are metallic or made of a non-metallic electrically conductive material, in particular monocrystalline or polycrystalline doped silicon. Optoelectronic device according to any one of Claims 13 to 18, in which the device 28 optoelectronics (Pix) includes light emitting diodes (LEDs) and/or photodiodes. Optoelectronic device according to any one of Claims 13 to 19, in which the material forming the substrate (18) is semiconductor. Optoelectronic device according to Claim 20, in which the substrate (18) is made of silicon, germanium, or a mixture or alloy of these compounds.
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