EP4192690A1 - Procédé de fabrication d'une structure par fabrication additive - Google Patents

Procédé de fabrication d'une structure par fabrication additive

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EP4192690A1
EP4192690A1 EP21752074.1A EP21752074A EP4192690A1 EP 4192690 A1 EP4192690 A1 EP 4192690A1 EP 21752074 A EP21752074 A EP 21752074A EP 4192690 A1 EP4192690 A1 EP 4192690A1
Authority
EP
European Patent Office
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reinforcement
layer
deposition
matrix
energy radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP21752074.1A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Arnaud DELEHOUZE
Eric Bouillon
Stéphane Roger André GOUJARD
Marc MONTAUDON
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Safran Ceramics SA
Original Assignee
Safran Ceramics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Safran Ceramics SA filed Critical Safran Ceramics SA
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Pending legal-status Critical Current

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Definitions

  • the present invention relates to the manufacture of a reinforcement in particular for a part made of composite material with a ceramic matrix (“CMC material”) by additive manufacturing technique, and more precisely by chemical vapor deposition (“Chemical Vapor Deposition”) assisted by radiation. focused energy.
  • CMC material ceramic matrix
  • Chemical Vapor Deposition chemical vapor deposition
  • CMC material parts are known to possess both good mechanical properties allowing their use for structural elements and the ability to retain these properties at high temperatures.
  • CMC parts comprise a fibrous reinforcement made of refractory fibers, typically carbon or ceramic, which is densified by a ceramic matrix, for example silicon carbide (SiC).
  • SiC silicon carbide
  • Today, ceramic matrix composite technologies are essentially based on the use of woven fibrous reinforcements. In addition to the high cost of refractory fibers, the weaving operation is also expensive and can present limitations in terms of part geometries, in particular for small parts and complex geometry, in connection with the inadequacy of the textile pitch. woven.
  • Additive manufacturing techniques are also known which make it possible to produce parts in metal or in polymer material, but these techniques do not, at the present time, give entirely satisfactory results for the deposition of refractory materials, such as ceramics.
  • the invention relates to a method for manufacturing a structure by additive manufacturing, comprising at least:
  • the formation of a reinforcement by chemical vapor deposition assisted by focused energy radiation the reinforcement being deposited along a deposition axis and comprising a plurality of interconnected ceramic or carbon reinforcing elements which define between them an interstitial volume having a tortuous shape along said deposition axis.
  • the invention proposes an additive manufacturing process in which the structure is built progressively and comprises at least one reinforcement and optionally a matrix and an interphase which are formed as the reinforcement is formed, as will be detailed below.
  • the reinforcement as well as the matrix and the interphase, when they are present, are each formed by chemical vapor deposition assisted by focused energy radiation.
  • the additive manufacturing technique proposed implements, on the one hand, a chemical vapor deposition in which there is transformation of one or more precursors under the effect of a localized and punctual heating produced by the focused energy radiation which allows, depending on the choice of the precursor, to deposit a wide variety of materials.
  • the localized heating of this (these) precursor(s) is carried out by focusing the energy radiation only at the level of the zones where the deposition of material is desired, which makes it possible to access complex geometries for the reinforcement. and in particular for the interstitial volume between the reinforcing elements.
  • a reinforcement of complex shape is thus obtained having an interstitial volume of tortuous shape at least along the deposition axis, that is to say having a sinuous and non-rectilinear shape when moving along this axis.
  • the complex shape of the reinforcement makes it possible to replace the woven textures and to lead to reinforcement properties optimized with respect to these.
  • the method according to the invention offers a great diversity in the shapes accessible without implementing a fiber weaving operation to produce the reinforcement and therefore freeing itself from the limitations associated with this technique.
  • the reinforcement is a 4D reinforcement.
  • the invention is however not limited in terms of geometry for the reinforcement. According to a variant, we can impart another shape to the reinforcement, such as a honeycomb shape for example, the shape of the reinforcement being adapted to the desired application.
  • the method comprises an alternation between the deposition of a layer of the reinforcement and the deposition of a matrix by chemical vapor deposition assisted by focused energy radiation, the matrix being present in the interstitial volume of the reinforcement obtained .
  • the matrix is deposited as the reinforcement is formed.
  • a composite material part is thus directly obtained with a matrix densifying the interstitial volume between the reinforcing elements.
  • the method comprises at least:
  • the matrix is deposited in the interstitial volume of a reinforcement layer deposited beforehand.
  • the matrix is deposited first and the reinforcing layer deposited around the previously deposited matrix.
  • the method may further comprise the formation of an interphase on the reinforcement elements of the first layer of the reinforcement before the deposition of the matrix, the interphase being able to be formed by chemical vapor deposition assisted by focused energy radiation .
  • the formation of the interphase is also carried out as the reinforcement and the matrix are formed.
  • the focal point of the energetic radiation is not in the gaseous phase but on a solid portion which can correspond to a substrate on which the structure is formed or to a part of the structure itself on which the deposit is intended to be produced, that is to say to a portion of the previously deposited structure.
  • the heating of the solid portion transmits locally energy to the gaseous precursor in order to transform it and obtain the deposit.
  • Such a characteristic also makes it possible to work in a reactor with a cold wall which makes it possible to have more flexibility on the gas pressures and the deposition temperatures while avoiding any risk of nucleation in the homogeneous phase. This makes it easier to modulate the deposition kinetics.
  • the focused energy radiation is a focused laser beam.
  • the focused laser beam wavelength can be between 1058 nm and 1068 nm, for example substantially equal to 1063 nm.
  • wavelength values in the near infrared make it possible to obtain maximum absorption of the energy by the solid portion during focusing of the laser beam on the latter.
  • the wavelengths can be lower, in the UV or the visible, in the case for example where the laser beam is focused in the gaseous phase.
  • the invention is however not limited to the use of a laser as energy radiation. As a variant, it is thus possible to use a focused electron beam.
  • gaseous precursor can form the entirety of the reinforcement or to modify the gaseous precursor as the reinforcement is deposited.
  • the gaseous precursor can also be modified between the deposition of the reinforcement and the deposition of the matrix and of the optional interphase.
  • the material forming the matrix and the possible interphase can be different from that of the reinforcement. It is possible, for example, to deposit a silicon carbide reinforcement, a pyrocarbon or boron nitride interphase and a silicon carbide matrix in the interstitial volume.
  • the structure may comprise at least one of the following materials: a carbide ceramic, for example silicon carbide, a nitride ceramic, a carbonitride ceramic, an oxide ceramic, for example alumina, or a ceramic of eutectic composition.
  • a carbide ceramic for example silicon carbide
  • a nitride ceramic for example silicon carbide
  • a carbonitride ceramic for example
  • an oxide ceramic for example alumina
  • a ceramic of eutectic composition eutectic composition.
  • the reinforcement, the matrix and the optional interphase may, independently of one another, comprise a material chosen from the list indicated above.
  • the reinforcement is a reinforcement of a turbomachine part.
  • the reinforcement can constitute the reinforcement of a turbomachine blade, of a sector of a turbine ring or of a distributor.
  • the reinforcement can constitute a reinforcement of an aircraft turbomachine part.
  • FIG. 1 shows, schematically and partially, the deposition of a first layer of the reinforcement in the context of an example of a method according to the invention.
  • FIG. 2 schematically and partially represents the deposition of the matrix in the interstitial volume of the first layer of the reinforcement of FIG. 1.
  • Figure 3 shows, schematically and partially, the deposition of a second layer of the reinforcement on the first layer densified by the matrix of Figure 2.
  • FIG. 4 schematically and partially represents the deposition of the matrix in the interstitial volume of the second layer of the reinforcement of FIG. 3.
  • FIG. 5 represents a 4D reinforcement obtained by implementing an example of a method according to the invention.
  • FIG. 6 represents a turbomachine part obtained by implementing an exemplary method according to the invention.
  • the fabricated structure comprises a reinforcement and a matrix densifying the reinforcement formed as it is deposited.
  • the structure is formed by alternating between the deposition of a reinforcement layer and the deposition of the matrix.
  • an interphase can also be formed on the elements of reinforcement after deposition of a layer of reinforcement and before deposition of the matrix.
  • the structure is formed layer by layer by additive manufacturing, a layer of the structure corresponding to a section of the latter along the deposition axis and comprising, in the example considered, the reinforcement, of the matrix and the interphase possibly present.
  • FIG. 1 illustrates the formation of a first layer 10 of the reinforcement by chemical vapor deposition assisted by focused energy radiation from a gaseous precursor G11.
  • the first layer 10 is deposited on a support S present in a hermetic reaction chamber C, for example in contact with this support S.
  • the reaction chamber C Before initiation of the deposition, the reaction chamber C was purged of traces of water and of oxygen. For this, a plurality of cycles of pumping and expansion of a gas, such as argon, can be carried out.
  • the gaseous precursor G11 is introduced into the reaction chamber C through a gas introduction channel 15 .
  • a person skilled in the art knows how to choose the gaseous precursor according to the desired material to be deposited from among the gaseous precursors known from conventional chemical vapor deposition.
  • the techniques for controlling injection and pumping of the gaseous precursor also form part of general knowledge and do not need to be detailed here. For example, methyltrichlorosilane (CHsSiCh or MTS) or monomethylsilane (MMS) can be used to deposit silicon carbide.
  • CHsSiCh or MTS methyltrichlorosilane
  • MMS monomethylsilane
  • Propane and/or methane can be used to deposit carbon.
  • the gaseous precursor can be diluted in a neutral or complementary reactive gas. It is thus possible to add hydrogen and/or nitrogen to the precursor.
  • the gaseous precursor G11 undergoes localized heating by focused energy radiation Eli in order to deposit the first layer 10 of the reinforcement with the desired geometry.
  • the first layer 10 deposited comprises a plurality of interconnected reinforcing elements 22 which between them define an interstitial volume V having a predefined and controlled shape, an example of geometry of the reinforcement will be detailed below in connection with FIG. geometry desired, the energy radiation Eli is successively focused in the areas where the deposit is desired in order to locally provide heat and locally transform the gaseous precursor Gll.
  • the focal point of the energy radiation Eli can be located at the level of a solid portion, for example at the level of the support S or of a deposit part previously produced, in order to cause its heating and cause the transformation of the nearby Gll precursor and thus achieve the deposition of the material.
  • the focal point of the energy radiation Eli can be located directly in the gaseous precursor Gll.
  • the energy radiation Eli comes from a laser.
  • the system illustrated according to this example comprises an irradiation device D which comprises a laser source 30, a collimator 33, an optical scanner 35 which makes it possible to orient the laser beam during the process as well as a focusing device 34, such as a lens, making it possible to focus the laser beam in the zone where the deposition must be carried out.
  • the laser source may be an infrared source having a wavelength of between 1058 nm and 1068 nm, for example a source of fiberable Yb photodiode type.
  • the wavelength of the laser is in the ultraviolet or the visible, in particular in the case of direct heating of the gaseous phase.
  • the laser source 30 can operate in continuous mode, preferably, or in discontinuous mode if it is sought to avoid providing too much pfd. However, it does not depart from the scope of the invention if an energy source other than a laser is used such as an electron beam. In the various cases envisaged, the focusing of the heat source is done in a manner known to those skilled in the art by using optical or electromagnetic focusing devices. Whatever the nature of the energy radiation used, the power of the focused energy radiation can be between 1 mW and 100 W, preferably between 20 mW and 5 W.
  • the focused Eli energy radiation can be moved to produce the deposition of the first reinforcement layer 10 with the desired geometry by modifying the position and/or the inclination of the optical scanner 35.
  • An irradiation control device (not shown) makes it possible to control the displacement of the Eli energy radiation. This thus makes it possible to carry out a sweep by the energetic radiation Eli focused in predefined zones where the deposition of the constituent material of the first layer 10 must be carried out.
  • the means of moving the focused energy radiation are similar to those used in selective laser molding technology (“Selective Laser Molding”; “SLM”). It will be noted that in addition to or instead of the movement of the focused energy radiation Eli, it is possible to move and/or tilt the support S during deposition.
  • a support control device makes it possible to carry out this movement or this inclination.
  • the support S can thus be movable in at least one direction in space, for example and preferably in the vertical direction Z, or even in the three directions in space.
  • the support S can be inclined around at least one of the directions in space, or even around each of them.
  • the support S remains fixed and the deposition of the first layer 10 is only obtained by a displacement of the energy radiation Eli focused in a plurality of predetermined zones.
  • the pressure in the reaction chamber C during the formation of the structure can be between 5 mbar and 3 bar, for example between 5 mbar and 15 mbar or between 1 bar and 3 bar.
  • the reaction chamber C may comprise a pressure sensor (not shown) as well as a pumping device P in order respectively to measure and adjust the pressure in the reaction chamber C as the structure is deposited.
  • the reaction chamber C comprises a gas outlet channel 17 through which the residual gaseous precursor GR11 and the reaction by-products are pumped out of the reaction chamber. It is possible, if desired, to use a separator device, such as a chromatographic system, to separate and reinject the precursor into chamber C and reject the by-products.
  • the pressure in the reaction chamber C and the surface power of the energy radiation used are determined by those skilled in the art according to the nature of the precursor used in order to adapt the deposition kinetics.
  • the reaction chamber C may further include a thermal sensor (not shown), such as a thermal camera, in order to measure the local temperature at the point of focus of the energy radiation, as well as a regulation device allowing, depending on the measurement coming from of the thermal sensor, modifying the power of the focused energy radiation in order to apply the predefined power desired to transform the precursor and carry out the deposition.
  • first layer 10 of the reinforcement has just been described in connection with FIG.
  • the deposition of the reinforcement is temporarily interrupted in order to form the matrix M in the interstitial volume of the first layer 10 previously formed as will now be described in connection with FIG. 2.
  • the irradiation by the focused energy radiation Eli is interrupted and the reaction chamber C purged.
  • a gaseous precursor G12 intended to form the matrix M in the interstitial volume of the first layer 10 by chemical vapor deposition assisted by focused energy radiation is then introduced into the reaction chamber C.
  • the precursor G12 can be different from the precursor G11 and lead the deposition of a matrix M formed of a material different from that of the first layer 10 of the reinforcement.
  • the energy radiation E12 and/or the support S are controlled in a manner similar to what has just been described above for the first layer 10.
  • the surface power of the radiation energy E12 can be different from that of the energy radiation Eli by being adapted to the precursor G12.
  • the control of the pressure in the reaction chamber and the treatment of the mixture of residual matrix precursor GR12 and of the by-products can be as described above for the case of the deposition of the first layer 10.
  • the matrix M can comprise, or even consist mainly by mass of, a carbide, nitride or oxide ceramic.
  • the matrix can for example comprise silicon carbide, or even consist mainly by weight of silicon carbide.
  • a defragilization interphase is similarly deposited on the reinforcing elements of the first layer of the reinforcement before formation of the matrix also by chemical vapor deposition assisted by focused energy radiation.
  • the interphase can be monolayer or multilayer.
  • This interphase may comprise, for example, silicon carbide, boron nitride, silicon-doped boron nitride BN(Si), or pyrocarbon PyC.
  • the interphase has a function of weakening the composite material which promotes the deflection of any cracks reaching the interphase after having propagated in the matrix, preventing or delaying the rupture of the reinforcement.
  • the deposition of the reinforcement is resumed by depositing a second layer 20 of the ceramic or carbon reinforcement on the first layer 10 densified by the matrix M, as shown in figure 3.
  • the irradiation by the focused energetic radiation E12 is interrupted and the reaction chamber C purged.
  • a gaseous precursor G21 intended to form the second layer 20 of the reinforcement by chemical vapor deposition assisted by focused energy radiation is then introduced into the reaction chamber C.
  • the focused energy radiation E21 is applied in order to deposit the second layer 20 of the reinforcement at the desired geometry on the first layer 10, similar to what was described above.
  • the characteristics described above for the deposition of the first layer 10 remain applicable to the deposition of the second layer 20.
  • the precursor G21 can be identical to or different from the precursor Gll.
  • the material of the second layer 20 of the reinforcement may be identical to or different from the material of the first layer 10 of the reinforcement.
  • the material of the second layer 20 of the reinforcement is identical to the material of the first layer 10 of the reinforcement.
  • the surface power of the energetic radiation E21 can be identical to or different from that of the energetic radiation Eli.
  • the control of the pressure in the reaction chamber and the treatment of the mixture of residual precursor GR21 and of the by-products can be as described above for the case of the deposition of the first layer 10.
  • the energetic radiation E21 can scan a set of zones defining a different pattern with respect to the pattern defined by the set of zones scanned by the energetic radiation Eli during the deposition of the first layer 10.
  • second layer 20 is superimposed on the first layer 10, here along a deposition axis materialized by the vertical direction Z.
  • the second layer 20 can be deposited in contact with the first layer 10.
  • the second layer 20 can cover substantially all of the first layer 10 , or only part of it.
  • the second layer 20 comprises a plurality of interconnected ceramic or carbon reinforcing elements which define between them an interstitial volume of different shape from the shape of the interstitial volume between the reinforcing elements of the first layer 10, so as to confer a tortuous shape to the interstitial volume of the reinforcement 1 along the deposition axis Z.
  • the shape of the interstitial volume of the second layer 20 can be substantially different from that of the interstitial volume of the first layer 10, in order to correspond to the orientation desired reinforcement.
  • the irradiation by the focused energy radiation E21 is interrupted and the reaction chamber C purged.
  • a gaseous precursor G22 intended to form the matrix M in the interstitial volume of the second layer 20 by chemical vapor deposition assisted by focused energy radiation is then introduced into the reaction chamber C (FIG. 4).
  • the method is then continued as described above to deposit the matrix M in the interstitial volume of this second layer 20 by controlling the focused energy radiation E22 and/or the support S to deposit the matrix M in the desired zones.
  • the mixture of residual precursor GR22 and by-products can be treated as described above.
  • an interphase can be deposited on the reinforcing elements of the second layer 20 before the matrix M is deposited.
  • a composite material structure 100 is then obtained comprising a reinforcement 1 and a matrix M densifying the reinforcement.
  • the reinforcement volume rate in the structure can be between 15% and 55%, for example between 25% and 35%.
  • the reinforcement rate is controlled and the reinforcement is oriented in space according to the stress directions of the part to be obtained.
  • the example illustrated has shown the manufacture of a structure 100 in which two layers 10 and 20 of the reinforcement are deposited.
  • the process can be continue by depositing, in a similar manner, a third layer of the reinforcement on the second layer 20.
  • the interstitial volume of each of the deposited layers can have a different shape in order to give the interstitial volume of the reinforcement a tortuous shape.
  • the matrix and/or the interphase can be formed after formation of the reinforcement by known techniques.
  • the reinforcement 1 illustrated in FIG. 5 corresponds to a 4D reinforcement.
  • the reinforcement 1 comprises a plurality of reinforcement elements 22, oriented along the four directions given by the diagonals of a cube, and defining between them an interstitial volume V of tortuous shape along the vertical direction Z of deposition.
  • the reinforcing elements 22 can have various shapes, such as parallelepipeds, beams having for example a circular, elliptical, square or rectangular section, spheres, ellipsoids, etc.
  • the reinforcing elements 22 can be solid or hollow.
  • the diameter of the reinforcing elements 22 can be less than or equal to 100 ⁇ m.
  • the reinforcing elements 22 can also be arranged in a mesh to form the reinforcement.
  • the reinforcement 1 has a connected interstitial volume, that is to say there is a path making it possible to pass from one space between the reinforcing elements 22 to another without crossing material of the reinforcement elements.
  • the interstitial volume is delimited by an internal surface of the ceramic or carbon material. As the interstitial volume is connected, this internal surface of the ceramic or carbon material is continuous in the structure.
  • FIG. 6 illustrates an example of a part that can be obtained by implementing the method according to the invention.
  • the invention can make it possible to form a turbomachine part, for example an aeronautical turbomachine part. It is possible, as illustrated in FIG. 6, to form a turbine blade 40. Other examples are possible, such as a turbine ring sector or a turbine nozzle sector, for example.

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Abstract

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure par technique de fabrication additive mettant en œuvre un dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé, comprenant la formation d'un renfort qui comprend une pluralité d'éléments de renfort interconnectés en céramique ou en carbone qui définissent entre eux un volume interstitiel ayant une forme tortueuse le long dudit axe de dépôt.

Description

Description Titre de l'invention : Procédé de fabrication d'une structure par fabrication additive
Domaine Technique
La présente invention concerne la fabrication d'un renfort notamment pour pièce en matériau composite à matrice céramique (« matériau CMC » ) par technique de fabrication additive, et plus précisément par dépôt chimique en phase vapeur (« Chemical Vapor Deposition ») assisté par rayonnement énergétique focalisé.
Technique antérieure
Les pièces en matériau CMC sont connues pour posséder à la fois de bonnes propriétés mécaniques permettant leur utilisation pour des éléments de structure et la capacité de conserver ces propriétés à des températures élevées. Les pièces CMC comportent un renfort fibreux en fibres réfractaires, typiquement en carbone ou en céramique, qui est densifié par une matrice céramique, par exemple en carbure de silicium (SiC). Les technologies de composites à matrices céramiques reposent essentiellement aujourd'hui sur l'utilisation de renforts fibreux tissés. Outre le coût élevé des fibres réfractaires, l'opération de tissage est également onéreuse et peut présenter des limitations en termes de géométries de pièces, en particulier pour les pièces de faible taille et de géométrie complexe, en lien avec l'inadéquation du pas textile tissé.
On connaît en outre des techniques de fabrication additive qui permettent de réaliser des pièces en métal ou en matériau polymère mais ces techniques ne donnent pas, à l'heure actuelle, des résultats entièrement satisfaisants pour le dépôt de matériaux réfractaires, tels que des céramiques.
Il est donc souhaitable de disposer d'un procédé permettant la fabrication d'une structure ayant une géométrie complexe et qui soit adapté au dépôt d'une large variété de matériaux réfractaires. Exposé de l'invention
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure par fabrication additive, comprenant au moins :
- la formation d'un renfort par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé, le renfort étant déposé le long d'un axe de dépôt et comprenant une pluralité d'éléments de renfort interconnectés en céramique ou en carbone qui définissent entre eux un volume interstitiel ayant une forme tortueuse le long dudit axe de dépôt.
L'invention propose un procédé de fabrication additive dans lequel la structure est construite progressivement et comprend au moins un renfort et éventuellement une matrice et une interphase qui sont formées au fur et à mesure de la formation du renfort, comme il sera détaillé plus bas. Le renfort ainsi que la matrice et l'interphase, lorsqu'elles sont présentes, sont chacun formés par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé. La technique de fabrication additive proposée met, d'une part, en oeuvre un dépôt chimique en phase vapeur dans lequel il y a transformation d'un ou plusieurs précurseurs sous l'effet d'un chauffage localisé et ponctuel produit par le rayonnement énergétique focalisé qui permet, selon le choix du précurseur, de déposer une large variété de matériaux. D'autre part, le chauffage localisé de ce(s) précurseur(s) est réalisé en focalisant le rayonnement énergétique uniquement au niveau des zones où le dépôt de matière est souhaité, ce qui permet d'accéder à des géométries complexes pour le renfort et en particulier pour le volume interstitiel entre les éléments de renfort. On obtient ainsi un renfort de forme complexe ayant un volume interstitiel de forme tortueuse au moins le long de l'axe de dépôt, c'est-à-dire ayant une forme sinueuse et non rectiligne lorsque l'on se déplace le long de cet axe. La forme complexe du renfort permet de remplacer les textures tissées et d'aboutir à des propriétés de renfort optimisées par rapport à celles-ci. Le procédé selon l'invention offre une grande diversité dans les formes accessibles sans mettre en oeuvre d'opération de tissage de fibres pour réaliser le renfort et donc en s'affranchissant des limitations associées à cette technique.
Dans un exemple de réalisation, le renfort est un renfort 4D. L'invention n'est toutefois pas limitée en termes de géométrie pour le renfort. Selon une variante, on peut conférer une autre forme au renfort, comme une forme alvéolaire par exemple, la forme du renfort étant adaptée à l'application souhaitée.
Dans un exemple de réalisation, le procédé comprend une alternance entre le dépôt d'une couche du renfort et le dépôt d'une matrice par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé, la matrice étant présente dans le volume interstitiel du renfort obtenu.
Dans ce cas, la matrice est déposée au fur et à mesure de la formation du renfort. On obtient ainsi directement une pièce en matériau composite avec une matrice densifiant le volume interstitiel entre les éléments de renfort.
Dans un exemple de réalisation, le procédé comprend au moins :
- le dépôt d'une première couche du renfort,
- le dépôt de la matrice dans le volume interstitiel de la première couche du renfort afin d'obtenir une première couche du renfort densifiée, et
- le dépôt d'une deuxième couche du renfort sur la première couche du renfort densifiée.
Dans ce cas, la matrice est déposée dans le volume interstitiel d'une couche du renfort déposée au préalable. On ne sort néanmoins pas du cadre de l'invention dans le cas inverse où la matrice est déposée en premier et la couche de renfort déposée autour de la matrice précédemment déposé.
En particulier, le procédé peut comprendre en outre la formation d'une interphase sur les éléments de renfort de la première couche du renfort avant le dépôt de la matrice, l'interphase pouvant être formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé.
Dans ce cas, la formation de l'interphase est aussi effectuée au fur et à mesure de la formation du renfort et de la matrice.
Dans un exemple de réalisation, il y a focalisation du rayonnement énergétique sur une portion solide située au voisinage d'une zone où le dépôt doit être effectué. Dans ce cas, le point de focalisation du rayonnement énergétique n'est pas dans la phase gazeuse mais sur une portion solide qui peut correspondre à un substrat sur lequel la structure est formée ou à une partie de la structure elle-même sur laquelle le dépôt est destiné à être réalisé, c'est-à-dire à une portion de la structure précédemment déposée. Dans ce cas, le chauffage de la portion solide transmet localement de l'énergie au précurseur gazeux afin de le transformer et obtenir le dépôt. Une telle caractéristique permet, par rapport au chauffage direct de la phase gazeuse, d'améliorer la maîtrise de la localisation du dépôt. Une telle caractéristique permet, en outre, de travailler dans un réacteur à paroi froide qui permet d'avoir plus de souplesse sur les pressions de gaz et les températures de dépôts tout en évitant tout risque de nucléation en phase homogène. Cela permet de moduler plus facilement la cinétique de dépôt.
On notera que l'on peut, durant la formation de la structure, utiliser une combinaison d'une focalisation du rayonnement énergétique sur une portion solide et dans la phase gazeuse. On peut en variante uniquement focaliser le rayonnement énergétique sur une portion solide ou uniquement dans la phase gazeuse.
Dans un exemple de réalisation, le rayonnement énergétique focalisé est un faisceau laser focalisé.
En particulier, la longueur d'onde faisceau laser focalisé peut être comprise entre 1058 nm et 1068 nm, par exemple sensiblement égale à 1063 nm.
Ces valeurs de longueur d'onde dans le proche infra-rouge permettent d'obtenir une absorption maximale de l'énergie par la portion solide lors d'une focalisation du faisceau laser sur celle-ci. Les longueurs d'onde peuvent être plus basses, dans l'UV ou le visible, dans le cas par exemple où le faisceau laser est focalisé dans la phase gazeuse.
L'invention n'est toutefois pas limitée à l'emploi d'un laser en tant que rayonnement énergétique. On peut ainsi en variante utiliser un faisceau d'électrons focalisé.
On peut utiliser le même précurseur gazeux pour former l'intégralité du renfort ou modifier le précurseur gazeux au fur et à mesure du dépôt du renfort. Le précurseur gazeux peut en outre être modifié entre le dépôt du renfort et le dépôt de la matrice et de l'interphase éventuelle. Le matériau formant la matrice et l'interphase éventuelle peut être différent de celui du renfort. On peut par exemple déposer un renfort en carbure de silicium, une interphase en pyrocarbone ou nitrure de bore et une matrice en carbure de silicium dans le volume interstitiel.
A titre d'exemple, la structure peut comporter l'un au moins des matériaux suivants : une céramique carbure, par exemple du carbure de silicium, une céramique nitrure, une céramique carbonitrure, une céramique oxyde, par exemple de l'alumine, ou une céramique de composition eutectique. En particulier, le renfort, la matrice et l'interphase éventuelle peuvent, indépendamment l'une de l'autre, comporter un matériau choisi dans la liste précédemment indiquée.
Dans un exemple de réalisation, le renfort est un renfort d'une pièce de turbomachine. En particulier, le renfort peut constituer le renfort d'une aube de turbomachine, d'un secteur d'anneau de turbine ou de distributeur. Le renfort peut constituer un renfort d'une pièce de turbomachine d'aéronef.
Brève description des dessins
[Fig. 1] La figure 1 représente, de manière schématique et partielle, le dépôt d'une première couche du renfort dans le cadre d'un exemple de procédé selon l'invention. [Fig. 2] La figure 2 représente, de manière schématique et partielle, le dépôt de la matrice dans le volume interstitiel de la première couche du renfort de la figure 1. [Fig. 3] La figure 3 représente, de manière schématique et partielle, le dépôt d'une deuxième couche du renfort sur la première couche densifiée par la matrice de la figure 2.
[Fig. 4] La figure 4 représente, de manière schématique et partielle, le dépôt de la matrice dans le volume interstitiel de la deuxième couche du renfort de la figure 3. [Fig. 5] La figure 5 représente un renfort 4D obtenu par mise en oeuvre d'un exemple de procédé selon l'invention.
[Fig. 6] La figure 6 représente une pièce de turbomachine obtenue par mise en oeuvre d'un exemple de procédé selon l'invention.
Description des modes de réalisation
On va décrire, en lien avec les figures 1 à 4, un exemple possible pour le dépôt couche par couche d'une structure par dépôt chimique en phase vapeur assisté par un rayonnement énergétique focalisé. La taille des couches a été exagérée sur les figures pour des raisons de lisibilité. Dans l'exemple illustré, la structure fabriquée comprend un renfort et une matrice densifiant le renfort formée au fur et à mesure de son dépôt. Selon cet exemple, la structure est formée en alternant entre le dépôt d'une couche du renfort et le dépôt de la matrice. Selon une variante non illustrée et sur le même principe, une interphase peut en outre être formée sur les éléments de renfort après dépôt d'une couche du renfort et avant dépôt de la matrice. On forme la structure couche par couche par fabrication additive, une couche de la structure correspondant à un tronçon de celle-ci le long de l'axe de dépôt et comprenant, dans l'exemple considéré, le renfort, de la matrice et l'interphase éventuellement présente.
La figure 1 illustre la formation d'une première couche 10 du renfort par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé à partir d'un précurseur gazeux Gll. La première couche 10 est déposée sur un support S présent dans une chambre réactionnelle C hermétique, par exemple au contact de ce support S.
Avant initiation du dépôt, la chambre réactionnelle C a été purgée des traces d'eau et de dioxygène. Pour cela, une pluralité de cycles de pompage et détente d'un gaz, comme de l'argon, peut être réalisée. Le précurseur gazeux Gll est introduit dans la chambre réactionnelle C au travers d'un canal d'introduction 15 de gaz. L'homme du métier sait choisir le précurseur gazeux en fonction du matériau souhaité à déposer parmi les précurseurs gazeux connus des dépôts chimiques en phase vapeur classiques. Les techniques de contrôle de l'injection et du pompage du précurseur gazeux font aussi partie des connaissances générales et ne nécessitent pas d'être détaillées ici. Par exemple, on peut utiliser du méthyltrichlorosilane (CHsSiCh ou MTS) ou du monométhylsilane (MMS) pour déposer du carbure de silicium. On peut utiliser du propane et/ou du méthane pour déposer du carbone. De manière similaire à ce qui peut être mis en oeuvre dans les techniques classiques de dépôt chimique en phase vapeur, le précurseur gazeux peut être dilué dans un gaz neutre ou réactif complémentaire. On peut ainsi ajouter de l'hydrogène et/ou de l'azote au précurseur.
Le précurseur gazeux Gll subit un chauffage localisé par un rayonnement énergétique Eli focalisé afin de déposer la première couche 10 du renfort à la géométrie souhaitée. La première couche 10 déposée comprend une pluralité d'éléments de renfort 22 interconnectés qui définissent entre eux un volume interstitiel V ayant une forme prédéfinie et contrôlée, un exemple de géométrie du renfort sera détaillé dans la suite en lien avec la figure 5. Pour réaliser la géométrie souhaitée, le rayonnement énergétique Eli est focalisé successivement dans les zones où le dépôt est recherché afin d'apporter localement de la chaleur et transformer localement le précurseur gazeux Gll. Comme évoqué plus haut, le point de focalisation du rayonnement énergétique Eli peut être situé au niveau d'une portion solide, par exemple au niveau du support S ou d'une partie de dépôt précédemment réalisée, afin de provoquer son échauffement et provoquer la transformation du précurseur Gll à proximité et réaliser ainsi le dépôt de la matière. Selon une variante non préférentielle, le point de focalisation du rayonnement énergétique Eli peut être directement situé dans le précurseur gazeux Gll. Dans l'exemple illustré, le rayonnement énergétique Eli provient d'un laser. Le système illustré selon cet exemple comprend un dispositif d'irradiation D qui comprend une source laser 30, un collimateur 33, un scanner optique 35 lequel permet d'orienter le faisceau laser durant le procédé ainsi qu'un dispositif de focalisation 34, comme une lentille, permettant de focaliser le faisceau laser dans la zone où le dépôt doit être réalisé. La source laser peut être une source dans l'infrarouge ayant une longueur d'onde comprise entre 1058 nm et 1068 nm, par exemple une source de type photodiode Yb fibrable. En variante, la longueur d'onde du laser est dans l'ultra-violet ou le visible, notamment dans le cas d'un chauffage direct de la phase gazeuse. La source laser 30 peut fonctionner en mode continu, de manière préférentielle, ou en mode discontinu s'il est recherché d'éviter d'apporter trop de puissance surfacique. On ne sort néanmoins pas du cadre de l'invention si une source énergétique autre qu'un laser est utilisée comme un faisceau d'électrons. Dans les différents cas envisagés, la focalisation de la source de chaleur se fait d'une manière connue de l'homme du métier en utilisant des dispositifs de focalisation optiques ou électromagnétiques. Quelle que soit la nature du rayonnement énergétique utilisé, la puissance du rayonnement énergétique focalisé peut être comprise entre 1 mW et 100 W, de préférence entre 20 mW et 5 W.
Le rayonnement énergétique Eli focalisé peut être déplacé pour réaliser le dépôt de la première couche 10 de renfort à la géométrie souhaitée en modifiant la position et/ou l'inclinaison du scanner optique 35. Un dispositif de contrôle de l'irradiation (non représenté) permet de contrôler le déplacement du rayonnement énergétique Eli. Cela permet ainsi de réaliser un balayage par le rayonnement énergétique Eli focalisé dans des zones prédéfinies où le dépôt de la matière constitutive de la première couche 10 doit être réalisé. Les moyens de déplacement du rayonnement énergétique focalisé sont similaires à ceux utilisés dans la technologie de moulage sélectif par laser (« Selective Laser Molding » ; « SLM »). On notera qu'en complément ou à la place du déplacement du rayonnement énergétique Eli focalisé, il est possible de déplacer et/ou d'incliner le support S lors du dépôt. Un dispositif de contrôle du support (non représenté) permet de réaliser ce déplacement ou cette inclinaison. Le support S peut ainsi être mobile selon au moins une direction de l'espace, par exemple et de préférence selon la direction verticale Z, voire selon les trois directions de l'espace. En variante ou en combinaison, le support S peut être incliné autour d'au moins une des directions de l'espace, voire de chacune d'entre elles. On ne sort néanmoins pas du cadre de l'invention si le support S demeure fixe et que le dépôt de la première couche 10 est uniquement obtenu par un déplacement du rayonnement énergétique Eli focalisé dans une pluralité de zones prédéterminées.
A titre indicatif, la pression dans la chambre réactionnelle C durant la formation de la structure peut être comprise entre 5 mbar et 3 bar, par exemple entre 5 mbar et 15 mbar ou entre 1 bar et 3 bar. La chambre réactionnelle C peut comporter un capteur de pression (non représenté) ainsi qu'un dispositif de pompage P afin respectivement de mesurer et d'ajuster la pression dans la chambre réactionnelle C au fur et à mesure du dépôt de la structure. La chambre réactionnelle C comprend un canal de sortie 17 de gaz au travers duquel le précurseur gazeux résiduel GR11 et les sous-produits de réaction sont pompés en dehors de la chambre réactionnelle. On peut, si cela est souhaité, utiliser un dispositif séparateur, comme un système chromatographique, pour séparer et réinjecter le précurseur dans la chambre C et rejeter les sous-produits. La pression dans la chambre réactionnelle C et la puissance surfacique du rayonnement énergétique mis en oeuvre sont déterminés par l'homme du métier en fonction de la nature du précurseur utilisé afin d'adapter la cinétique de dépôt. La chambre réactionnelle C peut en outre comporter un capteur thermique (non représenté), comme une caméra thermique, afin de mesurer la température locale au point de focalisation du rayonnement énergétique, ainsi qu'un dispositif de régulation permettant, en fonction de la mesure provenant du capteur thermique, de modifier la puissance du rayonnement énergétique focalisé afin d'appliquer la puissance prédéfinie souhaitée pour transformer le précurseur et réaliser le dépôt.
On vient de décrire, en lien avec la figure 1, le dépôt d'une première couche 10 du renfort. Dans l'exemple considéré, le dépôt du renfort est provisoirement interrompu afin de former la matrice M dans le volume interstitiel de la première couche 10 précédemment formée comme il va, à présent, être décrit en lien avec la figure 2.
Une fois la première couche 10 du renfort déposée, l'irradiation par le rayonnement énergétique focalisé Eli est interrompue et la chambre réactionnelle C purgée. Un précurseur gazeux G12 destiné à former la matrice M dans le volume interstitiel de la première couche 10 par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé est ensuite introduit dans la chambre réactionnelle C. Le précurseur G12 peut être différent du précurseur Gll et conduire au dépôt d'une matrice M formée d'un matériau différent de celui de la première couche 10 du renfort. Afin de procéder au dépôt de la matrice M dans les zones souhaitées, le rayonnement énergétique E12 et/ou le support S sont pilotés de manière similaire à ce qui vient d'être décrit plus haut pour la première couche 10. La puissance surfacique du rayonnement énergétique E12 peut être différente de celle du rayonnement énergétique Eli en étant adaptée au précurseur G12. Le contrôle de la pression dans la chambre réactionnelle et le traitement du mélange de précurseur de matrice résiduel GR12 et des sous-produits peut être tel que décrit plus haut pour le cas du dépôt de la première couche 10.
La matrice M peut comprendre, voire être constituée majoritairement en masse par, une céramique carbure, nitrure ou oxyde. La matrice peut par exemple comprendre du carbure de silicium, voire être constituée majoritairement en masse par du carbure de silicium.
Dans une variante non illustrée, une interphase de défragilisation est déposée, de manière similaire, sur les éléments de renfort de la première couche du renfort avant formation de la matrice aussi par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé. L'interphase peut être monocouche ou multicouches. Cette interphase peut comprendre par exemple du carbure de silicium, du nitrure de bore, du nitrure de bore dopé au silicium BN(Si), ou du pyrocarbone PyC. L'interphase a une fonction de défragilisation du matériau composite qui favorise la déviation de fissures éventuelles parvenant à l'interphase après s'être propagées dans la matrice, empêchant ou retardant la rupture du renfort.
Après le dépôt de la matrice M dans le volume interstitiel de la première couche 10 du renfort, le dépôt du renfort est repris en déposant une deuxième couche 20 du renfort en céramique ou en carbone sur la première couche 10 densifiée par la matrice M, comme illustré sur la figure 3.
L'irradiation par le rayonnement énergétique focalisé E12 est interrompue et la chambre réactionnelle C purgée. Un précurseur gazeux G21 destiné à former la deuxième couche 20 du renfort par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé est ensuite introduit dans la chambre réactionnelle C. Le rayonnement énergétique focalisé E21 est appliqué afin de déposer la deuxième couche 20 du renfort à la géométrie souhaitée sur la première couche 10, de manière similaire à ce qui a été décrit plus haut. Les caractéristiques décrites plus haut pour le dépôt de la première couche 10 demeurent applicables au dépôt de la deuxième couche 20. On notera que le précurseur G21 peut être identique ou différent du précurseur Gll. Le matériau de la deuxième couche 20 du renfort peut être identique ou différent du matériau de la première couche 10 du renfort. De préférence, le matériau de la deuxième couche 20 du renfort est identique au matériau de la première couche 10 du renfort. La puissance surfacique du rayonnement énergétique E21 peut être identique ou différente de celle du rayonnement énergétique Eli. Le contrôle de la pression dans la chambre réactionnelle et le traitement du mélange de précurseur résiduel GR21 et des sous- produits peut être tel que décrit plus haut pour le cas du dépôt de la première couche 10.
Lors du dépôt de la deuxième couche 20, le rayonnement énergétique E21 peut balayer un ensemble de zones définissant un motif différent par rapport au motif défini par l'ensemble de zones balayées par le rayonnement énergétique Eli lors du dépôt de la première couche 10. La deuxième couche 20 est superposée à la première couche 10, ici le long d'un axe de dépôt matérialisé par la direction verticale Z. La deuxième couche 20 peut être déposée au contact de la première couche 10. La deuxième couche 20 peut recouvrir sensiblement l'intégralité de la première couche 10, ou seulement une partie de celle-ci. La deuxième couche 20 comprend une pluralité d'éléments de renfort interconnectés en céramique ou en carbone qui définissent entre eux un volume interstitiel de forme différente de la forme du volume interstitiel entre les éléments de renfort de la première couche 10, de sorte à conférer une forme tortueuse au volume interstitiel du renfort 1 le long de l'axe de dépôt Z. La forme du volume interstitiel de la deuxième couche 20 peut être sensiblement différente de celle du volume interstitiel de la première couche 10, afin de correspondre à l'orientation souhaitée du renfort.
Une fois la deuxième couche 20 du renfort déposée, l'irradiation par le rayonnement énergétique focalisé E21 est interrompue et la chambre réactionnelle C purgée. Un précurseur gazeux G22 destiné à former la matrice M dans le volume interstitiel de la deuxième couche 20 par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé est ensuite introduit dans la chambre réactionnelle C (figure 4). Le procédé est ensuite poursuivi comme décrit plus haut pour déposer la matrice M dans le volume interstitiel de cette deuxième couche 20 en pilotant le rayonnement énergétique focalisé E22 et/ou le support S pour déposer la matrice M dans les zones souhaitées. Le mélange de précurseur résiduel GR22 et des sous-produits peut être traité comme décrit plus haut. Comme indiqué plus haut, on peut déposer une interphase sur les éléments de renfort de la deuxième couche 20 avant dépôt de la matrice M.
On obtient alors une structure 100 en matériau composite comprenant un renfort 1 et une matrice M densifiant le renfort. Le taux volumique de renfort dans la structure peut être compris entre 15% et 55%, par exemple entre 25% et 35%. Le taux de renfort est maîtrisé et le renfort est orienté dans l'espace suivant les directions de sollicitation de la pièce à obtenir.
L'exemple illustré a montré la fabrication d'une structure 100 dans laquelle deux couches 10 et 20 du renfort sont déposées. Bien entendu, le procédé peut se poursuivre en déposant, d'une manière similaire, une troisième couche du renfort sur la deuxième couche 20. Le volume interstitiel de chacune des couches déposées peut avoir une forme différente afin de conférer au volume interstitiel du renfort une forme tortueuse.
On vient de décrire un exemple où il y a formation d'une structure dans laquelle la matrice est formée au fur et à mesure de la formation du renfort. La formation de cette matrice est néanmoins optionnelle, le renfort pouvant simplement être formé couche par couche sans former une matrice de manière concomitante, ou simplement en formant une interphase au fur et à mesure de la formation du renfort. Selon des variantes, la matrice et/ou l'interphase peuvent être formées après formation du renfort par des techniques connues.
On va maintenant décrire, en lien avec la figure 5, un exemple de géométrie de renfort 1 pouvant être obtenu par mise en oeuvre de l'invention. Le renfort 1 illustré à la figure 5 correspond à un renfort 4D. Le renfort 1 comprend une pluralité d'éléments de renfort 22, orientés selon les quatre directions données par les diagonales d'un cube, et définissant entre eux un volume interstitiel V de forme tortueuse le long de la direction verticale Z de dépôt. Les éléments de renfort 22 peuvent avoir des formes variées, comme des parallélépipèdes, des poutres ayant par exemple une section circulaire, elliptique, carrée ou rectangulaire, des sphères, des ellipsoïdes, etc. Les éléments de renfort 22 peuvent être pleins ou creux. Le diamètre des éléments de renfort 22 peut être inférieur ou égal à 100 pm. Les éléments de renfort 22 peuvent être en outre agencés en treillis pour former le renfort. Quel que soit le mode de réalisation considéré, le renfort 1 a un volume interstitiel connecté, c'est-à-dire qu'il existe un chemin permettant de passer d'un espace entre des éléments de renfort 22 à un autre sans traverser du matériau des éléments de renfort. Le volume interstitiel est délimité par une surface interne du matériau céramique ou carbone. Comme le volume interstitiel est connecté, cette surface interne du matériau céramique ou carbone est continue dans la structure. L'homme du métier reconnaîtra sans difficulté que d'autres structures qu'une structure de renfort 4D sont envisageables. La figure 6 illustre un exemple de pièce pouvant être obtenue par mise en oeuvre du procédé selon l'invention. L'invention peut permettre de former une pièce de turbomachine, par exemple une pièce de turbomachine aéronautique. On peut, comme illustré à la figure 6, former une aube de turbine 40. D'autres exemples sont possibles comme un secteur d'anneau de turbine ou un secteur de distributeur de turbine, par exemple.
L'expression « compris(e) entre ... et ... » doit se comprendre comme incluant les bornes.

Claims

Revendications
[Revendication 1] Procédé de fabrication d'une structure (100) par fabrication additive, comprenant au moins :
- la formation d'un renfort (1) par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé, le renfort étant déposé le long d'un axe (Z) de dépôt et comprenant une pluralité d'éléments (22) de renfort interconnectés en céramique ou en carbone qui définissent entre eux un volume interstitiel (V) ayant une forme tortueuse le long dudit axe de dépôt.
[Revendication 2] Procédé selon la revendication 1, dans lequel le renfort (1) est un renfort 4D.
[Revendication 3] Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le procédé comprend une alternance entre le dépôt d'une couche du renfort et le dépôt d'une matrice (M) par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé, la matrice étant présente dans le volume interstitiel du renfort obtenu.
[Revendication 4] Procédé selon la revendication 3, dans lequel le procédé comprend au moins :
- le dépôt d'une première couche (10) du renfort,
- le dépôt d'une matrice (M) dans le volume interstitiel (V) de la première couche du renfort afin d'obtenir une première couche du renfort densifiée, et
- le dépôt d'une deuxième couche (20) du renfort sur la première couche du renfort densifiée.
[Revendication 5] Procédé selon la revendication 4, dans lequel le procédé comprend en outre la formation d'une interphase sur les éléments de renfort (22) de la première couche (10) du renfort avant le dépôt de la matrice (M), l'interphase étant formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par rayonnement énergétique focalisé.
[Revendication 6] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel il y a focalisation du rayonnement énergétique (Ell ; E12 ; E21 ; E22) sur une portion solide (S ; 10 ; 20) située au voisinage d'une zone où le dépôt doit être effectué.
[Revendication 7] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le rayonnement énergétique (Ell ; E12 ; E21 ; E22) focalisé est un faisceau laser focalisé.
[Revendication 8] Procédé selon la revendication 7, dans lequel la longueur d'onde du faisceau laser focalisé est comprise entre 1058 nm et 1068 nm.
[Revendication 9] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la structure (100) comporte l'un au moins des matériaux suivants : une céramique carbure, une céramique nitrure, une céramique carbonitrure, une céramique oxyde, ou une céramique de composition eutectique. [Revendication 10] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le renfort (1) est un renfort d'une pièce (40) de turbomachine.
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