EP3963641A1 - Electronic device - Google Patents
Electronic deviceInfo
- Publication number
- EP3963641A1 EP3963641A1 EP20721249.9A EP20721249A EP3963641A1 EP 3963641 A1 EP3963641 A1 EP 3963641A1 EP 20721249 A EP20721249 A EP 20721249A EP 3963641 A1 EP3963641 A1 EP 3963641A1
- Authority
- EP
- European Patent Office
- Prior art keywords
- hole
- electronic device
- layer
- transporting layer
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 77
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 89
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 39
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 23
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 17
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 claims description 16
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 12
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 101100390776 Caenorhabditis elegans fitm-2 gene Proteins 0.000 claims description 9
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 9
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 9
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 4
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 claims description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 176
- -1 Amine compounds Chemical class 0.000 description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 22
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 17
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 14
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- WUNJCKOTXFSWBK-UHFFFAOYSA-N indeno[2,1-a]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=NC5=CC=CC=C5C4=CC=C3C2=C1 WUNJCKOTXFSWBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PJULCNAVAGQLAT-UHFFFAOYSA-N indeno[2,1-a]fluorene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C4=CC=C3C2=C1 PJULCNAVAGQLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-Benz(a)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC2=C1 DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101150107979 MS4A3 gene Proteins 0.000 description 4
- 102100032517 Membrane-spanning 4-domains subfamily A member 3 Human genes 0.000 description 4
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 4
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100457453 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) MNL1 gene Proteins 0.000 description 3
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 3
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- UUSUFQUCLACDTA-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydropyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CCCC4=CC=C1C2=C43 UUSUFQUCLACDTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100275159 Arabidopsis thaliana COBL7 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100180341 Arabidopsis thaliana IWS1 gene Proteins 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N Benzo[a]fluorene Chemical compound C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4C3=CC=C21 HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150005224 SBH1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100256357 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) seb1 gene Proteins 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 2
- VVLCNWYWKSWJTG-UHFFFAOYSA-N anthracene-1,2-diamine Chemical class C1=CC=CC2=CC3=C(N)C(N)=CC=C3C=C21 VVLCNWYWKSWJTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000008365 aromatic ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZJHMRPBTRSQNPI-UHFFFAOYSA-N benzo[b][1]benzosilole Chemical compound C1=CC=C2[Si]C3=CC=CC=C3C2=C1 ZJHMRPBTRSQNPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006574 non-aromatic ring group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- LOUPRKONTZGTKE-LHHVKLHASA-N quinidine Chemical compound C([C@H]([C@H](C1)C=C)C2)C[N@@]1[C@H]2[C@@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OC)C=C21 LOUPRKONTZGTKE-LHHVKLHASA-N 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101150027996 smb1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- HKRVHTFXSUGWIV-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene]-2'-amine Chemical class C12=CC3=CC=CC=C3C1=CC=CC12C2=CC3=CC=CC=C3C2=CC=C1N HKRVHTFXSUGWIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQDYNFWTFJFEPR-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,3a-tetrahydropyrene Chemical compound C1=C2CCCC(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 HQDYNFWTFJFEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFXBERJDEUDDMX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,5-tetrazine Chemical compound C1=NC=NN=N1 ZFXBERJDEUDDMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical compound C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1 UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTJMXYRLEDBSLT-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrazine Chemical compound C1=NN=CN=N1 HTJMXYRLEDBSLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBVIDBNAYOIXOE-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-oxadiazole Chemical compound C=1N=CON=1 BBVIDBNAYOIXOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGTAZGSLCXNBQL-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-thiadiazole Chemical compound C=1N=CSN=1 YGTAZGSLCXNBQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazine Chemical compound C1=CN=NC=N1 FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDGKZGLPXCRRAM-UHFFFAOYSA-N 1,2,5-thiadiazole Chemical compound C=1C=NSN=1 UDGKZGLPXCRRAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXJHQQLYKUVLIE-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydroacridine Chemical class C1=CC=C2N=C(C=CCC3)C3=CC2=C1 UXJHQQLYKUVLIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=C(C)C(C)=CC=C3C2=C1 CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-thiadiazole Chemical compound C1=NN=CS1 MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical compound C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 11h-benzo[a]carbazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGSGBXQHMGBCBO-UHFFFAOYSA-N 1H-diazasilole Chemical compound N1C=C[SiH]=N1 AGSGBXQHMGBCBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPHIYKWSEYTCLW-UHFFFAOYSA-N 1h-azaborole Chemical class N1B=CC=C1 LPHIYKWSEYTCLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USYCQABRSUEURP-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[f]benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2C=C(NC=N3)C3=CC2=C1 USYCQABRSUEURP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLJDGKPRGUMSAA-UHFFFAOYSA-N 2,2',7,7'-tetraphenyl-1,1'-spirobi[fluorene] Chemical compound C12=CC=C(C=3C=CC=CC=3)C=C2C=C(C23C(=CC=C4C5=CC=C(C=C5C=C43)C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C1=CC=C2C1=CC=CC=C1 PLJDGKPRGUMSAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 1
- UXGVMFHEKMGWMA-UHFFFAOYSA-N 2-benzofuran Chemical compound C1=CC=CC2=COC=C21 UXGVMFHEKMGWMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYTMVABTDYMBQK-UHFFFAOYSA-N 2-benzothiophene Chemical compound C1=CC=CC2=CSC=C21 LYTMVABTDYMBQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- UTBZAFJTSSNRNN-UHFFFAOYSA-N 2H-diazaphosphole Chemical class C1=CP=NN1 UTBZAFJTSSNRNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 2H-isoindole Chemical compound C1=CC=CC2=CNC=C21 VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N Benz[a]pyrene Chemical compound C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N Tetrazine Chemical compound C1=CN=NN=N1 DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N anthracen-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(N)=CC=CC3=CC2=C1 YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- WMUIZUWOEIQJEH-UHFFFAOYSA-N benzo[e][1,3]benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2C(N=CO3)=C3C=CC2=C1 WMUIZUWOEIQJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000004619 benzopyranyl group Chemical group O1C(C=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 150000001621 bismuth Chemical class 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDIBGQFKXXXXPN-UHFFFAOYSA-N bismuth(3+) Chemical class [Bi+3] JDIBGQFKXXXXPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- LOUPRKONTZGTKE-UHFFFAOYSA-N cinchonine Natural products C1C(C(C2)C=C)CCN2C1C(O)C1=CC=NC2=CC=C(OC)C=C21 LOUPRKONTZGTKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 125000001162 cycloheptenyl group Chemical group C1(=CCCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000522 cyclooctenyl group Chemical group C1(=CCCCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 150000007858 diazaphosphole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- XXPBFNVKTVJZKF-UHFFFAOYSA-N dihydrophenanthrene Natural products C1=CC=C2CCC3=CC=CC=C3C2=C1 XXPBFNVKTVJZKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N furazan Chemical compound C=1C=NON=1 JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005980 hexynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- HOBCFUWDNJPFHB-UHFFFAOYSA-N indolizine Chemical compound C1=CC=CN2C=CC=C21 HOBCFUWDNJPFHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical class C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical compound C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002641 lithium Chemical class 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005244 neohexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 1
- 125000005069 octynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C#C* 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical class C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005981 pentynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 150000002991 phenoxazines Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001404 quinidine Drugs 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- YGPLLMPPZRUGTJ-UHFFFAOYSA-N truxene Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C(C2=C3C4=CC=CC=C4C2)=C1C1=C3CC2=CC=CC=C21 YGPLLMPPZRUGTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003754 zirconium Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
Definitions
- Hole transport layers hole blocking layers
- -Electron transport layer- -electron injection layer-cathode materials for the hole injection layer and the optionally available further hole-transporting layers are preferably selected from indenofluorenamine derivatives, amine derivatives,
- one or more layers of solution e.g. B. by spin coating, or with any printing process, such as. B. screen printing, flexographic printing, nozzle printing or offset printing, but particularly preferably LITI (Light Induced Thermal Imaging, thermal transfer printing) or ink-jet printing (inkjet printing) can be produced.
- Soluble compounds are required for this. High solubility can be achieved by suitable substitution of the compounds.
Abstract
The application relates to an electronic device, containing an organic layer that in turn contains a mixture of at least two different compounds.
Description
Elektronische Vorrichtung Electronic device
Die vorliegende Anmeldung betrifft eine elektronische Vorrichtung enthaltend, in dieser Reihenfolge, eine Anode, eine erste The present application relates to an electronic device comprising, in that order, an anode and a first
lochtransportierende Schicht, eine zweite lochtransportierende Schicht, eine emittierende Schicht, und eine Kathode. Die erste hole transporting layer, a second hole transporting layer, an emitting layer, and a cathode. The first
lochtransportierende Schicht enthält eine Mischung aus zwei Hole transporting layer contains a mixture of two
unterschiedlichen Verbindungen. Unter elektronischen Vorrichtungen im Sinne dieser Anmeldung werden sogenannte organische elektronische Vorrichtungen verstanden (organic electronic devices), welche organische Halbleitermaterialien als different connections. Electronic devices in the context of this application are understood to be so-called organic electronic devices, which are organic semiconductor materials
Funktionsmaterialien enthalten. Insbesondere werden darunter OLEDs (organische Leuchtdioden, organische Elektrolumineszenzvorrichtungen) verstanden. Dies sind elektronische Vorrichtungen, welche eine oder mehrere Schichten enthaltend organische Verbindungen aufweisen und unter Anlegen von elektrischer Spannung Licht emittieren. Der Aufbau und das allgemeine Funktionsprinzip von OLEDs sind dem Fachmann bekannt. Unter einer lochtransportierenden Schicht wird eine Schicht verstanden, die in der Lage ist, im Betrieb der elektronischen Vorrichtung Löcher zu transportieren. Insbesondere ist sie eine Schicht, die in einer OLED enthaltend eine emittierende Schicht zwischen Anode und der genannten emittierenden Schicht angeordnet ist. Functional materials included. In particular, it is understood to mean OLEDs (organic light-emitting diodes, organic electroluminescent devices). These are electronic devices which have one or more layers containing organic compounds and which emit light when an electrical voltage is applied. The structure and the general functional principle of OLEDs are known to the person skilled in the art. A hole-transporting layer is understood to be a layer which is able to transport holes when the electronic device is in operation. In particular, it is a layer which is arranged in an OLED containing an emitting layer between the anode and the said emitting layer.
Bei elektronischen Vorrichtungen, insbesondere OLEDs, besteht großes Interesse an einer Verbesserung der Leistungsdaten, insbesondere In the case of electronic devices, especially OLEDs, there is great interest in improving the performance data, in particular
Lebensdauer, Effizienz, Betriebsspannung und Farbreinheit. In diesen Punkten konnte noch keine vollständig zufriedenstellende Lösung gefunden werden.
Lochtransportierende Schichten haben einen großen Einfluss auf die oben genannten Leistungsdaten der elektronischen Vorrichtungen. Sie können als einzelne lochtransportierende Schicht zwischen Anode und Lifespan, efficiency, operating voltage and color purity. A completely satisfactory solution has not yet been found on these points. Hole transporting layers have a great influence on the above-mentioned performance data of the electronic devices. They can be used as a single hole-transporting layer between the anode and
emittierender Schicht Vorkommen, oder in Form mehrerer emitting layer occurrence, or in the form of several
lochtransportierender Schichten, beispielsweise 2 oder 3 hole-transporting layers, for example 2 or 3
lochtransportierender Schichten, zwischen Anode und emittierender Schicht Vorkommen. Die lochtransportierenden Schichten können neben ihrer lochtransportierenden Funktion auch elektronenblockierende Funktion aufweisen, das heißt, dass sie den Durchtritt von Elektronen von der emittierenden Schicht hin zur Anode blockieren. Diese Funktion ist besonders wünschenswert bei einer lochtransportierenden Schicht, die direkt anodenseitig an die emittierende Schicht angrenzt. hole-transporting layers, occurrence between anode and emitting layer. In addition to their hole-transporting function, the hole-transporting layers can also have an electron-blocking function, that is to say that they block the passage of electrons from the emitting layer to the anode. This function is particularly desirable in the case of a hole-transporting layer which directly adjoins the emitting layer on the anode side.
Als Materialien für lochtransportierende Schichten sind im Stand der Technik in erster Linie Aminverbindungen, insbesondere Amine compounds, in particular, are primarily amine compounds in the prior art as materials for hole-transporting layers
Triarylaminverbindungen bekannt. Beispiele für derartige Triarylamine compounds known. Examples of such
Triarylaminverbindungen sind Spirobifluorenamine, Fluorenamine, Triarylamine compounds are spirobifluorenamines, fluorenamines,
Indenofluoren-Amine, Phenanthrenamine, Carbazolamine, Xanthen-Amine, Spiro-Dihydroacridin-Amine, Biphenyl-Amine und Kombinationen dieser Strukturelemente mit einer oder mehreren Aminogruppen, wobei dies nur eine Auswahl ist und dem Fachmann weitere Strukturklassen bekannt sind. Indenofluorene amines, phenanthrene amines, carbazole amines, xanthene amines, spiro-dihydroacridine amines, biphenyl amines and combinations of these structural elements with one or more amino groups, this being only a selection and further structural classes known to the person skilled in the art.
Überraschend wurde nun gefunden, dass eine elektronische Vorrichtung, enthaltend Anode, Kathode, emittierende Schicht, eine erste Surprisingly, it has now been found that an electronic device containing anode, cathode, emitting layer, a first
lochtransportierende Schicht und eine zweite lochtransportierende Schicht, wobei die erste lochtransportierende Schicht eine Mischung aus zwei unterschiedlichen Verbindungen enthält, bessere Leistungsdaten aufweist als eine elektronische Vorrichtung gemäß dem Stand der Technik, bei der die erste lochtransportierende Schicht aus einer einzigen Verbindung gebildet ist. Insbesondere ist die Lebensdauer einer solchen Vorrichtung verglichen mit der oben genannten Vorrichtung gemäß dem Stand der Technik verbessert.
Gegenstand der vorliegenden Anmeldung ist damit eine elektronische Vorrichtung, enthaltend hole-transporting layer and a second hole-transporting layer, the first hole-transporting layer containing a mixture of two different compounds, has better performance data than an electronic device according to the prior art, in which the first hole-transporting layer is formed from a single compound. In particular, the service life of such a device is improved compared with the above-mentioned device according to the prior art. The subject of the present application is thus an electronic device containing
- Anode, - anode,
- Kathode, - cathode,
- zwischen Anode und Kathode angeordnete emittierende Schicht, - emitting layer arranged between anode and cathode,
- eine erste lochtransportierende Schicht, die zwischen Anode und - A first hole-transporting layer between the anode and
emittierender Schicht angeordnet ist und die zwei unterschiedliche Verbindungen enthält, die einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) entsprechen emitting layer is arranged and which contains two different compounds which correspond to the same or different formula selected from formulas (I) and (II)
Formel (II), wobei Formula (II), where
Z bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus CR1 und Z is selected identically or differently on each occurrence from CR 1 and
N, wobei Z gleich C ist, wenn eine Gruppe
daran gebunden ist;
X bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus N, where Z is C, if a group is bound to it; X is selected identically or differently on each occurrence from
Einfachbindung, 0, S, C(R1 )2 und NR1; Single bond, O, S, C (R 1 ) 2 and NR 1 ;
Ar1 und Ar2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt sind aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ar 1 and Ar 2 are selected identically or differently on each occurrence from aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ones
Ringatomen, die mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sind, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sind; R1 und R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt sind ausRing atoms which are substituted by one or more radicals R 2 , and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms which are substituted by one or more radicals R 2 ; R 1 and R 2 are selected identically or differently on each occurrence from
H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R3, CN, Si(R3)3, N(R3)2, P(=0)(R3)2, OR3, S(=0)R3, S(=0)2R3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C- Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen H, D, F, CI, Br, I, C (= 0) R 3 , CN, Si (R 3 ) 3 , N (R 3 ) 2 , P (= 0) (R 3 ) 2 , OR 3 , S (= 0) R 3 , S (= 0) 2 R 3 , straight-chain alkyl or alkoxy groups with 1 to 20 carbon atoms, branched or cyclic alkyl or alkoxy groups with 3 to 20 carbon atoms, alkenyl or alkynyl groups with 2 to 20 carbon atoms, aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ones
Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R1 bzw. R2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ring atoms, and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; where two or more radicals R 1 or R 2 can be linked to one another and can form a ring; said alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups and said aromatic ring systems and heteroaromatic
Ringsysteme jeweils mit Resten R3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH2-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R3C=CR3-, -C^C-, Si(R3)2, C=0, Ring systems are each substituted by radicals R 3 ; and where one or more CH 2 groups in said alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups are represented by -R 3 C = CR 3 -, -C ^ C-, Si (R 3 ) 2 , C = 0,
C=NR3, -C(=0)0-, -C(=0)NR3-, NR3, P(=0)(R3), -O-, -S-, SO oder S02 ersetzt sein können; C = NR 3 , -C (= 0) 0-, -C (= 0) NR 3 -, NR 3 , P (= 0) (R 3 ), -O-, -S-, SO or S0 2 replaced could be;
R3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CI, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen R 3 is selected identically or differently on each occurrence from H, D, F, CI, Br, I, CN, alkyl or alkoxy groups with 1 to 20 carbon atoms, alkenyl or alkynyl groups with 2 to 20 carbon atoms, aromatic
Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und Ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms and
heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic
Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R3 miteinander verknüpft sein
können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; n gleich 0, 1 , 2, 3 oder 4 ist, wobei für n=0 die Gruppe Ar1 nicht vorhanden ist und das Stickstoffatom direkt an den Rest der Formel gebunden ist; und Ring atoms; where two or more radicals R 3 are linked to one another can and can form a ring; and wherein said alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups, aromatic ring systems and heteroaromatic ring systems can be substituted by one or more radicals selected from F and CN; n is 0, 1, 2, 3 or 4, the group Ar 1 not being present for n = 0 and the nitrogen atom being bonded directly to the remainder of the formula; and
- eine zweite lochtransportierende Schicht, die zwischen der ersten - A second hole-transporting layer between the first
lochtransportierenden Schicht und der emittierenden Schicht hole transporting layer and the emitting layer
angeordnet ist. Für n=2 sind zwei Gruppen Ar1 in einer Reihe hintereinander gebunden, als -Ar1-Ar1-. Für n=3 sind drei Gruppen Ar1 in einer Reihe hintereinander gebunden, als -Ar1 -Ar1 -Ar1-. Für n=4 sind vier Gruppen Ar1 in einer Reihe hintereinander gebunden, als -Ar1 -Ar1 -Ar1 -Ar1-. Die folgenden Definitionen gelten für die chemischen Gruppen, die in der vorliegenden Anmeldung verwendet werden. Sie gelten, soweit keine spezielleren Definitionen angegeben sind. is arranged. For n = 2, two groups Ar 1 are bonded one behind the other in a row, as -Ar 1 -Ar 1 -. For n = 3, three groups Ar 1 are bonded one behind the other in a row, as -Ar 1 -Ar 1 -Ar 1 -. For n = 4, four groups Ar 1 are bonded one behind the other in a row, as -Ar 1 -Ar 1 -Ar 1 -Ar 1 -. The following definitions apply to the chemical groups used in the present application. They apply unless more specific definitions are given.
Unter einer Arylgruppe im Sinne dieser Erfindung wird entweder ein einzelner aromatischer Cyclus, also Benzol, oder ein kondensierter aromatischer Polycyclus, beispielsweise Naphthalin, Phenanthren oder Anthracen, verstanden. Ein kondensierter aromatischer Polycyclus besteht im Sinne der vorliegenden Anmeldung aus zwei oder mehr miteinander kondensierten einzelnen aromatischen Cyclen. Unter Kondensation zwischen Cyclen ist dabei zu verstehen, dass die Cyclen mindestens eine Kante miteinander teilen. Eine Arylgruppe im Sinne dieser Erfindung enthält
6 bis 40 aromatische Ringatome. Eine Arylgruppe enthält keine For the purposes of this invention, an aryl group is understood to mean either a single aromatic cycle, that is to say benzene, or a condensed aromatic polycycle, for example naphthalene, phenanthrene or anthracene. For the purposes of the present application, a condensed aromatic polycycle consists of two or more individual aromatic rings condensed with one another. Condensation between cycles is to be understood as meaning that the cycles share at least one edge with one another. Contains an aryl group for the purposes of this invention 6 to 40 aromatic ring atoms. An aryl group does not contain any
Heteroatome als aromatische Ringatome. Heteroatoms as aromatic ring atoms.
Unter einer Heteroarylgruppe im Sinne dieser Erfindung wird entweder ein einzelner heteroaromatischer Cyclus, beispielsweise Pyridin, Pyrimidin oder Thiophen, oder ein kondensierter heteroaromatischer Polycyclus, beispielsweise Chinolin oder Carbazol, verstanden. Ein kondensierter heteroaromatischer Polycyclus besteht im Sinne der vorliegenden For the purposes of this invention, a heteroaryl group is understood to mean either a single heteroaromatic cycle, for example pyridine, pyrimidine or thiophene, or a condensed heteroaromatic polycycle, for example quinoline or carbazole. A condensed heteroaromatic polycycle exists within the meaning of the present invention
Anmeldung aus zwei oder mehr miteinander kondensierten einzelnen aromatischen oder heteroaromatischen Cyclen, wobei wenigstens einer der aromatischen und heteroaromatischen Cyclen ein heteroaromatischer Cyclus ist. Unter Kondensation zwischen Cyclen ist dabei zu verstehen, dass die Cyclen mindestens eine Kante miteinander teilen. Eine Application of two or more individual aromatic or heteroaromatic cycles condensed with one another, at least one of the aromatic and heteroaromatic cycles being a heteroaromatic cycle. Condensation between cycles is to be understood as meaning that the cycles share at least one edge with one another. A
Heteroarylgruppe im Sinne dieser Erfindung enthält 5 bis 40 aromatische Ringatome, von denen mindestens eines ein Heteroatom darstellt. Die Heteroatome der Heteroarylgruppe sind bevorzugt ausgewählt aus N, O und S. For the purposes of this invention, a heteroaryl group contains 5 to 40 aromatic ring atoms, at least one of which is a heteroatom. The heteroatoms of the heteroaryl group are preferably selected from N, O and S.
Unter einer Aryl- oder Heteroarylgruppe, die jeweils mit den oben Under an aryl or heteroaryl group, each with the above
genannten Resten substituiert sein kann werden insbesondere Gruppen verstanden, welche abgeleitet sind von Benzol, Naphthalin, Anthracen, Phenanthren, Pyren, Dihydropyren, Chrysen, Perylen, Triphenylen, mentioned radicals can be substituted, in particular groups are understood which are derived from benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, dihydropyrene, chrysene, perylene, triphenylene,
Fluoranthen, Benzanthracen, Benzphenanthren, Tetracen, Pentacen, Benzpyren, Furan, Benzofuran, Isobenzofuran, Dibenzofuran, Thiophen, Benzothiophen, Isobenzothiophen, Dibenzothiophen, Pyrrol, Indol, Isoindol, Carbazol, Pyridin, Chinolin, Isochinolin, Acridin, Phenanthridin, Benzo-5,6- chinolin, Benzo-6,7-chinolin, Benzo-7,8-chinolin, Phenothiazin, Phenoxazin, Pyrazol, Indazol, Imidazol, Benzimidazol, Benzimidazolo[1 ,2- ajbenzimidazol, Naphthimidazol, Phenanthrimidazol, Pyridimidazol, Fluoranthene, benzanthracene, benzphenanthrene, tetracene, pentacene, benzopyrene, furan, benzofuran, isobenzofuran, dibenzofuran, thiophene, benzothiophene, isobenzothiophene, dibenzothiophene, pyrrole, indole, isoindole, carbazole, pyridine, quinidine, benzoquinoline, acridine, isoquinoline 5, 6- quinoline, benzo-6,7-quinoline, benzo-7,8-quinoline, phenothiazine, phenoxazine, pyrazole, indazole, imidazole, benzimidazole, benzimidazolo [1,2-ajbenzimidazole, naphthimidazole, phenanthrimidazole, pyridimidazole,
Pyrazinimidazol, Chinoxalinimidazol, Oxazol, Benzoxazol, Naphthoxazol, Anthroxazol, Phenanthroxazol, Isoxazol, 1 ,2-Thiazol, 1 ,3-Thiazol, Benzo- thiazol, Pyridazin, Benzopyridazin, Pyrimidin, Benzpyrimidin, Chinoxalin,
Pyrazin, Phenazin, Naphthyridin, Azacarbazol, Benzocarbolin, Phenan- throlin, 1 ,2,3-T riazol, 1 ,2,4-T riazol, Benzotriazol, 1 ,2,3-Oxadiazol, Pyrazinimidazole, quinoxalinimidazole, oxazole, benzoxazole, naphthoxazole, anthroxazole, phenanthroxazole, isoxazole, 1,2-thiazole, 1,3-thiazole, benzothiazole, pyridazine, benzopyridazine, pyrimidine, benzpyrimidine, quinoxaline, Pyrazine, phenazine, naphthyridine, azacarbazole, benzocarboline, phenanthroline, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, benzotriazole, 1,2,3-oxadiazole,
1 ,2,4-Oxadiazol, 1 ,2,5-Oxadiazol, 1 ,3,4-Oxadiazol, 1 ,2,3-Thiadiazol, 1 ,2,4- Thiadiazol, 1 ,2,5-Thiadiazol, 1 ,3,4-Thiadiazol, 1 ,3,5-T riazin, 1 ,2,4-T riazin, 1 ,2,3-T riazin, Tetrazol, 1 ,2,4,5-Tetrazin, 1 ,2,3,4-Tetrazin, 1 ,2,3,5-Tetrazin, 1, 2,4-oxadiazole, 1, 2,5-oxadiazole, 1, 3,4-oxadiazole, 1, 2,3-thiadiazole, 1, 2,4-thiadiazole, 1, 2,5-thiadiazole, 1, 3,4-thiadiazole, 1, 3,5-triazine, 1, 2,4-triazine, 1, 2,3-triazine, tetrazole, 1, 2,4,5-tetrazine, 1, 2,3 , 4-tetrazine, 1, 2,3,5-tetrazine,
Purin, Pteridin, Indolizin und Benzothiadiazol. Purine, pteridine, indolizine and benzothiadiazole.
Ein aromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung ist ein System, welches nicht notwendigerweise nur Arylgruppen enthält, sondern welches zusätzlich einen oder mehrere nicht-aromatische Ringe enthalten kann, die mit wenigstens einer Arylgruppe kondensiert sind. Diese nicht For the purposes of this invention, an aromatic ring system is a system which does not necessarily contain only aryl groups, but which can additionally contain one or more non-aromatic rings which are condensed with at least one aryl group. These don't
aromatischen Ringe enthalten ausschließlich Kohlenstoffatome als aromatic rings contain only carbon atoms as
Ringatome. Beispiele für Gruppen, die von dieser Definition umfasst sind, sind Tetrahydronaphthalin, Fluoren und Spirobifluoren. Weiterhin umfasst der Begriff aromatisches Ringsystem Systeme, die aus zwei oder mehr aromatischen Ringsystemen bestehen, die über Einfachbindungen miteinander verbunden sind, beispielsweise Biphenyl, Terphenyl, 7-Phenyl- 2-fluorenyl, Quaterphenyl und 3, 5-Diphenyl-1 -phenyl. Ein aromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung enthält 6 bis 40 C-Atome und keine Heteroatome im Ringsystem. Die Definition von„aromatisches Ringsystem“ umfasst nicht Heteroarylgruppen. Ring atoms. Examples of groups encompassed by this definition are tetrahydronaphthalene, fluorene and spirobifluorene. The term aromatic ring system also includes systems that consist of two or more aromatic ring systems that are connected to one another via single bonds, for example biphenyl, terphenyl, 7-phenyl-2-fluorenyl, quaterphenyl and 3,5-diphenyl-1-phenyl. An aromatic ring system for the purposes of this invention contains 6 to 40 carbon atoms and no heteroatoms in the ring system. The definition of “aromatic ring system” does not include heteroaryl groups.
Ein heteroaromatisches Ringsystem entspricht der oben genannten A heteroaromatic ring system corresponds to that mentioned above
Definition eines aromatischen Ringsystems, mit dem Unterschied dass es mindestens ein Heteroatom als Ringatom enthalten muss. Wie es beim aromatischen Ringsystem der Fall ist, muss das heteroaromatische Definition of an aromatic ring system, with the difference that it must contain at least one heteroatom as a ring atom. As is the case with the aromatic ring system, the heteroaromatic one must
Ringsystem nicht ausschließlich Arylgruppen und Heteroarylgruppen enthalten, sondern es kann zusätzlich einen oder mehrere nicht Ring system does not exclusively contain aryl groups and heteroaryl groups, but can also not contain one or more
aromatische Ringe enthalten, die mit wenigstens einer Aryl- oder contain aromatic rings, which with at least one aryl or
Heteroarylgruppe kondensiert sind. Die nicht-aromatischen Ringe können ausschließlich C-Atome als Ringatome enthalten, oder sie können zusätzlich ein oder mehrere Heteroatome enthalten, wobei die
Heteroatome bevorzugt gewählt sind aus N, 0 und S. Ein Beispiel für ein derartiges heteroaromatisches Ringsystem ist Benzopyranyl. Weiterhin werden unter dem Begriff„heteroaromatisches Ringsystem“ Systeme verstanden, die aus zwei oder mehr aromatischen oder heteroaromatischen Ringsystemen bestehen, die miteinander über Einfachbindungen Heteroaryl group are condensed. The non-aromatic rings can exclusively contain carbon atoms as ring atoms, or they can additionally contain one or more heteroatoms, the Heteroatoms are preferably selected from N, 0 and S. An example of such a heteroaromatic ring system is benzopyranyl. Furthermore, the term “heteroaromatic ring system” is understood to mean systems which consist of two or more aromatic or heteroaromatic ring systems which are connected to one another via single bonds
verbunden sind, wie beispielsweise 4,6-Diphenyl-2-triazinyl. Ein such as 4,6-diphenyl-2-triazinyl. One
heteroaromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung enthält 5 bis 40 Ringatome, die gewählt sind aus Kohlenstoff und Heteroatomen, wobei mindestens eines der Ringatome ein Heteroatom ist. Die Heteroatome des heteroaromatischen Ringsystems sind bevorzugt ausgewählt aus N, O und S. heteroaromatic ring system for the purposes of this invention contains 5 to 40 ring atoms selected from carbon and heteroatoms, at least one of the ring atoms being a heteroatom. The heteroatoms of the heteroaromatic ring system are preferably selected from N, O and S.
Die Begriffe„heteroaromatisches Ringsystem“ und„aromatisches The terms “heteroaromatic ring system” and “aromatic
Ringsystem“ gemäß der Definition der vorliegenden Anmeldung Ring system ”as defined in the present application
unterscheiden sich damit dadurch voneinander, dass ein aromatisches Ringsystem kein Heteroatom als Ringatom aufweisen kann, während ein heteroaromatisches Ringsystem mindestens ein Heteroatom als Ringatom aufweisen muss. Dieses Heteroatom kann als Ringatom eines nicht aromatischen heterocyclischen Rings oder als Ringatom eines thus differ from one another in that an aromatic ring system cannot have a heteroatom as a ring atom, while a heteroaromatic ring system must have at least one heteroatom as a ring atom. This hetero atom can be a ring atom of a non-aromatic heterocyclic ring or a ring atom of a
aromatischen heterocyclischen Rings vorliegen. aromatic heterocyclic ring.
Entsprechend der obenstehenden Definitionen ist jede Arylgruppe vom Begriff„aromatisches Ringsystem“ umfasst, und jede Heteroarylgruppe ist vom Begriff„heteroaromatisches Ringsystem“ umfasst. According to the above definitions, each aryl group is encompassed by the term “aromatic ring system”, and each heteroaryl group is encompassed by the term “heteroaromatic ring system”.
Unter einem aromatischen Ringsystem mit 6 bis 40 aromatischen Under an aromatic ring system with 6 to 40 aromatic
Ringatomen oder einem heteroaromatischen Ringsystem mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, werden insbesondere Gruppen verstanden, die abgeleitet sind von den oben unter Arylgruppen und Heteroarylgruppen genannten Gruppen sowie von Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Fluoren, Spirobifluoren, Dihydrophenanthren, Dihydropyren, Tetrahydropyren,
Indenofluoren, Truxen, Isotruxen, Spirotruxen, Spiroisotruxen, Ring atoms or a heteroaromatic ring system with 5 to 40 aromatic ring atoms are understood in particular as groups derived from the groups mentioned above under aryl groups and heteroaryl groups and from biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, fluorene, spirobifluorene, dihydrophenanthrene, dihydropyrene, tetrahydropyrene, Indenofluoren, Truxen, Isotruxen, Spirotruxen, Spiroisotruxen,
Indenocarbazol, oder von Kombinationen dieser Gruppen. Indenocarbazole, or combinations of these groups.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung werden unter einer geradkettigen Alkylgruppe mit 1 bis 20 C-Atomen bzw. einer verzweigten oder cyclischen Alkylgruppe mit 3 bis 20 C-Atomen bzw. einer Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen, in der auch einzelne H-Atome oder Chh-Gruppen durch die oben bei der Definition der Reste genannten Gruppen substituiert sein können, bevorzugt die Reste Methyl, Ethyl, n-Propyl, i-Propyl, n-Butyl, i-Butyl, s-Butyl, t-Butyl, 2-Methylbutyl, n-Pentyl, s-Pentyl, Cyclopentyl, neo- Pentyl, n-Hexyl, Cyclohexyl, neo-Hexyl, n-Heptyl, Cycloheptyl, n-Octyl, Cyclooctyl, 2-Ethylhexyl, Trifluormethyl, Pentafluorethyl, 2,2,2-T rifluorethyl, Ethenyl, Propenyl, Butenyl, Pentenyl, Cyclopentenyl, Hexenyl, In the context of the present invention, a straight-chain alkyl group with 1 to 20 carbon atoms or a branched or cyclic alkyl group with 3 to 20 carbon atoms or an alkenyl or alkynyl group with 2 to 40 carbon atoms, in which also individual H atoms or Chh groups can be substituted by the groups mentioned above in the definition of the radicals, preferably the radicals methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, s-butyl, t- Butyl, 2-methylbutyl, n-pentyl, s-pentyl, cyclopentyl, neo-pentyl, n-hexyl, cyclohexyl, neo-hexyl, n-heptyl, cycloheptyl, n-octyl, cyclooctyl, 2-ethylhexyl, trifluoromethyl, pentafluoroethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, ethenyl, propenyl, butenyl, pentenyl, cyclopentenyl, hexenyl,
Cyclohexenyl, Heptenyl, Cycloheptenyl, Octenyl, Cyclooctenyl, Ethinyl, Propinyl, Butinyl, Pentinyl, Hexinyl oder Octinyl verstanden. Cyclohexenyl, heptenyl, cycloheptenyl, octenyl, cyclooctenyl, ethynyl, propynyl, butynyl, pentynyl, hexynyl or octynyl.
Unter einer Alkoxy- oder Thioalkylgruppe mit 1 bis 20 C-Atomen, in der auch einzelne H-Atome oder CH2-Gruppen durch die oben bei der Under an alkoxy or thioalkyl group with 1 to 20 carbon atoms, in which also individual H atoms or CH2 groups by the above in the
Definition der Reste genannten Gruppen substituiert sein können, werden bevorzugt Methoxy, Trifluormethoxy, Ethoxy, n-Propoxy, i-Propoxy, n- Butoxy, i-Butoxy, s-Butoxy, t-Butoxy, n-Pentoxy, s-Pentoxy, 2-Methyl- butoxy, n-Hexoxy, Cyclohexyloxy, n-Heptoxy, Cycloheptyloxy, n-Octyloxy, Cyclooctyloxy, 2-Ethylhexyloxy, Pentafluorethoxy, 2,2,2-Trifluorethoxy, Methylthio, Ethylthio, n-Propylthio, i-Propylthio, n-Butylthio, i-Butylthio, s- Butylthio, t-Butylthio, n-Pentylthio, s-Pentylthio, n-Hexylthio, Cyclohexylthio, n-Heptylthio, Cycloheptylthio, n-Octylthio, Cyclooctylthio, 2-Ethylhexylthio, Trifluormethylthio, Pentafluorethylthio, 2,2,2-T rifluorethylthio, Ethenylthio, Propenylthio, Butenylthio, Pentenylthio, Cyclopentenylthio, Hexenylthio, Cyclohexenylthio, Heptenylthio, Cycloheptenylthio, Octenylthio, Definition of the groups mentioned can be substituted, methoxy, trifluoromethoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, i-butoxy, s-butoxy, t-butoxy, n-pentoxy, s-pentoxy, 2 -Methylbutoxy, n-hexoxy, cyclohexyloxy, n-heptoxy, cycloheptyloxy, n-octyloxy, cyclooctyloxy, 2-ethylhexyloxy, pentafluoroethoxy, 2,2,2-trifluoroethoxy, methylthio, ethylthio, n-propylthio, i-propylthio, n -Butylthio, i-butylthio, s-butylthio, t-butylthio, n-pentylthio, s-pentylthio, n-hexylthio, cyclohexylthio, n-heptylthio, cycloheptylthio, n-octylthio, cyclooctylthio, 2-ethylhexylthio, pentylthio, trifethylthio , 2,2-T rifluoroethylthio, ethenylthio, propenylthio, butenylthio, pentenylthio, cyclopentenylthio, hexenylthio, cyclohexenylthio, heptenylthio, cycloheptenylthio, octenylthio,
Cyclooctenylthio, Ethinylthio, Propinylthio, Butinylthio, Pentinylthio, Cyclooctenylthio, ethynylthio, propynylthio, butynylthio, pentynylthio,
Hexinylthio, Heptinylthio oder Octinylthio verstanden.
Unter der Formulierung, dass zwei oder mehr Reste miteinander einen Ring bilden können, soll im Rahmen der vorliegenden Anmeldung unter anderem verstanden werden, dass die beiden Reste miteinander durch eine chemische Bindung verknüpft sind. Weiterhin soll unter der oben genannten Formulierung aber auch verstanden werden, dass für den Fall, dass einer der beiden Reste Wasserstoff darstellt, der zweite Rest unter Bildung eines Rings an die Position, an die das Wasserstoffatom gebunden war, bindet. Die elektronische Vorrichtung ist bevorzugt eine organische Hexinylthio, heptinylthio or octinylthio understood. The formulation that two or more radicals can form a ring with one another is to be understood in the context of the present application, inter alia, to mean that the two radicals are linked to one another by a chemical bond. Furthermore, the abovementioned formulation should also be understood to mean that in the event that one of the two radicals represents hydrogen, the second radical binds to the position to which the hydrogen atom was bound to form a ring. The electronic device is preferably an organic one
Elektrolumineszenzvorrichtung (OLED). Electroluminescent device (OLED).
Als Anode der elektronischen Vorrichtung sind Materialien mit hoher Austrittsarbeit bevorzugt. Bevorzugt weist die Anode eine Austrittsarbeit größer als 4.5 eV vs. Vakuum auf. Hierfür sind einerseits Metalle mit hohem Redoxpotential geeignet, wie beispielsweise Ag, Pt oder Au. Es können andererseits auch Metall/Metalloxid-Elektroden (z. B. AI/Ni/NiOx, AI/PtOx) bevorzugt sein. Für einige Anwendungen sollte mindestens eine der Elektroden transparent oder teiltransparent sein, um entweder die Materials with a high work function are preferred as the anode of the electronic device. The anode preferably has a work function greater than 4.5 eV vs. Vacuum on. On the one hand, metals with a high redox potential are suitable for this, such as Ag, Pt or Au. On the other hand, metal / metal oxide electrodes (for example Al / Ni / NiO x , Al / PtO x ) can also be preferred. For some applications at least one of the electrodes should be transparent or partially transparent to either the
Bestrahlung des organischen Materials (organische Solarzelle) oder die Auskopplung von Licht (OLED, O-LASER) zu ermöglichen. Bevorzugte Anodenmaterialien sind in diesem Fall leitfähige gemischte Metalloxide. Besonders bevorzugt sind Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink Oxid (IZO). Bevorzugt sind weiterhin leitfähige, dotierte organische Materialien, insbesondere leitfähige dotierte Polymere. Weiterhin kann die Anode auch aus mehreren Schichten bestehen, beispielsweise aus einer inneren Schicht aus ITO und einer äußeren Schicht aus einem Metalloxid, bevorzugt Wolframoxid, Molybdänoxid oder Vanadiumoxid. Als Kathode der elektronischen Vorrichtung sind Metalle mit geringer Austrittsarbeit, Metalllegierungen oder mehrlagige Strukturen aus verschiedenen Metallen bevorzugt, wie beispielsweise Erdalkalimetalle,
Alkalimetalle, Hauptgruppenmetalle oder Lanthanoide (z. B. Ca, Ba, Mg, AI, In, Mg, Yb, Sm, etc.). Weiterhin eignen sich Legierungen aus einem Alkali oder Erdalkalimetall und Silber, beispielsweise eine Legierung aus To enable irradiation of the organic material (organic solar cell) or the extraction of light (OLED, O-LASER). Preferred anode materials in this case are conductive mixed metal oxides. Indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) are particularly preferred. Also preferred are conductive, doped organic materials, in particular conductive doped polymers. Furthermore, the anode can also consist of several layers, for example an inner layer made of ITO and an outer layer made of a metal oxide, preferably tungsten oxide, molybdenum oxide or vanadium oxide. Metals with a low work function, metal alloys or multilayer structures made of various metals, such as alkaline earth metals, are preferred as the cathode of the electronic device. Alkali metals, main group metals or lanthanoids (e.g. Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm, etc.). Furthermore, alloys of an alkali or alkaline earth metal and silver, for example an alloy of
Magnesium und Silber. Bei mehrlagigen Strukturen können auch zusätzlich zu den genannten Metallen weitere Metalle verwendet werden, die eine relativ hohe Austrittsarbeit aufweisen, wie z. B. Ag oder AI, wobei dann in der Regel Kombinationen der Metalle, wie beispielsweise Ca/Ag, Mg/Ag oder Ba/Ag verwendet werden. Es kann auch bevorzugt sein, zwischen einer metallischen Kathode und dem organischen Halbleiter eine dünne Zwischenschicht eines Materials mit einer hohen Dielektrizitätskonstante einzubringen. Hierfür kommen beispielsweise Alkalimetall- oder Magnesium and silver. In the case of multi-layer structures, in addition to the metals mentioned, other metals can be used that have a relatively high work function, such as. B. Ag or Al, in which case combinations of metals such as Ca / Ag, Mg / Ag or Ba / Ag are then usually used. It can also be preferred to introduce a thin intermediate layer of a material with a high dielectric constant between a metallic cathode and the organic semiconductor. For example, alkali metal or
Erdalkalimetallfluoride, aber auch die entsprechenden Oxide oder Alkaline earth metal fluorides, but also the corresponding oxides or
Carbonate in Frage (z. B. LiF, LhO, BaF2, MgO, NaF, CsF, CS2CO3, etc.). Weiterhin kann dafür Lithiumchinolinat (LiQ) verwendet werden. Die Carbonates in question (e.g. LiF, LhO, BaF2, MgO, NaF, CsF, CS2CO3, etc.). Lithium quinolinate (LiQ) can also be used for this. The
Schichtdicke dieser Schicht beträgt bevorzugt zwischen 0.5 und 5 nm. The layer thickness of this layer is preferably between 0.5 and 5 nm.
Die emittierende Schicht der Vorrichtung kann eine fluoreszierende oder eine phosphoreszierende emittierende Schicht sein. Bevorzugt ist die emittierende Schicht der Vorrichtung eine fluoreszierende emittierende Schicht, insbesondere bevorzugt eine blau fluoreszierende emittierende Schicht. In fluoreszierenden emittierenden Schichten ist der Emitter bevorzugt ein Singulett-Emitter, d.h. eine Verbindung, die beim Betrieb der Vorrichtung aus einem angeregten Singulett-Zustand heraus Licht emittiert. In phosphoreszierenden emittierenden Schichten ist der Emitter bevorzugt ein Triplett-Emitter, d.h. eine Verbindung, die beim Betrieb der Vorrichtung aus einem angeregten Triplett-Zustand heraus oder aus einem Zustand mit einer höheren Spinquantenzahl, beispielsweise einem Quintett-Zustand, heraus Licht emittiert. Als fluoreszierende emittierende Schichten werden gemäß einer The emitting layer of the device can be a fluorescent or a phosphorescent emitting layer. The emitting layer of the device is preferably a fluorescent emitting layer, particularly preferably a blue fluorescent emitting layer. In fluorescent emitting layers, the emitter is preferably a singlet emitter, i. a compound that emits light from an excited singlet state when the device is operated. In phosphorescent emitting layers the emitter is preferably a triplet emitter, i.e. a compound which, when the device is in operation, emits light from an excited triplet state or from a state with a higher spin quantum number, for example a quintet state. As fluorescent emitting layers are according to a
bevorzugten Ausführungsform blau fluoreszierende Schichten eingesetzt.
Als phosphoreszierende emittierende Schichten werden gemäß einer bevorzugten Ausführungsform grün oder rot phosphoreszierende preferred embodiment blue fluorescent layers used. According to a preferred embodiment, green or red phosphorescent layers are used as phosphorescent emitting layers
emittierende Schichten eingesetzt. Als phosphoreszierende Emitter eignen sich insbesondere Verbindungen, die bei geeigneter Anregung Licht, vorzugsweise im sichtbaren Bereich, emittieren und außerdem mindestens ein Atom der Ordnungszahl größer 20, bevorzugt größer 38 und kleiner 84, besonders bevorzugt größer 56 und kleiner 80 enthalten. Bevorzugt werden als phosphoreszierende Emitter Verbindungen, die Kupfer, Molybdän, Wolfram, Rhenium, emitting layers used. Particularly suitable phosphorescent emitters are compounds which, when appropriately excited, emit light, preferably in the visible range, and which also contain at least one atom with an atomic number greater than 20, preferably greater than 38 and less than 84, particularly preferably greater than 56 and less than 80. Preferred phosphorescent emitters are compounds containing copper, molybdenum, tungsten, rhenium,
Ruthenium, Osmium, Rhodium, Iridium, Palladium, Platin, Silber, Gold oder Europium enthalten, verwendet, insbesondere Verbindungen, die Iridium, Platin oder Kupfer enthalten. Generell eignen sich alle phosphoreszierenden Komplexe, wie sie gemäß dem Stand der Technik für phosphoreszierende OLEDs verwendet werden und wie sie dem Fachmann auf dem Gebiet der organischen Elektro lumineszenzvorrichtungen bekannt sind, zur Verwendung in den Ruthenium, osmium, rhodium, iridium, palladium, platinum, silver, gold or europium are used, in particular compounds containing iridium, platinum or copper. In general, all phosphorescent complexes, as used according to the prior art for phosphorescent OLEDs and as they are known to the person skilled in the art in the field of organic electroluminescent devices, are suitable for use in the
erfindungsgemäßen Vorrichtungen. devices according to the invention.
Bevorzugte Verbindungen zur Verwendung als phosphoreszierende Emitter sind in der folgenden Tabelle gezeigt: Preferred compounds for use as phosphorescent emitters are shown in the following table:
30
30th
30
30th
30
30th
30
30th
30
30th
Bevorzugte fluoreszierende emittierende Verbindungen sind ausgewählt aus der Klasse der Arylamine. Unter einem Arylamin bzw. einem Preferred fluorescent emitting compounds are selected from the class of the arylamines. Under an arylamine or a
aromatischen Amin im Sinne dieser Erfindung wird eine Verbindung verstanden, die drei substituierte oder unsubstituierte aromatische oder heteroaromatische Ringsysteme direkt an den Stickstoff gebunden enthält.
Bevorzugt ist mindestens eines dieser aromatischen oder hetero For the purposes of this invention, aromatic amine is understood to mean a compound which contains three substituted or unsubstituted aromatic or heteroaromatic ring systems bonded directly to the nitrogen. At least one of these is preferably aromatic or hetero
aromatischen Ringsysteme ein kondensiertes Ringsystem, besonders bevorzugt mit mindestens 14 aromatischen Ringatomen. Bevorzugte Beispiele hierfür sind aromatische Anthracenamine, aromatische aromatic ring systems, a condensed ring system, particularly preferably with at least 14 aromatic ring atoms. Preferred examples of these are aromatic anthracenamines, aromatic
Anthracendiamine, aromatische Pyrenamine, aromatische Pyrendiamine, aromatische Chrysenamine oder aromatische Chrysendiamine. Unter einem aromatischen Anthracenamin wird eine Verbindung verstanden, in der eine Diarylaminogruppe direkt an eine Anthracengruppe gebunden ist, vorzugsweise in 9-Position. Unter einem aromatischen Anthracendiamin wird eine Verbindung verstanden, in der zwei Diarylaminogruppen direkt an eine Anthracengruppe gebunden sind, vorzugsweise in 9,10-Position. Aromatische Pyrenamine, Pyrendiamine, Chrysenamine und Chrysen diamine sind analog dazu definiert, wobei die Diarylaminogruppen am Pyren bevorzugt in 1 -Position bzw. in 1 ,6-Position gebunden sind. Weitere bevorzugte emittierende Verbindungen sind Indenofluorenamine bzw. - diamine, Benzoindenofluorenamine bzw. -diamine, und Dibenzoindeno- fluorenamine bzw. -diamine, sowie Indenofluorenderivate mit kondensierten Arylgruppen. Ebenfalls bevorzugt sind Pyren-Arylamine. Ebenfalls bevorzugt sind Benzoindenofluoren-Amine, Benzofluoren-Amine, erweiterte Benzoindenofluorene, Phenoxazine, und Fluoren-Derivate, die mit Furan- Einheiten oder mit Thiophen-Einheiten verbunden sind. Anthracenediamines, aromatic pyrene amines, aromatic pyrene diamines, aromatic chrysen amines or aromatic chrysene diamines. An aromatic anthracenamine is understood to mean a compound in which a diarylamino group is bonded directly to an anthracene group, preferably in the 9-position. An aromatic anthracenediamine is understood to mean a compound in which two diarylamino groups are bonded directly to an anthracene group, preferably in the 9,10-position. Aromatic pyrenamines, pyrene diamines, chrysenamines and chrysen diamines are defined analogously to this, the diarylamino groups being bonded to the pyrene preferably in the 1 position or in the 1,6 position. Further preferred emitting compounds are indenofluorenamines or diamines, benzoindenofluorenamines or diamines, and dibenzoindenofluorenamines or diamines, and indenofluoren derivatives with condensed aryl groups. Pyrene arylamines are also preferred. Benzoindenofluorene amines, benzofluorene amines, extended benzoindenofluorenes, phenoxazines and fluorene derivatives which are linked with furan units or with thiophene units are likewise preferred.
Bevorzugte Verbindungen zur Verwendung als fluoreszierende Emitter sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
Preferred compounds for use as fluorescent emitters are shown in the following table:
30
30th
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform enthält die emittierende Schicht der elektronischen Vorrichtung genau eine Matrixverbindung. Unter einer Matrixverbindung wird eine Verbindung verstanden, die keine emittierende Verbindung ist. Diese Ausführungsform ist insbesondere bevorzugt bei fluoreszierenden emittierenden Schichten. According to a preferred embodiment, the emitting layer of the electronic device contains exactly one matrix compound. A matrix connection is understood to mean a connection that is not an emitting connection. This embodiment is particularly preferred in the case of fluorescent emitting layers.
Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform enthält die emittierende Schicht der elektronischen Vorrichtung genau zwei oder mehr, bevorzugt genau zwei Matrixverbindungen. Diese Ausführungsform, die auch als mixed-Matrix-System bezeichnet wird, ist insbesondere bevorzugt bei phosphoreszierenden emittierenden Schichten. According to an alternative preferred embodiment, the emitting layer of the electronic device contains exactly two or more, preferably exactly two, matrix compounds. This embodiment, which is also referred to as a mixed matrix system, is particularly preferred in the case of phosphorescent emitting layers.
Der Gesamtanteil aller Matrixmaterialien im Fall einer phosphoreszierenden emittierenden Schicht beträgt bevorzugt zwischen 50.0 und 99.9 %, besonders bevorzugt zwischen 80.0 und 99.5 % und ganz besonders bevorzugt zwischen 85.0 und 97.0 %. The total proportion of all matrix materials in the case of a phosphorescent emitting layer is preferably between 50.0 and 99.9%, particularly preferably between 80.0 and 99.5% and very particularly preferably between 85.0 and 97.0%.
Unter der Angabe des Anteils in % wird dabei im Fall von Schichten, die aus der Gasphase aufgetragen werden, der Anteil in Volumen-% In the case of layers that are applied from the gas phase, the proportion in% by volume is given by specifying the proportion
verstanden, und im Fall von Schichten, die aus Lösung aufgetragen werden, der Anteil in Gewichts-% verstanden. understood, and in the case of layers that are applied from solution, understood the proportion in% by weight.
Entsprechend beträgt der Anteil der phosphoreszierenden emittierenden Verbindung bevorzugt zwischen 0.1 und 50.0 %, besonders bevorzugt zwischen 0.5 und 20.0 % und ganz besonders bevorzugt zwischen 3.0 und 15.0 %.
Der Gesamtanteil aller Matrixmaterialien im Fall einer fluoreszierenden emittierenden Schicht beträgt bevorzugt zwischen 50.0 und 99.9 %, besonders bevorzugt zwischen 80.0 und 99.5 % und ganz besonders bevorzugt zwischen 90.0 und 99.0 %. Correspondingly, the proportion of the phosphorescent emitting compound is preferably between 0.1 and 50.0%, particularly preferably between 0.5 and 20.0% and very particularly preferably between 3.0 and 15.0%. The total proportion of all matrix materials in the case of a fluorescent emitting layer is preferably between 50.0 and 99.9%, particularly preferably between 80.0 and 99.5% and very particularly preferably between 90.0 and 99.0%.
Entsprechend beträgt der Anteil der fluoreszierenden emittierenden The proportion of fluorescent emitting is correspondingly
Verbindung zwischen 0.1 und 50.0 %, bevorzugt zwischen 0.5 und 20.0 % und besonders bevorzugt zwischen 1.0 und 10.0 %. Compound between 0.1 and 50.0%, preferably between 0.5 and 20.0% and particularly preferably between 1.0 and 10.0%.
Mixed-Matrix-Systeme umfassen bevorzugt zwei oder drei verschiedene Matrixmaterialien, besonders bevorzugt zwei verschiedene Mixed matrix systems preferably comprise two or three different matrix materials, particularly preferably two different ones
Matrixmaterialien. Bevorzugt stellt dabei eines der beiden Materialien ein Material mit unter anderem lochtransportierenden Eigenschaften und das andere Material ein Material mit unter anderem elektronen Matrix materials. One of the two materials is preferably a material with, among other things, hole-transporting properties and the other material is a material with, among other things, electrons
transportierenden Eigenschaften dar. Weitere Matrixmaterialien, die in mixed-Matrix-Systemen vorhanden sein können, sind Verbindungen mit großer Energiedifferenz zwischen HOMO und LUMO (Wide-Bandgap- Materialien). Die beiden unterschiedlichen Matrixmaterialien können in einem Verhältnis von 1 :50 bis 1 : 1 , bevorzugt 1 :20 bis 1 : 1 , besonders bevorzugt 1 :10 bis 1 :1 und ganz besonders bevorzugt 1 :4 bis 1 :1 vorliegen. Bevorzugt werden Mixed-Matrix-Systeme in phosphoreszierenden organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen eingesetzt. Bevorzugte Matrixmaterialien für fluoreszierende emittierende transporting properties. Other matrix materials that can be present in mixed matrix systems are compounds with a large energy difference between HOMO and LUMO (wide band gap materials). The two different matrix materials can be present in a ratio of 1:50 to 1: 1, preferably 1:20 to 1: 1, particularly preferably 1:10 to 1: 1 and very particularly preferably 1: 4 to 1: 1. Mixed matrix systems are preferably used in phosphorescent organic electroluminescent devices. Preferred matrix materials for fluorescent emitting
Verbindungen sind ausgewählt aus den Klassen der Oligoarylene (z. B. 2,2‘,7,7‘-Tetraphenylspirobifluoren), insbesondere der Oligoarylene enthaltend kondensierte aromatische Gruppen, der Oligoarylenvinylene, der polypodalen Metallkomplexe, der lochleitenden Verbindungen, der elektronenleitenden Verbindungen, insbesondere Ketone, Phosphinoxide, und Sulfoxide; der Atropisomere, der Boronsäurederivate und der Compounds are selected from the classes of oligoarylenes (e.g. 2,2 ', 7,7'-tetraphenylspirobifluorene), in particular oligoarylenes containing condensed aromatic groups, oligoarylenvinylenes, polypodal metal complexes, hole-conducting compounds, electron-conducting compounds, in particular Ketones, phosphine oxides, and sulfoxides; the atropisomers, the boronic acid derivatives and the
Benzanthracene. Besonders bevorzugte Matrixmaterialien sind ausgewählt
aus den Klassen der Oligoarylene, enthaltend Naphthalin, Anthracen, Benzanthracen und/oder Pyren oder Atropisomere dieser Verbindungen, der Oligoarylenvinylene, der Ketone, der Phosphinoxide und der Sulfoxide. Ganz besonders bevorzugte Matrixmaterialien sind ausgewählt aus den Klassen der Oligoarylene, enthaltend Anthracen, Benzanthracen, Benzanthracenes. Particularly preferred matrix materials are selected from the classes of the oligoarylenes, containing naphthalene, anthracene, benzanthracene and / or pyrene or atropisomers of these compounds, the oligoarylenevinylenes, the ketones, the phosphine oxides and the sulfoxides. Very particularly preferred matrix materials are selected from the classes of oligoarylenes, containing anthracene, benzanthracene,
Benzphenanthren und/oder Pyren oder Atropisomere dieser Verbindungen. Unter einem Oligoarylen im Sinne dieser Erfindung soll eine Verbindung verstanden werden, in der mindestens drei Aryl- bzw. Arylengruppen aneinander gebunden sind. Benzphenanthrene and / or pyrene or atropisomers of these compounds. For the purposes of this invention, an oligoarylene is to be understood as a compound in which at least three aryl or arylene groups are bonded to one another.
Bevorzugte Matrixmaterialien für fluoreszierende emittierende Preferred matrix materials for fluorescent emitting
Bevorzugte Matrixmaterialien für phosphoreszierende Emitter sind aromatische Ketone, aromatische Phosphinoxide oder aromatische Preferred matrix materials for phosphorescent emitters are aromatic ketones, aromatic phosphine oxides or aromatic ones
Sulfoxide oder Sulfone, Triarylamine, Carbazolderivate, z. B. CBP (N,N-Bis- carbazolylbiphenyl) oder Carbazolderivate, Indolocarbazolderivate, Sulphoxides or sulphones, triarylamines, carbazole derivatives, e.g. B. CBP (N, N-bis-carbazolylbiphenyl) or carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives,
Indenocarbazolderivate, Azacarbazolderivate, bipolare Matrixmaterialien, Silane, Azaborole oder Boronester, Triazinderivate, Zinkkomplexe, Indenocarbazole derivatives, azacarbazole derivatives, bipolar matrix materials, silanes, azaboroles or boronic esters, triazine derivatives, zinc complexes,
Diazasilol- bzw. Tetraazasilol-Derivate, Diazaphosphol-Derivate, Diazasilol or Tetraazasilol derivatives, Diazaphosphol derivatives,
überbrückte Carbazol-Derivate, Triphenylenderivate, oder Lactame. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform enthält die elektronische Vorrichtung genau eine emittierende Schicht.
Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform enthält die elektronische Vorrichtung mehrere emittierende Schichten, bevorzugt 2, 3 oder 4 emittierende Schichten. Dies ist insbesondere bevorzugt für weiß emittierende elektronische Vorrichtungen. bridged carbazole derivatives, triphenylene derivatives, or lactams. According to a preferred embodiment, the electronic device contains exactly one emitting layer. According to an alternative preferred embodiment, the electronic device contains a plurality of emitting layers, preferably 2, 3 or 4 emitting layers. This is particularly preferred for white-emitting electronic devices.
Besonders bevorzugt weisen die emittierenden Schichten in diesem Fall insgesamt mehrere Emissionsmaxima zwischen 380 nm und 750 nm auf, so dass die elektronische Vorrichtung weißes Licht emittiert, d. h. in den emittierenden Schichten werden verschiedene emittierende Verbindungen verwendet, die fluoreszieren oder phosphoreszieren können und die blaues, grünes, gelbes, orangefarbenes oder rotes Licht emittieren. Insbe sondere bevorzugt sind Dreischichtsysteme, also Systeme mit drei emittierenden Schichten, wobei jeweils eine der drei Schichten blaue, jeweils eine der drei Schichten grüne und jeweils eine der drei Schichten orangefarbene oder rote Emission zeigt. Für die Erzeugung von weißemIn this case, the emitting layers particularly preferably have a total of several emission maxima between 380 nm and 750 nm, so that the electronic device emits white light, ie. H. In the emitting layers, various emitting compounds are used which can fluoresce or phosphoresce and which emit blue, green, yellow, orange or red light. Three-layer systems, that is to say systems with three emitting layers, are particularly preferred, one of the three layers showing blue, one of the three layers green and one of the three layers showing orange or red emission. For the production of white
Licht kann anstelle mehrerer farbig emittierender Emitterverbindungen auch eine einzelne Emitterverbindung verwendet werden, welche in einem breiten Wellenlängenbereich emittiert. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält die elektronische Vorrichtung zwei oder drei, bevorzugt drei, gleiche oder verschiedene Schichtenabfolgen übereinander gestapelt, wobei jede der Schichtenabfolgen jeweils die folgenden Schichten umfasst: Instead of several colored emitter connections, light can also be used with a single emitter connection which emits in a broad wavelength range. According to a preferred embodiment of the invention, the electronic device contains two or three, preferably three, identical or different layer sequences stacked on top of one another, each of the layer sequences each comprising the following layers:
Lochinjektionsschicht, lochtransportierende Schicht, Elektronen- blockierschicht, emittierende Schicht, und Elektronentransportschicht, und wobei wenigstens eine, bevorzugt alle der Schichtabfolgen folgende Schichten enthalten: Hole injection layer, hole transport layer, electron blocking layer, emitting layer, and electron transport layer, and wherein at least one, preferably all of the layer sequences contain the following layers:
- eine zwischen Anode und Kathode angeordnete emittierende Schicht, - an emitting layer arranged between anode and cathode,
- eine erste lochtransportierende Schicht, die zwischen Anode und - A first hole-transporting layer between the anode and
emittierender Schicht angeordnet ist und die zwei unterschiedliche Verbindungen enthält, die einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) entsprechen, und
- eine zweite lochtransportierende Schicht, die zwischen der ersten lochtransportierenden Schicht und der emittierenden Schicht emitting layer is arranged and which contains two different compounds which correspond to the same or different formula selected from formulas (I) and (II), and - A second hole-transporting layer, which is between the first hole-transporting layer and the emitting layer
angeordnet ist. Zwischen den Schichtabfolgen ist bevorzugt jeweils eine Doppelschicht aus aneinandergrenzender n-CGL und p-CGL angeordnet, wobei die n-CGL anodenseitig angeordnet ist und die p-CGL entsprechend kathodenseitig. CGL steht dabei für Charge generation layer, also is arranged. A double layer of adjacent n-CGL and p-CGL is preferably arranged between the layer sequences, the n-CGL being arranged on the anode side and the p-CGL correspondingly on the cathode side. CGL stands for Charge Generation Layer
Ladungserzeugungsschicht. Materialien zur Verwendung in derartigen Schichten sind dem Fachmann bekannt. Bevorzugt wird in der p-CGL ein p- dotiertes Amin verwendet, besonders bevorzugt ein Material, das gewählt ist aus den unten genannten bevorzugten Strukturklassen von Charge generation layer. Materials for use in such layers are known to those skilled in the art. A p-doped amine is preferably used in the p-CGL, particularly preferably a material which is selected from the preferred structural classes of mentioned below
Lochtransportmaterialien. Die erste lochtransportierende Schicht hat bevorzugt eine Schichtdicke von 20 nm bis 300 nm, besonders bevorzugt von 30 nm bis 250 nm. Weiterhin ist es bevorzugt, dass die erste lochtransportierende Schicht eine Hole transport materials. The first hole-transporting layer preferably has a layer thickness of 20 nm to 300 nm, particularly preferably from 30 nm to 250 nm. Furthermore, it is preferred that the first hole-transporting layer is a
Schichtdicke von höchstens 250 nm hat. Bevorzugt enthält die erste lochtransportierende Schicht genau 2, 3 oder 4, bevorzugt genau 2 oder 3, ganz besonders bevorzugt genau 2 Layer thickness of at most 250 nm. The first hole-transporting layer preferably contains exactly 2, 3 or 4, preferably exactly 2 or 3, very particularly preferably exactly 2
unterschiedliche Verbindungen, die einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) entsprechen. Bevorzugt besteht die erste lochtransportierende Schicht aus Verbindungen entsprechend einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II). Unter„bestehen aus“ wird dabei verstanden, dass keine weiteren Verbindungen in der Schicht vorliegen, wobei geringfügige Verunreinigungen, wie sie im Herstellprozess von OLEDs üblicherweise auftreten, nicht als weitere Verbindungen in der Schicht gelten.
Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform enthält sie zusätzlich zu den Verbindungen entsprechend einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) einen p-Dotanden. Als p-Dotanden werden gemäß der vorliegenden Erfindung bevorzugt solche organischen Elektronenakzeptorverbindungen eingesetzt, die eine oder mehrere der anderen Verbindungen der Mischung oxidieren können. different compounds which correspond to the same or different formula selected from formulas (I) and (II). The first hole-transporting layer preferably consists of compounds corresponding to an identical or different formula selected from formulas (I) and (II). In this context, “consist of” is understood to mean that no further compounds are present in the layer, with minor impurities, as they usually occur in the production process of OLEDs, not counting as further compounds in the layer. According to an alternative preferred embodiment, it contains, in addition to the compounds corresponding to an identical or different formula selected from formulas (I) and (II), a p-dopant. Organic electron acceptor compounds which can oxidize one or more of the other compounds of the mixture are preferably used as p-dopants according to the present invention.
Besonders bevorzugt als p-Dotanden sind Chinodimethanverbindungen, Azaindenofluorendione, Azaphenalene, Azatriphenylene, I2, Particularly preferred p-dopants are quinodimethane compounds, azaindenofluorenediones, azaphenalenes, azatriphenylenes, I2,
Metallhalogenide, bevorzugt Übergangsmetallhalogenide, Metalloxide, bevorzugt Metalloxide enthaltend mindestens ein Übergangsmetall oder ein Metall der 3. Flauptgruppe, und Übergangsmetallkomplexe, bevorzugt Komplexe von Cu, Co, Ni, Pd und Pt mit Liganden enthaltend mindestens ein Sauerstoffatom als Bindungsstelle. Bevorzugt sind weiterhin Metal halides, preferably transition metal halides, metal oxides, preferably metal oxides containing at least one transition metal or a metal of the 3rd main group, and transition metal complexes, preferably complexes of Cu, Co, Ni, Pd and Pt with ligands containing at least one oxygen atom as a binding site. Are further preferred
Übergangsmetalloxide als Dotanden, bevorzugt Oxide von Rhenium, Molybdän und Wolfram, besonders bevorzugt Re207, M0O3, WO3 und Re03. Nochmals weiterhin bevorzugt sind Komplexe von Bismut in der Oxidationsstufe (III), insbesondere Bismut(lll)-Komplexe mit Transition metal oxides as dopants, preferably oxides of rhenium, molybdenum and tungsten, particularly preferably Re 2 07 , M0O3, WO3 and Re0 3. Again, further preferred are complexes of bismuth in the oxidation state (III), in particular bismuth (III) complexes
elektronenarmen Liganden, insbesondere Carboxylat-Liganden. electron-poor ligands, especially carboxylate ligands.
Die p-Dotanden liegen bevorzugt weitgehend gleichmäßig verteilt in der p- dotierten Schicht vor. Dies kann beispielsweise durch Co-Verdampfung des p-Dotanden und der Lochtransportmaterial-Matrix erreicht werden. Der p- Dotand liegt bevorzugt in einem Anteil von 1 bis 10 % in der p-dotierten Schicht vor. The p-dopants are preferably distributed largely uniformly in the p-doped layer. This can be achieved, for example, by co-evaporation of the p-dopant and the hole transport material matrix. The p-dopant is preferably present in a proportion of 1 to 10% in the p-doped layer.
Bevorzugt sind als p-Dotanden insbesondere die folgenden Verbindungen:
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält die erste lochtransportierende Schicht zwei unterschiedliche Verbindungen, die einer Formel (I) entsprechen. The following compounds are particularly preferred as p-dopants: According to a preferred embodiment of the invention, the first hole-transporting layer contains two different compounds which correspond to a formula (I).
Die beiden unterschiedlichen Verbindungen, die einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) entsprechen, sind bevorzugt in einem Anteil von jeweils mindestens 5% in der ersten lochtransportierenden Schicht enthalten. Besonders bevorzugt sind sie in einem Anteil von mindestens 10% enthalten. Es ist bevorzugt, dass eine der Verbindungen in einem höheren Anteil als die andere Verbindung vorliegt, besonders bevorzugt in einem Anteil, der zwei- bis fünfmal so hoch ist wie der Anteil der anderen Verbindung. Dies ist insbesondere bevorzugt für den Fall, dass die erste lochtransportierende Schicht genau zwei Verbindungen enthält, die einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formel (I) und (II) entsprechen. Bevorzugt liegt für eine der Verbindungen der Anteil in der Schicht bei 15% bis 35%, und für die andere der beiden Verbindungen liegt der Anteil in der Schicht bei 65% bis 85%. Unter den Formeln (I) und (II) ist die Formel (I) bevorzugt. The two different compounds, which correspond to the same or different formula selected from formulas (I) and (II), are preferably contained in the first hole-transporting layer in a proportion of at least 5% each. They are particularly preferably contained in a proportion of at least 10%. It is preferred that one of the compounds is present in a higher proportion than the other compound, particularly preferably in a proportion which is two to five times as high as the proportion of the other compound. This is particularly preferred for the case that the first hole-transporting layer contains exactly two compounds which correspond to an identical or different formula selected from formula (I) and (II). For one of the compounds, the proportion in the layer is preferably 15% to 35%, and for the other of the two compounds the proportion in the layer is 65% to 85%. Among the formulas (I) and (II), the formula (I) is preferred.
Für Formel (I) und/oder (II) gelten eine oder mehrere, bevorzugt alle Bevorzugungen gewählt aus den folgenden Bevorzugungen: Die Verbindungen weisen gemäß einer bevorzugten Ausführungsform eine einzige Aminogruppe auf. Unter einer Aminogruppe wird eine Gruppe verstanden, die ein Stickstoffatom mit drei Bindungspartnern aufweist. Bevorzugt wird darunter eine Gruppe verstanden, in der drei Gruppen gewählt aus aromatischen und heteroaromatischen Gruppen an ein For formula (I) and / or (II), one or more, preferably all, preferences apply, selected from the following preferences: According to a preferred embodiment, the compounds have a single amino group. An amino group is understood to mean a group which has a nitrogen atom with three binding partners. This is preferably understood to mean a group in which three groups are selected from aromatic and heteroaromatic groups
Stickstoffatom binden.
Die Verbindungen weisen gemäß einer alternativen bevorzugten Bind nitrogen atom. The compounds have according to an alternative preferred
Ausführungsform genau zwei Aminogruppen auf. Embodiment exactly two amino groups.
Z ist bevorzugt gleich CR1, wobei Z gleich C ist, wenn eine Gruppe
daran gebunden ist; Z is preferably CR 1 , where Z is C if a group is bound to it;
X ist bevorzugt eine Einfachbindung; X is preferably a single bond;
Ar1 ist bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus divalenten Gruppen abgeleitet von Benzol, Biphenyl, Terphenyl, Ar 1 is preferably selected identically or differently on each occurrence from divalent groups derived from benzene, biphenyl, terphenyl,
Naphthalin, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Spirobifluoren, Naphthalene, fluorene, indenofluorene, indenocarbazole, spirobifluorene,
Dibenzofuran, Dibenzothiophen, und Carbazol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sind. Ganz besonders bevorzugt ist Ar1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden eine divalente Gruppe abgeleitet von Benzol, das jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert ist. Gruppen Ar1 können bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt sein. Dibenzofuran, dibenzothiophene, and carbazole, each of which is substituted by one or more radicals R 2 . Very particularly preferably, Ar 1 is, identically or differently, a divalent group derived from benzene which is substituted in each case by one or more radicals R 2 . Groups Ar 1 can be chosen identically or differently on each occurrence.
Index n ist bevorzugt gleich 0, 1 oder 2, besonders bevorzugt gleich 0 oder 1 , und ganz besonders bevorzugt gleich 0. Index n is preferably 0, 1 or 2, particularly preferably 0 or 1, and very particularly preferably 0.
Bevorzugte Gruppen -(Ar1)n- für den Fall n=1 entsprechen den folgenden Formeln: Preferred groups - (Ar 1 ) n - for the case n = 1 correspond to the following formulas:
wobei die gestrichelten Linien die Bindungen an den Rest der Formel darstellen, und wobei die Gruppen an den unsubstituiert gezeichneten Positionen jeweils mit Resten R2 substituiert sind, wobei die Reste R2 in diesen Positionen bevorzugt H sind. where the dashed lines represent the bonds to the remainder of the formula, and where the groups at the positions shown as unsubstituted are each substituted by groups R 2 , where the groups R 2 in these positions are preferably H.
Gruppen Ar2 sind bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus monovalenten Gruppen abgeleitet von Benzol, Biphenyl,Groups Ar 2 are preferably selected identically or differently on each occurrence from monovalent groups derived from benzene, biphenyl,
Terphenyl, Quaterphenyl, Naphthalin, Fluoren, insbesondere 9,9'-Terphenyl, quaterphenyl, naphthalene, fluorene, especially 9,9'-
Dimethylfluoren und 9,9'-Diphenylfluoren, 9-Sila-Fluoren, insbesondereDimethyl fluorene and 9,9'-diphenyl fluorene, 9-sila fluorene, in particular
9,9‘-Dimethyl-9-silafluoren und 9,9‘-Diphenyl-9-silafluoren, Benzofluoren,9,9‘-dimethyl-9-silafluorene and 9,9‘-diphenyl-9-silafluorene, benzofluorene,
Spirobifluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Dibenzofuran, Spirobifluoren, Indenofluoren, Indenocarbazole, Dibenzofuran,
Dibenzothiophen, Benzocarbazol, Carbazol, Benzofuran, Benzothiophen, Dibenzothiophene, benzocarbazole, carbazole, benzofuran, benzothiophene,
Indol, Chinolin, Pyridin, Pyrimidin, Pyrazin, Pyridazin, und Triazin, wobei die monovalenten Gruppen jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sind. Alternativ bevorzugt können die Gruppen Ar2 bei jedemIndole, quinoline, pyridine, pyrimidine, pyrazine, pyridazine and triazine, the monovalent groups each being substituted with one or more radicals R 2 . Alternatively, preferably, the groups Ar 2 can be in each
Auftreten gleich oder verschieden gewählt sein aus Kombinationen vonOccurrence identically or differently be selected from combinations of
Gruppen, die abgeleitet sind von Benzol, Biphenyl, Terphenyl, Groups derived from benzene, biphenyl, terphenyl,
Quaterphenyl, Naphthalin, Fluoren, insbesondere 9,9'-Dimethylfluoren und Quaterphenyl, naphthalene, fluorene, especially 9,9'-dimethylfluorene and
9,9'-Diphenylfluoren, 9-Sila-Fluoren, insbesondere 9,9‘-Dimethyl-9- silafluoren und 9,9‘-Diphenyl-9-silafluoren, Benzofluoren, Spirobifluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Dibenzofuran, Dibenzothiophen, Carbazol, Benzofuran, Benzothiophen, Indol, Chinolin, Pyridin, Pyrimidin, Pyrazin, Pyridazin und Triazin, wobei die Gruppen jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sind.
Besonders bevorzugte Gruppen Ar2 sind bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Naphthyl, Fluorenyl, insbesondere 9,9'-Dimethylfluorenyl und 9,9'- Diphenylfluorenyl, Benzofluorenyl, Spirobifluorenyl, Indenofluorenyl, Indenocarbazolyl, Dibenzofuranyl, Dibenzothiophenyl, Carbazolyl, 9,9'-diphenylfluorene, 9-sila-fluorene, in particular 9,9'-dimethyl-9-silafluorene and 9,9'-diphenyl-9-silafluorene, benzofluorene, spirobifluorene, indenofluorene, indenocarbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene, carbazole, Benzofuran, benzothiophene, indole, quinoline, pyridine, pyrimidine, pyrazine, pyridazine and triazine, the groups each being substituted by one or more radicals R 2 . Particularly preferred groups Ar 2 are selected identically or differently on each occurrence from phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthyl, fluorenyl, in particular 9,9'-dimethylfluorenyl and 9,9'-diphenylfluorenyl, benzofluorenyl, spirobifluorenyl, indenofluorenyl, indenocarbazolyl, dibenzofuranyl , Dibenzothiophenyl, carbazolyl,
Benzofuranyl, Benzothiophenyl, benzokondensiertem Dibenzofuranyl, benzokondensiertem Dibenzothiophenyl, Naphthyl-substituiertem Phenyl, Fluorenyl-substituiertem Phenyl, Spirobifluorenyl-substituiertem Phenyl, Dibenzofuranyl-substituiertem Phenyl, Dibenzothiophenyl-substituiertem Phenyl, Carbazolyl-substituiertem Phenyl, Pyridyl-substituiertem Phenyl, Benzofuranyl, benzothiophenyl, benzofused dibenzofuranyl, benzofused dibenzothiophenyl, naphthyl-substituted phenyl, fluorenyl-substituted phenyl, spirobifluorenyl-substituted phenyl, dibenzofuranyl-substituted phenyl, dibenzothiophenyl-substituted phenyl-substituted phenyl, carbide
Pyrimidyl-substituiertem Phenyl, und Triazinyl-substituiertem Phenyl, wobei die genannten Gruppen jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sind. Pyrimidyl-substituted phenyl, and triazinyl-substituted phenyl, the groups mentioned being each substituted by one or more radicals R 2 .
Besonders bevorzugte Gruppen Ar2 sind gleich oder verschieden gewählt aus den folgenden Formeln: Particularly preferred groups Ar 2 are selected identically or differently from the following formulas:
30
wobei die Gruppen an den unsubstituiert dargestellten Positionen mit Resten R2 substituiert sind, wobei R2 in diesen Positionen bevorzugt H ist, und wobei die gestrichelte Bindung die Bindung an das Amin-Stickstoffatom ist. 30th where the groups at the positions shown unsubstituted are substituted by radicals R 2 , where R 2 in these positions is preferably H, and the dashed bond is the bond to the amine nitrogen atom.
Bevorzugt sind R1 und R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R3)3, N(R3)2, geradkettigen Alkyl- oder R 1 and R 2 are preferably selected identically or differently on each occurrence from H, D, F, CN, Si (R 3 ) 3, N (R 3 ) 2, straight-chain alkyl or
Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Alkoxy groups with 1 to 20 carbon atoms, branched or cyclic alkyl or alkoxy groups with 3 to 20 carbon atoms, aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms, and heteroaromatic
Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R3 substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen
eine oder mehrere CF -Gruppen durch -C=C-, -R3C=CR3-, Si(R3)2, C=0, C=NR3, -NR3-, -0-, -S-, -C(=0)0- oder -C(=0)NR3- ersetzt sein können. Ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; wherein said alkyl and alkoxy groups, said aromatic ring systems and said heteroaromatic ring systems are each substituted with radicals R 3 ; and wherein in said alkyl or alkoxy groups one or more CF groups through -C = C-, -R 3 C = CR 3 -, Si (R 3 ) 2, C = 0, C = NR 3 , -NR 3 -, -0-, -S- , -C (= 0) 0- or -C (= 0) NR 3 - can be replaced.
Besonders bevorzugt ist R1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R3 substituiert sind. R 1 is particularly preferably selected identically or differently on each occurrence from H, D, F, CN, aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms, and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; wherein said aromatic ring systems and said heteroaromatic ring systems are each substituted with radicals R 3 .
Besonders bevorzugt ist R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R3)4, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C- Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen R 2 is particularly preferably selected identically or differently on each occurrence from H, D, F, CN, Si (R 3 ) 4, straight-chain alkyl groups with 1 to 10 carbon atoms, branched or cyclic alkyl groups with 3 to 20 carbon atoms, aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic
Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten Ring atoms, and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms, wherein said alkyl groups, said aromatic ring systems and said
heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R3 substituiert sind. heteroaromatic ring systems are each substituted with radicals R 3 .
Besonders bevorzugt gilt, dass: It is particularly preferable that:
- Z gleich CR1 ist, wobei Z gleich C ist, wenn eine Gruppe
daran gebunden ist; - Z is CR 1 , where Z is C if a group is bound to it;
X eine Einfachbindung ist; X is a single bond;
Ar1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden eine divalente Gruppe abgeleitet von Benzol, das jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert ist, ist; Ar 1 is on each occurrence, identically or differently, a divalent group derived from benzene which is in each case substituted by one or more radicals R 2 ;
Index n gleich 0 oder 1 ist; Index n is 0 or 1;
Ar2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus den oben genannten Formeln Ar2-1 bis Ar2-272;
- R1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CN, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ar 2 is selected identically or differently on each occurrence from the abovementioned formulas Ar 2 -1 to Ar 2 -272; - R 1 is selected identically or differently on each occurrence from H, D, F, CN, aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ring systems
Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten aromatischen Ring atoms, and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; said aromatic
Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R3 substituiert sind; Ring systems and the said heteroaromatic ring systems are each substituted with radicals R 3 ;
- R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CN, Si(R3)4, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 10 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ring atomen, wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten R 2 is selected identically or differently on each occurrence from H, D, F, CN, Si (R 3 ) 4, straight-chain alkyl groups with 1 to 10 carbon atoms, branched or cyclic alkyl groups with 3 to 20 carbon atoms, aromatic Ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms, and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms, said alkyl groups, said
aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R3 substituiert sind. aromatic ring systems and the said heteroaromatic ring systems are each substituted with radicals R 3 .
Formel (I) entspricht bevorzugt einer Formel (1-1 ) Formula (I) preferably corresponds to a formula (1-1)
Formel (1-1 ), Formula (1-1),
wobei die auftretenden Gruppen wie oben definiert sind und bevorzugt entsprechend ihren bevorzugten Ausführungsformen definiert sind, und wobei die freien Positionen am Spirobifluoren mit Resten R1 substituiert sind. where the groups occurring are as defined above and are preferably defined in accordance with their preferred embodiments, and where the free positions on the spirobifluorene are substituted with radicals R 1 .
Formel (II) entspricht bevorzugt einer Formel (11-1 )
Formula (II) preferably corresponds to a formula (11-1)
Formel (11-1 ), Formula (11-1),
wobei die auftretenden Gruppen wie oben definiert sind und bevorzugt entsprechend ihren bevorzugten Ausführungsformen definiert sind, und wobei die freien Positionen am Fluoren mit Resten R1 substituiert sind. where the groups occurring are as defined above and are preferably defined according to their preferred embodiments, and where the free positions on the fluorene are substituted by radicals R 1 .
Bevorzugte Ausführungsformen von Verbindungen der Formel (I) sind die in WO2015/158411 , WO2011/006574, WO2013/120577, WO2016/078738, WO2017/012687, WO2012/034627, WO2013/139431 , WO2017/102063, WO2018/069167, WO2014/072017, WO2017/102064, WO2017/016632, WO2013/083216 und WO2017/133829 als Beispielstrukturen genannten Verbindungen. Preferred embodiments of compounds of the formula (I) are those in WO2015 / 158411, WO2011 / 006574, WO2013 / 120577, WO2016 / 078738, WO2017 / 012687, WO2012 / 034627, WO2013 / 139431, WO2017 / 102063, WO2018 / 069167, WO2014 / 072017, WO2017 / 102064, WO2017 / 016632, WO2013 / 083216 and WO2017 / 133829 compounds mentioned as example structures.
Bevorzugte Ausführungsformen von Verbindungen der Formel (II) sind die in WO2014/015937, WO2014/015938, WO2014/015935 und Preferred embodiments of compounds of the formula (II) are those in WO2014 / 015937, WO2014 / 015938, WO2014 / 015935 and
WO2015/082056 als Beispielstrukturen genannten Verbindungen. WO2015 / 082056 compounds mentioned as example structures.
Im Folgenden wird die eine der beiden unterschiedlichen Verbindungen der ersten lochtransportierenden Schicht, die einer gleichen oder In the following, one of the two different connections of the first hole-transporting layer, which is the same or the one
verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) entsprechen, als FITM-1 bezeichnet, und die andere der beiden unterschiedlichen different formula selected from formulas (I) and (II), referred to as FITM-1, and the other of the two different
Verbindungen der ersten lochtransportierenden Schicht, die einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) entsprechen, wird als FITM-2 bezeichnet. Compounds of the first hole-transporting layer which correspond to the same or different formula selected from formulas (I) and (II) are referred to as FITM-2.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform entspricht FITM-1 einer Formel gewählt aus Formeln (1-1 -A) und (11-1 -A)
According to a preferred embodiment, FITM-1 corresponds to a formula selected from formulas (1-1 -A) and (11-1 -A)
und and
HTM-2 entspricht einer Formel gewählt aus Formeln (1-1 -B), (1-1 -C), (1-1 -D), (11-1 -B), (11-1 -C), und (11-1 -D) HTM-2 corresponds to a formula selected from formulas (1-1 -B), (1-1 -C), (1-1 -D), (11-1 -B), (11-1 -C), and (11-1 -D)
wobei die auftretenden Gruppen in den Formeln (1-1 -A) bis (1-1 -D) und (11-1- A) bis (11-1 -D) wie oben definiert sind und bevorzugt entsprechend ihren bevorzugten Ausführungsformen definiert sind, und wobei die freien the groups occurring in the formulas (1-1 -A) to (1-1 -D) and (11-1-A) to (11-1 -D) are as defined above and are preferably defined according to their preferred embodiments , and being the free
Positionen am Spirobifluoren und Fluoren jeweils mit Resten R1 substituiert sind. Besonders bevorzugt entspricht FITM-2 einer Formel (1-1 -B) oder (1-1 - D), ganz besonders bevorzugt einer Formel (1-1 -D). Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform entspricht FITM-2 einer Formel (11-1 -B) oder (11-1 -D), ganz besonders bevorzugt einer Formel (11-1 -D). Positions on spirobifluorene and fluorene are each substituted with radicals R 1 . FITM-2 particularly preferably corresponds to a formula (1-1 -B) or (1-1-D), very particularly preferably a formula (1-1 -D). According to an alternative preferred embodiment, FITM-2 corresponds to a formula (11-1 -B) or (11-1 -D), very particularly preferably a formula (11-1 -D).
Bevorzugt ist FITM-1 in der ersten lochtransportierenden Schicht in einem Anteil vorhanden, der fünf- bis zweimal so hoch ist wie der Anteil von FITM- 2 in der Schicht. FITM-1 is preferably present in the first hole-transporting layer in a proportion which is five to twice as high as the proportion of FITM-2 in the layer.
Bevorzugt liegt FITM-1 in der Schicht in einem Anteil von 50%-95% vor, besonders bevorzugt in einem Anteil von 60%-90% vor, und ganz besonders bevorzugt in einem Anteil von 65%-85% vor. FITM-1 is preferably present in the layer in a proportion of 50% -95%, particularly preferably in a proportion of 60% -90%, and very particularly preferably in a proportion of 65% -85%.
Bevorzugt liegt FITM-2 in der Schicht in einem Anteil von 5%-50% vor, besonders bevorzugt in einem Anteil von 10-40% vor, und ganz besonders bevorzugt in einem Anteil von 15-35% vor. FITM-2 is preferably present in the layer in a proportion of 5% -50%, particularly preferably in a proportion of 10-40%, and very particularly preferably in a proportion of 15-35%.
Bevorzugt liegt FITM-1 in der Schicht in einem Anteil von 65% bis 85% vor, und FITM-2 liegt in der Schicht in einem Anteil von 15% bis 35% vor.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform hat HTM-1 ein HOMO von -4.8 eV bis -5.2 eV, und HTM-2 hat ein HOMO von -5.1 eV bis -5.4 eV. Preferably, FITM-1 is present in the layer in a proportion of 65% to 85%, and FITM-2 is present in the layer in a proportion of 15% to 35%. In a preferred embodiment, HTM-1 has a HOMO of -4.8 eV to -5.2 eV, and HTM-2 has a HOMO of -5.1 eV to -5.4 eV.
Besonders bevorzugt hat HTM-1 ein HOMO von -5.0 bis -5.2 eV, und HTM- 2 hat ein HOMO von -5.1 bis -5.3 eV. Weiterhin ist es bevorzugt, dass Most preferably, HTM-1 has a HOMO of -5.0 to -5.2 eV and HTM-2 has a HOMO of -5.1 to -5.3 eV. Furthermore, it is preferred that
HTM-1 ein höheres HOMO hat als HTM-2. Besonders bevorzugt hat HTM-1 ein um 0.02 bis 0.3 eV höheres HOMO als HTM-2. Unter„höherem HOMO“ wird dabei verstanden, dass der Wert in eV weniger negativ ist. Das HOMO-Energieniveau wird mittels Cyclovoltammetrie (CV) bestimmt, nach dem auf S. 28, Z.1 bis S. 29, Z. 21 der Offenlegungsschrift HTM-1 has a higher HOMO than HTM-2. HTM-1 particularly preferably has a HOMO that is 0.02 to 0.3 eV higher than HTM-2. The term “higher HOMO” means that the value in eV is less negative. The HOMO energy level is determined by means of cyclic voltammetry (CV) according to the method described on page 28, line 1 to page 29, line 21 of the published patent application
WO 2011/032624 beschriebenen Verfahren. WO 2011/032624 described method.
Bevorzugte Ausführungsformen von Verbindungen HTM-1 sind in der folgenden Tabelle gezeigt: Preferred embodiments of compounds HTM-1 are shown in the following table:
30
30th
Bevorzugte Ausführungsformen von Verbindungen HTM-2 sind in der folgenden Tabelle gezeigt: Preferred embodiments of compounds HTM-2 are shown in the following table:
Die zweite lochtransportierende Schicht grenzt bevorzugt direkt anodenseitig an die emittierende Schicht an. Weiterhin ist es bevorzugt, dass sie direkt kathodenseitig an die erste lochtransportierende Schicht angrenzt. The second hole-transporting layer preferably directly adjoins the emitting layer on the anode side. Furthermore, it is preferred that it directly adjoins the first hole-transporting layer on the cathode side.
Bevorzugt hat die zweite lochtransportierende Schicht eine Dicke von 2 nm bis 100 nm, besonders bevorzugt eine Dicke von 5 bis 40 nm.
Die zweite lochtransportierende Schicht enthält bevorzugt eine Verbindung einer Formel (1-1 -B), (1-1 -D), (11-1 -B) oder (11-1 -D), besonders bevorzugt einer Formel (1-1 -D) oder (11-1 -D), wie oben definiert. Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform enthält die zweite The second hole-transporting layer preferably has a thickness of 2 nm to 100 nm, particularly preferably a thickness of 5 to 40 nm. The second hole-transporting layer preferably contains a compound of a formula (1-1 -B), (1-1 -D), (11-1 -B) or (11-1 -D), particularly preferably a formula (1-1 -D) or (11-1 -D) as defined above. According to an alternative preferred embodiment, the second contains
lochtransportierende Schicht eine Verbindung einer Formel (III) hole transporting layer a compound of a formula (III)
Formel (III), wobei gilt: Formula (III), where:
Y ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus O, S und NR1; Y is selected identically or differently on each occurrence from O, S and NR 1 ;
Ar3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Phenyl, Biphenyl, oder Terphenyl, die jeweils mit Resten R1 substituiert sind; k ist gleich 1 , 2 oder 3; i ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus 0, 1 , 2 und 3; und wobei die Formel an freien Positionen jeweils mit einem Rest R1 substituiert ist. Ar 3 is selected identically or differently on each occurrence from phenyl, biphenyl or terphenyl, each of which is substituted by radicals R 1 ; k is 1, 2 or 3; i is selected identically or differently on each occurrence from 0, 1, 2 and 3; and where the formula is substituted in each case by a radical R 1 in free positions.
Bevorzugt ist in Formel (III) Y bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus 0 und S, besonders bevorzugt aus 0. Weiterhin bevorzugt ist k gleich 1 oder 2. Weiterhin bevorzugt ist i bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus 1 und 2, besonders bevorzugt 1 .
Es ist bevorzugt, dass die zweite lochtransportierende Schicht aus einer einzigen Verbindung besteht. Außer Kathode, Anode, emittierender Schicht, erster lochtransportierender Schicht und zweiter lochtransportierender Schicht enthält die elektronische Vorrichtung bevorzugt noch weitere Schichten. Diese sind bevorzugt gewählt aus jeweils einer oder mehreren Lochinjektionsschichten, In formula (III), Y is preferably selected identically or differently on each occurrence from 0 and S, particularly preferably from 0. Furthermore, k is preferably 1 or 2. Furthermore preferably i is selected identically or differently on each occurrence from 1 and 2, particularly preferred 1. It is preferred that the second hole transporting layer consists of a single compound. In addition to the cathode, anode, emitting layer, first hole-transporting layer and second hole-transporting layer, the electronic device preferably also contains further layers. These are preferably selected from one or more hole injection layers,
Lochtransportschichten, Lochblockierschichten, Hole transport layers, hole blocking layers,
Elektronentransportschichten, Elektroneninjektionsschichten, Elektronen blockierschichten, Excitonenblockierschichten, Zwischenschichten Electron transport layers, electron injection layers, electron blocking layers, exciton blocking layers, intermediate layers
(Interlayers), Ladungserzeugungsschichten (Charge-Generation Layers) und/oder organischen oder anorganischen p/n-Übergängen. Es sei aber darauf hingewiesen, dass nicht notwendigerweise jede dieser Schichten vorhanden sein muss. Insbesondere ist es bevorzugt, dass die (Interlayers), charge generation layers and / or organic or inorganic p / n junctions. It should be noted, however, that not all of these layers necessarily have to be present. In particular, it is preferred that the
elektronische Vorrichtung eine oder mehrere Schichten gewählt aus Elektronentransportschichten und Elektroneninjektionsschichten enthält, die zwischen der emittierenden Schicht und der Anode angeordnet sind. electronic device contains one or more layers selected from electron transport layers and electron injection layers, which are arranged between the emitting layer and the anode.
Besonders bevorzugt enthält die elektronische Vorrichtung zwischen der emittierenden Schicht und der Kathode, in dieser Reihenfolge, eine oder mehrere Elektronentransportschichten; bevorzugt eine einzige The electronic device particularly preferably contains one or more electron transport layers between the emitting layer and the cathode, in this order; prefers a single one
Elektronentransportschicht; und eine einzige Elektroneninjektionsschicht, wobei die genannte Elektroneninjektionsschicht bevorzugt direkt an die Kathode angrenzt. Electron transport layer; and a single electron injection layer, said electron injection layer preferably being directly adjacent to the cathode.
Es ist insbesondere bevorzugt, dass die elektronische Vorrichtung zwischen der Anode und der ersten lochtransportierenden Schicht eine Lochinjektionsschicht enthält, die direkt an die Anode angrenzt. Die It is particularly preferred that the electronic device contains a hole injection layer between the anode and the first hole-transporting layer, which is directly adjacent to the anode. The
Lochinjektionsschicht enthält bevorzugt ein Hexaazatriphenylenderivat, wie in US 2007/0092755 beschrieben, oder eine andere stark elektronenarme und/oder Lewis-saure Verbindung in Reinform, d.h. nicht in Mischung mit einer anderen Verbindung. Beispiele für derartige Verbindungen sind unter
anderem Bismut-Komplexe, insbesondere Bi(lll)-Komplexe, insbesondere Bi(lll)-carboxylate wie die oben genannte Verbindung D-13. Hole injection layer preferably contains a hexaazatriphenylene derivative, as described in US 2007/0092755, or another highly electron-poor and / or Lewis acidic compound in pure form, ie not in a mixture with another compound. Examples of such compounds are below other bismuth complexes, especially Bi (III) complexes, especially Bi (III) carboxylates such as the above-mentioned compound D-13.
Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform enthält die Lochinjektionsschicht eine Mischung aus einem p-Dotanden, wie oben beschrieben, und einem Lochtransportmaterial. Der p-Dotand liegt dabei bevorzugt in einem Anteil von 1 % bis 10% in der Lochinjektionsschicht vor. Das Lochtransportmaterial ist dabei bevorzugt gewählt aus dem Fachmann bekannten Materialklassen für Lochtransportmaterialien für OLEDs, insbesondere Triarylamine. According to an alternative preferred embodiment, the hole injection layer contains a mixture of a p-dopant, as described above, and a hole transport material. The p-dopant is preferably present in the hole injection layer in a proportion of 1% to 10%. The hole transport material is preferably selected from material classes known to the person skilled in the art for hole transport materials for OLEDs, in particular triarylamines.
Die Abfolge der Schichten der elektronischen Vorrichtung ist bevorzugt wie folgt: The sequence of layers of the electronic device is preferably as follows:
-Anode- -Lochinjektionsschicht- -Anode- -Hole injection layer-
-erste lochtransportierende Schicht- -optional weitere Lochtransportschicht(en)- -zweite lochtransportierende Schicht -first hole-transporting layer- -optional further hole-transporting layer (s) - -second hole-transporting layer
-emittierende Schicht- -optional Lochblockierschicht--emitting layer- -optional hole blocking layer-
-Elektronentransportschicht- -Elektroneninjektionsschicht- -Kathode- Materialien für die Lochinjektionsschicht und die optional vorhandenen weiteren lochtransportierenden Schichten sind bevorzugt gewählt aus Indenofluorenamin-Derivaten, Aminderivaten, -Electron transport layer- -electron injection layer-cathode materials for the hole injection layer and the optionally available further hole-transporting layers are preferably selected from indenofluorenamine derivatives, amine derivatives,
Hexaazatriphenylenderivaten, Aminderivaten mit kondensierten Aromaten, Monobenzoindenofluorenaminen, Dibenzoindenofluorenaminen, Hexaazatriphenylene derivatives, amine derivatives with condensed aromatics, monobenzoindenofluorenamines, dibenzoindenofluorenamines,
Spirobifluoren-Aminen, Fluoren-Aminen, Spiro-Dibenzopyran-Aminen,Spirobifluorene amines, fluorene amines, spiro-dibenzopyran amines,
Dihydroacridin-Derivaten, Spirodibenzofuranen und Dihydroacridine derivatives, spirodibenzofurans and
Spirodibenzothiophenen, Phenanthren-Diarylaminen, Spiro-
Tribenzotropolonen, Spirobifluorenen mit meta-Phenyldiamingruppen, Spiro-Bisacridinen, Xanthen-Diarylaminen, und 9,10-Dihydroanthracen- Spiroverbindungen mit Diarylaminogruppen. Bevorzugte konkrete Verbindungen zur Verwendung in der Spirodibenzothiophenes, phenanthrene diarylamines, spiro- Tribenzotropolones, spirobifluorenes with meta-phenyldiamine groups, spiro-bisacridines, xanthene-diarylamines, and 9,10-dihydroanthracene-spiro compounds with diarylamino groups. Preferred specific compounds for use in the
Lochinjektionsschicht und in den optional vorhandenen weiteren lochtransportierenden Schichten sind in der folgenden Tabelle gezeigt: Hole injection layer and the optionally available further hole transport layers are shown in the following table:
30
30th
30
30th
Als Materialien für Lochblockierschichten, Elektronentransportschichten und Elektroneninjektionsschichten der elektronischen Vorrichtung eignen sich insbesondere Aluminiumkomplexe, beispielsweise Alq3, Particularly suitable materials for hole blocking layers, electron transport layers and electron injection layers of the electronic device are aluminum complexes, for example Alq3,
Zirkoniumkomplexe, beispielsweise Zrq4, Lithiumkomplexe, beispielsweise Liq, Benzimidazolderivate, Triazinderivate, Pyrimidinderivate, Pyridin derivate, Pyrazinderivate, Chinoxalinderivate, Chinolinderivate, Zirconium complexes, for example Zrq4, lithium complexes, for example Liq, benzimidazole derivatives, triazine derivatives, pyrimidine derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, quinoxaline derivatives, quinoline derivatives,
Oxadiazolderivate, aromatische Ketone, Lactame, Borane, Oxadiazole derivatives, aromatic ketones, lactams, boranes,
Diazaphospholderivate und Phosphinoxidderivate. Beispiele für konkrete Verbindungen zur Verwendung in diesen Schichten sind in der folgenden Tabelle gezeigt: Diazaphosphole derivatives and phosphine oxide derivatives. Examples of specific compounds for use in these layers are shown in the following table:
ln einer bevorzugten Ausführungsform ist die elektronische Vorrichtung dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten mit einem Sublimationsverfahren aufgetragen werden. Dabei werden die Materialien in Vakuum-Sublimationsanlagen bei einem Anfangsdruck kleiner 10 5 mbar, bevorzugt kleiner 10 6 mbar aufgedampft. Dabei ist es jedoch auch möglich, dass der Anfangsdruck noch geringer ist, beispielsweise kleiner 10 7 mbar. In a preferred embodiment, the electronic device is characterized in that one or more layers are applied using a sublimation process. The materials are vapor-deposited in vacuum sublimation systems at an initial pressure of less than 10 5 mbar, preferably less than 10 6 mbar. However, it is also possible that the initial pressure is even lower, for example less than 10 7 mbar.
Bevorzugt ist ebenfalls eine elektronische Vorrichtung, dadurch Also preferred is an electronic device, thereby
gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten mit dem OVPD marked that one or more layers with the OVPD
(Organic Vapour Phase Deposition) Verfahren oder mit Hilfe einer
Trägergassublimation aufgetragen werden. Dabei werden die Materialien bei einem Druck zwischen 105 mbar und 1 bar aufgebracht. Ein Spezialfall dieses Verfahrens ist das OVJP (Organic Vapour Jet Printing) Verfahren, bei dem die Materialien direkt durch eine Düse aufgebracht und so strukturiert werden (z. B. M. S. Arnold et al. , Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301 ). (Organic Vapor Phase Deposition) procedure or with the help of a Carrier gas sublimation can be applied. The materials are applied at a pressure between 10 5 mbar and 1 bar. A special case of this process is the OVJP (Organic Vapor Jet Printing) process, in which the materials are applied directly through a nozzle and structured in this way (e.g. BMS Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
Weiterhin bevorzugt ist eine elektronische Vorrichtung, dadurch An electronic device is also preferred, thereby
gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten aus Lösung, wie z. B. durch Spincoating, oder mit einem beliebigen Druckverfahren, wie z. B. Siebdruck, Flexodruck, Nozzle Printing oder Offsetdruck, besonders bevorzugt aber LITI (Light Induced Thermal Imaging, Thermotransferdruck) oder Ink-Jet Druck (Tintenstrahldruck), hergestellt werden. Hierfür sind lösliche Verbindungen nötig. Hohe Löslichkeit lässt sich durch geeignete Substitution der Verbindungen erreichen. characterized in that one or more layers of solution, e.g. B. by spin coating, or with any printing process, such as. B. screen printing, flexographic printing, nozzle printing or offset printing, but particularly preferably LITI (Light Induced Thermal Imaging, thermal transfer printing) or ink-jet printing (inkjet printing) can be produced. Soluble compounds are required for this. High solubility can be achieved by suitable substitution of the compounds.
Es ist weiterhin bevorzugt, dass zur Herstellung einer erfindungsgemäßen elektronischen Vorrichtung eine oder mehrere Schichten aus Lösung und eine oder mehrere Schichten durch ein Sublimationsverfahren aufgetragen werden. It is further preferred that one or more layers of solution and one or more layers are applied by a sublimation process to produce an electronic device according to the invention.
Die Vorrichtung wird nach Auftragung der Schichten (je nach Anwendung) strukturiert, kontaktiert und schließlich versiegelt, um schädigende Effekte von Wasser und Luft auszuschließen. After the layers have been applied (depending on the application), the device is structured, contacted and finally sealed in order to exclude the harmful effects of water and air.
Die erfindungsgemäßen elektronischen Vorrichtungen werden bevorzugt in Displays, als Lichtquellen in Beleuchtungsanwendungen oder als The electronic devices according to the invention are preferably used in displays, as light sources in lighting applications or as
Lichtquellen in medizinischen und/oder kosmetischen Anwendungen eingesetzt. Light sources used in medical and / or cosmetic applications.
Beispiele
1 ) Allgemeines Herstellungsverfahren für die OLEDs und Charakterisierung der OLEDs Examples 1) General manufacturing process for the OLEDs and characterization of the OLEDs
Glasplättchen, die mit strukturiertem ITO (Indium Zinn Oxid) der Dicke 50 nm beschichtet sind, bilden die Substrate, auf welche die OLEDs aufgebracht werden. Glass plates coated with structured ITO (indium tin oxide) with a thickness of 50 nm form the substrates on which the OLEDs are applied.
Die OLEDs haben prinzipiell folgenden Schichtaufbau: Substrat / Loch injektionsschicht (HIL) / Lochtransportschicht (HTL) / The OLEDs basically have the following layer structure: substrate / hole injection layer (HIL) / hole transport layer (HTL) /
Elektronenblockierschicht (EBL) / Emissionsschicht (EML) / Electron Blocking Layer (EBL) / Emission Layer (EML) /
Elektronentransportschicht (ETL) / Elektroneninjektionsschicht (EIL) und abschließend eine Kathode. Die Kathode wird durch eine 100 nm dicke Aluminiumschicht gebildet. Der genaue Aufbau der OLEDs ist der Tabelle 1 zu entnehmen. Electron transport layer (ETL) / electron injection layer (EIL) and finally a cathode. The cathode is formed by a 100 nm thick aluminum layer. The exact structure of the OLEDs can be found in Table 1.
Alle Materialien werden in einer Vakuumkammer thermisch aufgedampft. Dabei besteht die Emissionsschicht in den vorliegenden Beispielen aus einem Matrixmaterial (Hostmaterial, Wirtsmaterial) und einem emittierenden Dotierstoff (Dotand, Emitter), der dem Matrixmaterial durch Coverdampfung in einem bestimmten Volumenanteil beigemischt wird. Eine Angabe wie SMB1 :SEB1 (3%) bedeutet hierbei, dass das Material SMB1 in einem Volumenanteil von 97% und das Material SEB1 in einem Volumenanteil von 3% in der Schicht vorliegt. Analog bestehen auch die All materials are thermally vapor deposited in a vacuum chamber. In the present examples, the emission layer consists of a matrix material (host material, host material) and an emitting dopant (dopant, emitter), which is mixed with the matrix material in a certain volume fraction by co-vaporization. A specification like SMB1: SEB1 (3%) means that the material SMB1 is present in a volume fraction of 97% and the material SEB1 in a volume fraction of 3% in the layer. The also exist analogously
Elektronentransportschicht und in den anmeldungsgemäßen Beispielen auch die HTL aus einer Mischung von zwei Materialien, wobei die Anteile der Materialien wie oben genannt angegeben werden. Electron transport layer and, in the examples according to the application, also the HTL made of a mixture of two materials, the proportions of the materials being specified as mentioned above.
Die chemischen Strukturen der Materialien, die in den OLEDs verwendet werden, sind in Tabelle 2 gezeigt. The chemical structures of the materials used in the OLEDs are shown in Table 2.
Die OLEDs werden standardmäßig charakterisiert. Hierfür werden die Elektrolumineszenzspektren, die Betriebsspannung sowie die Lebensdauer
bestimmt. Die Angabe U @ 10 mA/cm2 bezeichnet die Betriebsspannung bei 10 mA/cm2. Als Lebensdauer LT wird die Zeit definiert, nach der die Leuchtdichte bei Betrieb mit konstanter Stromdichte von der The OLEDs are characterized as standard. The electroluminescence spectra, the operating voltage and the service life are used for this certainly. The specification U @ 10 mA / cm 2 indicates the operating voltage at 10 mA / cm 2 . The service life LT is defined as the time after which the luminance, when operated with a constant current density, decreases
Startleuchtdichte auf einen gewissen Anteil absinkt. Eine Angabe LT80 bedeutet dabei, dass die angegebene Lebensdauer der Zeit entspricht, nach der die Leuchtdichte auf 80% ihres Anfangswerts abgesunken ist. Die Angabe @60 mA/cm2 bedeutet dabei, dass die betreffende Lebensdauer bei 60 mA/cm2 gemessen wird. 2) OLEDs mit Mischung aus zwei unterschiedlichen Materialien in der HTL und Vergleichsbeispiele mit einzelnem Material in HTL Starting luminance drops to a certain percentage. An indication of LT80 means that the specified service life corresponds to the time after which the luminance has dropped to 80% of its initial value. The specification @ 60 mA / cm 2 means that the relevant service life is measured at 60 mA / cm 2 . 2) OLEDs with a mixture of two different materials in the HTL and comparative examples with a single material in the HTL
Es werden jeweils OLEDs hergestellt, die eine Mischung aus zwei unterschiedlichen Materialien in der HTL enthalten, und Vergleichs-OLEDs, die ein einzelnes Material in der HTL enthalten, siehe die folgende Tabelle: In each case, OLEDs are produced that contain a mixture of two different materials in the HTL, and comparative OLEDs that contain a single material in the HTL, see the following table:
Beim Vergleich der OLEDs E1 und E2 mit der OLED V1 , die das When comparing the OLEDs E1 and E2 with the OLED V1, which has the
Reinmaterial HTM1 in der HTL aufweist, zeigt sich durch die Beimischung des Materials HTM2 (E1 ) bzw. HTM4 (E2) eine deutliche Verbesserung der Lebensdauer, bei weitgehend unveränderter Betriebsspannung. Has pure material HTM1 in the HTL, the addition of the material HTM2 (E1) or HTM4 (E2) shows a significant improvement in the service life, with largely unchanged operating voltage.
Beim Vergleich der OLEDs E3, E4 und E5 mit der OLED V2, die das Reinmaterial HTM1 in der HTL aufweist, zeigt sich durch die Beimischung des Materials HTM2 (E3) bzw. HTM4 (E4) bzw. HTM8 (E5) eine deutliche Verbesserung der Lebensdauer, bei weitgehend unveränderter When comparing the OLEDs E3, E4 and E5 with the OLED V2, which has the pure material HTM1 in the HTL, the addition of the material HTM2 (E3) or HTM4 (E4) or HTM8 (E5) shows a clear improvement in the Lifespan, with largely unchanged
Betriebsspannung. Operating voltage.
Entsprechendes gilt für den Vergleich von E6, E7 und E8 mit V3, und den Vergleich von E9, E10 und E11 mit V4. The same applies to the comparison of E6, E7 and E8 with V3, and the comparison of E9, E10 and E11 with V4.
Die vier Testreihen unterscheiden sich durch das unterschiedliche Material in der EBL (HTM2, HTM4, HTM8 bzw. HTM9). Dies zeigt, dass der Effekt
der Lebensdauerverbesserung in einem breiten Anwendungsbereich, mit unterschiedlichen Materialien in der EBL, auftritt.
The four test series differ in the different material in the EBL (HTM2, HTM4, HTM8 or HTM9). This shows that the effect the improvement in service life occurs in a wide range of applications with different materials in the EBL.
3) Bestimmung des HOMO der Verbindungen, die in der gemischten HTL eingesetzt werden Das auf S. 28, Z.1 bis S. 29, Z. 21 der Offenlegungsschrift 3) Determination of the HOMO of the compounds that are used in the mixed HTL The on page 28, line 1 to page 29, line 21 of the published patent application
WO 2011/032624 beschriebene Verfahren ergibt die folgenden Werte für das HOMO der Verbindungen HTM1 , HTM2, HTM4 und HTM8: The method described in WO 2011/032624 gives the following values for the HOMO of the compounds HTM1, HTM2, HTM4 and HTM8:
Claims
1 . Elektronische Vorrichtung, enthaltend 1 . Electronic device containing
Anode, Anode,
- Kathode, - cathode,
zwischen Anode und Kathode angeordnete emittierende Schicht, eine erste lochtransportierende Schicht, die zwischen Anode und emittierender Schicht angeordnet ist und die zwei unterschiedliche Verbindungen enthält, die einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) entsprechen emitting layer arranged between anode and cathode, a first hole-transporting layer which is arranged between anode and emitting layer and which contains two different compounds which correspond to the same or different formula selected from formulas (I) and (II)
Formel (II), wobei Formula (II), where
Z bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus CR1 und Z is selected identically or differently on each occurrence from CR 1 and
N, wobei Z gleich C ist, wenn eine Gruppe
daran gebunden ist;
X bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus N, where Z is C, if a group is bound to it; X is selected identically or differently on each occurrence from
Einfachbindung, 0, S, C(R1 )2 und NR1; Single bond, O, S, C (R 1 ) 2 and NR 1 ;
Ar1 und Ar2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt sind aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sind, und Ar 1 and Ar 2 are selected identically or differently on each occurrence from aromatic ring systems having 6 to 40 aromatic ring atoms which are substituted by one or more radicals R 2 , and
heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic
Ringatomen, die mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sind; R1 und R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt sind ausRing atoms which are substituted by one or more radicals R 2 ; R 1 and R 2 are selected identically or differently on each occurrence from
H, D, F, CI, Br, I, C(=0)R3, CN, Si(R3)3, N(R3)2, P(=0)(R3)2, OR3, H, D, F, CI, Br, I, C (= 0) R 3 , CN, Si (R 3 ) 3 , N (R 3 ) 2 , P (= 0) (R 3 ) 2 , OR 3 ,
S(=0)R3, S(=0)2R3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C- Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen S (= 0) R 3 , S (= 0) 2 R 3 , straight-chain alkyl or alkoxy groups with 1 to 20 carbon atoms, branched or cyclic alkyl or alkoxy groups with 3 to 20 carbon atoms, alkenyl or alkynyl groups with 2 to 20 carbon atoms, aromatic ring systems with 6 to 40 aromatic ones
Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R1 bzw. R2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ring atoms, and heteroaromatic ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; where two or more radicals R 1 or R 2 can be linked to one another and can form a ring; said alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups and said aromatic ring systems and heteroaromatic
Ringsysteme jeweils mit Resten R3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH2-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch
Ring systems are each substituted by radicals R 3 ; and wherein one or more CH 2 groups in said alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups through
C=NR3, -C(=0)0-, -C(=0)NR3-, NR3, P(=0)(R3), -O-, -S-, SO oder S02 ersetzt sein können; C = NR 3 , -C (= 0) 0-, -C (= 0) NR 3 -, NR 3 , P (= 0) (R 3 ), -O-, -S-, SO or S0 2 replaced could be;
R3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CI, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen R 3 is selected identically or differently on each occurrence from H, D, F, CI, Br, I, CN, alkyl or alkoxy groups with 1 to 20 carbon atoms, alkenyl or alkynyl groups with 2 to 20 carbon atoms, aromatic Ring systems with 6 to 40 aromatic ring atoms and heteroaromatic
Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden
können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Ring systems with 5 to 40 aromatic ring atoms; where two or more radicals R 3 can be linked to one another and form a ring can; and wherein said alkyl, alkoxy, alkenyl and
Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; n gleich 0, 1 , 2, 3 oder 4 ist, wobei für n=0 die Gruppe Ar1 nicht vorhanden ist und das Stickstoffatom direkt an den Rest der Formel gebunden ist; und eine zweite lochtransportierende Schicht, die zwischen der ersten lochtransportierenden Schicht und der emittierenden Schicht angeordnet ist. Alkynyl groups, aromatic ring systems and heteroaromatic ring systems can be substituted with one or more radicals selected from F and CN; n is 0, 1, 2, 3 or 4, the group Ar 1 not being present for n = 0 and the nitrogen atom being bonded directly to the remainder of the formula; and a second hole transporting layer disposed between the first hole transporting layer and the emitting layer.
2. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die emittierende Schicht eine blau fluoreszierende oder eine grün oder rot phosphoreszierende emittierende Schicht ist. 2. Electronic device according to claim 1, characterized in that the emitting layer is a blue fluorescent or a green or red phosphorescent emitting layer.
3. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch 3. Electronic device according to claim 1 or 2, characterized
gekennzeichnet, dass die erste lochtransportierende Schicht eine characterized in that the first hole transporting layer is a
Schichtdicke von 20 nm bis 300 nm hat. Layer thickness from 20 nm to 300 nm.
4. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die erste lochtransportierende Schicht eine Schichtdicke von höchstens 250 nm hat.
4. Electronic device according to one or more of claims 1 to 3, characterized in that the first hole-transporting layer has a layer thickness of at most 250 nm.
5. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die erste lochtransportierende Schicht genau zwei unterschiedliche Verbindungen enthält, die einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) entsprechen. 5. Electronic device according to one or more of claims 1 to 4, characterized in that the first hole-transporting layer contains exactly two different compounds which correspond to an identical or different formula selected from formulas (I) and (II).
6. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die erste lochtransportierende Schicht aus Verbindungen entsprechend einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) besteht. 6. Electronic device according to one or more of claims 1 to 5, characterized in that the first hole-transporting layer consists of compounds corresponding to an identical or different formula selected from formulas (I) and (II).
7. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die erste lochtransportierende Schicht zwei unterschiedliche Verbindungen enthält, die einer Formel (I) 7. Electronic device according to one or more of claims 1 to 6, characterized in that the first hole-transporting layer contains two different compounds that have a formula (I)
entsprechen. correspond.
8. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden unterschiedlichen 8. Electronic device according to one or more of claims 1 to 7, characterized in that the two different
Verbindungen, die einer gleichen oder verschiedenen Formel gewählt aus Formeln (I) und (II) entsprechen, in einem Anteil von jeweils mindestens 5% in der ersten lochtransportierenden Schicht enthalten sind. Compounds which correspond to the same or different formula selected from formulas (I) and (II) are contained in the first hole-transporting layer in a proportion of at least 5% each.
9. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine der beiden unterschiedlichen Verbindungen der ersten lochtransportierenden Schicht eine Verbindung FITM-1 ist, die einer Formel gewählt aus Formeln (1-1 -A) und (11-1 -A) entspricht
9. Electronic device according to one or more of claims 1 to 8, characterized in that one of the two different compounds of the first hole-transporting layer is a compound FITM-1, which has a formula selected from formulas (1-1 -A) and (11 -1 -A)
und die andere der beiden unterschiedlichen Verbindungen der ersten lochtransportierenden Schicht eine Verbindung HTM-2 ist, die einer Formel gewählt aus Formeln (1-1 -B), (1-1 -C), (1-1 -D), (II-1 -B), (II-1-C), und (II-1-D) entspricht and the other of the two different compounds of the first hole-transporting layer is a compound HTM-2 which has a formula selected from formulas (1-1 -B), (1-1 -C), (1-1 -D), (II -1 -B), (II-1-C), and (II-1-D)
wobei die auftretenden Gruppen in den Formeln (1-1 -A) bis (1-1 -D) und (11-1- A) bis (11-1 -D) wie in Anspruch 1 definiert sind, und wobei die freien wherein the occurring groups in the formulas (1-1 -A) to (1-1 -D) and (11-1-A) to (11-1 -D) are as defined in claim 1, and wherein the free
Positionen am Spirobifluoren und Fluoren jeweils mit Resten R1 substituiert sind. Positions on spirobifluorene and fluorene are each substituted with radicals R 1 .
10. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass FITM-1 in der ersten lochtransportierenden Schicht in einem Anteil vorhanden ist, der fünf- bis zweimal so hoch ist wie der Anteil von FITM-2 in der Schicht. 10. Electronic device according to claim 9, characterized in that FITM-1 is present in the first hole-transporting layer in a proportion which is five to twice as high as the proportion of FITM-2 in the layer.
11. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch 11. Electronic device according to claim 9 or 10, characterized
gekennzeichnet, dass FITM-1 in der Schicht in einem Anteil von 65% bis 85% vorliegt, und FITM-2 in der Schicht in einem Anteil von 15% bis 35% vorliegt. characterized in that FITM-1 is present in the layer in a proportion of 65% to 85%, and FITM-2 is present in the layer in a proportion of 15% to 35%.
12. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 9 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, dass FITM-1 ein FIOMO von -4.8 eV bis -5.2 eV hat, und FITM-2 ein FIOMO von -5.1 eV bis -5.4 eV hat.
12. Electronic device according to one or more of claims 9 to 11, characterized in that FITM-1 has a FIOMO of -4.8 eV to -5.2 eV, and FITM-2 has a FIOMO of -5.1 eV to -5.4 eV.
13. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass HTM-1 ein um 0.02 bis 0.3 eV höheres HOMO als HTM-2 hat. 13. Electronic device according to one or more of claims 9 to 12, characterized in that HTM-1 has a HOMO that is 0.02 to 0.3 eV higher than HTM-2.
14. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite lochtransportierende Schicht direkt anodenseitig an die emittierende Schicht angrenzt, und direkt kathodenseitig an die erste lochtransportierende Schicht angrenzt. 14. Electronic device according to one or more of claims 1 to 13, characterized in that the second hole-transporting layer directly adjoins the emitting layer on the anode side, and directly adjoins the first hole-transporting layer on the cathode side.
15. Elektronische Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite lochtransportierende Schicht eine Verbindung einer Formel (1-1 -B), (1-1 -D), (11-1 -B) oder (11-1 -D) enthält 15. Electronic device according to one or more of claims 1 to 14, characterized in that the second hole-transporting layer is a compound of a formula (1-1 -B), (1-1 -D), (11-1 -B) or (11-1 -D) contains
wobei die auftretenden Gruppen in den Formeln (1-1 -B), (1-1 -D), (11-1 -B) und (11-1 -D) wie in Anspruch 1 definiert sind, und wobei die freien Positionen am Spirobifluoren und Fluoren jeweils mit Resten R1 substituiert sind, oder dass die zweite lochtransportierende Schicht eine Verbindung einer Formel (III) enthält wherein the occurring groups in the formulas (1-1 -B), (1-1 -D), (11-1 -B) and (11-1 -D) are as defined in claim 1, and wherein the free positions on spirobifluorene and fluorene are each substituted with radicals R 1 , or that the second hole-transporting layer contains a compound of a formula (III)
Formel (III), wobei gilt: Formula (III), where:
Y ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus O, S und NR1; Y is selected identically or differently on each occurrence from O, S and NR 1 ;
Ar3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Phenyl, Biphenyl, oder Terphenyl, die jeweils mit Resten R1 substituiert sind; k ist gleich 1 , 2 oder 3; i ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus 0, 1 , 2 und 3; und wobei die Formel an freien Positionen jeweils mit einem Rest R1 substituiert ist. Ar 3 is selected identically or differently on each occurrence from phenyl, biphenyl or terphenyl, each of which is substituted by radicals R 1 ; k is 1, 2 or 3; i is selected identically or differently on each occurrence from 0, 1, 2 and 3; and where the formula is substituted in each case by a radical R 1 in free positions.
16. Verfahren zur Fierstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet,
dass eine oder mehrere Schichten der Vorrichtung aus Lösung oder mit einem Sublimationsverfahren hergestellt werden. 16. A method for setting an electronic device according to one or more of claims 1 to 15, characterized in that that one or more layers of the device are made from solution or with a sublimation process.
17. Verwendung einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15 in Displays, als Lichtquelle in 17. Use of an electronic device according to one or more of claims 1 to 15 in displays, as a light source in
Beleuchtungsanwendungen oder als Lichtquelle in medizinischen und/oder kosmetischen Anwendungen.
Lighting applications or as a light source in medical and / or cosmetic applications.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP19172609 | 2019-05-03 | ||
PCT/EP2020/061978 WO2020225069A1 (en) | 2019-05-03 | 2020-04-30 | Electronic device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP3963641A1 true EP3963641A1 (en) | 2022-03-09 |
Family
ID=66429201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP20721249.9A Pending EP3963641A1 (en) | 2019-05-03 | 2020-04-30 | Electronic device |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220199908A1 (en) |
EP (1) | EP3963641A1 (en) |
JP (1) | JP2022530841A (en) |
KR (1) | KR20220005055A (en) |
CN (1) | CN113711375A (en) |
TW (1) | TW202110789A (en) |
WO (1) | WO2020225069A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20240092635A1 (en) | 2022-09-16 | 2024-03-21 | Saudi Arabian Oil Company | Co-production of Hydrogen and Sulfuric Acid by Partial Oxidation of Sulfur |
US20240109772A1 (en) | 2022-09-16 | 2024-04-04 | Saudi Arabian Oil Company | Hydrogen Production by Sulfur Steam Reforming |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070092755A1 (en) | 2005-10-26 | 2007-04-26 | Eastman Kodak Company | Organic element for low voltage electroluminescent devices |
DE102009032922B4 (en) | 2009-07-14 | 2024-04-25 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices, processes for their preparation, their use and electronic device |
DE102009041289A1 (en) | 2009-09-16 | 2011-03-17 | Merck Patent Gmbh | Organic electroluminescent device |
DE102010045405A1 (en) | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices |
WO2013083216A1 (en) | 2011-11-17 | 2013-06-13 | Merck Patent Gmbh | Spiro dihydroacridine derivatives and the use thereof as materials for organic electroluminescence devices |
EP3235892B1 (en) | 2012-02-14 | 2019-02-27 | Merck Patent GmbH | Materials for organic electroluminescent devices |
JP6105040B2 (en) | 2012-03-23 | 2017-03-29 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 9,9'-spirobixanthene derivatives for electroluminescent devices |
KR20230142641A (en) | 2012-07-23 | 2023-10-11 | 메르크 파텐트 게엠베하 | Compounds and organic electroluminescent devices |
KR20210097213A (en) | 2012-07-23 | 2021-08-06 | 메르크 파텐트 게엠베하 | Derivatives of 2-diarylaminofluorene and organic electronic compounds containing them |
CN108863814A (en) | 2012-07-23 | 2018-11-23 | 默克专利有限公司 | Fluorenes and electronic device containing the fluorenes |
JP6239624B2 (en) * | 2012-09-18 | 2017-11-29 | メルク パテント ゲーエムベーハー | Materials for electronic devices |
KR101716069B1 (en) | 2012-11-12 | 2017-03-13 | 메르크 파텐트 게엠베하 | Materials for electronic devices |
KR102445509B1 (en) | 2013-12-06 | 2022-09-20 | 메르크 파텐트 게엠베하 | Compounds and organic electronic devices |
KR102375983B1 (en) | 2014-04-14 | 2022-03-17 | 메르크 파텐트 게엠베하 | Materials for electronic devices |
EP3210249B1 (en) * | 2014-10-24 | 2020-11-25 | Merck Patent GmbH | Materials for electronic devices |
WO2016078738A1 (en) | 2014-11-18 | 2016-05-26 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices |
CN114805091A (en) | 2015-07-22 | 2022-07-29 | 默克专利有限公司 | Material for organic electroluminescent device |
EP3328825B1 (en) | 2015-07-29 | 2023-06-28 | Merck Patent GmbH | Materials for organic electroluminescent devices |
JP7139247B2 (en) | 2015-12-16 | 2022-09-20 | メルク パテント ゲーエムベーハー | Materials for organic electroluminescence devices |
KR20180094982A (en) | 2015-12-16 | 2018-08-24 | 메르크 파텐트 게엠베하 | Material for organic electroluminescence device |
KR20180111905A (en) | 2016-02-05 | 2018-10-11 | 메르크 파텐트 게엠베하 | Materials for electronic devices |
TWI764942B (en) | 2016-10-10 | 2022-05-21 | 德商麥克專利有限公司 | Electronic device |
-
2020
- 2020-04-29 TW TW109114326A patent/TW202110789A/en unknown
- 2020-04-30 EP EP20721249.9A patent/EP3963641A1/en active Pending
- 2020-04-30 JP JP2021565110A patent/JP2022530841A/en active Pending
- 2020-04-30 CN CN202080030019.4A patent/CN113711375A/en active Pending
- 2020-04-30 US US17/608,028 patent/US20220199908A1/en active Pending
- 2020-04-30 KR KR1020217039130A patent/KR20220005055A/en unknown
- 2020-04-30 WO PCT/EP2020/061978 patent/WO2020225069A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113711375A (en) | 2021-11-26 |
WO2020225069A1 (en) | 2020-11-12 |
TW202110789A (en) | 2021-03-16 |
JP2022530841A (en) | 2022-07-01 |
US20220199908A1 (en) | 2022-06-23 |
KR20220005055A (en) | 2022-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2907173B1 (en) | Electronic device | |
EP2984151B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
EP2984692B1 (en) | Organic electroluminescence device with thermally activated delayed fluorescence (tadf) material | |
EP2984152B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
EP3210248B2 (en) | Materials for electronic devices | |
EP2826079A1 (en) | Electronic devices | |
EP2898042A1 (en) | Materials for electronic devices | |
EP3005433A1 (en) | Organic electroluminescent device | |
EP3963642A1 (en) | Electronic device | |
WO2014166572A1 (en) | Organic light-emitting device having delayed fluorescence | |
WO2018189134A1 (en) | Composition for organic electronic devices | |
WO2021104749A1 (en) | Compounds for electronic devices | |
EP3898605A2 (en) | Materials for electronic devices | |
EP2941470A1 (en) | Electronic device | |
WO2020108899A1 (en) | Electronic device | |
EP3963641A1 (en) | Electronic device | |
EP3887479B1 (en) | Electronic device | |
EP2941473A1 (en) | Electronic device | |
WO2021028513A1 (en) | Electronic device | |
EP4193399A2 (en) | Electronic device | |
WO2023036747A1 (en) | Electronic device | |
WO2023072975A1 (en) | Compounds for electronic devices | |
WO2023281126A2 (en) | Compounds for electronic devices | |
WO2023072977A1 (en) | Compounds for electronic devices | |
WO2023072976A1 (en) | Compounds for electronic devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: UNKNOWN |
|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE |
|
PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE |
|
17P | Request for examination filed |
Effective date: 20211101 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR |
|
DAV | Request for validation of the european patent (deleted) | ||
DAX | Request for extension of the european patent (deleted) | ||
P01 | Opt-out of the competence of the unified patent court (upc) registered |
Effective date: 20230519 |