EP3028311A1 - Procédé de réalisation d'une jonction pn dans une cellule photovoltaïque à base de czts et cellule photovoltaïque en configuration superstrat et à base de czts - Google Patents

Procédé de réalisation d'une jonction pn dans une cellule photovoltaïque à base de czts et cellule photovoltaïque en configuration superstrat et à base de czts

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EP3028311A1
EP3028311A1 EP14767116.8A EP14767116A EP3028311A1 EP 3028311 A1 EP3028311 A1 EP 3028311A1 EP 14767116 A EP14767116 A EP 14767116A EP 3028311 A1 EP3028311 A1 EP 3028311A1
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EP
European Patent Office
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layer
czts
electrode
zinc
photovoltaic cell
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP14767116.8A
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German (de)
English (en)
Inventor
Louis GRENET
Giovanni ALTAMURA
David KOHEN
Raphaël FILLON
Simon Perraud
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
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Filing date
Publication date
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Definitions

  • the invention relates to the field of photovoltaic solar energy and more particularly to thin-film photovoltaic cells that make it possible to directly convert sunlight into electricity, by using the electronic properties of suitable materials.
  • Thin layer a layer having a thickness of less than 5 pm, or even 3 pm.
  • the manufacture of a photovoltaic cell requires the formation of a p-n junction between a p-type or n-type semiconductor, in which the light is absorbed, and an n-type or p-type semiconductor.
  • a solar cell may have a substrate or superstrate type structure.
  • the manufacture of the solar cell begins with the formation, on a substrate for example of glass or polyamide, of a metal layer, for example molybdenum, forming the lower electrode.
  • a metal layer for example molybdenum
  • This absorbent layer for example of the p type, is then produced.
  • This absorbent layer may in particular be made of CZTS, corresponding to the general formula Cu 2 ZnSn (S 1-x Se x ) 4 with 0 x x 1 1, or in CIGS.
  • a buffer layer is then deposited on the absorbent layer.
  • This buffer layer is made of an n-type semiconductor material, for example CdS. ZnS 1-x Se x with 0 x x 1 1 (hereinafter referred to as ZnS) or ln 2 Se 3 . This deposit is generally carried out by chemical bath.
  • the cell is terminated by the formation of a conductive transparent electrode.
  • This electrode is obtained by depositing a layer of a conductive and transparent oxide, such as AZO, ITO or SnO 2 : F, in particular deposited by sputtering.
  • the same stack of layers can also be obtained by depositing the layers in the opposite direction, so as to obtain a superstrate type structure. With such a structure, the incident light passes through the transparent substrate before reaching the absorbent layer.
  • the manufacture of a superstrate solar cell begins with the deposition of a conductive transparent electrode on a transparent substrate.
  • a n-type or p-type buffer layer is then deposited on this conductive transparent electrode, with a p-type or n-type absorber layer being formed on the buffer layer.
  • the manufacture of the solar cell ends with the production of a conductive (for example metallic) layer forming a rear electrode.
  • the cells in the superstrate configuration are typically made with an absorbent CdTe layer.
  • the conventional methods do not make it possible to obtain a solar cell in a superstrate configuration comprising an absorbent layer made of CZTS.
  • the buffer layer is made of CdS or In 2 Se 3
  • CZTS CZTS precursors
  • cadmium or indium diffuses into the absorbent layer. This is due to the fact that the annealing is carried out at high temperature, that is to say at a temperature between 500 and 600 ° C.
  • the diffusion of cadmium or indium occurs as soon as the temperature reaches 350 ° C.
  • the buffer layer is made of ZnS
  • diffusion of zinc, sulfur and / or selenium in the photovoltaic material is not observed.
  • the ZnS layer is deposited by chemical bath, it contains numerous defects due to the inclusion of oxygen or hydrogen atoms, for example. These atoms are, on the other hand, capable of diffusing into the CZTS layer during the annealing step.
  • the object of the invention is to overcome these drawbacks by proposing a method for producing solar cells based on CZTS and in a superstrate configuration, this method being moreover simplified compared to that conventionally used to obtain a solar cell based on CZTS. in substrate configuration.
  • the invention firstly relates to a method for producing a pn junction in a thin-film photovoltaic cell based on CZTS, comprising:
  • x Se x with x between 0 and 1.
  • step a) selenium and / or sulfur are deposited in elemental form or in compounds.
  • magnesium and / or oxygen are also deposited, the buffer layer obtained being then in Zn1.x gxOyS 2 Se1.y 2 with x and (y + 2) between 0 and 1.
  • the first step is the deposition of a layer of zinc and then the deposition of a layer containing zinc, tin and copper, in the amounts necessary for ( a) formation of CZTS.
  • magnesium and / or oxygen is also deposited magnesium and / or oxygen.
  • the invention also relates to a method for producing a solar cell based on CZTS and in a superstrate configuration, comprising the following steps:
  • a transparent substrate comprising a conductive and transparent electrode
  • the buffer layer in ZnSi. x Se x with x between 0 and 1 being obtained between the transparent electrode and the absorbent layer in CZTS and
  • the invention also relates to a photovoltaic cell in thin layers and in a superstrate configuration comprising successively:
  • the invention also relates to a photovoltaic cell in thin layers and in a superstrate configuration comprising successively:
  • the backside electrode is a molybdenum layer.
  • FIG. 1 is a sectional view illustrating a substrate with a transparent and conductive electrode
  • FIG. 2 is a sectional view of a stack of layers obtained after the precursor deposition step of the process according to the invention
  • FIG. 3 is a sectional view of the stack illustrated in FIG. after the annealing step
  • FIG. 4 illustrates a solar cell obtained with the process according to the invention.
  • the method of producing a photovoltaic cell according to the invention consists first of all in obtaining a transparent substrate 1 on which a transparent and conductive electrode 10 has been formed. It will be referred to as the electrode on the front face, the incident light being intended to pass through the substrate 1.
  • This substrate may in particular be made of glass, or of another transparent material in the range 300 nm - 1500 nm.
  • substrates provided by the glass industry and on which a transparent electrode is already present, are used.
  • FIG. 2 illustrates another stage in which a layer 20 of zinc is deposited on the electrode 10 and then a layer 21 of precursors containing zinc, tin and copper in the quantities necessary for the formation. of CZTS.
  • the ratios of elements Cu, Zn and Sn are conventionally chosen such that: 0.75 ⁇ Cu (Zn + Sn) ⁇ 0.95 and 1.05 ⁇ ; Zn / Sn ⁇ 1.35 to obtain a layer of CZTS.
  • This deposition step may also be carried out by depositing a single layer of precursors containing zinc, tin and copper, the amount of zinc then being greater than that necessary to transform the precursors into a photovoltaic material of the CZTS type.
  • the ratios of elements Cu, Zn and Sn are chosen so that 0.6 Cu Cu / (Zn + Sn) s 0.9 and 1.3 s Zn / Sn 1.9 1.9.
  • the amount of zinc will be expected in excess of about 5 to 35% over the amount of tin given by the nominal stoichiometry of the CZTS and the amount of copper will be expected to be about 5 to 25% less than the quantity given by the nominal stoichiometry.
  • the precursors may be deposited under vacuum, in particular by cathodic sputtering or by evaporation, or else by a liquid route, in particular by electro-deposition.
  • these deposits can be made at room temperature or at high temperature up to 600 ° C.
  • the stack is subjected to an annealing step under an atmosphere of sulfur and / or selenium.
  • This annealing step is performed at temperatures between 300 and 700 e C and typically of the order of 500 e C.
  • This step lasts between 1 and 90 minutes. This duration is typically of the order of ten minutes.
  • the stack is placed in an inert gas (argon or nitrogen), at a pressure close to atmospheric pressure, typically between 1 mbar and 10 bar.
  • the chalcogen (S and / or Se) can be provided in the form of elemental gas or in the form of H 2 S or H 2 Se type gas.
  • Figure 3 illustrates a stack that is obtained at the end of the annealing step.
  • a buffer layer 3 On the transparent electrode 10, is formed a buffer layer 3 and, on this layer 3, an absorbent layer 4.
  • Layer 3 is formed of a material of general formula
  • this material is designated by ZnS.
  • the layer 4 is formed in CZTS.
  • the annealing step leads to pushing zinc towards the transparent electrode 10 to form the ZnS material.
  • the precursors may be deposited as compounds with a chalcogen (S and / or Se), for example Cu (S and / or Se) or Zn (S and / or Se).
  • a chalcogen S and / or Se
  • the chalcogen (s) may also be deposited in elemental form.
  • magnesium and / or oxygen can also be deposited with the precursors.
  • Magnesium and / or oxygen may be deposited by elemental deposition or by reactive deposition in an oxygen atmosphere of certain precursors.
  • the buffer layer obtained is of a material represented by the general formula (Mg) Zn (O) S.
  • This formula corresponds to materials of the type Zn V) ⁇ Mg x 0yS z Se fy . .With 2 x between 0 and 1 and (y + z). y and z being especially such that 0 y y + z ⁇ 1.
  • This magnesium and / or oxygen supply can be realized whether the precursors are deposited simultaneously or sequentially, as illustrated in FIG. 2.
  • the substrate 1 is made from soda-lime glass including a transparent electrode Sn0 2 : F.
  • the layer 20 has a thickness of between 10 and 100 nm when it comprises only zinc and it typically has a thickness of 30 nm.
  • the layer comprises zinc and a chalcogen, it has a thickness of between 20 and 200 nm and which is typically equal to 50 nm.
  • the layer 21 comprises for example a ZnS layer5 whose thickness is 340 nm, a copper layer whose thickness is 110 nm. and a tin layer whose thickness is 160 nm.
  • the values indicated correspond to a layer thickness of 30 nm (Zn) or 50 nm (ZnS).
  • a ZnS buffer layer having a thickness of approximately 50 nm and a CZTS layer 4 whose thickness is about 1000 nm. It is also possible to deposit on the electrode 10, a ZnS layer whose thickness is about 400 nm. This deposit is typically made by sputtering.
  • the stack obtained is then subjected to a selenization annealing step. It is performed at a temperature between 450 and 700X and typically equal to 570 e C for a time between 1 and 120 min IO and typically equal to 30 min, under a nitrogen pressure of 10 mBar and 3 atm and in particular under atmospheric pressure and under a partial pressure of selenium of between 0.01 mbar and 100 mbar and especially 1 mbar.
  • the partial pressure of Se can come from the evaporation of elemental Se or H 2 Se.
  • the amount of zinc required for forming the photovoltaic material CZTS is present in the ZnS layer, which therefore has a greater thickness than in the preceding example (340 nm).
  • the deposition and annealing steps make it possible to produce a buffer layer 3 and an absorbent layer 4, with a pn junction at the interface between these two layers.
  • the typical thicknesses are 50 nm for the buffer layer and 1000 nm for the absorbent layer.
  • FIG. 4 illustrates the last step of the method, in which a back-face electrode 5 is made.
  • This step consists of producing a metal layer.
  • This layer can be obtained by a simple deposition of conductive metal, in particular Au, Cu, Mo or Ti.
  • This metal deposition may be preceded by a chemical cleaning of the surface of the layer 4 or a doping step near the surface of the layer 4. In both cases, these preliminary steps are intended to improve the electrical contact between layers 4 and 5.

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Abstract

L'Invention est relative à un procédé de réalisation d'une jonction pn dans une cellule photovoltaïque en couches minces à base de CZTS, comprenant; a) une étape de dépôt d'une couche de précurseurs contenant du zinc, de l'étain et du cuivre, la quantité de zinc étant supérieure à celle nécessaire pour transformer les précurseurs en un matériau photovoltaïque du type CZTS et b) une étape de recuit des précurseurs, sous atmosphère de soufre et/ou de sélénium, de façon à obtenir une couche photovoltaïque en CZTS et une couche tampon en ZnS1-xSex, avec x compris entre 0 et 1.

Description

PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE JONCTION PN DANS UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À BASE DE CZTS ET CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE EN CONFIGURATION SUPERSTRAT ET À BASE DE CZTS. L'invention concerne le domaine de l'énergie solaire photovoltaïque et plus particulièrement les cellules photovoltaïques en couches minces qui permettent de convertir directement la lumière du soleil en électricité, en utilisant les propriétés électroniques de matériaux appropriés.
Dans le cadre de ta présente demande, on comprend par une
« couche mince », une couche présentant une épaisseur inférieure à 5 pm, voire à 3 pm.
La fabrication d'une cellule photovoltaïque nécessite la formation d'une jonction p-n entre un semiconducteur de type p ou n, dans lequel la lumière est absorbée, et un semiconducteur de type n ou p.
A l'interface entre le semiconducteur de type p et de type n, un champ électrique se forme, permettant la séparation de charges qui est à la base de la conversion photovoltaïque.
Une cellule solaire peut présenter une structure du type substrat ou superstrat.
Dans une structure de type substrat, la fabrication de la cellule solaire commence par la formation, sur un substrat par exemple en verre ou en polyamide, d'une couche métallique, par exemple en molybdène, formant l'électrode inférieure.
Sur cette électrode, il est ensuite réalisé une couche absorbante, par exemple de type p. Cette couche absorbante peut notamment être réalisée en CZTS, correspondant à la formule générale Cu2ZnSn(S1-xSex)4 avec 0≤ x≤ 1, ou en CIGS.
Une couche tampon est ensuite déposée sur la couche absorbante. Cette couche tampon est réalisée en un matériau semiconducteur de type n, par exemple CdS. ZnS1-xSex avec 0≤ x≤ 1 (dénommé dans la suite de la description ZnS) ou ln2Se3. Ce dépôt est généralement effectué par bain chimique.
La cellule est terminée par la formation d'une électrode transparente conductrice. Cette électrode est obtenue grâce au dépôt d'une couche d'un oxyde conducteur et transparent, tels que AZO, ITO ou SnO2:F, s notamment déposés par pulvérisation cathodique.
On peut ainsi se référer à l'article "Cu2ZnSn(Se1-xSex)4 based solar cell produced by selenization of vaccum deposited precursors", Louis Grenet et al, Solar Energy Materials & Solar Celis 101 (2012) 11 -14 qui décrit une cellule solaire du type substrat avec une couche absorbante en CZTS et i» une couche tampon en CdS.
Le même empilement de couches peut aussi être obtenu en déposant les couches dans le sens inverse, de façon à obtenir une structure de type superstrat. Avec une telle structure, la lumière incidente passe par le substrat transparent avant d'atteindre la couche absorbante.
I5 Ainsi, la fabrication d'une cellule solaire de type superstrat commence par le dépôt d'une électrode transparente conductrice sur un substrat transparent. Une couche tampon, de type n ou p est ensuite déposée sur cette électrode transparente conductrice, une couche absorbante de type p ou n étant alors formée sur la couche tampon. La fabrication de la cellule0 solaire se termine par la réalisation d'une couche conductrice (par exemple métallique) formant une électrode arrière.
La fabrication des cellules solaires en configuration superstrat présente des avantages en termes de coûts. En effet, elle permet d'utiliser directement les substrats transparents incluant une électrode transparente5 conductrice qui sont fournis par l'industrie verrière. De plus, cette configuration simplifie l'étape d'encapsulation des cellules solaires, nécessaire pour les protéger de l'environnement extérieur.
Les cellules en configuration superstrat sont typiquement réalisées avec une couche absorbante en CdTe.
0 Par ailleurs, il apparaît souhaitable de réaliser les cellules solaires avec une couche absorbante en CZTS. En effet, ce matériau contient des éléments présents en abondance dans la nature et qui sont non toxiques, contrairement au CdTe.
Or, les procédés classiques ne permettent pas d'obtenir une cellule solaire en configuration superstrat comprenant une couche absorbante en CZTS.
En effet, lorsque la couche tampon est réalisée en CdS ou ln2Se3, lors de l'étape de recuit nécessaire à la transformation des précurseurs du CZTS en CZTS, le cadmium ou l'indium diffuse dans la couche absorbante. Ceci est dû au fait que le recuit s'effectue à haute température, c'est-à-dire à une température comprise entre 500 et 600° C. Or, la diffusion du cadmium ou de l'indium intervient dés que la température atteint 350°C.
Ainsi, il n'est pas possible d'obtenir une cellule photovoltaïque en configuration superstrat incluant une couche tampon en CdS ou ln2Se3, ainsi qu'une couche de matériau photovoltaïque en CZTS.
Lorsque la couche tampon est réalisée en ZnS, on n'observe pas de diffusion du zinc, de soufre et/ou de sélénium dans le matériau photovoltaïque. Cependant, la couche de ZnS étant déposée par bain chimique, elle contient de nombreux défauts tenant à l'inclusion d'atomes d'oxygène ou d'hydrogène par exemple. Ces atomes sont, par contre, susceptibles de diffuser dans la couche de CZTS, pendant l'étape de recuit.
L'invention a pour objet de pallier ces inconvénients en proposant un procédé permettant la réalisation de cellules solaires à base de CZTS et en configuration superstrat, ce procédé étant par ailleurs simplifié par rapport à celui classiquement utilisé pour obtenir une cellule solaire à base de CZTS en configuration substrat.
L'invention concerne tout d'abord un procédé de réalisation d'une jonction pn dans une cellule photovoltaïque en couches minces à base de CZTS, comprenant :
a) une étape de dépôt d'une couche de précurseurs contenant du zinc, de l'étain et du cuivre, la quantité de zinc étant supérieure à celle nécessaire pour transformer les précurseurs en un matériau photovoltaïque du type CZTS et
b) une étape de recuit des précurseurs, sous atmosphère de soufre et/ou de sélénium, de façon à obtenir une couche photovoltaïque en CZTS et une couche tampon en ZnSi.xSex, avec x compris entre 0 et 1.
Dans une variante, lors de l'étape a), est déposé du sélénium et/ou du soufre, sous forme élémentaire ou de composés.
Dans une autre variante, lors de l'étape a), est également déposé du magnésium et/ou de l'oxygène, la couche tampon obtenue étant alors en Zn1.x gxOyS2Se1.y 2 avec x et (y + 2) compris entre 0 et 1.
De façon préférée, lors de l'étape a), on procède tout d'abord au dépôt d'une couche de zinc puis au dépôt d'une couche contenant du zinc, de rétain et du cuivre, dans les quantités nécessaires à (a formation de CZTS.
Dans ce cas, lors du dépôt de l'une et/ou l'autre de ces couches, peut être également déposé du sélénium et/ou du soufre.
En variante, lors du dépôt de l'une et/ou l'autre de ces couches, est également déposé du magnésium et/ou de l'oxygène.
L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une cellule solaire à base de CZTS et en configuration superstrat, comprenant les étapes suivantes :
- l'obtention d'un substrat transparent comportant une électrode conductrice et transparente,
• la mise en œuvre du procédé d'obtention d'une jonction pn selon l'invention, la couche tampon en ZnSi.xSex avec x compris entre 0 et 1 étant obtenue entre l'électrode transparente et la couche absorbante en CZTS et
- le dépôt d'une couche conductrice pour obtenir une électrode en face arrière.
L'invention concerne également une cellule photovoltaïque en couches minces et en configuration superstrat comprenant successivement :
- un substrat transparent avec une électrode transparente conductrice, - une couche tampon en ZnSt.xSex avec x tel que 0 < x≤ 1 ,
- une couche absorbante en CZTS et
- une électrode en face arrière.
L'invention concerne également une cellule photovoltaïque en s couches minces et en configuration superstrat comprenant successivement :
- un substrat transparent avec une électrode transparente conductrice,
- une couche tampon en Zn1-xMgxOyS2Sei.y.2 avec x, y et z tels que 0≤x≤ 1 et 0≤y+z < 1,
lo - une couche absorbante en CZTS et
- une électrode en face arrière.
De préférence, l'électrode en face arrière est une couche de molybdène.
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, avantages <5 et caractéristiques de celle-ci apparaîtront plus clairement à la lecture de la description qui suit et qui est faite au regard des dessins annexés, sur lesquels :
la figure 1 est une vue en coupe illustrant un substrat avec une électrode transparente et conductrice,
0 - la figure 2 est une vue en coupe d'un empilement de couches obtenu après l'étape de dépôt de précurseurs du procédé selon l'invention, la figure 3 est une vue en coupe de l'empilement illustré à la figure 1, après l'étape de recuit, et
la figure 4 illustre une cellule solaire obtenue avec le procédé selon 5 l'invention.
Les éléments communs aux différentes figures seront désignés par les mêmes références.
En référence à la figure 1, le procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque selon l'invention consiste toute d'abord à obtenir un ;o substrat 1 transparent sur lequel a été formée une électrode 10 transparente et conductrice. Elle sera dénommée électrode en face avant, la lumière incidente étant destinée à traverser le substrat 1. Ce substrat peut être notamment constitué de verre, ou d'un autre matériau transparent dans ia gamme 300 nm - 1500 nm. De préférence, on utilise ies substrats fournis par l'industrie verrière et sur lesquels est déjà présente une électrode transparente,
La figure 2 illustre une autre étape, dans laquelle est déposée, sur l'électrode 10, une couche 20 de zinc, puis d'une couche 21 de précurseurs contenant du zinc, de rétain et du cuivre, dans les quantités nécessaires à la formation de CZTS.
On rappellera ici que les ratios des éléments Cu, Zn et Sn sont classiquement choisis de telle sorte que : 0.75≤ Cu/(Zn + Sn) < 0.95 et 1.05 <; Zn/Sn≤ 1.35 pour obtenir une couche de CZTS.
Cette étape de dépôt peut également être réalisée en déposant une seule couche de précurseurs contenant du zinc, de l'étain et du cuivre, la quantité de zinc étant alors supérieure à celle nécessaire pour transformer les précurseurs en un matériau photovoltaïque du type CZTS.
Dans ce cas, les ratios des éléments Cu, Zn et Sn sont choisis de telle sorte que 0.6≤ Cu/(Zn + Sn) s 0.9 et 1.3 s Zn/Sn≤ 1.9.
Ainsi, la quantité de zinc sera prévue en excès d'environ 5 à 35 % par rapport à la quantité d'étain donnée par la stœchiométrie nominale du CZTS et la quantité de cuivre sera prévue inférieure d'environ 5 à 25 % par rapport à la quantité donnée par la stœchiométrie nominale.
Dans les deux cas, les précurseurs peuvent être déposés sous vide, notamment par pulvérisation cathodique ou par évaporation, ou encore voie liquide, notamment par électro-dépôt.
Par ailleurs, ces dépôts peuvent être faits à température ambiante ou à haute température pouvant atteindre 600° C.
Après cette étape de dépôt, l'empilement est soumis à une étape de recuit, sous atmosphère de soufre et/ou de sélénium.
Cette étape de recuit s'effectue à des températures comprises entre 300 et 700eC et typiquement de l'ordre de 500eC.
Cette étape dure entre 1 et 90 mn. Cette durée est typiquement de l'ordre d'une dizaine de minutes. L'empilement est placé dans un gaz inerte (argon ou azote), à une pression proche de la pression atmosphérique, typiquement comprise entre 1 mbar et 10 bars.
Par ailleurs, le chalcogène (S et/ou Se) peut être apporté sous la forme de gaz élémentaire ou sous la forme de gaz de type H2S ou H2Se.
La figure 3 illustre un empilement qui est obtenu à la fin de l'étape de recuit.
Ainsi, sur l'électrode transparente 10, est formée une couche tampon 3 et, sur cette couche 3, une couche absorbante 4.
La couche 3 est formée en un matériau de formule générale
ZnSi.xSex> avec x compris entre 0 et 1 et notamment tel que 0 < x≤ 1. Par souci de simplification, ce matériau est désigné par ZnS.
Par ailleurs, la couche 4 est formée en CZTS.
Ainsi, une seule étape de dépôt, suivie d'une seule étape de recuit, permettent de réaliser à la fois une couche tampon et une couche absorbante. Ceci présente un avantage important par rapport aux procédés classiques.
Il convient de noter que, lorsqu'est déposée sur la couche 10, une couche de précurseurs contenant du zinc, de l'étain et du cuivre, la quantité de zinc étant en excès, l'étape de recuit conduit à repousser le zinc vers l'électrode transparente 10 pour former le matériau ZnS.
A titre de variante, les précurseurs peuvent être déposés sous forme de composés avec un chalcogène (S et/ou Se), par exemple Cu (S et/ou Se) ou Zn (S et/ou Se). Le ou les chalcogènes peuvent également être déposés sous forme élémentaire. Ces deux types de dépôt sont possibles que le dépôt des précurseurs se fasse simultanément ou successivement, sous la forme des deux couches 20 et 21 illustrées à la figure 2.
Par ailleurs, du magnésium et/ou de l'oxygène peuvent également être déposés avec les précurseurs. Le magnésium et/ou oxygène peuvent être déposés par dépôt élémentaire ou par dépôt réactif sous atmosphère d'oxygène de certains précurseurs.
Dans ce cas, la couche tampon obtenue est en un matériau s représenté par ia formule générale (Mg) Zn(0)S. Cette formule correspond à des matériaux du type ZnV)<Mgx0ySzSef-y.2 .avec x compris entre 0 et 1 ainsi que (y+z). y et z étant notamment tels que 0≤ y+z < 1.
La présence de magnésium ou d'oxygène permet d'améliorer les performances de la cellule photovolaïque finale,
lo En effet, elle permet de diminuer les barrières de potentiel entre la couche absorbante et la couche tampon. Ceci augmente le courant et le facteur de forme et donc, le rendement dans les cellules.
Cet apport de magnésium et/ou d'oxygène peut être réalisé que les précurseurs soient déposés simultanément ou séquentiellement, i 5 comme illustré sur la figure 2.
A titre d'exemple, le substrat 1 est réalisé à partir de verre sodocalcique incluant une électrode transparente en Sn02:F.
La couche 20 présente une épaisseur comprise entre 10 et 100 nm lorsqu'elle ne comporte que du zinc et elle présente typiquement0 une épaisseur de 30 nm.
Lorsque la couche 20 comporte du zinc et un chalcogène, elle présente une épaisseur comprise entre 20 et 200 nm et qui est typiquement égale à 50 nm.
Par ailleurs, la couche 21 comprend par exemple une couche5 de ZnS dont l'épaisseur est de 340 nm, une couche de cuivre dont l'épaisseur est de 110 nm. et une couche d'étain dont l'épaisseur est de 160 nm.
Les valeurs indiquées correspondent à une épaisseur de la couche 20 de 30 nm (Zn) ou 50 nm (ZnS).
Avec ces valeurs, on obtient, après l'étape de recuit dont les0 conditions sont par exemple données ci-après, une couche tampon en ZnS dont l'épaisseur est d'environ 50 nm et une couche 4 en CZTS dont l'épaisseur est d'environ 1000 nm. On peut également prévoir de déposer, sur l'électrode 10, une couche de ZnS dont l'épaisseur est d'environ 400 nm. Ce dépôt est typiquement réalisé par pulvérisation cathodique.
Sur cette couche de ZnS est ensuite déposée par évaporation 5 par canon à électrons, une couche de cuivre dont l'épaisseur est de 110 nm et une couche d'étain dont l'épaisseur est d'environ 160 nm.
L'empilement obtenu est alors soumis à une étape de recuit de sélénisation. Elle est réalisée à une température comprise entre 450 et 700X et typiquement égale à 570eC pendant une durée comprise entre 1 et îo 120 min et typiquement égale à 30 min, sous une pression d'azote comprise entre 10 mBar et 3 atm et notamment sous pression atmosphérique et sous une pression partielle de sélénium comprise entre 0,01 mBar et 100 mBar et notamment de 1 mBar. La pression partielle de Se peut provenir de l'évaporation de Se élémentaire ou de H2Se.
s s Un exemple d'une telle étape de recuit est donné dans l'article cité précédemment.
Dans ce cas, la quantité de zinc nécessaire à la constitution du matériau photovoltaïque CZTS est présente dans la couche de ZnS qui présente donc une épaisseur plus importante que dans l'exemple précédent0 (340 nm).
Dans tous les cas, les étapes de dépôt et de recuit permettent de réaliser une couche tampon 3 et une couche absorbante 4, avec une jonction pn à l'interface entre ces deux couches.
Avec les exemples indiqués précédemment, les épaisseurs 5 typiques sont 50 nm pour la couche tampon et 1000 nm pour la couche absorbante.
La figure 4 illustre la dernière étape du procédé, dans laquelle une électrode de face arrière 5 est réalisée.
Cette étape consiste à réaliser une couche métallique.
0 Cette couche peut être obtenue par un simple dépôt de métal conducteur, notamment Au, Cu, Mo ou Ti. Ce dépôt métallique peut être précédé d'un nettoyage chimique de la surface de la couche 4 ou d'une étape de dopage à proximité de la surface de la couche 4. Dans les deux cas, ces étapes préalables ont pour objet d'améliorer le contact électrique entre les couches 4 et 5.
Les signes de référence insérés après les caractéristiques techniques figurant dans les revendications ont pour seul but de faciliter la compréhension de ces dernières et ne sauraient en limiter la portée.

Claims

REVENDICATIONS
1) Procédé de réalisation d'une jonction pn dans une cellule photovoltaïque en couches minces à base de CZTS, comprenant :
a) une étape de dépôt d'une couche de précurseurs contenant du zinc, de l'étain et du cuivre, la quantité de zinc étant supérieure à celle nécessaire pour transformer les précurseurs en un matériau photovoltaïque du type CZTS et
b) une étape de recuit des précurseurs, sous atmosph re de soufre et/ou de sélénium, de façon à obtenir une couche photovoltaïque en CZTS et une couche tampon en ZnSi-xSex, avec x compris entre 0 et 1.
2) Procédé selon la revendication 1, dans lequel, lors de l'étape a), est déposé du sélénium et/ou du soufre.
3) Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, lors de l'étape a), est également déposé du magnésium et/ou de l'oxygène, la couche tampon obtenue étant alors en Zni.xMgyOySzSei.y.z avec x et (y + z) compris entre 0 et 1.
4) Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel, lors de l'étape a), on procède tout d'abord au dépôt d'une couche (20) de zinc puis au dépôt d'une couche (21) contenant du zinc, de l'étain et du cuivre. dans les quantités nécessaires à la formation de CZTS.
5) Procédé selon la revendication 4, dans lequel, lors du dépôt de la couche de zinc (20) et/ou de la couche (21) contenant du zinc, de l'étain et du cuivre dans les quantités nécessaires à la formation de CZTS. est également déposé du sélénium et/ou du soufre.
6) Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel, lors du dépôt de la couche de zinc (20) et/ou de la couche (21) contenant du zinc, de l'étain et du cuivre dans les quantités nécessaires à la formation de CZTS. est également déposé du magnésium et/ou de l'oxygène.
7) Procédé de réalisation d'une cellule solaire à base de CZTS et en configuration superstrat. comprenant les étapes suivantes : l'obtention d'un substrat (1) transparent comportant une électrode (10) conductrice et transparente, la mise en œuvre du procédé d'obtention d'une jonction pn selon l'une des revendications 1 à 6, la couche tampon (3) en ZnSi.xSex avec x compris entre 0 et 1 étant obtenue entre l'électrode transparente (10) et la couche absorbante (4) en CZTS et
- le dépôt d'une couche (5) conductrice pour obtenir une électrode en face arrière.
8) Cellule photovoltaïque en couches minces et en configuration superstrat comprenant successivement :
un substrat (1) transparent avec une électrode (10) transparente conductrice,
une couche tampon (3) en ZnSi-xSex avec x tel que 0 < x≤ 1 , une couche absorbante (4) en CZTS et
une électrode (5) en face arrière.
9) Cellule photovoltaïque en couches minces et en configuration superstrat comprenant successivement :
un substrat (1) transparent avec une électrode (10) transparente conductrice,
une couche tampon (3) en Zn,.xMgxOySzSei.y.r avec x et (y + z) tels que 0≤ x≤ 1 et 0≤ y+z < 1.
- une couche (4) absorbante en CZTS et
une électrode (5) en face arrière.
10) Cellule photovoltaïque selon la revendication 8 ou 9, dans laquelle l'électrode (5) en face arrière est une couche de molybdène.
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