EP2922097A1 - Method for optimising the quantum efficiency of a photodiode - Google Patents

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EP2922097A1
EP2922097A1 EP15158080.0A EP15158080A EP2922097A1 EP 2922097 A1 EP2922097 A1 EP 2922097A1 EP 15158080 A EP15158080 A EP 15158080A EP 2922097 A1 EP2922097 A1 EP 2922097A1
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EP
European Patent Office
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layer
thickness
photodiode
eox
silicon oxide
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP15158080.0A
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German (de)
French (fr)
Inventor
Laurent Frey
Michel Marty
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STMicroelectronics SA
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
STMicroelectronics SA
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
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Filing date
Publication date
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Definitions

  • the present application relates to semiconductor photodiodes and more particularly to a method for optimizing the quantum efficiency of such photodiodes.
  • the figure 1 represents, in a simplified manner, a part subjected to illumination, or active part, of a semiconductor photodiode used for example as SPAD device ("Single Photon Avalanche Diode").
  • the photodiode is formed in a silicon semiconductor substrate 1 comprising a photon conversion zone 3 in electron-hole pairs. This zone 3 of a first conductivity type is surmounted by a zone 4 of the opposite conductivity type.
  • there exists in the substrate 1 other junctions (not shown) between semiconductor regions of opposite type for storing the electrons, and various transistors (not shown) for transferring the electrons to a read circuit.
  • the active part of the photodiode is coated with a stack of several insulating layers transparent to the wavelength of work, by for example a wavelength between 700 and 1000 nm corresponding to infrared light.
  • the illustrated stack successively comprises a layer of silicon oxide 9, an antireflection layer 11, a thick layer of silicon oxide 13 and a thick layer of silicon nitride 15.
  • the thick layer 15 is the upper layer of the stack.
  • This layer 15 is generally coated with a filtering layer and a microlens (not shown in FIG. figure 1 ).
  • an infrared diode In the case of an infrared diode, it takes a thickness of silicon of the order of 50 microns to absorb 95% of the light received, which is much thicker than the conventional thicknesses of the layers used in microelectronics.
  • the infrared photodiode is often part of a set of visible light detection photodiodes (red, blue, green) and the photon conversion zone 3 in electron-hole pairs is relatively thin and therefore poorly adapted to detection. infrared light.
  • the photons are only very partially absorbed over the thickness of the order of 500 to 2000 nm. the conversion area.
  • the quantum yield is of the order of 5 to 6% only.
  • the second silicon oxide layer is coated with a silicon nitride layer having a thickness of less than 50 nm.
  • the infrared wavelength is between 700 and 1000 nm.
  • the thickness of the substrate is between 1 and 3 microns.
  • the antireflection layer is made of silicon nitride.
  • the infrared wavelength is equal to 850 nm
  • the dispersion ratio is equal to 0.1
  • the thickness of the first silicon oxide layer is 25 nm
  • the thickness of the the antireflection layer is 50 nm
  • the desired thickness eoxD chosen for the second layer of silicon oxide is 60 nm, 340 nm or 640 nm.
  • the method further comprises the step of etching the etch stop layer.
  • the thickness of the second layer is greater than the desired thickness eoxD, the method further comprising the step of partially etching the second layer so as to leave in place a portion of desired thickness eoxD .
  • the etch stop layer is made of silicon nitride.
  • the photodiode comprises, between the first and second silicon oxide layers, an antireflection layer with a thickness of between 10 and 80 nm.
  • the photodiode comprises outside said active zone an interconnection network comprising a stack of portions of silicon oxide layers, diffusion barrier layers and at least one metal.
  • the top of said second layer is at the lower face of one of the diffusion barrier layer portions.
  • the diffusion barrier layer portion at which said second layer stops is maintained above said second layer.
  • the top of said second layer is below the level of the lower face of one of the diffusion barrier layer portions.
  • the top of said second layer is above the level of the lower face of one of the diffusion barrier layer portions.
  • said one of the diffusion barrier layer portions is a portion of the lowest diffusion barrier layer of the interconnection network.
  • the diffusion barrier layers are made of silicon nitride.
  • the inventors have studied the variation of the quantum yield of a photodiode according to various parameters. They noted that this quantum efficiency does not only depend on the thickness of the conversion zone of this photodiode, but also on the nature of the insulating layers of the stack located above the active part as well as the thicknesses of these layers. layers.
  • the figure 2 represents the absorption rate A of two different photodiodes as a function of the wavelength ⁇ of the incident light.
  • the thick layer of silicon oxide 13 has a thickness of 2150 nm.
  • Curve 19 corresponds to a photodiode in which all the layers of the stack represented in FIG. figure 1 have been preserved.
  • Curve 23 corresponds to a photodiode in which the thick layer of silicon nitride 15 has been suppressed.
  • the photodiode of curve 23 has a higher absorption rate than that of the photodiode of the curve 19.
  • photodiodes of the type of figure 1 wherein the thick silicon nitride layer 15 has been suppressed has a higher absorption rate than photodiodes in which the thick silicon nitride layer has been left in place.
  • the absorption rate of the photodiode corresponding to the curve 19 is equal to 4.5% while the absorption rate of the photodiode corresponding to the curve 23 is greater. high and equal to 6.5%.
  • the removal of the thick silicon nitride layer in a photodiode of the type of figure 1 allows an absorption gain.
  • the figure 3 represents, for a wavelength equal to 850 nm, the absorption rate A of two photodiodes of the type of that of the figure 1 depending on the thickness eox of the silicon oxide layer 13.
  • the curve 25 corresponds to a photodiode in which the thick layer (400 to 700 nm) of silicon nitride 15 was left in place.
  • Curve 27 corresponds to a photodiode in which the thick silicon nitride layer 15 has been suppressed.
  • the curves 25 and 27 have substantially periodic absorption maxima and minima, of pseudo-period T, which shows that interferential phenomena occur.
  • the oxide layer 13 is located between two layers 11 and 15 of silicon nitride of optical index different from that of the layer 13.
  • These oscillations correspond to the interferences in the optical cavity, which are constructive or destructive depending on the length of the wave and according to the thickness.
  • the layer 15 is removed, the reflection is strongly reduced and the oscillations are of smaller amplitude, as can be seen on the curve 27.
  • the values of the maxima M1 to M9 of the curve 27 are substantially identical to the values of the maxima of the curve 25, and even slightly higher for the curve 27 than for the curve 25.
  • the average absorption is equal to 5.5% and 6.28%, respectively, for curves 25 and 27.
  • a thickness of the silicon oxide layer 13 corresponding to an absorption maximum, and preferably to an absorption maximum of the curve 27.
  • eox D a silicon oxide layer of a desired thickness eox D.
  • the spectrum of effective eox O thicknesses resulting from the manufacturing dispersions should be significantly less than the pseudo-period T of the absorption curves.
  • the desired thickness eox D should correspond to an absorption maximum and that 2 * D * eox D is significantly less than 300 nm, for example less than half of 300 nm.
  • eox D should be less than 750 nm.
  • the effective thickness eox O will be between 54 and 66 nm, between 306 and 374 nm or between 576 and 704 nm respectively. .
  • the absorption rates corresponding to these effective eox O thicknesses will then be close to the absorption maximum.
  • the effective thickness eox O will be respectively between 845 and 1035 nm or between 1890 and 2310 nm.
  • FIGS. 4A and 4B illustrate an example of successive steps of manufacturing a photodiode in which the absorption is optimized according to the method described above.
  • an active portion 29 of a photodiode i.e. the illuminated portion, is formed in a semiconductor substrate 1 made of silicon.
  • the active portion 29 of the photodiode is coated with a stack of several insulating layers transparent to the working wavelength.
  • the illustrated stack comprises successively, in current embodiments as illustrated in FIG. figure 1 , a silicon oxide layer 9, an antireflection layer 11, a silicon oxide layer 31, a silicon oxide layer 35 and a thick silicon nitride layer 15.
  • Metal levels 37 are provided in the layer 35, outside the active portion 29.
  • the metal levels 37 are optionally connected by vias 39. It will be noted that vias (not shown) come to contact elements formed in the substrate. of silicon 1. The representation of these levels of metal and these vias is purely symbolic.
  • the Figure 4B represents a photodiode obtained after etching removal of the portions of the layers 15, 35 and 40 facing the active portion 29 of the photodiode.
  • the portion of the layer 40 facing the active part then serves as an etch stop layer during etching of the silicon oxide layer 35.
  • the thickness of the layer 31 under the silicon nitride layer 40 temporarily held in place has been chosen beforehand to be equal to a desired thickness eox D corresponding to an absorption maximum, for example a thickness eox D equal to eox2.
  • a photodiode is then obtained whose active portion 29 is successively coated with layers 9, 11 and with a portion 41 of the silicon oxide layer 31 whose effective thickness eox O is equal to the dispersions of manufacture to the desired thickness eox D maximizing the absorption.
  • the figure 5 illustrates a variant of the photodiode of the Figure 4B .
  • an additional etching step is performed in the case where the thickness of the layer 31 is greater than a desired thickness eox D maximizing the absorption.
  • This etching step is performed to leave in place, facing the active portion 29, a portion 41a of the layer 31 of desired thickness eox D.
  • a photodiode is then obtained whose active portion 29 is successively coated with layers 9 and 11 and with a portion 41a of the silicon oxide layer 31 whose effective thickness obtained eox O is equal to the manufacturing dispersions, to the desired thickness eox D maximizing the absorption.
  • the oxide can be redeposited to reach the desired value.
  • one or more filter layers and a microlens will usually be formed on the portion 41 of the layer 31.
  • the manufacturing steps described in relation to the Figures 4A , 4B and 5 are likely to have many variants.
  • the portion of the barrier layer 40 facing the active part of the photodiode can be left in place, for example to avoid a possible degradation of the silicon oxide of the layer 31 during the etching of this portion of the layer 40.
  • the thickness of the layers 31 and 40 is chosen beforehand to correspond to an absorption maximum.
  • SPAD photodiodes have been mentioned more specifically here, it will be noted that the embodiments described can be adapted to any sensor comprising photodiodes illuminated by the front face.

Abstract

L'invention concerne un procédé d'optimisation du rendement quantique d'une photodiode dont la partie active (29) est formée dans un substrat en silicium (1) et est recouverte d'un empilement de couches isolantes comprenant successivement au moins une première couche (9) d'oxyde de silicium d'épaisseur comprise entre 5 et 50 nm, une couche antireflet (11) d'épaisseur comprise entre 10 et 80 nm, et une deuxième couche (31) d'oxyde de silicium, le procédé d'optimisation comprenant les étapes suivantes : déterminer pour une longueur d'onde infrarouge des premières épaisseurs (e1, e2, e3, e4 ... e8) de la deuxième couche (31) correspondant à des maxima d'absorption (M1, M2, M3, M4 ... M8) de la photodiode, et choisir, parmi les premières épaisseurs, une épaisseur désirée, eoxD, pour que la dispersion maximale de fabrication soit inférieure à la moitié de la pseudo-période séparant deux maxima successifs.The invention relates to a method for optimizing the quantum efficiency of a photodiode whose active part (29) is formed in a silicon substrate (1) and is covered with a stack of insulating layers comprising successively at least one first layer (9) silicon oxide having a thickness of between 5 and 50 nm, an antireflection layer (11) with a thickness of between 10 and 80 nm, and a second layer (31) of silicon oxide, the method of optimization comprising the steps of: determining for an infrared wavelength the first thicknesses (e1, e2, e3, e4 ... e8) of the second layer (31) corresponding to absorption maxima (M1, M2, M3, M4 ... M8) of the photodiode, and choose, among the first thicknesses, a desired thickness, eoxD, so that the maximum production dispersion is less than half the pseudo-period separating two successive maxima.

Description

DomaineField

La présente demande concerne les photodiodes à semiconducteur et plus particulièrement un procédé d'optimisation du rendement quantique de telles photodiodes.The present application relates to semiconductor photodiodes and more particularly to a method for optimizing the quantum efficiency of such photodiodes.

Exposé de l'art antérieurPresentation of the prior art

La figure 1 représente de façon simplifiée une partie soumise à éclairement, ou partie active, d'une photodiode à semiconducteur utilisée par exemple comme dispositif SPAD ("Single Photon Avalanche Diode" - diode à avalanche à photon unique). La photodiode est formée dans un substrat semiconducteur 1 en silicium comprenant une zone 3 de conversion de photons en paires électron-trou. Cette zone 3 d'un premier type de conductivité est surmontée d'une zone 4 du type de conductivité opposé. Dans une photodiode complète, il existe dans le substrat 1 d'autres jonctions (non représentées) entre des régions semiconductrices de type opposé pour stocker les électrons, et divers transistors (non représentés) pour transférer les électrons vers un circuit de lecture.The figure 1 represents, in a simplified manner, a part subjected to illumination, or active part, of a semiconductor photodiode used for example as SPAD device ("Single Photon Avalanche Diode"). The photodiode is formed in a silicon semiconductor substrate 1 comprising a photon conversion zone 3 in electron-hole pairs. This zone 3 of a first conductivity type is surmounted by a zone 4 of the opposite conductivity type. In a complete photodiode, there exists in the substrate 1 other junctions (not shown) between semiconductor regions of opposite type for storing the electrons, and various transistors (not shown) for transferring the electrons to a read circuit.

En configuration « front side », c'est-à-dire que la lumière est reçue par la face avant du substrat, la partie active de la photodiode est revêtue d'un empilement de plusieurs couches isolantes transparentes à la longueur d'onde de travail, par exemple une longueur d'onde comprise entre 700 et 1000 nm correspondant à de la lumière infrarouge. L'empilement représenté comprend successivement une couche d'oxyde de silicium 9, une couche antireflet 11, une couche épaisse d'oxyde de silicium 13 et une couche épaisse de nitrure de silicium 15. La couche épaisse 15 est la couche supérieure de l'empilement. Cette couche 15 est généralement revêtue d'une couche de filtrage et d'une microlentille (non représentées en figure 1).In "front side" configuration, that is to say that the light is received by the front face of the substrate, the active part of the photodiode is coated with a stack of several insulating layers transparent to the wavelength of work, by for example a wavelength between 700 and 1000 nm corresponding to infrared light. The illustrated stack successively comprises a layer of silicon oxide 9, an antireflection layer 11, a thick layer of silicon oxide 13 and a thick layer of silicon nitride 15. The thick layer 15 is the upper layer of the stack. This layer 15 is generally coated with a filtering layer and a microlens (not shown in FIG. figure 1 ).

De façon courante, dans une photodiode du type représenté, les épaisseurs de couches sont les suivantes :

  • de 1000 à 3000 nm pour le substrat semiconducteur 1,
  • de 500 à 2000 nm pour la zone de conversion 3,
  • de 500 à 1500 nm pour la zone 4,
  • de 5 à 50 nm pour la couche d'oxyde de silicium 9,
  • de 10 à 100 nm pour une couche antireflet 11 en nitrure de silicium,
  • de 700 à 2500 nm pour la couche d'oxyde de silicium 13 (qui peut être un empilement de plusieurs couches d'oxyde de silicium), et
  • de 400 à 700 nm pour la couche de nitrure de silicium 15.
Commonly, in a photodiode of the type shown, the layer thicknesses are as follows:
  • from 1000 to 3000 nm for the semiconductor substrate 1,
  • from 500 to 2000 nm for the conversion zone 3,
  • from 500 to 1500 nm for zone 4,
  • from 5 to 50 nm for the silicon oxide layer 9,
  • from 10 to 100 nm for an antireflection layer 11 of silicon nitride,
  • from 700 to 2500 nm for the silicon oxide layer 13 (which may be a stack of several layers of silicon oxide), and
  • from 400 to 700 nm for the silicon nitride layer 15.

Dans le cas d'une diode infrarouge, il faut une épaisseur de silicium de l'ordre de 50 µm pour absorber 95 % de la lumière reçue, ce qui est beaucoup plus épais que les épaisseurs classiques des couches utilisées en microélectronique. De plus, la photodiode infrarouge fait souvent partie d'un ensemble de photodiodes de détection de lumière visible (rouge, bleu, vert) et la zone 3 de conversion de photons en paires électron-trou est relativement mince et donc mal adaptée à la détection de lumière infrarouge. Ainsi, dans le cas où des rayons lumineux dans le domaine de l'infrarouge traversent l'empilement puis pénètrent dans le substrat semiconducteur 1, les photons ne sont que très partiellement absorbés sur l'épaisseur de l'ordre de 500 à 2000 nm de la zone de conversion. Pour une épaisseur de la zone de conversion 3 égale à 1500 nm, le rendement quantique est de l'ordre de 5 à 6 % seulement.In the case of an infrared diode, it takes a thickness of silicon of the order of 50 microns to absorb 95% of the light received, which is much thicker than the conventional thicknesses of the layers used in microelectronics. In addition, the infrared photodiode is often part of a set of visible light detection photodiodes (red, blue, green) and the photon conversion zone 3 in electron-hole pairs is relatively thin and therefore poorly adapted to detection. infrared light. Thus, in the case where light rays in the infrared range pass through the stack and then enter the semiconductor substrate 1, the photons are only very partially absorbed over the thickness of the order of 500 to 2000 nm. the conversion area. For a thickness of the conversion zone 3 equal to 1500 nm, the quantum yield is of the order of 5 to 6% only.

Il serait souhaitable d'augmenter ce rendement quantique.It would be desirable to increase this quantum efficiency.

Résumésummary

Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé d'optimisation du rendement quantique d'une photodiode dont la partie active est formée dans un substrat en silicium et est recouverte d'un empilement de couches isolantes transparentes à une longueur d'onde infrarouge, ledit empilement comprenant successivement au moins une première couche d'oxyde de silicium dont l'épaisseur est comprise entre 5 et 50 nm, une couche antireflet dont l'épaisseur est comprise entre 10 et 80 nm, et une deuxième couche d'oxyde de silicium, le procédé d'optimisation comprenant les étapes suivantes :

  • déterminer pour ladite longueur d'onde infrarouge des premières épaisseurs de la deuxième couche correspondant à des maxima d'absorption de la photodiode, une pseudo-période séparant deux maxima successifs, et
  • choisir, parmi les premières épaisseurs, une épaisseur désirée, eoxD, pour que la dispersion maximale de fabrication, D*eoxD, soit inférieure à la moitié de la pseudo-période, D étant un taux de dispersion de fabrication.
Thus, an embodiment provides a method for optimizing the quantum efficiency of a photodiode whose active portion is formed in a silicon substrate and is covered with a stack of transparent insulating layers at an infrared wavelength, said stack comprising successively at least a first silicon oxide layer whose thickness is between 5 and 50 nm, an antireflection layer whose thickness is between 10 and 80 nm, and a second layer of silicon oxide, the optimization method comprising the following steps:
  • determining, for said infrared wavelength, first thicknesses of the second layer corresponding to absorption maxima of the photodiode, a pseudo-period separating two successive maxima, and
  • choosing, among the first thicknesses, a desired thickness, eoxD, so that the maximum manufacturing dispersion, D * eoxD, is less than half of the pseudo-period, D being a manufacturing dispersion rate.

Selon un mode de réalisation, la deuxième couche d'oxyde de silicium est revêtue d'une couche de nitrure de silicium d'une épaisseur inférieure à 50 nm.According to one embodiment, the second silicon oxide layer is coated with a silicon nitride layer having a thickness of less than 50 nm.

Selon un mode de réalisation, la longueur d'onde infrarouge est comprise entre 700 et 1000 nm.According to one embodiment, the infrared wavelength is between 700 and 1000 nm.

Selon un mode de réalisation, l'épaisseur du substrat est comprise entre 1 et 3 µm.According to one embodiment, the thickness of the substrate is between 1 and 3 microns.

Selon un mode de réalisation, la couche antireflet est en nitrure de silicium.According to one embodiment, the antireflection layer is made of silicon nitride.

Selon un mode de réalisation, la longueur d'onde infrarouge est égale à 850 nm, le taux de dispersion est égal à 0,1, l'épaisseur de la première couche d'oxyde de silicium est de 25 nm, l'épaisseur de la couche antireflet est de 50 nm et l'épaisseur désirée eoxD choisie pour la deuxième couche d'oxyde de silicium est de 60 nm, 340 nm ou 640 nm.According to one embodiment, the infrared wavelength is equal to 850 nm, the dispersion ratio is equal to 0.1, the thickness of the first silicon oxide layer is 25 nm, the thickness of the the antireflection layer is 50 nm and the desired thickness eoxD chosen for the second layer of silicon oxide is 60 nm, 340 nm or 640 nm.

Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'une photodiode de rendement quantique optimisé comprenant les étapes suivantes :

  1. a) prévoir une photodiode dont la partie active est formée dans un substrat en silicium et est recouverte d'un empilement de couches isolantes transparentes à une longueur d'onde infrarouge, l'empilement comprenant successivement au moins une première couche d'oxyde de silicium, une couche antireflet, une deuxième couche d'oxyde de silicium d'une épaisseur supérieure ou égale à une épaisseur désirée eoxD, une couche d'arrêt de gravure, et une troisième couche d'oxyde de silicium ; et
  2. b) graver ledit empilement jusqu'à la couche d'arrêt de gravure.
One embodiment provides a method for manufacturing an optimized quantum yield photodiode comprising the following steps:
  1. a) providing a photodiode whose active part is formed in a silicon substrate and is covered with a stack of transparent insulating layers at an infrared wavelength, the stack comprising successively at least a first layer of silicon oxide; an antireflection layer, a second silicon oxide layer of a thickness greater than or equal to a desired thickness eoxD, an etch stopping layer, and a third layer of silicon oxide; and
  2. b) etching said stack to the etch stop layer.

Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre l'étape consistant à graver la couche d'arrêt de gravure.According to one embodiment, the method further comprises the step of etching the etch stop layer.

Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la deuxième couche est supérieure à l'épaisseur désirée eoxD, le procédé comprenant en outre l'étape consistant à graver partiellement la deuxième couche de façon à laisser en place une portion d'épaisseur désirée eoxD.According to one embodiment, the thickness of the second layer is greater than the desired thickness eoxD, the method further comprising the step of partially etching the second layer so as to leave in place a portion of desired thickness eoxD .

Selon un mode de réalisation, la couche d'arrêt de gravure est en nitrure de silicium.According to one embodiment, the etch stop layer is made of silicon nitride.

Un mode de réalisation prévoit une photodiode dont la partie active est formée dans un substrat en silicium et est recouverte d'un empilement de couches isolantes transparentes à une longueur d'onde infrarouge, ledit empilement comprenant successivement au moins :

  • une première couche d'oxyde de silicium dont l'épaisseur est comprise entre 5 et 50 nm, et
  • une deuxième couche d'oxyde de silicium, ladite deuxième couche ayant une épaisseur correspondant, pour ladite longueur d'onde infrarouge, à l'un des maxima d'absorption de la photodiode, une pseudo-période séparant deux maxima successifs, ladite épaisseur étant telle que la dispersion maximale de fabrication, D*eoxD, soit inférieure à la moitié de la pseudo-période, D étant un taux de dispersion de fabrication.
One embodiment provides a photodiode whose active part is formed in a silicon substrate and is covered with a stack of transparent insulating layers at an infrared wavelength, said stack comprising successively at least:
  • a first layer of silicon oxide whose thickness is between 5 and 50 nm, and
  • a second layer of silicon oxide, said second layer having a corresponding thickness, for said infrared wavelength, at one of the absorption maxima of the photodiode, a pseudo-period separating two successive maxima, said thickness being such that the maximum manufacturing dispersion, D * eoxD, is less than half of the pseudo-period, D being a production dispersion rate.

Selon un mode de réalisation, la photodiode comprend, entre les première et deuxième couches d'oxyde de silicium, une couche antireflet d'épaisseur comprise entre 10 et 80 nm.According to one embodiment, the photodiode comprises, between the first and second silicon oxide layers, an antireflection layer with a thickness of between 10 and 80 nm.

Selon un mode de réalisation, la photodiode comprend en dehors de ladite zone active un réseau d'interconnexion comprenant un empilement de portions de couches d'oxyde de silicium, de couches barrière de diffusion et d'au moins un métal.According to one embodiment, the photodiode comprises outside said active zone an interconnection network comprising a stack of portions of silicon oxide layers, diffusion barrier layers and at least one metal.

Selon un mode de réalisation, le haut de ladite deuxième couche est au niveau de la face inférieure de l'une des portions de couches barrière de diffusion.According to one embodiment, the top of said second layer is at the lower face of one of the diffusion barrier layer portions.

Selon un mode de réalisation, la portion de couche barrière de diffusion au niveau de laquelle s'arrête ladite deuxième couche est maintenue au-dessus de ladite deuxième couche.According to one embodiment, the diffusion barrier layer portion at which said second layer stops is maintained above said second layer.

Selon un mode de réalisation, le haut de ladite deuxième couche est au-dessous du niveau de la face inférieure de l'une des portions de couches barrière de diffusion.According to one embodiment, the top of said second layer is below the level of the lower face of one of the diffusion barrier layer portions.

Selon un mode de réalisation, le haut de ladite deuxième couche est au-dessus du niveau de la face inférieure de l'une des portions de couches barrière de diffusion.According to one embodiment, the top of said second layer is above the level of the lower face of one of the diffusion barrier layer portions.

Selon un mode de réalisation, ladite une des portions de couches barrière de diffusion est une portion de la couche barrière de diffusion la plus basse du réseau d'interconnexion.According to one embodiment, said one of the diffusion barrier layer portions is a portion of the lowest diffusion barrier layer of the interconnection network.

Selon un mode de réalisation, les couches barrière de diffusion sont en nitrure de silicium.According to one embodiment, the diffusion barrier layers are made of silicon nitride.

Brève description des dessinsBrief description of the drawings

Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :

  • la figure 1, décrite précédemment, représente schématiquement un exemple de partie active d'une photodiode ;
  • la figure 2 représente le taux d'absorption en fonction de la longueur d'onde pour deux photodiodes du type de celle de la figure 1 ;
  • la figure 3 représente, en fonction de l'épaisseur d'une couche de revêtement et pour une longueur d'onde donnée, le taux d'absorption pour deux photodiodes du type de celle de la figure 1 ;
  • les figures 4A et 4B illustrent des étapes successives de fabrication d'une photodiode à rendement quantique amélioré ; et
  • la figure 5 illustre une variante de la photodiode de la figure 4B.
These and other features and advantages will be set forth in detail in the following description of particular embodiments in a non-limiting manner with reference to the accompanying drawings in which:
  • the figure 1 , described above, schematically represents an example of an active part of a photodiode;
  • the figure 2 represents the absorption rate as a function of the wavelength for two photodiodes of the type of that of the figure 1 ;
  • the figure 3 represents, as a function of the thickness of a coating layer and for a given wavelength, the absorption rate for two photodiodes of the type of that of the figure 1 ;
  • the Figures 4A and 4B illustrate successive steps of manufacturing an improved quantum yield photodiode; and
  • the figure 5 illustrates a variant of the photodiode of the Figure 4B .

Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle.For the sake of clarity, the same elements have been designated with the same references in the different figures and the various figures are not drawn to scale.

Description détailléedetailed description

Comme on le verra en détail ci-après, les inventeurs ont étudié la variation du rendement quantique d'une photodiode en fonction de divers paramètres. Ils ont noté que ce rendement quantique ne dépend pas seulement de l'épaisseur de la zone de conversion de cette photodiode, mais aussi de la nature des couches isolantes de l'empilement situé au-dessus de la partie active ainsi que des épaisseurs de ces couches.As will be seen in detail below, the inventors have studied the variation of the quantum yield of a photodiode according to various parameters. They noted that this quantum efficiency does not only depend on the thickness of the conversion zone of this photodiode, but also on the nature of the insulating layers of the stack located above the active part as well as the thicknesses of these layers. layers.

La figure 2 représente le taux d'absorption A de deux photodiodes différentes en fonction de la longueur d'onde λ de la lumière incidente. Dans ces deux photodiodes du type de celle de la figure 1, la couche épaisse d'oxyde de silicium 13 a une épaisseur de 2150 nm.The figure 2 represents the absorption rate A of two different photodiodes as a function of the wavelength λ of the incident light. In these two photodiodes of the type of figure 1 the thick layer of silicon oxide 13 has a thickness of 2150 nm.

La courbe 19 correspond à une photodiode dans laquelle toutes les couches de l'empilement représenté en figure 1 ont été conservées. La courbe 23 correspond à une photodiode dans laquelle la couche épaisse de nitrure de silicium 15 a été supprimée.Curve 19 corresponds to a photodiode in which all the layers of the stack represented in FIG. figure 1 have been preserved. Curve 23 corresponds to a photodiode in which the thick layer of silicon nitride 15 has been suppressed.

Pour des longueurs d'onde comprises entre 740 et 790 nm ou entre 820 et 880 nm, la photodiode de la courbe 23 a un taux d'absorption plus élevé que celui de la photodiode de la courbe 19. En d'autres termes, des photodiodes du type de celle de la figure 1 dans lesquelles la couche épaisse de nitrure de silicium 15 a été supprimée ont un taux d'absorption plus élevé que des photodiodes dans lesquelles la couche épaisse 15 de nitrure de silicium a été laissée en place.For wavelengths between 740 and 790 nm or between 820 and 880 nm, the photodiode of curve 23 has a higher absorption rate than that of the photodiode of the curve 19. In other words, photodiodes of the type of figure 1 wherein the thick silicon nitride layer 15 has been suppressed has a higher absorption rate than photodiodes in which the thick silicon nitride layer has been left in place.

Les courbes 19 et 23 ont été obtenues pour des photodiodes dans lesquelles les couches ont des épaisseurs égales à :

  • 1500 nm pour la zone de conversion 3,
  • 1000 nm pour la zone 4,
  • 25 nm pour la couche 9,
  • 50 nm pour la couche 11,
  • 2150 nm pour la couche épaisse d'oxyde de silicium 13, et
  • 500 nm pour la couche épaisse de nitrure de silicium 15 lorsque celle-ci est présente.
The curves 19 and 23 were obtained for photodiodes in which the layers have thicknesses equal to:
  • 1500 nm for the conversion zone 3,
  • 1000 nm for zone 4,
  • 25 nm for layer 9,
  • 50 nm for layer 11,
  • 2150 nm for the thick layer of silicon oxide 13, and
  • 500 nm for the thick layer of silicon nitride when it is present.

Pour une longueur d'onde de travail égale à 850 nm, le taux d'absorption de la photodiode correspondant à la courbe 19 est égal à 4,5 % alors que le taux d'absorption de la photodiode correspondant à la courbe 23 est plus élevé et égal à 6,5 %. Ainsi, la suppression de la couche épaisse 15 de nitrure de silicium dans une photodiode du type de celle de la figure 1 permet un gain d'absorption.For a working wavelength equal to 850 nm, the absorption rate of the photodiode corresponding to the curve 19 is equal to 4.5% while the absorption rate of the photodiode corresponding to the curve 23 is greater. high and equal to 6.5%. Thus, the removal of the thick silicon nitride layer in a photodiode of the type of figure 1 allows an absorption gain.

La figure 3 représente, pour une longueur d'onde égale à 850 nm, le taux d'absorption A de deux photodiodes du type de celle de la figure 1 en fonction de l'épaisseur eox de la couche d'oxyde de silicium 13. La courbe 25 correspond à une photodiode dans laquelle la couche épaisse (de 400 à 700 nm) de nitrure de silicium 15 a été laissée en place. La courbe 27 correspond à une photodiode dans laquelle la couche épaisse de nitrure de silicium 15 a été supprimée.The figure 3 represents, for a wavelength equal to 850 nm, the absorption rate A of two photodiodes of the type of that of the figure 1 depending on the thickness eox of the silicon oxide layer 13. The curve 25 corresponds to a photodiode in which the thick layer (400 to 700 nm) of silicon nitride 15 was left in place. Curve 27 corresponds to a photodiode in which the thick silicon nitride layer 15 has been suppressed.

Les courbes 25 et 27 présentent des maxima et des minima d'absorption sensiblement périodiques, de pseudo-période T, ce qui montre qu'il se produit des phénomènes interférentiels. En effet, la couche d'oxyde 13 est située entre deux couches 11 et 15 de nitrure de silicium d'indice optique différent de celui de la couche 13. Il y a donc une cavité optique de type Fabry-Perot avec des multi-réflexions entre les deux couches de nitrure de silicium, d'où l'apparition d'oscillations dans les courbes 25 et 27. Ces oscillations correspondent aux interférences dans la cavité optique, qui sont constructives ou destructives selon la longueur d'onde et selon l'épaisseur. Lorsqu'on supprime la couche 15, on réduit fortement la réflexion et les oscillations sont d'amplitude plus faible, ce qu'on voit sur la courbe 27. Elles sont cependant encore présentes car une faible réflexion subsiste à l'interface entre la couche 13 d'oxyde de silicium et l'air. Les valeurs des maxima M1 à M9 de la courbe 27 sont sensiblement identiques aux valeurs des maxima de la courbe 25, et même légèrement plus élevées pour la courbe 27 que pour la courbe 25. L'absorption moyenne est égale à 5,5 % et 6,28 %, respectivement, pour les courbes 25 et 27.The curves 25 and 27 have substantially periodic absorption maxima and minima, of pseudo-period T, which shows that interferential phenomena occur. Indeed, the oxide layer 13 is located between two layers 11 and 15 of silicon nitride of optical index different from that of the layer 13. There is therefore a Fabry-Perot type optical cavity with multi-reflections between the two layers of silicon nitride, hence the appearance of oscillations in the curves 25 and 27. These oscillations correspond to the interferences in the optical cavity, which are constructive or destructive depending on the length of the wave and according to the thickness. When the layer 15 is removed, the reflection is strongly reduced and the oscillations are of smaller amplitude, as can be seen on the curve 27. However, they are still present because a weak reflection remains at the interface between the layer 13 of silicon oxide and air. The values of the maxima M1 to M9 of the curve 27 are substantially identical to the values of the maxima of the curve 25, and even slightly higher for the curve 27 than for the curve 25. The average absorption is equal to 5.5% and 6.28%, respectively, for curves 25 and 27.

Il ressort de cette première analyse des courbes 25 et 27 qu'il est préférable de se trouver dans des conditions correspondant à la courbe 27 (absence d'une couche épaisse de nitrure de silicium 15) car alors l'absorption de la zone de conversion sera en moyenne plus élevée que dans les conditions correspondant à la courbe 25 (présence d'une couche épaisse de nitrure de silicium 15).It emerges from this first analysis of the curves 25 and 27 that it is preferable to be in conditions corresponding to the curve 27 (absence of a thick layer of silicon nitride 15) because then the absorption of the conversion zone will be on average higher than under the conditions corresponding to curve 25 (presence of a thick layer of silicon nitride 15).

Il apparaît également qu'il est préférable de choisir une épaisseur de la couche d'oxyde de silicium 13 correspondant à un maximum d'absorption, et de préférence à un maximum d'absorption de la courbe 27. Toutefois, en raison des dispersions de fabrication, il n'est généralement pas possible d'obtenir très exactement une couche d'oxyde de silicium d'une épaisseur désirée eoxD. En effet, quand on cherche à fabriquer des couches d'une épaisseur désirée eoxD, on obtient des couches ayant des épaisseurs effectives obtenues eoxO comprises entre eoxD-D*eoxD et eoxD+D*eoxD, D étant un taux de dispersion de fabrication pouvant couramment atteindre une valeur de l'ordre de 0,1.It also appears that it is preferable to choose a thickness of the silicon oxide layer 13 corresponding to an absorption maximum, and preferably to an absorption maximum of the curve 27. However, because of the dispersions of manufacturing, it is generally not possible to obtain very precisely a silicon oxide layer of a desired thickness eox D. Indeed, when one seeks to manufacture layers of a desired thickness eox D , one obtains layers having eox O effective thicknesses between eox D- D * eox D and eox D + D * eox D , D being a production dispersion rate can commonly reach a value of the order of 0.1.

Ainsi, si on veut que l'épaisseur effective eoxO corresponde à une valeur d'absorption proche d'un maximum d'absorption, en plus de choisir eoxD correspondant à un maximum d'absorption, il convient que le spectre des épaisseurs effectives eoxO résultant des dispersions de fabrication, soit nettement inférieur à la pseudo-période T des courbes d'absorption.Thus, if we want the effective thickness eox O corresponds to an absorption value close to an absorption maximum, in addition to choosing eox D corresponding to a maximum In the case of absorption, the spectrum of effective eox O thicknesses resulting from the manufacturing dispersions should be significantly less than the pseudo-period T of the absorption curves.

A titre d'exemple, si le taux de dispersion D est égal à 0,1 et que la pseudo-période T est égale à 300 nm, il convient que l'épaisseur désirée eoxD corresponde à un maximum d'absorption et que 2*D*eoxD soit nettement inférieur à 300 nm, par exemple inférieur à la moitié de 300 nm.By way of example, if the dispersion ratio D is equal to 0.1 and the pseudo-period T is equal to 300 nm, the desired thickness eox D should correspond to an absorption maximum and that 2 * D * eox D is significantly less than 300 nm, for example less than half of 300 nm.

En se référant à la figure 3 et en considérant un taux de dispersion de fabrication maximal D=0,1, pour que 2*D*eoxD soit inférieur par exemple à 150 nm, eoxD devra être inférieur à 750 nm. Ainsi, si on considère les premiers maxima M1, M2, M3 de la courbe 27, les épaisseurs correspondantes de la couche 13 d'oxyde de silicium sont respectivement e1=60 nm, e2=340 nm et e3=640 nm et sont inférieures à 750 nm. En visant la fabrication d'une couche 13 d'une épaisseur désirée eoxD égale à e1, e2 ou e3, l'épaisseur effective eoxO sera comprise respectivement entre 54 et 66 nm, entre 306 et 374 nm ou entre 576 et 704 nm. Les taux d'absorption correspondant à ces épaisseurs effectives eoxO seront alors proches du maximum d'absorption.Referring to the figure 3 and considering a maximum production dispersion rate D = 0.1, in order for 2 * D * eox D to be less than, for example, 150 nm, eox D should be less than 750 nm. Thus, if we consider the first maxima M1, M2, M3 of the curve 27, the corresponding thicknesses of the silicon oxide layer 13 are e1 = 60 nm, e2 = 340 nm and e3 = 640 nm respectively and are smaller than 750 nm. By aiming to manufacture a layer 13 of a desired thickness eox D equal to e1, e2 or e3, the effective thickness eox O will be between 54 and 66 nm, between 306 and 374 nm or between 576 and 704 nm respectively. . The absorption rates corresponding to these effective eox O thicknesses will then be close to the absorption maximum.

Au contraire, si on considère les maxima M4 et M8, les épaisseurs correspondantes de la couche 13 sont respectivement e4=940 nm et e8=2100 nm. En visant la fabrication d'une couche 13 d'une épaisseur désirée eoxD égale à e4 ou e8, l'épaisseur effective eoxO sera comprise respectivement entre 845 et 1035 nm ou entre 1890 et 2310 nm. Les taux d'absorption correspondant à ces épaisseurs effectives obtenues eoxO pourront être éloignés du maximum d'absorption, et dans le pire des cas pourront correspondre à un minimum d'absorption, par exemple quand eoxO=1960 nm.On the contrary, considering the maxima M4 and M8, the corresponding thicknesses of the layer 13 are e4 = 940 nm and e8 = 2100 nm respectively. By aiming to manufacture a layer 13 of a desired thickness eox D equal to e4 or e8, the effective thickness eox O will be respectively between 845 and 1035 nm or between 1890 and 2310 nm. The absorption rates corresponding to these effective thicknesses obtained eox O may be remote from the maximum absorption, and in the worst case may correspond to a minimum absorption, for example when eox O = 1960 nm.

Ainsi, dans le cas où l'épaisseur désirée eoxD correspond à une couche d'oxyde de silicium 13 assez mince, c'est-à-dire que 2*D*eoxD est inférieur à la pseudo-période T, le choix d'une épaisseur eoxD correspondant à un maximum d'absorption, de préférence de la courbe 27, permet d'améliorer le taux d'absorption d'une photodiode du type de celle de la figure 1 nonobstant les dispersions de fabrication.Thus, in the case where the desired thickness eox D corresponds to a rather thin layer of silicon oxide 13, that is to say that 2 * D * eox D is less than the pseudo-period T, the choice eox D thickness corresponding to a maximum absorption, preferably of curve 27, it is possible to improve the absorption rate of a photodiode of the type of that of figure 1 notwithstanding the manufacturing dispersions.

Les figures 4A et 4B illustrent un exemple d'étapes successives de fabrication d'une photodiode dans laquelle l'absorption est optimisée selon le procédé décrit ci-dessus.The Figures 4A and 4B illustrate an example of successive steps of manufacturing a photodiode in which the absorption is optimized according to the method described above.

A l'étape illustrée en figure 4A, une partie active 29 d'une photodiode, c'est-à-dire la partie soumise à éclairement, est formée dans un substrat semiconducteur 1 en silicium. La partie active 29 de la photodiode est revêtue d'un empilement de plusieurs couches isolantes transparentes à la longueur d'onde de travail. L'empilement représenté comprend successivement, dans des réalisations courantes telles qu'illustrées en figure 1, une couche d'oxyde de silicium 9, une couche antireflet 11, une couche d'oxyde de silicium 31, une couche d'oxyde de silicium 35 et une couche épaisse de nitrure de silicium 15.At the step illustrated in Figure 4A an active portion 29 of a photodiode, i.e. the illuminated portion, is formed in a semiconductor substrate 1 made of silicon. The active portion 29 of the photodiode is coated with a stack of several insulating layers transparent to the working wavelength. The illustrated stack comprises successively, in current embodiments as illustrated in FIG. figure 1 , a silicon oxide layer 9, an antireflection layer 11, a silicon oxide layer 31, a silicon oxide layer 35 and a thick silicon nitride layer 15.

Des niveaux de métal 37 sont prévus dans la couche 35, en dehors de la partie active 29. Les niveaux de métal 37 sont éventuellement reliés par des vias 39. On notera que des vias (non représentés) viennent contacter des éléments formés dans le substrat de silicium 1. La représentation de ces niveaux de métal et de ces vias est purement symbolique. Sous chaque niveau de métal 37 est formée une couche 40 servant de barrière de diffusion, couramment en nitrure de silicium. De façon générale, ces couches 40 sont interrompues en regard de la partie active 29. On prévoit ici que l'une des couches 40 est maintenue en place en regard de la partie active, la couche la plus basse dans l'exemple représenté.Metal levels 37 are provided in the layer 35, outside the active portion 29. The metal levels 37 are optionally connected by vias 39. It will be noted that vias (not shown) come to contact elements formed in the substrate. of silicon 1. The representation of these levels of metal and these vias is purely symbolic. Under each metal level 37 is formed a layer 40 serving as diffusion barrier, commonly made of silicon nitride. In general, these layers 40 are interrupted opposite the active portion 29. It is provided here that one of the layers 40 is held in place opposite the active part, the lowest layer in the example shown.

La figure 4B représente une photodiode obtenue après élimination par gravure des portions des couches 15, 35 et 40 en regard de la partie active 29 de la photodiode. La portion de la couche 40 en regard de la partie active sert alors de couche d'arrêt de gravure lors de la gravure de la couche d'oxyde de silicium 35.The Figure 4B represents a photodiode obtained after etching removal of the portions of the layers 15, 35 and 40 facing the active portion 29 of the photodiode. The portion of the layer 40 facing the active part then serves as an etch stop layer during etching of the silicon oxide layer 35.

Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche 31 sous la couche de nitrure de silicium 40 maintenue provisoirement en place a été choisie préalablement pour être égale à une épaisseur désirée eoxD correspondant à un maximum d'absorption, par exemple une épaisseur eoxD égale à eox2. On obtient alors une photodiode dont la partie active 29 est revêtue successivement des couches 9, 11 et d'une portion 41 de la couche d'oxyde de silicium 31 dont l'épaisseur effective eoxO est égale, aux dispersions de fabrication près, à l'épaisseur désirée eoxD maximisant l'absorption.According to one embodiment, the thickness of the layer 31 under the silicon nitride layer 40 temporarily held in place has been chosen beforehand to be equal to a desired thickness eox D corresponding to an absorption maximum, for example a thickness eox D equal to eox2. A photodiode is then obtained whose active portion 29 is successively coated with layers 9, 11 and with a portion 41 of the silicon oxide layer 31 whose effective thickness eox O is equal to the dispersions of manufacture to the desired thickness eox D maximizing the absorption.

La figure 5 illustre une variante de la photodiode de la figure 4B. Après les étapes conduisant à la structure de la figure 4B, une étape supplémentaire de gravure est réalisée dans le cas où l'épaisseur de la couche 31 est supérieure à une épaisseur désirée eoxD maximisant l'absorption. Cette étape de gravure est réalisée pour laisser en place, en regard de la partie active 29, une portion 41a de la couche 31 d'épaisseur désirée eoxD. On obtient alors une photodiode dont la partie active 29 est revêtue successivement des couches 9 et 11 et d'une portion 41a de la couche d'oxyde de silicium 31 dont l'épaisseur effective obtenue eoxO est égale, aux dispersions de fabrication près, à l'épaisseur désirée eoxD maximisant l'absorption. A titre de variante, dans le cas où l'épaisseur de la couche 31 est inférieure à une épaisseur désirée, on pourra redéposer de l'oxyde pour atteindre la valeur désirée.The figure 5 illustrates a variant of the photodiode of the Figure 4B . After the steps leading to the structure of the Figure 4B , an additional etching step is performed in the case where the thickness of the layer 31 is greater than a desired thickness eox D maximizing the absorption. This etching step is performed to leave in place, facing the active portion 29, a portion 41a of the layer 31 of desired thickness eox D. A photodiode is then obtained whose active portion 29 is successively coated with layers 9 and 11 and with a portion 41a of the silicon oxide layer 31 whose effective thickness obtained eox O is equal to the manufacturing dispersions, to the desired thickness eox D maximizing the absorption. Alternatively, in the case where the thickness of the layer 31 is less than a desired thickness, the oxide can be redeposited to reach the desired value.

Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, une ou plusieurs couches de filtrage et une microlentille seront habituellement formées sur la portion 41 de la couche 31.Particular embodiments have been described. Various variations and modifications will be apparent to those skilled in the art. In particular, one or more filter layers and a microlens will usually be formed on the portion 41 of the layer 31.

Les étapes de fabrication décrites en relation avec les figures 4A, 4B et 5 sont susceptibles de nombreuses variantes. Par exemple, à l'étape représentée en figure 4B, la portion de la couche barrière 40 en regard de la partie active de la photodiode peut être laissée en place, par exemple pour éviter une possible dégradation de l'oxyde de silicium de la couche 31 lors de la gravure de cette portion de la couche 40. Dans ce cas, l'épaisseur des couches 31 et 40 est choisie préalablement pour correspondre à un maximum d'absorption.The manufacturing steps described in relation to the Figures 4A , 4B and 5 are likely to have many variants. For example, at the step shown in Figure 4B the portion of the barrier layer 40 facing the active part of the photodiode can be left in place, for example to avoid a possible degradation of the silicon oxide of the layer 31 during the etching of this portion of the layer 40. In this case, the thickness of the layers 31 and 40 is chosen beforehand to correspond to an absorption maximum.

Bien que l'on ait décrit une étape de fabrication d'une photodiode dans laquelle la couche 40 la plus basse est maintenue en place en regard de la partie active, on peut choisir de maintenir en place une autre des couches 40 et d'interrompre la couche 40 la plus basse.Although it has been described a step of manufacturing a photodiode in which the lowest layer 40 is held in place opposite the active part, it is possible to choose to keep in place another layer 40 and to interrupt the lowest layer 40.

Bien que l'on ait plus particulièrement mentionné ici des photodiodes de type SPAD, on notera que les modes de réalisation décrits peuvent être adaptés à tout capteur comprenant des photodiodes éclairées par la face avant.Although SPAD photodiodes have been mentioned more specifically here, it will be noted that the embodiments described can be adapted to any sensor comprising photodiodes illuminated by the front face.

Claims (10)

Procédé d'optimisation du rendement quantique d'une photodiode dont la partie active (29) est formée dans un substrat en silicium (1) et est recouverte d'un empilement de couches isolantes transparentes à une longueur d'onde infrarouge, ledit empilement comprenant successivement au moins : une première couche (9) d'oxyde de silicium dont l'épaisseur est comprise entre 5 et 50 nm, une couche antireflet (11) dont l'épaisseur est comprise entre 10 et 80 nm, et une deuxième couche (13 ; 31) d'oxyde de silicium,
le procédé d'optimisation comprenant les étapes suivantes : déterminer pour ladite longueur d'onde infrarouge des premières épaisseurs (e1, e2, e3, e4 ... e8) de la deuxième couche (13 ; 31) correspondant à des maxima d'absorption (M1, M2, M3, M4 ... M8) de la photodiode, une pseudo-période (T) séparant deux maxima successifs, choisir, parmi les premières épaisseurs, une épaisseur désirée, eoxD, pour que la dispersion maximale de fabrication, D*eoxD, soit inférieure à la moitié de la pseudo-période (T), D étant un taux de dispersion de fabrication, et fabriquer la photodiode, la deuxième couche ayant l'épaisseur désirée eoxD à D*eoxD près. A method of optimizing the quantum efficiency of a photodiode whose active portion (29) is formed in a silicon substrate (1) and is covered with a stack of transparent insulating layers at an infrared wavelength, said stack comprising successively at least: a first layer (9) of silicon oxide whose thickness is between 5 and 50 nm, an antireflection layer (11) whose thickness is between 10 and 80 nm, and a second layer (13; 31) of silicon oxide,
the optimization method comprising the following steps: determining for said infrared wavelength the first thicknesses (e1, e2, e3, e4, e8) of the second layer (13; 31) corresponding to absorption maxima (M1, M2, M3, M4). M8) of the photodiode, a pseudo-period (T) separating two successive maxima, choosing, from the first thicknesses, a desired thickness, eox D , so that the maximum manufacturing dispersion, D * eox D , is less than half the pseudo-period (T), D being a manufacturing dispersion rate, and make the photodiode, the second layer having the desired thickness eox D to D * eox D near. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la deuxième couche (13 ; 31) d'oxyde de silicium est revêtue d'une couche de nitrure de silicium d'épaisseur inférieure à 50 nm.The method of claim 1 wherein the second layer (13; 31) of silicon oxide is coated with a silicon nitride layer less than 50 nm thick. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la longueur d'onde infrarouge est comprise entre 700 et 1000 nm.The method of claim 1 or 2, wherein the infrared wavelength is between 700 and 1000 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'épaisseur du substrat (1) est comprise entre 1 et 3 µm.Process according to any one of claims 1 to 3, wherein the thickness of the substrate (1) is between 1 and 3 microns. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche antireflet (11) est en nitrure de silicium.A method according to any one of claims 1 to 4, wherein the antireflection layer (11) is silicon nitride. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la longueur d'onde infrarouge est égale à 850 nm, le taux de dispersion (D) est égal à 0,1, l'épaisseur de la première couche (9) d'oxyde de silicium est de 25 nm, l'épaisseur de la couche antireflet (11) est de 50 nm et l'épaisseur désirée eoxD choisie pour la deuxième couche (13 ; 31) d'oxyde de silicium est de 60 nm, 340 nm ou 640 nm.A method according to claim 5, wherein the infrared wavelength is 850 nm, the dispersion ratio (D) is 0.1, the thickness of the first layer (9) of silicon oxide is at 25 nm, the thickness of the antireflection layer (11) is 50 nm and the desired eox D thickness chosen for the second layer (13; 31) of silicon oxide is 60 nm, 340 nm or 640 nm . Procédé de fabrication d'une photodiode de rendement quantique optimisé par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant les étapes suivantes : a) prévoir une photodiode dont la partie active (29) est formée dans un substrat en silicium (1) et est recouverte d'un empilement de couches isolantes transparentes à une longueur d'onde infrarouge, ledit empilement comprenant successivement au moins : une première couche (9) d'oxyde de silicium, une couche antireflet (11), une deuxième couche (31) d'oxyde de silicium d'une épaisseur supérieure ou égale à une épaisseur désirée eoxD, une couche d'arrêt de gravure (40), et une troisième couche (35) d'oxyde de silicium ; et b) graver ledit empilement jusqu'à la couche d'arrêt de gravure (40). A method of manufacturing a quantum efficiency photodiode optimized by the method according to any one of claims 1 to 6, comprising the steps of: a) providing a photodiode whose active part (29) is formed in a silicon substrate (1) and is covered with a stack of transparent insulating layers at an infrared wavelength, said stack comprising successively at least: a first layer (9) of silicon oxide, an antireflection layer (11), a second layer (31) of silicon oxide with a thickness greater than or equal to a desired thickness eox D , an etch stop layer (40), and a third layer (35) of silicon oxide; and b) etching said stack to the etch stop layer (40). Procédé selon la revendication 7, comprenant en outre l'étape suivante : c) graver la couche d'arrêt de gravure (40). The method of claim 7, further comprising the step of: c) etching the etch stop layer (40). Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'épaisseur de la deuxième couche (31) est supérieure à l'épaisseur désirée eoxD, le procédé comprenant en outre l'étape suivante : d) graver partiellement la deuxième couche (31) de façon à en laisser en place une portion (41a) d'épaisseur désirée eoxD. The method of claim 8, wherein the thickness of the second layer (31) is greater than the desired thickness eox D , the method further comprising the step of: d) partially etch the second layer (31) so as to leave in place a portion (41a) of eox D desired thickness. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel la couche d'arrêt de gravure (40) est en nitrure de silicium.The method of any one of claims 7 to 9, wherein the etch stop layer (40) is silicon nitride.
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