EP2907233A1 - Submodul mit stromstossbegrenzung - Google Patents

Submodul mit stromstossbegrenzung

Info

Publication number
EP2907233A1
EP2907233A1 EP12812898.0A EP12812898A EP2907233A1 EP 2907233 A1 EP2907233 A1 EP 2907233A1 EP 12812898 A EP12812898 A EP 12812898A EP 2907233 A1 EP2907233 A1 EP 2907233A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
submodule
energy storage
power semiconductor
commutation
semiconductor circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP12812898.0A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hans-Günter ECKEL
Herbert Gambach
Marcus Wahle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of EP2907233A1 publication Critical patent/EP2907233A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
    • H02M7/4835—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels comprising two or more cells, each including a switchable capacitor, the capacitors having a nominal charge voltage which corresponds to a given fraction of the input voltage, and the capacitors being selectively connected in series to determine the instantaneous output voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
    • H02M7/49—Combination of the output voltage waveforms of a plurality of converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/02—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/4826—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode operating from a resonant DC source, i.e. the DC input voltage varies periodically, e.g. resonant DC-link inverters

Definitions

  • Submodule with current impulse limitation The invention relates to a submodule for a modular
  • Such a submodule is already known, for example, from DE 101 03 031 B4.
  • the converter described there is shown once again in FIG. It can be seen that the converter 1 has three phase modules 2, 3 and 4, each extending between two different polarity DC voltage terminals 6 and 7.
  • each of the phase modules has an AC voltage terminal 8.
  • To the AC voltage terminal 8 is connected via a transformer 5 a figuratively not shown AC voltage network.
  • a phase module branch 9 Between the AC voltage terminal 8 and each DC voltage connection 6 and 7 of each submodule extends a phase module branch 9, wherein in each phase module branch 9, a series connection of two-pole submodules 10 is arranged.
  • each submodule 10 has an energy store 11 in the form of a unipolar DC link capacitor C ZK .
  • the DC link capacitor C ZK is a series circuit 11 of two series-connected switched on and off power semiconductor switches ⁇ and T 2 connected in parallel.
  • Each of the power semiconductor switches ⁇ and T 2 is a freewheeling diode Di and D 2 connected in parallel opposite directions.
  • the potential point lying between the power semiconductor switches Ti and T 2 is connected to a first terminal 12, wherein the other end terminal 13 of the submodule 10 is connected directly to a pole of the energy storage C ZK .
  • the power semiconductor switches Ti and T 2 can be switched on and off via their control lines (not shown) at their so-called gate connection, so that the submodule 10 can be switched back and forth between different switching states.
  • a first switching state in which, for example, the power semiconductor switch Tl on, but the power semiconductor switch T2 is turned off, falls at the Submodulan gleich- terminals 12 and 13, the voltage applied to the energy storage C ZK voltage.
  • the second switching state the submodule connection terminals 12 and 13 are conductively connected to one another via the switched-on power semiconductor switch T 2 , so that a zero voltage drops at the submodule connection terminals 12, 13.
  • both power semiconductor switches ⁇ and T 2 fail in a submodule according to FIG. 2, a so-called cross-igniter occurs, in which the energy store C ZK discharges into the fault location.
  • the current increase is limited only by the parasitic inductances and can assume values of many hundreds of kiloamps. Currents of this magnitude can lead to considerable destruction.
  • the case of the power semiconductor switches may burst and explosive gases may be generated as a result of an arc.
  • the destruction of a submodule can also damage neighboring submodules, so that there is a risk of chain reaction.
  • the object of the invention is therefore to provide a submodule of the type mentioned above, which enables a cost-effective submodule housing with the same energy storage capacity or which has a comparatively increased energy storage capacity for a given housing, without thereby eroding the protection provided by the submodule housing.
  • the invention achieves this object by virtue of the fact that the power semiconductor circuit is connected in parallel with an energy storage branch in which the energy store and current impulse limiting means are arranged.
  • surge current limiting means are arranged in the submodule which, in the event of a fault, reduce the intensity of a current surge during a discharge of the energy store.
  • the current impulse limiting means are arranged in series with the energy store. They have the property that they reduce the discharge currents arising in the event of a sudden discharge of the energy store, for example in the event of a short circuit. Therefore, the capacity of the energy storage can be increased without the risk of
  • Destruction of the submodule housing is. Of course, it is within the scope of the invention also possible to form the housing less firmly, if the capacity of the energy storage needs to be increased according to the requirements, but remains constant.
  • commutation means are advantageously provided which, when the switching state of the power semiconductor circuit changes, support a commutation of the currents flowing via the submodule.
  • the Kommut ists- be the fact that due to the current impulse limiting means in series connection to the energy storage no low-inductance Kommut michsnik more for during the operation induced switching operations is present.
  • the commutation supported the said commutation, so that a normal switching of the submodule despite
  • the power semiconductor circuit is a series circuit of two switched on and off power semiconductor switches, wherein the first terminal is connected to the potential point between the power semiconductor switches and the second terminal directly to the energy storage branch.
  • the second terminal is connected either via the current impulse limiting means to the energy storage or directly to a pole of the energy store.
  • the second connection terminal is connected to the current surge limiting means via the energy store.
  • the current impulse limiting means are designed as a throttle, fuse and / or resistor.
  • the resistor can be a linear resistor or a non-linear resistor. If only a fuse is used as the current impulse limiting means, this is to be designed as a high-voltage component and is therefore designed to have sufficient space.
  • the parasitic inductances occurring during a current flow across the fuse provide for a sufficiently large current impulse limit until finally the fuse effectively interrupts the current flow at the end of the melting process. For currents that are not too strong, a low-inductive commutation path is provided via the fuse. The Fuse is therefore also a commutation.
  • the commutation means comprise a commutation capacitor connected to the power semiconductor circuit and connected in parallel with the energy storage branch.
  • the commutation capacitor has a significantly lower capacity compared to the energy store, which is for example an intermediate circuit capacitor. It merely provides the conditions for causing a fast commutation of the currents when switching the power semiconductor circuit.
  • the commutation means have a resistance, which is arranged parallel to the current impulse limiting means in the energy storage branch.
  • the resistor is arranged parallel to the current impulse limiting means, for example parallel to a choke, and when suitably designed, it alone also provides the conditions necessary for the commutation.
  • the said resistor is used together with a commutation capacitor, which is connected in a low-inductance manner to the power semiconductor circuit.
  • the commutation means comprise a diode which is arranged parallel to the current impulse limiting means in the energy storage branch. Again, the diode can be used both with and without an additional commutation capacitor.
  • the commutation means comprise a switching capacitor, which is arranged parallel to the current impulse limiting means in the energy storage branch.
  • the switching capacitor can be arranged both parallel to the current-surge limiting means, for example to a choke, and to a diode and / or to a resistor.
  • the invention also relates to a converter branch for a modular multi-stage converter having a series connection of two-pole submodules of the above-mentioned type.
  • the invention also includes a converter, which is equipped with such converter branches.
  • Figure 1 shows an embodiment of a modular
  • FIG. 2 shows a submodule for a modular multi-stage converter according to FIG. 1,
  • FIG. 3 shows an exemplary embodiment of a submodule according to the invention
  • FIG. 4 shows an exemplary embodiment of a submodule according to the invention
  • FIG. 5 shows an exemplary embodiment of a submodule according to the invention
  • FIG. 6 shows an exemplary embodiment of a submodule according to the invention
  • FIG. 7 shows an exemplary embodiment of a submodule according to the invention
  • FIG. 8 shows an embodiment of a submodule according to the invention
  • Figure 9 show an embodiment of a submodule according to the invention.
  • FIG. 1 and FIG. 2 have already been acknowledged in connection with the state of the art presented in detail at the outset.
  • FIG. 3 shows a submodule 14 which corresponds as far as possible to the previously known submodule 10 shown in FIG. 2 with regard to the design of the power semiconductor circuit.
  • the submodule 14 according to FIG. 3 also has a series circuit 11 consisting of two power semiconductor switches ⁇ and T 2 , both of which are shown here as IGBTs.
  • IGBTs power semiconductor switches
  • GTOs or IGCTs switched on and off power semiconductor switches
  • a first connection terminal 12 is connected to the potential point between the power semiconductor switches ⁇ and T 2 .
  • the second terminal 13 is not - as in Figure 2 - connected directly to a pole of the energy storage. Rather, the submodule 14 according to Figure 3, an energy storage branch 15, in which the energy storage in the form of a DC link capacitor C ZK and a throttle 16 are arranged as surge current limiting means in series. The second terminal is connected via the throttle 16 with the energy storage C ZK and is thus directly to the energy storage branch 15an.
  • a commutation capacitor C K is provided, which is arranged parallel to the power semiconductor circuit 11 and parallel to the energy storage branch 15.
  • the commutation capacitor C K is connected directly, ie, in a low-inductance manner, to the power semiconductor circuit 11, that is to say here the series circuit comprising ⁇ and T 2 . It has a much smaller capacity than the intermediate circuit capacitor C ZK - Due to the choke 16 are in a spontaneous discharge due to errors of performance tion semiconductor switch i and T 2 high surge currents through the throttle 16 avoided. At the same time, the commutation capacitor C K ensures reliable commutation of the switching currents.
  • FIG. 4 shows a further exemplary embodiment of the submodule according to the invention, which differs from the exemplary embodiment shown in FIG. 3 in that the commutation means comprise a resistance 17 in addition to the commutation capacitor C K which is connected in parallel to the throttle 16 into the energy storage branch 15.
  • the ohmic resistor 17 makes it possible for high-frequency currents, for example during transient processes, to flow via the energy storage branch 15. As a result, the ohmic resistor 17 supports the commutation.
  • FIG. 6 shows a further exemplary embodiment of the invention, which corresponds to that of FIG. 3, but instead of a throttle 16, a safety fuse 18 is used as surge current limiting means in the energy storage branch 15.
  • a safety fuse 18 is used as surge current limiting means in the energy storage branch 15.
  • Fuse 18 designed for the high voltage and thus to be understood as a large-area component. It therefore has a sufficiently large inductance to effectively dampen surge currents.
  • the commutation capacitor C K is used , which is connected in a low-inductance manner to the power semiconductor circuit 11.
  • FIG. 7 shows an exemplary embodiment according to FIG. 6, wherein, however, the commutation capacitor has been dispensed with. Despite its parasitic inductance ensures the fuse at low currents for sufficient commutation when switching ⁇ and T 2 .
  • this resistor is a nonlinear resistor with a non-linear characteristic, having a low resistance at low current and a high resistance at high current.
  • a resistor having a positive temperature coefficient of the resistance value may be used.
  • the commutation means comprise a diode 19, which is arranged in parallel connection with the throttle 16 in the energy storage branch 15.
  • a snubber capacitor C B is provided, which also supports the commutation.
  • the Besclienskondensator C B has an even smaller capacity than the commutation capacitor C K and a much smaller capacity than the DC link capacitor C ZK .
  • the Besclienskondensator C B is omitted.
  • the commutation comprise only the diode 19 in parallel with the throttle 16 in the energy storage branch 15 and a commutation capacitor C K , which is low-inductively connected to the series circuit 11 of the power semiconductor circuit Tl and T2.
  • FIG. 9 shows a further exemplary embodiment of the invention, which largely corresponds to the exemplary embodiment shown in FIG. 8, but omits the commutation capacitor C K.
  • the commutation means therefore comprise only the diode 19 and the snubber capacitor C B.
  • the diode 19 has, moreover, a forward direction which is opposite to that of the free-wheeling diodes D 1 and D 2.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

Um ein Submodul (14) für einen modularen Mehrstufenumrichter mit einer ersten und zweiten Anschlussklemme (12, 13), einem Energiespeicher (CZK) und einer Leistungshalbleiterschaltung (11), die so mit dem Energiespeicher (CZK) verschaltet ist, dass in einem ersten Schaltzustand die an dem Energiespeicher (CZK) abfallende Spannung und in einem zweiten Schaltzustand eine Nullspannung an den Anschlussklemmen (12, 13) erzeugbar ist, zu schaffen, das bei gleichbleibender Energiespeicherkapazität ein kostengünstiges Submodulgehause oder bei gleichem Gehäuse eine erhöhte Energiespeicherkapazität ermöglicht, ohne dass dadurch der durch das Submodulgehäuse bereitgestellte Schutz ausgehöhlt wird, wird vorgeschlagen, dass die Leistungshalbleiterschaltung (11) einem Energiespeicherzweig (15) parallel geschaltet ist, in dem der Energiespeicher (CZK) und Stromstoßbegrenzungsmittel (16, 18) angeordnet sind.

Description

Beschreibung
Submodul mit Stromstoßbegrenzung Die Erfindung betrifft ein Submodul für einen modularen
Mehrstufenumrichter mit einer ersten und zweiten Anschlussklemme, einem Energiespeicher und einer Leistungshalbleiterschaltung, die so mit dem Energiespeicher verschaltet ist, dass in einem ersten Schaltzustand die an dem Energiespeicher abfallende Spannung und in einem zweiten Schaltzustand eine Nullspannung an den Anschlussklemmen erzeugbar ist.
Ein solches Submodul ist beispielsweise aus der DE 101 03 031 B4 bereits bekannt. Der dort beschriebene Umrichter ist hier in Figur 1 noch einmal dargestellt. Es ist erkennbar, dass der Umrichter 1 drei Phasenmodule 2, 3 und 4 aufweist, die sich jeweils zwischen zwei unterschiedlich gepolten Gleichspannungsanschlüssen 6 und 7 erstrecken. Darüber hinaus weist jedes der Phasenmodule einen Wechselspannungsanschluss 8 auf. An den Wechselspannungsanschluss 8 ist über einen Transformator 5 ein figürlich nicht weiter dargestelltes Wechselspannungsnetz angeschlossen. Zwischen dem Wechselspannungsanschluss 8 und jedem Gleichspannungsanschluss 6 und 7 eines jeden Submoduls erstreckt sich ein Phasenmodulzweig 9, wobei in jedem Phasenmodulzweig 9 eine Reihenschaltung von zweipoligen Submodulen 10 angeordnet ist.
Die Topologie der Submodule 10 ist in Figur 2 genauer dargestellt. Es ist erkennbar, dass jedes Submodul 10 über einen Energiespeicher 11 in Gestalt eines unipolaren Zwischenkreis- kondensators CZK verfügt. Dem Zwischenkreiskondensator CZK ist eine Reihenschaltung 11 aus zwei in Reihe geschalteten ein- und abschaltbaren Leistungshalbleiterschaltern ΤΊ und T2 parallel geschaltet. Dabei ist jedem der Leistungshalbleiter- Schalter ΊΊ und T2 eine Freilaufdiode Di und D2 gegensinnig parallel geschaltet. Der zwischen den Leistungshalbleiterschaltern Ti und T2 liegende Potenzialpunkt ist mit einer ersten Anschlussklemme 12 verbunden, wobei die andere An- schlussklemme 13 des Submoduls 10 direkt an einen Pol des Energiespeichers CZK angeschlossen ist. Die Leistungshalbleiterschalter Ti und T2 sind über nicht dargestellte Steuerleitungen an ihrem so genannten Gate-Anschluss ein- und ab- schaltbar, so dass das Submodul 10 zwischen unterschiedlichen Schaltzuständen hin und her geschaltet werden kann. In einem ersten Schaltzustand, in dem beispielsweise der Leistungshalbleiterschalter Tl ein-, der Leistungshalbleiterschalter T2 jedoch ausgeschaltet ist, fällt an den Submodulanschluss- klemmen 12 und 13 die an dem Energiespeicher CZK anliegende Spannung ab. Im umgekehrten Fall, dem zweiten Schaltzustand, sind die Submodulanschlussklemmen 12 und 13 über den eingeschalteten Leistungshalbleiterschalter T2 leitend miteinander verbunden, so dass an den Submodulanschlussklemmen 12, 13 ei- ne Nullspannung abfällt.
Wenn beide Leistungshalbleiterschalter ΊΊ und T2 bei einem Submodul gemäß Figur 2 versagen, kommt es zu einem so genannten Querzünder, bei dem sich der Energiespeicher CZK in die Fehlerstelle entlädt. Der Stromanstieg wird nur durch die parasitären Induktivitäten begrenzt und kann Werte von vielen hundert Kiloampere annehmen. Ströme in dieser Größenordnung können zu erheblichen Zerstörungen führen. So kann beispielsweise das Gehäuse der Leistungshalbleiterschalter aufplatzen und es können explosive Gase in Folge eines Lichtbogens entstehen. Die Zerstörung eines Submoduls kann darüber hinaus benachbarte Submodule beschädigen, so dass diese Gefahr einer Kettenreaktion besteht. Aus diesem Grunde ist es gemäß dem Stand der Technik vorgesehen, die Leistungshalbleiterschalter Ti und T2 mit ihren jeweiligen Freilaufdioden Di bzw. D2 in einem Submodulgehäuse anzuordnen, das in der Lage ist, die Außenumgebung gegenüber umher fliegenden Teilen und Explosionsgasen abzuschirmen. Dabei ist es zweckmäßig, die Kapazität des Energiespeichers des Submoduls so klein zu wählen, dass im Fehlerfall die Festigkeit des Gehäuses ausreichend ist.
Durch dieses Kriterium wird jedoch die Leistungsfähigkeit eines Umrichters insgesamt begrenzt, da bei höherer Umrichterleistung auch eine größere Kapazität der Energiespeicher oder mit anderen Worten ein größerer Zwischenkreiskondensator erforderlich ist.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Submodul der eingangs genannten Art bereitzustellen, das bei gleichbleibender Energiespeicherkapazität ein kostengünstiges Submodulgehäuse ermöglicht oder das bei einem vorgegebenen Gehäuse eine im Vergleich erhöhte Energiespeicherkapazität aufweist, ohne dass dadurch der durch das Submodulgehäuse bereitgestellte Schutz ausgehöhlt wird.
Die Erfindung löst diese Aufgabe dadurch, dass die Leistungshalbleiterschaltung einem Energiespeicherzweig parallel geschaltet ist, in dem der Energiespeicher und Stromstoßbegren- zungsmittel angeordnet sind.
Erfindungsgemäß sind in dem Submodul Stoßstrombegrenzungsmit- tel angeordnet, die im Fehlerfall die Intensität eines Stromstoßes bei einer Entladung des Energiespeichers herabsetzen. Hierzu werden die Stromstoßbegrenzungsmittel in Reihe zum Energiespeicher angeordnet. Sie weisen die Eigenschaft auf, dass sie die bei einer plötzlichen Entladung des Energiespeichers, beispielsweise bei einem Kurzschluss entstehenden Entladungsströme, herabsetzen. Daher kann die Kapazität des Energiespeichers erhöht werden, ohne dass die Gefahr einer
Zerstörung des Submodulgehäuses besteht. Natürlich ist es im Rahmen der Erfindung auch möglich, das Gehäuse weniger fest auszubilden, wenn die Kapazität des Energiespeichers den Anforderungen entsprechend nicht erhöht werden muss, sondern konstant bleibt.
Vorteilhafterweise sind darüber hinaus Kommutierungsmittel vorgesehen, die bei einem Wechsel des Schaltzustandes der Leistungshalbleiterschaltung eine Kommutierung der über das Submodul fließenden Ströme unterstützen. Die Kommutierungs- mittel werden dem Umstand gerecht, dass aufgrund der Stromstoßbegrenzungsmittel in Reihenschaltung zum Energiespeicher kein niederinduktiver Kommutierungskreis mehr für die während des Betriebs herbeigeführten Schaltvorgänge vorhanden ist. Die Kommutierungsmittel unterstützten die besagte Kommutierung, so dass ein normales Schalten des Submoduls trotz
Stromstoßbegrenzungsmittel sicher und schnell ermöglicht ist. Zur Realisierung der Kommutierungsmittel sind verschiedene Varianten denkbar, auf die im Folgenden noch weiter eingegangen werden wird.
Vorteilhafterweise ist die Leistungshalbleiterschaltung eine Reihenschaltung aus zwei ein- und abschaltbaren Leistungshalbleiterschaltern, wobei die erste Anschlussklemme mit dem Potenzialpunkt zwischen den Leistungshalbleiterschaltern und die zweite Anschlussklemme direkt mit dem Energiespeicherzweig verbunden ist. Gemäß dieser vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist die zweite Anschlussklemme entweder über die Stromstoßbegrenzungsmittel mit dem Energiespeicher oder direkt mit einem Pol des Energiespeichers verbunden. Anders ausgedrückt ist bei der zweiten Variante die zweite Anschlussklemme über den Energiespeicher mit den Stromstoßbe- grenzungsmittel verbunden. Gemäß dieser vorteilhaften Weiterentwicklung des in Figur 2 dargestellten Submoduls ist sichergestellt, dass die Stromstoßbegrenzungsmittel ihre Wirkung bei einer so genannten Halbbrückenschaltung entfalten können .
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung sind die Stromstoßbegrenzungsmittel als Drossel, Schmelzsicherung und/oder Widerstand ausgestaltet. Der Widerstand kann ein linearer Widerstand oder ein nichtlinearer Widerstand sein. Wird als Stromstoßbegrenzungsmittel allein eine Schmelzsicherung eingesetzt, ist diese als Hochspannungsbauteil auszuführen und daher entsprechend raumgreifend ausgestaltet. Die bei einem Stromfluss über die Schmelzsicherung auftretenden parasitären Induktivitäten sorgen für eine ausreichend große Stromstoßbegrenzung bis schließlich die Schmelzsicherung den Stromfluss am Ende des Schmelzvorgangs wirksam unterbricht. Für nicht zu starke Ströme ist über die Schmelzsicherung ein niederinduktiver Kommutierungspfad bereitgestellt. Die Schmelzsicherung ist daher gleichzeitig ein Kommutierungsmittel .
Zweckmäßigerweise umfassen die Kommutierungsmittel einen nie- derinduktiv mit der Leistungshalbleiterschaltung verbundenen und parallel zum Energiespeicherzweig geschalteten Kommutierungskondensator. Der Kommutierungskondensator weist im Vergleich zum Energiespeicher, der beispielsweise ein Zwischen- kreiskondensator ist, eine erhebliche geringere Kapazität auf. Er schafft lediglich die Voraussetzungen, um eine schnelle Kommutierung der Ströme beim Schalten der Leistungshalbleiterschaltung hervorzurufen .
Vorteilhafterweise weisen die Kommutierungsmittel einen Wi- derstand auf, der parallel zum Stromstoßbegrenzungsmittel im Energiespeicherzweig angeordnet ist. Der Widerstand ist parallel zum Stromstoßbegrenzungsmittel, beispielsweise parallel zu einer Drossel, angeordnet und bei zweckmäßiger Auslegung auch allein die für die Kommutierung notwendigen Bedin- gungen schaffen. Bevorzugt wird der besagte Widerstand jedoch zusammen mit einem Kommutierungskondensator eingesetzt, der niederinduktiv mit der Leistungshalbleiterschaltung verbunden ist . Darüber hinaus ist es möglich, dass die Kommutierungsmittel eine Diode aufweisen, die parallel zum Stromstoßbegrenzungs- mittel im Energiespeicherzweig angeordnet ist. Auch hier gilt, dass die Diode sowohl mit als auch ohne zusätzlichen Kommutierungskondensator eingesetzt werden kann.
Vorteilhafterweise weisen die Kommutierungsmittel einen Be- schaltungskondensator auf, der parallel zum Stromstoßbegrenzungsmittel im Energiespeicherzweig angeordnet ist. Der Be- schaltungskondensator kann sowohl parallel zum Stromstoßbe- grenzungsmittel , beispielsweise zu einer Drossel, als auch zu einer Diode und/oder zu einem Widerstand angeordnet sein. Die Erfindung betrifft auch einen Umrichterzweig für einen modularen Mehrstufenumrichter, der eine Reihenschaltung von zweipoligen Submodulen der oben genannten Art aufweist. Darüber hinaus umfasst die Erfindung auch einen Umrichter, der mit solchen Umrichterzweigen bestückt ist.
Weitere zweckmäßige Ausgestaltungen und Vorteile der Erfindung sind Gegenstand der nachfolgenden Beschreibung von Aus- führungsbeispielen der Erfindung unter Bezug auf die Figuren der Zeichnung, wobei gleiche Bezugszeichen auf gleich wirken de Bauteile verweisen und wobei
Figur 1 ein Ausführungsbeispiel eines modularen
Mehrstufenumrichters gemäß dem Stand der nik,
Figur 2 ein Submodul für einen modularen Mehrstufenumrichter gemäß Figur 1,
Figur 3 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Submoduls,
Figur 4 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Submoduls,
Figur 5 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Submoduls,
Figur 6 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Submoduls,
Figur 7 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Submoduls,
Figur 8 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Submoduls und Figur 9 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Submoduls zeigen.
Figur 1 und Figur 2 wurden bereits im Zusammenhang mit dem eingangs ausführlich dargestellten Stand der Technik gewürdigt .
Figur 3 zeigt ein Submodul 14, das dem in Figur 2 dargestellten vorbekannten Submodul 10 hinsichtlich der Ausgestaltung der Leistungshalbleiterschaltung weitestgehend entspricht. So weist auch das Submodul 14 gemäß Figur 3 eine Reihenschaltung 11 aus zwei Leistungshalbleiterschaltern ΤΊ und T2 auf, die hier beide als IGBT dargestellt sind. Selbstverständlich können hier auch andere ein- und abschaltbaren Leistungshalblei - terschalter, wie GTOs oder IGCTs, im der Rahmen der Erfindung insgesamt zum Einsatz gelangen. Jedem der Leistungshalbleiterschalter Ti und T2 ist eine Freilaufdiode Di bzw. D2 gegensinnig parallel geschaltet. Eine erste Anschlussklemme 12 ist mit dem Potenzialpunkt zwischen den Leistungshalbleiterschal - tern ΊΊ und T2 verbunden. Die zweite Anschlussklemme 13 ist jedoch nicht - wie in Figur 2 - direkt an einen Pol des Energiespeichers angeschlossen. Vielmehr weist das Submodul 14 gemäß Figur 3 einen Energiespeicherzweig 15 auf, in dem der Energiespeicher in Gestalt eines Zwischenkreiskondensators CZK sowie eine Drossel 16 als Stoßstrombegrenzungsmittel in Reihe angeordnet sind. Die zweite Anschlussklemme ist über die Drossel 16 mit dem Energiespeicher CZK verbunden und liegt somit direkt an dem Energiespeicherzweig 15an. Um für eine sichere Kommutierung der Ströme beim Schalten der Leis- tungshalbleiterschalter ΊΊ und T2 zu sorgen, ist ein Kommutierungskondensator CK vorgesehen, der parallel zur Leistungshalbleiterschaltung 11 und parallel zum Energiespeicherzweig 15 angeordnet ist. Dabei ist der Kommutierungskondensator CK direkt, also niederinduktiv mit der Leistungshalblei - terschaltung 11, also hier der Reihenschaltung aus ΊΊ und T2, verbunden. Er weist eine wesentlich kleinere Kapazität auf als der Zwischenkreiskondensator CZK- Aufgrund der Drossel 16 werden bei einer spontanen Entladung durch Fehler der Leis- tungshalbleiterschalter i und T2 hohe Stoßströme durch die Drossel 16 vermieden. Gleichzeitig stellt der Kommutierungskondensator CK eine sichere Kommutierung der Schaltströme sicher.
Figur 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Submoduls, das sich von dem in Figur 3 gezeigten Ausführungsbeispiel dahin unterscheidet, dass die Kommutierungsmittel neben dem Kommutierungskondensator CK einen Wi- derstand 17 umfassen, der parallel zur Drossel 16 in den Energiespeicherzweig 15 geschaltet ist. Der ohmsche Widerstand 17 ermöglicht, dass auch Ströme mit hoher Frequenz, beispielsweise bei transienten Vorgängen, über den Energiespeicherzweig 15 fließen können. Dadurch unterstützt der ohm- sehe Widerstand 17 die Kommutierung.
Bei entsprechender Auswahl des Widerstandes 17 kann der Kommutierungskondensator CK, der niederinduktiv mit der Leistungshalbleiterschaltung 11 verbunden ist, entfallen. Dieses Ausführungsbeispiel ist in Figur 5 gezeigt.
Figur 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das demjenigen von Figur 3 entspricht, wobei jedoch anstelle einer Drossel 16 eine Schmelzsicherung 18 als Stoßstrombe- grenzungsmittel in dem Energiespeicherzweig 15 eingesetzt ist. Wie bereits weiter oben ausgeführt wurde, ist die
Schmelzsicherung 18 für die Hochspannung ausgelegt und somit als raumgreifendes Bauteil zu begreifen. Es weist daher eine ausreichend große Induktivität auf, um Stoßströme wirksam zu bedämpfen. Zum Ermöglichen einer schnellen Kommutierung dient wiederum der Kommutierungskondensator CK, der niederinduktiv mit der Leistungshalbleiterschaltung 11 verbunden ist.
Figur 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel gemäß Figur 6, wobei jedoch der Kommutierungskondensator entfallen ist. Trotz ihrer parasitären Induktivität sorgt die Schmelzsicherung bei geringen Strömen für eine ausreichende Kommutierung beim Schalten von ΊΊ und T2. In Figur 6 und Figur 7 kann an Stelle der Schmelzsicherung auch ein Widerstand oder eine als Widerstand dienende Stromschiene als Strombegrenzungsmittel eingesetzt werden. Vor- zugsweise ist dieser Widerstand ein nicht linearer Widerstand mit einer nichtlinearen Charakteristik, wobei er bei niedrigem Strom eine niedrigen Widerstandswert und bei hohem Strom einen hohen Widerstandswert aufweist. Alternativ kann auch ein Widerstand mit einem positiven Temperaturkoeffizienten des Widerstandswerts verwendet werden.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 8 umfassen die Kommutierungsmittel eine Diode 19, die in Parallelschaltung zur Drossel 16 im Energiespeicherzweig 15 angeordnet ist. Darüber hinaus ist ein Beschaltungskondensator CB vorgesehen, der ebenfalls die Kommutierung unterstützt. Der Beschaltungskondensator CB weist eine noch kleinere Kapazität auf als der Kommutierungskondensator CK und eine weitaus geringere Kapazität als der Zwischenkreiskondensator CZK.
Bei einem figürlich nicht dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der Beschaltungskondensator CB entfallen. Die Kommutierungsmittel umfassen lediglich die Diode 19 in Parallelschaltung zur Drossel 16 im Energiespeicherzweig 15 sowie einen Kommutierungskondensator CK, der niederinduktiv mit der Reihenschaltung 11 der Leistungshalbleiterschaltung Tl und T2 verbunden ist.
Figur 9 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, die dem in Figur 8 dargestellten Ausführungsbeispiel weitestgehend entspricht, wobei jedoch der Kommutierungskondensator CK entfallen ist. Die Kommutierungsmittel umfassen daher lediglich die Diode 19 und den Beschaltungskondensator CB. Die Diode 19 weist im Übrigen eine Durchlassrichtung auf, die derjenigen der Freilaufdiode Dl und D2 entgegengesetzt ist.

Claims

Patentansprüche
1. Submodul (14) für einen modularen Mehrstufenumrichter mit
- einer ersten und zweiten Anschlussklemme (12,13) ,
- einem Energiespeicher (CZK) und
- einer Leistungshalbleiterschaltung (11) , die so mit dem Energiespeicher (CZK) verschaltet ist, dass in einem ersten Schaltzustand die an dem Energiespeicher (CZK) abfallende Spannung und in einem zweiten Schaltzustand eine Nullspannung an den Anschlussklemmen (12,13) erzeugbar ist,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
die Leistungshalbleiterschaltung (11) einem Energiespeicherzweig (15) parallel geschaltet ist, in dem der Energiespeicher (CZK) und Stromstoßbegrenzungsmittel (16,18) angeordnet sind.
2. Submodul (14) nach Anspruch 1,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
Kommutierungsmittel (CK, 17 , 19 , CB) vorgesehen sind, die bei einem Wechsel des Schaltzustandes der Leistungshalbleiterschaltung (11) eine niederinduktive Kommutierung ermöglichen.
3. Submodul (14) nach Anspruch 1 oder 2,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
die Leistungshalbleiterschaltung eine Reihenschaltung (11) aus zwei ein- und abschaltbaren Leistungshalbleiterschaltern (Ti,T2) aufweist, wobei die erste Anschlussklemme (12) mit dem Potenzialpunkt zwischen den Leistungshalbleiterschaltern (Ti,T2) und die zweite Anschlussklemme (3) direkt mit dem Energiespeicherzweig (15) verbunden ist.
4. Submodul (14) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
die Stromstoßbegrenzungsmittel als Drossel (16) , Schmelzsi- cherung (18) und/oder Widerstand ausgestaltet sind.
5. Submodul (15) nach einem der Ansprüche 2 bis 4,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Kommutierungsmittel einen niederinduktiv mit der Leistungshalbleiterschaltung (11) verbundenen und parallel zum Energiespeicherzweig (15) angeordneten Kommutierungskondensator (CK) aufweisen.
6. Submodul (14) nach einem der Ansprüche 2 oder 5,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
die Kommutierungsmittel einen Widerstand (17) aufweisen, der parallel zum Stromstoßbegrenzungsmittel (16,18) im Energie- speicherzweig (15) angeordnet ist.
7. Submodul (14) nach einem der Ansprüche 2 bis 6,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
die Kommutierungsmittel eine Diode (15) aufweisen, die paral- lel zum Stromstoßbegrenzungsmittel (16,18) im Energiespeicherzweig (15) angeordnet ist.
8. Submodul (14) nach einem der Ansprüche 2 bis 7,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
die Kommutierungsmittel einen Beschaltungskondensator (CB) aufweisen, der parallel zum Stromstoßbegrenzungsmittel
(16,18) im Energiespeicherzweig (15) angeordnet ist.
9. Umrichterzweig (9) für einen modularen Mehrstufenumrichter (1), der eine Reihenschaltung von zweipoligen Submodulen (14) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 aufweist.
10. Umrichter (1) mit Umrichterzweigen (9) gemäß Anspruch 9, die in einer Brückenschaltung miteinander verbunden sind.
EP12812898.0A 2012-12-10 2012-12-10 Submodul mit stromstossbegrenzung Withdrawn EP2907233A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2012/074916 WO2014090272A1 (de) 2012-12-10 2012-12-10 Submodul mit stromstossbegrenzung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2907233A1 true EP2907233A1 (de) 2015-08-19

Family

ID=47522493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP12812898.0A Withdrawn EP2907233A1 (de) 2012-12-10 2012-12-10 Submodul mit stromstossbegrenzung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20150318690A1 (de)
EP (1) EP2907233A1 (de)
CN (1) CN104813578A (de)
WO (1) WO2014090272A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2955837B1 (de) * 2014-06-10 2017-09-13 General Electric Technology GmbH Halbleiterschaltkreis
JP6815772B2 (ja) * 2016-07-13 2021-01-20 Koa株式会社 電流測定装置
CN211930497U (zh) * 2017-02-15 2020-11-13 西门子股份公司 变换器模块和电压中间电路变换器
DE102019112373A1 (de) * 2019-05-13 2020-11-19 Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft Verfahren und Schaltung zur Anbindung eines Energiespeichers mittels Kaltleiter
CN210608913U (zh) * 2019-08-21 2020-05-22 阳光电源（上海）有限公司 过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69025045T2 (de) * 1989-12-04 1996-05-30 Toshiba Kawasaki Kk Leistungswandler vom Brückentyp mit verbessertem Wirkungsgrad
SE9500761D0 (sv) * 1995-03-02 1995-03-02 Abb Research Ltd Skyddskrets för seriekopplade krafthalvledare
DE20122923U1 (de) 2001-01-24 2010-02-25 Siemens Aktiengesellschaft Stromrichterschaltungen mit verteilten Energiespeichern
JP5202528B2 (ja) * 2006-09-06 2013-06-05 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 電力変換器
CN102017384B (zh) * 2008-03-20 2014-01-08 Abb研究有限公司 电压源变换器
DE102009025030A1 (de) * 2009-03-25 2010-10-07 Transtechnik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung sowie Verfahren zur Versorgung eines Klystrons mit Hochspannungspulsen
WO2010124706A1 (de) * 2009-04-27 2010-11-04 Siemens Aktiengesellschaft Submodul für einen mehrstufigen umrichter mit zusätzlichem energiespeicher
DE102009057288B4 (de) * 2009-12-01 2018-02-15 Siemens Aktiengesellschaft Umrichter für hohe Spannungen
JP5168603B2 (ja) * 2010-01-26 2013-03-21 株式会社デンソー スイッチング装置
KR20130006622A (ko) * 2010-03-18 2013-01-17 에이비비 리써치 리미티드 캐스케이딩된 컨버터들에 대한 컨버터 셀, 결함 컨버터 셀을 바이패싱하기 위한 제어 시스템 및 방법
CN102893507B (zh) * 2010-05-11 2016-03-23 Abb研究有限公司 Ac/dc转换器
SE1000811A1 (en) * 2010-08-02 2010-08-02 Abb Research Ltd A converter cell with limited current in case of a short-circuit
WO2012099176A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 国立大学法人東京工業大学 電力変換器およびその制御方法
EP2525491B1 (de) * 2011-05-16 2021-03-10 Vincotech GmbH Schaltverlustverringerung in Stromrichterbaugruppen
CN103891124A (zh) * 2011-07-29 2014-06-25 Abb技术有限公司 Ctl单元保护
CN103107689A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 台达电子企业管理（上海）有限公司 一种级联型变频器、功率单元及其旁路模块

Also Published As

Publication number Publication date
US20150318690A1 (en) 2015-11-05
CN104813578A (zh) 2015-07-29
WO2014090272A1 (de) 2014-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3259839B1 (de) Umrichteranordnung sowie verfahren zu deren kurzschlussschutz
EP2100368B1 (de) Halbleiterschutzelemente zur beherrschung von dc-seitigen kurzschlüssen bei spannungszwischenkreisumrichtern
EP2507884B1 (de) Umrichter für hohe spannungen
EP2118993B1 (de) Verfahren zur schadenbegrenzung eines leistungshalbleiter aufweisenden stromrichters bei einem kurzschluss im gleichspannungszwischenkreis
DE102011004733A1 (de) Submodul eines modularen Mehrstufenumrichters
WO2014090272A1 (de) Submodul mit stromstossbegrenzung
WO2018149493A1 (de) Modul für modularen mehrpunktumrichter mit kurzschliesser und kondensatorstrombegrenzung
EP2092622A1 (de) Stromrichter mit kurzschlussstrombegrenzung
WO2015043933A1 (de) Multilevelumrichter
EP2580859B1 (de) Doppelmodul für einen modularen mehrstufenumrichter
EP2926455B1 (de) Vorrichtung zum schalten von gleichströmen in abzweigen eines gleichspannungsnetzknotens
EP3783783A1 (de) Anordnung zum regeln eines leistungsflusses in einem wechselspannungsnetz und verfahren zum schutz der anordnung
DE102011005905A1 (de) Schalter für eine Übertragungsstrecke für Hochspannungs-Gleichstrom
EP3180844B1 (de) Stromrichteranordnung mit kurzschlusseinheit sowie verfahren zum trennen einer wechselspannungsleitung
EP3639360B1 (de) Umrichteranordnung mit phasenmodulableiter sowie verfahren zu deren kurzschlussschutz
EP2994984B1 (de) Dreipunkt-stromrichter
EP2904625B1 (de) Gleichspannungsleistungsschalter
EP3804112A1 (de) Modularer multilevel-stromrichter mit unterschiedlichen submodultypen
AT523936A4 (de) Verfahren und vorrichtung zum steuern eines halbleiterschalters
DE102004016456A1 (de) Generator mit integriertem Leistungsschalter
EP3269033B1 (de) Elektrische anordnung mit teilmodulen
EP3698460B1 (de) Teilmodule sowie anordnungen mit teilmodulen
EP3514814B1 (de) Elektrische schutzschaltanordnung
EP3391524B1 (de) Konvertermodul für einen mehrstufenumrichter und verfahren zu dessen betrieb
EP3043473B1 (de) Schaltungsanordnung für Thyristorsteller

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20150511

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
17Q First examination report despatched

Effective date: 20161215

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20170426