EP2697689B1 - Procédé de lithographie - Google Patents

Procédé de lithographie Download PDF

Info

Publication number
EP2697689B1
EP2697689B1 EP12713162.1A EP12713162A EP2697689B1 EP 2697689 B1 EP2697689 B1 EP 2697689B1 EP 12713162 A EP12713162 A EP 12713162A EP 2697689 B1 EP2697689 B1 EP 2697689B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
lithography
patterns
positioning
preliminary
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Not-in-force
Application number
EP12713162.1A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP2697689A1 (fr
Inventor
Sébastien PAULIAC
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Publication of EP2697689A1 publication Critical patent/EP2697689A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP2697689B1 publication Critical patent/EP2697689B1/fr
Not-in-force legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels

Definitions

  • the present invention relates to the lithography of integrated circuits in general and more particularly describes a lithography process involving several lithographs.
  • the invention has a particularly advantageous application a lithography process for engraving patterns on different thicknesses.
  • a representative example of this evolution is the technique allowing the realization, during the same manufacturing phase, of a horizontal line of wiring participating in the interconnection of the devices of a higher layer of an integrated circuit and simultaneously vertical interconnections, that is to say the vias, to connect the upper layer to a lower layer already made.
  • At least five wiring layers are in fact most often necessary to be able to interconnect all the components of an integrated circuit and it is important to reduce as much as possible the number of manufacturing steps.
  • this technique assumes that the locations of the lines interconnections and vias are previously formed in an oxide layer deposited on the previous interconnection layer.
  • Trenches for forming interconnection lines are etched to preserve an underlying oxide layer as an electrical insulator.
  • the locations of the vias are made, inside the trenches, in the form of vertical holes in the oxide until reaching the lower layer to interconnect. It is therefore necessary to achieve two different etching thicknesses, one for the trenches and one corresponding to the vertical holes of the vias.
  • the advantage of this technique is that the vertical holes and interconnecting trenches are then filled, during a single deposition operation, with a metal on the entire surface of a substrate typically formed by a silicon wafer.
  • the interconnections are effectively formed after a chemical mechanical polishing of the wafer removes the excess metal and leaves only the one embedded in the trenches and in the vertical holes intended to form the vias.
  • the present invention aims to limit at least this disadvantage. More specifically, it aims to improve the definition of patterns requiring multiple lithography steps SCHEER HC ET AL ("Aspects of Hybrid Pattern Definition of Thermal Combination Nanoimprint with Optical Lithography", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART B, AVS / AIP, MELVILLE, NEW YORK, NY, US, Vol 28, No 6 , October 19, 2010 (2010-10-19), pages C6M1-C6M6 ) disclose an example lithographic method comprising a nano-printing step followed by a subsequent lithography step.
  • the preliminary pattern is formed by a stamped area and the additional pattern is then also hollowed out on the stamped area.
  • the preliminary pattern defines a first depth and the additional pattern, superimposed on the previous pattern, defines a second depth.
  • the depth is determined with respect to the free surface of the resin layer, that is to say with respect to the face of the resin layer through which the mold penetrates during nano-printing.
  • the height is determined relative to the face of the resin layer which is in contact with the substrate on which it rests.
  • the final pattern may then for example form a projection having a first height substantially corresponding to the resin thickness before the subsequent lithography and a second height, lesser and corresponding to a stamped area during nano-printing.
  • the positioning mark or marks in relief thus allow to position successive stages of lithography with respect to each other and very precisely.
  • the patterns obtained during the preliminary lithography step are therefore well positioned with respect to the patterns obtained during the subsequent lithography steps.
  • the marks are made in the resin.
  • the invention therefore does not require creating the positioning marks in the substrate and prior to the definition of the patterns. It then makes it possible to avoid steps of etching and resin removal, usually designated by the English word stripping, which are usually necessary for the creation of marks in the substrate but which degrade the latter. In particular, it has been found that solutions or techniques for etching and resin removal can degrade the lower layers of the substrate. The implementation of etching steps can therefore be detrimental especially when the substrate comprises under the resin integrated circuit layers already made.
  • the invention therefore also has the advantage of preserving the integrity of the substrate and any layers that it comprises.
  • the invention makes it possible to form the positioning marks during a patterning step. It therefore tends to reduce the total number of steps and therefore the costs.
  • the additional patterns are not superimposed on the at least one prior reason. This gives two-dimensional patterns whose relative positions are improved.
  • the positioning step includes detecting positioning marks by light diffraction.
  • At least one additional pattern is superimposed on at least one prior pattern.
  • the step of forming the additional patterns is performed so as to form at least one recessed final pattern having at least two depth levels in the resin layer.
  • the step of forming the additional patterns is performed so as to form at least one projecting final pattern having at least two levels of height.
  • the method comprises, following the at least one subsequent lithography step, a transfer step of transferring the at least one prior pattern and the additional patterns from the resin layer into the substrate.
  • the positioning marks are preserved at the end of the at least one subsequent lithography step.
  • the positioning marks can thus be reused by other subsequent lithography steps, thereby limiting the number of necessary steps and simplifying the overall manufacturing process.
  • the positioning marks are subsequently transferred from the resin layer into the substrate to be reused by other lithographs so as to have a good relative positioning of all the patterns obtained by lithography. In addition the number of steps necessary to obtain the final product will be reduced.
  • the positioning marks are deleted during the at least one subsequent lithography step. Typically, in order to remove these positioning marks, it will be enough to insolate them if the resin is a positive photosensitive resin. If the resin is a negative photosensitive resin, it will be enough not to insolate these marks.
  • these marks can be finally modified, after being used for alignment, to form a useful pattern which will be transferred into the substrate.
  • no space is lost at the level of the substrate with the alignment marks. This place can be used to create functional areas.
  • the transfer step comprises a step of etching the resin layer and the substrate.
  • the etching advantageously has a substantially identical selectivity for the resin and for the substrate. But it is also possible to admit a certain selectivity, it can be used in particular to influence the shape of the transferred pattern, favoring an etching relative to the other to obtain different aspect ratio.
  • the etching step comprises a plasma etching. This type of etching is essentially anisotropic, that is to say that the etching takes place essentially in a direction perpendicular to the plane of the substrate. The walls of the motifs will be relatively well preserved, thus preserving the small dimensions of the motifs. This type of engraving thus makes it possible to improve the control of the precision obtained.
  • At least one of the additional patterns is superimposed on the at least one prior pattern so as to form at least one three-dimensional pattern and the transfer step is executed so as to transfer the at least one pattern to three dimensions from the resin layer in the substrate to form in the substrate at least one final three-dimensional pattern in the resin layer.
  • the method also comprises a step of supplying an electrically conductive material in the at least one final three-dimensional pattern.
  • At least one layer of an integrated circuit is made in the substrate.
  • the transfer step and the supply step are performed so that the electrically conductive material forms an interconnection line and a vertical interconnection connecting said line to the at least one layer of the integrated circuit.
  • the line is formed by a trench which extends in a plane substantially parallel to the surface of the substrate.
  • Vertical interconnection, or via is formed by a vertical hole receiving an electrically conductive material and extending substantially perpendicular to the surface of the substrate and from the trench. It extends to an underlying layer of the substrate forming or intended to form a layer of the integrated circuit.
  • the invention thus makes it possible to achieve interconnections in a particularly precise manner since the positioning marks make it possible to very precisely position the vertical holes with respect to the trenches intended to form the lines. In addition, obtaining these interconnections is performed without degrading the underlying layers of the substrate.
  • the electrically conductive material is copper.
  • the invention is particularly advantageous since this material has the disadvantage of not being removable by the usual techniques such as screen printing but has the advantage of better conduct electricity than the materials usually used with these usual techniques. Copper with these conduction properties thus limits the power required for the operation of the circuit. It also makes it possible to reduce the width of the lines and interconnections thus leading to a reduction in the size of the integrated circuits.
  • the prior lithography step is distinct from the subsequent lithography step.
  • the prior lithography step comprises a nano-printing step during which a mold having reliefs penetrates the resin layer to generate the at least one positioning mark and the at least one prior pattern.
  • This embodiment is particularly advantageous since it makes it possible in particular to generate relief positioning marks without the need for a step of etching and removal of additional resin that could otherwise degrade the substrate. In addition, it does not require a step of developing the resin to obtain the positioning marks in relief, thereby avoiding any contamination of the resin by the development solutions. The quality of the patterns obtained by the subsequent steps will therefore be improved.
  • this embodiment makes it possible to define very small patterns.
  • the step of forming additional patterns in the resin layer includes a photolithography step or an electron beam lithography step or an ion beam lithography step.
  • the succession of a nano-printing lithography step followed by an optical, electronic or ionic lithography step positioned with respect to the nano-impression lithography step makes it possible to define very precise patterns and of which the relative position is perfectly controlled.
  • the nanoprinting step is performed so that the at least one prior pattern defines a hollow in the resin and that the additional patterning step is performed so that at least one additional patterns is at least partially superimposed on said prior pattern defining a trough.
  • This method therefore makes it possible to generate in the resin three-dimensional patterns whose shape precision is improved.
  • this embodiment is very advantageous for obtaining three-dimensional patterns whose dimensions are reduced, typically less than 100 or even 50 nanometers and whose shape control is improved.
  • this embodiment makes it possible to obtain three-dimensional patterns isolated from each other.
  • Known techniques for forming three-dimensional patterns are based on a continuity of certain patterns in order to limit the consequences, on the shape of the final patterns, of the relative positioning inaccuracies between the successive stages of lithography.
  • the method according to the invention thus makes it possible to obtain patterns in three dimensions, of small size and isolated from each other.
  • the step of forming additional patterns is carried out so that at least one of the additional patterns is at least partially superimposed on said preliminary pattern defining a hollow and so as to remove the resin residues in the bottom of the hollow or so as to create holes extending from the hollow to the substrate.
  • This method according to the invention thus makes it possible to remove the resin in the bottom of the patterns if the entire width of the preliminary pattern, ie the entire area stamped during the prior lithography, is covered by the additional pattern. This solves a significant disadvantage of nano-printing lithography.
  • the resin only on part of the preliminary pattern, that is to say that on part of the stamped area during the prior lithography, it is then possible to make openings allowing communication between the preliminary reason and the substrate.
  • the final patterns thus obtained typically allow for vertical interconnections between several levels of an integrated circuit.
  • the resin is a photosensitive resin
  • the step of forming additional patterns in the resin layer comprises a photolithography step and said exposure comprises an exposure of at least a part of the at least one prior reason.
  • the step of forming additional patterns in the resin layer comprises an electron beam lithography step or an ion beam lithography step and the exposure comprises a writing of a at least part of the at least one prior reason.
  • the resin is a positive photosensitive resin
  • the subsequent lithography step comprises a photolithography step comprising an insolation step carried out so as to remove the resin residues in the bottom of the hollow or so creating holes extending from the hollow to the substrate.
  • the pre-defined lithography step defines the first zones having a first thickness and second zones each having a thickness less than the first thickness, and wherein the at least one subsequent lithography step is performed so as to remove the resin at least partly in at least some of the second areas.
  • the method thus makes it possible to remove resin residues in the bottom of the second zones or to create holes extending from these second zones to the substrate.
  • the step of forming additional patterns in the resin layer comprises a photolithography step or an electron beam lithography step or an ion beam lithography step.
  • the step of forming additional patterns comprises a nano-printing step during which a mold comprising reliefs penetrates into the resin layer to generate the additional patterns.
  • the method may also include a plurality of subsequent lithography steps each comprising an additional patterning step taken from: a nanoimprint step, a photolithography step, an electron beam lithography step, a beam lithography step ion.
  • a first subsequent lithography step comprises a photolithography step and a second subsequent lithography step comprises one of the following steps: a photolithography step, an electron beam lithography step , an ion beam lithography step.
  • the invention thus makes it possible to produce several lithographies without performing preliminary steps of generating alignment marks in the substrate. Thus we reduce the number of steps (and therefore the cost) to achieve a combination of lithography with alignment.
  • the positioning mark forms a recessed relief in the resin layer.
  • the positioning mark forms a projecting relief in the resin layer.
  • the positioning mark forms a preliminary reason.
  • the positioning mark for positioning subsequent lithography steps is therefore also transferred to the substrate.
  • the preliminary reasons have a depth less than the depth of the alignment marks.
  • the subject of the invention is a multilayer assembly obtained according to any one of the embodiments of the method described above.
  • the invention also relates to a multilayer assembly according to claim 18 comprising a substrate surmounted by a resin layer characterized in that the resin layer comprises at least one positioning mark formed in relief in the resin layer and configured to allow the positioning of a lithography apparatus relative to this at least one positioning mark.
  • the at least one positioning mark is obtained by nano-printing.
  • the at least one positioning mark has a depth greater than the depth of the prior patterns.
  • the final pattern has more than two levels of depth or more than two heights.
  • the mold has reliefs having several heights to define different preliminary patterns of depth.
  • Another object of the present invention relates to a method of manufacturing a microelectronic device according to claim 19 from a multilayer assembly according to the invention, comprising at least one lithography step for generating patterns in the resin layer of the multilayer assembly and involving a lithography apparatus.
  • the lithography step includes a step of positioning the lithography apparatus.
  • the positioning step includes a step of detecting the at least one positioning mark formed in relief in the resin layer and a step of positioning the lithography apparatus with respect to the at least one positioning mark.
  • the lithography step further comprises a step of forming additional patterns in the resin layer using the lithography apparatus positioned according to the at least one positioning mark, the step of forming the additional patterns comprising the exposing at least a portion of the at least one pattern to form at least one final recessed pattern having at least two depth levels in the resin layer or a projecting final pattern having at least two levels height.
  • FIG 1 which includes figures 1 a 1 g, illustrates the main steps of implementation of the method according to the invention which allows a three-dimensional lithography with excellent definition.
  • the present invention is not limited to the production of three-dimensional patterns.
  • the realization of a three-dimensional pattern brings out in a particularly explicit manner the advantages of the invention.
  • a three-dimensional pattern designates a pattern having in a given layer, for example a resin or a substrate, at least two depth levels below the upper face of the layer when the pattern is recessed or at least two levels of height above an upper face of the layer when the pattern is projecting. This clearly appears on the Figures 1f and 1g for example, which will be described in detail later.
  • Nanoscale lithography or nanoimprint lithography, or NIL, consists of defining nano-sized patterns from a mold that is printed. This technique, known since the mid-1990s, is now part of the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).
  • ITRS International Technology Roadmap for Semiconductors
  • the invention uses this technique starting from a substantially uniform layer of resin 110.
  • This resin layer 110 is deposited in a conventional manner on the devices being manufactured. Typically it is deposited by centrifugation usually referred to as "spin coating ".
  • the invention does not make any assumptions about the nature of the device being manufactured. It will typically be an integrated circuit, or any type of device, optoelectronic or electromechanical, developed and produced by the microelectronics industry and which requires the use of lithography to define geometric patterns to every step of manufacturing.
  • the substrate 100 or support on which is deposited the resin layer 110 is for example a slice of a semiconductor on which devices are developed.
  • the wafer is for example made of a crystalline semiconductor, typically silicon.
  • the resin layer 110 covers the substrate 100 or slice on its entire surface.
  • the substrate 100 may be at an advanced stage of its manufacture. In particular, each substrate may already comprise a large number of various layers, not shown, carrying a very large number of patterns.
  • the next step, schematized on the figure 1b is a preliminary lithography step. It consists in particular in printing in the resin layer 110 the raised patterns 122 of a mold 120 serving to define a part of the patterns of different thicknesses to be produced in the layer to be etched. Typically, in the case of an implementation of the invention for the double damascene discussed in the chapter on the state of the art, this is to form in the resin 110, using the mold, trenches which, after transfer into an underlying oxide layer, will be filled with the metal used to form the interconnection lines.
  • the withdrawal of the mold which is schematized on the figure 1c may be carried out after solidification of the resin 110.
  • the shaping is obtained by heating the assembly (mold, resin 110 and substrate 100) at a temperature which must not exceed the crosslinking temperature. in the case of a negative photosensitive resin or the temperature of thermal deprotection in the case of a positive photosensitive resin in order to preserve all their photosensitive properties.
  • the solidification takes place after the heating step.
  • This technique is better known by the acronym TNIL for thermal nanoimprint lithography, or lithography combined with thermal nano printing.
  • the mold leaves in the resin 110 as many impressions 112 as there are reliefs 122 therein.
  • a single imprint 112 is here represented.
  • the scale which the single cavity 112 is shown is incommensurate with the representation of the substrate 100 and the mold 120.
  • the substrates or slices have in fact a diameter of up to several tens of centimeters (10 -2 meters), typically 30 centimeters. , while the patterns to print are measured in tens of nanometers (10 -9 meters).
  • positioning marks 116 are printed in the resin 110 during the same printing operation and are therefore present on the mold, as the patterns, in the form of reliefs. These positioning marks 116 are used in a standard way by the positioning devices of the substrates. They will be used for the next lithography operation described below.
  • This step has allowed the definition of a multi-layer assembly 200 comprising a substrate 100, a resin layer 110 in which at least one positioning mark 116 and preferably several positioning marks 116 are formed.
  • the positioning marks 116 are non-functional for the circuits being manufactured. Their only function is to allow the positioning of several successive lithographies. Indeed, these brands usually have specific shapes that facilitate their detection by the detection and positioning systems.
  • the marks have standard shapes that can be detected by the usual positioning systems. According to an alternative embodiment, the marks are also used to define the pattern of the circuit to be produced.
  • the number and arrangement of the marks on the substrate 100 depend on the type of positioning system used. They are for example four in number and located, as shown, near the periphery of the substrates where the positioning defects can be seen with a greater amplitude.
  • the preliminary lithography step therefore consists in forming in the resin layer preliminary patterns and positioning marks.
  • this step comprises a nanometric printing.
  • the prior patterns and positioning marks can be formed in the resin by optical lithography or by ion beam or electron beam.
  • This prior lithography step is followed by at least one subsequent lithography step applied to the resin layer.
  • positioning is performed with respect to the positioning marks, then a step of forming additional patterns in the resin layer.
  • the positioning step comprises a step of detecting and locating the positioning marks.
  • the step of forming the additional patterns comprises an optical lithography step.
  • This is a standard operation of exposing the resin 140 through a mask 130 which could have been positioned very precisely thanks to the positioning marks 116 printed by the mold during the preliminary lithography step.
  • the mask is typically a mask made of a transparent material 132, quartz, on which opaque patterns of chromium 134 have been formed.
  • the mask after positioning, may be applied either directly to the resin layer 110 (contact lithography) or nearby to selectively irradiate through the transparent parts.
  • the mask may also be a reticle, that is to say an enlarged mask generally of only one of the devices being manufactured. The reduced image of the reticle is then projected and repeated with appropriate optical and mechanical means, not shown, over the entire resin surface 110 covering the substrate 100 in order to obtain a better definition of the patterns.
  • the step of forming the additional patterns in the resin layer of the figure 1d can also be performed without a mask by insolating the resin 110 with an ion beam or an electron beam guided to draw each of the patterns.
  • This latter technique is known as beam lithography electron "or” electronic lithography "and often referred to by the abbreviation” e-beam “of the English” electron beam ".
  • Electronic lithography is the technique that allows to obtain a very high resolution of the patterns to be engraved at the cost of having to draw sequentially each of the patterns of each of the devices of a substrate. Operation that is very long and therefore expensive.
  • the step of forming the additional patterns in the resin layer may also include a new nanometric print.
  • the method according to the invention employs the alignment marks 116 discussed above to position itself very precisely with respect to the previous nanometric printing operation.
  • the figure 1e gives examples of masks, 131 and 133, for use with a negative photoresist and a positive photoresist, respectively, to obtain different resin thicknesses.
  • the areas exposed through the transparent portions of the mask 133 become soluble and disappear during the development process of the resin following the exposure.
  • the use of a positive resin and a type 133 mask therefore lends itself well to a use of the invention for the double damascene discussed in the chapter on the state of the art.
  • the surface of the openings 136 of the mask is very small and in this example corresponds to the vias 118 which must be formed in the cavities 112 left by the mold 120 in the resin.
  • the mask 133 is therefore predominantly covered with chromium 134.
  • the result of the optical lithography corresponding to the use of a positive resin with the type 133 mask is shown on the figure 1f , in section through one of the additional patterns 118 form vias, and in top view.
  • the two vias of this example are formed at the bottom of the trenches 112 corresponding to the zones stamped by the mold 120 after insolation and development of the resin 100.
  • Two resin thicknesses are obtained: 113 and 114. As indicated by arrows in the figures, these thicknesses are defined from the face of the resin layer 110 which rests on the substrate 100.
  • the zone 114 has been stamped by the mold. The thickness of this zone has therefore decreased with respect to step 1a.
  • Zone 113 has not been or has been weakly stamped by the mold.
  • the zone corresponding to the additional pattern 118 defines another resin thickness which is zero.
  • the structure of the final pattern 117 before transfer therefore has two different pit levels in the resin layer, a void height of zero corresponding to the zone 108 and a hollow height 114 corresponding to the hollow left by the cavities 112 of the mold 120. Otherwise said, the final pattern 117 has two different depths, a depth equal to the thickness of the resin layer and which is obtained at the end of the subsequent lithography and a lower depth formed by the hollow left by the impressions 112 of the mold 120. At the end of the subsequent lithography, this gives a pattern 117 having two depth levels in the resin.
  • a first thickness 113 where the layer has not been modified or has been slightly modified
  • a second thickness 114 defined by a hollow formed during the lithography beforehand
  • a third thickness defined by a hollow formed during the subsequent lithography, this thickness being zero in the example illustrated in FIG. figure 1f .
  • the patterns thus formed on two levels in the resin 110 are transferable in the underlying layer using an anisotropic dry etching for transferring patterns from the resin 110 to the substrate 100.
  • This etching can be purely physical: it There is no chemical reaction with the substrate 100, the etching only results from the bombardment of the sample by ions (IBE etching: ion beam etching or electron beam etching).
  • the substrate and the resin can also be at least partially chemical (PE plasma etching, RIE reactive ion etching). If the substrate and the resin have a sensitivity substantially equivalent to etching, the patterns will be transferred without deformation from the resin to the substrate. It is also possible to admit a certain degree of selectivity between the resin and the substrate to adapt the shape of the transferred patterns.
  • the multidimensional structure of the final pattern 117 obtained at the end of the second optical lithography will be used, after transfer in an underlying oxide layer, to form the interconnection lines of the layer corresponding wiring as well as the vias with the lower wiring layer.
  • the method of the invention is in no way limited to being used only for double damascene. It can advantageously be used for other lithographic applications whenever it is necessary to obtain two different thicknesses of resin 110 or that it will be necessary to involve lithography operations to be mutually positioned precisely.
  • the figure 1 g shows the result of the use of a negative resin and a type 131 mask.
  • a negative photoresist it is the insolated areas that become insoluble and therefore remain in place after development of the resin.
  • two levels of resin (113 and 114) with a final pattern 119 are obtained which are however different for other applications of the process.
  • this resin structure is transferred into the underlying layer by means of an anisotropic here non-selective etching of the plasma etching type in order to obtain two different etching depths 102 without deformation of the patterns 119.
  • a pattern 119 having two depth levels in the resin is thus obtained. It is therefore possible to measure at least three different thicknesses of resin and in increasing order: a first thickness 113 where the layer has not been modified or has been slightly modified, a second thickness 114 defined by a hollow formed during the nano -printing and a third thickness defined by a hollow formed during the subsequent photolithography, this thickness being zero in the example illustrated in FIG. figure 1g .
  • This three-dimensional pattern 119 can thus be transferred into the substrate 100.
  • the method described above makes it possible to obtain an excellent alignment between the two levels of lithography. That is, between the pre-lithography step (nanometric printing in the illustrated case) and the subsequent lithography step (optical lithography in the illustrated case) using the positioning marks 116 printed in the resin 110 during the pre-lithography stage. Thus, final patterns are obtained with perfect positioning of the prior patterns and additional patterns. When the combination of these patterns defines patterns in three dimensions, these three-dimensional patterns then have a very good definition.
  • the invention is particularly advantageous for producing isolated 3D patterns and very small dimensions, that is to say with dimensions typically less than 100 nanometers.
  • the positioning marks are generated and are detected in the resin layer.
  • the invention does not require a step of etching positioning marks to transfer them into the substrate. No etching or stripping step therefore degrades the underlying layers of the substrate.
  • the preliminary lithography step comprises only a nano-printing step.
  • This has the advantage of generating positioning marks by simply stamping the resin layer. The latter does not need to be developed to form the reliefs defining the alignment marks.
  • the use of development solutions usually used in optical, electronic or ion beam lithography steps degrades the resin. The sensitivity of the latter is degraded which leads to a decrease in resolution during subsequent lithography steps.
  • the embodiment of the invention involving nano-printing for the preliminary lithography step therefore makes it possible to very significantly improve the definition of the patterns obtained.
  • the invention by providing a nano-printing step for the formation of the positioning marks and the preliminary reasons, makes it possible to reduce the number of development steps and to improve the geometry of the patterns compared to the solutions based on photolithography for example to form the positioning marks. Consequently, positioning marks, even of very small dimensions, for example intended to be detected by diffraction, will retain a good geometry after a development step during the subsequent lithography and may be reused for additional lithography.
  • the invention allows the use of photosensitive resins with positive tone or negative tone.
  • the reliefs of the mold intended to form the alignment marks do not have the same height as the reliefs of the mold intended to form the preliminary reasons.
  • the alignment marks and the prior reasons have different depths.
  • the depth of the alignment marks is greater than that of the previous reasons.
  • the depth of all the alignment marks is identical and the depth of all the preliminary reasons is identical.
  • This difference in the height of the reliefs of the mold or the depth of the marks and the preliminary reasons makes it possible for the latter to perform a "partial" nano-printing of the resin layer, that is to say at shallow depth so as to be able to freely pattern the final patterns to be made.
  • the nano-printing is most advantageously carried out. deep possible to improve the aspect ratio and accuracy which is very important to allow accurate detection, for example by diffraction and obtain improved positioning.
  • the implementation of nano-printing makes it possible to form positioning marks of very small dimensions. They can thus be suitable for diffraction detection systems which makes it possible to improve the positioning accuracy of the subsequent lithography step.
  • the invention makes it possible to obtain positioning marks of ten or a few tens of nanometers.
  • the accuracy of the alignment is typically less than 100 nanometers whereas with conventional aligners, typically based on optical sensing, the accuracy of the alignment is greater than one millimeter.
  • the alignment accuracy offered by the invention provides three-dimensional final patterns of reduced size and improved quality. Indeed, while the known methods only allow to obtain three-dimensional patterns much greater than one micrometer, the invention makes it easy to obtain three-dimensional patterns smaller than one micrometer.
  • the invention can also extend to hybrid or composite lithographs.
  • hybrid or composite lithography involves at least two types of lithography, the patterns made during the various stages of a hybrid lithography overlapping, while the patterns made during the various stages of a composite lithography does not occur. do not overlap.
  • the number of subsequent lithography steps using the positioning marks is not limited.
  • Printed positioning marks may not be engraved. Unlike the standard lithography process where patterns and therefore positioning marks are systematically engraved, here we have the possibility to keep or delete them or modify them depending on what we want to achieve in the next step. a manufacturing process using the method of the invention. If the marks must be removed, it is sufficient, in the case of a negative resin, not to insolate them. If the resin is positive, it will be contrary to insolvent. The mask where the reticle will be adapted accordingly.
  • the positioning marks printed in the resin have a certain topography. This is how they can be detected by positioning systems. For example, light diffraction detection systems can detect them, as can optical recognition systems. There are many positioning systems developed by the various equipment manufacturers. For example for the equipment manufacturer ASML, we can cite the TTL system acronym of through the lens that is to say through the lens or the ATH ENA system.
  • the marks designated PM Primary Marks
  • SPM Scribelane Primary Marks
  • the additional patterns are smaller than the bottom of the stamped areas and are punctiform, then vertical holes can be formed that are particularly useful for creation of interconnections.
  • the invention thus makes it possible to take advantage of the residues inevitably generated by nanometric printing and which are usually perceived as a major disadvantage of this technique.
  • Another advantage of the present invention lies in the fact that it is simpler to implement than solutions using sacrificial layers or anti-reflectors. More specifically, the invention makes it possible to reduce the number of steps usually necessary with these known solutions. The invention thus provides significant advantages in terms of simplicity, reliability and cost.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

    DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION
  • La présente invention concerne la lithographie des circuits intégrés en général et décrit plus particulièrement un procédé de lithographie faisant intervenir plusieurs lithographies.
  • L'invention a pour application particulièrement avantageuse un procédé de lithographie permettant de graver des motifs sur différentes épaisseurs.
    • ÉTAT DE LA TECHNIQUE
  • Avec l'intégration toujours plus grande des circuits produits par l'industrie de la microélectronique, la lithographie, technique essentielle utilisée à tous les stades de production de ces dispositifs, doit faire face à de nombreux défis pour pouvoir soutenir cette évolution.
  • En particulier, alors que la lithographie a été pendant des dizaines d'années une technique qui s'intéressait essentiellement à la production de motifs toujours plus petits et toujours plus précis, cependant dans un seul plan, on lui demande maintenant, qu'au cours d'une seule étape de fabrication, la gravure du ou des matériaux sous-jacents puisse aussi se faire sur au moins deux épaisseurs différentes.
  • Un exemple représentatif de cette évolution est la technique permettant la réalisation, au cours d'une même phase de fabrication, d'une ligne horizontale de câblage participant à l'interconnexion des dispositifs d'une couche supérieure d'un circuit intégré et, simultanément, des interconnexions verticales, c'est-à-dire les vias, pour connecter la couche supérieure à une couche inférieure déjà réalisée. Au moins cinq couches de câblage sont en effet le plus souvent nécessaires pour pouvoir interconnecter tous les composants d'un circuit intégré et il est important de réduire autant que se peut le nombre des étapes de fabrication. Connue sous le vocable anglais de « dual damascene » ou « damascene », c'est-à-dire respectivement « double damasquinage » ou « damasquinage » en référence au procédé médiéval d'incrustation de métaux, cette technique suppose que les emplacements des lignes d'interconnexions et des vias soient préalablement formés dans une couche d'oxyde déposée sur la couche d'interconnexion précédente. Des tranchées destinées à former les lignes d'interconnexion y sont gravées qui préservent une couche d'oxyde sous jacente servant d'isolant électrique. Les emplacements des vias sont réalisés, à l'intérieur des tranchées, sous forme de trous verticaux dans l'oxyde jusqu'à atteindre la couche inférieure à interconnecter. Il faut donc pouvoir réaliser deux épaisseurs de gravure différentes, une pour les tranchées et celle correspondant aux trous verticaux des vias. L'avantage de cette technique est que les trous verticaux et les tranchées d'interconnexion sont ensuite remplis, au cours d'une même opération de dépôt, par un métal sur toute la surface d'un substrat formé typiquement par une tranche de silicium. Les interconnexions sont effectivement formées après qu'un polissage mécano chimique de la tranche enlève le métal en excès et laisse seulement celui incrusté dans les tranchées et dans les trous verticaux destinés à former les vias.
  • De nombreuses mises en oeuvre du double damasquinage ont été proposées qui ont cependant en commun la difficulté de devoir positionner précisément les deux niveaux de gravure de l'oxyde l'un par rapport l'autre c'est-à-dire les trous verticaux destinés à former les vias par rapport aux tranchées destinés à former les lignes d'interconnexion. Il est donc délicat de maîtriser la définition des motifs finaux obtenus. Cet inconvénient lié à la définition des motifs finaux est d'autant plus problématique que les motifs finaux présentent de très petites dimensions.
  • La présente invention a pour objectif de limiter au moins cet inconvénient. Plus particulièrement, elle a pour objectif d'améliorer la définition des motifs nécessitant plusieurs étapes de lithographie SCHEER H-C ET AL ("Aspects of hybrid pattern définition while combining thermal nanoimprint with optical lithography", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART B, AVS / AIP, MELVILLE, NEW YORK, NY, US, vol. 28, no. 6, 19 octobre 2010 (2010-10-19), pages C6M1-C6M6) divulguent un exemple de procédé lithographique comprenant une étape de nano-impression suivie d'une étape de lithographie ultérieure.
    • RÉSUMÉ DE L'INVENTION
  • La présente invention a pour objet un procédé de lithographie selon la revendication 1 comprenant:
    • une étape de préparation au cours de laquelle on dispose une couche de résine sur un substrat, une étape de lithographie préalable exécutée pour définir au moins un motif préalable dans la couche de résine et dans lequel l'étape de lithographie préalable comprend une étape de nano-impression au cours de laquelle un moule comportant des reliefs pénètre dans la couche de résine pour générer le au moins un motif préalable, chaque motif préalable définissant un creux dans la couche de résine et pour définir au moins une marque de positionnement formant un relief en creux dans la couche de résine. En outre, la procédé comprend au moins une étape de lithographie ultérieure appliquée à la couche de résine et comprenant les étapes suivantes :
      • une étape préalable de positionnement consistant à positionner des moyens de lithographie en fonction de la au moins une marque de positionnement,
      • au moins une étape de formation de motifs additionnels en creux dans la couche de résine utilisant les moyens de lithographie positionnés en fonction de la au moins une marque de positionnement, l'étape de formation des motifs additionnels comprenant une exposition d'une partie au moins de l'au moins un motif préalable.
  • Si l'exposition de la résine provoque la disparition de la résine exposée, le motif préalable est formé par une zone emboutie et le motif additionnel est alors également effectué en creux sur la zone emboutie. On peut ainsi par exemple obtenir un motif formé par des creux qui présentent au moins deux profondeurs différentes ou deux hauteurs différentes à l'intérieur de la couche résine, soit au moins deux marches d'escalier. En effet, le motif préalable définit une première profondeur et le motif additionnel, superposé au motif préalable, définit une deuxième profondeur. La profondeur se détermine par rapport à la surface libre de la couche de résine, c'est-à-dire par rapport à la face de la couche de résine par laquelle pénètre le moule lors de la nano-impression. La hauteur se détermine par rapport à la face de la couche de résine qui est au contact du substrat sur laquelle elle repose.
  • Si l'exposition de la résine provoque la disparition de la résine en dehors de la zone exposée (résine photosensible négative insolée), le motif final peut alors par exemple former une saillie présentant une première hauteur correspondant sensiblement à l'épaisseur de résine avant la lithographie ultérieure et une deuxième hauteur, moindre et correspondant à une zone emboutie lors de la nano-impression.
  • La ou les marques de positionnement en relief permettent donc de positionner des étapes successives de lithographie les unes par rapport aux autres et de manière très précise. Les motifs obtenus au cours de l'étape de lithographie préalable sont donc bien positionnés par rapport aux motifs obtenus au cours des étapes de lithographie ultérieure. Les motifs finaux, formés dans deux niveaux de profondeur, présentent donc une bonne définition tout en étant possiblement de taille faible, typiquement inférieure au micromètre.
  • En outre, les marques sont réalisées dans la résine. L'invention ne nécessite donc pas de créer les marques de positionnement dans le substrat et préalablement à la définition des motifs. Elle permet alors d'éviter des étapes de gravure et d'élimination de résine, habituellement désignée par le vocable anglais stripping, qui sont habituellement nécessaires à la création de marques dans le substrat mais qui dégradent ce dernier. En particulier, il s'est avéré que les solutions ou techniques de gravure et d'élimination de résine peuvent dégrader les couches inférieures du substrat. La mise en oeuvre d'étapes de gravure peut donc être préjudiciable particulièrement lorsque le substrat comporte sous la résine des couches de circuit intégré déjà réalisées.
  • L'invention a donc également pour avantage de préserver l'intégrité du substrat et des éventuelles couches qu'il comporte.
  • En outre, l'invention permet de former les marques de positionnement au cours d'une étape de formation de motifs. Elle tend donc à réduire le nombre total d'étapes et donc les coûts.
  • De manière facultative, le procédé selon l'invention peut présenter au moins l'une quelconque des étapes et caractéristiques optionnelles suivantes :
    • Au moins l'un parmi les motifs additionnels est superposé à l'au moins un motif préalable de sorte à former au moins un motif en trois dimensions dans la couche de résine.
  • De manière alternative, à la formation de motifs en trois dimensions, les motifs additionnels ne sont donc pas superposés à l'au moins un motif préalable. On obtient ainsi des motifs en deux dimensions dont les positionnements relatifs sont améliorés.
  • L'étape de positionnement comprend la détection des marques de positionnement par diffraction de lumière.
  • Avantageusement, au moins un motif additionnel est superposé à au moins un motif préalable.
  • L'étape de formation des motifs additionnels est effectuée de sorte à former au moins un motif final en creux présentant au moins deux niveaux de profondeur dans la couche de résine. Alternativement, l'étape de formation des motifs additionnels est effectuée de sorte à former au moins un motif final en saillie présentant au moins deux niveaux de hauteur.
  • Le procédé comprend, suite à l'au moins une étape de lithographie ultérieure, une étape de transfert consistant à transférer le au moins un motif préalable et les motifs additionnels depuis la couche de résine dans le substrat.
  • Selon une première variante, les marques de positionnement sont conservées à l'issue de l'au moins une étape de lithographie ultérieure. Les marques de positionnement peuvent ainsi être réutilisées par d'autres étapes de lithographie ultérieures, limitant de ce fait le nombre d'étapes nécessaires et simplifiant le procédé de fabrication global. Eventuellement, les marques de positionnement sont par la suite transférées depuis la couche de résine dans le substrat pour être réutilisées par d'autres lithographies de sorte à avoir un bon positionnement relatif de l'ensemble des motifs obtenus par lithographie. En outre le nombre d'étapes nécessaires à l'obtention du produit final sera réduit.
  • Selon une deuxième variante, les marques de positionnement sont supprimées au cours de l'au moins une étape de lithographie ultérieure. Typiquement, afin de faire disparaître ces marques de positionnement, il suffira de les insoler si la résine est une résine photosensible positive. Si la résine est une résine photosensible négative, il suffira de ne pas insoler ces marques.
  • Selon une dernière variante, ces marques peuvent être finalement modifiées, après avoir servi à l'alignement, pour former un motif utile qui sera transféré dans le substrat. Avantageusement, dans ces deux dernières variantes on ne perd pas de place au niveau du substrat avec les marques d'alignement. Cette place peut être utilisée pour réaliser des zones fonctionnelles.
  • L'étape de transfert comprend une étape de gravure de la couche de résine et du substrat. La gravure a avantageusement une sélectivité sensiblement identique pour la résine et pour le substrat. Mais il est possible également d'admettre une certaine sélectivité, on peut s'en servir notamment pour influer sur la forme du motif transféré, en privilégiant une gravure par rapport à l'autre pour obtenir des aspect ratio différents. De manière particulièrement avantageuse, l'étape de gravure comprend une attaque plasma. Ce type de gravure est essentiellement anisotrope c'est-à-dire que la gravure a lieu essentiellement dans une direction perpendiculaire au plan du substrat. Les parois des motifs seront relativement bien préservées, conservant de ce fait les faibles dimensions des motifs. Ce type de gravure permet donc d'améliorer le contrôle de la précision obtenue.
  • Avantageusement, au moins l'un parmi les motifs additionnels est superposé à l'au moins un motif préalable de sorte à former au moins un motif en trois dimensions et l'étape de transfert est exécutée de sorte à transférer le au moins un motif en trois dimensions depuis la couche de résine dans le substrat pour former dans le substrat au moins un motif final en trois dimensions dans la couche de résine.
  • Avantageusement, le procédé comprend également une étape d'apport d'un matériau électriquement conducteur dans le au moins un motif final en trois dimensions.
  • Préalablement à l'étape de préparation, on réalise au moins une couche d'un circuit intégré dans le substrat. En outre, l'étape de transfert et l'étape d'apport sont exécutées de sorte que le matériau électriquement conducteur forme une ligne d'interconnexion ainsi qu'une interconnexion verticale reliant ladite ligne à la au moins une couche du circuit intégré.
  • La ligne est formée par une tranchée qui s'étend dans un plan sensiblement parallèle à la surface du substrat. L'interconnexion verticale, ou via, est formée par un trou vertical recevant un matériau électriquement conducteur et s'étendant sensiblement perpendiculairement à la surface du substrat et depuis la tranchée. Il s'étend jusqu'à une couche sous jacente du substrat formant ou destinée à former une couche du circuit intégré. L'invention permet ainsi de réaliser des interconnexions de manière particulièrement précise puisque les marques de positionnement permettent de positionner très précisément les trous verticaux par rapport aux tranchées destinées à former les lignes. En outre, l'obtention de ces interconnexions est effectuée sans dégrader les couches sous jacentes du substrat.
  • Avantageusement, le matériau électriquement conducteur est en cuivre. L'invention s'avère particulièrement avantageuse puisque ce matériau présente comme inconvénient de ne pas être déposable par les techniques habituelles telles de sérigraphie mais qui présente comme avantage de mieux conduire l'électricité que les matériaux usuellement employés avec ces technique habituelles. Le cuivre grâce à ces propriétés de conduction permet ainsi de limiter la puissance nécessaire au fonctionnement du circuit. Il permet également de réduire la largeur des lignes et interconnexions conduisant ainsi à une réduction de la taille des circuits intégrés.
  • L'étape de lithographie préalable est distincte de l'étape de lithographie ultérieure.
  • L'étape de lithographie préalable comprend une étape de nano-impression au cours de laquelle un moule comportant des reliefs pénètre dans la couche de résine pour générer la au moins une marque de positionnement et le au moins un motif préalable.
  • Ce mode de réalisation est particulièrement avantageux puisqu'il permet notamment de générer des marques de positionnement en relief sans nécessiter d'étape de gravure et d'élimination de résine supplémentaire qui pourraient par ailleurs dégrader le substrat. En outre, il ne nécessite pas d'étape de développement de la résine pour obtenir les marques de positionnement en relief, évitant de ce fait toute contamination de la résine par les solutions de développement. La qualité des motifs obtenus par les étapes ultérieures sera donc améliorée.
  • En outre, ce mode de réalisation permet de définir des motifs de très petite taille.
  • L'étape de formation de motifs additionnels dans la couche de résine comprend une étape de photolithographie ou une étape de lithographie par faisceau d'électrons ou une étape de lithographie par faisceau d'ions.
  • La succession d'une étape de lithographie par nano-impression suivie d'une étape de lithographie optique, électronique ou ionique positionnée par rapport à l'étape de lithographie par nano-impression permet de définir des motifs d'une très grande précision et dont la position relative est parfaitement maîtrisée.
  • L'étape de nano-impression est effectuée de manière à ce que le au moins un motif préalable définisse un creux dans la résine et à ce que l'étape de formation de motifs additionnels est effectuée de sorte à ce que au moins l'un des motifs additionnels soit au moins partiellement superposé audit motif préalable définissant un creux. Ce procédé permet donc de générer dans la résine des motifs en trois dimensions dont la précision de la forme est améliorée. En particulier ce mode de réalisation s'avère très avantageux pour obtenir des motifs en trois dimensions dont les dimensions sont réduites, typiquement inférieures à 100 voire 50 nanomètres et dont la maîtrise de la forme est améliorée.
  • En outre ce mode de réalisation permet d'obtenir des motifs en trois dimensions isolés les uns des autres. Les techniques connues de formation de motifs en trois dimensions se basent sur une continuité de certains motifs afin de limiter les conséquences, sur la forme des motifs finaux, des imprécisions de positionnement relatif entre les étapes successives de lithographie.
  • Le procédé selon l'invention permet ainsi d'obtenir des motifs en trois dimensions, de petite taille et isolés les uns des autres.
  • Selon un mode de réalisation, l'étape de formation de motifs additionnels est effectuée de sorte à ce que au moins l'un des motifs additionnels est au moins partiellement superposé audit motif préalable définissant un creux et de sorte à faire disparaître les résidus de résine dans le fond du creux ou de sorte à créer des trous s'étendant depuis le creux jusqu'au substrat.
  • Ce procédé selon l'invention permet ainsi de faire disparaître la résine dans le fond des motifs si toute la largeur du motif préalable, soit toute la zone emboutie lors de la lithographie préalable, est recouverte par le motif additionnel. On résout ainsi un inconvénient important de la lithographie par nano-impression.
  • Alternativement, en ne faisant disparaître la résine que sur une partie du motif préalable, c'est-à-dire que sur une partie de la zone emboutie lors de la lithographie préalable, on peut alors réaliser des ouvertures permettant une communication entre le motif préalable et le substrat. Les motifs finaux ainsi obtenus permettent typiquement de réaliser des interconnexions verticales entre plusieurs niveaux d'un circuit intégré.
  • Selon un mode de réalisation avantageux, la résine est une résine photosensible, l'étape de formation de motifs additionnels dans la couche de résine comprend une étape de photolithographie et ladite exposition comprend une insolation d'une partie au moins de l'au moins un motif préalable.
  • Selon un mode de réalisation avantageux, l'étape de formation de motifs additionnels dans la couche de résine comprend une étape de lithographie par faisceau d'électrons ou une étape de lithographie par faisceau d'ions et l'exposition comprend une écriture d'une partie au moins de l'au moins un motif préalable.
  • Selon un mode de réalisation avantageux, la résine est une résine photosensible positive, l'étape de lithographie ultérieure comprend une étape de photolithographie comprenant une étape d'insolation effectuée de sorte à faire disparaître les résidus de résine dans le fond du creux ou de sorte à créer des trous s'étendant depuis le creux jusqu'au substrat.
  • L'étape de lithographie préalable définie des premières zones présentant une première épaisseur et des deuxièmes zones présentant chacune une épaisseur inférieure à la première épaisseur, et dans lequel la au moins une étape de lithographie ultérieure est effectuée de sorte à faire disparaître la résine au moins en partie dans au moins certaines des deuxièmes zones. Le procédé permet ainsi de faire disparaître des résidus de résine dans le fond des deuxièmes zones ou de créer des trous s'étendant depuis ces deuxièmes zones jusqu'au substrat.
  • Selon un mode de réalisation l'étape de formation de motifs additionnels dans la couche de résine comprend une étape de photolithographie ou une étape de lithographie par faisceau d'électrons ou une étape de lithographie par faisceau d'ions.
  • Selon un autre mode de réalisation l'étape de formation de motifs additionnels comprend une étape de nano-impression au cours de laquelle un moule comportant des reliefs pénètre dans la couche de résine pour générer les motifs additionnels.
  • Le procédé peut également comprendre plusieurs étapes de lithographie ultérieures comprenant chacune une étape de formation de motifs additionnels prise parmi : une étape de nano-impression, une étape de photolithographie, une étape de lithographie par faisceau d'électrons, une étape de lithographie par faisceau d'ions.
  • En particulier, on prévoit qu'une première étape de lithographie ultérieure comprend une étape de photolithographie et qu'une deuxième étape de lithographie ultérieure comprend l'une parmi les étapes suivantes : une étape de photolithographie, une étape de lithographie par faisceau d'électrons, une étape de lithographie par faisceau d'ions.
  • L'invention permet ainsi de réaliser plusieurs lithographies sans effectuer d'étapes préliminaires de génération de marques d'alignement dans le substrat. Ainsi on réduit le nombre d'étapes (et donc le coût) pour réaliser une combinaison de lithographies avec alignement.
  • De préférence, la marque de positionnement forme un relief en creux dans la couche de résine. Alternativement, la marque de positionnement forme un relief en saillie dans la couche de résine.
  • Selon une possibilité la marque de positionnement forme un motif préalable. La marque de positionnement servant au positionnement des étapes de lithographie ultérieures est donc également transférée dans le substrat.
  • Selon une possibilité les motifs préalables présentent une profondeur inférieure à la profondeur des marques d'alignement.
  • Selon un autre aspect, l'invention a pour objet un ensemble multicouches obtenu selon l'un quelconque des modes de réalisation de la méthode exposée ci-dessus.
  • L'invention a encore pour objet un ensemble multicouches selon la revendication 18 comprenant un substrat surmonté d'une couche de résine caractérisé en ce que la couche de résine comprend au moins une marque de positionnement formée en relief dans la couche de résine et configurée pour permettre le positionnement d'un appareil de lithographie relativement à cette au moins une marque de positionnement.
  • De manière optionnelle mais particulièrement avantageuse, la au moins une marque de positionnement est obtenue par nano-impression.
  • Avantageusement, la au moins une marque de positionnement présente une profondeur supérieure à la profondeur des motifs préalables.
  • Selon un mode de réalisation particulier, le motif final présente plus de deux niveaux de profondeur ou plus de deux hauteurs. Avantageusement, le moule présente des reliefs présentant plusieurs hauteurs pour définir des motifs préalables de profondeur différentes.
  • Un autre objet de la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique selon la revendication 19 à partir d'un ensemble multicouches selon l'invention, comprenant au moins une étape de lithographie pour générer des motifs dans la couche de résine de l'ensemble multicouches et faisant intervenir un appareil de lithographie. L'étape de lithographie comprend une étape de positionnement de l'appareil de lithographie. L'étape de positionnement comprend une étape de détection de l'au moins une marque de positionnement formée en relief dans la couche de résine et une étape de positionnement de l'appareil de lithographie par rapport à l'au moins une marque de positionnement.
  • Avantageusement, l'étape de lithographie comprend en outre une étape de formation de motifs additionnels dans la couche de résine utilisant l'appareil de lithographie positionné en fonction de la au moins une marque de positionnement, l'étape de formation des motifs additionnels comprenant l'exposition d'une partie au moins de l'au moins un motif préalable de sorte à former au moins un motif final en creux présentant au moins deux niveaux de profondeur dans la couche de résine ou un motif final en saillie présentant au moins deux niveaux de hauteur.
  • Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels :
    • La FIGURE 1, comprenant les figures 1 a à 1 g, illustre un exemple de mode de réalisation du procédé selon l'invention, cet exemple de procédé permettant de réaliser une lithographie tridimensionnelle avec une excellente définition.
    • La FIGURE 2 illustre le positionnement optimum des dispositifs sur une tranche en cours de fabrication.
  • Les dessins joints sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention.
    • DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION
  • La figure 1, qui comprend les figures 1 a à 1 g, illustre les étapes principales de mise en oeuvre du procédé selon l'invention qui permet de réaliser une lithographie tridimensionnelle avec une excellente définition. Comme cela sera rappelé par la suite, la présente invention n'est pas limitée à la réalisation de motifs en trois dimensions. Cependant la réalisation de motif en trois dimensions fait ressortir de manière particulièrement explicite les avantages de l'invention. Dans le cadre de la présente invention, on désigne par motif en trois dimensions un motif présentant dans une couche donnée, par exemple une résine ou un substrat, au moins deux niveaux de profondeur au dessous de la face supérieure de la couche lorsque le motif est en creux ou au moins deux niveaux de hauteur au dessus d'une face supérieure de la couche lorsque le motif est en saillie. Cela apparaît clairement sur les figures 1f et 1g par exemple qui seront décrites en détail par la suite.
  • L'invention combine plusieurs types de lithographie qui ont été développés au fil des ans. La lithographie par impression nanométrique, de l'anglais « nanoimprint lithography » ou NIL, consiste à définir des motifs de taille nanométrique à partir d'un moule que l'on imprime. Cette technique connue depuis le milieu des années 90 fait désormais partie de la feuille de route internationale des technologies pour les semiconducteurs ou ITRS « international technology roadmap for semiconductors ».
  • Comme illustré en figure 1a l'invention met en oeuvre cette technique en partant d'une couche sensiblement uniforme de résine 110. Cette couche de résine 110 est déposée d'une façon traditionnelle sur les dispositifs en cours de fabrication. Typiquement elle est déposée par centrifugation usuellement désignée « spin coating ». L'invention ne fait pas d'hypothèse sur la nature du dispositif en cours de fabrication. Il s'agira typiquement d'un circuit intégré, ou de n'importe quel type de dispositif, optoélectronique ou électromécanique, développé et produit par l'industrie de la microélectronique et qui requiert l'emploi de la lithographie pour définir des motifs géométriques à chaque étape de fabrication. Le substrat 100 ou support sur lequel est déposé la couche de résine 110 est donc par exemple une tranche d'un semi conducteur sur lequel sont élaborés des dispositifs. La tranche est par exemple constituée d'un semi conducteur cristallin, typiquement de silicium. La couche de résine 110 couvre le substrat 100 ou tranche sur toute sa surface. Le substrat 100 peut être à un stade avancé de sa fabrication. Notamment, chaque substrat peut déjà comporter un grand nombre de couches diverses, non représentées, portant un très grand nombre de motifs.
  • L'étape suivante, schématisée sur la figure 1b , est une étape de lithographie préalable. Elle consiste notamment à imprimer dans la couche de résine 110 les motifs en relief 122 d'un moule 120 servant à définir une partie des motifs d'épaisseurs différentes à réaliser dans la couche à graver. Typiquement, dans le cas d'une mise en oeuvre de l'invention pour le double damasquinage discuté dans le chapitre sur l'état de la technique, il s'agit là de former dans la résine 110, à l'aide du moule, les tranchées qui, après transfert dans une couche d'oxyde sous jacente, seront remplies du métal utilisé pour former les lignes interconnexions.
  • Le retrait du moule qui est schématisé sur la figure 1c peut s'effectuer après solidification de la résine 110. Le moule étant en place, la mise en forme est obtenue en chauffant l'ensemble (moule, résine 110 et substrat 100), à une température qui ne doit pas excéder la température de réticulation dans le cas d'une résine photosensible négative ou la température de déprotection thermique dans le cas d'une résine photosensible positive afin de préserver toutes leurs propriétés photosensibles. La solidification s'opère après l'étape de chauffage. Cette technique est plus connue sous l'acronyme TNIL pour thermal nanoimprint lithography, soit lithographie combinée à une nano impression thermique.
  • Le moule laisse dans la résine 110 autant d'empreintes 112 qu'il y a de reliefs 122 dans celui-ci. Par souci de clarté, sans que cela ne gêne en rien la description de l'invention ni n'en limite sa portée, une seule empreinte 112 est ici représentée. En pratique, par exemple pour réaliser un circuit intégré dont les plus denses peuvent maintenant comprendre des centaines de millions de transistors voire dépasse le milliard, un nombre correspondant de motifs pourra devoir être imprimé par le moule au cours d'une seule opération d'impression. On notera également que l'échelle à laquelle l'empreinte 112 unique est représentée est sans commune mesure avec la représentation du substrat 100 et du moule 120. Les substrats ou tranches ont en effet couramment un diamètre jusqu'à plusieurs dizaines de centimètres (10-2 mètre), typiquement 30 centimètres, alors que les motifs à imprimer se mesurent en dizaines de nanomètres (10-9 mètre).
  • L'invention prévoit que des marques de positionnement 116, également désignées marques d'alignement, sont imprimées dans la résine 110 au cours de la même opération d'impression et sont donc présents sur le moule, comme les motifs, sous forme de reliefs. Ces marques de positionnement 116 sont utilisées d'une façon standard par les dispositifs de positionnement des substrats. Elles vont servir à l'opération de lithographie suivante décrite ci-après.
  • Cette étape a donc permis la définition d'un ensemble multi couches 200 comprenant un substrat 100, une couche de résine 110 dans laquelle au moins une marque de positionnement 116 et de préférence plusieurs marques de positionnement 116 sont formées.
  • Dans le mode de réalisation illustré, les marques de positionnement 116 sont non fonctionnelles pour les circuits en cours de fabrication. Elles ont pour unique fonction de permettre le positionnement de plusieurs lithographies successives. En effet, ces marques présentent habituellement des formes spécifiques qui facilitent leur détection par les systèmes de détection et de positionnement.
  • Dans le cadre de la présente invention, les marques présentent des formes standard aptes à être détectées par les systèmes habituels de positionnement. Selon une variante de réalisation, les marques servent également à la définition de motif du circuit à réaliser. Le nombre et la disposition des marques sur le substrat 100 dépendent du type de système de positionnement utilisé. Elles sont par exemple au nombre de quatre et situées, comme représenté, près de la périphérie des substrats là où les défauts de positionnement peuvent se constater avec une plus grande amplitude.
  • Dans toutes les empreintes 112 laissées par le moule on remarquera qu'il reste une épaisseur 111 contrôlée de résine 110 qui dépend de l'épaisseur initiale de résine 110 déposée par centrifugation et de la hauteur des reliefs 122 du moule 120. Dans la mise en oeuvre standard de la lithographie par impression nanométrique ceci est considéré comme un résidu qu'il est nécessaire d'enlever avant de pouvoir transférer les motifs imprimés dans la couche sous jacente à graver. Comme on va le voir ci-après l'invention tire avantage de cet inconvénient pour obtenir des épaisseurs de résine différentes au cours d'une même opération de lithographie.
  • L'étape de lithographie préalable consiste donc à former dans la couche de résine des motifs préalables et des marques de positionnement. Dans l'exemple illustré cette étape comprend une impression nanométrique. Néanmoins, les motifs préalables et les marques de positionnement peuvent être formés dans la résine par une lithographie optique ou par faisceau d'ions ou par faisceau d'électrons. Pour cela, on peut prévoir avantageusement de déposer une bicouche de résine photosensible, les deux couches de résine ayant soit des tonalités différentes, soit si elles ont la même tonalité, des sensibilités différentes à l'insolation. On pourra par exemple utiliser un empilement d'une résine négative, par exemple au contact du substrat, et d'une résine positive. On viendra ensuite insoler et développer cette résine positive pour former les motifs souhaités.
  • Cette étape de lithographie préalable est suivie d'au moins une étape de lithographie ultérieure appliquée à la couche de résine. Pour chaque étape de lithographie ultérieure on effectue un positionnement par rapport aux marques de positionnement, puis une étape de formation de motifs additionnels dans la couche de résine. De manière connue l'étape de positionnement comprend une étape de détection et de localisation des marques de positionnement.
  • Dans l'exemple illustré sur la figure 1d l'étape de formation des motifs additionnels comprend une étape de lithographie optique. Il s'agit d'une opération standard d'insolation 140 de la résine à travers un masque 130 qui aura pu être positionné très précisément grâce aux marques de positionnement 116 imprimées par le moule lors de l'étape de lithographie préalable. Le masque est de façon standard un masque fait d'un matériau transparent 132, du quartz, sur lequel des motifs opaques en chrome 134 ont été formés. Selon la mise en oeuvre particulière de cette opération standard de lithographie optique, le masque, après positionnement, pourra être appliqué soit directement sur la couche de résine 110 (lithographie par contact) soit à proximité pour l'insoler sélectivement à travers les parties transparentes. Le masque peut être aussi un réticule, c'est-à-dire un masque agrandi généralement d'un seul des dispositifs en cours de fabrication. L'image réduite du réticule est alors projetée et répétée avec des moyens optiques et mécaniques appropriés, non représentés, sur toute la surface de résine 110 couvrant le substrat 100 afin d'obtenir une meilleure définition des motifs.
  • L'étape de formation des motifs additionnels dans la couche de résine de la figure 1d peut être aussi réalisée sans masque en insolant la résine 110 avec un faisceau d'ions ou un faisceau d'électrons guidé pour dessiner chacun des motifs. Cette dernière technique est connue sous les noms de « lithographie par faisceau d'électrons » ou « lithographie électronique » et souvent désignée par l'abréviation « e-beam » de l'anglais « electron beam ». La lithographie électronique est la technique qui permet d'obtenir une résolution très élevée des motifs à graver au prix d'avoir à dessiner séquentiellement chacun des motifs de chacun des dispositifs d'un substrat. Opération qui est très longue et donc coûteuse.
  • Ainsi, dans le cadre de la présente invention, on désigne par exposition d'une zone de résine aussi bien une insolation de la zone de résine si la lithographie est une photolithographie ou écriture de la zone de résine si la lithographie est une lithographie par faisceau d'ions ou d'électrons.
  • L'étape de formation des motifs additionnels dans la couche de résine peut également comprendre une nouvelle impression nanométrique.
  • Quelle que soit la technique de lithographie utilisée à ce stade, le procédé selon l'invention emploie les marques d'alignement 116 discutées précédemment pour se positionner très précisément par rapport à l'opération d'impression nanométrique précédente.
  • La figure 1e donne des exemples de masques, 131 et 133, à utiliser respectivement avec une résine photosensible négative et avec une résine photosensible positive afin d'obtenir des épaisseurs de résine différentes.
  • Avec une résine photosensible positive les zones insolées à travers les parties transparentes du masque 133 deviennent solubles et disparaissent lors de l'opération de développement de la résine qui suit l'insolation. L'utilisation d'une résine positive et d'un masque de type 133 se prête donc bien à une utilisation de l'invention pour le double damasquinage discuté dans le chapitre sur l'état de la technique. Dans ce cas, la surface des ouvertures 136 du masque est très faible et correspond dans cet exemple aux trous d'interconnexion 118 qui doivent être formés dans les empreintes 112 laissées par le moule 120 dans la résine. Le masque 133 est donc majoritairement couvert de chrome 134. À nouveau, on notera que par souci de clarté seuls deux trous d'interconnexion, sont représentés sur le masque 133 alors qu'en pratique un très grand nombre devront bien sûr être formés pour assurer les interconnexions verticales entre la couche en cours de réalisation et la couche inférieure déjà réalisée.
  • Le résultat de la lithographie optique correspondant à l'utilisation d'une résine positive avec le masque de type 133 est montré sur la figure 1f , en coupe à travers l'un des motifs additionnels 118 forment des trous d'interconnexion, et en vue de dessus. Les deux trous d'interconnexion de cet exemple sont formés au fond des tranchées 112 correspondant aux zones embouties par le moule 120 après insolation et développement de la résine 100. On obtient bien deux épaisseurs de résine : 113 et 114. Comme indiquées par des flèches sur les figures, ces épaisseurs sont définies depuis la face de la couche de résine 110 qui repose sur le substrat 100. La zone 114 a été emboutie par le moule. L'épaisseur de cette zone a donc diminuée par rapport à l'étape 1a. La zone 113 n'a pas été ou a été faiblement emboutie par le moule. En outre la zone correspondant au motif additionnel 118 définit une autre épaisseur de résine qui est nulle. La structure du motif final 117 avant transfert présente donc deux hauteurs différentes de creux dans la couche de résine, une hauteur de creux nulle correspondant à la zone 108 et une hauteur de creux 114 correspondant au creux laissé par les empreintes 112 du moule 120. Autrement dit, le motif final 117 présente deux profondeurs différentes, une profondeur égale à l'épaisseur de la couche de résine et qui est obtenue à l'issue de la lithographie ultérieure et une profondeur inférieure formée par le creux laissé par les empreintes 112 du moule 120. A l'issue de la lithographie ultérieure, on obtient ainsi bien un motif 117 présentant deux niveaux de profondeur dans la résine. On peut donc mesurer au moins trois épaisseurs de résine différentes et dans un ordre croissant: une première épaisseur 113 là où la couche n'a pas été modifiée ou a été faiblement modifiée, une deuxième épaisseur 114 définie par un creux formé lors de la lithographie préalable et une troisième épaisseur définie par un creux formé lors de la lithographie ultérieure, cette épaisseur étant nulle dans l'exemple illustré en figure 1f. Les motifs ainsi formés sur deux niveaux dans la résine 110 sont transférables dans la couche sous jacente à l'aide d'une gravure sèche anisotrope permettant de transférer des motifs depuis la résine 110 au substrat 100. Cette gravure peut être purement physique : il n'y a pas de réaction chimique avec le substrat 100, la gravure résulte uniquement du bombardement de l'échantillon par des ions (gravure IBE : ion beam etching soit gravure par faisceau d'électrons). Elle peut également être au moins partiellement chimique (PE plasma etching, RIE reactive ion etching). Si le substrat et la résine présentent une sensibilité sensiblement équivalente à la gravure, les motifs seront transférés sans déformation depuis la résine au substrat. Il est possible également d'admettre un certain degré de sélectivité entre la résine et le substrat pour adapter la forme des motifs transférés.
  • Utilisée pour mettre en oeuvre la technique de double damasquinage la structure multidimensionnelle du motif final 117 obtenue à l'issue de la seconde lithographie optique servira, après transfert dans une couche d'oxyde sous jacente, à former les lignes d'interconnexion de la couche de câblage correspondante ainsi que les vias avec la couche de câblage inférieure. Le procédé de l'invention n'est en rien limité à être utilisé seulement pour le double damasquinage. Il peut avantageusement servir pour d'autres applications en lithographie chaque fois où il faut pouvoir obtenir deux épaisseurs de résine 110 différentes ou qu'il faudra faire intervenir des opérations de lithographie devant être mutuellement positionnées avec précision.
  • La figure 1 g montre le résultat de l'utilisation d'une résine négative et d'un masque de type 131. Dans le cas d'une résine photosensible négative ce sont les zones insolées qui deviennent insolubles et restent donc en place après développement de la résine. On obtient comme précédemment, après la seconde lithographie optique, deux niveaux de résine (113 et 114) avec un motif final 119 cependant différent pour d'autres applications du procédé. Comme indiqué ci-dessus cette structure de résine est transférée dans la couche sous jacente en ayant recours à une gravure anisotrope ici non sélective du type gravure plasma afin d'obtenir deux profondeurs de gravure différentes 102 sans déformation des motifs 119.
  • A l'issue de la lithographie ultérieure, on obtient ainsi un motif 119 présentant deux niveaux de profondeur dans la résine. On peut donc mesurer au moins trois épaisseurs de résine différentes et dans un ordre croissant: une première épaisseur 113 là où la couche n'a pas été modifiée ou a été faiblement modifiée, une deuxième épaisseur 114 définie par un creux formé lors de la nano-impression et une troisième épaisseur définie par un creux formé lors de la photolithographie ultérieure, cette épaisseur étant nulle dans l'exemple illustré en figure 1g. Ce motif 119 en trois dimensions peut ainsi être transféré dans le substrat 100.
  • Le procédé décrit ci-dessus permet d'obtenir un excellent alignement entre les deux niveaux de lithographie. C'est-à-dire, entre l'étape de lithographie préalable (impression nanométrique dans le cas illustré) et l'étape de lithographie ultérieure (lithographie optique dans le cas illustré) en utilisant les marques de positionnement 116 imprimées dans la résine 110 lors de l'étape de lithographie préalable. On obtient ainsi des motifs finaux présentant un parfait positionnement des motifs préalables et des motifs additionnels. Lorsque la combinaison de ces motifs définit des motifs en trois dimensions, ces motifs en trois dimensions présentent alors une très bonne définition.
  • L'invention se révèle particulièrement avantageuse pour réaliser des motifs 3D isolés et de très petites dimensions, c'est-à-dire avec des dimensions typiquement inférieures à 100 nanomètres.
  • De manière particulièrement avantageuse, les marques de positionnement sont générées et sont détectées dans la couche résine. L'invention ne nécessite pas d'étape de gravure de marques de positionnement pour les transférer dans le substrat. Aucune étape de gravure ou de stripping ne vient donc dégrader les couches sous jacentes du substrat.
  • Dans l'exemple détaillé précédemment, l'étape de lithographie préalable comprend uniquement une étape de nano-impression. Cela a pour avantage de générer des marques de positionnement par simple emboutissage de la couche de résine. Cette dernière n'a pas besoin d'être développée pour former les reliefs définissant les marques d'alignement. Or, il s'avère que l'utilisation des solutions de développement habituellement utilisées dans les étapes de lithographie optique, électronique ou par faisceau d'ions dégrade la résine. La sensibilité de cette dernière est dégradée ce qui conduit à une diminution de la résolution lors d'étapes ultérieures de lithographie. Le mode de réalisation de l'invention faisant intervenir une nano-impression pour l'étape de lithographie préalable permet donc d'améliorer très significativement la définition des motifs obtenus.
  • En outre, les développements successifs de la résine ont tendance à « éroder » les motifs déjà formés, conduisant ainsi à une réduction du rapport de forme et à une dégradation de la géométrie des motifs finaux. Cela s'avère d'autant plus manifeste que les motifs présentent un rapport de forme élevé. Ainsi, l'invention, en prévoyant une étape de nano-impression pour la formation des marques de positionnement et des motifs préalables, permet de réduire le nombre d'étapes de développement et d'améliorer la géométrie des motifs par rapport aux solutions reposant sur de la photolithographie par exemple pour former les marques de positionnement. Par conséquent, des marques de positionnement, même de très petites dimensions et par exemple destinées à être détectées par diffraction conserveront une bonne géométrie après une étape de développement lors de la lithographie ultérieure et pourront être réutilisées pour une lithographie additionnelle.
  • En outre, l'invention permet l'utilisation de résines photosensibles à tonalité positive ou à tonalité négative.
  • Selon un mode de réalisation, les reliefs du moule destinés à former les marques d'alignement ne présentent pas la même hauteur que les reliefs du moule destinés à former les motifs préalables. Ainsi, les marques d'alignement et les motifs préalables présentent des profondeurs différentes. Typiquement, la profondeur des marques d'alignement est supérieure à celle des motifs préalables. De préférence, la profondeur de toutes les marques d'alignement est identique et la profondeur de tous les motifs préalables est identique. Cette différence de hauteur des reliefs du moule ou de profondeur des marques et des motifs préalables permet d'effectuer pour ces derniers une nano-impression « partielle » de la couche de résine, c'est-à-dire à faible profondeur afin de pouvoir modeler librement les motifs finaux à réaliser. Pour les marques d'alignement, on effectue avantageusement une nano-impression la plus profonde possible pour en améliorer le rapport de forme et la précision ce qui est très important pour permettre une détection précise, par exemple par diffraction et obtenir un positionnement amélioré.
  • Par ailleurs, la mise en oeuvre d'une nano-impression permet de former des marques de positionnement de très faibles dimensions. Elles peuvent ainsi convenir à des systèmes de détection par diffraction ce qui permet d'améliorer la précision du positionnement de l'étape ultérieure de lithographie. Typiquement, l'invention permet d'obtenir des marques de positionnement d'une dizaine ou de quelques dizaines de nanomètres. La précision de l'alignement est typiquement inférieure à 100 nanomètres alors qu'avec les aligneurs conventionnels, reposant typiquement sur une détection optique, la précision de l'alignement est supérieure au millimètre. La précision d'alignement offerte par l'invention permet d'obtenir des motifs finaux en trois dimensions de taille réduite et de qualité améliorée. En effet, alors que les procédés connus ne permettent que d'obtenir des motifs en trois dimensions largement supérieurs au micromètre, l'invention permet aisément d'obtenir des motifs en trois dimension inférieurs au micromètre.
  • L'invention peut aussi s'étendre ainsi aux lithographies hybrides ou composites. Pour rappel une lithographie hybride ou composite met en jeu deux types au moins de lithographie, les motifs effectués au cours des différentes étapes d'une lithographie hybride se chevauchant, alors que les motifs effectués au cours des différentes étapes d'une lithographie composite ne se chevauchent pas.
  • Le nombre d'étapes de lithographie ultérieures utilisant les marques de positionnement n'est pas limité.
  • Les marques de positionnement imprimées peuvent ne pas être gravées. Contrairement au procédé standard de lithographie où les motifs et donc les marques de positionnement, sont systématiquement gravés, on a ici la possibilité de les garder ou de les supprimer ou de les modifier en fonction de ce que l'on souhaite réaliser dans la suite d'un processus de fabrication utilisant le procédé de l'invention. Si les marques doivent être supprimées il suffit, dans le cas d'une résine négative, de ne pas les insoler. Si la résine est positive, il faudra au contraire les insoler. Le masque où le réticule sera adapté en conséquence.
  • On remarquera qu'en gravant les marques de positionnement les étapes de lithographie suivantes pourront les réutiliser sans devoir en générer de nouvelles. On supprime ainsi des étapes de lithographie, gravure et enlèvement de la résine d'où une diminution du taux d'occupation des équipements, des consommables utilisés, conduisant à une diminution du coût de réalisation du dispositif.
  • Les marques de positionnement imprimées dans la résine possèdent une certaine topographie. C'est par ce biais qu'elles peuvent être détectées par les systèmes de positionnement. Par exemple, les systèmes de détections par diffractions de la lumière peuvent les détecter, tout comme des systèmes de reconnaissance optique. Il existe de nombreux systèmes de positionnement développés par les différents équipementiers. Par exemple pour l'équipementier ASML, on peut citer le système TTL acronyme de through the lens c'est-à-dire à travers la lentille ou le système ATH ENA.
  • A titre d'exemple, pour un stepper ASML 300, deux types de marques peuvent être utilisés : les marques désignées PM (Primary Marks) ou les marques désignées SPM (Scribelane Primary Marks)
  • Avec le procédé de l'invention il est possible d'utiliser la plupart des types de marques déjà utilisés d'une façon standard en lithographie pour le positionnement des masques. Si besoin, des adaptations de dimensions, notamment d'épaisseur, pourront être réalisées pour faciliter la détection des motifs réalisés dans la résine par rapport à ceux réalisés classiquement dans le substrat. Par exemple, on pourra, pour les marques PM précédemment définies, augmenter la profondeur de ces marques dans la résine à 400nm contre 120nm pour les mêmes marques réalisées dans des substrats de silicium. Ces ajustements sont à la portée de l'homme du métier qui sait déjà apporter des ajustements similaires en fonction du type de substrats dans lequel ces marques sont réalisées dans l'art antérieur. Il convient de remarquer que les motifs correspondants du moule d'impression devront être bien sûr le miroir des marques standard de positionnement. De plus, il est également nécessaire d'inverser leur topographie. Une marque constituée de tranchées devra être constituées de reliefs sur le moule.
  • La définition des motifs ainsi réalisés, comparée à une technique par une seule étape de nano impression, est meilleure. En effet, grâce à l'étape de formation de motifs additionnels effectuée lors de l'étape de lithographie ultérieure nous avons la possibilité de minimiser tous les problèmes et défauts inhérents au démoulage.
  • En particulier, comme déjà noté précédemment, dans la mise en oeuvre standard de la lithographie par impression nanométrique, les parties de résine embouties par le moule sont considérées comme des résidus qu'il faut pouvoir enlever. Si les motifs additionnels couvrent l'ensemble du fond des zones embouties, alors les résidus peuvent être aisément et précisent retirés.
  • Si les motifs additionnels sont plus petits que le fond des zones embouties et sont ponctuels, alors on peut former des trous verticaux particulièrement utiles pour la création des interconnexions. L'invention permet donc de tirer avantage des résidus inévitablement générés par l'impression nanométrique et qui sont habituellement perçus comme un inconvénient majeur de cette technique.
  • Un autre avantage de la présente invention réside dans le fait qu'elle est plus simple à mettre en oeuvre que les solutions utilisant des couches sacrificielles ou des anti-réflecteurs. Plus précisément, l'invention permet de réduire le nombre d'étapes habituellement nécessaires avec ces solutions connues. L'invention procure donc des avantages significatifs en terme de simplicité, de fiabilité et de coût.
  • Enfin, pour obtenir une meilleure reprise d'alignement après l'étape d'impression du moule dans la résine 110, il est préférable, comme montré sur la figure 2 , de créer une nappe symétrique par rapport aux axes X et Y du substrat 100. Ainsi il est plus facile de corriger les erreurs de rotation, translation, expansion et magnification. Naturellement, les marques de positionnement doivent être situées dans des zones de la plaque lisibles par l'équipement de positionnement qui effectuera l'étape de lithographie ultérieure.
  • L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits mais s'étend à tout mode de réalisation couvert par les revendications.

Claims (19)

  1. Procédé de lithographie comprenant: une étape de préparation au cours de laquelle on dispose une couche de résine (110) sur un substrat (100), une étape de lithographie préalable exécutée pour définir au moins un motif préalable (112) dans la couche de résine (110), caractérisé en ce que:
    • l'étape de lithographie préalable comprend une étape de nano-impression au cours de laquelle un moule (120) comportant des reliefs (122) pénètre dans la couche de résine (110) pour générer le au moins un motif préalable (112) et au moins une marque de positionnement (116) formant un motif dans la couche de résine (110), au moins certains des motifs générés par le moule (120) présentant des profondeurs différentes;
    • et en ce qu'il comprend au moins une étape de lithographie ultérieure appliquée à la couche de résine (110) et comprenant les étapes suivantes :
    - une étape préalable de positionnement consistant à positionner des moyens de lithographie en fonction de la au moins une marque de positionnement (116),
    - au moins une étape de formation de motifs additionnels (118) dans la couche de résine (110) utilisant les moyens de lithographie positionnés en fonction de la au moins une marque de positionnement (116), l'étape de formation des motifs additionnels (118) comprenant une étape d'exposition d'une partie au moins d'un motif préalable (112).
  2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de formation des motifs additionnels (118) est effectuée de sorte à former dans la résine (110) au moins un motif final (119) en saillie présentant au moins deux niveaux de hauteur (113, 114) ou est effectuée de sorte à superposer au moins un motif préalable (112) avec un motif additionnel (118) pour former dans la résine (110) au moins un motif final (117) en creux présentant au moins deux niveaux de profondeur dans la couche de résine (110).
  3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de positionnement comprend la détection des marques de positionnement (116) par diffraction de lumière.
  4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel au moins l'un parmi les motifs additionnels est séparé de l'au moins un motif préalable.
  5. Procédé selon la revendication 1, comprenant, suite à l'au moins une étape de lithographie ultérieure, une étape de transfert consistant à transférer le au moins un motif préalable (112) et les motifs additionnels (118) depuis la couche de résine (110) dans le substrat (100).
  6. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l'au moins une marque de positionnement (116) est conservée à l'issue de l'au moins une étape de lithographie ultérieure ou dans lequel l'au moins une marque de positionnement (116) est supprimée au cours de l'au moins une étape de lithographie ultérieure.
  7. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel l'étape de transfert comprend une étape de gravure de la couche de résine (110) et du substrat (100), la gravure ayant une sélectivité sensiblement identique pour la résine et pour le substrat (100).
  8. Procédé selon l'une quelconque des trois revendications précédentes, dans lequel l'étape de transfert est exécutée de sorte à transférer le au moins un motif final (117, 119) depuis la couche de résine (110) dans le substrat (100) pour former dans le substrat (100) au moins un motif final en trois dimensions présentant deux niveaux de profondeur de gravure.
  9. Procédé selon la revendication précédente comprenant une étape d'apport d'un matériau électriquement conducteur dans le au moins un motif final et dans lequel préalablement à l'étape de préparation, on réalise au moins une couche d'un circuit intégré dans le substrat (100) et dans lequel l'étape de transfert et l'étape d'apport sont exécutées de sorte que le matériau électriquement conducteur forme une ligne ainsi qu'une interconnexion verticale reliant ladite ligne à la au moins une couche du circuit intégré.
  10. Procédé selon la revendication 1, dans lequel dans lequel la résine (110) est une résine photosensible, dans lequel l'étape de formation de motifs additionnels (118) dans la couche de résine (110) comprend une étape de photolithographie et dans lequel ladite exposition comprend une insolation d'une partie au moins de l'au moins un motif préalable (112).
  11. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de formation de motifs additionnels (118) dans la couche de résine (110) comprend une étape de lithographie par faisceau d'électrons ou une étape de lithographie par faisceau d'ions et dans lequel l'exposition comprend une écriture d'une partie au moins de l'au moins un motif préalable (112).
  12. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel l'étape de nano-impression est effectuée de manière à faire apparaître un résidu de résine au fond d'un creux formé par le motif préalable (112) et dans lequel l'étape de formation de motifs additionnels (118) est effectuée de sorte à faire disparaître le résidu de résine dans le fond du creux ou de sorte à créer, dans le résidu de résine, au moins une ouverture s'étendant depuis le creux jusqu'au substrat (100).
  13. Procédé selon la revendication précédente prise en combinaison avec la revendication 10, dans lequel la résine est une résine photosensible positive, dans lequel l'étape de lithographie ultérieure comprend une étape de photolithographie comprenant une étape d'insolation effectuée de sorte à insoler au moins partiellement le résidu de résine de sorte à faire disparaître le résidu de résine dans le fond du creux ou de sorte à créer au moins une ouverture s'étendant depuis le creux jusqu'au substrat (100).
  14. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de lithographie préalable définie des premières zones présentant une première épaisseur (113) et des deuxièmes zones présentant chacune une épaisseur (114) inférieure à la première épaisseur, et dans lequel la au moins une étape de lithographie ultérieure est effectuée de sorte à faire disparaître la résine au moins en partie dans au moins certaines des deuxièmes zones.
  15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant plusieurs étapes de lithographie ultérieures comprenant chacune une étape de formation de motifs additionnels (118), une première étape de lithographie ultérieure comprenant une étape de photolithographie et une deuxième étape de lithographie ultérieure comprenant l'une parmi les étapes suivantes : une étape de photolithographie, une étape de lithographie par faisceau d'électrons, une étape de lithographie par faisceau d'ions.
  16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les motifs préalables (112) présentent une profondeur différente de la profondeur des marques de positionnement (116).
  17. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la profondeur de toutes les marques de positionnement (116) est identique et la profondeur de tous les motifs préalables (112) est identique ou dans lequel le moule (120) présente des reliefs (122) présentant plusieurs hauteurs pour définir des motifs préalables (112) de profondeur différentes.
  18. Ensemble multicouches (200) comprenant un substrat (100) surmonté d'une couche de résine (110), la couche de résine (110) comprenant une pluralité de motifs préalables (112) en creux, caractérisé en ce que la couche de résine (110) comprend au moins une marque de positionnement (116) formant un relief en creux dans la couche de résine (110) et configurée pour permettre le positionnement d'un appareil de lithographie relativement à cette au moins une marque de positionnement (116) et en ce que la au moins une marque de positionnement (116) présente une profondeur supérieure à la profondeur des motifs préalables (112).
  19. Procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique à partir d'un ensemble multicouches (200) selon la revendication précédente, le procédé comprenant au moins une étape de lithographie pour générer des motifs (118) dans la couche de résine (110) de l'ensemble multicouches (200) et faisant intervenir un appareil de lithographie, dans lequel l'étape de lithographie comprend :
    - une étape de positionnement de l'appareil de lithographie, l'étape de positionnement comprenant une étape de détection de l'au moins une marque de positionnement (116) formée dans la couche de résine (110) et une étape de positionnement de l'appareil de lithographie par rapport à l'au moins une marque de positionnement (116) ;
    - l'étape de lithographie comprenant en outre une étape de formation de motifs additionnels (118) dans la couche de résine (110) utilisant l'appareil de lithographie positionné en fonction de la au moins une marque de positionnement (116), l'étape de formation des motifs additionnels (118) comprenant l'exposition d'une partie au moins de l'au moins un motif préalable (112) de sorte à former au moins un motif final (117) en creux présentant au moins deux niveaux de profondeur dans la couche de résine (110) ou un motif final (119) en saillie présentant au moins deux niveaux de hauteur (113, 114).
EP12713162.1A 2011-04-12 2012-04-12 Procédé de lithographie Not-in-force EP2697689B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1153176A FR2974194B1 (fr) 2011-04-12 2011-04-12 Procede de lithographie
PCT/EP2012/056619 WO2012140106A1 (fr) 2011-04-12 2012-04-12 Procédé de lithographie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP2697689A1 EP2697689A1 (fr) 2014-02-19
EP2697689B1 true EP2697689B1 (fr) 2015-07-22

Family

ID=45937378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP12713162.1A Not-in-force EP2697689B1 (fr) 2011-04-12 2012-04-12 Procédé de lithographie

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9429839B2 (fr)
EP (1) EP2697689B1 (fr)
JP (1) JP6057983B2 (fr)
FR (1) FR2974194B1 (fr)
WO (1) WO2012140106A1 (fr)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056503A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 株式会社東芝 欠陥修正方法及び半導体装置の製造方法
DE102013219087A1 (de) * 2013-09-23 2015-03-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bearbeiten eines optoelektronischen Bauteils
TWI559466B (zh) * 2015-04-01 2016-11-21 力成科技股份有限公司 封裝結構及其製造方法
DE102016201206A1 (de) * 2016-01-27 2017-07-27 Automotive Lighting Reutlingen Gmbh Verfahren zur Verarbeitung einer Halteeinrichtung für ein Lichtmodul einer Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs
US11764062B2 (en) * 2017-11-13 2023-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming semiconductor structure
US20220390833A1 (en) * 2021-06-03 2022-12-08 Viavi Solutions Inc. Method of replicating a microstructure pattern

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59308407D1 (de) 1993-01-19 1998-05-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Kontakte und diese verbindende Leiterbahnen umfassenden Metallisierungsebene
US5529953A (en) 1994-10-14 1996-06-25 Toshiba America Electronic Components, Inc. Method of forming studs and interconnects in a multi-layered semiconductor device
US5602423A (en) 1994-11-01 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Damascene conductors with embedded pillars
US5705430A (en) 1995-06-07 1998-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Dual damascene with a sacrificial via fill
US5614765A (en) 1995-06-07 1997-03-25 Advanced Micro Devices, Inc. Self aligned via dual damascene
KR0179292B1 (ko) 1996-04-12 1999-04-15 문정환 반도체소자의 다층배선 형성방법
US6033977A (en) 1997-06-30 2000-03-07 Siemens Aktiengesellschaft Dual damascene structure
US5877076A (en) 1997-10-14 1999-03-02 Industrial Technology Research Institute Opposed two-layered photoresist process for dual damascene patterning
JPH11307449A (ja) * 1998-02-20 1999-11-05 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
JP4532785B2 (ja) * 2001-07-11 2010-08-25 キヤノン株式会社 構造体の製造方法、および液体吐出ヘッドの製造方法
US20050064344A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 University Of Texas System Board Of Regents Imprint lithography templates having alignment marks
CN100483672C (zh) 2003-09-29 2009-04-29 国际商业机器公司 用于在表面上形成多级结构的方法
US7691275B2 (en) 2005-02-28 2010-04-06 Board Of Regents, The University Of Texas System Use of step and flash imprint lithography for direct imprinting of dielectric materials for dual damascene processing
JP4268951B2 (ja) 2005-04-06 2009-05-27 Ｔｄｋ株式会社 ウェハにおける識別情報記入方法
US8011915B2 (en) * 2005-11-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP5213335B2 (ja) 2006-02-01 2013-06-19 キヤノン株式会社 インプリント用モールド、該モールドによる構造体の製造方法
US7690910B2 (en) 2006-02-01 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Mold for imprint, process for producing minute structure using the mold, and process for producing the mold
TWI327257B (en) * 2006-03-03 2010-07-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Exposing method for manufacturing flat panel display
US7780431B2 (en) * 2006-09-14 2010-08-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanoimprint molds and methods of forming the same
CN101205141B (zh) * 2006-12-21 2012-12-26 国际商业机器公司 表面处理方法
WO2011003736A1 (fr) * 2009-07-06 2011-01-13 Asml Netherlands B.V. Appareil lithographique et son procédé de fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
FR2974194A1 (fr) 2012-10-19
US20140109785A1 (en) 2014-04-24
WO2012140106A1 (fr) 2012-10-18
EP2697689A1 (fr) 2014-02-19
US9429839B2 (en) 2016-08-30
JP6057983B2 (ja) 2017-01-11
JP2014517501A (ja) 2014-07-17
FR2974194B1 (fr) 2013-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2697689B1 (fr) Procédé de lithographie
EP3238233B1 (fr) Procédé de réalisation de motifs
EP2426556B1 (fr) Moule pour la lithographie par nano-impression thermique, son procédé de preparation, et procédé de nano-impression thermique le mettant en oeuvre
EP1951610B1 (fr) Procede de formation de moules pour nano-impression
EP3249468B1 (fr) Procédé de réalisation de motifs
EP2577396B1 (fr) Lithographie par impression nanometrique
EP3839626B1 (fr) Procede de fabrication d'un composant horloger
EP2226678B1 (fr) Procédé de fabrication d'un moule pour la lithographie par nano-impression
FR2955520A1 (fr) Moule pour la lithographie par nano-impression et procedes de realisation
EP3889683B1 (fr) Procédé de réalisation d'une zone d'individualisation d'un circuit intégré
EP3252830B1 (fr) Procédé de réalisation de motifs par implantations ioniques
EP2354847B1 (fr) Moule pour la lithographie par nano-impression assistée uv et procédés de réalisation d'un tel moule
EP3238231B1 (fr) Procédé d'obtention de motifs dans une couche
FR3092103A1 (fr) Procédé de fabrication de dispositifs microfluidiques 3D
WO2023046870A1 (fr) Procédé de fabrication d'un moule pour nano-impression et moule associé
JP2017130573A (ja) インプリントモールドの製造方法
CH716966A2 (fr) Procédé de fabrication d'un composant horloger et composant obtenu selon ce procédé.
CH716967A2 (fr) Procédé de fabrication d'un composant horloger et composant obtenu selon ce procédé.

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20131108

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20150216

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: FRENCH

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: REF

Ref document number: 738240

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20150815

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 602012008945

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: MK05

Ref document number: 738240

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20150722

REG Reference to a national code

Ref country code: LT

Ref legal event code: MG4D

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: MP

Effective date: 20150722

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: LV

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: NO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20151022

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20151023

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: RS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20151123

Ref country code: AT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: HR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: PL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20151122

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 602012008945

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 5

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: CZ

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: RO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

26N No opposition filed

Effective date: 20160425

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20160430

Ref country code: SI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20160412

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: MM4A

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20160430

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20160430

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 6

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20160412

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 7

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SM

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: HU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT; INVALID AB INITIO

Effective date: 20120412

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: MK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: TR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

Ref country code: MT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BG

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150722

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20180417

Year of fee payment: 7

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20190412

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20190412

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20200408

Year of fee payment: 9

Ref country code: FR

Payment date: 20200430

Year of fee payment: 9

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R119

Ref document number: 602012008945

Country of ref document: DE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20210430

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20211103