EP2605614B1 - Power supply device with inverter, in particular for an induction cooker - Google Patents

Power supply device with inverter, in particular for an induction cooker Download PDF

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EP2605614B1
EP2605614B1 EP12195871.4A EP12195871A EP2605614B1 EP 2605614 B1 EP2605614 B1 EP 2605614B1 EP 12195871 A EP12195871 A EP 12195871A EP 2605614 B1 EP2605614 B1 EP 2605614B1
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EP
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supply device
switching transistors
power
inverter
power supply
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Cédric GOUMY
Julien Furcy
Didier Gouardo
Etienne Alirol
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Groupe Brandt SAS
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    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/06—Control, e.g. of temperature, of power
    • H05B6/062—Control, e.g. of temperature, of power for cooking plates or the like
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    • H05B6/065—Control, e.g. of temperature, of power for cooking plates or the like using coordinated control of multiple induction coils

Definitions

  • This type of topology is called a single-transistor or quasi-resonant topology and corresponds to a quasi-resonant mounting of the inverter supply device.
  • This maximum power for a given container can be calculated by determining the maximum current flowing in the inductor without the voltage between the collector and the emitter of the switching transistor does not exceed the maximum allowable voltage.
  • the switching control of the switching transistors connected in parallel is performed at the same frequency and in phase.
  • This technology makes it possible to mass-produce on a printed circuit board several inverter power supply devices according to the quasi-resonant topology, the parallel connection of two switching transistors that can be realized on a case-by-case basis for the control at a high speed.
  • the power of some induction hobs by using as an accessory a conductive wire which is connected to the collectors of the transistors in switching at the time of mounting the printed circuit board in an induction cooking appliance.
  • the switching transistors T1, T2 are here as non-limiting examples of the voltage-controlled transistors, commonly known as IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) .
  • the collectors C of the two IGBT switches T1, T2 are electrically connected to one another and connected at a supply node N of the inductive means L1 .
  • the average current flowing in the inductor means L1 is equal to about 30 A.
  • the average current I MOY IGBT in the IGBT switch T1 is equal to approximately 15 A whereas the average current I MOY DIODE in the freewheeling diode D1 is substantially equal to 10 A.
  • the average current in the inductive means L1 is of the order of 35 A.
  • This conductive wire 31 may be for example a copper wire and is attached to the printed circuit board.
  • the two IGBT switches T1, T2 are independent and can drive each inductor means L1, L2 integrated in a resonant circuit consisting of a capacitor C1, C2 connected in parallel with the inductor means L1, L2 and the resistance of a container disposed opposite the inductive means L1, L2.

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Description

La présente invention concerne un dispositif d'alimentation à onduleur de moyens inducteurs intégrés à un circuit résonant.The present invention relates to an inverter supply device of inductive means integrated in a resonant circuit.

Elle concerne également un appareil de cuisson à induction adapté à mettre en oeuvre le dispositif d'alimentation à onduleur conforme à l'invention.It also relates to an induction cooking appliance adapted to implement the inverter supply device according to the invention.

Plus particulièrement, la présente invention concerne le domaine des appareils de cuisson à induction dans lesquels chaque zone ou foyer de cuisson est piloté par un seul élément de puissance intégré dans un dispositif d'alimentation à onduleur.More particularly, the present invention relates to the field of induction cooking appliances in which each zone or cooking zone is controlled by a single power element integrated in an inverter supply device.

On connaît un tel dispositif d'alimentation à onduleur dans le document EP 2 200 398 .Such an inverter supply device is known in the document EP 2 200 398 .

On connaît également un appareil de cuisson à induction décrit dans le document US 4 210 792 , dans lequel un inducteur est monté en série avec deux transistors en commutation montés en parallèle et commandés chacun par un signal de commande indépendant généré par un circuit de commande.Induction cooking apparatus described in the document is also known US 4,210,792 in which an inductor is connected in series with two switching transistors connected in parallel and each controlled by an independent control signal generated by a control circuit.

Un dispositif d'alimentation à onduleur à un seul élément de puissance est décrit dans le document WO 2007/042315 dans lequel les moyens d'induction intégrés à un circuit résonant sont alimentés à partir d'un dispositif d'alimentation à onduleur comportant un transistor en commutation, du type d'un transistor commandé en tension connu sous l'appellation IGBT (acronyme du terme anglais "Insulated Gate Bipolar Transistor"), monté en série avec le circuit résonant.A power inverter device with a single power element is described in the document WO 2007/042315 wherein the induction means integrated with a resonant circuit are supplied from an inverter supply device having a switching transistor of the type of a voltage controlled transistor known as IGBT (acronym for the term English "Insulated Gate Bipolar Transistor" ) , in series with the resonant circuit.

Ce type de topologie est appelé topologie mono-transistor ou quasi-résonnante et correspond à un montage quasi-résonnant du dispositif d'alimentation à onduleur.This type of topology is called a single-transistor or quasi-resonant topology and corresponds to a quasi-resonant mounting of the inverter supply device.

Le transistor en commutation est lui-même monté en parallèle avec une diode de roue libre.The switching transistor is itself connected in parallel with a freewheeling diode.

Un tel dispositif d'alimentation à onduleur fonctionne selon une fréquence de commutation du transistor, correspondant à une période de commande T.Such an inverter supply device operates according to a switching frequency of the transistor, corresponding to a control period T.

Cet interrupteur est également associé à un rapport cyclique de conduction Δ, Δ < 1, défini de telle sorte que le transistor est commuté en position ON pendant une durée ΔT de la période de commande.This switch is also associated with a cyclic conduction ratio Δ, Δ <1, defined so that the transistor is switched to the ON position for a duration ΔT of the control period.

Cette durée ΔT correspond ainsi à la période de conduction du transistor et de la diode de roue libre pour chaque période de commande T.This duration ΔT thus corresponds to the conduction period of the transistor and the freewheeling diode for each control period T.

En modifiant la fréquence de commutation du dispositif d'alimentation à onduleur, il est possible d'ajuster la puissance instantanée délivrée par les moyens inducteurs à un récipient de cuisson.By changing the switching frequency of the inverter supply device, it is possible to adjust the instantaneous power delivered by the inductor means to a cooking vessel.

Dans un tel appareil de cuisson à induction, la puissance instantanée induite dans un récipient placé aux droits des moyens inducteurs est limitée par une puissance maximale continue et une puissance minimale continue liées au fonctionnement du transistor en commutation, du type IGBT.In such an induction cooking appliance, the instantaneous power induced in a container placed at the rights of the inductor means is limited by a maximum continuous power and a minimum continuous power related to the operation of the switching transistor, of the IGBT type.

Ainsi, la puissance minimale continue pouvant être induite dans le récipient par un inducteur de manière continue est limitée par la topologie du transistor en commutation, et notamment par le pic de courant généré dans l'IGBT à la mise ON du transistor.Thus, the continuous minimum power that can be induced in the container by an inductor in a continuous manner is limited by the topology of the switching transistor, and in particular by the current peak generated in the IGBT when the ON of the transistor.

De même, la puissance maximale continue pouvant être induite dans un récipient donné est limitée par la tension maximale admissible entre les bornes du transistor, c'est-à-dire entre le collecteur et l'émetteur de l'IGBT.Similarly, the maximum continuous power that can be induced in a given container is limited by the maximum allowable voltage between the terminals of the transistor, that is to say between the collector and the issuer of the IGBT.

Le dépassement de la tension maximale admissible aux bornes du transistor conduit à la destruction de celui-ci.Exceeding the maximum permissible voltage across the transistor leads to the destruction thereof.

En effet, le transistor en commutation étant monté en série avec les moyens inducteurs, une augmentation de la puissance induite par les moyens inducteurs dans un récipient implique nécessairement une augmentation du courant et de la tension aux bornes du transistor.Indeed, the switching transistor being connected in series with the inductor means, an increase in the power induced by the inductor means in a container necessarily implies an increase in the current and the voltage across the transistor.

Ainsi, la tension maximale admissible aux bornes de l'IGBT contraint nécessairement la puissance induite dans le récipient.Thus, the maximum permissible voltage across the IGBT necessarily forces the induced power in the container.

A titre d'exemple non limitatif, pour des transistors en commutation du type IGBT ayant une tension maximale admissible entre le collecteur et l'émetteur de 1200 V, la puissance générée par un inducteur commandé en commutation par un tel dispositif d'alimentation à onduleur est de l'ordre de 2300 W.By way of non-limiting example, for switching transistors of the IGBT type having a maximum admissible voltage between the collector and the emitter of 1200 V, the power generated by an inductor controlled in commutation by such an inverter supply device is of the order of 2300 W.

Bien entendu, la valeur de la puissance maximale dépend du récipient.Of course, the value of the maximum power depends on the container.

Cette puissance maximale, pour un récipient donné, peut être calculée en déterminant le courant maximal circulant dans l'inducteur sans que la tension entre le collecteur et l'émetteur du transistor en commutation ne dépasse la tension maximale admissible.This maximum power for a given container can be calculated by determining the maximum current flowing in the inductor without the voltage between the collector and the emitter of the switching transistor does not exceed the maximum allowable voltage.

La puissance induite dépend alors de ce courant maximal et de la résistance de charge associée au récipient.The induced power then depends on this maximum current and the load resistance associated with the container.

Pour générer une puissance induite plus élevée, et dans l'exemple donné, supérieure à 2300 W, il est impératif d'utiliser un transistor en commutation pouvant supporter une tension maximale continue supérieure à 1200 V.To generate a higher induced power, and in the given example, greater than 2300 W, it is imperative to use a switching transistor capable of withstanding a maximum continuous voltage greater than 1200 V.

On connaît par exemple dans l'état de la technique des transistors en commutation du type IGBT possédant une tension maximale admissible supérieure à 1200 V, et par exemple de l'ordre de 1600V.For example, in the state of the art, IGBT-type switching transistors having a maximum permissible voltage greater than 1200 V, for example of the order of 1600 V, are known.

Toutefois, l'utilisation d'un tel transistor en commutation ne permet pas d'augmenter la puissance générée par un inducteur compte tenu de la tension relativement élevée entre le collecteur et l'émetteur lorsque le transistor en commutation est à l'état ON.However, the use of such a transistor switching does not increase the power generated by an inductor given the relatively high voltage between the collector and the transmitter when the switching transistor is in the ON state.

La tension entre le collecteur et l'émetteur étant très importante, le transistor va s'échauffer lorsque le courant le parcourt, cet échauffement pouvant conduire à la destruction thermique de ce composant électronique.Since the voltage between the collector and the emitter is very large, the transistor will heat up when the current flows through it, this heating being able to lead to the thermal destruction of this electronic component.

Ce type de transistor n'est donc pas non plus adapté au passage de courant important, qui permettrait la génération d'une puissance induite élevée dans le récipient.This type of transistor is therefore not suitable for large current flow, which would allow the generation of a high induced power in the container.

La présente invention a pour but de résoudre les inconvénients précités et de proposer un dispositif d'alimentation à onduleur selon la revendication 1, permettant d'augmenter la puissance induite par des moyens inducteurs dans un récipient.The present invention aims to solve the aforementioned drawbacks and to provide an inverter power supply device according to claim 1, for increasing the power induced by inductive means in a container.

Le dispositif d'alimentation à onduleur alimente des moyens inducteurs intégrés à un circuit résonant, le dispositif d'alimentation à onduleur ayant une topologie quasi-résonnante et comprenant au moins deux transistors en commutation montés en parallèle, les transistors en commutation étant montés en série avec les moyens inducteurs.The inverter supply device supplies inductive means integrated in a resonant circuit, the inverter supply device having a quasi-resonant topology and comprising at least two switching transistors connected in parallel, the switching transistors being connected in series. with the inductive means.

Le montage en parallèle de transistors en commutation autorise le passage d'un courant électrique important dans le circuit dès lors que le courant électrique est réparti dans les deux transistors en commutation montés en parallèle.The parallel assembly of switching transistors allows the passage of a large electric current in the circuit when the current electrical distribution is distributed in the two switching transistors connected in parallel.

Il est ainsi possible d'utiliser des transistors en commutation ayant une tension maximale admissible importante sans risque d'échauffement de ces transistors en commutation lors du passage du courant dans les transistors en commutation à l'état ON.It is thus possible to use switching transistors having a high maximum permissible voltage without the risk of heating these switching transistors when the current passes through the switching transistors in the ON state.

La puissance induite dans un récipient peut ainsi être augmentée tout en conservant une topologie quasi-résonnante du dispositif d'alimentation à onduleur, du même type que celle utilisée pour piloter des moyens inducteurs par un seul composant électronique de puissance.The power induced in a container can thus be increased while maintaining a quasi-resonant topology of the inverter supply device, of the same type as that used to drive inductive means by a single electronic power component.

Pour la commutation du dispositif d'alimentation à onduleur, un même signal de commande en commutation est adressé à la grille des transistors en commutation.For switching of the inverter supply device, a same switching control signal is addressed to the gate of the switching transistors.

Ainsi, la commande en commutation des transistors en commutation montés en parallèle est réalisée à la même fréquence et en phase.Thus, the switching control of the switching transistors connected in parallel is performed at the same frequency and in phase.

En pratique, les transistors en commutation sont montés respectivement en parallèle avec des diodes de roue libre.In practice, the switching transistors are respectively connected in parallel with freewheeling diodes.

Selon un mode de réalisation pratique de l'invention, les transistors en commutation sont des composants montés sur une plaquette de circuit imprimé, les collecteurs des transistors en commutation étant reliés entre eux par une piste de matériau conducteur déposée sur la plaquette de circuit imprimé.According to a practical embodiment of the invention, the switching transistors are components mounted on a printed circuit board, the collectors of the switching transistors being interconnected by a track of conductive material deposited on the printed circuit board.

Alternativement, les transistors en commutation sont des composants montés sur une plaquette de circuit imprimé, la plaquette de circuit imprimé comprenant un fil conducteur rapporté reliant les collecteurs des transistors en commutation.Alternatively, the switching transistors are components mounted on a printed circuit board, the printed circuit board comprising an attached conductor wire connecting the commutators of the transistors in commutation.

Cette technologie permet de réaliser en grande série sur une plaquette de circuit imprimé plusieurs dispositifs d'alimentation à onduleur selon la topologie quasi-résonnante, le montage en parallèle de deux transistors en commutation pouvant être réalisé au cas par cas pour la commande à une forte puissance de certains foyers de cuisson à induction en utilisant en tant qu'accessoire un fil conducteur qui est connecté aux collecteurs des transistors en commutation au moment du montage de la plaquette de circuit imprimé dans un appareil de cuisson à induction.This technology makes it possible to mass-produce on a printed circuit board several inverter power supply devices according to the quasi-resonant topology, the parallel connection of two switching transistors that can be realized on a case-by-case basis for the control at a high speed. the power of some induction hobs by using as an accessory a conductive wire which is connected to the collectors of the transistors in switching at the time of mounting the printed circuit board in an induction cooking appliance.

La plaquette de circuit imprimé peut ainsi être standardisée, nécessitant moins de références pour la fabrication d'appareils de cuisson à induction.The printed circuit board can thus be standardized, requiring fewer references for the manufacture of induction cooking appliances.

Selon un second aspect, la présente invention concerne également un appareil de cuisson à induction, comprenant au moins un foyer de cuisson comportant des moyens inducteurs intégrés à un circuit résonant.According to a second aspect, the present invention also relates to an induction cooking appliance, comprising at least one cooking zone comprising inductive means integrated in a resonant circuit.

Cet appareil de cuisson comprend un dispositif d'alimentation à onduleur conforme à l'invention.This cooking appliance comprises an inverter supply device according to the invention.

Cet appareil de cuisson présente des caractéristiques et avantages analogues à ceux décrits précédemment en relation avec le dispositif d'alimentation à onduleur.This cooking appliance has characteristics and advantages similar to those described above in connection with the inverter supply device.

D'autres particularités et avantages de l'invention apparaîtront encore dans la description ci-après.Other features and advantages of the invention will become apparent in the description below.

Aux dessins annexés, donnés à titre d'exemples non limitatifs :

  • la figure 1 est une vue schématique d'un appareil de cuisson à induction adapté à intégrer un dispositif d'alimentation à onduleur conforme à l'invention ;
  • la figure 2 est un schéma illustrant le principe d'un dispositif d'alimentation à onduleur conforme à l'invention ; et
  • les figures 3A et 3B illustrent un exemple de mise en oeuvre d'un dispositif d'alimentation à onduleur selon un mode de réalisation de l'invention.
In the accompanying drawings, given as non-limiting examples:
  • the figure 1 is a schematic view of an induction cooking appliance adapted to integrate an inverter supply device according to the invention;
  • the figure 2 is a diagram illustrating the principle of an inverter supply device according to the invention; and
  • the Figures 3A and 3B illustrate an example of implementation of an inverter power supply device according to one embodiment of the invention.

On va décrire tout d'abord en référence à la figure 1 un appareil de cuisson à induction adapté à intégrer un dispositif d'alimentation à onduleur pour la commande de moyens inducteurs.We will first describe with reference to the figure 1 an induction cooking apparatus adapted to integrate an inverter supply device for the control of inductor means.

A titre d'exemples non limitatifs, cet appareil de cuisson peut être une table de cuisson à induction 10 comprenant au moins un foyer de cuisson comportant des moyens inducteurs.As non-limiting examples, this cooking appliance may be an induction hob 10 comprising at least one cooking zone comprising inductive means.

Dans cet exemple, la table de cuisson 10 comporte quatre foyers de cuisson F1, F2, F3, F4, chaque foyer de cuisson comportant des moyens inducteurs.In this example, the hob 10 has four cooking bursts F1, F2, F3, F4, each cooking zone having inductive means.

Ces moyens inducteurs comprennent typiquement une ou plusieurs bobines d'induction montées en série.These inductive means typically comprise one or more induction coils connected in series.

Cette table de cuisson 10 comprend de manière classique une phase de puissance d'alimentation électrique 11, typiquement une alimentation secteur.This hob 10 conventionally comprises a power supply phase 11, typically a mains power supply.

A titre d'exemple, la table de cuisson 10 est alimentée en 32 A, pouvant fournir une puissance maximale de 7200 W à la table de cuisson 10, soit une puissance de 3600 W par phase.For example, the hob 10 is supplied with 32 A, which can provide a maximum power of 7200 W at the hob 10, a power of 3600 W per phase.

On notera que les moyens inducteurs associés à chaque foyer de cuisson F1, F2, F3, F4 peuvent en pratique être réalisés à partir d'une ou plusieurs bobines inductrices dans lesquelles circule le courant électrique, ces bobines étant montées sur une même phase de puissance.It will be noted that the inductive means associated with each cooking zone F1, F2, F3, F4 can in practice be made from one or more induction coils in which the electric current flows, these coils being mounted on the same power phase. .

Une carte de commande de puissance 12 permet de supporter l'ensemble des moyens électroniques et informatiques nécessaires au contrôle de la table de cuisson, et notamment le dispositif d'alimentation à onduleur des moyens inducteurs qui sera décrit ultérieurement.A power control card 12 makes it possible to support all the electronic and computer means necessary for controlling the hob, and in particular the inverter supply device for the inductor means which will be described later.

Bien entendu, la table de cuisson 10 pourrait comporter plusieurs cartes de commande de puissance permettant de répartir l'ensemble des moyens électroniques et informatiques nécessaires au contrôle de cette table de cuisson.Of course, the hob 10 could include several power control cards for distributing all the electronic and computer means necessary for the control of this hob.

En pratique, des liaisons électriques 13 sont prévues entre cette carte de commande de puissance 12 et chaque foyer de cuisson F1, F2, F3, F4.In practice, electrical connections 13 are provided between this power control board 12 and each cooking zone F1, F2, F3, F4.

La carte de commande de puissance 12 est classiquement réalisée à partir d'une plaquette de circuit imprimé.The power control card 12 is conventionally made from a printed circuit board.

Par ailleurs, l'ensemble des moyens inducteurs composant chaque foyer F1, F2, F3, F4 et la carte de commande de puissance 12 sont placés sous une surface plane de cuisson, par exemple réalisée à partir d'une plaque en vitrocéramique.Moreover, all the inductor means constituting each focus F1, F2, F3, F4 and the power control board 12 are placed under a flat cooking surface, for example made from a glass-ceramic plate.

Les foyers de cuisson F1, F2, F3, F4 peuvent en outre être identifiés par une sérigraphie en vis-à-vis des moyens inducteurs composant chaque foyer de cuisson, et placés sous la surface plane de cuisson.The firing heaters F1, F2, F3, F4 can also be identified by screen printing vis-à-vis the inductor means constituting each cooking chamber, and placed under the flat cooking surface.

Bien entendu, bien qu'on ait illustré un exemple de réalisation de table de cuisson 10 dans laquelle quatre zones de cuisson constituant des foyers de cuisson F1, F2, F3, F4 sont prédéfinies dans le plan de cuisson, la présente invention s'applique également à une table de cuisson ayant un nombre variable ou des formes différentes de foyers de cuisson, ou encore, présentant un plan de cuisson sans zone ou foyer de cuisson prédéfinis, ces derniers étant définis au cas par cas par la position du récipient en vis-à-vis d'un sous-ensemble de bobines d'induction disposées sous le plan de cuisson.Of course, although there is illustrated an embodiment of cooktop 10 in which four cooking zones constituting cooking heaters F1, F2, F3, F4 are predefined in the hob, the present invention applies also to a hob having a variable number or different forms of cooking hobs, or, having a hob without predefined zone or cooking zone, the latter being defined case by case by the position of the container screwed to a subset of induction coils arranged under the cooking plane.

Finalement, la table de cuisson 10 comporte également des moyens de commande et d'interface 14 avec l'utilisateur permettant à l'utilisateur de commander en puissance et en durée le fonctionnement de chaque foyer F1, F2, F3, F4.Finally, the hob 10 also comprises control and interface means 14 with the user allowing the user to control in power and duration the operation of each focus F1, F2, F3, F4.

En particulier, l'utilisateur peut par le biais des moyens de commande et d'interface 14 assigner une puissance de consigne à chaque foyer de cuisson recouvert d'un récipient.In particular, the user can through the control and interface means 14 assign a set power to each cooking hearth covered with a container.

La structure d'une telle table de cuisson et le montage des moyens inducteurs n'ont pas besoin d'être décrits plus en détail ici.The structure of such a hob and the mounting of the inductor means do not need to be described in more detail here.

On a illustré à la figure 2 un principe de réalisation d'un dispositif d'alimentation à onduleur selon l'invention.We illustrated at the figure 2 a principle of realization of an inverter supply device according to the invention.

Un tel dispositif d'alimentation à onduleur 20 est adapté à alimenter un des foyers de cuisson F1, F2, F3, F4 de la table de cuisson 10, et par exemple le foyer de cuisson F1, étant entendu que chaque foyer de cuisson peut présenter le même schéma d'alimentation.Such an inverter supply device 20 is adapted to feed one of the cooking hobs F1, F2, F3, F4 of the hob 10, and for example the cooking zone F1, it being understood that each cooking zone may have the same power scheme.

Dans le schéma de principe illustré à la figure 2, une inductance L1 représente à la fois l'inductance des moyens inducteurs du foyer de cuisson F1 et celle d'un récipient à chauffer placé en vis-à-vis, au niveau du foyer de cuisson F1.In the schematic diagram illustrated in figure 2 , an inductor L1 represents both the inductance of the inductive means of the cooking chamber F1 and that of a heating vessel placed opposite, at the cooking zone F1.

Bien que non illustré à la figure 2, le système constitué par un récipient et les moyens d'induction du foyer de cuisson F1 comprend en série avec l'inductance L1 une résistance, caractérisant principalement la résistance du récipient.Although not illustrated at figure 2 , the system consisting of a container and the induction means of the cooking chamber F1 comprises in series with the inductance L1 a resistance, mainly characterizing the resistance of the container.

Les moyens inducteurs L1 sont intégrés à un circuit résonnant, comportant ainsi un condensateur C1 monté en parallèle avec l'inducteur L1 et la résistance.The inductive means L1 are integrated in a resonant circuit, thus comprising a capacitor C1 mounted in parallel with the inductor L1 and the resistor.

Le dispositif d'alimentation à onduleur 20 tel qu'illustré à la figure 2 comprend deux transistors en commutation T1, T2 montés en parallèle.The inverter power supply device 20 as illustrated in FIG. figure 2 comprises two switching transistors T1, T2 connected in parallel.

Ces transistors en commutation T1, T2 sont également montés en série avec les moyens inducteurs L1.These switching transistors T1, T2 are also connected in series with the inductor means L1.

Les transistors en commutation T1, T2 sont ici à titre d'exemples non limitatifs des transistors commandés en tension, couramment appelés interrupteur IGBT (acronyme du terme anglais "Insulated Gate Bipolar Transistor"). The switching transistors T1, T2 are here as non-limiting examples of the voltage-controlled transistors, commonly known as IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) .

On appellera dans la suite de la description les transistors en commutation T1, T2 des interrupteurs IGBT T1, T2.In the remainder of the description, the switching transistors T1, T2 of the IGBT switches T1, T2 will be referred to below.

Chaque interrupteur IGBT T1, T2 est monté en parallèle avec une diode de roue libre D1, D2.Each IGBT switch T1, T2 is connected in parallel with a freewheeling diode D1, D2.

Ce montage en parallèle d'une diode de roue libre D1, D2, entre le collecteur C et l'émetteur E de chaque interrupteur IGBT T1, T2 est utilisé communément dans la topologie quasi-résonnante des dispositifs d'alimentation à onduleur.This parallel connection of a freewheeling diode D1, D2, between the collector C and the emitter E of each IGBT switch T1, T2 is commonly used in the quasi-resonant topology of the inverter supply devices.

Pour réaliser le montage en parallèle des deux interrupteurs IGBT T1, T2, les collecteurs C des deux interrupteurs IGBT T1, T2 sont reliés électriquement l'un à l'autre et connectés au niveau d'un noeud d'alimentation N des moyens inducteurs L1.To perform the parallel connection of the two IGBT switches T1, T2, the collectors C of the two IGBT switches T1, T2 are electrically connected to one another and connected at a supply node N of the inductive means L1 .

Par ailleurs, les émetteurs E des interrupteurs IGBT T1, T2 sont également reliés électriquement l'un à l'autre et mis à la masse.In addition, the emitters E of the IGBT switches T1, T2 are also electrically connected to each other and grounded.

Le fonctionnement d'un tel dispositif d'alimentation à onduleur 20 nécessite un signal de commande en commutation.The operation of such an inverter power supply device 20 requires a switching control signal.

Ce signal de commande est adressé à la grille G des deux interrupteurs IGBT T1, T2.This control signal is addressed to the gate G of the two IGBT switches T1, T2.

En pratique, un même signal de commande, identique en phase et en fréquence, est adressé aux deux interrupteurs IGBT T1, T2 pour contrôler la fréquence de commutation des deux interrupteurs T1, T2.In practice, the same control signal, identical in phase and in frequency, is addressed to the two IGBT switches T1, T2 to control the switching frequency of the two switches T1, T2.

Grâce à ce montage de deux interrupteurs IGBT T1, T2 en parallèle, il est possible d'augmenter la puissance générée par les moyens inducteurs L1 dès lors que le courant électrique circule dans les deux interrupteurs IGBT T1, T2 et non plus dans un seul interrupteur IGBT utilisé classiquement dans l'art antérieur.Thanks to this installation of two IGBT switches T1, T2 in parallel, it is possible to increase the power generated by the inductive means L1 as soon as the electric current flows in the two IGBT switches T1, T2 and no longer in a single switch IGBT conventionally used in the prior art.

On va donner ci-après, à titre d'exemples non limitatifs, des exemples comparatifs de fonctionnement et de puissance générée, pour un dispositif d'alimentation à onduleur comprenant un seul transistor en commutation ou deux transistors en commutation montés en parallèle.Non-limiting examples will be given hereinafter of comparative examples of operation and generated power, for an inverter supply device comprising a single switching transistor or two switching transistors connected in parallel.

On notera que la topologie d'un dispositif d'alimentation à onduleur ne mettant en oeuvre qu'un seul transistor en commutation est identique à celle décrite à la figure 2, le montage ne comprenant qu'un seul transistor en commutation, et par exemple l'interrupteur IGBT T1 monté en parallèle avec la diode de roue libre D1.It will be noted that the topology of an inverter supply device implementing only a single switching transistor is identical to that described in FIG. figure 2 , the assembly comprising only one switching transistor, and for example the IGBT switch T1 connected in parallel with the freewheeling diode D1.

Dans un tel montage, mettant en oeuvre un seul transistor en commutation, l'interrupteur IGBT T1 présente à titre d'exemple non limitatif les caractéristiques suivantes :

  • tension maximale entre collecteur C et émetteur E : VCE MAX = 1200 V;
  • tension entre collecteur C et émetteur E lorsque l'interrupteur IGBT T1 est ON : VCE SAT = 1,85 V;
  • tension aux bornes de la diode de roue libre D1 : VF = 1,7 V.
In such an arrangement, implementing a single switching transistor, the IGBT switch T1 has by way of non-limiting example the following characteristics:
  • maximum voltage between collector C and emitter E: V CE MAX = 1200 V;
  • voltage between collector C and emitter E when the IGBT switch T1 is ON: V CE SAT = 1.85 V;
  • voltage across freewheeling diode D1: V F = 1,7 V.

Lorsque la puissance générée par les moyens inducteurs L1 est de l'ordre de 2300W, le courant moyen circulant dans les moyens inducteurs L1 est égal à 30 A environ.When the power generated by the inductive means L1 is of the order of 2300W, the average current flowing in the inductor means L1 is equal to about 30 A.

Le courant moyen IMOY IGBT dans l'interrupteur IGBT T1 est égal à environ 15 A alors que le courant moyen IMOY DIODE dans la diode D1 de roue libre est sensiblement égal à 10 A.The average current I MOY IGBT in the IGBT switch T1 is equal to approximately 15 A whereas the average current I MOY DIODE in the freewheeling diode D1 is substantially equal to 10 A.

Par conséquent, les pertes dans l'interrupteur IGBT T1, égales à VCE SAT X IMOY IGBT, sont sensiblement égales à 28 W.Consequently, the losses in the IGBT switch T1, equal to V CE SAT XI MOY IGBT , are substantially equal to 28 W.

De même, les pertes dans la diode de roue libre D1, égales à VF x IMOY DIODE sont sensiblement égales à 17 W.Similarly, the losses in the freewheeling diode D1 equal to V F × I MOY DIODE are substantially equal to 17 W.

Les pertes totales dans l'interrupteur IGBT T1 monté en parallèle avec la diode de roue libre D1 sont donc égales à environ 45 W.The total losses in the IGBT switch T1 connected in parallel with the freewheeling diode D1 are therefore equal to approximately 45 W.

L'échauffement lié à ces pertes dans l'interrupteur IGBT T1 et la diode de roue libre D1 est ainsi modéré, de telle sorte que la température du composant électronique se stabilise autour de 85° C au bout de quelques minutes.The heating associated with these losses in the IGBT switch T1 and the freewheeling diode D1 is thus moderate, so that the temperature of the electronic component stabilizes around 85 ° C after a few minutes.

Ainsi, l'utilisation d'un l'interrupteur IGBT T1 présentant une tension maximale continue de 1200 V est compatible avec la génération d'une puissance modérée de l'ordre de 2300 W dans les moyens inducteurs L1.Thus, the use of an IGBT switch T1 having a maximum continuous voltage of 1200 V is compatible with the generation of a moderate power of the order of 2300 W in the inductive means L1.

Lorsqu'on souhaite augmenter la puissance générée par les moyens inducteurs L1, et par exemple permettre la génération d'une puissance de l'ordre de 3000 W, la tension entre le collecteur C et l'émetteur E d'un interrupteur IGBT T1 monté en série avec les moyens inducteurs L1 est de l'ordre de 1350 V, ce qui interdit l'utilisation d'un interrupteur IGBT T1 présentant une tension maximale entre collecteur C et émetteur E de 1200 V.When it is desired to increase the power generated by the inductive means L1, and for example to enable the generation of a power of the order of 3000 W, the voltage between the collector C and the emitter E of a mounted IGBT switch T1 in series with the inductive means L1 is of the order of 1350 V, which prohibits the use of an IGBT switch T1 having a maximum voltage between collector C and emitter E of 1200 V.

On décrit ci-après, à titre d'exemple comparatif, la mise en oeuvre d'un dispositif d'alimentation à onduleur comprenant un unique transistor en commutation mettant en oeuvre l'interrupteur IGBT T1 présentant une tension maximale entre collecteur C et émetteur E supérieure à 1200 V.The following describes, as a comparative example, the implementation of an inverter supply device comprising a single switching transistor using the IGBT switch T1 having a maximum voltage between collector C and emitter E greater than 1200 V.

Par exemple, l'interrupteur IGBT T1 monté en série avec les moyens inducteurs L1 présente les caractéristiques suivantes :

  • tension maximale entre le collecteur C et l'émetteur E : VCE MAX = 1600 V ;
  • tension entre le collecteur C et l'émetteur E lorsque l'interrupteur IGBT T1 est ON : VCE SAT = 2,25 V ;
  • tension aux bornes de la diode de roue D1 : VF = 2V.
For example, the IGBT switch T1 connected in series with the inductive means L1 has the following characteristics:
  • maximum voltage between collector C and emitter E: V CE MAX = 1600 V;
  • voltage between collector C and emitter E when the IGBT switch T1 is ON: V CE SAT = 2.25 V;
  • voltage across the wheel diode D1: V F = 2V.

Lorsque la puissance générée par les moyens inducteurs L1 est de l'ordre de 3000W, le courant moyen circulant dans les moyens inducteurs L1 est de 35 A environ.When the power generated by the inductive means L1 is of the order of 3000W, the average current flowing in the inductive means L1 is about 35A.

Le courant moyen IMOY IGBT circulant dans l'interrupteur IGBT T1 est alors de l'ordre de 17,5 A, alors que le courant moyen IMOY DIODE circulant dans la diode de roue libre D1 est égal à 12,5 A environ.The average current I MOY IGBT flowing in the IGBT switch T1 is then of the order of 17.5 A, while the average current I MOY DIODE flowing in the freewheeling diode D1 is equal to 12.5 A approximately.

Dans ces conditions, les pertes dans l'interrupteur IGBT T1, égales à VCE SAT x IMOY IGBT, sont sensiblement égales à 39 W alors que les pertes dans la diode de roue libre D1, égales à VF x IMOY DIODE, sont sensiblement égales à 25W.Under these conditions, the losses in the IGBT switch T1, equal to V CE SAT × I MOY IGBT , are substantially equal to 39 W while the losses in the freewheeling diode D1, equal to V F × I MOY DIODE , are substantially equal to 25W.

Les pertes totales dans le composant électronique de puissance sont alors égales à environ 64 W.The total losses in the electronic power component are then equal to about 64 W.

Dans ces conditions, l'échauffement lié aux pertes dans l'interrupteur IGBT T1 et la diode de roue libre D1 est très important.Under these conditions, the temperature rise due to the losses in the IGBT switch T1 and the freewheeling diode D1 is very important.

La température du composant électronique de puissance ne se stabilise pas, ce qui provoque sa destruction au bout de quelques minutes.The temperature of the electronic power component does not stabilize, which causes its destruction after a few minutes.

L'utilisation du montage en parallèle des deux transistors en commutation T1, T2 tel qu'illustré à la figure 2 permet de répartir le courant circulant sur les deux interrupteurs IGBT T1, T2.The use of the parallel connection of the two transistors in switching T1, T2 as illustrated in FIG. figure 2 allows to distribute the current flowing on the two IGBT switches T1, T2.

En reprenant l'exemple précédent, dans lequel les l'interrupteurs IGBT T1, T2 présentent une tension maximale entre collecteur et émetteur VCE MAX de l'ordre de 1600 V, les valeurs données ci-dessus pour la tension VCE SAT entre le collecteur C et l'émetteur E et la tension VF aux bornes de la diode de roue libre s'appliquent de la même manière aux deux interrupteurs IGBT T1, T2 associés respectivement aux deux diodes de roue libre D1, D2.Using the previous example, in which the IGBT switches T1, T2 have a maximum voltage between collector and transmitter V EC MAX of the order of 1600 V, the values given above for the voltage V CE SAT between the collector C and the emitter E and the voltage V F across the freewheeling diode are likewise applicable to the two IGBT switches T1, T2 associated respectively with the two freewheeling diodes D1, D2.

Pour une puissance générée de l'ordre de 3000 W, le courant moyen dans les moyens inducteurs L1 est de l'ordre de 35 A.For a generated power of the order of 3000 W, the average current in the inductive means L1 is of the order of 35 A.

Toutefois, dès lors que les deux transistors en commutation T1, T2 montés en parallèle comme illustré à la figure 2 sont sensiblement identiques, le courant moyen IMOY IGBT dans chaque interrupteur IGBT T1, T2 est égal sensiblement à 8,75 A, alors que le courant moyen IMOY DIODE circulant dans chaque diode D1, D2 est de l'ordre de 6,25 A.However, since the two switching transistors T1, T2 connected in parallel as shown in FIG. figure 2 are substantially identical, the average current I MOY IGBT in each IGBT switch T1, T2 is substantially equal to 8.75 A, while the average current I MOY DIODE flowing in each diode D1, D2 is of the order of 6.25 AT.

Ainsi, le courant moyen circulant dans les moyens inducteurs L1 est réparti sur les deux interrupteurs IGBT T1, T2 montés en parallèle.Thus, the average current flowing in the inductor means L1 is distributed over the two IGBT switches T1, T2 connected in parallel.

Dans ces conditions, les pertes dans chaque interrupteur IGBT T1, T2 sont limitées à environ 19,5 W alors que les pertes dans chaque diode D1, D2 sont sensiblement égales à 12,5 W.Under these conditions, the losses in each IGBT switch T1, T2 are limited to about 19.5 W while the losses in each diode D1, D2 are substantially equal to 12.5 W.

Les pertes totales dans chaque interrupteur IGBT T1, T2 associé à une diode de roue libre D1, D2 sont donc sensiblement égales à 32 W.The total losses in each IGBT switch T1, T2 associated with a freewheeling diode D1, D2 are therefore substantially equal to 32 W.

Cette réduction importante des pertes permet de limiter fortement l'échauffement de chaque composant électronique de telle sorte que la température de chaque composant se stabilise autour de 70° au bout de quelques minutes.This significant reduction in losses makes it possible to greatly limit the heating of each electronic component so that the temperature of each component stabilizes around 70 ° after a few minutes.

Ainsi, grâce au montage en parallèle des deux transistors en commutation T1, T2, il est possible de réduire les pertes thermiques au niveau de chaque transistor en commutation et de limiter son échauffement.Thus, thanks to the parallel connection of the two switching transistors T1, T2, it is possible to reduce the heat losses at each switching transistor and to limit its heating.

Bien entendu, les exemples numériques donnés ci-dessus sont purement illustratifs et ne limitent pas la portée de la présente invention.Of course, the numerical examples given above are purely illustrative and do not limit the scope of the present invention.

Le montage en parallèle de deux transistors en commutation T1, T2 peut être réalisé de différentes manières.The parallel connection of two transistors T1, T2 can be realized in different ways.

Dès lors que le dispositif d'alimentation à onduleur 20 est réalisé sur une plaquette de circuit imprimé (Printed Circuit Board ou PCB en terminologie anglo-saxonne), les interrupteurs IGBT T1, T2 sont des composants de puissance de cette plaquette de circuit imprimé.As soon as the inverter supply device 20 is produced on a printed circuit board (PCB), the IGBT switches T1, T2 are power components of this printed circuit board.

La manière la plus simple de réaliser la mise en parallèle de ces composants consiste à relier les collecteurs C des interrupteurs IGBT T1, T2 par une piste de matériau conducteur, par exemple une piste de cuivre déposée sur la plaquette de circuit imprimé.The simplest way to perform the paralleling of these components is to connect the collectors C IGBT switches T1, T2 by a conductive material track, for example a copper track deposited on the printed circuit board.

Ce mode de réalisation permet ainsi de réaliser en série des topologies quasi-résonnantes, le montage en parallèle deux à deux des transistors en commutation T1, T2 pouvant être réalisé au cas par cas en réalisant la connexion entre les collecteurs des transistors avec une piste de matériau conducteur déposée sur la plaquette de circuit imprimé.This embodiment thus makes it possible to produce quasi-resonant topologies in series, the two-to-two parallel connection of the switching transistors T1, T2 being able to be realized on a case-by-case basis by making the connection between the collectors of the transistors with a tracking track. conductive material deposited on the printed circuit board.

Ainsi, pour un appareil de cuisson à induction à quatre sorties de puissance, la plaquette de circuit imprimé peut comporter huit transistors en commutation du type IGBT et fournir quatre sorties de puissance.Thus, for an induction cooking appliance with four power outputs, the printed circuit board may comprise eight IGBT type switching transistors and provide four power outputs.

Les transistors en commutation peuvent être montés par paire comme illustré à la figure 2 et définir ainsi des foyers de cuisson de forte puissance.The switching transistors can be mounted in pairs as shown in FIG. figure 2 and thus define high-power cooking stoves.

En revanche, lorsqu'on souhaite monter uniquement un seul transistor en commutation sur un inducteur, et par exemple un premier transistor en commutation T1 relié à des premiers moyens inducteurs L1, il est inutile de monter un second transistor en commutation T2.On the other hand, when it is desired to mount only a single switching transistor on an inductor, and for example a first switching transistor T1 connected to first inductive means L1, it is unnecessary to mount a second transistor in commutation T2.

Ainsi, la plaquette de circuit imprimé peut être standardisée au niveau des emplacements destinés à recevoir les différents transistors en commutation et des différentes pistes conductrices.Thus, the printed circuit board can be standardized at locations for receiving the different switching transistors and different conductive tracks.

En fonction du montage simple ou en parallèle des transistors en commutation T1, T2, on ne monte pas ou on monte les transistors en commutation T1, T2 aux différents emplacements.Depending on whether the transistors T1, T2 are simply or in parallel, the transistors T1, T2 are not mounted or mounted at the different locations.

On peut ainsi utiliser une plaquette de circuit imprimé standard nécessitant moins de références pour la fabrication d'un appareil de cuisson à induction, quel que soit le type de foyer de cuisson réalisé.It is thus possible to use a standard printed circuit board requiring fewer references for the manufacture of an induction cooking appliance, regardless of the type of cooking stove produced.

Alternativement, comme illustré aux figures 3A et 3B, on peut utiliser en tant qu'accessoire un fil conducteur 31 adapté à relier les collecteurs C des deux interrupteurs IGBT T1, T2, eux-mêmes formant des composants de la plaquette de circuit imprimé.Alternatively, as illustrated in Figures 3A and 3B an accessory wire 31 adapted to connect the collectors C of the two IGBT switches T1, T2, themselves forming components of the printed circuit board, can be used as an accessory.

Ce fil conducteur 31 peut être par exemple un fil de cuivre et est rapporté sur la plaquette de circuit imprimé.This conductive wire 31 may be for example a copper wire and is attached to the printed circuit board.

On réalise ainsi sur une plaquette de circuit imprimé des montages indépendants de plusieurs transistors en commutation, et ici deux interrupteurs IGBT T1, T2 montés respectivement en parallèle avec une diode de roue libre D1, D2.Thus, on a printed circuit board, independent assemblies of a plurality of switching transistors are produced, and here two IGBT switches T1, T2 respectively mounted in parallel with a freewheeling diode D1, D2.

En l'absence d'un fil conducteur 31, comme illustré à la figure 3A, les deux interrupteurs IGBT T1, T2 sont indépendants et peuvent piloter chacun des moyens inducteurs L1, L2 intégrés à un circuit résonnant constitué d'un condensateur C1, C2 monté en parallèle avec les moyens inducteurs L1, L2 et la résistance d'un récipient disposé en vis-à-vis des moyens inducteurs L1, L2.In the absence of a conductive wire 31, as illustrated in FIG. figure 3A , the two IGBT switches T1, T2 are independent and can drive each inductor means L1, L2 integrated in a resonant circuit consisting of a capacitor C1, C2 connected in parallel with the inductor means L1, L2 and the resistance of a container disposed opposite the inductive means L1, L2.

Dans ce type de montage, la puissance induite par les moyens inducteurs L1, L2 reste alors inférieure à 2300 W, chaque moyen inducteur L1, L2 étant piloté par un unique transistor en commutation T1, T2.In this type of arrangement, the power induced by the inductor means L1, L2 then remains less than 2300 W, each inductor means L1, L2 being controlled by a single switching transistor T1, T2.

On notera que dans cette configuration, chaque transistor en commutation T1, T2 peut être piloté par un signal de commande indépendant, et notamment de fréquences différentes.Note that in this configuration, each switching transistor T1, T2 can be controlled by an independent control signal, including different frequencies.

Lorsqu'on souhaite augmenter la puissance générée par des moyens inducteurs, il est alors possible de relier par un fil conducteur 31 les collecteurs C de deux transistors en commutation T1, T2 comme illustré à la figure 3B.When it is desired to increase the power generated by inductive means, it is then possible to connect the collectors C of two switching transistors T1, T2 as shown in FIG. figure 3B .

Dans ce cas, les seconds moyens inducteurs L2 et le second condensateur C2 monté en parallèle sont montés en série avec les collecteurs C des deux transistors en commutation T1, T2.In this case, the second inductor means L2 and the second capacitor C2 connected in parallel are connected in series with the collectors C of the two switching transistors T1, T2.

La puissance maximale pouvant ainsi être induite dans un récipient placé au-dessus des seconds moyens inducteurs L2 peut être supérieure à 2300 W, et par exemple de l'ordre de 3000 W.The maximum power that can thus be induced in a container placed above the second inductor means L2 may be greater than 2300 W, and for example of the order of 3000 W.

Dans ce cas, il n'est pas nécessaire de monter les premiers moyens inducteurs L1 associés au premier condensateur C1.In this case, it is not necessary to mount the first inductor means L1 associated with the first capacitor C1.

Ainsi, en référence aux figures 3A et 3B, un autre mode de réalisation de standardisation de plaquette de circuit imprimé peut être envisagé.Thus, with reference to Figures 3A and 3B another embodiment of standardization of printed circuit board can be envisaged.

Pour un appareil de cuisson à induction à quatre sorties de puissance, la plaquette de circuit imprimé peut comporter quatre transistors en commutation du type IGBT et fournir quatre sorties de puissance pour alimenter quatre foyers de cuisson.For an induction cooker with four power outputs, the printed circuit board may have four IGBT type switching transistors and provide four power outputs for supplying four cooking stoves.

Dans le cas où une sortie de puissance plus élevée est nécessaire, deux transistors en commutation T1, T2 sont reliés entre eux comme illustré à la figure 3B au moyen d'un fil conducteur 31 rapporté sur la plaquette de circuit imprimé de sorte à définir un foyer de cuisson de forte puissance.In the case where a higher power output is required, two switching transistors T1, T2 are connected together as shown in FIG. figure 3B by means of a conductive wire 31 attached to the printed circuit board so as to define a high power cooking hearth.

De cette manière, la plaquette de circuit imprimé comporte quatre transistors en commutation du type IGBT et fournit trois sorties de puissance pour alimenter trois foyers de cuisson, où deux foyers de cuisson sont alimentés classiquement par un seul transistor tel qu'illustré à la figure 3A, et où un foyer de cuisson de forte puissance est alimenté par deux transistors montés en parallèle tel qu'illustré à la figure 3B.In this way, the printed circuit board comprises four switching transistors of the IGBT type and provides three power outputs for supplying three cooking stoves, where two cooking stoves are conventionally powered by a single transistor as illustrated in FIG. figure 3A , and where a high-power cooking hearth is powered by two parallel-connected transistors as illustrated in FIG. figure 3B .

Ainsi, la plaquette de circuit imprimé peut être standardisée au niveau des emplacements destinés à recevoir les différents transistors en commutation et des différentes pistes conductrices.Thus, the printed circuit board can be standardized at locations for receiving the different switching transistors and different conductive tracks.

On peut ainsi utiliser une plaquette de circuit imprimé standard nécessitant moins de références pour la fabrication d'un appareil de cuisson à induction, quels que soient le type et le nombre de foyers de cuisson réalisés.It is thus possible to use a standard printed circuit board requiring fewer references for the manufacture of an induction cooking appliance, regardless of the type and number of cooking hobs made.

Bien entendu, la présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits précédemment.Of course, the present invention is not limited to the embodiments described above.

Ainsi, le dispositif d'alimentation à onduleur pourrait comporter un nombre supérieur à deux de transistors en commutation T1, T2 montés en parallèle.Thus, the inverter supply device could comprise a number greater than two of switching transistors T1, T2 connected in parallel.

Claims (7)

  1. Power supply device with inverter for induction means (L1, L2) integrated in a resonant circuit, the power supply device with inverter having a quasi-resonant topology, comprising at least two switching transistors (T1, T2) connected in parallel, said switching transistors (T1, T2) being connected in series with said induction means (L1, L2), characterised in that one and the same switching control signal, identical in phase and frequency, is sent to the gate (G) of said switching transistors (T1, T2).
  2. Power supply device with inverter according to claim 1, characterised in that said switching transistors (T1, T2) are connected respectively in parallel with freewheeling diodes (D1, D2).
  3. Power supply device with inverter according to either claim 1 or claim 2, characterised in that said switching transistors (T1, T2) are IGBT components.
  4. Power supply device with inverter according to any of claims 1 to 3, characterised in that said collectors (C) of said switching transistors (T1, T2) are connected to each other.
  5. Power supply device with inverter according to any of claims 1 to 4, characterised in that said switching transistors (T1, T2) are components mounted on a printed circuit board, said collectors (C) of said switching transistors (T1, T2) being connected to each other by a track of conductive material deposited on said printed circuit board.
  6. Power supply device with inverter according to any of claims 1 to 4, characterised in that said switching transistors (T1, T2) are components mounted on a printed circuit board, said printed circuit board comprising an attached conductive wire (31), connecting said collectors (C) of said switching transistors (T1, T2).
  7. Induction cooking appliance, comprising at least one cooking oven (F1, F2, F3, F4) comprising induction means integrated in a resonant circuit, characterised in that it comprises a power supply device with inverter (20) according to any of claims 1 to 6.
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