EP2513932A1 - Methods for manufacturing an electrical contact pad and electrical contact - Google Patents

Methods for manufacturing an electrical contact pad and electrical contact

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EP2513932A1
EP2513932A1 EP10793241A EP10793241A EP2513932A1 EP 2513932 A1 EP2513932 A1 EP 2513932A1 EP 10793241 A EP10793241 A EP 10793241A EP 10793241 A EP10793241 A EP 10793241A EP 2513932 A1 EP2513932 A1 EP 2513932A1
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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing an electrical contact pad, including a pad mounting and at least one contact layer, and moreover relates to a method for manufacturing an electrical contact, including a contact mounting and at least one contact layer. Said methods include a step of depositing, by means of cold gas dynamic spraying, a first powder onto said pad or contact mounting so as to form said contact layer, said first powder containing at least particles including grains made of at least one refractive material, said grains being built into a matrix made of conductive metal selected from among silver or copper. The invention also relates to the pads and to the electrical contacts obtained in said respective manufacturing methods.

Description

Description  Description
Procédés de fabrication d'un plot de contact électrique et d'un contact électrique Domaine technique  Methods of manufacturing an electrical contact pad and an electrical contact Technical field
[0001] La présente invention se rapporte au domaine des contacts électriques. Elle concerne, plus particulièrement, un procédé de fabrication d'un plot de contact électrique et un procédé de fabrication d'un contact électrique, ainsi qu'un plot de contact électrique et un contact électrique susceptibles d'être obtenus par leur procédé de fabrication respectif.  The present invention relates to the field of electrical contacts. It relates, more particularly, to a method of manufacturing an electrical contact pad and a method of manufacturing an electrical contact, as well as an electrical contact pad and an electrical contact that can be obtained by their manufacturing method. respective.
Etat de la technique State of the art
[0002] Les contacts électriques dits "basse tension", c'est-à-dire dont la plage de fonctionnement se situe approximativement entre 10 et 1000V et entre 1 et 10000A, sont utilisés généralement dans les domaines domestique, industriel et automobile, aussi bien en courant continu qu'en courant alternatif, pour des interrupteurs, des relais, des contacteurs et des disjoncteurs, etc.  The electrical contacts called "low voltage", that is to say, whose operating range is approximately between 10 and 1000V and between 1 and 10000A, are generally used in the domestic, industrial and automotive, also AC current, for switches, relays, contactors and circuit breakers, etc.
[0003] Les contacts électriques sont réalisés à partir de matériaux qui doivent satisfaire les trois exigences suivantes:  Electrical contacts are made from materials that must meet the following three requirements:
- une résistance de contact faible et stable pour éviter un échauffement excessif lors du passage du courant ;  a low and stable contact resistance to prevent excessive heating during the passage of the current;
- bonne résistance au soudage en présence d'un arc électrique ; et - good resistance to welding in the presence of an electric arc; and
- faible érosion sous l'effet de l'arc. - weak erosion under the effect of the arc.
[0004] Pour satisfaire ces exigences partiellement contradictoires, une solution consiste à utiliser, pour réaliser le plot, des pseudo-alliages comportant une matrice d'argent ou de cuivre et, insérée dans cette matrice, une fraction constituée d'environ 10 à 50% en volume de particules réfractaires (par exemple, Ni, C, W, WC, CdO, SnÛ2) d'une taille généralement comprise entre 1 et 5 μηη. Le matériau ainsi obtenu résiste mieux à l'énergie dégagée par l'arc électrique.  To meet these partially contradictory requirements, one solution is to use, to achieve the plot, pseudo-alloys comprising a matrix of silver or copper and, inserted in this matrix, a fraction consisting of about 10 to 50 % by volume of refractory particles (for example, Ni, C, W, WC, CdO, SnO2) of a size generally between 1 and 5 μηη. The material thus obtained is more resistant to the energy released by the electric arc.
[0005] D'une manière classique connue de l'homme du métier, le plot peut être obtenu à partir de poudres, par compactage-frittage ou compactage- frittage-extrusion-laminage-découpage. Puis, le plot est assemblé sur un support de contact approprié, très bon conducteur d'électricité et de chaleur, pour obtenir un contact électrique. L'assemblage du plot sur le support de contact peut se faire par soudage, brasage ou rivetage par exemple. In a conventional manner known to those skilled in the art, the pad can be obtained from powders, by compacting-sintering or compacting-sintering-extrusion-rolling-cutting. Then, the stud is assembled on a suitable contact support, very good conductor of electricity and heat, to get electrical contact. The assembly of the stud on the contact support can be done by welding, brazing or riveting, for example.
[0006] Plus particulièrement, le support de contact est traditionnellement du cuivre.  More particularly, the contact support is traditionally copper.
Le plot étant réalisé pour être résistant au soudage, l'assemblage du plot sur le cuivre par soudage est difficile. Il est donc nécessaire d'ajouter sur le plot une couche de liaison en argent par exemple.  The pad being made to be resistant to welding, the assembly of the pad on the copper by welding is difficult. It is therefore necessary to add on the pad a silver bonding layer for example.
[0007] Ces procédés classiques comportent de nombreuses opérations qui entraînent un coût de fabrication élevé.  These conventional processes include many operations that result in a high manufacturing cost.
[0008] Par ailleurs, il est très difficile d'assembler le plot par soudage ou brasage sur un support de contact en aluminium, car cela demande de chauffer le support à une température proche de son point de fusion.  Furthermore, it is very difficult to assemble the stud by welding or brazing on an aluminum contact carrier, because it requires heating the support to a temperature close to its melting point.
[0009] Un but de la présente invention est donc de pallier ces inconvénients, en proposant un procédé de fabrication d'un plot de contact électrique et des procédés de fabrication d'un contact électrique permettant de simplifier les procédés connus en réduisant le nombre d'opérations.  An object of the present invention is therefore to overcome these disadvantages, by providing a method of manufacturing an electrical contact pad and methods of manufacturing an electrical contact to simplify the known methods by reducing the number of operations.
[0010] Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un contact électrique permettant d'utiliser plus facilement l'aluminium comme matériau de support de contact électrique.  Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electrical contact making it easier to use aluminum as an electrical contact support material.
Divulgation de l'invention Disclosure of the invention
[001 1] A cet effet, et conformément à un premier aspect de la présente invention, il est proposé un procédé de fabrication d'au moins un plot de contact électrique comprenant un support de plot et au moins une couche de contact, ledit procédé comprenant une étape de dépôt, par projection dynamique par gaz froid, d'une première poudre sur ledit support de plot pour former ladite couche de contact, ladite première poudre contenant au moins des particules comprenant des grains d'au moins un matériau réfractaire incorporés dans une matrice à base de métal conducteur choisi parmi l'argent ou le cuivre.  [001 1] For this purpose, and according to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing at least one electrical contact pad comprising a pad support and at least one contact layer, said method comprising a step of deposition, by dynamic spraying by cold gas, of a first powder on said pad support to form said contact layer, said first powder containing at least particles comprising grains of at least one refractory material incorporated in said a matrix based on conductive metal chosen from silver or copper.
[0012] Selon un autre aspect, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un contact électrique comprenant un support de contact et au moins un plot, ledit procédé comprenant : - une étape de fabrication dudit plot par le procédé de fabrication d'un plot défini ci-dessus, et According to another aspect, the invention relates to a method of manufacturing an electrical contact comprising a contact support and at least one pad, said method comprising: a step of manufacturing said pad by the method of manufacturing a pad defined above, and
- une étape d'assemblage dudit plot sur ledit support de contact.  a step of assembling said stud on said contact support.
[0013] Selon un autre aspect, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un contact électrique comprenant un support de contact et au moins une couche de contact, ledit procédé comprenant une étape de dépôt, par projection dynamique par gaz froid, d'une première poudre sur ledit support de contact pour former ladite couche de contact, ladite première poudre contenant au moins des particules comprenant des grains d'au moins un matériau réfractaire incorporés dans une matrice à base de métal conducteur choisi parmi l'argent ou le cuivre.  According to another aspect, the invention relates to a method of manufacturing an electrical contact comprising a contact support and at least one contact layer, said method comprising a deposition step, by dynamic projection by cold gas, d a first powder on said contact support for forming said contact layer, said first powder containing at least particles comprising grains of at least one refractory material incorporated into a conductive metal matrix selected from silver or silver; copper.
[0014] La présente invention concerne également un plot de contact électrique susceptible d'être obtenu par le procédé de fabrication d'un plot de contact électrique défini ci-dessus.  The present invention also relates to an electrical contact pad that can be obtained by the method of manufacturing an electrical contact pad defined above.
[0015] La présente invention concerne également un contact électrique susceptible d'être obtenu par l'un ou l'autre des procédés de fabrication d'un contact électrique définis ci-dessus.  The present invention also relates to an electrical contact that can be obtained by one or the other of the methods of manufacturing an electrical contact defined above.
Brève description des dessins Brief description of the drawings
[0016] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, faite en référence à la figure 1 annexée, représentant schématiquement un pistolet de projection par cold spray.  The invention will be better understood on reading the description which follows, with reference to Figure 1 attached, schematically showing a spray gun by cold spray.
Modes de réalisation de l'invention Embodiments of the invention
[0017] La présente invention concerne un procédé de fabrication d'au moins un plot de contact électrique comprenant un support de plot et au moins une couche de contact ainsi qu'un procédé similaire appliqué à la fabrication d'au moins un contact électrique comprenant un support de contact et au moins une couche de contact. Les procédés selon l'invention se distinguent tout d'abord en ce qu'ils utilisent la technique de projection dynamique par gaz froid pour déposer une première poudre sur ledit support de plot ou ledit support de contact afin de former ladite couche de contact.  The present invention relates to a method of manufacturing at least one electrical contact pad comprising a pad support and at least one contact layer and a similar method applied to the manufacture of at least one electrical contact comprising a contact support and at least one contact layer. The methods according to the invention are distinguished first of all in that they use the cold gas dynamic projection technique to deposit a first powder on said pad support or said contact support in order to form said contact layer.
[0018] Cette technique de dépôt d'une poudre par projection dynamique par gaz froid, également appelée « cold spray » se caractérise, contrairement aux autres procédés de projection thermique, par une faible température de projection et une forte vitesse de projection des particules de poudre pouvant aller jusqu'à Mach 5. A la différence des procédés plasma ou HVOF où les particules de poudres sont fondues avant d'impacter le substrat, le cold spray, de part une température de gaz de projection n'excédant généralement pas 600°C, ne provoque pas de fusion des particules qui restent donc à l'état solide durant toute la durée de projection. Lors de l'impact sur le substrat, les particules se déforment plastiquement et s'agglomèrent pour former un dépôt. L'intérêt du procédé cold spray par rapport à la projection plasma par exemple est de ne pas trop chauffer les particules composant le dépôt ainsi que le support, d'où une faible oxydation favorable pour obtenir une meilleure conductivité électrique et une bonne cohésion. Le procédé cold spray est par exemple décrit dans le brevet EP 0 484 533. This technique of depositing a powder by dynamic projection by cold gas, also called "cold spray" is characterized, unlike the other thermal spraying processes, by a low projection temperature and a high speed of spraying powder particles up to Mach 5. Unlike plasma or HVOF processes where the powder particles are melted before impacting the substrate, the cold spray, from a projection gas temperature generally not exceeding 600 ° C, does not cause melting of the particles which remain in the solid state throughout the duration of projection. During the impact on the substrate, the particles deform plastically and agglomerate to form a deposit. The advantage of the cold spray process compared to plasma spraying for example is not to overheat the particles comprising the deposit and the support, resulting in favorable low oxidation to obtain better electrical conductivity and good cohesion. The cold spray process is for example described in patent EP 0 484 533.
[0019] Dans la pratique, le principe du procédé cold spray peut être décrit de la manière suivante en référence à la figure 1. La poudre 1 , d'une granulométrie idéalement comprise entre 5 et 50 μηη, est acheminée sous pression au niveau de la buse de projection 2 via un gaz porteur, généralement de même nature que le gaz propulseur 3. L'apport d'énergie cinétique aux particules s'effectue par l'intermédiaire d'un gaz porteur pouvant être chauffé entre 200°C et 650°C afin d'augmenter l'expansion et donc sa vitesse. Le mélange poudre + gaz porteur est porté à une vitesse supersonique en sortie de buse 4 grâce à sa forme particulière (tuyère de Laval 5) qui porte le mélange en sortie à une vitesse largement supersonique. Bien que la température des gaz puisse sembler élevée au premier abord, le divergent de la tuyère 5 entraine une détente des gaz et par conséquent un abaissement de température non négligeable (de 650°C à 250°C). Les particules de poudres, qui par ailleurs ont un temps de séjour extrêmement limité dans le flux de gaz chauds, restent dans tous les cas dans un état solide ou légèrement visqueux (chauffage en surface).  In practice, the principle of the cold spray process can be described in the following manner with reference to Figure 1. The powder 1, a particle size ideally between 5 and 50 μηη, is conveyed under pressure at the level of the spray nozzle 2 via a carrier gas, generally of the same nature as the propellant gas 3. The kinetic energy input to the particles is effected by means of a carrier gas that can be heated between 200 ° C. and 650 ° C. ° C to increase the expansion and therefore its speed. The powder + carrier gas mixture is brought to a supersonic speed at the outlet of the nozzle 4 by virtue of its particular shape (Laval nozzle 5) which carries the mixture at its outlet at a speed that is largely supersonic. Although the temperature of the gases may seem high at first, the divergent nozzle 5 causes a relaxation of the gases and therefore a significant lowering of temperature (650 ° C to 250 ° C). The powder particles, which moreover have an extremely limited residence time in the flow of hot gases, remain in all cases in a solid or slightly viscous state (surface heating).
[0020] On peut considérer que les dépôts cold spray se forment de la façon suivante : - décapage de la surface du substrat : sert de sablage pour nettoyer le support (par exemple élimination des oxydes de surface), afin de permettre ensuite une bonne adhésion de la première coucheIt can be considered that the cold spray deposits are formed as follows: stripping of the surface of the substrate: serves as sandblasting to clean the support (for example removal of the surface oxides), in order then to allow a good adhesion of the first layer
- formation de la première couche sur le substrat - formation of the first layer on the substrate
- construction du dépôt et densification des couches.  - construction of the deposit and densification of the layers.
[0021] Dans le procédé cold spray, il est possible de contrôler sept paramètres, à savoir :  In the cold spray process, it is possible to control seven parameters, namely:
- la nature du gaz propulseur (air, azote, hélium et leurs mélanges) - the nature of the propellant (air, nitrogen, helium and their mixtures)
- la température du gaz propulseur - the temperature of the propellant
- la géométrie de la tuyère  - the geometry of the nozzle
- la pression d'introduction des gaz dans la buse de projection (détente ensuite dans la buse)  - the pressure of introduction of the gases in the projection nozzle (relaxation then in the nozzle)
- les caractéristiques intrinsèques à la poudre (nature, forme, granulométrie, état d'oxydation)  the intrinsic characteristics of the powder (nature, shape, particle size, oxidation state)
- la distance de projection (qui influence la vitesse d'impact sur le substrat)  - the projection distance (which influences the speed of impact on the substrate)
- l'angle de projection.  - the projection angle.
[0022] Le principal paramètre d'influence sur la qualité des dépôts obtenus est la vitesse de projection des particules. En effet, une vitesse trop faible entraine une mauvaise cohésion entre les particules de poudres.  The main influence parameter on the quality of the deposits obtained is the projection speed of the particles. Indeed, too slow a speed causes poor cohesion between the powder particles.
[0023] Un autre paramètre important à considérer est la nature de la poudre utilisée.  Another important parameter to consider is the nature of the powder used.
[0024] Les procédés selon l'invention se distinguent également en ce que la poudre déposée pour former la couche de contact du plot ou du contact électrique, appelée par la suite première poudre, contient au moins des particules comprenant des grains d'au moins un matériau réfractaire incorporés dans une matrice à base de métal conducteur choisi parmi l'argent ou le cuivre.  The processes according to the invention are also distinguished in that the powder deposited to form the contact layer of the pad or of the electrical contact, hereinafter referred to as the first powder, contains at least particles comprising grains of at least a refractory material incorporated in a matrix based on conductive metal selected from silver or copper.
[0025] La première poudre est donc préparée préalablement au dépôt. Plus particulièrement, les particules comprenant les grains d'au moins un matériau réfractaire incorporés dans la matrice de métal conducteur sont obtenues à partir d'un procédé choisi parmi le groupe comprenant les procédés de dépôt physique en phase vapeur (Physical Vapour Déposition PVD), les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (Chemical Vapour Déposition CVD), les procédés electroless, la précipitation chimique sur particules en suspension. The first powder is prepared prior to the deposit. More particularly, the particles comprising the grains of at least one refractory material incorporated in the conductive metal matrix are obtained from a process selected from the group consisting of physical vapor deposition (PVD) processes, chemical vapor deposition (CVD) processes, electroless processes, chemical precipitation on suspended particles.
[0026] Les particules obtenues par précipitation chimique sur particules en suspension, procédé décrit par exemple dans les brevets US 5,846,288 et US 5,963,772, sont particulièrement préférées. En effet, ces particules présentent une structure spongieuse, avec porosité « percolante », c'est-à- dire communiquant entre elles, d'où une grande aptitude à se déformer de façon à ne pas rebondir lors du dépôt par cold spray.  The particles obtained by chemical precipitation on suspended particles, as described for example in US Pat. Nos. 5,846,288 and 5,963,772, are particularly preferred. Indeed, these particles have a spongy structure, with "percolating" porosity, that is to say communicating with each other, resulting in a great ability to deform so as not to bounce during deposition by cold spray.
[0027] D'une manière avantageuse, le matériau réfractaire peut être choisi parmi le groupe comprenant CdO, CuO, SnO2, ZnO, B12O3, C, WC, MgO, ln2O3, ainsi que Ni, Fe, Mo, Zr, W ou leurs oxydes. Advantageously, the refractory material may be chosen from the group comprising CdO, CuO, SnO2, ZnO, B12O3, C, WC, MgO, In 2 O3, as well as Ni, Fe, Mo, Zr, W or their oxides.
[0028] La première poudre peut contenir entre 2% et 50%, de préférence entre 5% et 40%, et plus préférentiellement entre 10% et 40%, en volume de grains de matériau réfractaire par rapport au volume total de la première poudre.  The first powder may contain between 2% and 50%, preferably between 5% and 40%, and more preferably between 10% and 40% by volume of grains of refractory material relative to the total volume of the first powder. .
[0029] Le métal conducteur présent dans la couche de contact du plot ou du contact électrique peut constituer 100% de la matrice comprenant les grains de matériau réfractaire ou une quantité inférieure. Dans ce dernier cas, la première poudre contient en outre des particules de métal pur correspondant au métal conducteur de la matrice renfermant les grains de matériau réfractaire, représentant le reste de métal conducteur présent dans la couche de contact.  The conductive metal present in the contact layer of the pad or the electrical contact may constitute 100% of the matrix comprising the grains of refractory material or a smaller amount. In the latter case, the first powder further contains pure metal particles corresponding to the conductive metal of the matrix containing the grains of refractory material, representing the conductive metal residue present in the contact layer.
[0030] De plus, la première poudre peut contenir également au moins un agent dopant.  In addition, the first powder may also contain at least one doping agent.
[0031] Selon une première possibilité, des particules comprenant des grains d'au moins un agent dopant sont incorporés dans une matrice métallique dont le métal correspond au métal conducteur de la matrice renfermant les grains de matériau réfractaire. Ces particules sont préparées de la même manière que les particules comprenant les grains de matériau réfractaire incorporés dans la matrice de métal conducteur, et sont ensuite mélangées auxdites particules comprenant les grains de matériau réfractaire incorporés dans la matrice de métal conducteur et éventuellement aux particules de métal pur pour former la première poudre. According to a first possibility, particles comprising grains of at least one doping agent are incorporated in a metal matrix whose metal corresponds to the conductive metal of the matrix containing the grains of refractory material. These particles are prepared in the same manner as the particles comprising the grains of refractory material incorporated in the conductive metal matrix, and are then mixed with said particles comprising the grains of refractory material incorporated in the conductive metal matrix and optionally to pure metal particles to form the first powder.
[0032] Selon une deuxième possibilité, au moins un agent dopant est incorporé avec des grains de matériau réfractaire pour les combiner dans leur matrice de métal conducteur. According to a second possibility, at least one doping agent is incorporated with grains of refractory material to combine them in their conductive metal matrix.
[0033] Selon une troisième possibilité, au moins un agent dopant est introduit dans la matrice renfermant les grains de matériau réfractaire.  According to a third possibility, at least one doping agent is introduced into the matrix containing the grains of refractory material.
[0034] De préférence, l'agent dopant est un métal ou un oxyde de ce métal, ledit métal étant choisi parmi le groupe comprenant Bi, Mo, W, Re, In et Cu.  Preferably, the doping agent is a metal or an oxide of this metal, said metal being chosen from the group comprising Bi, Mo, W, Re, In and Cu.
[0035] De préférence, la taille des particules de la première poudre est comprise entre 10 μηη et 300 μηη.  [0035] Preferably, the particle size of the first powder is between 10 μηη and 300 μηη.
[0036] A la fin des procédés selon l'invention, il peut en outre être prévu une étape de mise en forme du plot ou du contact, au niveau de sa surface. Cette mise en forme peut se faire par exemple par déformation plastique (étampage, bouterollage, laminage), par enlèvement de matière (fraisage, rabotage, meulage) ou par les deux éventuellement.  At the end of the methods according to the invention, it may further be provided a step of shaping the stud or the contact, at its surface. This shaping can be done for example by plastic deformation (stamping, pegging, rolling), by removal of material (milling, planing, grinding) or both.
[0037] Selon une première variante de l'invention, le procédé de fabrication d'un contact électrique permet d'obtenir directement un contact électrique comprenant un support de contact et au moins une couche de contact telle que définie ci-dessus.  According to a first variant of the invention, the method of manufacturing an electrical contact makes it possible to obtain an electrical contact directly comprising a contact support and at least one contact layer as defined above.
[0038] Le support de contact est un support conducteur, constitué préférentiellement d'un métal très bon conducteur d'électricité et de chaleur. Typiquement, le support de contact peut être réalisé dans un matériau choisi parmi le groupe comprenant le cuivre, l'aluminium, les alliages de cuivre, les alliages d'aluminium, ou encore un composite constitué d'un métal conducteur et d'un métal à haute limite élastique, par exemple cuivre sur acier.  The contact support is a conductive support, preferably consisting of a very good metal conductor of electricity and heat. Typically, the contact support may be made of a material selected from the group consisting of copper, aluminum, copper alloys, aluminum alloys, or a composite consisting of a conductive metal and a metal with high elastic limit, for example copper on steel.
[0039] Le support de contact peut être revêtu d'un dépôt galvanique d'argent ou de cuivre.  The contact support may be coated with a galvanic deposit of silver or copper.
[0040] Le support de contact peut se présenter sous la forme de pièces individuelles prédécoupées. Le support de contact peut également se présenter sous la forme d'une bande continue. Dans ce cas, le procédé peut comprendre en outre une étape de découpe de ladite bande pour former les contacts électriques. Si le support de contact se présente sous la forme d'une bande, la couche de contact peut être déposée sur le support de contact par un dépôt par cold spray, conformément à l'invention, de manière à former des points de contacts discrets ou au moins une piste continue. The contact support may be in the form of individual pieces precut. The contact support may also be in the form of a continuous strip. In this case, the process may further comprise a step of cutting said strip to form the electrical contacts. If the contact support is in the form of a strip, the contact layer can be deposited on the contact support by cold spray deposition, in accordance with the invention, so as to form discrete contact points or at least one continuous track.
[0041] Dans cette variante, le procédé de fabrication de contact électrique selon l'invention permet d'obtenir directement un contact électrique, en peu d'opérations, contrairement aux procédés classiques de fabrication de contacts électriques.  In this variant, the electrical contact manufacturing method according to the invention makes it possible to directly obtain an electrical contact, in a few operations, contrary to conventional methods of manufacturing electrical contacts.
[0042] Le procédé de dépôt par cold spray a également pour avantage de nettoyer le support de toutes traces d'oxyde, les particules de poudre projetées au début du processus agissant comme un sablage de la surface du support. L'adhésion des particules de poudre projetées ensuite est donc améliorée.  The cold spray deposition process also has the advantage of cleaning the support of any traces of oxide, the powder particles projected at the beginning of the process acting as a sanding of the surface of the support. The adhesion of the powder particles then projected is improved.
[0043] Un tel procédé permet notamment d'éliminer les oxydes présents sur les supports en aluminium, et ainsi de déposer la première poudre sur un support en aluminium pour former un contact électrique comprenant un support de contact en aluminium. Such a method allows in particular to eliminate the oxides present on the aluminum supports, and thus to deposit the first powder on an aluminum support to form an electrical contact comprising an aluminum contact support.
[0044] Selon une deuxième variante de l'invention, le procédé de fabrication d'un contact électrique est tel que le contact électrique est fabriqué en deux temps : une étape de fabrication du plot sur un support de plot, conformément au procédé de fabrication d'un plot décrit ci-dessus, et une étape d'assemblage du plot sur un support de contact électrique approprié en vue d'une utilisation comme contact électrique. According to a second variant of the invention, the method of manufacturing an electrical contact is such that the electrical contact is manufactured in two stages: a step of manufacturing the pad on a pad support, in accordance with the manufacturing method a pad described above, and a step of assembling the pad on a suitable electrical contact support for use as an electrical contact.
[0045] Dans cette variante, le support de plot peut être constitué d'une fine bande continue d'argent ou de cuivre (0.1-1 mm) qui sert de sous-couche pour le brasage ou le soudage. Le dépôt de la première poudre par cold spray pour former la couche de contact peut avoir lieu directement sur cette bande. Comme décrit ci-dessus, cette bande pourra encore subir une opération de mise en forme finale, soit par déformation plastique (laminage), soit par enlèvement de matière (fraisage, rabotage, meulage), soit éventuellement les deux. Il est également possible de partir d'une bande de brasure, puis d'y ajouter les différentes couches décrites ci-dessus. On obtient alors une bande multi-métallique. Le procédé peut en outre comprendre une étape de découpe de ladite bande pour former des plots destinés à être assemblés par un procédé classique (soudage ou brasage) pour leur utilisation comme contact électrique. In this variant, the stud support may consist of a thin continuous band of silver or copper (0.1-1 mm) which serves as an underlayer for soldering or welding. The deposition of the first powder by cold spray to form the contact layer can take place directly on this band. As described above, this band will be able to undergo a final shaping operation, either by plastic deformation (rolling), or by removal of material (milling, planing, grinding), or possibly both. It is also possible to start from a solder band, then to add the different layers described above. A multi-metallic strip is then obtained. The method may further comprise a step of cutting said strip to form pads to be assembled by a conventional method (welding or soldering) for use as an electrical contact.
[0046] Par ailleurs, le procédé de fabrication d'un contact électrique selon l'invention peut comprendre, en outre, préalablement à l'étape de dépôt de la couche de contact, au moins une étape d'application d'au moins une sous-couche de liaison entre le support de contact et la couche de contact.  Furthermore, the method of manufacturing an electrical contact according to the invention may comprise, in addition, prior to the deposition step of the contact layer, at least one application step of at least one bonding sub-layer between the contact support and the contact layer.
[0047] D'une manière avantageuse, ladite étape d'application de la sous-couche de liaison est réalisée par projection dynamique par gaz froid, d'une seconde poudre sur ledit support de contact pour former la sous-couche de liaison, ladite seconde poudre contenant au moins des particules d'un composé métallique conducteur.  Advantageously, said step of applying the bonding sub-layer is performed by dynamic projection by cold gas, a second powder on said contact support to form the bonding sub-layer, said second powder containing at least particles of a conductive metal compound.
[0048] La présence d'une telle sous-couche de liaison est facultative.  The presence of such a bonding sublayer is optional.
[0049] La sous-couche de liaison peut être constituée d'un métal ou d'un alliage métallique ayant une dureté du même ordre de grandeur que celle du support et une conductibilité électrique relativement élevée, par exemple de l'argent, un alliage d'argent avec 5% de cuivre ou une brasure à base d'argent.  The bonding sub-layer may consist of a metal or a metal alloy having a hardness of the same order of magnitude as that of the support and a relatively high electrical conductivity, for example silver, an alloy of silver with 5% copper or silver solder.
[0050] D'une manière similaire, le procédé de fabrication d'un plot électrique selon l'invention peut comprendre, en outre, préalablement à l'étape de dépôt de la couche de contact, au moins une étape d'application, par projection dynamique par gaz froid, d'au moins une seconde poudre sur ledit support de plot pour former au moins une sous-couche de liaison entre le support de plot et la couche de contact. Dans ce cas, l'intervalle de fusion de la sous-couche de liaison devra être nettement plus élevé que la brasure éventuellement utilisée par la suite pour l'assemblage du plot sur le support de contact.  In a similar manner, the method of manufacturing an electrical pad according to the invention may comprise, in addition, prior to the step of depositing the contact layer, at least one application step, by cold gas dynamic projection of at least a second powder on said pad support to form at least one bonding sub-layer between the pad support and the contact layer. In this case, the melting range of the bonding sub-layer must be significantly higher than the solder subsequently used for the assembly of the stud on the contact support.
[0051] Comme pour la première poudre, la taille des particules de la seconde poudre est comprise entre 10 μηη et 300 μηη. [0052] Par ailleurs, les procédé de fabrication du plot ou de fabrication du contact électrique peuvent comprendre, en outre, postérieurement à l'étape de dépôt de la couche de contact, au moins une étape de dépôt, par projection dynamique par gaz froid, d'au moins une troisième poudre pour former au moins une surcouche, ladite troisième poudre présentant une composition différente de la première poudre. As for the first powder, the particle size of the second powder is between 10 μηη and 300 μηη. Furthermore, the method of manufacturing the stud or manufacturing the electrical contact may further comprise, after the deposition step of the contact layer, at least one deposition step, by dynamic projection by cold gas. at least one third powder to form at least one overcoat, said third powder having a composition different from the first powder.
[0053] Comme pour les première et deuxième poudres, la taille des particules de la troisième poudre est comprise entre 10 μηη et 300 μηη.  As for the first and second powders, the particle size of the third powder is between 10 μηη and 300 μηη.
[0054] Plus particulièrement, un autre avantage du procédé de dépôt par cold spray est de pouvoir modifier la buse de projection, la composition des poudres utilisées ainsi que les débits de projection afin d'obtenir au-dessus de la couche de contact, différentes couches, pouvant correspondre à différentes couches de contact présentant des compositions différentes. On peut prévoir par exemple en surface une couche adaptée à des courants faibles, et une autre couche adaptée à des courants plus forts en dessous. On peut également prévoir le dépôt d'une surcouche protectrice pour protéger le plot ou le contact pendant le stockage, cette surcouche étant réalisée dans un matériau choisi pour s'éliminer rapidement lors de l'utilisation du contact électrique.  More particularly, another advantage of the cold spray deposition method is to be able to modify the spray nozzle, the composition of the powders used and the flow rates to obtain above the contact layer, different layers, which can correspond to different contact layers having different compositions. For example, a layer adapted to weak currents may be provided on the surface, and another layer adapted to stronger currents below. It is also possible to provide the deposition of a protective overcoat to protect the pad or the contact during storage, this overcoating being made of a material chosen to be eliminated rapidly when using the electrical contact.
[0055] Les exemples suivants illustrent la présente invention sans toutefois en limiter la portée.  The following examples illustrate the present invention without however limiting the scope thereof.
[0056] Exemples  Examples
[0057] Dans les exemples 1 à 3 décrits ci-dessous, on utilise comme système de projection dynamique par gaz froid le modèle « Kinetic 3000M » fabriqué par la société Cold Gas Technology (CGT). Il comprend une armoire de commande, un réchauffeur de gaz LINDSPRAY® Cold Spray Heater HT 800/30, un distributeur de poudre CGT-PF4000 Comfort, et un pistolet de projection POWER-JET 3000.  In Examples 1 to 3 described below, the model "Kinetic 3000M" manufactured by the company Cold Gas Technology (CGT) is used as a cold gas dynamic projection system. It includes a control cabinet, a LINDSPRAY® Cold Spray Heater HT 800/30, a CGT-PF4000 Comfort powder dispenser, and a POWER-JET 3000 spray gun.
[0058] Exemple 1 (comparatif) Example 1 (comparative)
[0059] On réalise un mélange de poudres d'argent dont la taille était comprise entre 30 et 80 microns et d'un oxyde d'étain dont les grains étaient inférieurs à 20 microns, la composition étant de 8% massique en oxyde (environ 12% volume). It produces a mixture of silver powders whose size was between 30 and 80 microns and a tin oxide whose grains were less than 20 microns, the composition being 8% by mass oxide (about 12% volume).
[0060] Ledit mélange de poudres a été projeté par cold spray, à 30 bars et 300°C sur une plaque de cuivre de 50 mm de long, 27 mm de large et 1 ,5 mm d'épaisseur. Une couche de 2 mm a été déposée. Said mixture of powders was sprayed with cold spray at 30 bar and 300 ° C on a copper plate 50 mm long, 27 mm wide and 1.5 mm thick. A 2 mm layer was deposited.
a. la porosité du dépôt ne dépassait pas 3%  at. the porosity of the deposit did not exceed 3%
b. la structure était macroscopiquement homogène, mais microscopiquement hétérogène  b. the structure was macroscopically homogeneous, but microscopically heterogeneous
c. mais la composition de la couche obtenue ne correspondait pas à la composition initiale : il y avait une perte d'oxyde d'environ 50%.  vs. but the composition of the layer obtained did not correspond to the initial composition: there was an oxide loss of about 50%.
[0061] Exemple 2 (Invention) Example 2 (Invention)
[0062] Une poudre d'un oxyde d'étain a été revêtue d'argent par CVD, de manière à atteindre la composition volumique désirée (20 %). La taille des grains se situait entre 10 et 40 microns. Une couche de 1.5 mm a été projetée par cold spray sur des supports prédécoupés en cuivre et en laiton UZ15 (épaisseur 1.5 mm) dans les conditions optimisées pour cette granulométrie. Les conditions étaient 30 bars et 400°C.  A powder of a tin oxide was coated with silver by CVD, so as to achieve the desired volume composition (20%). The grain size was between 10 and 40 microns. A 1.5 mm layer was sprayed on cold pre-cut substrates made of copper and UZ15 brass (thickness 1.5 mm) in the conditions optimized for this particle size distribution. The conditions were 30 bar and 400 ° C.
a. la porosité du dépôt était faible (< 0,5%)  at. the porosity of the deposit was low (<0.5%)
b. la structure était homogène  b. the structure was homogeneous
c. la composition de la couche obtenue était celle de la poudre projetée d. toutefois, un recuit de détente a mis en évidence une fissuration du dépôt, et  vs. the composition of the layer obtained was that of the sprayed powder d. however, a stress relief annealing revealed a cracking of the deposit, and
e. un test électrique dans les conditions AC3 sur un appareil du commerce (3x400 VAC, 37A) a montré une érosion anormalement élevée comparée au matériau standard obtenu par métallurgie des poudres traditionnelle.  e. an electrical test under AC3 conditions on a commercial device (3x400 VAC, 37A) showed abnormally high erosion compared to standard material obtained by traditional powder metallurgy.
[0063] Exemple 3 (Invention) Example 3 (Invention)
[0064] Une poudre spongieuse d'argent et d'oxyde d'étain obtenue par voie chimique (14% poids d'oxyde, -20% volume) selon la méthode décrite dans le brevet US 5,846,288 a été projetée par cold spray à 30 bars et 600°C, sur des supports préformés en cuivre (épaisseur déposée : 3 mm, support : 4 mm) . Sa granulométrie se situait entre 40 et 300 microns. A spongy powder of silver and tin oxide obtained chemically (14% oxide weight, -20% volume) according to the method described in US Pat. No. 5,846,288 was sprayed by cold spray at 30.degree. bars and 600 ° C, on preformed copper supports (thickness deposited: 3 mm, support: 4 mm). Its particle size was between 40 and 300 microns.
a. la porosité du dépôt était inférieure à 0,1 %  at. the porosity of the deposit was less than 0.1%
b. la structure était homogène  b. the structure was homogeneous
c. la composition de la couche obtenue était celle de la poudre projetée d. un test électrique dans les conditions AC3 (460Ampères, 3x400V) sur un appareil du commerce a montré que la durée de vie était de l'ordre de grandeur de celle des contacts habituels à ce type d'appareil. Une fissuration en fin de vie a été constatée, similaire à celle du matériau standard mais moins profonde.  vs. the composition of the layer obtained was that of the sprayed powder d. an electrical test under conditions AC3 (460Ampers, 3x400V) on a commercial apparatus showed that the service life was of the order of magnitude of that of the usual contacts with this type of apparatus. End-of-life cracking was observed, similar to that of the standard but shallower material.
[0065] Exemple 4 (Invention) Example 4 (Invention)
[0066] Des contacts en argent - métal réfractaire (nickel) ont été élaborés par projection par cold spray, conformément à l'invention, sur des supports prédécoupés en cuivre et en laiton UZ15 (épaisseur 1.5 mm). Les conditions étaient 30 bars et 400°C. Contacts in silver - refractory metal (nickel) were developed by spraying with cold spray, according to the invention, on pre-cut copper and brass UZ15 supports (thickness 1.5 mm). The conditions were 30 bar and 400 ° C.
[0067] La composition initiale était 30 % en masse (33,5% volume) de nickel. La taille des grains de nickel se situait entre 5 et 10 microns.  The initial composition was 30% by weight (33.5% volume) of nickel. The size of the nickel grains was between 5 and 10 microns.
a. la perte de nickel était entre 25% et 50%  at. the nickel loss was between 25% and 50%
b. la structure est homogène macroscopiquement, mais des amas de nickel de l'ordre de 50 μηη ont été observés  b. the structure is macroscopically homogeneous, but nickel clusters of the order of 50 μηη have been observed
c. la porosité du dépôt était limitée à moins de 1 %  vs. the porosity of the deposit was limited to less than 1%
d. un test électrique dans les conditions AC3 sur un appareil du commerce a montré une érosion inférieure de moitié à celle observée avec le matériau standard équipant habituellement cet appareil. Les amas de nickel observés ne sont pas gênants dans la mesure où aucun collage ou aucune résistance de contact prématurés n'ont été observés.  d. an electrical test under AC3 conditions on a commercial device showed an erosion less than half that observed with the standard material usually equipping this device. The observed nickel clusters are not troublesome as no premature bonding or contact resistance was observed.
[0068] Exemple 5 (Comparatif) Des contacts en argent - oxyde réfractaires, de la même composition que ceux de l'exemple 3, mais élaborés par métallurgie des poudres traditionnelle (compactage billettes, extrusion, laminage, découpe) ont été brasés sur des supports en cuivre par courant induit (soudage HF). Example 5 (Comparative) Refractory silver-oxide contacts, of the same composition as those of Example 3, but produced by traditional powder metallurgy (billet compaction, extrusion, rolling, cutting) were brazed on copper substrates by induced current (soldering). HF).
a. la porosité était très inférieure au 1 % (extrusion)  at. the porosity was much lower than 1% (extrusion)
b. la structure était homogène  b. the structure was homogeneous
c. le même test électrique AC3 sur les appareils du même type que ceux de l'exemple 3 a mis en évidence une fissuration importante dès le premier tiers de leur « vie ».  vs. the same AC3 electrical test on the devices of the same type as those of Example 3 showed significant cracking in the first third of their "life".

Claims

Revendications claims
1. Procédé de fabrication d'au moins un plot de contact électrique comprenant un support de plot et au moins une couche de contact, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de dépôt, par projection dynamique par gaz froid, d'une première poudre sur ledit support de plot pour former ladite couche de contact, ladite première poudre contenant au moins des particules comprenant des grains d'au moins un matériau réfractaire incorporés dans une matrice à base de métal conducteur choisi parmi l'argent ou le cuivre.  1. A method of manufacturing at least one electrical contact pad comprising a pad support and at least one contact layer, characterized in that it comprises a deposition step, dynamic projection by cold gas, a first powder on said pad support for forming said contact layer, said first powder containing at least particles comprising grains of at least one refractory material embedded in a conductive metal matrix selected from silver or copper.
2. Procédé de fabrication d'au moins un contact électrique comprenant un support de contact et au moins un plot, caractérisé en ce qu'il comprend :  2. A method of manufacturing at least one electrical contact comprising a contact support and at least one pad, characterized in that it comprises:
- une étape de fabrication dudit plot par le procédé selon la revendication 1 , et a step of manufacturing said block by the method according to claim 1, and
- une étape d'assemblage dudit plot sur ledit support de contact. a step of assembling said stud on said contact support.
3. Procédé de fabrication d'au moins un contact électrique comprenant un support de contact et au moins une couche de contact, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de dépôt, par projection dynamique par gaz froid, d'une première poudre sur ledit support de contact pour former ladite couche de contact, ladite première poudre contenant au moins des particules comprenant des grains d'au moins un matériau réfractaire incorporés dans une matrice à base de métal conducteur choisi parmi l'argent ou le cuivre.  3. A method of manufacturing at least one electrical contact comprising a contact support and at least one contact layer, characterized in that it comprises a deposition step, by dynamic spraying by cold gas, of a first powder on said contact support for forming said contact layer, said first powder containing at least particles comprising grains of at least one refractory material incorporated into a conductive metal matrix selected from silver or copper.
4. Procédé de fabrication d'un plot de contact électrique selon la revendication 1 ou d'un contact électrique selon l'une quelconque des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que la première poudre contient en outre des particules de métal pur, correspondant au métal conducteur de la matrice renfermant les grains de matériau réfractaire.  4. A method of manufacturing an electrical contact pad according to claim 1 or an electrical contact according to any one of claims 2 and 3, characterized in that the first powder further contains particles of pure metal, corresponding to the conductive metal of the matrix containing the grains of refractory material.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première poudre contient en outre des particules comprenant des grains d'au moins un agent dopant incorporés dans une matrice métallique dont le métal correspond au métal conducteur de la matrice renfermant les grains de matériau réfractaire. 5. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that the first powder further contains particles comprising grains of at least one doping agent incorporated in a metal matrix whose metal corresponds to the conductive metal of the matrix containing grains of refractory material.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins un agent dopant est incorporé avec des grains de matériau réfractaire dans leur matrice de métal conducteur. 6. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that at least one doping agent is incorporated with grains of refractory material in their conductive metal matrix.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins un agent dopant est introduit dans la matrice renfermant les grains de matériau réfractaire.  7. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that at least one doping agent is introduced into the matrix containing the grains of refractory material.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que l'agent dopant est un métal ou un oxyde de ce métal, ledit métal étant choisi parmi le groupe comprenant Bi, Mo, W, Re, In et Cu.  8. Process according to any one of Claims 5 to 7, characterized in that the doping agent is a metal or an oxide of this metal, said metal being chosen from the group comprising Bi, Mo, W, Re, In and Cu.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau réfractaire est choisi parmi le groupe comprenant CdO, CuO, SnO2, ZnO, B12O3, C, WC, MgO, ln2O3, ainsi que Ni, Fe, Mo, Zr, W ou leurs oxydes. 9. Process according to any one of the preceding claims, characterized in that the refractory material is chosen from the group comprising CdO, CuO, SnO2, ZnO, B12O3, C, WC, MgO, In 2 O3, as well as Ni, Fe , Mo, Zr, W or their oxides.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première poudre contient entre 2% et 50%, et de préférence entre 5% et 40%, et plus préférentiellement entre 10% et 40%, en volume de grains de matériau réfractaire par rapport au volume total de la première poudre.  10. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that the first powder contains between 2% and 50%, and preferably between 5% and 40%, and more preferably between 10% and 40% by volume of grains of refractory material with respect to the total volume of the first powder.
1 1. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les particules comprenant les grains d'au moins un matériau réfractaire incorporés dans la matrice de métal conducteur sont obtenues à partir d'un procédé choisi parmi le groupe comprenant les procédés de dépôt physique en phase vapeur (Physical Vapour Déposition PVD), les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (Chemical Vapour Déposition CVD), les procédés electroless, la précipitation chimique sur particules en suspension.  Process according to one of the preceding claims, characterized in that the particles comprising the grains of at least one refractory material incorporated in the conductive metal matrix are obtained from a process selected from the group consisting of physical vapor deposition (PVD) processes, chemical vapor deposition (CVD) processes, electroless processes, chemical precipitation on suspended particles.
12. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le support de contact se présente sous la forme de pièces individuelles prédécoupées.  12. Method according to claim 3, characterized in that the contact support is in the form of individual pre-cut pieces.
13. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le support de contact se présente sous la forme d'une bande continue, et en ce que ledit procédé comprend en outre une étape de découpe de ladite bande pour former des contacts électriques. 13. The method of claim 3, characterized in that the contact support is in the form of a continuous strip, and in that said method further comprises a step of cutting said strip to form electrical contacts.
14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche de contact forme sur la bande des points de contact discrets. 14. The method of claim 13, characterized in that the contact layer forms on the strip discrete contact points.
15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche de contact forme sur la bande au moins une piste continue.  15. The method of claim 13, characterized in that the contact layer forms on the strip at least one continuous track.
16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, caractérisé en ce que le support de contact est réalisé dans un matériau choisi parmi le groupe comprenant le cuivre, l'aluminium, les alliages de cuivre, les alliages d'aluminium et un composite acier-cuivre.  16. Method according to any one of claims 12 to 15, characterized in that the contact support is made of a material selected from the group consisting of copper, aluminum, copper alloys, aluminum alloys and a steel-copper composite.
17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 et 12 à 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, préalablement à l'étape de dépôt de la couche de contact, au moins une étape d'application, par projection dynamique par gaz froid, d'au moins une seconde poudre sur ledit support de contact pour former au moins une sous-couche de liaison, ladite seconde poudre contenant au moins des particules d'un composé métallique conducteur.  17. Method according to any one of claims 3 and 12 to 16, characterized in that it further comprises, prior to the step of depositing the contact layer, at least one application step, by dynamic projection by cold gas, at least one second powder on said contact support to form at least one bonding underlayer, said second powder containing at least particles of a conductive metal compound.
18. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, postérieurement à l'étape de dépôt de la couche de contact, au moins une étape de dépôt, par projection dynamique par gaz froid, d'au moins une troisième poudre pour former au moins une surcouche, ladite troisième poudre présentant une composition différente de la première poudre. 18. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that it further comprises, after the step of depositing the contact layer, at least one deposition step, by dynamic projection by cold gas, d at least a third powder for forming at least one overlayer, said third powder having a composition different from the first powder.
19. Procédé selon la revendication 1 , caractérisé en ce qu'il comprend en outre, préalablement à l'étape de dépôt de la couche de contact, au moins une étape d'application, par projection dynamique par gaz froid, d'au moins une seconde poudre sur ledit support de plot pour former au moins une sous-couche de liaison. 19. The method of claim 1, characterized in that it comprises, prior to the step of deposition of the contact layer, at least one step of application, by dynamic projection by cold gas, at least a second powder on said pad support to form at least one bonding underlayer.
20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 17 à 19, caractérisé en ce que la taille des particules des première, seconde et troisième poudres est comprise entre 10 μηη et 300 μηη. 20. Process according to any one of claims 17 to 19, characterized in that the particle size of the first, second and third powders is between 10 μηη and 300 μηη.
21. Procédé selon la revendication 1 , caractérisé en ce que le support de plot se présente sous la forme d'une bande continue, et en ce que ledit procédé comprend en outre une étape de découpe de ladite bande pour former des plots de contact électrique. 21. The method according to claim 1, characterized in that the pad support is in the form of a continuous strip, and in that said method further comprises a step of cutting said strip to form electrical contact pads.
22. Contact électrique susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 2 et 3 et 12 à 17.  22. Electrical contact obtainable by the method according to any one of claims 2 and 3 and 12 to 17.
23. Plot de contact électrique susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 , 19 et 21. 23. Electrical contact block obtainable by the method according to any one of claims 1, 19 and 21.
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