EP2489080A2 - Semiconductor photodetector and radiation detector system - Google Patents

Semiconductor photodetector and radiation detector system

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Publication number
EP2489080A2
EP2489080A2 EP10790888A EP10790888A EP2489080A2 EP 2489080 A2 EP2489080 A2 EP 2489080A2 EP 10790888 A EP10790888 A EP 10790888A EP 10790888 A EP10790888 A EP 10790888A EP 2489080 A2 EP2489080 A2 EP 2489080A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
doping zone
doping
zone
additional
region
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP10790888A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Michael Pierschel
Frank Kudella
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FRANK KUDELLA
MICHAEL PIERSCHEL
Original Assignee
First Sensor AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by First Sensor AG filed Critical First Sensor AG
Publication of EP2489080A2 publication Critical patent/EP2489080A2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration

Definitions

  • the invention relates to new technologies in the field of semiconductor photodetectors. Background of the invention
  • Semiconductor photodetectors which use the so-called avalanche effect for signal amplification, have regions of high electric field strength in a near-surface region of the semiconductor substrate, with the aid of which charge carriers, which are generated due to radiation absorption in the semiconductor substrate and pass through the region of high electric field strength, are multiplied become.
  • the regions of high electric field strength are generated, for example, by generating doping zones assigned to one another in the semiconductor substrate of the photodetector, which are doped correspondingly to different doping types.
  • such semiconductor photodetectors are operated with a bias voltage which is above that for a permanent breakdown of the component structures.
  • a bias voltage which is above that for a permanent breakdown of the component structures.
  • thermally generated charge carriers or charge carriers generated on the basis of radiation absorption penetrate into the region of high field strength and are multiplied there due to avalanche avalanche breakdown, whereby a high current is conducted between the electrical connections or contacts of the semiconductor device. Photodetector arises.
  • the document DE 10 2007 037 020 B3 discloses an avalanche photodiode for the detection of radiation.
  • the object of the invention is to provide new technologies for semiconductor photodetectors, with which on the one hand optimized utilization of the active detector surface and, on the other hand, a photodetector structure which is as simple to produce and configure as possible are made possible.
  • the dependence of the semiconductor photodetector on specific material parameters and structural properties should be reduced.
  • the invention includes the idea of a semiconductor photodetector with:
  • soldering resistance region formed in the semiconductor substrate between the lower doping zone and a contacting layer formed on the backside of the semiconductor substrate
  • a first additional doping zone doped according to the first doping type is arranged in the semiconductor substrate in the region between the lower doping zone and the contacting layer, extending laterally below the at least one intermediate region and into the region below the lower doping zone and in the region is interrupted below the lower doping zone, and
  • a second additional doping zone doped according to the second doping type is arranged in the semiconductor substrate in the region between the lower doping zone and the first additional doping zone, below the at least one Lateral extends laterally and forms a potential barrier between the upper doping zone and the first additional doping zone.
  • the invention provides a radiation detector system comprising the following features: a semiconductor photodetector of the aforementioned type, wherein at least one of the first additional doping zone associated contact terminal is formed and a control circuit which is coupled to the at least one contact terminal and configured, to provide a control signal for a drive potential to be applied to the first additional doping zone.
  • a first and a second additional doping zone are provided in the semiconductor photodetector below the avalanche regions, which are doped correspondingly to different doping types.
  • the second additional doping zone serves to form a potential barrier between the upper doping zone of the avalanche region and the first additional doping zone. Because of this decoupling, it is possible to independently and individually adjust the erasure resistance by applying a corresponding drive potential to the first additional doping zone (subgate doping zone).
  • the avalanche regions together with the non-active regions between them form a contiguous detector surface of the semiconductor photodetector.
  • the avalanche areas form in so far so-called pixel elements of the detector surface.
  • Such a pixel element may be associated with one or more lower doping zones.
  • the first additional doping zones arranged below the detector surface form a network of so-called subgate electrodes.
  • the structural design of the semiconductor photodetector with the additional doping zones makes the operation of the detector independent of manufacturing Material and structure designs such as layer thickness, doping concentrations, layout tolerances or other parameter variations. Even fluctuating temperature influences can be compensated. Different potentials can be applied to the upper doping zone of the avalanche region and the first additional doping zone, although both doping zones are doped correspondingly to the same doping type. This makes it possible to set the avalanche operating point and the extinguishing resistor required for deleting the charge avalanche separately.
  • the invention makes it possible to operate even smaller detector structures functionally, so that the yield of functioning detector structures is increased on a wafer. Large and very large-scale functioning structures are thus made possible in the first place. Utilization of larger area devices allows the integration of arrays with an interrupted top doping zone.
  • a preferred embodiment of the invention provides that the second additional doping zone extends laterally at least over the entire width of the at least one intermediate region.
  • the second additional doping zone extends over the entire region of the at least one intermediate region, which is formed in the lateral direction between the sections of the lower doping zone.
  • the second additional doping zone may optionally extend into the region below the lower doping zone.
  • the second additional doping zone is formed as a continuous doping zone which is depleted in the at least one intermediate region.
  • the production of the continuous doping for the second additional doping zone is possible in this embodiment by means of maskless production. It can therefore be dispensed with the use of masks in the doping.
  • An advantageous embodiment of the invention provides for a contact connection assigned to the first additional doping zone, via which a control circuit can be connected to the first additional doping zone. In a further development, a plurality of such contact terminals are formed, which are each assigned to one or more first additional doping zones.
  • the first additional doping zone formed deeper than the second additional doping zone in the semiconductor substrate and corresponding to the above embodiments may also be used Subgate doping zone can be designated, a drive potential can be applied. When providing multiple contact connections, these can be subjected to different potentials. In this way, in one embodiment it is even possible for different potentials to be applied to a plurality of first additional doping zones which are assigned to a common pixel element. In an expedient embodiment, a plurality of separate contact connections for the first additional doping zones are produced at the edge of the detector surface formed by the field of the pixel elements, that is to say still within and / or already outside the detector surface.
  • the invention also includes methods for operating the semiconductor photodetector, wherein at contact terminals, the first additional Doping zones are assigned, systematic error correcting potentials are applied.
  • a development of the invention provides that the contact connection is formed with an external contact and conductive overlapping doping zones, which are doped according to the first doping type.
  • the formation of the conductive overlapping doping zones can be carried out, for example, with the aid of a mesa structure or a V-groove etching and subsequent doping on the surface.
  • the use of technologies in conjunction with areas of appropriate width filled with doped polysilicon may also be provided. It is sufficient in this connection to provide only one contact terminal for the first additional doping zone, since it extends in a planar manner in the semiconductor substrate, wherein it has recesses opposite the avalanche areas.
  • the contact terminal is formed outside a detector surface.
  • the contact connection is preferably formed on the edge of the detector surface, that is to say adjacent to the surface which is occupied by the avalanche regions defining the pixel elements and the regions formed between them.
  • a further development of the invention provides a further contact connection assigned to the lower doping zone, via which a control circuit can be connected to the lower doping zone.
  • a control circuit which can be coupled to the further contact connection is preferably designed to measure the extinguishment resistance for the soldering resistor region. If the control circuit implemented in this way is combined with the circuit for applying the drive potential via the contact connection to the first additional doping zone, a control possibility for the drive potential is created such that this can be adjusted and regulated as a function of the measured extinguish resistance.
  • a preferred embodiment of the invention provides that the further contact connection is formed with a further external contact and a doping zone, which corresponds to the second Doping type is doped accordingly.
  • the explanations given in connection with the associated version of the contact connection apply accordingly.
  • the further contact connection is formed within the detector surface in an interrupted region of the upper doping zone.
  • An advantageous embodiment of the invention provides that the further contact connection is arranged substantially centrally to an associated Löschwiderstands SB.
  • a further contact connection assigned to the lower doping zone is formed on the semiconductor photodetector and the control circuit is coupled to the further contact connection and is further configured to provide a measured value for the soldering resistance of the Detect semiconductor photodetector and derived therefrom to provide the control signal to be applied to the first additional doping zone drive potential.
  • FIG. 1 is a schematic representation of a portion of a known semiconductor photodetector in cross-section
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector with additional doping zones in cross section
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector with additional doping zones in cross-section, wherein a second additional doping zone is formed interrupted
  • 4 shows a schematic illustration of a section of the semiconductor photodetector according to FIG. 3, wherein a contact connection is formed for one of the additional doping zones
  • FIG. 5 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector with additional doping zones in cross section, wherein the contact connection for the additional doping zone is formed in FIG. 4 in a modified embodiment
  • FIG. 6 is a schematic representation of a portion of a semiconductor photodetector with additional doping zones in cross-section, wherein a further contact terminal for a lower doping zone of the avalanche region is formed,
  • Figure 7 is a schematic representation of a portion of a photodetector system in cross-section, in which between a lower doping zone of the Avalansche region and an additional doping zone, a control circuit is coupled, and
  • Fig. 8 is a schematic representation of a portion of a detector surface of a semiconductor photodetector.
  • Fig. 1 shows a schematic representation of a portion of a known semiconductor photoreceptor in cross section.
  • an upper doping zone 3 is laterally extending and formed continuously on a top side 2.
  • the upper doping zone 3 is doped correspondingly to a first doping type, which is a p-type doping or an n-type doping. Without restricting the generality, it is assumed in the following that in the illustrated exemplary embodiment it is a p-doping.
  • a lower doping zone 4 is formed, which is laterally extending and formed interrupted in intermediate regions 5.
  • the lower doping zone 4 is doped according to a second doping type, which is different from the first doping type. In the selected embodiment, this means that the lower doping zone 4 is provided with an n-doping.
  • a region of high field strength 6 is formed, which leads to the so-called avalanche effect in radiation detection in the semiconductor photodetector and can therefore also be referred to as avalanche region.
  • the region of high field strength 6 takes place after the generation of Charge carriers due to radiation absorption, in particular individual photons, an avalanche-like multiplication.
  • a contacting layer 8 is produced by means of n-doping.
  • the backside contact layer 8 may be disposed directly or via one or more layers on a carrier substrate (not shown).
  • an erosion resistor region 9 extends, which is doped with respect to charge carriers around a depleted region of the substrate 1, which in turn is doped accordingly to the second doping type in the selected embodiment corresponds to an n-doping is.
  • the Löschwiderstands Schemee 9 and the depletion zones 10 are formed during operation of the semiconductor photodetector upon application of a working voltage, such that at the operating point the Löschwiderstands Schemee 9 are still conductive, whereas the depletion zones 10 are gigaohmig. Together with the lower doping zones 4 creates a spatial structure that is mushroom-like or cylindrically symmetric.
  • FIGS. 2 to 7 For the same features in Figs. 2 to 8, the same reference numerals as in Fig. 1 are used.
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector in cross-section, which has additional doping zones in the substrate 1 in comparison with the known detector in FIG. 1.
  • a first additional doping zone 11 is provided, which is doped correspondingly to the first doping type, which corresponds to a p-type doping in the exemplary embodiment chosen here.
  • the first additional doping zone 11 is arranged laterally in the substrate 1 in the region between the lower doping zone 4 and the contacting layer 8.
  • the first additional doping zone 11 is interrupted in a region below the lower doping zone 4.
  • the depletion zone extends 10.
  • the Portions of the first additional doping zone 11 detect in the lateral direction at least the region of the intermediate region 5 and extend below the lower doping zone 4.
  • a second additional doping zone 12 is additionally provided, which is doped correspondingly to the second doping type, which corresponds to an n-doping in the selected exemplary embodiment.
  • the second additional doping zone 12 is formed in the substrate 1 in a region comprising the lower doping zone 4 and the first additional doping zone 11 and the region between them.
  • the second additional doping zone 12 is produced overlapping the lower doping zone 4.
  • the illustration in FIG. 2 shows that the second additional doping zone 12 is lateral is not limited, but rather extends continuously.
  • the second additional doping zone 12 is completely depleted in respect of the charge carriers in the intermediate region 5 lying between the avalanche areas 6, so that a separation of the avalanche areas 6 and insofar as a separation of pixel elements of the detector surface of the semiconductor photodetector is ensured.
  • the second additional doping zone 12 forms a potential barrier between the upper doping zone 3 and the first additional doping zone 11, so that these two doping zones can be connected to different electrical potentials.
  • control of the avalanche breakdown in the region of high electric field strength 6 is made possible independently of the setting of the erase resistance in the erosion resistance region 9.
  • the dashed line 13 symbolizes the center of the avalanche region 6, that is, an associated pixel element.
  • these areas can be designed, for example, circular or hexagonal.
  • Fig. 3 shows a schematic representation of a portion of a semiconductor photodetector in cross-section, which like the detector in Fig. 2 via a first and a second additional Doping zone 11, 12 has, wherein in contrast to the embodiment in Fig. 2, the second additional doping zone 12 is laterally limited, such that it extends exclusively in the intermediate region 5 and thereby the region of the lower doping zone 4 is not detected laterally , In this embodiment too, the second additional doping zone 12 depletes in the intermediate region 5 and forms the potential barrier between the upper doping zone 3 and the first additional doping zone 11.
  • FIG. 4 shows a schematic representation of a semiconductor photodetector in cross section, in which the first additional doping zone 11 is connected to a contact terminal 20, which in the illustrated embodiment is formed with conductive overlapping doping zones 21, 23 and an external contact 24.
  • a contact terminal 20 which in the illustrated embodiment is formed with conductive overlapping doping zones 21, 23 and an external contact 24.
  • the conductive overlapping doping zones 21, ..., 23 are doped according to the first doping type, which corresponds to a p-type doping in the selected embodiment.
  • the connection contact 20 is electrically insulated from the upper doping zone 3 and, in the illustrated embodiment, is located outside the active detector surface, which is formed by the pixel elements assigned to the avalanche regions 6 and the non-active intermediate regions 5 located between them.
  • a single contact terminal 20 is basically sufficient, since the first additional doping zone 11 extends laterally coherently in the area, wherein recesses are formed below the avalanche areas 6. Since the upper doping zone 3 and the first additional doping zone 11 are separated or decoupled by means of the potential barrier provided by the second additional doping zone 12, a different potential can be connected via the contact terminal 20 to the first additional doping zone 11 than to the upper doping zone 3 In this way it is possible to independently control each other.
  • FIG. 5 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector in cross section, wherein the contact terminal 20 for the first additional doping zone 11 in FIG. 4 is formed in a modified embodiment.
  • two of the conductive overlapping doping zones 21, 22 are omitted.
  • the potential of the first additional doping zone 11 can be controlled via the contact terminal 20. Since no direct potential barrier is formed between the doping zone 23 and the associated first additional doping zone 11 in a semiconductor region 25, a potential increase at the external contact 24 causes charge carriers from the associated first additional doping zone 11 to flow via the semiconductor region 25 into the doping zone 23, where the potential of the associated first additional doping zone 11 is also increased quite rapidly.
  • the reverse case of a potential reduction is a very slow process, since in this case a two-dimensional potential barrier is formed between the doping zone 23 and the first additional doping zone 11, which severely impedes direct charge carrier exchange.
  • the potential of the first additional doping zone 11 initially remains at a set value and is changed as long as the light or dark-generated charge carriers flowing into the region around the first additional doping zone 11 up to the space charge width until the two-dimensional potential barrier has been reduced. Charge carriers flowing further into this area flow toward the doping zone 23. The potential of the first additional doping zone 11 then substantially does not change its value any further.
  • FIG. 6 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector in cross-section, in which a further contact connection 30 is formed in the region of the upper side 2 of the substrate 1, which is in contact with the lower doping zone 4 of a single pixel.
  • the upper doping zone 3 is interrupted.
  • the further contact connection 30 is produced with a contact connection doping zone 31 and an external contact 32. The lateral distance between the top doping zone 3 and the contact terminal doping zone 31 is sufficient to prevent avalanche breakdown between the two doping zones.
  • a control circuit 40 which can be used in particular for operating point stabilization.
  • a current is fed into the further contact connection 30 by means of a current source 42.
  • a voltage difference between the further contact terminal 30 and the potential at the rear-side contacting layer 8 now arises.
  • This voltage difference is evaluated by the control circuit 40 and converted into an associated control signal for the potential at the first additional doping zones 11.
  • the design is possible as a bridge circuit without power source.
  • the control circuit 40 is always configured so that the erosion resistance can be measured and derived therefrom, a control signal for the potential at the first additional doping zone 11 can be provided.
  • FIG. 8 shows a schematic representation of a detector surface 70 for a semiconductor photodetector with individual pixel elements 71 and non-active regions 72 formed between them.
  • the further contact connection 30 is established, which is connected to the edge via a contact 73 ,

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Abstract

The invention relates to a semiconductor photodetector, comprising: a semiconductor substrate (1), an upper doping zone (3), a lower doping zone (4). A first additional doping zone (11) and a second additional doping zone (12) are provided below avalanche areas (6), said zones being doped according to different doping types. The first additional doping zone (11) deplets preferably never on carriers and can be used as a subgate-electrode. The second additional doping zone (12) is used for forming a potential barrier between the upper doping zone (3) and the first additional doping zone (11). The snubber resistance of the snubber resistor area can be adjusted independently and individually, a corresponding control potential being applied to the first additional doping zone (11).

Description

Halbleiter-Photodetektor und Strahlungsdetektorsystem  Semiconductor photodetector and radiation detector system
Die Erfindung betrifft neue Technologien auf dem Gebiet der Halbleiter-Photodetektoren. Hintergrund der Erfindung The invention relates to new technologies in the field of semiconductor photodetectors. Background of the invention
Halbleiter-Photodetektoren, die den sogenannten Avalanche-Effekt zur Signalverstärkung nutzen, weisen in einem oberflächennahen Bereich des Halbleitersubstrats Bereiche hoher elektrischer Feldstärke auf, mit deren Hilfe Ladungsträger, die aufgrund von Strahlungsabsorption in dem Halbleitersubstrat erzeugt werden und den Bereich hoher elektrischer Feldstärke passieren, vervielfältigt werden. Die Bereiche hoher elektrischer Feldstärke werden zum Beispiel dadurch erzeugt, dass in dem Halbleitersubstrat des Photodetektors einander zugeordnete Dotierungszonen erzeugt werden, die unterschiedlichen Dotierungstypen entsprechend dotiert sind. Semiconductor photodetectors, which use the so-called avalanche effect for signal amplification, have regions of high electric field strength in a near-surface region of the semiconductor substrate, with the aid of which charge carriers, which are generated due to radiation absorption in the semiconductor substrate and pass through the region of high electric field strength, are multiplied become. The regions of high electric field strength are generated, for example, by generating doping zones assigned to one another in the semiconductor substrate of the photodetector, which are doped correspondingly to different doping types.
Zum Nachweis kleinster Strahlungsmengen bis hin zu einzelnen Photonen werden solche Halbleiter-Photodetektoren mit einer Vorspannung betrieben, die oberhalb der für einen dauerhaften Durchbruch der Bauelementstrukturen liegt. Beim Betrieb des Halbleiter-Photodetektors dringen nach einer bestimmten Zeit thermisch generierte Ladungsträger oder aufgrund von Strahlungsabsorption generierte Ladungsträger in den Bereich hoher Feldstärke ein und werden dort aufgrund des sogenannten Avalanche-Lawinendurchbruchs vervielfältigt, wodurch ein hoher Strom zwischen den elektrischen Anschlüssen oder Kontakten des Halbleiter-Photodetektors entsteht. Wird nun die Spannung an den elektrischen Kontakten des Halbleiter-Photodetektors nicht abgesenkt und unterbleibt es, dass in dem Halbleiter-Photodetektor innere Serienwiderstände eine Verringerung der hohen Feldstärke bewirken, so erfolgt der Durchbruch dauerhaft, da in der entstandenen Ladungsträgerlawine stets neue Ladungsträger erzeugt werden. In order to detect the smallest amounts of radiation down to individual photons, such semiconductor photodetectors are operated with a bias voltage which is above that for a permanent breakdown of the component structures. During operation of the semiconductor photodetector, after a certain time, thermally generated charge carriers or charge carriers generated on the basis of radiation absorption penetrate into the region of high field strength and are multiplied there due to avalanche avalanche breakdown, whereby a high current is conducted between the electrical connections or contacts of the semiconductor device. Photodetector arises. Now, if the voltage at the electrical contacts of the semiconductor photodetector is not lowered and it remains that in the semiconductor photodetector internal series resistors cause a reduction in the high field strength, the breakthrough takes place permanently, as always new charge carriers are generated in the resulting charge carrier avalanche.
Wird jedoch zwischen die Betriebsspannung und die Kontakte des Halbleiter-Photodetektors ein Serienwiderstand eingebracht, so kann aufgrund des Stromimpulses und des hiermit verbunden Spannungsabfalls an den elektrischen Kontakten die Feldstärke in dem Bereich hoher Feldstärke derart verkleinert werden, dass eine dauerhafte Lawinenmultiplikation nicht mehr aufrechterhalten werden kann. In der Folge geht der Strom zurück, und die hohe Feldstärke in dem Bereich hoher Feldstärke stellt sich wieder ein. Ein derartiger Serienwiderstand wird auch als Löschwiderstand (Quench- Widerstand) bezeichnet. However, if a series resistance is introduced between the operating voltage and the contacts of the semiconductor photodetector, the field strength in the region of high field strength can be reduced in such a way that a permanent avalanche multiplication can no longer be maintained due to the current pulse and the voltage drop across the electrical contacts connected thereto , As a result, the power goes back, and the high Field strength in the range of high field strength returns. Such a series resistor is also referred to as an erosion resistor (quench resistor).
All die beschriebenen Prozesse sind zeitabhängig. Für Halbleiter-Photodetektoren mit größerer Detektorfläche werden Schaltzeiten beziehungsweise Erholungszeiten zwischen dem Auslösen einer Ladungsträgerlawine und dem Erlöschen der Lawine, also die Zeit, bevor erneut ein Einzelereignis registriert werden kann, sehr groß. Deshalb wurde vorgeschlagen, die aktive Fläche des Halbleiter-Photodetektors in viele einzelne Pixelelemente aufzuteilen und jedem Pixelelement einen Löschwiderstand zuzuordnen (vgl. beispielsweise Sadygov Z.: „Three advanced designs of micro-pixel avalanche photodiodes: Their present Status, maximum possibilities and limitations , Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 567 (2006)70-73). Bei einer Bauvariante bekannter Avalanche-Photodioden liegt der Löschwiderstand teilweise im Bereich des Strahlungseintrittsfensters. Hierdurch entstehen Nachteile bezüglich der nutzbaren Detektorfläche, da Widerstandsschichten und Metallkontaktierungen diese einschränken. All the processes described are time-dependent. For semiconductor photodetectors with larger detector surface switching times or recovery times between the triggering of a carrier avalanche and the extinction of the avalanche, so the time before again a single event can be registered, very large. Therefore, it has been proposed to divide the active area of the semiconductor photodetector into many individual pixel elements and to assign an erosion resistance to each pixel element (see, for example, Sadygov Z .: "Three advanced designs of micro-pixel avalanche photodiodes: their present status, maximum possibilities and limitations," Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 567 (2006) 70-73). In a construction variant of known avalanche photodiodes, the erase resistance is partly in the region of the radiation entrance window. This results in disadvantages with respect to the usable detector surface, since resistance layers and metal contacts limit these.
In dem Dokument 10 2007 037 020 B3 wurde vorgeschlagen, den Löschwiderstand in dem Halbleitersubstrat des Photodetektors zwischen dem Bereich hoher Feldstärke und einer rückseitigen Kontaktierungsschicht auszubilden. Der Löschwiderstand ist auf diese Weise in der Tiefe des Halbleitersubstrats angeordnet. Diese Bauweise hat jedoch den Nachteil, dass sehr spezielle Anforderungen an das Design des Halbleitersubstrats gestellt werden und eine besondere Abhängigkeit von Materialparametern und Strukturgrößen der Pixelelemente entsteht. In document 10 2007 037 020 B3 it has been proposed to form the erase resistance in the semiconductor substrate of the photodetector between the high field region and a backside contact layer. The erase resistance is thus arranged in the depth of the semiconductor substrate. However, this design has the disadvantage that very special demands are placed on the design of the semiconductor substrate and a special dependence on material parameters and structure sizes of the pixel elements arises.
Das Dokument DE 10 2007 037 020 B3 offenbart eine Avalanche-Photodiode zur Detektion von Strahlung. The document DE 10 2007 037 020 B3 discloses an avalanche photodiode for the detection of radiation.
In dem Dokument WO 2008/011617 wird eine Einzelphotonen- Avalanche-Photodiode beschrieben. Zusammenfassung der Erfindung The document WO 2008/011617 describes a single-photon avalanche photodiode. Summary of the invention
Aufgabe der Erfindung ist es neue Technologien für Halbleiter-Photodetektoren anzugeben, mit denen einerseits eine optimierte Ausnutzung der aktiven Detektorfiäche und andererseits eine möglichst einfach herstellbare und konfigurierbare Photodetektorstruktur ermöglicht sind. Insbesondere soll die Abhängigkeit des Halbleiter-Photodetektors von speziellen Materialparametern und Struktureigenschaften verringert werden. The object of the invention is to provide new technologies for semiconductor photodetectors, with which on the one hand optimized utilization of the active detector surface and, on the other hand, a photodetector structure which is as simple to produce and configure as possible are made possible. In particular, the dependence of the semiconductor photodetector on specific material parameters and structural properties should be reduced.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Halbleiter-Photodetektor nach dem unabhängigen Anspruch 1 sowie ein Strahlungsdetektorsystem nach dem unabhängigen Anspruch 11 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von abhängigen Unteransprüchen. This object is achieved by a semiconductor photodetector according to independent claim 1 and a radiation detector system according to independent claim 11. Advantageous embodiments of the invention are the subject of dependent subclaims.
Die Erfindung umfasst den Gedanken eines Halbleiter-Photodetektors mit: The invention includes the idea of a semiconductor photodetector with:
- einem Halbleitersubstrat,  a semiconductor substrate,
- einer oberen Dotierungszone, die einem ersten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist und sich in dem Halbleitersubstrat an einer Oberseite lateral erstreckt,  an upper doping zone doped according to a first doping type and extending laterally in the semiconductor substrate at an upper side,
- einer unteren Dotierungszone, die einem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist und der oberen Dotierungszone zum Ausbilden von Avalanche-Bereichen zugeordnet ist, derart, dass die untere Dotierungszone sich in dem Halbleitersubstrat der oberen Diodendotierungszone gegenüberliegend lateral erstreckt und unterbrochen ausgeführt ist, indem zumindest ein Zwischenbereich gebildet ist,  a lower doping zone doped according to a second doping type and associated with the upper doping zone for forming avalanche regions, such that the lower doping zone extends laterally in the semiconductor substrate of the upper diode doping zone and is interrupted by at least one intermediate region is formed,
- einem Löschwiderstandsbereich, der in dem Halbleitersubstrat zwischen der unteren Dotierungszone und einer rückseitig an dem Halbleitersubstrat gebildeten Kontaktierungsschicht gebildet ist,  a soldering resistance region formed in the semiconductor substrate between the lower doping zone and a contacting layer formed on the backside of the semiconductor substrate,
- einer ersten zusätzlichen Dotierungszone, die dem ersten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist, in dem Halbleitersubstrat im Bereich zwischen der unteren Dotierungszone und der Kontaktierungsschicht angeordnet ist, sich unterhalb des zumindest einen Zwischenbereiches und bis in den Bereich unterhalb der unteren Dotierungszone hinein lateral erstreckt und im Bereich unterhalb der unteren Dotierungszone unterbrochen ist, und a first additional doping zone doped according to the first doping type is arranged in the semiconductor substrate in the region between the lower doping zone and the contacting layer, extending laterally below the at least one intermediate region and into the region below the lower doping zone and in the region is interrupted below the lower doping zone, and
- einer zweiten zusätzlichen Dotierungszone, die dem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist, in dem Halbleitersubstrat im Bereich zwischen der unteren Dotierungszone und der ersten zusätzlichen Dotierungszone angeordnet ist, sich unterhalb des zumindest einen Zwischenbereiches lateral erstreckt und eine Potentialbarriere zwischen der oberen Dotierungszone und der ersten zusätzlichen Dotierungszone bildet. a second additional doping zone doped according to the second doping type is arranged in the semiconductor substrate in the region between the lower doping zone and the first additional doping zone, below the at least one Lateral extends laterally and forms a potential barrier between the upper doping zone and the first additional doping zone.
Weiterhin ist mit der Erfindung ein Strahlungsdetektorsystem geschaffen, welches die folgenden Merkmale aufweist: einen Halbleiter-Photodetektor der vorgenannten Art, bei dem mindestens ein der ersten zusätzlichen Dotierungszone zugeordneter Kontaktanschluss gebildet ist und eine Steuerschaltung, die an den mindestens einen Kontaktanschluss gekoppelt und konfiguriert ist, ein Steuersignal für ein an die erste zusätzliche Dotierungszone anzulegendes Ansteuerpotential bereitzustellen. Furthermore, the invention provides a radiation detector system comprising the following features: a semiconductor photodetector of the aforementioned type, wherein at least one of the first additional doping zone associated contact terminal is formed and a control circuit which is coupled to the at least one contact terminal and configured, to provide a control signal for a drive potential to be applied to the first additional doping zone.
Erfindungsgemäß sind in dem Halbleiter-Photodetektor unterhalb der Avalanche-Bereiche eine erste und eine zweite zusätzliche Dotierungszone vorgesehen, die unterschiedlichen Dotierungstypen entsprechend dotiert sind. Die tiefer im Halbleitersubstrat, welches seinerseits dem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist, liegende erste zusätzliche Dotierungszone verarmt vorzugsweise niemals an Ladungsträgern. Sie kann insoweit als eine tiefliegende Gate-Elektrode (Subgate-Elektrode) benutzt werden, weshalb die erste zusätzliche Dotierungszone auch als eine Subgate-Dotierungszone bezeichnet werden kann. According to the invention, a first and a second additional doping zone are provided in the semiconductor photodetector below the avalanche regions, which are doped correspondingly to different doping types. The first additional doping zone situated deeper in the semiconductor substrate, which in turn is correspondingly doped according to the second doping type, preferably never depletes of charge carriers. It may be used as a deep gate electrode (sub-gate electrode) to this extent, so the first additional doping zone may also be referred to as a sub-gate doping zone.
Die zweite zusätzliche Dotierungszone dient zur Ausbildung einer Potentialbarriere zwischen der oberen Dotierungszone des Avalanche-Bereiches und der ersten zusätzlichen Dotierungszone. Aufgrund dieser Entkopplung ist es ermöglicht, den Löschwiderstand unabhängig und individuell einzustellen, indem an die erste zusätzliche Dotierungszone (Subgate-Dotierungszone) ein entsprechendes Ansteuerpotential angelegt wird. The second additional doping zone serves to form a potential barrier between the upper doping zone of the avalanche region and the first additional doping zone. Because of this decoupling, it is possible to independently and individually adjust the erasure resistance by applying a corresponding drive potential to the first additional doping zone (subgate doping zone).
Ganz generell bilden die Avalanche-Bereiche zusammen mit den zwischen ihnen befindlichen nicht-aktiven Bereichen eine zusammenhängende Detektorfläche des Halbleiter-Photodetektors. Die Avalanche-Bereiche bilden insoweit sogenannte Pixelelemente der Detektorfläche. Einem solchen Pixelelement können ein oder mehrere untere Dotierungszonen zugeordnet sein. Die unterhalb der Detektorfläche angeordneten ersten zusätzlichen Dotierungszonen bilden ein Netz von sogenannten Subgate-Elektroden. More generally, the avalanche regions together with the non-active regions between them form a contiguous detector surface of the semiconductor photodetector. The avalanche areas form in so far so-called pixel elements of the detector surface. Such a pixel element may be associated with one or more lower doping zones. The first additional doping zones arranged below the detector surface form a network of so-called subgate electrodes.
Die konstruktive Ausgestaltung des Halbleiter-Photodetektors mit den zusätzlichen Dotierungszonen macht den Betrieb des Detektors unabhängiger von herstellungsbedingten Material- und Strukturgestaltungen wie Schichtdicke, Dotierungskonzentrationen, Layouttoleranzen oder anderen Parameterschwankungen. Auch schwankende Temperatureinflüsse können so ausgeglichen werden. An die obere Dotierungszone des Avalanche-Bereiches und die erste zusätzliche Dotierungszone können unterschiedliche Potentiale angelegt werden, obwohl beide Dotierungszonen dem gleichen Dotierungstyp entsprechend dotiert sind. Hierdurch ist es ermöglicht, den Avalanche- Arbeitspunkt und den für das Löschen der Ladungslawine erforderlichen Löschwiderstand getrennt einzustellen. The structural design of the semiconductor photodetector with the additional doping zones makes the operation of the detector independent of manufacturing Material and structure designs such as layer thickness, doping concentrations, layout tolerances or other parameter variations. Even fluctuating temperature influences can be compensated. Different potentials can be applied to the upper doping zone of the avalanche region and the first additional doping zone, although both doping zones are doped correspondingly to the same doping type. This makes it possible to set the avalanche operating point and the extinguishing resistor required for deleting the charge avalanche separately.
Die Erfindung ermöglicht es, auch kleinere Detektorstrukturen funktionsgerecht zu betreiben, so dass die Ausbeute funktionierender Detektorstrukturen auf einem Wafer gesteigert wird. Große und sehr großflächige funktionierende Strukturen werden hierdurch überhaupt erst ermöglicht. Mittels Nutzbarmachung von großflächigeren Bauelementen wird die Integration von Arrays mit einer unterbrochen ausgeführten oberen Dotierungszone ermöglicht. The invention makes it possible to operate even smaller detector structures functionally, so that the yield of functioning detector structures is increased on a wafer. Large and very large-scale functioning structures are thus made possible in the first place. Utilization of larger area devices allows the integration of arrays with an interrupted top doping zone.
Eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass sich die zweite zusätzliche Dotierungszone lateral wenigstens über die gesamte Breite des zumindest einen Zwischenbereiches erstreckt. In einer Blickrichtung von oben auf dem Halbleiter- Photodetektor erstreckt sich die zweite zusätzliche Dotierungszone bei dieser Ausführungsform über den gesamten Bereich des zumindest einen Zwischenbereiches, welcher in lateraler Richtung zwischen den Abschnitten der unteren Dotierungszone gebildet ist. Hierbei kann sich die zweite zusätzliche Dotierungszone wahlweise bis in den Bereich unterhalb der unteren Dotierungszone hinein erstrecken. Eine derartige Ausbildung der zweiten zusätzlichen Dotierungszonen ist mittels maskierter Herstellung der Dotierungszone ausführbar. A preferred embodiment of the invention provides that the second additional doping zone extends laterally at least over the entire width of the at least one intermediate region. In a viewing direction from above on the semiconductor photodetector, in this embodiment the second additional doping zone extends over the entire region of the at least one intermediate region, which is formed in the lateral direction between the sections of the lower doping zone. In this case, the second additional doping zone may optionally extend into the region below the lower doping zone. Such a configuration of the second additional doping zones can be carried out by means of masked production of the doping zone.
Bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass die zweite zusätzliche Dotierungszone als durchgehende Dotierungszone gebildet ist, die in dem zumindest einen Zwischenbereich verarmt ist. Die Herstellung der durchgehenden Dotierung für die zweite zusätzliche Dotierungszone ist bei dieser Ausgestaltung mittels maskenloser Herstellung möglich. Es kann also auf die Verwendung von Masken bei der Dotierung verzichtet werden. Eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung sieht einen der ersten zusätzlichen Dotierungszone zugeordneten Kontaktanschluss vor, über den eine Steuerschaltung an die erste zusätzliche Dotierungszone angeschlossen werden kann. In einer Fortbildung sind mehrere solche Kontaktanschlüsse gebildet, die jeweils einer oder mehreren ersten zusätzlichen Dotierungszonen zugeordnet sind. Mittels des wahlweisen Anschlusses der Steuerschaltung an den oder die Kontaktanschlüsse, welche der oder den ersten zusätzlichen Dotierungszonen zugeordnet sind, kann an die erste zusätzliche Dotierungszone, die im Vergleich zur zweiten zusätzlichen Dotierungszone im Halbleitersubstrat tiefer liegend gebildet ist und den oben gemachten Ausführungen entsprechend auch als Subgate- Dotierungszone bezeichnet werden kann, ein Ansteuerpotential angelegt werden. Beim Vorsehen mehrerer Kontaktanschlüsse können diese mit unterschiedlichen Potentialen beaufschlagt werden. Auf diese Weise ist es in einer Ausgestaltung sogar ermöglicht, dass an mehrere erste zusätzliche Dotierungszonen, die einem gemeinsamen Pixelelement zugeordnet sind, unterschiedliche Potentiale angelegt werden. In einer zweckmäßigen Ausführung sind am Rand der vom Feld der Pixelelemente gebildeten Detektorfiäche, also noch innerhalb und / oder schon außerhalb der Detektorfiäche, mehrere getrennte Kontaktanschlüsse für die ersten zusätzlichen Dotierungszonen hergestellt. Aber auch die ausschließliche oder die ergänzende Ausbildung und Nutzung von Kontaktanschlüssen in nicht-randbezogenen Bereichen des Detektorfeldes kann vorgesehen sein. Auf diese Weise können im Betrieb in beliebigen über die Detektorfläche verlaufenden Richtungen systematische Fehler korrigiert werden, indem einander zugeordnete Kontaktanschlüsse mit Fehler korrigierenden Potentialen beaufschlagt werden. Die Zuordnung zwischen Kontaktanschlüssen mittels entsprechender Potentialbeaufschlagung kann beispielsweise für benachbarte und / oder einander gegenüberliegende Kontaktanschlüsse ausgeführt werden. Auf diese Weise ist die Korrektur von systematischen Fehlern für beliebige Abschnitte und Bereiche der Detektorfiäche ermöglicht. Hierbei kann vorgesehen sein, dass mehrere Seiten des Feldes der Pixelelemente, zum Beispiel gegenüberliegende Seiten, mit getrennten Kontaktanschlüssen gebildet sind, die den ersten zusätzlichen Dotierungszonen zugeordnet sind. Aufgrund der mittels der zweiten zusätzlichen Dotierungszone ausgebildeten Potentialbarriere zwischen der oberen Dotierungszone, welche dem Avalanche-Bereich zugeordnet ist, und der ersten zusätzlichen Dotierungszone kann eine unabhängige Ansteuerung der ersten zusätzlichen Dotierungszone(n) erfolgen. Insoweit umfasst die Erfindung auch in Verfahren zum Betreiben des Halbleiter-Photodetektors, bei dem an Kontaktanschlüsse, die den ersten zusätzlichen Dotierungszonen zugeordnet sind, systematische Fehler korrigierende Potentiale angelegt werden. In an expedient embodiment of the invention it can be provided that the second additional doping zone is formed as a continuous doping zone which is depleted in the at least one intermediate region. The production of the continuous doping for the second additional doping zone is possible in this embodiment by means of maskless production. It can therefore be dispensed with the use of masks in the doping. An advantageous embodiment of the invention provides for a contact connection assigned to the first additional doping zone, via which a control circuit can be connected to the first additional doping zone. In a further development, a plurality of such contact terminals are formed, which are each assigned to one or more first additional doping zones. By means of the optional connection of the control circuit to the contact terminal (s) associated with the first additional doping zone (s), the first additional doping zone formed deeper than the second additional doping zone in the semiconductor substrate and corresponding to the above embodiments may also be used Subgate doping zone can be designated, a drive potential can be applied. When providing multiple contact connections, these can be subjected to different potentials. In this way, in one embodiment it is even possible for different potentials to be applied to a plurality of first additional doping zones which are assigned to a common pixel element. In an expedient embodiment, a plurality of separate contact connections for the first additional doping zones are produced at the edge of the detector surface formed by the field of the pixel elements, that is to say still within and / or already outside the detector surface. But even the exclusive or complementary training and use of contact terminals in non-edge-related areas of the detector array can be provided. In this way, systematic errors can be corrected during operation in any directions extending over the detector surface by impinging contact terminals assigned to one another with error-correcting potentials. The assignment between contact terminals by means of appropriate potential application can be carried out, for example, for adjacent and / or opposing contact terminals. In this way, the correction of systematic errors for arbitrary sections and areas of the detector surface is made possible. In this case it can be provided that a plurality of sides of the array of pixel elements, for example opposite sides, are formed with separate contact terminals which are assigned to the first additional doping zones. Due to the potential barrier formed by the second additional doping zone between the upper doping zone, which is assigned to the avalanche region, and the first additional doping zone, an independent activation of the first additional doping zone (s) can take place. In that regard, the invention also includes methods for operating the semiconductor photodetector, wherein at contact terminals, the first additional Doping zones are assigned, systematic error correcting potentials are applied.
Bevorzugt sieht eine Fortbildung der Erfindung vor, dass der Kontaktanschluss mit einem Außenkontakt und sich leitfähig überlappenden Dotierungszonen gebildet ist, die dem ersten Dotierungstyp entsprechend dotiert sind. Die Ausbildung der sich leitfähig überlappenden Dotierungszonen ist beispielsweise mit Hilfe einer Mesa-Struktur oder eine V-Groove-Ätzung und nachfolgender Dotierung an der Oberfläche ausführbar. Aber auch die Nutzung von Technologien in Verbindung mit Bereichen geeigneter Breite, die mit dotiertem Polysilizium verfüllt sind, kann vorgesehen sind. Es ist in diesem Zusammenhang ausreichend, nur einen Kontaktanschluss für die erste zusätzliche Dotierungszone bereitzustellen, da diese sich in dem Halbleitersubstrat flächig erstreckt, wobei sie Ausnehmungen gegenüberliegend den Avalanche-Bereichen aufweist. Preferably, a development of the invention provides that the contact connection is formed with an external contact and conductive overlapping doping zones, which are doped according to the first doping type. The formation of the conductive overlapping doping zones can be carried out, for example, with the aid of a mesa structure or a V-groove etching and subsequent doping on the surface. However, the use of technologies in conjunction with areas of appropriate width filled with doped polysilicon may also be provided. It is sufficient in this connection to provide only one contact terminal for the first additional doping zone, since it extends in a planar manner in the semiconductor substrate, wherein it has recesses opposite the avalanche areas.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass der Kontaktanschluss außerhalb einer Detektorfläche gebildet ist. Bevorzugt ist der Kontaktanschluss am Rande der Detektorfläche gebildet, also benachbart zu der Fläche, welche von den die Pixelelemente definierenden Avalanche-Bereichen und den hierzwischen gebildeten Bereichen eingenommen wird. In an advantageous embodiment of the invention can be provided that the contact terminal is formed outside a detector surface. The contact connection is preferably formed on the edge of the detector surface, that is to say adjacent to the surface which is occupied by the avalanche regions defining the pixel elements and the regions formed between them.
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht einen der unteren Dotierungszone zugeordneten weiteren Kontaktanschluss vor, über den eine Steuerschaltung an die untere Dotierungszone angeschlossen werden kann. In einer Fortbildung sind mehrere solche weiteren Kontaktanschlüsse gebildet, die jeweils einer oder mehreren unteren Dotierungszonen zugeordnet sind. Bevorzugt ist die an den weiteren Kontaktanschluss koppelbare Steuerschaltung ausgelegt, den Löschwiderstand für den Löschwiderstandsbereich zu messen. Wird die derart ausgeführte Steuerschaltung kombiniert mit der Schaltung zum Anlegen des Ansteuerpotentials über den Kontaktanschluss an die erste zusätzliche Dotierungszone, ist eine Regelungsmöglichkeit für das Ansteuerpotential derart geschaffen, dass dieses in Abhängigkeit vom gemessenen Löschwiderstand eingestellt und geregelt werden kann. A further development of the invention provides a further contact connection assigned to the lower doping zone, via which a control circuit can be connected to the lower doping zone. In a further development, a plurality of such further contact terminals are formed, which are each assigned to one or more lower doping zones. The control circuit which can be coupled to the further contact connection is preferably designed to measure the extinguishment resistance for the soldering resistor region. If the control circuit implemented in this way is combined with the circuit for applying the drive potential via the contact connection to the first additional doping zone, a control possibility for the drive potential is created such that this can be adjusted and regulated as a function of the measured extinguish resistance.
Eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass der weitere Kontaktanschluss mit einem weiteren Außenkontakt und einer Dotierungszone gebildet ist, die dem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist. Es gelten die in Verbindung mit der zugehörigen Ausführung des Kontaktanschlusses gemachten Erläuterungen entsprechend. A preferred embodiment of the invention provides that the further contact connection is formed with a further external contact and a doping zone, which corresponds to the second Doping type is doped accordingly. The explanations given in connection with the associated version of the contact connection apply accordingly.
Bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass der weitere Kontaktanschluss innerhalb der Detektorfiäche in einem unterbrochenen Bereich der oberen Dotierungszone gebildet ist. In an expedient embodiment of the invention, it can be provided that the further contact connection is formed within the detector surface in an interrupted region of the upper doping zone.
Eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass der weitere Kontaktanschluss im Wesentlichen mittig zu einem zugeordneten Löschwiderstandsbereich angeordnet ist. An advantageous embodiment of the invention provides that the further contact connection is arranged substantially centrally to an associated Löschwiderstandsbereich.
In Verbindung mit der Strahlungsdetektorsystems kann bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen sein, dass an dem Halbleiter-Photodetektor weiterhin ein der unteren Dotierungszone zugeordneter weiterer Kontaktanschluss gebildet ist und die Steuerschaltung an den weiteren Kontaktanschluss gekoppelt und weiterhin konfiguriert ist, einen Messwert für den Löschwiderstand des Halbleiter-Photodetektors zu erfassen und abgeleitet hieraus das Steuersignal für das an die erste zusätzliche Dotierungszone anzulegende Ansteuerpotential bereitzustellen. Es können mehrere Steuerschaltungen und / oder eine Steuerschaltung mit mehreren Widerstandsmess- und Regelstrukturen vorgesehen sein. In connection with the radiation detector system, it can be provided in an advantageous embodiment of the invention that a further contact connection assigned to the lower doping zone is formed on the semiconductor photodetector and the control circuit is coupled to the further contact connection and is further configured to provide a measured value for the soldering resistance of the Detect semiconductor photodetector and derived therefrom to provide the control signal to be applied to the first additional doping zone drive potential. Several control circuits and / or a control circuit with a plurality of resistance measuring and control structures can be provided.
Beschreibung bevorzugter Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung Description of preferred embodiments of the invention
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf Figuren einer Zeichnung näher erläutert. Hierbei zeigen: The invention will be explained in more detail below with reference to preferred embodiments with reference to figures of a drawing. Hereby show:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines bekannten Halbleiter-Photodetektors im Querschnitt, 1 is a schematic representation of a portion of a known semiconductor photodetector in cross-section,
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Halbleiter-Photodetektors mit zusätzlichen Dotierungszonen im Querschnitt, 2 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector with additional doping zones in cross section,
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Halbleiter-Photodetektors mit zusätzlichen Dotierungszonen im Querschnitt, wobei eine zweite zusätzliche Dotierungszone unterbrochen gebildet ist, Fig. 4 eine schematische Darstellung eines Abschnitts des Halbleiter-Photodetektors nach Fig. 3, wobei ein Kontaktanschluss für eine der zusätzlichen Dotierungszonen gebildet ist, 3 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector with additional doping zones in cross-section, wherein a second additional doping zone is formed interrupted, 4 shows a schematic illustration of a section of the semiconductor photodetector according to FIG. 3, wherein a contact connection is formed for one of the additional doping zones,
Fig. 5 eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Halbleiter-Photodetektors mit zusätzlichen Dotierungszonen im Querschnitt, wobei der Kontaktanschluss für die zusätzliche Dotierungszone in Fig. 4 in geänderter Ausführung gebildet ist,  5 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector with additional doping zones in cross section, wherein the contact connection for the additional doping zone is formed in FIG. 4 in a modified embodiment,
Fig. 6 eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Halbleiter-Photodetektors mit zusätzlichen Dotierungszonen im Querschnitt, wobei ein weiterer Kontaktanschluss für eine untere Dotierungszone des Avalanche-Bereiches gebildet ist,  6 is a schematic representation of a portion of a semiconductor photodetector with additional doping zones in cross-section, wherein a further contact terminal for a lower doping zone of the avalanche region is formed,
Fig. 7 eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Photodetektorsystems im Querschnitt, bei dem zwischen eine untere Dotierungszone des Avalansche- Bereiches und eine zusätzliche Dotierungszone eine Steuerschaltung gekoppelt ist, und  Figure 7 is a schematic representation of a portion of a photodetector system in cross-section, in which between a lower doping zone of the Avalansche region and an additional doping zone, a control circuit is coupled, and
Fig. 8 eine schematische Darstellung eines Abschnitts einer Detektorfläche eines Halbleiter-Photodetektors .  Fig. 8 is a schematic representation of a portion of a detector surface of a semiconductor photodetector.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines bekannten Halbleiter-Photo - detektors im Querschnitt. In einem von einem Halbleitermaterial gebildeten Substrat 1 ist auf einer Oberseite 2 eine obere Dotierungszone 3 sich lateral erstreckend und durchgehend gebildet. Die obere Dotierungszone 3 ist einem ersten Dotierungstyp entsprechend dotiert, bei dem es sich um eine p-Dotierung oder eine n-Dotierung handelt. Ohne Beschränkung der Allgemeinheit wird im Folgenden angenommen, dass es sich in dem dargestellten Ausführungsbeispiel um eine p-Dotierung handelt. Der oberen Dotierungszone 3 gegenüberliegend ist eine untere Dotierungszone 4 gebildet, die sich lateral erstreckend und in Zwischenbereichen 5 unterbrochen ausgebildet ist. Die untere Dotierungszone 4 ist einem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert, welcher von dem ersten Dotierungstyp verschieden ist. Im gewählten Ausführungsbeispiel bedeutet dies, dass die untere Dotierungszone 4 mit einer n-Dotierung versehen ist. Fig. 1 shows a schematic representation of a portion of a known semiconductor photoreceptor in cross section. In a substrate 1 formed by a semiconductor material, an upper doping zone 3 is laterally extending and formed continuously on a top side 2. The upper doping zone 3 is doped correspondingly to a first doping type, which is a p-type doping or an n-type doping. Without restricting the generality, it is assumed in the following that in the illustrated exemplary embodiment it is a p-doping. Opposite the upper doping zone 3, a lower doping zone 4 is formed, which is laterally extending and formed interrupted in intermediate regions 5. The lower doping zone 4 is doped according to a second doping type, which is different from the first doping type. In the selected embodiment, this means that the lower doping zone 4 is provided with an n-doping.
Zwischen der oberen Dotierungszone 3 und der unteren Dotierungszone 4 bildet sich ein Bereich hoher Feldstärke 6, welcher in dem Halbleiter-Photodetektor bei der Strahlungsde- tektion zum sogenannten Avalanche-Effekt führt und deshalb auch als Avalanche-Bereich bezeichnet werden kann. In dem Bereich hoher Feldstärke 6 erfolgt nach der Erzeugung von Ladungsträgern aufgrund von Strahlungsabsorption, insbesondere einzelner Photonen, eine lawinenartige Vervielfachung. Between the upper doping zone 3 and the lower doping zone 4, a region of high field strength 6 is formed, which leads to the so-called avalanche effect in radiation detection in the semiconductor photodetector and can therefore also be referred to as avalanche region. In the region of high field strength 6 takes place after the generation of Charge carriers due to radiation absorption, in particular individual photons, an avalanche-like multiplication.
Auf einer Rückseite 7 des Substrats 1 ist eine Kontaktierungsschicht 8 mittels n-Dotierung hergestellt. Bei der Herstellung eines Halbleiter-Photodetektors kann die rückseitige Kontaktierungsschicht 8 direkt oder vermittelt über eine oder mehrere Schichten auf einem Trägersubstrat (nicht dargestellt) angeordnet werden. Zwischen der unteren Dotierungszone 4 und der Kontaktierungsschicht 8 erstreckt sich gemäß Fig. 1 bei dem bekannten Halbleiter- Photodetektor ein Löschwiderstandsbereich 9, bei dem es sich hinsichtlich von Ladungsträgern um einen unverarmten Bereich des Substrates 1, welches seinerseits dem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist, was im gewählten Ausführungsbeispiel einer n-Dotierung entspricht, handelt. Zwischen den Löschwiderstandsbereichen 9 sind Bereiche einer Verarmungszone 10 gebildet. Diese bilden Trennungsgebiete zwischen den Löschwiderstandsbereichen 9. Die Löschwiderstandsbereiche 9 sowie die Verarmungszonen 10 bilden sich im Betrieb des Halbleiter-Photodetektors beim Anlegen einer Arbeitsspannung aus, derart, dass im Arbeitspunkt die Löschwiderstandsbereiche 9 immer noch leitfähig sind, wohingegen die Verarmungszonen 10 gigaohmig sind. Zusammen mit den unteren Dotierungszonen 4 entsteht eine räumliche Struktur, die pilzartig oder zylindersymmetrisch ist. On a rear side 7 of the substrate 1, a contacting layer 8 is produced by means of n-doping. In the manufacture of a semiconductor photodetector, the backside contact layer 8 may be disposed directly or via one or more layers on a carrier substrate (not shown). According to FIG. 1, between the lower doping zone 4 and the contacting layer 8 in the known semiconductor photodetector an erosion resistor region 9 extends, which is doped with respect to charge carriers around a depleted region of the substrate 1, which in turn is doped accordingly to the second doping type in the selected embodiment corresponds to an n-doping is. Between the Löschwiderstandsbereiche 9 areas of a depletion zone 10 are formed. These form separation regions between the Löschwiderstandsbereichen 9. The Löschwiderstandsbereiche 9 and the depletion zones 10 are formed during operation of the semiconductor photodetector upon application of a working voltage, such that at the operating point the Löschwiderstandsbereiche 9 are still conductive, whereas the depletion zones 10 are gigaohmig. Together with the lower doping zones 4 creates a spatial structure that is mushroom-like or cylindrically symmetric.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 7 näher erläutert. Für gleiche Merkmale werden in den Fig. 2 bis 8 die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 verwendet. Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to FIGS. 2 to 7. For the same features in Figs. 2 to 8, the same reference numerals as in Fig. 1 are used.
Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Halbleiter-Photodetektors im Querschnitt, welcher im Vergleich zu dem bekannten Detektor in Fig. 1 zusätzliche Dotierungszonen in dem Substrat 1 aufweist. Zunächst ist eine erste zusätzliche Dotierungszone 11 vorgesehen, die dem ersten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist, was bei dem hier gewählten Ausführungsbeispiel einer p-Dotierung entspricht. Die erste zusätzliche Dotierungszone 11 ist in dem Substrat 1 im Bereich zwischen der unteren Dotierungszone 4 und der Kontaktierungsschicht 8 sich lateral erstreckend angeordnet. Hierbei ist die erste zusätzliche Dotierungszone 11 in einem Bereich unterhalb der unteren Dotierungszone 4 unterbrochen. In diesem Bereich erstreckt sich die Verarmungszone 10. Die Abschnitte der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 erfassen in lateraler Richtung zumindest den Bereich des Zwischenbereiches 5 und erstrecken sich bis unterhalb der unteren Dotierungszone 4. FIG. 2 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector in cross-section, which has additional doping zones in the substrate 1 in comparison with the known detector in FIG. 1. First, a first additional doping zone 11 is provided, which is doped correspondingly to the first doping type, which corresponds to a p-type doping in the exemplary embodiment chosen here. The first additional doping zone 11 is arranged laterally in the substrate 1 in the region between the lower doping zone 4 and the contacting layer 8. In this case, the first additional doping zone 11 is interrupted in a region below the lower doping zone 4. In this area, the depletion zone extends 10. The Portions of the first additional doping zone 11 detect in the lateral direction at least the region of the intermediate region 5 and extend below the lower doping zone 4.
Gemäß Fig. 2 ist weiterhin eine zweite zusätzliche Dotierungszone 12 vorgesehen, die dem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist, was im gewählten Ausführungsbeispiel einer n-Dotierung entspricht. Die zweite zusätzliche Dotierungszone 12 ist in dem Substrat 1 in einem Bereich gebildet, welcher die untere Dotierungszone 4 und die erste zusätzliche Dotierungszone 11 sowie den Bereich hierzwischen umfasst. Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die zweite zusätzliche Dotierungszone 12 überlappend mit der unteren Dotierungszone 4 hergestellt. Alternativ (nicht dargestellt) kann vorgesehen sein, die zweite zusätzliche Dotierungszone 12 tiefer liegend in dem Substrat 1 anzuordnen, beispielsweise benachbart zu oder sogar überlappend mit der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11. Die Darstellung in Fig. 2 zeigt, dass die zweite zusätzliche Dotierungszone 12 lateral nicht begrenzt ist, sich vielmehr durchgehend erstreckt. According to FIG. 2, a second additional doping zone 12 is additionally provided, which is doped correspondingly to the second doping type, which corresponds to an n-doping in the selected exemplary embodiment. The second additional doping zone 12 is formed in the substrate 1 in a region comprising the lower doping zone 4 and the first additional doping zone 11 and the region between them. In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 2, the second additional doping zone 12 is produced overlapping the lower doping zone 4. Alternatively (not shown) it may be provided to arrange the second additional doping zone 12 deeper in the substrate 1, for example adjacent to or even overlapping with the first additional doping zone 11. The illustration in FIG. 2 shows that the second additional doping zone 12 is lateral is not limited, but rather extends continuously.
Die zweite zusätzliche Dotierungszone 12 verarmt hinsichtlich der Ladungsträger in dem zwischen den Avalanche-B ereichen 6 liegenden Zwischenbereich 5 vollständig, sodass eine Trennung der Avalanche-Bereiche 6 und insoweit eine Trennung von Pixelelementen der Detektorfläche des Halbleiter-Photodetektors gewährleistet ist. Gleichzeitig bildet die zweite zusätzliche Dotierungszone 12 eine Potentialbarriere zwischen der oberen Dotierungszone 3 und der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11, sodass diese beiden Dotierungszonen an unterschiedliche elektrische Potentiale angeschlossen werden können. Hierdurch wird eine Steuerung des Avalanche-Durchbruches in dem Bereich hoher elektrischer Feldstärke 6 unabhängig von der Einstellung des Löschwiderstandes in dem Löschwiderstandsbereich 9 ermöglicht. The second additional doping zone 12 is completely depleted in respect of the charge carriers in the intermediate region 5 lying between the avalanche areas 6, so that a separation of the avalanche areas 6 and insofar as a separation of pixel elements of the detector surface of the semiconductor photodetector is ensured. At the same time, the second additional doping zone 12 forms a potential barrier between the upper doping zone 3 and the first additional doping zone 11, so that these two doping zones can be connected to different electrical potentials. As a result, control of the avalanche breakdown in the region of high electric field strength 6 is made possible independently of the setting of the erase resistance in the erosion resistance region 9.
In Fig. 2 symbolisiert die gestrichelte Linie 13 das Zentrum des Avalanche-Bereiches 6, das heißt, eines zugehörigen Pixelelementes. Hinsichtlich ihrer zweidimensionalen Gestaltung können diese Bereiche beispielsweise kreisförmig oder hexagonal gestaltet sein. In Fig. 2, the dashed line 13 symbolizes the center of the avalanche region 6, that is, an associated pixel element. With regard to their two-dimensional design, these areas can be designed, for example, circular or hexagonal.
Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Halbleiter-Photodetektors im Querschnitt, welcher wie der Detektor in Fig. 2 über eine erste und eine zweite zusätzliche Dotierungszone 11, 12 verfügt, wobei im Unterschied zu der Ausführungsform in Fig. 2 die zweite zusätzliche Dotierungszone 12 lateral begrenzt ist, derart, dass sie sich ausschließlich in dem Zwischenbereich 5 erstreckt und hierdurch der Bereich der unteren Dotierungszone 4 in lateraler Hinsicht nicht erfasst wird. Auch bei dieser Ausgestaltung verarmt die zweite zusätzliche Dotierungszone 12 im Zwischenbereich 5 und bildet die Potentialbarriere zwischen der oberen Dotierungszone 3 und der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11. Fig. 3 shows a schematic representation of a portion of a semiconductor photodetector in cross-section, which like the detector in Fig. 2 via a first and a second additional Doping zone 11, 12 has, wherein in contrast to the embodiment in Fig. 2, the second additional doping zone 12 is laterally limited, such that it extends exclusively in the intermediate region 5 and thereby the region of the lower doping zone 4 is not detected laterally , In this embodiment too, the second additional doping zone 12 depletes in the intermediate region 5 and forms the potential barrier between the upper doping zone 3 and the first additional doping zone 11.
Fig. 4 zeigt eine schematische Darstellung eines Halbleiter-Photodetektors im Querschnitt, bei dem die erste zusätzliche Dotierungszone 11 mit einem Kontaktanschluss 20 verbunden ist, welcher in der dargestellten Ausführungsform mit sich leitfähig überlappenden Dotierungszonen 21, 23 sowie einem Außenkontakt 24 gebildet ist. Auf diese Weise ist ein elektrischer Anschluss an die erste zusätzliche Dotierungszone 11 ermöglicht, beispielsweise um ein Ansteuerpotential anzulegen. Die sich leitfähig überlappenden Dotierungszonen 21,..., 23 sind dem ersten Dotierungstyp entsprechend dotiert, was in dem gewählten Ausführungsbeispiel einer p-Dotierung entspricht. Der Anschlusskontakt 20 ist von der oberen Dotierungszone 3 elektrisch isoliert und befindet sich bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel außerhalb der aktiven Detektorfläche, welcher von den den Avalanche- Bereichen 6 zugeordneten Pixelelementen und den hierzwischen befindlichen nicht-aktiven Zwischenbereichen 5 gebildet wird. 4 shows a schematic representation of a semiconductor photodetector in cross section, in which the first additional doping zone 11 is connected to a contact terminal 20, which in the illustrated embodiment is formed with conductive overlapping doping zones 21, 23 and an external contact 24. In this way, an electrical connection to the first additional doping zone 11 is made possible, for example, to apply a drive potential. The conductive overlapping doping zones 21, ..., 23 are doped according to the first doping type, which corresponds to a p-type doping in the selected embodiment. The connection contact 20 is electrically insulated from the upper doping zone 3 and, in the illustrated embodiment, is located outside the active detector surface, which is formed by the pixel elements assigned to the avalanche regions 6 and the non-active intermediate regions 5 located between them.
Um die erste zusätzliche Dotierungszone 11 anzuschließen, reicht grundsätzlich ein einziger Kontaktanschluss 20 aus, da sich die erste zusätzliche Dotierungszone 11 in der Fläche lateral zusammenhängend erstreckt, wobei unterhalb der Avalanche-Bereiche 6 Ausnehmungen gebildet sind. Da mittels der von der zweiten zusätzlichen Dotierungszone 12 zur Verfügung gestellten Potentialbarriere die obere Dotierungszone 3 und die erste zusätzliche Dotierungszone 11 getrennt beziehungsweise entkoppelt sind, kann über den Kontaktanschluss 20 an die erste zusätzliche Dotierungszone 11 ein anderes Potential angeschlossen werden als and die obere Dotierungszone 3. Es ist auf diese Weise eine unabhängige Steuerung voneinander ermöglicht. To connect the first additional doping zone 11, a single contact terminal 20 is basically sufficient, since the first additional doping zone 11 extends laterally coherently in the area, wherein recesses are formed below the avalanche areas 6. Since the upper doping zone 3 and the first additional doping zone 11 are separated or decoupled by means of the potential barrier provided by the second additional doping zone 12, a different potential can be connected via the contact terminal 20 to the first additional doping zone 11 than to the upper doping zone 3 In this way it is possible to independently control each other.
Fig. 5 zeigt eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Halbleiter-Photodetektors im Querschnitt, wobei der Kontaktanschluss 20 für die erste zusätzliche Dotierungszone 11 in Fig. 4 in geänderter Ausführung gebildet ist. Im Vergleich zu der Ausführungsform in Fig. 4 sind zwei der sich leitfähig überlappenden Dotierungszonen 21, 22 weggelassen. Trotzdem kann das Potential der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 über den Kontaktanschluss 20 gesteuert werden. Da in einem Halbleiterbereich 25 zwischen der Dotierungszone 23 und der zugeordneten ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 keine direkte Potentialbarriere ausgebildet ist, führt eine Potentialerhöhung am Außenkontakt 24 dazu, dass Ladungsträger aus der zugeordneten ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 über den Halbleiterbereich 25 bis in die Dotierungszone 23 fließen, wo das Potential der zugeordneten ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 ebenfalls recht schnell erhöht wird. Der umgekehrte Fall einer Potentialverminderung ist ein sehr langsamer Prozess, da sich in diesem Fall eine zweidimensionale Potentialbarriere zwischen der Dotierungszone 23 und der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 ausbildet, welche einen direkten Ladungsträgeraustausch stark behindert. Das Potential der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 verbleibt also zunächst auf einem eingestellten Wert und wird ausschließlich durch in das Gebiet um die erste zusätzliche Dotierungszone 11 einströmende licht- oder dunkelgenerierte Ladungsträger bis zur Raumladungsweite solange verändert, bis die zweidimensional ausgebildete Potentialbarriere abgebaut worden ist. Weiter in dieses Gebiet einströmende Ladungsträger fließen zur Dotierungszone 23 hin ab. Das Potential der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 verändert dann seinen Wert im Wesentlichen nicht weiter. FIG. 5 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector in cross section, wherein the contact terminal 20 for the first additional doping zone 11 in FIG. 4 is formed in a modified embodiment. Compared to the embodiment in FIG. 4 two of the conductive overlapping doping zones 21, 22 are omitted. Nevertheless, the potential of the first additional doping zone 11 can be controlled via the contact terminal 20. Since no direct potential barrier is formed between the doping zone 23 and the associated first additional doping zone 11 in a semiconductor region 25, a potential increase at the external contact 24 causes charge carriers from the associated first additional doping zone 11 to flow via the semiconductor region 25 into the doping zone 23, where the potential of the associated first additional doping zone 11 is also increased quite rapidly. The reverse case of a potential reduction is a very slow process, since in this case a two-dimensional potential barrier is formed between the doping zone 23 and the first additional doping zone 11, which severely impedes direct charge carrier exchange. Thus, the potential of the first additional doping zone 11 initially remains at a set value and is changed as long as the light or dark-generated charge carriers flowing into the region around the first additional doping zone 11 up to the space charge width until the two-dimensional potential barrier has been reduced. Charge carriers flowing further into this area flow toward the doping zone 23. The potential of the first additional doping zone 11 then substantially does not change its value any further.
Fig. 6 zeigt eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Halbleiter-Photodetektors im Querschnitt, bei dem ein weiterer Kontaktanschluss 30 im Bereich der Oberseite 2 des Substrats 1 gebildet ist, welcher mit der unteren Dotierungszone 4 eines einzelnen Pixels in Kontakt ist. Im Bereich des weiteren Kontaktanschlusses 30 ist die obere Dotierungszone 3 unterbrochen. Der weitere Kontaktanschluss 30 ist mit einer Kontaktanschluss-Dotierungs- zone 31 und einem Außenkontakt 32 hergestellt. Der laterale Abstand zwischen der oberen Dotierungszone 3 und der Kontaktanschluss-Dotierungszone 31 ist ausreichend, um eine Avalanche-Durchbruch zwischen den beiden Dotierungszonen zu verhindern. 6 shows a schematic representation of a section of a semiconductor photodetector in cross-section, in which a further contact connection 30 is formed in the region of the upper side 2 of the substrate 1, which is in contact with the lower doping zone 4 of a single pixel. In the area of the further contact terminal 30, the upper doping zone 3 is interrupted. The further contact connection 30 is produced with a contact connection doping zone 31 and an external contact 32. The lateral distance between the top doping zone 3 and the contact terminal doping zone 31 is sufficient to prevent avalanche breakdown between the two doping zones.
Mit einer Vorspannung am Außenkontakt 32 gegen das Potential am Substrat 1 an der Kontaktierungsschicht 8 kann nun ein Strom durch die Kontaktanschluss-Dotierungszone 31 , die untere Dotierungszone 4, den Löschwiderstandsbereich 9 sowie die Kontaktierungsschicht 8 eines einzelnen Pixels gemessen werden. Aufgrund der gewählten Dotierungsverhältnisse bestimmen hierbei die Höhe der Substratdotierung im Löschwiderstandsbereich 9 und die Ausbildung der Form dieses Bereiches wegen der Verschiebung der Grenzen von Verarmungszonen über die Vorspannung an der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 maßgeblich die Größe des zu messenden Löschwiderstandes. Die Löschwiderstandsbereiche 9 dominieren gegenüber anderen Strom durchflossenen Gebieten den Messwert für den Löschwiderstand. With a bias voltage at the outer contact 32 against the potential at the substrate 1 at the contacting layer 8, a current through the contact terminal doping zone 31, the lower doping zone 4, the Löschwiderstandsbereich 9 and the contacting layer 8 of a single pixel can now be measured. Due to the selected doping ratios, the height of the substrate doping in the soldering resistor region 9 and the Formation of the shape of this area due to the displacement of the boundaries of depletion zones on the bias voltage at the first additional doping zone 11 significantly the size of the erosion resistance to be measured. The erosion resistance regions 9 dominate the measured value for the erosion resistance in relation to other regions through which current flows.
Dieses kann nun gemäß Fig. 7 dazu genutzt werden, bei einem Strahlungsdetektorsystem zwischen den weiteren Kontaktanschluss 30 und die erste zusätzliche Dotierungszone 11 eine Steuerschaltung 40 zu koppeln, die insbesondere zu Arbeitspunktstabilisierung nutzbar ist. Von einem Referenzpotential 41 ausgehend wird hierbei mittels einer Stromquelle 42 ein Strom in den weiteren Kontaktanschluss 30 eingespeist. Je nach Arbeitspunktpotential an den ersten zusätzlichen Dotierungszonen 11 stellt sich nun eine Spannungsdifferenz wischen dem weiteren Kontaktanschluss 30 und dem Potential an der rückseitigen Kontaktierungsschicht 8 ein. Diese Spannungsdifferenz wird von der Steuerschaltung 40 ausgewertet und in ein zugeordnetes Steuersignal für das Potential an den ersten zusätzlichen Dotierungszonen 11 umgesetzt. Alternativ ist die Ausführung als Brückenschaltung ohne Stromquelle möglich. Zur Regelung ist die Steuerschaltung 40 stets so konfiguriert, dass der Löschwiderstand gemessen und hiervon abgeleitet ein Steuersignal für das Potential an der ersten zusätzlichen Dotierungszone 11 bereitgestellt werden kann. This can now be used according to FIG. 7 to couple, in the case of a radiation detector system between the further contact connection 30 and the first additional doping zone 11, a control circuit 40 which can be used in particular for operating point stabilization. Starting from a reference potential 41, a current is fed into the further contact connection 30 by means of a current source 42. Depending on the operating point potential at the first additional doping zones 11, a voltage difference between the further contact terminal 30 and the potential at the rear-side contacting layer 8 now arises. This voltage difference is evaluated by the control circuit 40 and converted into an associated control signal for the potential at the first additional doping zones 11. Alternatively, the design is possible as a bridge circuit without power source. For control, the control circuit 40 is always configured so that the erosion resistance can be measured and derived therefrom, a control signal for the potential at the first additional doping zone 11 can be provided.
Fig. 8 zeigt eine schematische Darstellung einer Detektorfläche 70 für einen Halbleiter-Photodetektor mit einzelnen Pixelelementen 71 und hierzwischen gebildeten nicht-aktiven Bereichen 72. Im Bereich der Detektorfläche 70 ist der weitere Kontaktanschluss 30 hergestellt, welcher über eine Kontaktierung 73 zum Rand hin verbunden ist. 8 shows a schematic representation of a detector surface 70 for a semiconductor photodetector with individual pixel elements 71 and non-active regions 72 formed between them. In the region of the detector surface 70, the further contact connection 30 is established, which is connected to the edge via a contact 73 ,
Die in der vorstehenden Beschreibung, den Ansprüchen und der Zeichnung offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungen von Bedeutung sein. The features of the invention disclosed in the above description, the claims and the drawings may be of importance both individually and in any combination for the realization of the invention in its various embodiments.

Claims

Ansprüche claims
1. Halbleiter-Photodetektor, mit: 1. Semiconductor photodetector, with:
- einem Halbleitersubstrat (1),  a semiconductor substrate (1),
- einer oberen Dotierungszone (3), die  - An upper doping zone (3), the
- einem ersten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist und  - Is doped according to a first doping type and
- sich in dem Halbleitersubstrat (1) an einer Oberseite (2) lateral erstreckt,  extends laterally in the semiconductor substrate (1) on an upper side (2),
- einer unteren Dotierungszone (4), die  - A lower doping zone (4), the
- einem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist und  - doped according to a second doping type and
- der oberen Dotierungszone (3) zum Ausbilden von Avalanche-Bereichen (6) zugeordnet ist, derart, dass die untere Dotierungszone (4) sich in dem Halbleitersubstrat (1) der oberen Diodendotierungszone (3) gegenüberliegend lateral erstreckt und unterbrochen ausgeführt ist, indem zumindest ein Zwischenbereich (5) gebildet ist,  - is associated with the upper doping zone (3) for forming avalanche areas (6), such that the lower doping zone (4) extends laterally in the semiconductor substrate (1) of the upper diode doping zone (3) and is interrupted by at least one intermediate region (5) is formed,
- einem Löschwiderstandsbereich (9), der in dem Halbleitersubstrat zwischen der unteren Dotierungszone (4) und einer rückseitig an dem Halbleitersubstrat (1) gebildeten Kontaktierungsschicht (8) gebildet ist,  a soldering resistance region (9) formed in the semiconductor substrate between the lower doping zone (4) and a contacting layer (8) formed on the backside of the semiconductor substrate (1),
g e k e n n z e i c h n e t durch  marked by
- eine erste zusätzliche Dotierungszone (11), die  a first additional doping zone (11)
- dem ersten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist,  doped according to the first doping type,
- in dem Halbleitersubstrat (1) im Bereich zwischen der unteren Dotierungszone (4) und der Kontaktierungsschicht (8) angeordnet ist,  in the semiconductor substrate (1) in the region between the lower doping zone (4) and the contacting layer (8) is arranged,
- sich unterhalb des zumindest einen Zwischenbereiches (5) und bis in den Bereich unterhalb der unteren Dotierungszone (4) hinein lateral erstreckt und  extends laterally below the at least one intermediate region (5) and into the region below the lower doping zone (4) and
- im Bereich unterhalb der unteren Dotierungszone (4) unterbrochen ist, und - is interrupted in the region below the lower doping zone (4), and
- eine zweite zusätzliche Dotierungszone (12), die a second additional doping zone (12)
- dem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist,  doped according to the second doping type,
- in dem Halbleitersubstrat (1) im Bereich zwischen der unteren Dotierungszone (4) und der ersten zusätzlichen Dotierungszone (11) angeordnet ist,  in the semiconductor substrate (1) is arranged in the region between the lower doping zone (4) and the first additional doping zone (11),
- sich unterhalb des zumindest einen Zwischenbereiches (5) lateral erstreckt und - Lateral extends below the at least one intermediate region (5) and
- eine Potentialbarriere zwischen der oberen Dotierungszone (3) und der ersten zusätzlichen Dotierungszone (11) bildet. forming a potential barrier between the upper doping zone (3) and the first additional doping zone (11).
2. Photodetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die zweite zusätzliche Dotierungszone (12) lateral wenigstens über die gesamte Breite des zumindest einen Zwischenbereiches (5) erstreckt. 2. Photodetector according to claim 1, characterized in that the second additional doping zone (12) extends laterally at least over the entire width of the at least one intermediate region (5).
3. Photodetektor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite zusätzliche Dotierungszone (12) als durchgehende Dotierungszone gebildet ist, die in dem zumindest einen Zwischenbereich (5) verarmt ist. 3. Photodetector according to claim 2, characterized in that the second additional doping zone (12) is formed as a continuous doping zone, which is depleted in the at least one intermediate region (5).
4. Photodetektor nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen der ersten zusätzlichen Dotierungszone (11) zugeordneten Kontaktanschluss (20), über den eine Steuerschaltung an die erste zusätzliche Dotierungszone (11) angeschlossen werden kann. 4. Photodetector according to at least one of the preceding claims, characterized by one of the first additional doping zone (11) associated contact terminal (20) via which a control circuit to the first additional doping zone (11) can be connected.
5. Photodetektor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontaktanschluss (20) mit einem Außenkontakt (24) und sich leitfähig überlappenden Dotierungszonen (21, 23) gebildet ist, die dem ersten Dotierungstyp entsprechend dotiert sind. 5. Photodetector according to claim 4, characterized in that the contact terminal (20) with an external contact (24) and conductive overlapping doping zones (21, 23) is formed, which are doped according to the first doping type.
6. Photodetektor nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontaktanschluss (20) außerhalb einer Detektorfläche gebildet ist. 6. Photodetector according to claim 4 or 5, characterized in that the contact connection (20) is formed outside a detector surface.
7. Photodetektor nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen der unteren Dotierungszone (4) zugeordneten weiteren Kontaktanschluss (30), über den eine Steuerschaltung an die untere Dotierungszone (4) angeschlossen werden kann. 7. Photodetector according to at least one of the preceding claims, characterized by a further doping zone (4) associated further contact terminal (30) via which a control circuit to the lower doping zone (4) can be connected.
8. Photodetektor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der weitere Kontaktanschluss (30) mit einem weiteren Außenkontakt (32) und einer Dotierungszone (31) gebildet ist, die dem zweiten Dotierungstyp entsprechend dotiert ist. 8. Photodetector according to claim 7, characterized in that the further contact terminal (30) with a further outer contact (32) and a doping zone (31) is formed, which is doped according to the second doping type.
9. Photodetektor nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass der weitere Kontaktanschluss (30) innerhalb der Detektorfiäche in einem unterbrochenen Bereich der oberen Dotierungszone (3) gebildet ist. 9. Photodetector according to claim 7 or 8, characterized in that the further contact terminal (30) is formed within the Detektorfiäche in a discontinuous region of the upper doping zone (3).
10. Photodetektor nach mindestens einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass der weitere Kontaktanschluss (30) im Wesentlichen mittig zu einem zugeordneten Löschwiderstandsbereich (9) angeordnet ist. 10. The photodetector according to claim 7, characterized in that the further contact connection is arranged substantially in the middle of an associated soldering resistance region.
11. Strahlungsdetektorsystem, mit: 11. Radiation detector system, with:
- einem Halbleiter-Photodetektor nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem mindestens ein der ersten zusätzlichen Dotierungszone (11) zugeordneter Kontaktanschluss (20) gebildet ist, und  - A semiconductor photodetector according to at least one of the preceding claims, wherein at least one of the first additional doping zone (11) associated contact terminal (20) is formed, and
- eine Steuerschaltung (40), die an den mindestens einen Kontaktanschluss (20) gekoppelt und konfiguriert ist, ein Steuersignal für ein an die erste zusätzliche Dotierungszone (11) anzulegendes Ansteuerpotential bereitzustellen.  a control circuit (40) coupled to the at least one contact terminal (20) and configured to provide a control signal for a drive potential to be applied to the first additional doping zone (11).
12. Strahlungsdetektorsystem nach Anspruch 11 , dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass 12. Radiation detector system according to claim 11, characterized in that it e e n e c e e s that
- an dem Halbleiter-Photodetektor weiterhin mindestens ein der unteren Dotierungszone (4) zugeordneter weiterer Kontaktanschluss (30) gebildet ist und - Is further connected to the semiconductor photodetector at least one of the lower doping zone (4) associated further contact terminal (30) and
- die Steuerschaltung (40) an den mindestens einen weiteren Kontaktanschluss (30) gekoppelt und weiterhin konfiguriert ist, einen Messwert für den Löschwiderstand des Halbleiter-Photodetektors zu erfassen und abgeleitet hieraus das Steuersignal für das an die erste zusätzliche Dotierungszone (11) anzulegende Ansteuerpotential bereitzustellen. - The control circuit (40) coupled to the at least one further contact terminal (30) and further configured to detect a reading for the erase resistance of the semiconductor photodetector and derived therefrom to provide the control signal to be applied to the first additional doping zone (11) driving potential ,
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