EP2100337A2 - Solarzelle und verfahren zur herstellung einer solarzelle - Google Patents

Solarzelle und verfahren zur herstellung einer solarzelle

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EP2100337A2
EP2100337A2 EP07847986A EP07847986A EP2100337A2 EP 2100337 A2 EP2100337 A2 EP 2100337A2 EP 07847986 A EP07847986 A EP 07847986A EP 07847986 A EP07847986 A EP 07847986A EP 2100337 A2 EP2100337 A2 EP 2100337A2
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EP
European Patent Office
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holes
solar cell
front side
regions
diffusion mask
Prior art date
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Pending
Application number
EP07847986A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Jörg Müller
Robert Wade
Markus Hlusiak
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Q Cells SE
Original Assignee
Q Cells SE
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Filing date
Publication date
Application filed by Q Cells SE filed Critical Q Cells SE
Priority to EP09165787A priority Critical patent/EP2107615A3/de
Publication of EP2100337A2 publication Critical patent/EP2100337A2/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to a solar cell and method for producing a solar cell.
  • An emitter wrap-through (EWT) solar cell has no metallization on the front.
  • the emitter is passed through a large number of small holes (d ⁇ 100 microns) on the back of the cell and contacted there.
  • the light-generated current is conducted via the emitter and the holes on the back of the cell to contacts arranged there and tapped there.
  • the strength of emitter doping plays an important role. On the one hand, a higher doping results in a smaller sheet resistance and thus contributes to the reduction of ohmic losses. In addition, the contact resistance between emitter and metallization at a high emitter doping is significantly lower. On the other hand, high doping reduces the ability of the cell, in particular, to convert short-wave light into current (so-called blue sensitivity). Accordingly, a compromise between good conductivity and blue sensitivity must be chosen for the doping.
  • US Pat. No. 7,144,751 B1 describes a solar cell in which a higher doping is present in the inner wall of the holes of the solar cell and along a grid on the front side of the solar cell.
  • the present invention is based on the object to provide a solar cell with a low effective sheet resistance at the same time high blue sensitivity and methods for producing such a solar cell.
  • the present invention provides a solar cell having a plurality of holes in which the front side has highly doped regions and lightly doped regions of a first doping type such that the holes of the solar cell each lie in a highly doped region or adjoin one another.
  • the highly doped regions are arranged locally around the holes of the solar cell.
  • the individual local highly doped regions are spatially separated from one another and thus do not form a coherent structure on the front side of the solar cell. It is thus provided that the front-side emitter has no homogeneous doping, but rather is highly doped in the immediate vicinity of the holes. Due to this special doping, the majority of the front side, which is lightly doped, has an emitter with high blue sensitivity.
  • the heavily doped regions simultaneously reduce series resistance and contact resistance.
  • the strength of the doping of the areas of the front side in the immediate vicinity of the holes is decisive for the series resistance of a solar cell.
  • the reason for this is that the current in these areas flows approximately radially to the hole and thus in these areas the highest current density occurs. If the radius of the holes is thus heavily doped, the disadvantageous electrical resistance decreases.
  • the circumference of the holes, which experiences a high doping, for example, has a radius of between a few 100 microns.
  • the solar cell according to the invention is, for example, an EWT solar cell or a metallization wrap-through (MWT) solar cell.
  • the front side forms highly doped regions which are substantially circular.
  • the highly doped regions form a circular ring with an inner radius and an outer radius, wherein the inner radius corresponds to the radius of the hole which the respective circular ring surrounds. gives.
  • the difference in radius between outer radius and inner radius is, for example, between 50 ⁇ m and 300 ⁇ m, in particular between 100 ⁇ m and 200 ⁇ m.
  • the front side forms highly doped regions which radiate star-shaped or fan-shaped from the respective holes.
  • the highly doped regions, which radiate star-shaped or fan-shaped from the respective holes in one embodiment each comprise finger-shaped regions.
  • the semiconductor substrate and thus the front side of the solar cell have areas without holes.
  • bus bars solder joints or bus bars
  • EWT solar cells always make a compromise regarding the number of holes. If, as by the present invention, a low series resistance can be realized even with a comparatively small number of holes, the holes may have a relatively large distance from one another, so that larger areas without holes lie between the holes.
  • the heavily doped regions of the front comprise regions which extend into the hole-free regions.
  • These finger-shaped, heavily doped areas are well-conducting current paths that transport the current collected in the hole-free areas to a hole. This reduces the finger-shaped, highly doped rich the series resistance. At the same time, their transparency ensures good light utilization.
  • the highly doped regions as a whole, and in particular the finger-shaped regions which extend into hole-free regions, may in one embodiment be formed in trenches in the semiconductor substrate.
  • a method according to the invention for producing an emitter-wrap-through (EWT) solar cell comprises the following steps: providing a planar semiconductor substrate having a front side and a rear side,
  • Another method according to the invention for producing an emitter-wrap-through (EWT) solar cell comprises the following steps:
  • planar semiconductor substrate having a front side and a rear side
  • the entire front side is first heavily doped.
  • the diffusion mask is patterned complementary to the diffusion mask of the method of claim 24. Outside the structured diffusion mask, the high doping is removed again. There is then a low doping in these areas. Finally, a complete removal of the diffusion mask takes place at least from the front side.
  • Figure 1 shows the top of an EWT solar cell with locally formed highly doped areas.
  • FIG. 2 shows a section through a partial region of the EWT solar cell of FIG. 1;
  • 4 shows a plan view of a further embodiment of an EWT solar cell with locally highly doped regions
  • 5 shows a diffusion mask applied to a semiconductor substrate for masking a strong diffusion, wherein the diffusion mask has circular, local recesses in the area of holes of the semiconductor substrate;
  • FIG. 6 shows a diffusion mask applied to a semiconductor substrate for masking a strong diffusion, the diffusion mask having linear recesses, each containing a row of holes;
  • Fig. 7 is a known in the prior art structure of current-collecting electrical contacts on the back of an EWT solar cell.
  • FIGS 1 and 2 show an EWT solar cell with selectively formed on the top highly doped areas.
  • the solar cell 10 includes a semiconductor substrate 13, for example, a silicon wafer, having a top 1 1 and a bottom 12.
  • a plurality of through holes 14 are formed connecting the top 11 to the bottom 12.
  • the holes 14 are arranged like a grid, wherein the distance between two holes in one direction is between 0.2 and 0.8 mm and in the direction perpendicular thereto, for example 2 mm.
  • the hole diameters are typically between 30 and 100 ⁇ m.
  • the holes 14 are made, for example, by laser drilling. However, other manufacturing methods such. B. etching or mechanical drilling conceivable.
  • the front side 1 1 of the semiconductor substrate 13 has a doping of a first type, for example an n-type doping.
  • the semiconductor substrate 13 itself also has a doping of a second, opposite type, for example a p-doping.
  • a second, opposite type for example a p-doping.
  • the n-doping is formed on the front side 1 1 and extends through the inner wall of the holes 14 to the bottom 12 of the semiconductor substrate 13.
  • the bottom side 12 has, in addition to the n-doped regions 121 further, second regions 122, which have a p-type doping. This is the p-doping of the semiconductor substrate 13, which can optionally be locally reinforced by additional doping.
  • the n-doped regions 121 of the underside 12 are connected to first electrical contacts 31 in the form of a finger contact.
  • the p-doped regions 122 of the underside 12 are connected to second electrical contacts 32, also in the form of a finger contact.
  • the electrical contacts 31, 32 are electrically isolated from each other, for example, by means of a diffusion barrier (not shown).
  • the contacts for both poles are on the back of the cell.
  • the n-type emitter region is passed through many of the tiny holes in the cell from the front to the back and only then contacted there.
  • FIG. 1 and 2 do not show all the elements of a complete EWT solar cell. Only those elements are shown which are necessary for the understanding of the present invention.
  • an EWT solar cell in addition to the elements shown on the upper side 1 1 for reflection reduction texturing and one or more passivation layers, such as a SiN x layer may have.
  • passivation layers and / or diffusion barriers for the electrical separation of the first and second electrical contacts 31, 32 can also be provided on the rear side 12.
  • the provided electrical contacts 31, 32 may, for example, aluminum and silver or consist exclusively of silver.
  • the front side 1 1, which forms the emitter adjacent to the holes 14 local highly doped regions 21 which thus have, for example, an n ++ - doping.
  • These highly doped regions 21 have, for example, the shape of a circular ring, as shown in FIG. However, they can also assume other shapes, for example star-shaped or spiral-shaped. In this case, the heavily doped regions 21 are local in the sense that they do not touch and do not overlap one another.
  • the surface is lightly doped (n + doping).
  • the Sheet resistance is preferably less than 30 ohms / sq, preferably less than 15 ohms / sq, and in a preferred embodiment, about 5 ohms / sq.
  • the area of the remaining surface 22 there is a weak doping with a sheet resistance of, for example, more than 80 ohms / sq.
  • FIG. 4 shows an alternative embodiment of an EWT solar cell in which certain local areas are heavily doped on the upper side 11 of the solar cell.
  • highly doped regions 23 formed in rows, highly doped regions 24 formed in rows and elongate, finger-shaped narrow regions 25 are provided.
  • the holes 14 are arranged, so that the front side in the immediate vicinity of the holes 14 as well as in the embodiment of Figures 1, 2 is highly doped.
  • the fingers 25 extend, starting from a hole 14, fan-shaped into a hole-free region 15.
  • a hole-free region arises, for example, in that a current busbar (busbar), a soldering point or the like (see also FIG and therefore no holes can be formed in this area.
  • busbar current busbar
  • soldering point soldering point
  • the formation of highly doped fingers 25 ensures that the conductor carriers generated in the hole-free region 15 can be conducted via well-conducting current paths to the holes 14 and from these to the cell rear side 11 to the corresponding contacts 31, 32.
  • Corresponding fingers can also be formed, for example, at edge regions of the solar cell 10 or in each case between two holes 14 of a grid, if a small number of holes are present in the solar cell and the grid is correspondingly large. It will also be pointed out that corresponding fingers which extend into hole-free regions can be realized in combination with the embodiment of FIG.
  • the fingers 25 have a width less than or equal to 50 ⁇ m. In one embodiment, the fingers 25 have a variable width, whereby they preferably taper towards their end facing away from the associated hole.
  • the highly doped regions may also have a different geometry, for example, be arranged quadrangular or oval around the individual holes around.
  • the finger-like regions 25 may each comprise only one finger, which is straight or curved (also helical).
  • FIG. 5 shows a diffusion mask 40 applied to the semiconductor substrate 13, which has circular local recesses 41 in the region of the holes 14.
  • FIG. 6 shows a diffusion mask 40 applied to the semiconductor substrate 13, which has line-shaped or strip-shaped recesses 42, each of which comprises a row of holes.
  • the mask 40 serves in each case to mask a strong diffusion, for example with phosphorus.
  • the mask of Figure 6 is compared to the mask of Figure 5 easier to manufacture, but leads to an EWT solar cell with a lower efficiency due to a lower sensitivity to blue.
  • a mask according to FIGS. 5 or 6 is produced, for example, by initially applying a diffusion mask 40 to the semiconductor substrate 13 over the whole area.
  • the semiconductor substrate 13 is oxidized, for example, so that an SiO 2 layer is formed.
  • a diffusion barrier can also be produced in another way.
  • the existing example of silicon dioxide diffusion mask 40 has a thickness of, for example, 200 nm. This layer is not penetrated by the dopants within the usual diffusion conditions: since oxide impedes diffusion, the natural surface oxide also has a disturbing effect and prevents a uniform penetration of the dopant into the silicon crystal.
  • the diffusion mask 40 is applied at least on the front side of the solar cell, but preferably both on the front and on the back.
  • a selective removal of the diffusion mask in the subregions 41 and 42 of FIGS. 5 and 6 takes place.
  • the selective removal of the diffusion mask in these regions can take place in various ways.
  • a first embodiment for this provides that an etching paste is applied in the corresponding areas on the front side.
  • etching paste is applied in round areas 41, which each contain a hole 14.
  • the etching paste is applied in strips, with each strip 42 containing a row of holes. The etching paste removes the diffusion mask in the applied areas.
  • the removal of the mask material in the regions 41, 42 in question takes place by laser ablation.
  • a line or punctiform laser spot is used.
  • the diffusion mask is etched through a patterned etch layer.
  • the structured etching layer is applied, for example, by screen printing, by an inkjet method or by dispensing.
  • a fourth embodiment uses the capillary effect.
  • the underside 12 of the solar cell 10 is immersed in an etching solution. Due to the capillary effect, the etching solution is pulled through the holes 14 to the front 1 1.
  • a local area around the holes 14 is etched, with some etching solution flowing out of the holes and / or etching through the vapors of the solution.
  • a strong diffusion of a dopant now takes place. For example, there is a strong diffusion with phosphorus.
  • the diffusion takes place in the throughflow method, wherein a carrier gas (Ar, N 2 ) is enriched to a desired extent with dopant from a source and passed into a quartz tube, in which the semiconductor substrate is located.
  • a carrier gas Ar, N 2
  • a dopant source for example, PH 3 is used.
  • a liquid dopant source such as POCl 3, is used.
  • the respective liquid is then in a tempered bubbler vessel, which is purged by the carrier gas. With the carrier gas, the dopant passes into the quartz tube for diffusion.
  • the diffusion mask 40 is completely removed from the cell front side 1 1. Subsequently, a slight diffusion takes place to provide lightly doped regions on the front side of the solar cell. The light diffusion takes place for example also by means of phosphorus.
  • FIG. 7 shows a typical structure of a current-collecting back contact of an EWT solar cell.
  • the rear side has first finger contacts 31 of a positive polarity, second finger contacts 32 of a negative polarity, and a total of four current bus bars (busbars) 33, 34, of which two are each of the same polarity.
  • the currents collected via the finger contacts 31, 32 are picked off from the solar cell via the busbars 33, 34.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Solarzelle (10), die ein planares Halbleitersubstrat (13) mit einer Vorderseite (11) und einer Rückseite (12), eine Mehrzahl von Löchern (14), die die Vorderseite (11) und die Rückseite (12) verbinden, und ausschließlich auf der Rückseite (12) angeordnete stromsammelnde elektrische Kontakte (31, 32) aufweist. Die Vorderseite (11) weist hochdotierte Bereiche (21, 25) und schwach dotierte Bereiche (22) eines ersten Typs derart auf, dass die Löcher (14) jeweils in einem hochdotieren Bereich (21, ) liegen oder an einen solchen angrenzen. Gemäß einem ersten Erfindungsaspekt sind die hochdotieren Bereiche (21) lokal um die Löcher (14) herum angeordnet. Gemäß einem zweiten Erfindungsaspekt weist die Vorderseite (11) mindestens einen Bereich (15) ohne Löcher auf und umfassen die hochdotieren Bereiche einen oder mehrere Bereiche (25), die sich in den mindestens einen lochfreien Bereich (15) erstrecken. Die Erfindung betrifft des weiteren Verfahren zur Herstellung solcher Solarzellen.

Description

Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
Beschreibung
Die Erfindung betrifft eine Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Eine Emitter Wrap-Through- (EWT-) Solarzelle besitzt auf der Vorderseite keine Metallisierung. Der Emitter wird über eine Vielzahl kleiner Löcher (d <100 μm) auf die Zellrückseite geleitet und dort kontaktiert. Der lichtgenerierte Strom wird über den Emitter und die Löcher auf die Zellrückseite zu dort angeordneten Kontakten geleitet und dort abgegriffen.
Die Stärke der Emitterdotierung spielt eine wichtige Rolle. Eine höhere Dotierung bewirkt einerseits einen kleineren Schichtwiderstand und trägt somit zur Verringerung von ohm- schen Verlusten bei. Außerdem ist der Kontaktwiderstand zwischen Emitter und Metallisierung bei einer hohen Emitterdotierung deutlich geringer. Eine hohe Dotierung verrin- gert andererseits die Fähigkeit der Zelle, insbesondere kurzwelliges Licht in Strom umzuwandeln (sogenannte Blauempfindlichkeit). Dementsprechend muss für die Dotierung ein Kompromiss zwischen guter Leitfähigkeit und Blauempfindlichkeit gewählt werden.
Zur Verringerung des effektiven Schichtwiderstands einer EWT-Solarzelle ist es bei- spielsweise aus der US 2005/0176164 A1 bekannt, in der Innenwand der Löcher der
Zelle eine höhere Dotierung vorzunehmen als auf der Vorderseite der Zelle. Ein solches
Konzept wird auch als selektiver Emitter oder selektives Dotieren bezeichnet. Aus der
US 2005/0176164 A1 ist weiter bekannt (Fig. 3D dieser Druckschrift), auf der Vordereite einer EWT-Solarzelle einen hochdotierten Streifen auszubilden, der mehrere der Löcher umfasst.
Die US 7 144 751 B1 beschreibt eine Solarzelle, bei der in der Innenwand der Löcher der Solarzelle sowie entlang eines Rasters auf der Vorderseite der Solarzelle eine höhere Dotierung vorliegen. Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, eine Solarzelle mit einem geringen effektiven Schichtwiderstand bei gleichzeitig hoher Blauempfindlichkeit sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Solarzelle bereitzustellen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung stellt in einem Erfindungsaspekt eine Solarzelle mit einer Mehrzahl von Löchern bereit, bei der die Vorderseite hochdotierte Bereiche und schwach dotierte Bereiche eines ersten Dotierungstyps derart aufweist, dass die Löcher der Solarzelle jeweils in einem hochdotierten Bereich liegen oder an einen solchen angrenzen. Dabei sind die hochdotierten Bereiche lokal um die Löcher der Solarzelle herum angeordnet. Die einzelnen lokalen hochdotierten Bereiche sind räumlich voneinander getrennt und bilden somit keine zusammenhängende Struktur auf der Vorderseite der Solarzelle. Es ist somit vorgesehen, dass der Vorderseiten-Emitter keine homogene Dotierung aufweist, sondern vielmehr in unmittelbarer Umgebung der Löcher hochdotiert ist. Durch diese spezielle Dotierung besitzt der überwiegende Teil der Vorderseite, der schwach dotiert ist, einen Emitter mit hoher Blauempfindlichkeit. Durch die hochdotierten Bereiche werden gleichzeitig der Serienwiderstand und der Kontaktwiderstand reduziert.
Für den Serienwiderstand einer Solarzelle ist unter anderem die Stärke der Dotierung der Bereiche der Vorderseite in unmittelbarer Nähe zu den Löchern ausschlaggebend. Der Grund dafür liegt darin, dass der Strom in diesen Bereichen annähernd radial auf das Loch zufließt und somit in diesen Bereichen die höchste Stromdichte auftritt. Wird der Umkreis der Löcher somit hochdotiert, so nimmt der nachteilige elektrische Widerstand ab. Der Umkreis der Löcher, der eine hohe Dotierung erfährt, weist beispielsweise einen Radius zwischen von einigen 100 μm auf.
Bei der erfindungsgemäßen Solarzelle handelt es sich beispielsweise um eine EWT- Solarzelle oder eine Metallization Wrap-Through- (MWT-) Solarzelle.
In einer Ausgestaltung der Erfindung bildet die Vorderseite hochdotierte Bereiche aus, die im wesentlichen kreisförmig sind. Dabei kann vorgesehen sein, dass die hochdotierten Bereiche einen Kreisring mit einem Innenradius und einem Außenradius bilden, wo- bei der Innenradius dem Radius des Lochs entspricht, das der jeweilige Kreisring um- gibt. Die Radiendifferenz zwischen Außenradius und Innenradius liegt z.B. zwischen 50 μm und 300 μm, insbesondere zwischen 100 μm und 200 μm.
In einer anderen Ausgestaltung bildet die Vorderseite hochdotierte Bereiche aus, die sternfömig oder fächerförmig von den jeweiligen Löchern abstrahlen. Dabei umfassen die hochdotierten Bereiche, die sternfömig oder fächerförmig von den jeweiligen Löchern abstrahlen, in einer Ausgestaltung jeweils fingerfömige Bereiche.
In einem weiteren Erfindungsaspekt weist das Halbleitersubstrat und damit die Vorder- seite der Solarzelle Bereiche ohne Löcher auf. Hiefür kann es verschiedene Gründe geben. Beispielsweise gibt es bestimmte Bereiche der Solarzelle, in denen Löcher unerwünscht sind. Dies sind insbesondere Bereiche, bei denen an der Rückseite keine Löcher möglich sind, beispielsweise, da dort Lötstellen oder Stromsammeischienen (sogenannte Bus-Bars) mit der Basispolarität des Halbleitersubstrats realisiert sind oder weil es sich um Randbereiche der Zelle handelt. Des weiteren ist es grundsätzlich aus technologischen Gründen erstrebenswert, die Anzahl der Löcher möglichst gering zu halten. Solche technologischen Gründe sind beispielsweise die Notwendigkeit des Bohrens der Löcher oder die Anzahl der Kontaktfinger und Bus-Bars auf der Rückseite. Andererseits ist es für einen geringen Serienwiderstand vorteilhaft, eine möglichst große Anzahl an Löchern vorzusehen. Dadurch ist bei z.B. EWT-Solarzellen immer ein Kom- promiss bezüglich der Löcherzahl zu treffen. Sofern, wie durch die vorliegende Erfindung, ein geringer Serienwiderstand auch bei einer vergleichsweisen geringen Anzahl von Löchern realisiert werden kann, können die Löcher einen relativ großen Abstand zueinander aufweisen, so dass zwischen den Löchern größere Bereiche ohne Löcher liegen.
In solchen lochfreien Bereichen ist die Entfernung zum nächsten Loch und damit der Strompfad auf der Vorderseite deutlich größer als gewünscht. Dies führt in diesen Bereichen zu einem großen parasitären elektrischen Serienwiderstand. Es ist nun gemäß diesem weiteren Erfindungsaspekt vorgesehen, dass die hochdotierten Bereiche der Vorderseite Bereiche umfassen, die sich in die lochfreien Bereiche erstrecken. Beispielsweise handelt es sich um fingerförmige Bereiche, die sich fächerartig in die lochfreien Bereiche erstrecken. Diese fingerförmigen, hochdotierten Bereiche stellen gut leitende Strompfade dar, die den in den lochfreien Bereichen aufgesammelten Strom zu einem Loch transportieren. Hierdurch reduzieren die fingerförmigen, hochdotierten Be- reiche den Serienwiderstand. Gleichzeitig sorgt ihre Transparenz für eine gute Lichtausnutzung.
Die hochdotierten Bereiche insgesamt und insbesondere die fingerförmigen Bereiche, die sich in lochfreie Bereiche erstrecken, können in einer Ausgestaltung in Gräben im Halbleitersubstrat ausgebildet sein.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Emitter-Wrap-Through-(EWT)- Solarzelle umfasst die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines planaren Halbleitersubstrats mit einer Vorderseite und einer Rückseite,
- Ganzflächiges Aufbringen einer Diffusionsmaske zumindest auf die Vorderseite,
- Herstellen einer Mehrzahl von Löchern im Halbleitersubstrat, die die Vorderseite und die Rückseite verbinden, - selektives Entfernen der Diffusionsmaske derart, dass die Diffusionsmaske zumindest in Bereichen, in denen die Löcher liegen oder an welche die Löcher angrenzen, entfernt wird,
- Vornahme einer starken Diffusion mit einem Dotierstoff eines ersten Typs, wobei die Bereiche der Vorderseite, in denen die Diffusionsmaske selektiv entfernt wurde, hochdo- tiert werden,
- Komplettes Entfernen der Diffusionsmaske zumindest von der Vorderseite,
- Vornahme einer leichten Diffusion mit einem Dotierstoff des ersten Typs.
Diese Verfahrensschritte müssen nicht notwendigerweise vollständig in der angegebe- nen Reihenfolge ausgeführt werden. Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass die Löcher erst nach dem selektiven Entfernen der Diffusionsmaske ausgebildet werden, oder auch bereits vor dem Aufbringen der Diffusionsmaske.
Ein weiteres erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Emitter-Wrap- Through-(EWT)-Solarzelle sieht folgende Schritte vor:
- Bereitstellen eines planaren Halbleitersubstrats mit einer Vorderseite und einer Rückseite,
- Herstellen einer Mehrzahl von Löchern im Halbleitersubstrat, die die Vorderseite und die Rückseite verbinden, - Vornahme einer starken Diffusion mit einem Dotierstoff eines ersten Typs zumindest auf der Vorderseite, wobei die gesamte Vorderseite hochdotiert wird,
- Ganzflächiges Aufbringen einer Diffusionsmaske zumindest auf die Vorderseite,
- selektives Entfernen der Diffusionsmaske derart, dass die Diffusionsmaske nur noch in definierten Bereichen, in denen die Löcher liegen oder an welche die Löcher angrenzen, vorhanden ist, danach
- Entfernen der bei der starken Diffusion hochdotierten Bereiche in den Bereichen der Vorderseite, die außerhalb der Diffusionsmaske liegen, und
- Vornahme einer leichten Diffusion mit einem Dotierstoff des ersten Typs zumindest auf der Vorderseite,
- Komplettes Entfernen der Diffusionsmaske zumindest von der Vorderseite.
Bei dieser Verfahrensvariante wird also zunächst ganzflächig die Vorderseite hochdotiert. Die Diffusionsmaske wird komplementär zu der Diffusionsmaske des Verfahrens des Anspruchs 24 strukturiert. Außerhalb der strukturierten Diffusionsmaske wird die hohe Dotierung wieder entfernt. Es erfolgt dann eine niedrige Dotierung in diesen Bereichen. Abschließend erfolgt ein komplettes Entfernen der Diffusionsmaske zumindest von der Vorderseite.
BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN DER ERFINDUNG
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnung anhand ihrer Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es versteht sich, dass diese Figuren nur typische Ausführungsformen der Erfindung darstellen und daher nicht als ihren Um- fang begrenzend zu erachten sind. Es zeigen:
Fig. 1 die Oberseite einer EWT-Solarzelle mit lokal ausgebildeten hochdotierten Bereichen;
Fig. 2 einen Schnitt durch einen Teilbereich der EWT-Solarzelle der Fig. 1 ;
Fig. 3 schematisch den Stromfluss auf der Vorderseite einer EWT-Solarzelle;
Fig. 4 eine Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel einer EWT-Solarzelle mit lokal hochdotierten Bereichen; Fig. 5 eine auf ein Halbleitersubstrat aufgebrachte Diffusionsmaske zur Maskierung einer starken Diffusion, wobei die Diffusionsmaske im Bereich von Löchern des Halbleitersubstrats kreisförmige, lokale Aussparungen aufweist;
Fig. 6 eine auf ein Halbleitersubstrat aufgebrachte Diffusionsmaske zur Maskierung einer starken Diffusion, wobei die Diffusionsmaske linienförmig, jeweils eine Lochreihe enthaltende Aussparungen aufweist; und
Fig. 7 eine im Stand der Technik bekannte Struktur stromsammelnder elektrischer Kontakte auf der Rückseite einer EWT-Solarzelle.
Die Figuren 1 und 2 zeigen eine EWT-Solarzelle mit auf der Oberseite selektiv ausgebildeten hochdotierten Bereichen. Die Solarzelle 10 umfasst ein Halbleitersubstrat 13, beispielsweise einen Siliziumwafer, mit einer Oberseite 1 1 und einer Unterseite 12. In dem Halbleitersubstrat sind eine Mehrzahl von Durchgangslöchern 14 ausgebildet, die die Oberseite 11 mit der Unterseite 12 verbinden. Die Löcher 14 sind rasterartig angeordnet, wobei der Abstand zwischen zwei Löchern in einer Richtung zwischen 0,2 und 0,8 mm liegt und in der Richtung senkrecht dazu beispielsweise 2 mm. Die Lochdurch- messer liegen typischerweise zwischen 30 und 100 μm.
Die Löcher 14 werden beispielsweise durch Laserbohren hergestellt. Jedoch sind auch andere Herstellungsverfahren wie z. B. Ätzverfahren oder mechanische Bohrverfahren denkbar.
Die Vorderseite 1 1 des Halbleitersubstrats 13 weist eine Dotierung eines ersten Typs auf, beispielsweise eine n-Dotierung. Das Halbleitersubstrat 13 selbst weist ebenfalls eine Dotierung auf, und zwar eines zweiten, entgegengesetzten Typs, beispielsweise eine p-Dotierung. Im Folgenden wird der Einfachheit halber von n-Dotierung und p- Dotierung gesprochen, auch wenn die Dotierung offensichtlich jeweils umgekehrt ausgebildet sein kann.
Die n-Dotierung ist an der Vorderseite 1 1 ausgebildet und erstreckt sich durch die Innenwand der Löcher 14 bis an die Unterseite 12 des Halbleitersubstrats 13. Die Unter- seite 12 weist neben den n-dotierten Bereichen 121 weitere, zweite Bereiche 122 auf, die eine p-Dotierung aufweisen. Es handelt sich hierbei um die p-Dotierung des Halbleitersubstrats 13, die ggf. durch zusätzliche Dotierung lokal verstärkt werden kann.
Die n-dotierten Bereiche 121 der Unterseite 12 sind mit ersten elektrischen Kontakten 31 in Form einer Fingerkontaktes verbunden. Die p-dotierten Bereiche 122 der Unterseite 12 sind mit zweiten elektrischen Kontakten 32, ebenfalls in Form eines Fingerkontakts verbunden. Die elektrischen Kontakte 31 , 32 sind beispielsweise mittels einer Diffusionsbarriere (nicht dargestellt) elektrisch voneinander isoliert.
Bei dem dargestellten EWT-Zellkonzept liegen die Kontakte für beide Pole auf der Rückseite der Zelle. Der n-dotierte Emitterbereich wird durch viele die winzigen Löcher in der Zelle von der Vorder- auf die Rückseite geführt und erst dort kontaktiert.
Es wird darauf hingewiesen, dass die Figuren 1 und 2 nicht sämtliche Elemente einer kompletten EWT-Solarzelle zeigen. Es sind lediglich diejenigen Elemente dargestellt, die für das Verständnis der vorliegenden Erfindung erforderlich sind. Beispielsweise ist dem Fachmann bekannt, dass eine EWT-Solarzelle neben den dargestellten Elementen auf der Oberseite 1 1 zur Reflexionsminderung eine Texturierung sowie eine oder mehrere Passivierungsschichten, beispielsweise eine SiNx-Schicht aufweisen kann. Weiter können auf der Rückseite 12 ebenfalls Passivierungsschichten und/oder Diffusionsbarrieren zur elektrischen Trennung der ersten und zweiten elektrischen Kontakte 31 , 32 vorgesehen sein. Die vorgesehenen elektrischen Kontakte 31 , 32 können beispielsweise Aluminium und Silber aufweisen oder ausschließlich aus Silber bestehen. Dies sind nur Beispiele für weitere Ausgestaltungen, die die EWT-Solarzellen aufweisen können.
Es ist nun vorgesehen, dass die Vorderseite 1 1 , die den Emitter bildet, angrenzend an die Löcher 14 lokale hochdotierte Bereiche 21 aufweist, die also beispielsweise eine n++-Dotierung aufweisen. Diese hochdotierten Bereiche 21 besitzen beispielsweise die Form eines Kreisrings, wie in der Fig. 1 dargestellt. Sie können jedoch auch andere For- men annehmen, beispielsweise sternförmig oder spiralförmig ausgebildet sein. Dabei sind die hochdotierten Bereiche 21 lokal in dem Sinne, dass sie sich nicht berühren und einander nicht überlappen.
Außerhalb dieser Bereiche in dem sonstigen Oberflächenbereich 22 ist die Oberfläche dagegen schwach dotiert (n+-Dotierung). In den hochdotierten Bereichen 21 liegt der Schichtwiderstand bevorzugt bei weniger als 30 Ohm/sq, vorzugsweise bei weniger als 15 Ohm/sq und in einer bevorzugten Ausgestaltung bei etwa 5 Ohm/sq. Im Bereich der restlichen Oberfläche 22 liegt eine schwache Dotierung mit einem Schichtwiderstand von beispielsweise mehr als 80 Ohm/sq vor.
Aus Figur 3 ist erkennbar, dass die Stromdichte aufgrund des Umstandes, dass der Strom annähernd radial auf ein Loch 14 zufließt, mit abnehmendem Abstand zum Loch 14 zunimmt, so dass im Umgebungsbereich eines Loches 14 die höchste Stromdichte auftritt. Durch die Hochdotierung dieses Umkreises der Löcher 14 wird der Schichtwi- derstand der EWT-Solarzelle reduziert. Gleichzeitig besitzt der überwiegende Teil 22 der Vorderseite 1 1 einen Emitter mit einer schwachen Dotierung und dementsprechend einer hohen Blauempfindlichkeit (d.h. einer guten Fähigkeit, kurzwelliges Licht in Strom umzuwandeln).
Die Figur 4 zeigt ein alternatives Ausführungsbeispiel einer EWT-Solarzelle, bei dem auf der Oberseite 1 1 der Solarzelle bestimmte lokale Bereiche hochdotiert sind. Es sind hierzu im Ausführungsbeispiel der Figur 4 in Zeilen ausgebildete hochdotierte Bereiche 23, in Reihen ausgebildete hochdotierte Bereiche 24 und längliche, fingerförmige schmale Bereiche 25 vorgesehen. An den Kreuzungspunkten der hochdotierten Zeilen und Spalten 23, 24 sind die Löcher 14 angeordnet, so dass die Vorderseite in unmittelbarer Umgebung der Löcher 14 ebenso wie im Ausführungsbeispiel der Figuren 1 , 2 hochdotiert ist.
Die Finger 25 erstrecken sich, ausgehend von einem Loch 14, fächerförmig in einen lochfreien Bereich 15. Ein solcher lochfreier Bereich entsteht beispielsweise dadurch, dass auf der Rückseite eine Stromsammeischiene (Busbar), eine Lötstelle oder ähnliches (vgl. auch Figur 7) ausgebildet ist und daher in diesem Bereich keine Löcher ausgebildet werden können. Dies führt aber dazu, dass der lochfreie Bereich 15 einen großen Abstand zum nächsten Loch 14 besitzt. Dieser große Abstand kann nachteilig zu einem großen parasitären elektrischen Serienwiderstand führen. Durch die Ausbildung hochdotierter Finger 25 wird erreicht, dass die in dem lochfreien Bereich 15 erzeugten Leitungsträger über gut leitende Strompfade auf die Löcher 14 und von diesen auf die Zellrückseite 1 1 zu den entsprechenden Kontakten 31 , 32 geleitet werden können. Entsprechende Finger können beispielsweise auch an Randbereichen der Solarzelle 10 oder jeweils zwischen zwei Löchern 14 eines Rasters ausgebildet sein, wenn eine geringe Anzahl von Löchern in der Solarzelle vorliegt und das Raster dementsprechend groß ist. Auch wird darauf hingeweisen, dass entsprechende Finger, die sich in lochfreie Bereiche erstrecken, in Kombination mit der Ausgestaltung der Figur 1 realisiert werden können.
Die Finger 25 weisen beispielsweise eine Breite kleiner oder gleich 50 μm auf. In einer Ausgestaltung weisen die Finger 25 eine variable Breite auf, wobei sie sich bevorzugt zu ihrem dem zugehörigen Loch abgewandten Ende hin verjüngen.
Es wird darauf hingewiesen, dass die Ausgestaltung der Figuren 1 , 2 und 4 nur beispielhaft zu verstehen sind. Die hochdotierten Bereiche können auch eine andere Geometrie aufweisen, beispielsweise viereckig oder oval um die einzelnen Löcher herum angeordnet sein. Auch können die fingerartigen Bereiche 25 beispielsweise jeweils nur einen Finger umfassen, der gerade oder gekrümmt (auch schneckenförmig) ausgebildet ist.
Zur Herstellung der hochdotierten Bereiche auf der Oberseite 1 1 der Solarzellen ist die Aufbringung einer Diffusionsmaske auf das Halbleitersubstrat 13 und eine Strukturierung dieser Diffusionsmaske vorgesehen. Die Figur 5 zeigt eine auf das Halbleitersubstrat 13 aufgebrachte Diffusionsmaske 40, die im Bereich der Löcher 14 kreisförmige, lokale Aussparungen 41 aufweist. Die Figur 6 zeigt eine auf das Halbleitersubstrat 13 aufgebrachte Diffusionsmaske 40, die linienförmige bzw. streifenförmige Aussparungen 42 aufweist, die jeweils eine Lochreihe umfassen. Die Maske 40 dient jeweils der Maskierung einer starken Diffusion, beispielsweise mit Phosphor. Die Maske der Figur 6 ist dabei gegenüber der Maske der Figur 5 leichter herzustellen, führt aber zu einer EWT- Solarzelle mit einer geringeren Effizienz aufgrund einer geringeren Blauempfindlichkeit.
Eine Maske gemäß den Figuren 5 oder 6 wird beispielsweise dadurch erzeugt, dass zunächst ganzflächig eine Diffusionsmaske 40 auf das Halbleitersubstrat 13 aufgebracht wird. Hierzu wird das Halbleitersubstrat 13 beispielsweise oxidiert, so dass eine SiO2- Schicht entsteht. Eine Diffusionsbarriere kann jedoch auch in anderer Weise hergestellt werden. Die beispielsweise aus Siliziumdioxid bestehende Diffusionsmaske 40 weist eine Dicke von beispielsweise 200 nm auf. Diese Schicht wird von den Dotierstoffen innerhalb der üblichen Diffusionsbedingungen nicht durchdrungen: da Oxid die Diffusion behindert, wirkt auch das natürliche Oberflächenoxid störend und verhindert ein gleichmäßiges Eindringen des Dotierstoffes in den Siliziumkristall.
Die Diffusionsmaske 40 wird zumindest auf der Vorderseite der Solarzelle aufgebracht, bevorzugt jedoch sowohl auf der Vorder- als auch auf der Rückseite.
Vor oder nach Herstellung der Löcher (bevorzugt nach Herstellung der Löcher) erfolgt ein selektives Entfernen der Diffusionsmaske in den Teilbereichen 41 bzw. 42 der Figuren 5 und 6. Das selektive Entfernen der Diffusionsmaske in diesen Bereichen kann auf verschiedene Weise erfolgen.
Eine erste Ausgestaltung hierzu sieht vor, dass eine Ätzpaste in den entsprechenden Bereichen auf der Vorderseite aufgebracht wird. In der Ausgestaltung der Figur 5 wird Ätzpaste in runden Bereichen 41 , die jeweils ein Loch 14 enthalten, aufgebracht. In der Ausgestaltung der Figur 6 wird die Ätzpaste streifenförmig aufgebracht, wobei jeder Streifen 42 eine Lochreihe enthält. Die Ätzpaste entfernt in den aufgebrachten Berei- chen die Diffusionsmaske.
In einem zweiten Ausführungsbeispiel erfolgt das Abtragen des Maskenmaterials in den fraglichen Bereichen 41 , 42 durch Laserablation. Es wird ein linien- oder punktförmiger Laserspot verwendet.
In einer dritten Ausgestaltung wird die Diffusionsmaske durch eine strukturierte Ätzschicht geätzt. Die strukturierte Ätzschicht wird beispielsweise durch Siebdruck, ein Ink- jet-Verfahren oder Dispensen aufgebracht.
Eine vierte Ausführungsvariante nutzt den Kapillareffekt. Es wird dabei die Unterseite 12 der Solarzelle 10 in eine Ätzlösung getaucht. Aufgrund des Kapillareffektes wird die Ätzlösung durch die Löcher 14 zur Vorderseite 1 1 hindurchgezogen. Hierbei wird ein lokaler Bereich um die Löcher 14 herum geätzt, wobei etwas Ätzlösung aus den Löchern heraus fließt und/oder ein Ätzen durch die Dämpfe der Lösung erfolgt. Nach dem selektiven Entfernen der Diffusionsmaske 40 in den Teilbereichen 41 , 42 der Vorderseite erfolgt nun eine starke Diffusion eines Dotierstoffes. Beispielsweise erfolgt eine starke Diffusion mit Phosphor. Hierzu kann vorgesehen sein, dass die Diffusion im Durchströmverfahren erfolgt, wobei ein Trägergas (Ar, N2) von einer Quelle in ge- wünschtem Maße mit Dotierstoff angereichert und in ein Quarzrohr geleitet wird, in dem sich das Halbleitersubstrat befindet. Als Dotierstoffquelle wird beispielsweise PH3 verwendet. Alternativ wird eine flüssige Dotierstoffquelle, beispielsweise POCI3 benutzt. Die jeweilige Flüssigkeit befindet sich dann in einem temperierten Bubbler-Gefäß, das vom Trägergas durchspült wird. Mit dem Trägergas gelangt der Dotierstoff zur Diffusion in das Quarzrohr.
Ebenso ist es beispielsweise möglich, eine starke Diffusion über eine aufgedruckte Diffusionspaste durchzuführen, wie beispielsweise in der US 2005/07 61 64 A1 beschrieben.
Nach Durchführen der starken Diffusion wird die Diffusionsmaske 40 vollständig von der Zellvorderseite 1 1 entfernt. Anschließend erfolgt eine leichte Diffusion zur Bereitstellung schwach dotierter Bereiche auf der Vorderseite der Solarzelle. Die leichte Diffusion erfolgt beispielsweise ebenfalls mittels Phosphor.
Es schließen sich weitere Prozesse wie Passivierungsprozesse, Prozesse zur Bereitstellung einer Texturierung der Oberseite und Prozesse zur Herstellung positiver und negativer Kontakte auf der Rückseite der Solarzelle in entsprechenden Bereichen an. Diese weiteren Schritte sind jedem Fachmann an sich bekannt, so dass hierauf nicht weiter eingegangen wird.
Die Figur 7 zeigt eine typische Struktur einer stromsammelnden Rückseitenkontaktie- rung einer EWT-Solarzelle. Die Rückseite weist erste Fingerkontakte 31 einer positiven Polarität, zweite Fingerkontakte 32 einer negativen Polarität sowie insgesamt vier Stromsammeischienen (Busbars) 33, 34 auf, von denen jeweils zwei gleicher Polarität sind. Die über die Fingerkontakte 31 , 32 gesammelten Ströme werden über die Busbars 33, 34 von der Solarzelle abgegriffen.

Claims

Patentansprüche
1. Solarzelle (10) aufweisend: - ein planares Halbleitersubstrat (13) mit einer Vorderseite (1 1 ) und einer Rückseite (12), eine Mehrzahl von Löchern (14), die die Vorderseite (1 1 ) und die Rückseite (12) verbinden, und ausschließlich auf der Rückseite (12) angeordnete stromsammelnde elektri- sehe Kontakte (31 , 32), wobei die Vorderseite (1 1 ) eine Dotierung eines ersten Typs aufweist, die Innenwand der Löcher (14) eine Dotierung des ersten Typs oder eine Metallisierung aufweist, die Rückseite (12) erste Bereiche (121 ) aufweist, die die Löcher (14) umfas- sen und die eine Dotierung des ersten Typs aufweisen, sowie zweite Bereiche
(122), die eine Dotierung eines zweiten Typs aufweisen, die stromsammelnden elektrischen Kontakte (31 , 32) erste Kontakte (31 ), die die ersten Bereiche (121 ) der Rückseite (12) kontaktieren, und zweite Kontakte (32), die die zweiten Bereiche (122) der Rückseite (12) kontaktieren, um- fassen, und die Vorderseite (1 1 ) hochdotierte Bereiche (21 ) und schwach dotierte Bereiche (22) des ersten Typs derart aufweist, dass die Löcher (14) jeweils in einem hochdotierten Bereich (21 ) liegen oder an einen solchen angrenzen,
dadurch gekennzeichnet, dass
die hochdotierten Bereiche (21 ) lokal um die Löcher (14) herum angeordnet sind, wobei die einzelnen lokalen hochdotierten Bereiche (21 ) räumlich voneinander getrennt sind.
2. Solarzelle nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die lokalen hochdotierten Bereiche (21 ) kreisförmig ausgebildet sind.
3. Solarzelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die hochdotierten Bereiche (21 ) einen Kreisring mit einem Innenradius und einem Außenradius bilden, wobei der Innenradius dem Radius des Lochs (14) entspricht, das der jeweili- ge Kreisring umgibt, und wobei die Radiendifferenz zwischen Außenradius und Innenradius zwischen 50 μm und 300 μm, insbesondere zwischen 100 μm und 200 μm liegt.
4. Solarzelle nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Vorderseite (1 1 ) hochdotierte Bereiche ausbildet, die sternfömig oder fächerförmig von den jeweiligen Löchern (2) abstrahlen.
5. Solarzelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die hochdotierten Bereiche, die sternfömig oder fächerförmig von den jeweiligen Löchern (2) abstrahlen, jeweils fingerfömige Bereiche (25) umfassen.
6. Solarzelle nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die hochdotierten Bereiche (21 ) einen Durchmesser zwischen 50 μm und 1000 μm, insbesondere zwischen 100 μm und 500 μm aufweisen.
7. Solarzelle (10) aufweisend: ein planares Halbleitersubstrat (13) mit einer Vorderseite (1 1 ) und einer Rückseite (12), - eine Mehrzahl von Löchern (14), die die Vorderseite (1 1 ) und die Rückseite
(12) verbinden, und ausschließlich auf der Rückseite (12) angeordnete stromsammelnde elektrische Kontakte (31 , 32), wobei die Vorderseite (11 ) eine Dotierung eines ersten Typs aufweist, - die Innenwand der Löcher (14) eine Dotierung des ersten Typs oder eine Metallisierung aufweist, die Rückseite (12) erste Bereiche (121 ) aufweist, die die Löcher (14) umfassen und die eine Dotierung des ersten Typs aufweisen, sowie zweite Bereiche (122), die eine Dotierung eines zweiten Typs aufweisen, - die stromsammelnden elektrischen Kontakte (31 , 32) erste Kontakte (31 ), die die ersten Bereiche (121 ) der Rückseite (12) kontaktieren, und zweite Kontakte (32), die die zweiten Bereiche (122) der Rückseite (12) kontaktieren, umfassen, die Vorderseite (11 ) hochdotierte Bereiche (21 , 23, 24, 25) und schwach do- tierte Bereiche (22) des ersten Typs derart aufweist, dass die Löcher (14) je- weils in einem hochdotieren Bereich (21 , 23, 24, 25) liegen oder an einen solchen angrenzen,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Halbleitersubstrat (13) und damit die Vorderseite (1 1 ) mindestens einen Bereich (15) ohne Löcher aufweist und die hochdotieren Bereiche der Vorderseite einen oder mehrere Bereiche (25) umfassen, die sich in den mindestens einen lochfreien Bereich (15) erstrecken.
8. Solarzelle nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die hochdotierten Bereiche der Vorderseite einen oder mehrere fingerförmige Bereiche (25) umfassen, die sich in den mindestens einen lochfreien Bereich (15) erstrecken.
9. Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die fingerförmigen Bereiche (25) jeweils geradlinig ausgebildet sind.
10. Solarzelle nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einige der fingerförmigen Bereiche (25) eine variable Breite aufweisen.
1 1. Solarzelle nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die fingerförmigen Bereiche (25) sich zu ihrem Ende hin verjüngen.
12. Solarzelle nach einem der Ansprüche 8 bis 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl fingerförmiger Bereiche (25) sich ausgehend von einem Loch (14) fächerförmig in einen lochfreien Bereich (15) erstreckt.
13. Solarzelle nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die fingerförmigen Bereiche (25) eine Breite von < 50 μm aufweisen.
14. Solarzelle nach einem der Ansprüche 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die fingerförmigen Bereiche (25) in Gräben des Halbleitersubstrats (13) ausgebildet sind.
15. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die schwach dotierten Bereiche (22) der Vorderseite einen Schichtwiderstand von > 80 Ohm/sq aufweisen.
16. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die hochdotierten Bereiche (21 , 23, 24, 25) einen Schichtwiderstand kleinergleich 30 Ohm/sq, insbesondere kleinergleich 15 Ohm/sq, insbesondere von etwa 5 Ohm/sq aufweisen.
17. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die hochdotierten Bereiche (21 , 23, 24, 25) in auf dem Halbleitersubstrat (13) ausgebildeten Gräben ausgebildet sind.
18. Solarzelle nach einem vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auch die Innenwand (141 ) der Löcher (14) hochdotiert ist.
19. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auch die auf der Rückseite (12) angeordneten Bereiche (121 ) der Dotierung des ersten Typs hochdotiert sind.
20. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierung des ersten Typs eine n-Dotierung und die Dotierung des zweiten Typs eine p-Dotierung ist, oder umgekehrt.
21. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitersubstrat (13) ein p-dotiertes oder n-dotiertes monokristallines oder polykristallines Siliziumsubstrat ist.
22. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten elektrischen Kontakte (31 ) und die zweiten elektrischen Kontakte
(32) zwei ineinander greifende Kämme auf der Rückseite (12) der Solarzelle bilden.
23. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Löcher (14) in einem Raster angeordnet sind und der Abstand zwischen zwei Löchern (14) in einer Richtung zwischen 0,2 und 0,8 mm und in der Richtung senkrecht dazu zwischen 1 und 2,5 mm beträgt.
24. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit den Schritten: - Bereitstellen eines planaren Halbleitersubstrats (13) mit einer Vorderseite (1 1 ) und einer Rückseite (12),
- Ganzflächiges Aufbringen einer Diffusionsmaske (40) zumindest auf die Vorderseite (1 1 ),
- Herstellen einer Mehrzahl von Löchern (14) im Halbleitersubstrat (23), die die Vorderseite (1 1 ) und die Rückseite (12) verbinden,
- selektives Entfernen der Diffusionsmaske (40) derart, dass die Diffusionsmaske (40) zumindest in Bereichen (41 , 42), in denen die Löcher (14) liegen oder an welche die Löcher (14) angrenzen, entfernt wird,
- Vornahme einer starken Diffusion mit einem Dotierstoff eines ersten Typs, wobei die Bereiche (41 , 42) der Vorderseite (1 1 ), in denen die Diffusionsmaske selektiv entfernt wurde, hochdotiert werden,
- Komplettes Entfernen der Diffusionsmaske (40) zumindest von der Vorderseite
(11 X
- Vornahme einer leichten Diffusion mit einem Dotierstoff des ersten Typs.
25. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit den Schritten:
- Bereitstellen eines planaren Halbleitersubstrats (13) mit einer Vorderseite (1 1 ) und einer Rückseite (12),
- Herstellen einer Mehrzahl von Löchern (14) im Halbleitersubstrat (23), die die Vorderseite (1 1 ) und die Rückseite (12) verbinden,
- Vornahme einer starken Diffusion mit einem Dotierstoff eines ersten Typs zumindest auf der Vorderseite (1 1 ), wobei die gesamte Vorderseite (1 1 ) hochdotiert wird,
- Ganzflächiges Aufbringen einer Diffusionsmaske zumindest auf die Vorderseite (1 1 ),
- selektives Entfernen der Diffusionsmaske (40) derart, dass die Diffusionsmaske nur noch in definierten Bereichen, in denen die Löcher (14) liegen oder an welche die Löcher (14) angrenzen, vorhanden ist, danach
- Entfernen der bei der starken Diffusion hochdotierten Bereiche in den Bereichen der Vorderseite (1 1 ), die außerhalb der Diffusionsmaske (40) liegen, - Vornahme einer leichten Diffusion mit einem Dotierstoff des ersten Typs zumindest auf der Vorderseite (1 1 ), und
- Komplettes Entfernen der Diffusionsmaske (40) zumindest von der Vorderseite (1 1 ).
26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Entfernen der hochdotierten Bereiche in den Bereichen außerhalb der Diffusionsmaske eine Ablation und/oder ein Ätzen umfasst.
27. Verfahren nach Anspruch 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, dass die starke Diffusion eine Phosphordiffusion und die leichte Diffusion ebenfalls eine Phosphordiffusion umfasst.
28. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionsmas- ke (40) beim selektiven Entfernen der Diffusionsmaske (40) in lokalen Bereichen
(41 ) um die jeweiligen Löcher (14) herum entfernt wird.
29. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionsmaske (40) beim selektiven Entfernen der Diffusionsmaske in lokalen Bereichen um die jeweiligen Löcher (14) herum beibehalten wird.
30. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionsmaske (40) beim selektiven Entfernen der Diffusionsmaske (40) in streifenförmigen Bereichen (42), die Reihen der rasterförmig angeordneten Löcher (14) umfasst, ent- fernt wird.
31. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionsmaske (40) beim selektiven Entfernen der Diffusionsmaske in streifenförmigen Bereichen, die Reihen der rasterförmig angeordneten Löcher (14) umfasst, beibehalten wird.
32. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 31 , dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des selektiven Entfernens der Diffusionsmaske (40) das Aufbringen einer Ätzpaste auf die Vorderseite (1 1 ) umfasst.
33. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzpaste in Streifen, der jeweils ganze Lochreihen enthält, oder in lokalen Bereichen, die jeweils ein Loch enthalten, aufgebracht wird.
34. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 31 , dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Entfernen der Diffusionsmaske (40) eine Laserablation des Maskenmaterials umfasst.
35. Verfahren nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserablation die Verwendung von linien- oder punktförmigen Laserspots umfasst.
36. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 31 , dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Entfernen der Diffusionsmaske (40) ein Ätzen der Diffusionsmaske durch eine strukturierte Ätzschicht umfasst.
37. Verfahren nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Ätzschicht durch Siebdruck, InkJet-Verfahren oder Dispensen aufgebracht wird.
38. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 31 , dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Entfernen der Diffusionsmaske (40) das Benetzen der Rückseite (12) der Zelle (10) mit einer Ätzlösung umfasst, wobei die Ätzlösung aufgrund eines Kapillareffektes durch die Löcher (14) hindurch von der Rückseite (12) der Zelle auf die Vorderseite (1 1 ) hindurchgezogen wird und um die Löcher (14) herum geätzte Bereiche bildet.
39. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 38, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionsmaske (40) durch Oxidation des Halbleitersubstrats (13) ganzflächig auf dieses aufgebracht wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1993142A1 (de) * 2007-05-14 2008-11-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Reflektiv beschichtetes Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
ES2402779T3 (es) * 2007-12-14 2013-05-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Célula solar de película delgada y procedimiento para su fabricación
KR100997113B1 (ko) * 2008-08-01 2010-11-30 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그의 제조방법
KR101072543B1 (ko) * 2009-04-28 2011-10-11 현대중공업 주식회사 태양 전지의 제조 방법
KR20110089497A (ko) * 2010-02-01 2011-08-09 삼성전자주식회사 기판에의 불순물 도핑 방법, 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 태양 전지
US8524524B2 (en) 2010-04-22 2013-09-03 General Electric Company Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells
TWI626757B (zh) * 2013-07-09 2018-06-11 英穩達科技股份有限公司 背面接觸型太陽能電池
DE102013218738A1 (de) * 2013-09-18 2015-04-02 Solarworld Industries Sachsen Gmbh Solarzelle mit Kontaktstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903428A (en) * 1973-12-28 1975-09-02 Hughes Aircraft Co Solar cell contact design
US6842457B1 (en) 1999-05-21 2005-01-11 Broadcom Corporation Flexible DMA descriptor support
US7170001B2 (en) * 2003-06-26 2007-01-30 Advent Solar, Inc. Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias
US7144751B2 (en) * 2004-02-05 2006-12-05 Advent Solar, Inc. Back-contact solar cells and methods for fabrication

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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