EP2067190A2 - Radiation-emitting device - Google Patents

Radiation-emitting device

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Publication number
EP2067190A2
EP2067190A2 EP07817510A EP07817510A EP2067190A2 EP 2067190 A2 EP2067190 A2 EP 2067190A2 EP 07817510 A EP07817510 A EP 07817510A EP 07817510 A EP07817510 A EP 07817510A EP 2067190 A2 EP2067190 A2 EP 2067190A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
radiation
emitting device
contact
electrode surface
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP07817510A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Markus Klein
Florian Schindler
Ian Stephen Millard
Sok Gek Beh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram Oled GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP2067190A2 publication Critical patent/EP2067190A2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022491Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of a thin transparent metal layer, e.g. gold
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
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    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
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    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness

Definitions

  • the invention relates to a radiation emitting
  • Device with at least one functional layer which emits radiation during operation.
  • Radiation-emitting devices are suitable as large-area, thin light-emitting elements. However, due to their construction, they have a voltage drop along the lateral direction, which affects the luminance and thus the brightness. The emitted light is thus not homogeneous, but has differences in the local luminance.
  • the object of the invention is to provide a radiation-emitting device, which is characterized by an improved, homogenized luminance and thus reduces the above-mentioned disadvantages.
  • a radiation-emitting device according to claim 1.
  • Particularly advantageous embodiments and further radiation-emitting devices are the subject of further claims.
  • a multiplicity of partial regions are introduced into the layer sequence in which the luminance of the radiation is reduced.
  • Such a radiation-emitting device preferably comprises a substrate and a layer sequence arranged on the substrate.
  • the layer sequence comprises a first electrode surface on the substrate with a first contact for applying a voltage, at least one functional layer which emits radiation during operation, and a second electrode surface on the at least one functional layer.
  • a plurality of sub-areas is present, which is modified so that out of them the emission of visible to an external observer radiation is interrupted.
  • the distribution density of these subregions varies depending on their distance from the contact.
  • the advantage here is that the luminance of the radiation-emitting device varies as a function of the distance from the contacting.
  • the modified partial regions are particularly advantageously arranged in the regions of the radiation-emitting device in which, without these partial regions, normally a higher luminance would be present. In this way, the luminance can be reduced in these areas and thus a more uniform distribution of the luminance over the entire luminous area
  • a further advantageous feature of a further embodiment of the invention is a radiation-emitting device with partial regions which are not recognizable to the naked eye by an external viewer. Furthermore, the radiation-emitting device can also have partial areas that have microscopic dimensions. As a result, the luminous impression is not disturbed by the external observer, but he perceives only the luminance changed or homogenized by the introduced subregions.
  • the invention may have the advantageous feature that the radiation-emitting device has partial regions which reduce the luminance of the emitted radiation. This has the advantage that areas of the functional layer, which would have a high luminance without the partial areas, can be regulated by introducing the partial areas in their average brightness.
  • the first contact is present on the side of the first electrode surface.
  • the first electrode surface can be supplied with voltage.
  • a third contact is provided laterally of the second electrode surface, whereby the second electrode surface can be supplied with voltage.
  • the at least one functional layer may conveniently comprise an organic functional layer and preferably also comprise a charge transport layer.
  • the material of Functional layer may include polymers and / or Sraall Molecules.
  • the radiation-emitting device is an organic, light-emitting diode (OLED), which is particularly well suited as a large-area light-emitting element.
  • the at least one functional layer can also be an inorganic functional layer, for example based on phosphide or nitride compound semiconductors.
  • the materials are those having the general formula Al n Ga m In n- ra P, where O ⁇ n ⁇ l, O ⁇ m ⁇ l and n + m ⁇ 1 or nitride III / V compound semiconductors, preferably general formula Al n Ga m In; i . - n - m N, where O ⁇ n ⁇ l, 0 ⁇ m ⁇ 1 and n + m ⁇ 1.
  • the voltage drop of the radiation-emitting device may be due, inter alia, to the conductivity of one or both of the first and second electrode surfaces.
  • the first and / or second electrode surface may be a semi-transparent or a transparent electrode surface, which include radiation-emitting functional layers.
  • one of the two electrode surfaces may also be a reflective electrode surface.
  • the conductivity of the transparent electrode surfaces can be limited by two to three or more orders of magnitude compared to the conductivity of a reflective electrode
  • the radiation-emitting device can preferably have a first and / or second electrode surface, which is semitransparent or transparent for the radiation emitted by the functional layer.
  • the advantage here is that the generated radiation can be emitted through the first and / or second electrode surface.
  • the material of the first and / or second electrode surface comprises metal oxides in a favorable embodiment.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, usually metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 Oi 2 or
  • TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.
  • transparent electrodes may include highly conductive organic materials such as PEDOT, or doped organic layers include metals, such as Ag, or combinations of the above options.
  • Radiation-emitting device having between the first and the second electrode surface a plurality of insulating and / or non-transparent to the radiation elements in the sub-areas. Their distribution density and / or geometric shape in turn varies depending on the distance of the elements from the first and / or third contact. These elements have the advantage that they can modify the distance from the contacting dependent brightness of the radiation-emitting device. Thus, in this embodiment, the abovementioned partial regions are modified by the insulating and / or non-transparent elements for the radiation in such a way that the coupling out of the radiation from the device is blocked out of them.
  • the distribution density of the insulating and / or non-transparent elements decreases with increasing distance from the first and / or third contacting. Furthermore, the insulating and / or non-transparent elements present between the first and second electrode surfaces can prevent emission of radiation from the device in these subregions.
  • This has the advantage that the regions of the layer sequence that would have a high luminance without the elements and that are close to the first and / or third contact, a high distribution density of insulating and / or non-transparent elements and the regions which, without the elements, would have a reduced luminance compared to the regions closer to the contacting and which are located farther away from the contacting, have a low distribution density of insulating and / or non-transparent elements.
  • the radiation emission is thus reduced more by the elements in the areas of normally high luminance than in areas of normally low luminance.
  • the luminance difference across the area is reduced or compensated with a suitable variation of the distribution density.
  • the distribution density of the insulating and / or non-transparent elements is chosen so that the difference in the luminance of the radiation emitted by the device between different areas of the device with different distribution densities of the elements is not more than 20%.
  • Brightness difference is barely perceptible by an external observer and conveys an improved, more homogeneous luminance.
  • the insulating and / or non-transparent elements can furthermore be formed in a line shape and arranged in a periodic structure in the functional layer.
  • a periodic structure may include, for example, a grid.
  • the grid may have a grid spacing between adjacent line-shaped elements, which increases with increasing distance from the first and / or third contact.
  • Such a grid with varying periodicity can be easily and inexpensively in the Install radiation-emitting device without significantly changing the layer sequence of the device. Also, the manufacturing process does not have to be changed over to install such a grid in the device.
  • the functional layer can be arranged.
  • the layer thickness of the functional layer between adjacent line-shaped elements can continue to decrease with increasing lattice spacing of the elements.
  • the functional layer can also be arranged in addition over the linear elements.
  • the layer thickness of the functional layer between adjacent line-shaped elements can be controlled, since when the at least one organic functional layer is applied, uncontrolled material transport across the electrode surface is prevented or prevented by the linear insulating and / or non-transparent elements arranged in a grid. is reduced. This may be due to the surface tension of the material of the functional layer between adjacent line-shaped elements.
  • the material transport can be further prevented by the fact that the insulating and / or non-transparent elements are not or only slightly wetting for the material of the organic functional layer.
  • the material of the functional layer accumulates independently of one another during the application of the material for the functional layer by means of a wet-chemical method, such as spin coating or doctoring, for example, and dries depending on the grid spacing to a specific one layer thickness.
  • the layer thickness of the functional layer can decrease with increasing lattice spacing of the insulating and / or non-transparent elements, which is due to the surface tension of the solution of the material for the functional layer.
  • the functional layer can thus be formed in a uniform layer thickness.
  • the layer thickness of the organic functional layer between adjacent line-shaped elements decreases, since the distance of the adjacent line-shaped elements increases with greater distance from the first and / or third contacting.
  • the intensity of the emitted radiation can decrease with increasing layer thickness. This means that with increasing distance from the contacting, the lattice spacing between adjacent line-shaped elements becomes larger, and thus the layer thickness of the functional layer present between the linear elements becomes smaller. In the areas near the contact, in which without the linear elements a stronger intensity of
  • the intensity of the emitted radiation can increase with increasing layer thickness.
  • the lattice spacing can increase with increasing distance from the decrease first and / or third contact to obtain the emitted radiation unified across the surface.
  • the insulating elements comprise electrically insulating elements and, due to their electrically non-conductive properties, interrupt the emission of the radiation in the subregions of the layer sequence in which they are present. This breaks the radiation in the subregions and the radiation loses brightness across the surface.
  • the material of the electrically insulating elements may be transparent to the emitted radiation and the size of the insulating elements may advantageously comprise a few micrometers, preferably less than 200 microns, preferably less than 100 microns, more preferably less than 20 microns.
  • the advantage here is that the insulating elements, and thus the non-luminous regions of the radiation-emitting device, are generally not resolvable with the naked eye and thus do not disturb the overall image of the luminous area. Due to the varying distribution density, only as many insulating elements are present as necessary, so that only a small area coverage of the first and / or second electrode surface is present through the electrically insulating elements.
  • the material of the electrically insulating elements may advantageously be selected from a group comprising photoresists, nitrides, ceramics, oxides and organic insulating compounds.
  • the elements in the subregions in the layer sequence are not transparent to the emitted radiation but instead reflect and / or absorb it.
  • the emission or generation of radiation in the layer sequence is not interrupted, but only their coupling out of the radiation-emitting device out blocked. The brightness differences in the device are thus modified.
  • the material of the non-transparent elements comprises metals.
  • the metals of the non-transparent elements are surrounded by an insulating shell, which may be, for example, a polymer shell.
  • the elements which are not transparent to the radiation may be electrically conductive printed conductors.
  • these conductor tracks extend away from the first and / or third contact via the first and / or second contact
  • Electrode area Their distribution density decreases favorably with increasing distance from the first and / or third contact.
  • adjacent conductor tracks have different lengths and the length distribution of the conductor tracks, starting from the first and / or third contacting, has at least one maximum and one minimum.
  • This embodiment has the advantage that due to the varying distribution density as a function of the distance from the first and / or third contact, the emitted radiation is modified in such a way that the
  • Luminance differences which are present without the introduced tracks, can be compensated or reduced. Due to the increasing distance from the first and / or third contacting decreasing distribution density of the conductor tracks, the area coverage of the first and / or second electrode surface is kept as low as possible.
  • first and / or third contact can be present on all sides of the first and / or second electrode surface.
  • first and / or third electrode surface is enclosed on all sides by the contact.
  • the grid spacing increases with increasing distance from the first and / or third contact and may for example be largest in the middle between opposite first and / or second contacts.
  • the width of the interconnects is a few millimeters, preferably less than 200 microns, preferably less than 100 microns, more preferably less than 20 microns. This has the advantage that the tracks can not be perceived by an external observer with the naked eye.
  • the thickness of the conductor tracks can advantageously have a range of less than 200 ⁇ m, preferably a range of 100 nm to 10 ⁇ m.
  • they have the advantage that they can be present on the surface of the first and / or second electrode and also extend through the entire functional layer and can pierce it.
  • the conductor tracks surround an insulating layer, for example an insulating layer Polymer layer. As a result, short circuits with the (second) respectively different electrode layer are avoided.
  • the first electrode surface may have a second contact for applying a voltage.
  • the second electrode surface may have a fourth contact.
  • further electrically conductive strip conductors may be present, which extend from the second and / or fourth contacting over the first and / or second electrode surface.
  • the distribution density of the conductor tracks, which extend from the second and / or fourth contact via the electrode surface decreases with increasing distance and if the outgoing from the first and second and / or third and fourth contact tracks are not overlap and so do not exceed the brightness minimum. Furthermore, it is advantageous if adjacent conductor tracks have different lengths and the
  • the advantage here is that the interconnects again have a varying, decreasing distribution density, which depends on the distance to the first and second and / or third and fourth contacts.
  • the maxima and minima of the length distribution may be opposite to the printed conductors emanating from the first and second and / or third and fourth contacting.
  • the maxima and minima of the length distribution of the outgoing from the first and second and / or third and fourth contact strip conductors are arranged offset from each other.
  • the advantage of mutually shifted maxima and minima is that the brightness modification is symmetrized.
  • Another advantageous feature of a further embodiment of the invention are printed conductors, which have branches. It is advantageous if with increasing distance from the contact increasingly more branches are arranged.
  • the conductor tracks may, for example, run parallel to the lateral current density.
  • the thickness and / or width of the conductor tracks decreases with increasing distance from the contact.
  • This embodiment represents a quasi-fractal distribution of the interconnects.
  • the advantage of this embodiment is that less the brightness is blocked, but rather the conductivity of the first and / or second electrode surface is increased by the attachment of the interconnects according to the invention. Thus, the brightness is increased in areas of low luminance due to the increased conductivity of the first and / or second electrode surface by the conductor tracks.
  • a further advantageous feature of a further embodiment is a radiation-emitting device in which the first and / or second electrode surface has structurings of the electrode material in the partial regions of the layer sequence.
  • the distribution density of these structures decreases with increasing distance from the first contact.
  • Such modifications may also include portions of the electrode that are free of electrode material, that is, have holes in the electrode. The advantage of this embodiment is that the luminance is modified by modifying the conductivity of the electrodes.
  • a further advantageous feature of a further embodiment is a radiation-emitting device in which the at least one functional layer in the partial regions has a conductivity reduced by lack of doping or an increased injection barrier for charge carriers.
  • the distribution density of the subregions decreases with increasing distance from the contacting.
  • the advantage of this embodiment is the modification of the luminance by the lack of doping, which depends on the distance from the contacting.
  • the invention further relates to a method for
  • the method steps include arranging a layer sequence on a substrate, wherein a multiplicity of subregions are introduced in the layer sequence.
  • Subareas are modified in such a way that the emission of the radiation visible to an external observer is interrupted out of them.
  • the subareas will be like this generates that their distribution density varies depending on their distance from the contact.
  • a plurality of insulating and / or non-transparent to the radiation elements in the sub-areas can be introduced with a Aufdampfmaske.
  • the advantage here is that the subregions are introduced into the layer sequence in one process step.
  • the first and / or second electrode surface in the partial regions can be structured and / or the functional layer in the partial regions can not be doped.
  • Figure 1 shows the structure of a radiation-emitting device with a plurality of sub-areas in
  • FIG. 2 shows an experimental and a simulated distribution of the luminance distribution in conventional large area OLEDs.
  • Figure 3 shows a brightness-voltage characteristic connected to a diode characteristic of a conventional light-emitting diode.
  • FIG. 4 shows the current density of a conventional OLED
  • FIG. 5 shows the luminance in cross section over a conventional OLED.
  • FIG. 6 shows a plan view of an exemplary embodiment of a first electrode surface with a first contact and with insulating elements.
  • FIG. 7 shows a plan view of the first electrode surface with a first and a second contact and with insulating elements, as well as the luminance distribution and element density.
  • Figure 8 shows the structure of another embodiment of the radiation-emitting device according to the invention with a plurality of sub-regions in cross-section.
  • FIG. 9 shows a plan view of the first electrode surface with a first and a second contacting arranged on the conductor tracks together with the luminance distribution and surface coverage.
  • FIG. 10 shows a plan view of a further exemplary embodiment of the first electrode surface with applied conductor tracks.
  • FIG. 11 shows a plan view of a first electrode surface with branched conductor tracks.
  • FIG. 12 shows a plan view of the first electrode surface with a first contact and with insulating or non-transparent elements which are formed in a line-shaped manner.
  • FIG. 13 shows a schematic cross section to FIG. 12, with the layer thickness between the line-shaped elements.
  • Radiation-emitting device On the substrate 100 there is a first electrode surface 200 with a first 210 and a second contact 220.
  • a functional layer 300 On the substrate, a functional layer 300 is arranged, which has insulating elements 310, which have a decreasing distribution density D with increasing distance from the contact. The direction in which the distribution density D decreases is indicated in FIG. 1 by an arrow.
  • a second electrode surface 400 is arranged on the functional layer 300.
  • the layer sequence of first electrode surface 200, functional layer 300 and second electrode surface 400 has a plurality of partial regions 330, which can extend through the entire layer sequence or the second
  • A indicates the sectional area on which the supervision takes place in FIG.
  • FIG. 2 shows an experimental and simulated measurement of the luminance of a conventional OLED.
  • the side of the electrode surface for contacting x is plotted against the exposed side y.
  • the luminance R is high in the bright areas and low in the dark areas. Since an OLED with two opposite contacts was measured in the experiment, there is a luminance minimum in the middle range between the contacts. A very similar result comes with a Achieved simulation, which is shown in the diagram S.
  • the side of the electrode surface for contacting x is plotted against the exposed side y and the luminance R is indicated across the surface.
  • the luminance is also in the range of the largest here
  • Figure 3 shows the luminance differences in conventional diodes in the form of a brightness-voltage characteristic connected to a diode characteristic.
  • the voltage V is plotted on the x-axis, the current density C d on the left y-axis and the luminance R on the right-hand y-axis.
  • both the current density and the luminance are low. Both curves increase steeply with increasing voltage. This means that both the current density and the luminance with increasing
  • the lateral current density Ca in the electrodes is shown by the area of a conventional OLED surface stretched from the side surface for contacting x and the exposed side surface y.
  • the voltage is high and thus the current density is high (long arrows).
  • the current density also decreases (short arrows). This creates over the OLED surface a luminance inhomogeneity with a minimum luminance.
  • FIG. 1 A further illustration of the luminance inhomogeneity of a conventional OLED is shown in FIG.
  • the diagram represents the luminance distribution along a cross-section of an OLED along the exposed side surface y from the first to the second contact.
  • the luminance R is applied to the left y-axis. It is high at the lateral edges, ie near the contacts towards the middle. This is evidenced by an experiment E (solid line) and a simulation S (points), both of which give well consistent results.
  • Embodiment shown An electrode surface 200 with insulating elements 310 and a first lateral contact 210 is shown in plan view along the exposed surface. Underneath is the substrate 100. The lateral contacting is connected to the second electrode surface 400 via connections 500 and an electrical conductor 510. For the sake of clarity, the functional layer 300 is not shown, the second electrode surface 400 only indicated.
  • the distribution density D of the insulating elements decreases with increasing distance from the contacting. This direction of distribution density D, in which it decreases, is shown by an arrow.
  • these insulating elements are so small that they are no longer resolvable for an external observer. That is why they are smaller than 200 ⁇ m, preferably smaller than 20 ⁇ m.
  • the insulating elements are electrically insulating elements and put in the subregions 330 in which they are located in these Ranges without the elements normally present luminance R of the emitted radiation, that is, they prevent the emission of radiation from the radiation-emitting device out in the areas in which they are located. This is done by interrupting the radiation through the insulating elements that block the radiation due to its non-conductive property.
  • the variation of the distribution density of the insulating elements is chosen such that the difference in the luminance at the different distances from the contacting on the surface of the functional layer is less than 20%.
  • the insulating elements are favorably transparent to the emitted radiation and may consist of photoresists, nitrides, ceramics and oxides.
  • the insulating elements are electrically insulating elements. Also possible are electrically insulating encased metals.
  • FIG. 7 shows a variation of the embodiment shown in FIG. The plan view is to be understood along the surface A of FIG.
  • a second contacting 220 is arranged opposite the first contacting 210, wherein both contacts are connected via electrical conductors 500 and electrical connections 510 to the second electrode surface 400.
  • Underneath is the substrate 100.
  • On the electrode surface 200 are again electrically insulating elements 310.
  • the functional layer 300 is not shown for clarity, the second electrode surface only hinted way. Since their distribution density D, as shown by an arrow, decreases with increasing distance from the contacts, their concentration in the middle of the surface is the lowest.
  • the element density D is also high, in low-luminance regions, the element density is low.
  • the resulting luminance R 2 with the elements is thus approximately independent of the distance from the contacts (upper and lower axis).
  • Figure 8 shows the general structure of a
  • Radiation-emitting device On the substrate 100 is a first electrode surface 200 with a first 210 and second contact 220. On the substrate, a functional layer 300 is arranged, the electrically conductive
  • Conductor tracks 320 which have a decreasing with increasing distance from the contact distribution density D. The direction in which the distribution density decreases is shown with an arrow. Finally, a second electrode surface 400 with a third 410 and fourth contact 420 is arranged on the functional layer 300. Here, too, conductor tracks 320 are present whose distribution density D increases with increasing distance from the
  • the layer sequence comprising first electrode surface 200, functional layer 300 and second electrode surface 400 has a plurality of partial regions 330 which extend through the entire layer sequence and interrupt the emitted radiation.
  • A indicates the sectional area, the top view of which is shown in the following figures. In the following figures, only the first electrode surface 200 is discussed, but the same applies to the second electrode surface 400, in the case that the second electrode surface 400 is also a semi-transparent or transparent electrode surface.
  • FIG. 9 shows a further embodiment of the device according to the invention.
  • the top view along the surface A from FIG. 8 onto the first electrode surface 200 arranged on the substrate 100 is shown, with a first 210 and second contacting 220, which lies opposite the first one.
  • the two contacts are connected to the second electrode surface 400 via electrical conductors 500 and electrical connections 510.
  • On the electrode surface conductor tracks 320 are arranged. These may also be present on the second electrode surface 400, but the following description relates only to the first electrode surface 200.
  • the conductor paths each extend away from the contacts over the first electrode surface. In this case, adjacent tracks have different lengths and the length distribution of Conductor tracks has maxima and minima starting from the contacts.
  • the interconnects have a distribution density D, which decreases laterally with increasing distance from the contacts, which is represented by the arrow.
  • the longest or shortest tracks lie exactly opposite each other, but do not touch.
  • the area with the lowest luminance is free of traces.
  • the width of the tracks is favorably less than 200 microns, preferably less than 20 microns, so that the tracks are no longer perceptible to an external observer.
  • Conductor tracks may be in a range of less than 200 .mu.m, preferably in a range of 100 nm to 10 .mu.m, that is, the conductor tracks may lie only on the surface of the electrode surface, or extend into the functional layer 300 lying on the electrode surface. In a further embodiment, these can also pierce the second electrode surface. In this case, the individual interconnects are surrounded by an insulating layer.
  • a diagram is again shown in which the relationship between luminance R and surface coverage SC in cross section along the exposed side surface y is shown. The solid lines represent the ideal curves, the dashed ones the real ones. In areas where there is a large luminance R 1 without the traces, the surface coverage is high, in areas of low luminance R 1 , the surface area is low.
  • FIG. 9 An alternative embodiment to the example shown in FIG. 9 is shown in FIG.
  • the maxima and minima of the length distribution of the interconnects 330 on the electrode surface 200 are not opposite, but shifted from each other.
  • the distribution density D which decreases in the direction of the arrow, although in the farthest range of the contacts 210 and 220 is higher than in the
  • Example of Figure 8 but the luminance distribution is better symmetrized.
  • the relationship between the luminance R 1 shown in the diagram next to the plan view of the electrode surface, which is present without the conductor tracks, the surface coverage SC and the resulting luminance R 2 is approximately equal to that shown in FIG.
  • This example of the arrangement of printed conductors can also apply to the first and second electrode surfaces.
  • FIG. 12 shows, analogously to FIGS. 7 and 9, a variation of an exemplary embodiment.
  • the plan view is to be understood along the surface A of FIG. 1 and FIG. 8.
  • the first contact 210 on all sides of the
  • Electrode surface 200 wherein it is connected via an electrical conductor 510 and electrical connections 500 to the second electrode surface 400. Underneath is the substrate 100. On the electrode surface 200 are electrically insulating or non-transparent, linear elements 350, which are arranged in the form of a periodic structure, a grid. The grid has a grid spacing 315 between adjacent line-shaped elements, which increases with increasing distance from the contact 210 and is greatest in the middle between the sides of the electrode area where the contact is located.
  • the functional layer 300 is not shown for the sake of clarity, the second electrode surface 400 only hinted.
  • the insulating line-shaped elements 350 in many sub-regions 330 interrupt the electrical contact between them
  • Electrode surfaces and the functional layers and prevent so that radiation is emitted from these areas, while in areas at a greater distance from the contact, which would have a lower intensity of the emitted radiation without the electrically insulating, linear elements, the small extent interrupt emitted radiation, since the grid spacing 315 is larger there.
  • the width of the electrically insulating, line-shaped elements is less than 200 microns, preferably less than 20 microns, their thickness may be in a range of less than 200 microns, preferably in a range of 100 nm to 10 microns. Thus, they are no longer perceptible to an outside observer.
  • the line-shaped elements 350 are non-transparent electrically conductive printed conductors, these can also be present on the second electrode surface 400, but the following description applies only to the first electrode surface 200.
  • the region with the least intensity of emitted radiation is large Grid spacing covered to each other, while near the contact the grid is denser. The result is that in the area near the contact, where would exist without the electrical traces a high luminance, there is a larger area coverage with traces.
  • the width of the conductor tracks is less than 200 .mu.m, preferably less than 20 microns, so that the tracks are no longer perceptible to an external observer.
  • Thickness of the conductor tracks may be in a range of less than 200 .mu.m, preferably in a range of 100 nm to 10 .mu.m, which means that the conductor tracks may lie only on the surface of the electrode surface or extend into the functional layer 300 lying on the electrode surface. In a further embodiment, these can also pierce the second electrode surface. In this case, the individual interconnects are surrounded by an insulating layer, for example a polymer layer.
  • the layer thickness of the functional layer 300 present between the line-shaped elements 350 also varies such that the layer thickness increases with increasing Grid spacing 315 decreases.
  • Figure 13 a schematic cross section along the axis B indicated in Figure 12 is shown.
  • the substrate 100 with the first electrode surface 200 and the first contact 210 can be seen. This can be the
  • Electrode surface 200 from all sides, which is not shown in the perspective shown in Figure 13.
  • the linear elements 350 On the first electrode surface are the linear elements 350, which are arranged in the form of a grid, wherein in FIG.
  • the line-shaped elements have a grid spacing 315 which increases with increasing distance from the contact 210 and has a maximum approximately in the middle of the electrode area. Between the linear elements 350 is the
  • Functional layer 300 which has a decreasing layer thickness d with increasing lattice spacing.
  • the second electrode surface, the third contact and the electrical connections are not shown in FIG. 13 for reasons of clarity.
  • the linear elements can be non-transparent conductor tracks, conductor tracks with an insulating layer but also include electrically insulating materials, for example a photoresist.

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Abstract

The invention relates to a radiation-emitting device comprising a substrate (100) and a series of layers arranged thereon. Said series of layers comprises a first electrode surface (200) having a first contact pad (210) for the application of a voltage, at least one functional layer (300) which emits radiation during the operation of the device, and a second electrode surface (400). The series of layers also comprises a plurality of sections (330) which are modified such that the emission of radiation visible to an outside observer is interrupted from said sections. The distribution density of the sections varies according to the distance of same from the contact pad.

Description

Beschreibungdescription
Strahlungsemittierende VorrichtungRadiation-emitting device
Die Erfindung betrifft eine StrahlungsemittierendeThe invention relates to a radiation emitting
Vorrichtung mit zumindest einer Funktionsschicht, die im Betrieb Strahlung emittiert .Device with at least one functional layer which emits radiation during operation.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldungen 10 2006 055 884.7 und 10 2006 046 234.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.This patent application claims the priority of German patent applications 10 2006 055 884.7 and 10 2006 046 234.3, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.
Strahlungsemittierende Vorrichtungen eignen sich als großflächige, dünne Leuchtelemente. Aufgrund ihres Aufbaus weisen sie jedoch einen Spannungsabfall entlang der lateralen Richtung auf, der sich auf die Leuchtdichte und damit auf die Helligkeit auswirkt. Das ausgestrahlte Licht ist somit nicht homogen, sondern weist Unterschiede in der örtlichen Leuchtdichte auf.Radiation-emitting devices are suitable as large-area, thin light-emitting elements. However, due to their construction, they have a voltage drop along the lateral direction, which affects the luminance and thus the brightness. The emitted light is thus not homogeneous, but has differences in the local luminance.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Strahlungsemittierende Vorrichtung bereitzustellen, die sich durch eine verbesserte, homogenisierte Leuchtdichte auszeichnet und somit die oben genannten Nachteile vermindert.The object of the invention is to provide a radiation-emitting device, which is characterized by an improved, homogenized luminance and thus reduces the above-mentioned disadvantages.
Diese Aufgabe wird durch eine Strahlungsemittierende Vorrichtung gemäß dem Anspruch 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und weitere Strahlungsemittierende Vorrichtungen sind Gegenstand weiterer Ansprüche . In Strahlungsemittierenden Vorrichtungen gemäß eines Ausführungsbeispiels der Erfindung wird eine Vielzahl von Teilbereichen in die Schichtenfolge eingebracht, in denen die Leuchtdichte der Strahlung herabgesetzt ist.This object is achieved by a radiation-emitting device according to claim 1. Particularly advantageous embodiments and further radiation-emitting devices are the subject of further claims. In radiation-emitting devices according to an embodiment of the invention, a multiplicity of partial regions are introduced into the layer sequence in which the luminance of the radiation is reduced.
Eine derartige Strahlungsemittierende Vorrichtung umfasst vorzugsweise ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Schichtenfolge. Die Schichtenfolge umfasst dabei eine erste Elektrodenfläche auf dem Substrat mit einer ersten Kontaktierung zum Anlegen einer Spannung, zumindest eine Funktionsschicht, die im Betrieb Strahlung emittiert, und eine zweite Elektrodenfläche auf der zumindest einen Funktionsschicht. In dieser Schichtenfolge ist eine Vielzahl von Teilbereichen vorhanden, die so modifiziert ist, dass aus ihnen heraus die Emission der für einen äußeren Betrachter sichtbaren Strahlung unterbrochen ist. Die Verteilungsdichte dieser Teilbereiche variiert dabei in Abhängigkeit ihres Abstandes von der Kontaktierung . Der Vorteil dabei ist, dass die Leuchtdichte der Strahlungsemittierenden Vorrichtung in Abhängigkeit des Abstandes von der Kontaktierung variiert.Such a radiation-emitting device preferably comprises a substrate and a layer sequence arranged on the substrate. The layer sequence comprises a first electrode surface on the substrate with a first contact for applying a voltage, at least one functional layer which emits radiation during operation, and a second electrode surface on the at least one functional layer. In this layer sequence, a plurality of sub-areas is present, which is modified so that out of them the emission of visible to an external observer radiation is interrupted. The distribution density of these subregions varies depending on their distance from the contact. The advantage here is that the luminance of the radiation-emitting device varies as a function of the distance from the contacting.
Durch die Vielzahl der Teilbereiche, deren Verteilungsdichte von dem Abstand zur Kontaktierung abhängt, kann der veränderten Leuchtdichte entgegengewirkt werden. Besonders vorteilhaft sind dabei die modifizierten Teilbereiche bevorzugt in den Bereichen der Strahlungsemittierenden Vorrichtung angeordnet, in denen ohne diese Teilbereiche normalerweise eine höhere Leuchtdichte vorhanden wäre. Auf diese Weise kann in diesen Bereichen die Leuchtdichte herabgesetzt werden und so eine gleichmäßigere Verteilung der Leuchtdichte über die gesamte leuchtende FlächeDue to the large number of partial regions whose distribution density depends on the distance to the contacting, the changed luminance can be counteracted. In this case, the modified partial regions are particularly advantageously arranged in the regions of the radiation-emitting device in which, without these partial regions, normally a higher luminance would be present. In this way, the luminance can be reduced in these areas and thus a more uniform distribution of the luminance over the entire luminous area
(Strahlungsaustrittsfläche) der Strahlungsemittierenden Vorrichtung erreicht werden. Dies führt zu einer Homogenisierung der Leuchtdichte der leuchtenden Teilbereiche.(Radiation exit surface) of the radiation-emitting device can be achieved. This leads to a Homogenization of the luminance of the illuminated parts.
Ein weiteres vorteilhaftes Merkmal einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist eine Strahlungsemittierende Vorrichtung mit Teilbereichen, die für einen äußeren Betrachter mit bloßem Auge nicht erkennbar sind. Weiterhin kann die Strahlungsemittierende Vorrichtung auch Teilbereiche aufweisen, die mikroskopische Ausdehnungen aufweisen. Dadurch wird für den äußeren Betrachter der Leuchteindruck nicht gestört, sondern er nimmt nur die durch die eingebrachten Teilbereiche veränderte bzw. homogenisierte Leuchtdichte wahr.A further advantageous feature of a further embodiment of the invention is a radiation-emitting device with partial regions which are not recognizable to the naked eye by an external viewer. Furthermore, the radiation-emitting device can also have partial areas that have microscopic dimensions. As a result, the luminous impression is not disturbed by the external observer, but he perceives only the luminance changed or homogenized by the introduced subregions.
Weiterhin kann die Erfindung das vorteilhafte Merkmal haben, dass die Strahlungsemittierende Vorrichtung Teilbereiche aufweist, die die Leuchtdichte der emittierten Strahlung herabsetzt. Dies hat zum Vorteil, dass Bereiche der Funktionsschicht, die ohne die Teilbereiche eine hohe Leuchtdichte hätten, durch Einbringen der Teilbereiche in ihrer gemittelten Helligkeit reguliert werden können.Furthermore, the invention may have the advantageous feature that the radiation-emitting device has partial regions which reduce the luminance of the emitted radiation. This has the advantage that areas of the functional layer, which would have a high luminance without the partial areas, can be regulated by introducing the partial areas in their average brightness.
Vorteilhafterweise ist die erste Kontaktierung seitlich an der ersten Elektrodenfläche vorhanden. Damit kann die erste Elektrodenfläche mit Spannung versorgt werden.Advantageously, the first contact is present on the side of the first electrode surface. Thus, the first electrode surface can be supplied with voltage.
Vorteilhafterweise ist eine dritte Kontaktierung seitlich der zweiten Elektrodenfläche vorhanden, womit die zweite Elektrodenfläche mit Spannung versorgt werden kann.Advantageously, a third contact is provided laterally of the second electrode surface, whereby the second electrode surface can be supplied with voltage.
Die zumindest eine Funktionsschicht kann günstigerweise eine organische Funktionsschicht umfassen und vorzugsweise auch eine Ladungstransportschicht umfassen. Das Material der Funktionsschicht kann Polymere und/oder Sraall Molecules umfassen. Damit ist die Strahlungsemittierende Vorrichtung eine organische, lichtemittierende Diode (OLED) , die sich besonders gut als großflächiges Leuchtelement eignet.The at least one functional layer may conveniently comprise an organic functional layer and preferably also comprise a charge transport layer. The material of Functional layer may include polymers and / or Sraall Molecules. Thus, the radiation-emitting device is an organic, light-emitting diode (OLED), which is particularly well suited as a large-area light-emitting element.
Die zumindest eine Funktionsschicht kann auch eine anorganische Funktionsschicht sein, beispielsweise auf Phosphid- oder Nitrid-Verbindungshalbleitern basierend. Vorzugsweise sind das Materialien, die die allgemeine Formel AlnGamIni-n_raP umfassen, wobei O ≤ n ≤ l, O ≤ m ≤ l und n+m < 1 oder Nitrid-III/V-Verbindungshalbleiter, vorzugsweise die allgemeine Formel AlnGamIn;i.-n-mN umfassend, wobei O ≤ n ≤ l, 0 ≤ m ≤ 1 und n+m < 1.The at least one functional layer can also be an inorganic functional layer, for example based on phosphide or nitride compound semiconductors. Preferably, the materials are those having the general formula Al n Ga m In n- ra P, where O ≦ n ≦ l, O ≦ m ≦ l and n + m <1 or nitride III / V compound semiconductors, preferably general formula Al n Ga m In; i . - n - m N, where O ≤ n ≤ l, 0 ≤ m ≤ 1 and n + m <1.
Der Spannungsabfall der Strahlungsemittierenden Vorrichtung kann unter anderem durch die Leitfähigkeit einer oder beider, also der ersten und zweiten Elektrodenfläche bedingt sein. Die erste und/oder zweite Elektrodenfläche kann dabei eine semitransparente oder eine transparente Elektrodenfläche sein, die Strahlungsemittierende Funktionsschichten einschließen. Dabei kann auch eine der beiden Elektrodenflächen eine reflektierende Elektrodenfläche sein. Die Leitfähigkeit der transparenten Elektrodenflächen kann um zwei bis drei oder mehr Größenordnungen eingeschränkt gegenüber der Leitfähigkeit einer reflektierendenThe voltage drop of the radiation-emitting device may be due, inter alia, to the conductivity of one or both of the first and second electrode surfaces. The first and / or second electrode surface may be a semi-transparent or a transparent electrode surface, which include radiation-emitting functional layers. In this case, one of the two electrode surfaces may also be a reflective electrode surface. The conductivity of the transparent electrode surfaces can be limited by two to three or more orders of magnitude compared to the conductivity of a reflective electrode
Elektrodenfläche sein. Bei derartigen Elektrodenflächen kann es zu einem Spannungsabfall kommen, der mit größer werdendem Abstand zu den Kontaktierungen der ersten und/oder zweiten transparenten Elektrodenfläche zunimmt und somit zu einer schwächer werdenden Leuchtdichte führen kann. Das ausgestrahlte Licht ist somit nicht homogen, sondern weist Unterschiede in der Leuchtdichte auf . Weiterhin kann die Strahlungsemittierende Vorrichtung vorzugsweise eine erste und/oder zweite Elektrodenfläche aufweisen, die semitransparent oder transparent für die von der Funktionsschicht emittierte Strahlung ist. Der Vorteil dabei ist, dass die erzeugte Strahlung durch die erste und/oder zweite Elektrodenfläche hindurch emittiert werden kann. Gegenüber Elektrodenflächen, die aus reinen, dicken Metallschichten bestehen und nicht transparent sind, weisen Elektrodenflächen, die Metalle und/oder andere Bestandteile aufweisen und transparent sind, eine geringere Leitfähigkeit auf. Die an den Kontaktierungen angelegte Spannung fällt mit zunehmendem Abstand von der Kontaktierung ab und führt somit zu einer abfallenden Leuchtdichte der Strahlungsemittierenden Vorrichtung.Be electrode surface. In the case of electrode surfaces of this kind, a voltage drop can occur which increases with increasing distance from the contacts of the first and / or second transparent electrode surfaces and thus can lead to a weakening of the luminance. The emitted light is therefore not homogeneous, but has differences in luminance. Furthermore, the radiation-emitting device can preferably have a first and / or second electrode surface, which is semitransparent or transparent for the radiation emitted by the functional layer. The advantage here is that the generated radiation can be emitted through the first and / or second electrode surface. Opposite electrode surfaces, which consist of pure, thick metal layers and are not transparent, electrode surfaces, which have metals and / or other components and are transparent, have a lower conductivity. The voltage applied to the contacts voltage decreases with increasing distance from the contact and thus leads to a decreasing luminance of the radiation-emitting device.
Das Material der ersten und/oder zweiten Elektrodenfläche umfasst in einer günstigen Ausführungsform Metalloxide. Transparente leitende Oxide (transparent conductive oxides, kurz „TCO") sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,The material of the first and / or second electrode surface comprises metal oxides in a favorable embodiment. Transparent conductive oxides ("TCO" for short) are transparent, conductive materials, usually metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO) . Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3Oi2 oderCadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 Oi 2 or
Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs . Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein.Mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs. Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.
Ebenso können transparente Elektroden hochleitende organische Materialien wie PEDOT, oder dotierte organische Schichten umfassen sowie Metalle, wie beispielsweise Ag, oder Kombinationen aus den genannten Möglichkeiten.Likewise, transparent electrodes may include highly conductive organic materials such as PEDOT, or doped organic layers include metals, such as Ag, or combinations of the above options.
Ein weiteres vorteilhaftes Merkmal eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung ist eineAnother advantageous feature of another embodiment of the invention is a
Strahlungsemittierende Vorrichtung, die zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenfläche eine Vielzahl von isolierenden und/oder für die Strahlung nicht-transparenten Elementen in den Teilbereichen aufweist. Deren Verteilungsdichte und/oder geometrische Ausformung variiert wiederum in Abhängigkeit des Abstandes der Elemente von der ersten und/oder dritten Kontaktierung. Diese Elemente weisen den Vorteil auf, dass sie die vom Abstand von der Kontaktierung abhängige Helligkeit der Strahlungsemittierenden Vorrichtung modifizieren können. Somit werden in dieser Ausführungsform die oben erwähnten Teilbereiche durch die isolierenden und/oder für die Strahlung nicht-transparenten Elemente derart modifiziert, dass aus ihnen heraus die Auskopplung der Strahlung aus der Vorrichtung heraus abgeblockt wird.Radiation-emitting device having between the first and the second electrode surface a plurality of insulating and / or non-transparent to the radiation elements in the sub-areas. Their distribution density and / or geometric shape in turn varies depending on the distance of the elements from the first and / or third contact. These elements have the advantage that they can modify the distance from the contacting dependent brightness of the radiation-emitting device. Thus, in this embodiment, the abovementioned partial regions are modified by the insulating and / or non-transparent elements for the radiation in such a way that the coupling out of the radiation from the device is blocked out of them.
Vorteilhafterweise nimmt die Verteilungsdichte der isolierenden und/oder nicht-transparenten Elemente mit größer werdendem Abstand von der ersten und/oder dritten Kontaktierung ab. Weiterhin können die isolierenden und/oder nicht-transparenten Elemente, die zwischen der ersten und zweiten Elektrodenfläche vorhanden sind, in diesen Teilbereichen eine Emission von Strahlung aus der Vorrichtung heraus verhindern. Das hat den Vorteil, dass die Bereiche der Schichtenfolge, die ohne die Elemente eine hohe Leuchtdichte aufweisen würden und die sich nahe der ersten und/oder dritten Kontaktierung befinden, eine hohe Verteilungsdichte an isolierenden und/oder nicht-transparenten Elementen aufweisen und die Bereiche, die ohne die Elemente eine im Vergleich zu den näher an der Kontaktierung befindlichen Bereichen verringerte Leuchtdichte aufweisen würden und die sich in größerer Entfernung zu der Kontaktierung befinden, eine niedrige Verteilungsdichte an isolierenden und/oder nicht-transparenten Elementen aufweisen. Die Strahlungsemission wird somit durch die Elemente in den Bereichen mit normalerweise hoher Leuchtdichte stärker herabgesetzt als in Bereichen mit normalerweise niedriger Leuchtdichte. Somit wird der Leuchtdichteunterschied über die Fläche hinweg bei geeigneter Variation der Verteilungsdichte vermindert bzw. ausgeglichen.Advantageously, the distribution density of the insulating and / or non-transparent elements decreases with increasing distance from the first and / or third contacting. Furthermore, the insulating and / or non-transparent elements present between the first and second electrode surfaces can prevent emission of radiation from the device in these subregions. This has the advantage that the regions of the layer sequence that would have a high luminance without the elements and that are close to the first and / or third contact, a high distribution density of insulating and / or non-transparent elements and the regions which, without the elements, would have a reduced luminance compared to the regions closer to the contacting and which are located farther away from the contacting, have a low distribution density of insulating and / or non-transparent elements. The radiation emission is thus reduced more by the elements in the areas of normally high luminance than in areas of normally low luminance. Thus, the luminance difference across the area is reduced or compensated with a suitable variation of the distribution density.
Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn die Verteilungsdichte der isolierenden und/oder nichttransparenten Elemente so gewählt ist, dass der Unterschied der Leuchtdichte der von der Vorrichtung emittierten Strahlung zwischen verschiedenen Bereichen der Vorrichtung mit unterschiedlichen Verteilungsdichten der Elemente maximal 20% beträgt. Der Vorteil dabei ist, dass ein derartigerIt is particularly advantageous if the distribution density of the insulating and / or non-transparent elements is chosen so that the difference in the luminance of the radiation emitted by the device between different areas of the device with different distribution densities of the elements is not more than 20%. The advantage of this is that such a
Helligkeitsunterschied kaum noch von einem äußeren Betrachter wahrnehmbar ist und eine verbesserte, homogenere Leuchtdichte vermittelt .Brightness difference is barely perceptible by an external observer and conveys an improved, more homogeneous luminance.
Die isolierenden und/oder nicht-transparenten Elemente können weiterhin linienförmig ausgeformt und in einer periodischen Struktur in der Funktionsschicht angeordnet sein. Solch eine periodische Struktur kann beispielsweise ein Gitter umfassen. Das Gitter kann einen Gitterabstand zwischen benachbarten linienförmigen Elementen aufweisen, der mit zunehmendem Abstand von der ersten und/oder dritten Kontaktierung zunimmt. Ein solches Gitter mit variierender Periodizität lässt sich einfach und kostengünstig in die strahlungsemittierende Vorrichtung einbauen, ohne die Schichtenfolge der Vorrichtung wesentlich zu verändern. Auch der Herstellungsprozess muss nicht umgestellt werden, um ein solches Gitter in die Vorrichtung einzubauen.The insulating and / or non-transparent elements can furthermore be formed in a line shape and arranged in a periodic structure in the functional layer. Such a periodic structure may include, for example, a grid. The grid may have a grid spacing between adjacent line-shaped elements, which increases with increasing distance from the first and / or third contact. Such a grid with varying periodicity can be easily and inexpensively in the Install radiation-emitting device without significantly changing the layer sequence of the device. Also, the manufacturing process does not have to be changed over to install such a grid in the device.
Zumindest zwischen den linienförmigen Elementen kann die Funktionsschicht angeordnet sein. Die Schichtdicke der Funktionsschicht zwischen benachbarten linienförmigen Elementen kann weiterhin mit zunehmendem Gitterabstand der Elemente abnehmen. Die Funktionsschicht kann auch zusätzlich über den linienförmigen Elementen angeordnet sein. Somit kann mit dem Gitterabstand die Schichtdicke der Funktionsschicht zwischen benachbarten linienförmigen Elementen kontrolliert werden, da beim Aufbringen der zumindest einen organischen Funktionsschicht ein unkontrollierter Materialtransport über die Elektrodenfläche hinweg über die linienförmigen, in einem Gitter angeordneten isolierenden und/oder nicht-transparenten Elemente verhindert bzw. vermindert wird. Das kann durch die Oberflächenspannung des Materials der Funktionsschicht zwischen benachbarten linienförmigen Elementen bedingt sein.At least between the line-shaped elements, the functional layer can be arranged. The layer thickness of the functional layer between adjacent line-shaped elements can continue to decrease with increasing lattice spacing of the elements. The functional layer can also be arranged in addition over the linear elements. Thus, with the grid spacing, the layer thickness of the functional layer between adjacent line-shaped elements can be controlled, since when the at least one organic functional layer is applied, uncontrolled material transport across the electrode surface is prevented or prevented by the linear insulating and / or non-transparent elements arranged in a grid. is reduced. This may be due to the surface tension of the material of the functional layer between adjacent line-shaped elements.
Der Materialtransport kann weiterhin dadurch verhindert werden, dass die isolierenden und/oder nicht-transparenten Elemente nicht oder nur schwach benetzend für das Material der organischen Funktionsschicht sind. In den Bereichen, die von den linienförmigen isolierenden und/oder nichttransparenten Elementen begrenzt werden, sammelt sich beim Aufbringen des Materials für die Funktionsschicht mittels eines naßchemischen Verfahrens, wie beispielsweise Spincoating oder Rakeln unabhängig voneinander das Material der Funktionsschicht und trocknet abhängig vom Gitterabstand zu einer bestimmten Schichtdicke. Die Schichtdicke der Funktionsschicht kann mit zunehmendem Gitterabstand der isolierenden und/oder nicht-transparenten Elemente abnehmen, was durch die Oberflächenspannung der Lösung des Materials für die Funktionsschicht bedingt ist. In den Bereichen, die von benachbarten isolierenden und/oder nicht transparenten Elementen begrenzt werden, kann sich somit die Funktionsschicht in einheitlicher Schichtdicke bilden. Dabei nimmt mit zunehmendem Abstand der linienförmigen Elemente von der ersten und/oder dritten Kontaktierung die Schichtdicke der organischen Funktionsschicht zwischen benachbarten linienförmigen Elementen ab, da der Abstand der benachbarten linienförmigen Elemente mit größerem Abstand von der ersten und/oder dritten Kontaktierung zunimmt.The material transport can be further prevented by the fact that the insulating and / or non-transparent elements are not or only slightly wetting for the material of the organic functional layer. In the areas delimited by the line-shaped insulating and / or non-transparent elements, the material of the functional layer accumulates independently of one another during the application of the material for the functional layer by means of a wet-chemical method, such as spin coating or doctoring, for example, and dries depending on the grid spacing to a specific one layer thickness. The layer thickness of the functional layer can decrease with increasing lattice spacing of the insulating and / or non-transparent elements, which is due to the surface tension of the solution of the material for the functional layer. In the areas bounded by adjacent insulating and / or non-transparent elements, the functional layer can thus be formed in a uniform layer thickness. In this case, as the distance of the line-shaped elements from the first and / or third contacting increases, the layer thickness of the organic functional layer between adjacent line-shaped elements decreases, since the distance of the adjacent line-shaped elements increases with greater distance from the first and / or third contacting.
Weiterhin kann die Intensität der emittierten Strahlung mit zunehmender Schichtdicke abnehmen. Das heißt, dass mit zunehmendem Abstand von der Kontaktierung der Gitterabstand zwischen benachbarten linienförmigen Elementen größer und somit die Schichtdicke der zwischen den linienförmigen Elementen vorhandenen Funktionsschicht kleiner wird. In den Bereichen nahe der Kontaktierung, in denen ohne die linienförmigen Elemente eine stärkere Intensität derFurthermore, the intensity of the emitted radiation can decrease with increasing layer thickness. This means that with increasing distance from the contacting, the lattice spacing between adjacent line-shaped elements becomes larger, and thus the layer thickness of the functional layer present between the linear elements becomes smaller. In the areas near the contact, in which without the linear elements a stronger intensity of
Strahlung vorhanden wäre, ist somit die Intensität sowohl durch die größere Schichtdicke der Funktionsschicht als auch durch die größere Anzahl von linienförmigen isolierenden und/oder nicht-transparenten Elementen herabgesetzt und über die gesamte Elektrodenfläche für einen Betrachter einheitlicher. Durch diese Vereinheitlichung der emittierten Strahlung ist ein Betrachter für etwaige andere Varianzen der emittierten Strahlung oder Defekte unempfindlicher und hat daher einen verbesserten, einheitlicheren Gesamteindruck.Radiation would be present, thus the intensity is reduced both by the greater layer thickness of the functional layer and by the greater number of line-shaped insulating and / or non-transparent elements and uniform over the entire electrode surface for a viewer. By unifying the emitted radiation, a viewer is less sensitive to any other variances of the emitted radiation or defects and therefore has an improved, more uniform overall impression.
Weiterhin kann die Intensität der emittierten Strahlung mit zunehmender Schichtdicke zunehmen. In diesem Fall kann weiterhin der Gitterabstand mit zunehmendem Abstand von der ersten und/oder dritten Kontaktierung abnehmen, um die über die Fläche hinweg vereinheitlichte emittierte Strahlung zu erhalten.Furthermore, the intensity of the emitted radiation can increase with increasing layer thickness. In this case, furthermore, the lattice spacing can increase with increasing distance from the decrease first and / or third contact to obtain the emitted radiation unified across the surface.
In einer vorteilhaften Ausführungsform umfassen die isolierenden Elemente elektrisch isolierende Elemente und unterbrechen aufgrund ihrer elektrisch nicht-leitenden Eigenschaften die Emission der Strahlung in den Teilbereichen der Schichtenfolge, in denen sie vorhanden sind. Damit wird die Strahlung in den Teilbereichen unterbrochen und die Strahlung verliert über die Fläche hinweg an Helligkeit.In an advantageous embodiment, the insulating elements comprise electrically insulating elements and, due to their electrically non-conductive properties, interrupt the emission of the radiation in the subregions of the layer sequence in which they are present. This breaks the radiation in the subregions and the radiation loses brightness across the surface.
Weiterhin kann das Material der elektrisch isolierenden Elemente transparent für die emittierte Strahlung sein und die Größe der isolierenden Elemente vorteilhafterweise wenige Mikrometer, vorzugsweise weniger als 200 μm, bevorzugt weniger als 100 μm, besonders bevorzugt weniger als 20 μm umfassen. Der Vorteil ist hierbei, dass die isolierenden Elemente, und damit die nicht leuchtenden Bereiche der Strahlungsemittierenden Vorrichtung, in der Regel nicht mit bloßem Auge auflösbar sind und somit nicht das Gesamtbild der Leuchtfläche stören. Durch die variierende Verteilungsdichte, sind auch nur so viel isolierende Elemente vorhanden wie nötig, so dass nur eine geringe Flächenabdeckung der ersten und/oder zweiten Elektrodenfläche durch die elektrisch isolierenden Elemente vorliegt.Furthermore, the material of the electrically insulating elements may be transparent to the emitted radiation and the size of the insulating elements may advantageously comprise a few micrometers, preferably less than 200 microns, preferably less than 100 microns, more preferably less than 20 microns. The advantage here is that the insulating elements, and thus the non-luminous regions of the radiation-emitting device, are generally not resolvable with the naked eye and thus do not disturb the overall image of the luminous area. Due to the varying distribution density, only as many insulating elements are present as necessary, so that only a small area coverage of the first and / or second electrode surface is present through the electrically insulating elements.
Dafür kann das Material der elektrisch isolierenden Elemente vorteilhafterweise ausgewählt sein aus einer Gruppe, die Photolacke, Nitride, Keramiken, Oxide und organische isolierende Verbindungen aufweist. In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform sind die Elemente in den Teilbereichen in der Schichtenfolge nichttransparent für die emittierte Strahlung, sondern reflektieren und/oder absorbieren sie. Damit wird die Emission bzw. Erzeugung der Strahlung in der Schichtenfolge nicht unterbrochen, sondern lediglich ihre Auskopplung aus der Strahlungsemittierenden Vorrichtung heraus abgeblockt . Die Helligkeitsunterschiede in der Vorrichtung werden somit modifiziert. Vorteilhafterweise umfasst das Material der nicht-transparenten Elemente Metalle.For this, the material of the electrically insulating elements may advantageously be selected from a group comprising photoresists, nitrides, ceramics, oxides and organic insulating compounds. In a further advantageous embodiment, the elements in the subregions in the layer sequence are not transparent to the emitted radiation but instead reflect and / or absorb it. Thus, the emission or generation of radiation in the layer sequence is not interrupted, but only their coupling out of the radiation-emitting device out blocked. The brightness differences in the device are thus modified. Advantageously, the material of the non-transparent elements comprises metals.
In einer weiteren Ausführungsform sind die Metalle der nichttransparenten Elemente von einer isolierenden Hülle umgeben, die beispielsweise eine Polymerhülle sein kann.In a further embodiment, the metals of the non-transparent elements are surrounded by an insulating shell, which may be, for example, a polymer shell.
In einer weiteren Ausführungsform kann es sich bei den für die Strahlung nicht-transparenten Elementen um elektrisch leitfähige Leiterbahnen handeln. Vorteilhafterweise erstrecken sich dieses Leiterbahnen von der ersten und/oder dritten Kontaktierung weg über die erste und/oder zweiteIn a further embodiment, the elements which are not transparent to the radiation may be electrically conductive printed conductors. Advantageously, these conductor tracks extend away from the first and / or third contact via the first and / or second contact
Elektrodenfläche. Ihre Verteilungsdichte nimmt günstigerweise mit größer werdendem Abstand von der ersten und/oder dritten Kontaktierung ab. Dazu ist es vorteilhaft, wenn benachbarte Leiterbahnen unterschiedliche Längen aufweisen und die Längenverteilung der Leiterbahnen ausgehend von der ersten und/oder dritten Kontaktierung zumindest ein Maximum und ein Minimum aufweist. Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass durch die variierende Verteilungsdichte in Abhängigkeit des Abstandes von der ersten und/oder dritten Kontaktierung die emittierte Strahlung derart modifiziert wird, dass dieElectrode area. Their distribution density decreases favorably with increasing distance from the first and / or third contact. For this purpose, it is advantageous if adjacent conductor tracks have different lengths and the length distribution of the conductor tracks, starting from the first and / or third contacting, has at least one maximum and one minimum. This embodiment has the advantage that due to the varying distribution density as a function of the distance from the first and / or third contact, the emitted radiation is modified in such a way that the
Leuchtdichteunterschiede, die ohne die eingebrachten Leiterbahnen vorhanden sind, ausgeglichen bzw. vermindert werden können. Durch die mit größer werdendem Abstand von der ersten und/oder dritten Kontaktierung abnehmende Verteilungsdichte der Leiterbahnen, wird die Flächenabdeckung der ersten und/oder zweiten Elektrodenfläche so gering wie möglich gehalten.Luminance differences, which are present without the introduced tracks, can be compensated or reduced. Due to the increasing distance from the first and / or third contacting decreasing distribution density of the conductor tracks, the area coverage of the first and / or second electrode surface is kept as low as possible.
Weiterhin kann die erste und/oder dritte Kontaktierung an allen Seiten der ersten und/oder zweiten Elektrodenfläche vorhanden sein. Damit ist die erste und/oder dritte Elektrodenfläche von allen Seiten von der Kontaktierung umschlossen. Sind die Leiterbahnen in einer periodischenFurthermore, the first and / or third contact can be present on all sides of the first and / or second electrode surface. Thus, the first and / or third electrode surface is enclosed on all sides by the contact. Are the tracks in a periodic
Struktur beispielsweise einem, Gitter mit einem Gitterabstand zwischen benachbarten linienförmigen Elementen angeordnet, so nimmt der Gitterabstand mit zunehmendem Abstand von der ersten und/oder dritten Kontaktierung zu und kann zum Beispiel in der Mitte zwischen gegenüberliegenden ersten und/oder zweiten Kontaktierungen am größten sein.Structure arranged, for example, a grid with a grid spacing between adjacent line-shaped elements, the grid spacing increases with increasing distance from the first and / or third contact and may for example be largest in the middle between opposite first and / or second contacts.
Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die Breite der Leiterbahnen wenige Millimeter, vorzugsweise weniger als 200 μm, bevorzugt weniger als 100 μm, besonders bevorzugt weniger als 20 μm beträgt. Das hat den Vorteil, dass die Leiterbahnen von einem äußeren Betrachter nicht mit bloßem Auge wahrgenommen werden können.Furthermore, it is advantageous if the width of the interconnects is a few millimeters, preferably less than 200 microns, preferably less than 100 microns, more preferably less than 20 microns. This has the advantage that the tracks can not be perceived by an external observer with the naked eye.
Weiterhin kann die Dicke der Leiterbahnen vorteilhafterweise einen Bereich von weniger als 200 μm aufweisen, vorzugsweise einen Bereich von 100 nm bis 10 μm. Damit haben sie den Vorteil, dass sie auf der Oberfläche der ersten und/oder zweiten Elektrode vorhanden sein können und ebenso durch die gesamte Funktionsschicht hindurchreichen und diese durchstoßen können. In diesem Fall umgibt die Leiterbahnen eine isolierende Schicht, beispielsweise eine isolierende Polymerschicht. Dadurch werden Kurzschlüsse mit der (zweiten) jeweils anderen Elektrodenschicht vermieden.Furthermore, the thickness of the conductor tracks can advantageously have a range of less than 200 μm, preferably a range of 100 nm to 10 μm. Thus, they have the advantage that they can be present on the surface of the first and / or second electrode and also extend through the entire functional layer and can pierce it. In this case, the conductor tracks surround an insulating layer, for example an insulating layer Polymer layer. As a result, short circuits with the (second) respectively different electrode layer are avoided.
In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform kann die erste Elektrodenfläche eine zweite Kontaktierung zum Anlegen einer Spannung aufweisen. Vorteilhafterweise kann die zweite Elektrodenfläche eine vierte Kontaktierung aufweisen. Weiterhin können weitere elektrisch leitfähige Leiterbahnen vorhanden sein, die von der zweiten und/oder vierten Kontaktierung ausgehend sich über die erste und/oder zweite Elektrodenfläche erstrecken. Diese Ausführung hat den Vorteil, dass die durch die Strahlungsaustrittsfläche ausgekoppelte Strahlung eine Leuchtdichte hat, die im Bereich zwischen der ersten und zweiten und/oder der dritten und vierten Kontaktierung ein Helligkeitsminimum aufweist, welches durch das erfindungsgemäße Anordnen der Leiterbahnen ausgeglichen werden kann. Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn die Verteilungsdichte der Leiterbahnen, die sich von der zweiten und/oder vierten Kontaktierung aus über die Elektrodenfläche erstrecken mit zunehmendem Abstand abnimmt und wenn sich die von der ersten und zweiten und/oder dritten und vierten Kontaktierung ausgehenden Leiterbahnen nicht überschneiden und so das Helligkeitsminimum nicht überschreiten. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn benachbarte Leiterbahnen unterschiedliche Längen aufweisen und dieIn a further advantageous embodiment, the first electrode surface may have a second contact for applying a voltage. Advantageously, the second electrode surface may have a fourth contact. Furthermore, further electrically conductive strip conductors may be present, which extend from the second and / or fourth contacting over the first and / or second electrode surface. This embodiment has the advantage that the radiation coupled out by the radiation exit surface has a luminance which has a minimum brightness in the region between the first and second and / or the third and fourth contacts, which can be compensated for by arranging the conductor tracks according to the invention. It is particularly advantageous if the distribution density of the conductor tracks, which extend from the second and / or fourth contact via the electrode surface decreases with increasing distance and if the outgoing from the first and second and / or third and fourth contact tracks are not overlap and so do not exceed the brightness minimum. Furthermore, it is advantageous if adjacent conductor tracks have different lengths and the
Längenverteilung der Leiterbahnen ausgehend von der ersten und zweiten und/oder dritten und vierten Kontaktierung jeweils zumindest ein Maximum und ein Minimum aufweist. Der Vorteil hierbei ist, dass die Leiterbahnen wieder eine vom Abstand zu der ersten und zweiten und/oder dritten und vierten Kontaktierung abhängige variierende, abnehmende Verteilungsdichte aufweisen. In einer weiteren Ausführungsform können sich die Maxima und Minima der Längenverteilung der von der ersten und zweiten und/oder dritten und vierten Kontaktierung ausgehenden Leiterbahnen gegenüberliegen. Vorzugsweise sind die Maxima und Minima der Längenverteilung der von der ersten und zweiten und/oder dritten und vierten Kontaktierung ausgehenden Leiterbahnen gegeneinander verschoben angeordnet. Der Vorteil bei gegeneinander verschobenen Maxima und Minima ist, dass die Helligkeitsmodifikation symmetrisiert wird.Length distribution of the conductor tracks, starting from the first and second and / or third and fourth contacting each have at least a maximum and a minimum. The advantage here is that the interconnects again have a varying, decreasing distribution density, which depends on the distance to the first and second and / or third and fourth contacts. In a further embodiment, the maxima and minima of the length distribution may be opposite to the printed conductors emanating from the first and second and / or third and fourth contacting. Preferably, the maxima and minima of the length distribution of the outgoing from the first and second and / or third and fourth contact strip conductors are arranged offset from each other. The advantage of mutually shifted maxima and minima is that the brightness modification is symmetrized.
Ein weiteres vorteilhaftes Merkmal einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind Leiterbahnen, die Verzweigungen aufweisen. Dabei ist es vorteilhaft, wenn mit zunehmendem Abstand von der Kontaktierung zunehmend mehr Verzweigungen angeordnet sind. Die Leiterbahnen können beispielsweise parallel zur lateralen Stromdichte verlaufen. Vorzugsweise nimmt die Dicke und/oder Breite der Leiterbahnen mit zunehmendem Abstand von der Kontaktierung ab. Diese Ausführungsform stellt eine quasi fraktale Verteilung der Leiterbahnen dar. Der Vorteil dieser Ausführungsform ist, dass weniger die Helligkeit abgeblockt wird, sondern vielmehr die Leitfähigkeit der ersten und/oder zweiten Elektrodenfläche durch das erfindungsgemäße Anbringen der Leiterbahnen erhöht wird. Somit wird die Helligkeit in Bereichen mit niedriger Leuchtdichte aufgrund der durch die Leiterbahnen erhöhten Leitfähigkeit der ersten und/oder zweiten Elektrodenfläche erhöht. Gleichzeitig wird die Abdeckung der Leuchtfläche durch die Leiterbahnen so gering wie möglich gehalten, da ihre Breite mit zunehmendem Verzweigungsgrad abnimmt und somit die für die Strahlung nicht-transparenten Leiterbahnen immer weniger der Strahlungsfläche abdecken. Ein weiteres vorteilhaftes Merkmal einer weiteren Ausführungsform ist eine Strahlungsemittierende Vorrichtung, in der die erste und/oder zweite Elektrodenfläche in den Teilbereichen der Schichtenfolge Strukturierungen des Elektrodenmaterials aufweist. Vorteilhafterweise nimmt die Verteilungsdichte dieser Strukturierungen mit zunehmendem Abstand von der ersten Kontaktierung ab. Solche Modifizierungen können auch Bereiche der Elektrode umfassen, die frei von Elektrodenmaterial sind, also Löcher in der Elektrode aufweisen. Der Vorteil dieser Ausführungsform ist, dass die Leuchtdichte modifiziert wird, indem die Leitfähigkeit der Elektroden modifiziert wird.Another advantageous feature of a further embodiment of the invention are printed conductors, which have branches. It is advantageous if with increasing distance from the contact increasingly more branches are arranged. The conductor tracks may, for example, run parallel to the lateral current density. Preferably, the thickness and / or width of the conductor tracks decreases with increasing distance from the contact. This embodiment represents a quasi-fractal distribution of the interconnects. The advantage of this embodiment is that less the brightness is blocked, but rather the conductivity of the first and / or second electrode surface is increased by the attachment of the interconnects according to the invention. Thus, the brightness is increased in areas of low luminance due to the increased conductivity of the first and / or second electrode surface by the conductor tracks. At the same time, the coverage of the luminous area by the interconnects is kept as low as possible, since their width decreases with increasing degree of branching and thus cover the non-transparent to the radiation interconnects less and less of the radiation area. A further advantageous feature of a further embodiment is a radiation-emitting device in which the first and / or second electrode surface has structurings of the electrode material in the partial regions of the layer sequence. Advantageously, the distribution density of these structures decreases with increasing distance from the first contact. Such modifications may also include portions of the electrode that are free of electrode material, that is, have holes in the electrode. The advantage of this embodiment is that the luminance is modified by modifying the conductivity of the electrodes.
Ein weiteres vorteilhaftes Merkmal einer weiteren Ausführungsform ist eine Strahlungsemittierende Vorrichtung, in der die zumindest eine Funktionsschicht in den Teilbereichen eine durch fehlende Dotierung herabgesetzte Leitfähigkeit oder erhöhte Injektionsbarriere für Ladungsträger aufweist. Vorteilhafterweise nimmt die Verteilungsdichte der Teilbereiche mit zunehmendem Abstand von der Kontaktierung ab. Der Vorteil dieser Ausführungsform ist die Modifikation der Leuchtdichte durch die vom Abstand von der Kontaktierung abhängige fehlende Dotierung.A further advantageous feature of a further embodiment is a radiation-emitting device in which the at least one functional layer in the partial regions has a conductivity reduced by lack of doping or an increased injection barrier for charge carriers. Advantageously, the distribution density of the subregions decreases with increasing distance from the contacting. The advantage of this embodiment is the modification of the luminance by the lack of doping, which depends on the distance from the contacting.
Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zurThe invention further relates to a method for
Herstellung einer Strahlungsemittierenden Vorrichtung gemäß den oben aufgeführten Ausführungsbeispielen. Die Verfahrensschritte umfassen das Anordnen einer Schichtenfolge auf einem Substrat, wobei eine Vielzahl von Teilbereichen in der Schichtenfolge eingebracht wird. Diese Vielzahl vonProduction of a radiation-emitting device according to the exemplary embodiments listed above. The method steps include arranging a layer sequence on a substrate, wherein a multiplicity of subregions are introduced in the layer sequence. This variety of
Teilbereichen ist so modifiziert, dass aus ihnen heraus die Emission der für einen äußeren Betrachter sichtbaren Strahlung unterbrochen ist. Die Teilbereiche werden dabei so erzeugt, dass deren Verteilungsdichte dabei in Abhängigkeit ihres Abstandes von der Kontaktierung variiert.Subareas are modified in such a way that the emission of the radiation visible to an external observer is interrupted out of them. The subareas will be like this generates that their distribution density varies depending on their distance from the contact.
Weiterhin kann zwischen die erste und zweite Elektrodenfläche eine Vielzahl von isolierenden und/oder für die Strahlung nicht-transparenten Elementen in den Teilbereichen mit einer Aufdampfmaske eingebracht werden. Der Vorteil hierbei ist, dass die Teilbereiche in einem Verfahrensschritt in die Schichtenfolge eingebracht werden.Furthermore, between the first and second electrode surfaces a plurality of insulating and / or non-transparent to the radiation elements in the sub-areas can be introduced with a Aufdampfmaske. The advantage here is that the subregions are introduced into the layer sequence in one process step.
Weiterhin kann in dem Verfahren die erste und/oder zweite Elektrodenfläche in den Teilbereichen strukturiert werden und/oder die Funktionsschicht in den Teilbereichen nicht dotiert werden.Furthermore, in the method, the first and / or second electrode surface in the partial regions can be structured and / or the functional layer in the partial regions can not be doped.
Anhand der Figuren und der Ausführungsbeispiele soll die Erfindung näher erläutert werden:With reference to the figures and the embodiments, the invention will be explained in more detail:
Figur 1 zeigt den Aufbau einer Strahlungsemittierenden Vorrichtung mit einer Vielzahl von Teilbereichen imFigure 1 shows the structure of a radiation-emitting device with a plurality of sub-areas in
Querschnitt .Cross-section .
Figur 2 zeigt eine experimentelle und eine simulierte Verteilung der Leuchtdichteverteilung in herkömmlichen großflächigen OLEDs.FIG. 2 shows an experimental and a simulated distribution of the luminance distribution in conventional large area OLEDs.
Figur 3 zeigt eine Helligkeits-Spannungs Kennlinie verbunden mit einer Diodenkennlinie einer herkömmlichen Leuchtdiode.Figure 3 shows a brightness-voltage characteristic connected to a diode characteristic of a conventional light-emitting diode.
Figur 4 zeigt die Stromdichte einer herkömmlichen OLED-FIG. 4 shows the current density of a conventional OLED
Fläche . Figur 5 zeigt die Leuchtdichte im Querschnitt über eine herkömmliche OLED.Area . FIG. 5 shows the luminance in cross section over a conventional OLED.
Figur 6 zeigt in der Aufsicht ein Ausführungsbeispiel einer ersten Elektrodenfläche mit einer ersten Kontaktierung und mit isolierenden Elementen.FIG. 6 shows a plan view of an exemplary embodiment of a first electrode surface with a first contact and with insulating elements.
Figur 7 zeigt in der Aufsicht die erste Elektrodenfläche mit einer ersten und einer zweiten Kontaktierung und mit isolierenden Elementen, sowie die Leuchtdichteverteilung und Element-Dichte .FIG. 7 shows a plan view of the first electrode surface with a first and a second contact and with insulating elements, as well as the luminance distribution and element density.
Figur 8 zeigt den Aufbau einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Strahlungsemittierenden Vorrichtung mit einer Vielzahl von Teilbereichen im Querschnitt.Figure 8 shows the structure of another embodiment of the radiation-emitting device according to the invention with a plurality of sub-regions in cross-section.
Figur 9 zeigt in der Aufsicht die erste Elektrodenfläche mit einer ersten und einer zweiten Kontaktierung auf der Leiterbahnen angeordnet sind zusammen mit der Leuchtdichteverteilung und Oberflächenbedeckung.FIG. 9 shows a plan view of the first electrode surface with a first and a second contacting arranged on the conductor tracks together with the luminance distribution and surface coverage.
Figur 10 zeigt in der Aufsicht ein weiteres Ausführungsbeispiel der ersten Elektrodenfläche mit aufgebrachten Leiterbahnen.FIG. 10 shows a plan view of a further exemplary embodiment of the first electrode surface with applied conductor tracks.
Figur 11 zeigt in der Aufsicht eine erste Elektrodenfläche mit verzweigten Leiterbahnen.FIG. 11 shows a plan view of a first electrode surface with branched conductor tracks.
Figur 12 zeigt in der Aufsicht die erste Elektrodenfläche mit einer ersten Kontaktierung und mit isolierenden oder nicht- transparenten Elementen, die linienförmig ausgeformt sind. WFIG. 12 shows a plan view of the first electrode surface with a first contact and with insulating or non-transparent elements which are formed in a line-shaped manner. W
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Figur 13 zeigt einen schematischen Querschnitt zur Figur 12, mit der Schichtdicke zwischen den linienförmig ausgeformten Elementen.FIG. 13 shows a schematic cross section to FIG. 12, with the layer thickness between the line-shaped elements.
In Figur 1 wird der allgemeine Aufbau einerIn Figure 1, the general structure of a
Strahlungsemittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung gezeigt. Auf dem Substrat 100 befindet sich eine erste Elektrodenfläche 200 mit einer ersten 210 und zweiten Kontaktierung 220. Auf dem Substrat ist eine Funktionsschicht 300 angeordnet, die isolierende Elemente 310 aufweist, welche eine mit größer werdendem Abstand von der Kontaktierung abnehmende Verteilungsdichte D haben. Die Richtung, in der die Verteilungsdichte D abnimmt, ist in Figur 1 mit einem Pfeil angedeutet. Schließlich ist auf der Funktionsschicht 300 eine zweite Elektrodenfläche 400 angeordnet. Durch die eingebrachten isolierenden Elemente 310 weist die Schichtenfolge aus erster Elektrodenfläche 200, Funktionsschicht 300 und zweiter Elektrodenfläche 400 eine Vielzahl von Teilbereichen 330 auf, die sich durch die gesamte Schichtenfolge ziehen können oder die zweiteRadiation-emitting device according to an embodiment of the invention. On the substrate 100 there is a first electrode surface 200 with a first 210 and a second contact 220. On the substrate, a functional layer 300 is arranged, which has insulating elements 310, which have a decreasing distribution density D with increasing distance from the contact. The direction in which the distribution density D decreases is indicated in FIG. 1 by an arrow. Finally, a second electrode surface 400 is arranged on the functional layer 300. As a result of the introduced insulating elements 310, the layer sequence of first electrode surface 200, functional layer 300 and second electrode surface 400 has a plurality of partial regions 330, which can extend through the entire layer sequence or the second
Elektrodenfläche 400 durchragen können und die emittierte Strahlung unterbrechen. A gibt die Schnittfläche an, auf die in der Figur 7 die Aufsicht erfolgt.Protruding electrode surface 400 and interrupt the emitted radiation. A indicates the sectional area on which the supervision takes place in FIG.
Figur 2 zeigt eine experimentelle und simulierte Messung der Leuchtdichte einer herkömmlichen OLED. Im Diagramm E ist die Seite der Elektrodenfläche zur Kontaktierung x aufgetragen gegen die freiliegende Seite y. Die Leuchtdichte R ist in den hellen Bereichen hoch, in den dunklen Bereichen niedrig. Da in dem Experiment eine OLED mit zwei gegenüberliegenden Kontaktierungen gemessen wurde, gibt es ein Leuchtdichte- Minimum genau im mittleren Bereich zwischen den Kontaktierungen. Ein sehr ähnliches Ergebnis wird mit einer Simulation erzielt, die im Diagramm S gezeigt ist. Auch hier wird die Seite der Elektrodenfläche zur Kontaktierung x aufgetragen gegen die freiliegende Seite y und die Leuchtdichte R über die Fläche hinweg angegeben. Die Leuchtdichte ist auch hier in dem Bereich der größtenFIG. 2 shows an experimental and simulated measurement of the luminance of a conventional OLED. In the diagram E, the side of the electrode surface for contacting x is plotted against the exposed side y. The luminance R is high in the bright areas and low in the dark areas. Since an OLED with two opposite contacts was measured in the experiment, there is a luminance minimum in the middle range between the contacts. A very similar result comes with a Achieved simulation, which is shown in the diagram S. Here, too, the side of the electrode surface for contacting x is plotted against the exposed side y and the luminance R is indicated across the surface. The luminance is also in the range of the largest here
Entfernung von beiden Kontaktierungen (die obere und untere x-Achse) am niedrigsten. Das liegt daran, dass die Leitfähigkeit der Elektrodenfläche mit zunehmendem Abstand von den Kontaktierungen abnimmt und somit auch eine geringere Leuchtdichte zustande kommt.Distance from both contacts (the top and bottom x-axis) lowest. This is because the conductivity of the electrode surface decreases with increasing distance from the contacts and thus also a lower luminance is achieved.
Figur 3 zeigt die Leuchtdichte-Unterschiede in herkömmlichen Dioden in Form einer Helligkeit-Spannungs Kennlinie verbunden mit einer Diodenkennlinie. Dabei ist auf der x-Achse die Spannung V, auf der linken y-Achse die Stromdichte Cd und auf der rechten y-Achse die Leuchtdichte R aufgetragen. Bei kleinen Spannungen ist sowohl die Stromdichte als auch die Leuchtdichte niedrig. Beide Kurven steigen mit größer werdender Spannung steil an. Das bedeutet, dass sowohl die Stromdichte wie auch die Leuchtdichte mit größer werdenderFigure 3 shows the luminance differences in conventional diodes in the form of a brightness-voltage characteristic connected to a diode characteristic. In this case, the voltage V is plotted on the x-axis, the current density C d on the left y-axis and the luminance R on the right-hand y-axis. At low voltages, both the current density and the luminance are low. Both curves increase steeply with increasing voltage. This means that both the current density and the luminance with increasing
Spannung ansteigen, bzw. mit kleiner werdender Spannung abfallen.Voltage rise, or decrease with decreasing voltage.
Die Konsequenz daraus ist in Figur 4 gezeigt. Hier ist die laterale Stromdichte Ca in den Elektroden über die von der Seitenfläche zur Kontaktierung x und der freiliegenden Seitenfläche y gespannten Fläche einer herkömmlichen OLED- Fläche gezeigt. An den Kontaktierungen, also an der unteren und oberen x-Achse ist die Spannung hoch und damit die Stromdichte hoch (lange Pfeile) . Nimmt der Abstand zu denThe consequence of this is shown in FIG. Here, the lateral current density Ca in the electrodes is shown by the area of a conventional OLED surface stretched from the side surface for contacting x and the exposed side surface y. At the contacts, ie at the lower and upper x-axis, the voltage is high and thus the current density is high (long arrows). Takes the distance to the
Kontaktierungen zur Mitte der Fläche hin ab, so nimmt auch die Stromdichte ab (kurze Pfeile) . Damit entsteht über die OLED-Fläche hinweg eine Leuchtdichte-Inhomogenität mit einem Leuchtdichte-Minimum.Contacting the center of the surface, the current density also decreases (short arrows). This creates over the OLED surface a luminance inhomogeneity with a minimum luminance.
Eine weitere Darstellung der Leuchtdichte-Inhomogenität einer herkömmlichen OLED ist in Figur 5 gezeigt. Das Diagramm stellt die Leuchtdichteverteilung entlang eines Querschnittes einer OLED entlang der freiliegenden Seitenfläche y von der ersten zur zweiten Kontaktierung dar. Aufgetragen auf die linke y-Achse ist die Leuchtdichte R. Diese ist an den seitlichen Rändern, also nahe den Kontaktierungen, hoch und nimmt zur Mitte hin ab. Dies wird mit einem Experiment E (durchgezogene Linie) und einer Simulation S (Punkte) belegt, die beide gut übereinstimmende Ergebnisse liefern.A further illustration of the luminance inhomogeneity of a conventional OLED is shown in FIG. The diagram represents the luminance distribution along a cross-section of an OLED along the exposed side surface y from the first to the second contact. The luminance R is applied to the left y-axis. It is high at the lateral edges, ie near the contacts towards the middle. This is evidenced by an experiment E (solid line) and a simulation S (points), both of which give well consistent results.
In Figur 6 ist ein Beispiel für eine erfindungsgemäßeIn Figure 6 is an example of an inventive
Ausführungsform gezeigt. Es ist in der Aufsicht entlang der freiliegenden Fläche eine Elektrodenfläche 200 mit isolierenden Elementen 310 und einer ersten seitlichen Kontaktierung 210 gezeigt. Darunter befindet sich das Substrat 100. Die seitliche Kontaktierung ist mit der zweiten Elektrodenfläche 400 über Anschlüsse 500 und einen elektrischen Leiter 510 verbunden. Der Übersichtlichkeit halber ist die Funktionsschicht 300 nicht eingezeichnet, die zweite Elektrodenfläche 400 nur angedeutet. Die Verteilungsdichte D der isolierenden Elemente nimmt mit größer werdendem Abstand von der Kontaktierung ab. Diese Richtung der Verteilungsdichte D, in der sie abnimmt, ist mit einem Pfeil dargestellt. Vorteilhafterweise sind diese isolierenden Elemente so klein, dass sie für einen äußeren Betrachter nicht mehr auflösbar sind. Deswegen sind sie kleiner als 200 μm, bevorzugt kleiner als 20μm. Sie sind elektrisch isolierende Elemente und setzen in den Teilbereichen 330, in denen sie sich befinden, die in diesen Bereichen ohne die Elemente normalerweise vorhandene Leuchtdichte R der emittierten Strahlung herab, das heißt, sie verhindern die Emission von Strahlung aus der Strahlungsemittierenden Vorrichtung heraus in den Teilbereichen, in denen sie sich befinden. Das geschieht durch eine Unterbrechung der Strahlung durch die isolierenden Elemente, die die Strahlung aufgrund ihrer nicht-leitenden Eigenschaft abblocken. Vorteilhafterweise ist die Variation der Verteilungsdichte der isolierenden Elemente so gewählt, dass der Unterschied der Leuchtdichte in den verschiedenen Abständen von der Kontaktierung auf der Fläche der Funktionsschicht weniger als 20% beträgt. Die isolierenden Elemente sind günstigerweise transparent für die emittierte Strahlung und können aus Photolacken, Nitriden, Keramiken und Oxiden bestehen. Vorzugsweise sind die isolierenden Elemente elektrisch isolierende Elemente. Möglich sind auch elektrisch isolierend eingehüllte Metalle.Embodiment shown. An electrode surface 200 with insulating elements 310 and a first lateral contact 210 is shown in plan view along the exposed surface. Underneath is the substrate 100. The lateral contacting is connected to the second electrode surface 400 via connections 500 and an electrical conductor 510. For the sake of clarity, the functional layer 300 is not shown, the second electrode surface 400 only indicated. The distribution density D of the insulating elements decreases with increasing distance from the contacting. This direction of distribution density D, in which it decreases, is shown by an arrow. Advantageously, these insulating elements are so small that they are no longer resolvable for an external observer. That is why they are smaller than 200 μm, preferably smaller than 20 μm. They are electrically insulating elements and put in the subregions 330 in which they are located in these Ranges without the elements normally present luminance R of the emitted radiation, that is, they prevent the emission of radiation from the radiation-emitting device out in the areas in which they are located. This is done by interrupting the radiation through the insulating elements that block the radiation due to its non-conductive property. Advantageously, the variation of the distribution density of the insulating elements is chosen such that the difference in the luminance at the different distances from the contacting on the surface of the functional layer is less than 20%. The insulating elements are favorably transparent to the emitted radiation and may consist of photoresists, nitrides, ceramics and oxides. Preferably, the insulating elements are electrically insulating elements. Also possible are electrically insulating encased metals.
Figur 7 zeigt eine Variation des in Figur 6 gezeigten Ausführungsbeispiels. Die Aufsicht ist entlang der Fläche A aus Figur 1 zu verstehen. Hier ist gegenüber der ersten Kontaktierung 210 eine zweite Kontaktierung 220 angeordnet, wobei beide Kontaktierungen über elektrische Leiter 500 und elektrische Anschlüsse 510 mit der zweiten Elektrodenfläche 400 verbunden sind. Darunter befindet sich das Substrat 100. Auf der Elektrodenfläche 200 befinden sich wieder elektrisch isolierende Elemente 310. Die Funktionsschicht 300 ist der Übersicht halber nicht eingezeichnet, die zweite Elektrodenfläche nur andeutungsweise. Da ihre Verteilungsdichte D, wie mit einem Pfeil dargestellt, mit zunehmendem Abstand von den Kontaktierungen abnimmt, ist ihre Konzentration in der Mitte der Fläche am geringsten. Das bedeutet, in Bereichen, die ohne die elektrisch isolierenden Elemente eine hohe Leuchtdichte R aufweisen würden, nahe den Kontaktierungen, unterbrechen die isolierenden Elemente in vielen Teilbereichen 330 die emittierte Strahlung während sie in Bereichen die ohne die elektrisch isolierenden Elemente eine niedrigere Leuchtdichte aufweisen würden, in größerem Abstand zu den Kontaktierungen, nur in kleinem Ausmaß die emittierte Strahlung unterbrechen, da ihre Verteilungsdichte geringer ist. Damit gleichen sie die normalerweise bei herkömmlichen Strahlungsemittierenden Vorrichtungen auftretenden Leuchtdichteunterschiede aus, bzw. reduzieren diese, die ohne die isolierenden Elemente vorhanden wären. Gleichzeitig kann die abnehmende Verteilungsdichte eine möglichst geringe Flächenabdeckung der Strahlungsemittierenden Vorrichtung bedingen. Der Zusammenhang zwischen Leuchtdichte R und Element-Dichte D im Querschnitt entlang der freiliegenden Seitenfläche y ist in dem Diagramm neben der Zeichnung gezeigt. In Bereichen, die ohne die isolierenden Elemente eine hohe Leuchtdichte Ri aufweisen, ist die Element-Dichte D ebenfalls hoch, in Bereichen niedriger Leuchtdichte ist die Element-Dichte niedrig. Die mit den Elementen resultierende Leuchtdichte R2 ist somit annähernd unabhängig vom Abstand von den Kontaktierungen (obere und untere Achse) .FIG. 7 shows a variation of the embodiment shown in FIG. The plan view is to be understood along the surface A of FIG. Here, a second contacting 220 is arranged opposite the first contacting 210, wherein both contacts are connected via electrical conductors 500 and electrical connections 510 to the second electrode surface 400. Underneath is the substrate 100. On the electrode surface 200 are again electrically insulating elements 310. The functional layer 300 is not shown for clarity, the second electrode surface only hinted way. Since their distribution density D, as shown by an arrow, decreases with increasing distance from the contacts, their concentration in the middle of the surface is the lowest. This means in areas without the electrically insulating Elements would have a high luminance R, near the contacts, break the insulating elements in many sections 330, the emitted radiation while in areas which would have a lower luminance without the electrically insulating elements, at a greater distance from the contacts, only to a small extent interrupt the emitted radiation because its distribution density is lower. Thus, they compensate or reduce the luminance differences that would normally occur in conventional radiation-emitting devices, which would be present without the insulating elements. At the same time, the decreasing distribution density can cause the smallest possible area coverage of the radiation-emitting device. The relationship between luminance R and element density D in cross section along the exposed side surface y is shown in the diagram next to the drawing. In regions having a high luminance Ri without the insulating elements, the element density D is also high, in low-luminance regions, the element density is low. The resulting luminance R 2 with the elements is thus approximately independent of the distance from the contacts (upper and lower axis).
Figur 8 zeigt den allgemeinen Aufbau einerFigure 8 shows the general structure of a
Strahlungsemittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Auf dem Substrat 100 befindet sich eine erste Elektrodenfläche 200 mit einer ersten 210 und zweiten Kontaktierung 220. Auf dem Substrat ist eine Funktionsschicht 300 angeordnet, die elektrisch leitendeRadiation-emitting device according to an embodiment of the invention. On the substrate 100 is a first electrode surface 200 with a first 210 and second contact 220. On the substrate, a functional layer 300 is arranged, the electrically conductive
Leiterbahnen 320 aufweist, welche eine mit größer werdendem Abstand von der Kontaktierung abnehmende Verteilungsdichte D haben. Die Richtung, in der die Verteilungsdichte abnimmt, ist mit einem Pfeil dargestellt. Schließlich ist auf der Funktionsschicht 300 eine zweite Elektrodenfläche 400 mit einer dritten 410 und vierten Kontaktierung 420 angeordnet. Auch hier sind Leiterbahnen 320 vorhanden, deren Verteilungsdichte D mit zunehmendem Abstand von derConductor tracks 320 which have a decreasing with increasing distance from the contact distribution density D. The direction in which the distribution density decreases is shown with an arrow. Finally, a second electrode surface 400 with a third 410 and fourth contact 420 is arranged on the functional layer 300. Here, too, conductor tracks 320 are present whose distribution density D increases with increasing distance from the
Kontaktierung abnimmt. Durch die eingebrachten Leiterbahnen 320 weist die Schichtenfolge aus erster Elektrodenfläche 200, Funktionsschicht 300 und zweiter Elektrodenfläche 400 eine Vielzahl von Teilbereichen 330 auf, die sich durch die gesamte Schichtenfolge ziehen und die emittierte Strahlung unterbrechen. A gibt die Schnittfläche an, deren Aufsicht in den folgenden Figuren gezeigt wird. In den folgenden Figuren wird nur auf die erste Elektrodenfläche 200 eingegangen, es gilt aber ebenso für die zweite Elektrodenfläche 400, für den Fall, dass es sich bei der zweiten Elektrodenfläche 400 auch um eine semi-transparente oder transparente Elektrodenfläche handelt .Contacting decreases. As a result of the introduced interconnects 320, the layer sequence comprising first electrode surface 200, functional layer 300 and second electrode surface 400 has a plurality of partial regions 330 which extend through the entire layer sequence and interrupt the emitted radiation. A indicates the sectional area, the top view of which is shown in the following figures. In the following figures, only the first electrode surface 200 is discussed, but the same applies to the second electrode surface 400, in the case that the second electrode surface 400 is also a semi-transparent or transparent electrode surface.
Figur 9 zeigt eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Es ist die Aufsicht entlang der Fläche A aus Figur 8 auf die auf dem Substrat 100 angeordnete erste Elektrodenfläche 200 dargestellt, mit einer ersten 210 und zweiten Kontaktierung 220, die der ersten gegenüberliegt, gezeigt. Die beiden Kontaktierungen sind über elektrische Leiter 500 und elektrische Anschlüsse 510 mit der zweiten Elektrodenfläche 400 verbunden. Auf der Elektrodenfläche sind Leiterbahnen 320 angeordnet. Diese können auch auf der zweiten Elektrodenfläche 400 vorhanden sein, die folgende Beschreibung bezieht sich jedoch nur auf die erste Elektrodenfläche 200. Die Leiterbahnen erstrecken sich jeweils von den Kontaktierungen weg über die erste Elektrodenfläche. Dabei weisen benachbarte Leiterbahnen unterschiedliche Längen auf und die Längenverteilung der Leiterbahnen weist ausgehend von den Kontaktierungen Maxima und Minima auf. Das führt dazu, dass die Leiterbahnen eine Verteilungsdichte D aufweisen, die lateral mit zunehmendem Abstand von den Kontaktierungen abnimmt, was durch den Pfeil dargestellt wird. Die längsten bzw. kürzesten Leiterbahnen liegen dabei genau gegenüber voneinander, berühren sich aber nicht. Damit ist der Bereich mit der geringsten Leuchtdichte frei von Leiterbahnen. Das führt dazu, dass dort keine Flächenabdeckung vorliegt, während in dem Bereich nahe der Kontaktierungen, wo ohne die elektrischen Leiterbahnen eine hohe Leuchtdichte herrschen würde, eine größere Flächenabdeckung vorliegt. Die Breite der Leiterbahnen beträgt günstigerweise weniger als 200 μm, vorzugsweise weniger als 20 μm, womit die Leiterbahnen für einen äußeren Betrachter nicht mehr wahrnehmbar sind. Die Dicke derFIG. 9 shows a further embodiment of the device according to the invention. The top view along the surface A from FIG. 8 onto the first electrode surface 200 arranged on the substrate 100 is shown, with a first 210 and second contacting 220, which lies opposite the first one. The two contacts are connected to the second electrode surface 400 via electrical conductors 500 and electrical connections 510. On the electrode surface conductor tracks 320 are arranged. These may also be present on the second electrode surface 400, but the following description relates only to the first electrode surface 200. The conductor paths each extend away from the contacts over the first electrode surface. In this case, adjacent tracks have different lengths and the length distribution of Conductor tracks has maxima and minima starting from the contacts. This results in that the interconnects have a distribution density D, which decreases laterally with increasing distance from the contacts, which is represented by the arrow. The longest or shortest tracks lie exactly opposite each other, but do not touch. Thus, the area with the lowest luminance is free of traces. The result is that there is no area coverage, while in the area near the contacts, where without the electrical traces a high luminance would prevail, there is a larger area coverage. The width of the tracks is favorably less than 200 microns, preferably less than 20 microns, so that the tracks are no longer perceptible to an external observer. The thickness of the
Leiterbahnen kann in einem Bereich von weniger als 200 μm liegen, vorzugsweise in einem Bereich von 100 nm bis 10 μm das bedeutet, die Leiterbahnen können nur auf der Oberfläche der Elektrodenfläche liegen, oder in die auf der Elektrodenfläche liegenden Funktionsschicht 300 hineinreichen. In einer weiteren Ausformung können diese auch die zweite Elektrodenfläche durchstoßen. In diesem Fall sind die einzelnen Leiterbahnen von einer isolierenden Schicht umgeben. Neben der Aufsicht auf die Elektrodenfläche ist wieder ein Diagramm zu sehen, in dem der Zusammenhang zwischen Leuchtdichte R und Oberflächenbedeckung SC im Querschnitt entlang der freiliegenden Seitenfläche y gezeigt wird. Die durchgezogenen Linien stellen die idealen Kurven dar, die gestrichelten die realen. In Bereichen, in denen ohne die Leiterbahnen eine große Leuchtdichte R1 vorliegt, ist die Oberflächenbedeckung hoch, in Bereichen niedriger Leuchtdichte R1, ist die Oberflächenbedeckung niedrig. Mit der erfindungsgemäßen Anordnung der Leiterbahnen ergibt sich WConductor tracks may be in a range of less than 200 .mu.m, preferably in a range of 100 nm to 10 .mu.m, that is, the conductor tracks may lie only on the surface of the electrode surface, or extend into the functional layer 300 lying on the electrode surface. In a further embodiment, these can also pierce the second electrode surface. In this case, the individual interconnects are surrounded by an insulating layer. In addition to the plan view of the electrode surface, a diagram is again shown in which the relationship between luminance R and surface coverage SC in cross section along the exposed side surface y is shown. The solid lines represent the ideal curves, the dashed ones the real ones. In areas where there is a large luminance R 1 without the traces, the surface coverage is high, in areas of low luminance R 1 , the surface area is low. With the inventive arrangement of the tracks results W
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eine resultierende Leuchtdichte R2, die annähernd unabhängig vom Ort, also y, ist.a resulting luminance R2, which is approximately independent of location, ie y.
Eine alternative Ausführungsform zu dem in Figur 9 gezeigten Beispiel, ist in Figur 10 dargestellt. Hier sind die Maxima und Minima der Längenverteilung der Leiterbahnen 330 auf der Elektrodenfläche 200 nicht gegenüberliegend, sondern gegeneinander verschoben. Damit ist die Verteilungsdichte D, die in Pfeilrichtung abnimmt, im weitest entfernten Bereich von den Kontaktierungen 210 und 220 zwar höher als in demAn alternative embodiment to the example shown in FIG. 9 is shown in FIG. Here, the maxima and minima of the length distribution of the interconnects 330 on the electrode surface 200 are not opposite, but shifted from each other. Thus, the distribution density D, which decreases in the direction of the arrow, although in the farthest range of the contacts 210 and 220 is higher than in the
Beispiel aus Figur 8, die Leuchtdichte-Verteilung wird jedoch besser symmetrisiert . Der in dem Diagramm neben der Aufsicht auf die Elektrodenfläche dargestellte Zusammenhang zwischen der Leuchtdichte R1, die ohne die Leiterbahnen vorliegt, der Oberflächenbedeckung SC und der resultierenden Leuchtdichte R2 ist annähernd gleich zu dem in Figur 6 dargestellten. Auch dieses Beispiel für die Anordnung von Leiterbahnen kann für die erste und zweite Elektrodenfläche gelten.Example of Figure 8, but the luminance distribution is better symmetrized. The relationship between the luminance R 1 shown in the diagram next to the plan view of the electrode surface, which is present without the conductor tracks, the surface coverage SC and the resulting luminance R 2 is approximately equal to that shown in FIG. This example of the arrangement of printed conductors can also apply to the first and second electrode surfaces.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in FigurAnother embodiment of the invention is shown in FIG
11 dargestellt. Hier werden die Leuchtdichteunterschiede auf den wabenförmigen Elektrodenflächen-Segmenten überwunden, indem verzweigte Leiterbahnen 320 eingebracht werden. Deren Verzweigungsgrad nimmt mit zunehmendem Abstand von den Kontaktierungen zu, während ihre Dicke und/oder Breite a abnimmt. Damit wird, auch bei vielen Verzweigungen 340, die Flächenbedeckung so gering wie möglich gehalten, während die Leitfähigkeit durch die Leiterbahnen in den von den Kontaktierungen weiter entfernten Bereichen erhöht wird. Die Richtung der abnehmenden Verteilungsdichte D ist mit einem11 is shown. Here, the luminance differences on the honeycomb-shaped electrode surface segments are overcome by introducing branched conductive lines 320. Their degree of branching increases with increasing distance from the contacts, while their thickness and / or width a decreases. Thus, even with many branches 340, the area coverage is kept as low as possible, while the conductivity is increased by the tracks in the areas further away from the contacts. The direction of decreasing distribution density D is one
Pfeil dargestellt. Auch dieses Beispiel für die Anordnung von Leiterbahnen kann für die erste und zweite Elektrodenfläche gelten. Figur 12 zeigt analog zu den Figuren 7 und 9 eine Variation eines Ausführungsbeispiels. Die Aufsicht ist entlang der Fläche A aus Figur 1 und aus Figur 8 zu verstehen. Hier ist die erste Kontaktierung 210 an allen Seiten derArrow shown. This example of the arrangement of printed conductors can also apply to the first and second electrode surfaces. FIG. 12 shows, analogously to FIGS. 7 and 9, a variation of an exemplary embodiment. The plan view is to be understood along the surface A of FIG. 1 and FIG. 8. Here is the first contact 210 on all sides of the
Elektrodenfläche 200 angeordnet, wobei sie über einen elektrischen Leiter 510 und elektrische Anschlüsse 500 mit der zweiten Elektrodenfläche 400 verbunden ist. Darunter befindet sich das Substrat 100. Auf der Elektrodenfläche 200 befinden sich elektrisch isolierende oder nicht-transparente, linienförmige Elemente 350, die in Form einer periodischen Struktur, einem Gitter angeordnet sind. Das Gitter weist einen Gitterabstand 315 zwischen benachbarten linienförmigen Elementen auf, der mit zunehmendem Abstand von der Kontaktierung 210 zunimmt und etwa in der Mitte zwischen den Seiten der Elektrodenfläche, an denen sich die Kontaktierung befindet, am größten ist. Die Funktionsschicht 300 ist der Übersicht halber nicht eingezeichnet, die zweite Elektrodenfläche 400 nur andeutungsweise.Electrode surface 200, wherein it is connected via an electrical conductor 510 and electrical connections 500 to the second electrode surface 400. Underneath is the substrate 100. On the electrode surface 200 are electrically insulating or non-transparent, linear elements 350, which are arranged in the form of a periodic structure, a grid. The grid has a grid spacing 315 between adjacent line-shaped elements, which increases with increasing distance from the contact 210 and is greatest in the middle between the sides of the electrode area where the contact is located. The functional layer 300 is not shown for the sake of clarity, the second electrode surface 400 only hinted.
Das bedeutet, in Bereichen nahe der Kontaktierung, die ohne die linienförmigen Elemente eine hohe Intensität der emittierten Strahlung aufweisen würden, unterbrechen die isolierenden, linienförmigen Elemente 350 in vielen Teilbereichen 330 den elektrischen Kontakt zwischen denThat is, in regions close to the contact, which would have a high intensity of the emitted radiation without the line-shaped elements, the insulating line-shaped elements 350 in many sub-regions 330 interrupt the electrical contact between them
Elektrodenflächen und den Funktionsschichten und verhindern so, dass Strahlung aus diesen Bereichen heraus emittiert wird, während sie in Bereichen in größerem Abstand zu der Kontaktierung, die ohne die elektrisch isolierenden, linienförmigen Elemente eine niedrigere Intensität der emittierten Strahlung aufweisen würden, nur in kleinem Ausmaß die emittierte Strahlung unterbrechen, da der Gitterabstand 315 dort größer ist. Die Breite der elektrisch isolierenden, linienförmigen Elemente beträgt weniger als 200 μm, vorzugsweise weniger als 20 μm, ihre Dicke kann in einem Bereich von weniger als 200 μm liegen, vorzugsweise in einem Bereich von 100 nm bis 10 μm. Damit sind sie für einen äußeren Betrachter nicht mehr wahrnehmbar.Electrode surfaces and the functional layers and prevent so that radiation is emitted from these areas, while in areas at a greater distance from the contact, which would have a lower intensity of the emitted radiation without the electrically insulating, linear elements, the small extent interrupt emitted radiation, since the grid spacing 315 is larger there. The width of the electrically insulating, line-shaped elements is less than 200 microns, preferably less than 20 microns, their thickness may be in a range of less than 200 microns, preferably in a range of 100 nm to 10 microns. Thus, they are no longer perceptible to an outside observer.
Sind die linienförmigen Elemente 350 nicht-transparente elektrisch leitfähige Leiterbahnen, können diese auch auf der zweiten Elektrodenfläche 400 vorhanden sein, die folgende Beschreibung bezieht sich jedoch nur auf die erste Elektrodenfläche 200. Damit ist der Bereich mit der geringsten Intensität emittierter Strahlung von Leiterbahnen mit großem Gitterabstand zueinander bedeckt, während nahe der Kontaktierung das Gitter dichter ist. Das führt dazu, dass in dem Bereich nahe der Kontaktierung, wo ohne die elektrischen Leiterbahnen eine hohe Leuchtdichte herrschen würde, eine größere Flächenabdeckung mit Leiterbahnen vorliegt. Die Breite der Leiterbahnen beträgt weniger als 200 μm, vorzugsweise weniger als 20 μm, womit die Leiterbahnen für einen äußeren Betrachter nicht mehr wahrnehmbar sind. DieIf the line-shaped elements 350 are non-transparent electrically conductive printed conductors, these can also be present on the second electrode surface 400, but the following description applies only to the first electrode surface 200. Thus, the region with the least intensity of emitted radiation is large Grid spacing covered to each other, while near the contact the grid is denser. The result is that in the area near the contact, where would exist without the electrical traces a high luminance, there is a larger area coverage with traces. The width of the conductor tracks is less than 200 .mu.m, preferably less than 20 microns, so that the tracks are no longer perceptible to an external observer. The
Dicke der Leiterbahnen kann in einem Bereich von weniger als 200 μm liegen, vorzugsweise in einem Bereich von 100 nm bis 10 μm das bedeutet die Leiterbahnen können nur auf der Oberfläche der Elektrodenfläche liegen, oder in die auf der Elektrodenfläche liegende Funktionsschicht 300 hineinreichen. In einer weiteren Ausformung können diese auch die zweite Elektrodenfläche durchstoßen. In diesem Fall sind die einzelnen Leiterbahnen von einer isolierenden Schicht, beispielsweise einer Polymerschicht umgeben.Thickness of the conductor tracks may be in a range of less than 200 .mu.m, preferably in a range of 100 nm to 10 .mu.m, which means that the conductor tracks may lie only on the surface of the electrode surface or extend into the functional layer 300 lying on the electrode surface. In a further embodiment, these can also pierce the second electrode surface. In this case, the individual interconnects are surrounded by an insulating layer, for example a polymer layer.
Zudem variiert auch die Schichtdicke der zwischen den linienförmigen Elementen 350 vorhandenen FunktionsSchicht 300 derart, dass die Schichtdicke mit größer werdendem Gitterabstand 315 abnimmt. Dies ist Figur 13 zu sehen, in der ein schematischer Querschnitt entlang der Achse B, die in Figur 12 gekennzeichnet ist, gezeigt ist. Hier ist das Substrat 100 mit der ersten Elektrodenfläche 200 und der ersten Kontaktierung 210 zu sehen. Diese kann dieIn addition, the layer thickness of the functional layer 300 present between the line-shaped elements 350 also varies such that the layer thickness increases with increasing Grid spacing 315 decreases. This can be seen in Figure 13, in which a schematic cross section along the axis B indicated in Figure 12 is shown. Here, the substrate 100 with the first electrode surface 200 and the first contact 210 can be seen. This can be the
Elektrodenfläche 200 auch von allen Seiten umschließen, was in der in Figur 13 gezeigten Perspektive nicht dargestellt wird. Auf der ersten Elektrodenfläche befinden sich die linienförmigen Elemente 350, die in Form eines Gitters angeordnet sind, wobei in Figur 13 nur Elemente einerEnclose electrode surface 200 from all sides, which is not shown in the perspective shown in Figure 13. On the first electrode surface are the linear elements 350, which are arranged in the form of a grid, wherein in FIG
Ausrichtung eingezeichnet sind. Die linienförmigen Elemente weisen einen Gitterabstand 315 auf, der mit zunehmendem Abstand von der Kontaktierung 210 zunimmt und etwa in der Mitte der Elektrodenfläche ein Maximum aufweist. Zwischen den linienförmigen Elementen 350 befindet sich dieOrientation are drawn. The line-shaped elements have a grid spacing 315 which increases with increasing distance from the contact 210 and has a maximum approximately in the middle of the electrode area. Between the linear elements 350 is the
Funktionsschicht 300, die mit zunehmendem Gitterabstand eine abnehmende Schichtdicke d aufweist. Die zweite Elektrodenfläche, die dritte Kontaktierung und die elektrischen Anschlüsse sind in Figur 13 aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht eingezeichnet.Functional layer 300, which has a decreasing layer thickness d with increasing lattice spacing. The second electrode surface, the third contact and the electrical connections are not shown in FIG. 13 for reasons of clarity.
Mit abnehmender Schichtdicke d der Funktionsschicht 300, also zunehmendem Gitterabstand 315 der linienförmigen Elemente 350, kann sich die Intensität der emittierten Strahlung erhöhen. Somit ist in Bereichen, die weiter entfernt von der Kontaktierung 210 liegen, die Strahlung zusätzlich erhöht. Damit werden die normalerweise bei herkömmlichen Strahlungsemittierenden Vorrichtungen auftretenden Leuchtdichteunterschiede ausgeglichen, bzw. reduziert, die ohne die linienförmigen Elemente vorhanden wären: Die linienförmigen Elemente können nicht-transparente Leiterbahnen, Leiterbahnen mit einer isolierenden Schicht aber auch elektrisch isolierende Materialien, zum Beispiel einen Photoresist umfassen.With decreasing layer thickness d of the functional layer 300, ie increasing grid spacing 315 of the linear elements 350, the intensity of the emitted radiation can increase. Thus, in areas further from the contact 210, the radiation is additionally increased. This compensates or reduces the luminance differences which normally occur in conventional radiation-emitting devices, which would be present without the linear elements: The linear elements can be non-transparent conductor tracks, conductor tracks with an insulating layer but also include electrically insulating materials, for example a photoresist.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. The invention is not limited by the description with reference to the embodiments. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

Claims

Patentansprüche claims
1. Strahlungsemittierende Vorrichtung, umfassendA radiation emitting device comprising
- ein Substrat (100) , - eine auf dem Substrat angeordnete Schichtenfolge, umfassenda substrate (100), a layer sequence arranged on the substrate, comprising
- eine erste Elektrodenfläche (200) auf dem Substrat mit einer ersten Kontaktierung (210) zum Anlegen einer Spannung, - zumindest eine Funktionsschicht (300) , die im Betrieb Strahlung emittiert und,a first electrode surface (200) on the substrate with a first contact (210) for applying a voltage, at least one functional layer (300) which emits radiation during operation and,
- eine zweite Elektrodenfläche (400) auf der zumindest einen Funktionsschicht, wobei eine Vielzahl von Teilbereichen (330) in der Schichtenfolge vorhanden ist, die so modifiziert ist, dass aus ihnen heraus die Emission der für einen äußeren Betrachter sichtbaren Strahlung unterbrochen ist, wobei die Verteilungsdichte dieser Teilbereiche in Abhängigkeit ihres Abstandes von der Kontaktierung variiert.- a second electrode surface (400) on the at least one functional layer, wherein a plurality of subregions (330) is present in the layer sequence, which is modified so that out of them the emission of visible to an external observer radiation is interrupted, the Distribution density of these subregions varies depending on their distance from the contact.
2. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Teilbereiche (330) für einen äußeren Betrachter mit bloßem Auge nicht erkennbar sind.2. Radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the subregions (330) are not visible to an external observer with the naked eye.
3. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in den Teilbereichen3. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims, wherein in the sub-areas
(330) die Leuchtdichte der emittierten Strahlung herabgesetzt ist.(330) the luminance of the emitted radiation is reduced.
4. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Teilbereiche (330) mikroskopische Ausdehnungen aufweisen. 4. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims, wherein the subregions (330) have microscopic extensions.
5. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Kontaktierung5. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims, wherein the first contact
(210) seitlich an der ersten Elektrodenfläche (200) vorhanden ist .(210) is provided laterally on the first electrode surface (200).
6. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei seitlich an der zweiten Elektrodenfläche (400) eine dritte Kontaktierung (410) vorhanden ist.6. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims, wherein laterally on the second electrode surface (400), a third contact (410) is present.
7. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zumindest eine Funktionsschicht (300) , eine organische Funktionsschicht umfasst.7. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims, wherein the at least one functional layer (300) comprises an organic functional layer.
8. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zumindest eine Funktionsschicht (300) eine Ladungstransportschicht umfasst.8. The radiation-emitting device according to claim 1, wherein the at least one functional layer (300) comprises a charge transport layer.
9. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste und/oder zweite Elektrodenfläche (200,400) semitransparent oder transparent für die von der FunktionsSchicht (300) emittierte Strahlung ist.9. The radiation-emitting device according to claim 1, wherein the first and / or second electrode surface (200, 400) is semitransparent or transparent to the radiation emitted by the functional layer (300).
10. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Material der ersten und/oder zweiten Elektrodenfläche (200) aus einer Gruppe ausgewählt ist, die transparente Metalloxide, organische leitende Materialien und dotierte organische Materialien umfasst. 10. A radiation emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the material of the first and / or second electrode surfaces (200) is selected from a group comprising transparent metal oxides, organic conductive materials and doped organic materials.
11. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zwischen der ersten (200) und zweiten Elektrodenfläche (400) eine Vielzahl von isolierenden (310) und/oder für die Strahlung nichttransparenten Elementen (320) in den Teilbereichen (330) vorhanden ist, deren Verteilungsdichte und /oder geometrische Ausformung in Abhängigkeit des Abstandes der Elemente von der ersten Kontaktierung (210) variiert.11. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims, wherein between the first (200) and second electrode surface (400) a plurality of insulating (310) and / or non-transparent to the radiation elements (320) in the sub-regions (330) is present, whose distribution density and / or geometric shape varies as a function of the distance of the elements from the first contact (210).
12. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die isolierenden (310) und/oder für die Strahlung nicht-transparenten Elemente12. Radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the insulating (310) and / or non-transparent to the radiation elements
(320) eine Verteilungsdichte aufweisen, die mit größer werdendem Abstand von der ersten Kontaktierung (210) abnimmt .(320) have a distribution density which decreases with increasing distance from the first contact (210).
13. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 oder 12, wobei die isolierenden (310) und/oder für die Strahlung nichttransparenten Elemente (320) in Bereichen zwischen der ersten (200) und zweiten Elektrodenfläche (400) vorhanden sind und in diesen Teilbereichen (330) eine Emission von Strahlung aus der Vorrichtung heraus verhindern.13. A radiation emitting device according to any one of the preceding claims 11 or 12, wherein the insulating (310) and / or non-transparent to the radiation elements (320) in areas between the first (200) and second electrode surface (400) are present and in these partial areas (330) prevent emission of radiation from the device.
14. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 13, wobei die Verteilungsdichte der isolierenden (310) und/oder für die Strahlung nicht-transparenten Elemente (320) so gewählt ist, dass der Unterschied der Leuchtdichte der von der14. A radiation-emitting device according to one of the preceding claims 11 to 13, wherein the distribution density of the insulating (310) and / or non-transparent to the radiation elements (320) is selected so that the difference in the luminance of the
Vorrichtung emittierten Strahlung zwischen verschiedenen Bereichen der Vorrichtung mit unterschiedlichen Verteilungsdichten der Elemente maximal 20% beträgt. Device emitted radiation between different areas of the device with different distribution densities of the elements is not more than 20%.
15. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 14, wobei die isolierenden Elemente (310) elektrisch isolierende Elemente umfassen.15. A radiation-emitting device according to one of the preceding claims 11 to 14, wherein the insulating elements (310) comprise electrically insulating elements.
16. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 15, wobei die isolierenden Elemente (310) elektrisch isolierend sind und die Emission der Strahlung in den Teilbereichen (330) der Schichtenfolge, in denen sie vorhanden sind, unterbrechen.16. The radiation-emitting device according to one of the preceding claims 11 to 15, wherein the insulating elements (310) are electrically insulating and interrupt the emission of the radiation in the subregions (330) of the layer sequence in which they are present.
17. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 15 bis 16, wobei das Material der elektrisch isolierenden Elemente (310) transparent für die emittierte Strahlung ist.17. A radiation-emitting device according to any one of the preceding claims 15 to 16, wherein the material of the electrically insulating elements (310) is transparent to the emitted radiation.
18. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 17, wobei die isolierenden Elemente (310) eine mikroskopische Größe aufweisen, wobei die Größe eines isolierenden Elements vorzugsweise wenige Mikrometer, vorzugsweise weniger als 200 μm, bevorzugt weniger als 100 μm, besonders bevorzugt weniger als 20 μm umfasst.18. A radiation-emitting device according to one of the preceding claims 11 to 17, wherein the insulating elements (310) have a microscopic size, wherein the size of an insulating element is preferably a few microns, preferably less than 200 microns, preferably less than 100 microns, more preferably less than 20 microns.
19. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 18, wobei das Material der isolierenden Elemente (310) aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Photolacke, Nitride, Keramiken, Oxide und isolierende organische Verbindungen aufweist. The radiation-emitting device according to any one of the preceding claims 11 to 18, wherein the material of the insulating members (310) is selected from a group comprising photoresists, nitrides, ceramics, oxides and organic insulating compounds.
20. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der20. Radiation-emitting device according to one of
Ansprüche 15 bis 19, wobei die elektrisch isolierenden Elemente (310) linienförmig ausgeformt sind.Claims 15 to 19, wherein the electrically insulating elements (310) are formed linearly.
21. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die linienförmigen isolierenden Elemente (310) in Form einer periodischen Struktur in der Funktionsschicht (300) angeordnet sind.21. A radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the line-shaped insulating elements (310) are arranged in the form of a periodic structure in the functional layer (300).
22. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die periodische Struktur ein Gitter umfasst.22. A radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the periodic structure comprises a grating.
23. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Gitter einen23. A radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the grid has a
Gitterabstand (315) zwischen benachbarten linienförmigen Elementen aufweist, der mit zunehmendem Abstand von der ersten (210) und/oder dritten Kontaktierung (410) zunimmt .Grid spacing (315) between adjacent line-shaped elements, which increases with increasing distance from the first (210) and / or third contact (410).
24. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei zumindest zwischen den linienförmigen Elementen (310) die Funktionsschicht (300) angeordnet ist, deren Schichtdicke mit zunehmendem Gitterabstand (315) der Elemente abnimmt.24. Radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein at least between the line-shaped elements (310), the functional layer (300) is arranged, the layer thickness decreases with increasing grid spacing (315) of the elements.
25. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Intensität der emittierten Strahlung mit zunehmender Schichtdicke der Funktionsschicht (300) abnimmt.25. Radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the intensity of the emitted radiation decreases with increasing layer thickness of the functional layer (300).
26. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 14, wobei die Elemente nicht-transparent für die emittierte Strahlung sind und die emittierte Strahlung in den Teilbereichen (330) der Schichtenfolge, in denen sie vorhanden sind, reflektieren und/oder absorbieren.26. A radiation-emitting device according to any one of the preceding claims 11 to 14, wherein the elements are non-transparent to the emitted radiation and reflect and / or absorb the emitted radiation in the subregions (330) of the layer sequence in which they are present.
27. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 14 und 26, wobei das Material der nicht-transparenten Elemente (320) Metalle umfasst .27. A radiation emitting device according to any one of claims 11 to 14 and 26, wherein the material of the non-transparent elements (320) comprises metals.
28. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 14 und 26 bis 27, wobei die für die Strahlung nicht-transparenten Elemente (320) elektrisch leitfähige Leiterbahnen umfassen.28. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims 11 to 14 and 26 to 27, wherein the non-transparent to the radiation elements (320) comprise electrically conductive traces.
29. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Leiterbahnen sich von der ersten Kontaktierung (210) und/oder dritten Kontaktierung (410) weg über die erste und/oder zweite Elektrodenfläche (200,400) erstrecken.29. A radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the conductor tracks extend away from the first contact (210) and / or third contact (410) over the first and / or second electrode surface (200, 400).
30. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 28 oder 29, wobei die Leiterbahnen eine elektrisch isolierende Schicht an der Oberfläche zur zweiten Elektrodenfläche (400) und zur organischen FunktionsSchicht (300) aufweisen.30. A radiation-emitting device according to one of the preceding claims 28 or 29, wherein the conductor tracks have an electrically insulating layer on the surface to the second electrode surface (400) and to the organic functional layer (300).
31. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 28 oder 30, wobei die Verteilungsdichte der Leiterbahnen mit größer werdendem Abstand von der ersten Kontaktierung (210) und/oder dritten Kontaktierung (410) abnimmt. 31. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims 28 or 30, wherein the distribution density of the conductor tracks with increasing distance from the first contact (210) and / or third contact (410) decreases.
32. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 28 bis 31, wobei benachbarte Leiterbahnen unterschiedliche Längen aufweisen und die Längenverteilung der Leiterbahnen ausgehend von der ersten Kontaktierung (210) und/oder dritten Kontaktierung (410) zumindest ein Maximum und ein Minimum aufweist.32. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims 28 to 31, wherein adjacent conductor tracks have different lengths and the length distribution of the conductor tracks starting from the first contact (210) and / or third contact (410) has at least a maximum and a minimum.
33. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 28 bis 32, wobei die Breite der Leiterbahnen wenige Millimeter, vorzugsweise weniger als 200 μm, bevorzugt weniger als 100 μm, besonders bevorzugt weniger als 20 μm beträgt.33. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims 28 to 32, wherein the width of the conductor tracks is a few millimeters, preferably less than 200 microns, preferably less than 100 microns, more preferably less than 20 microns.
34. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 28 bis 33, wobei die34. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims 28 to 33, wherein the
Leiterbahnen eine Dicke in einen Bereich weniger als 200 μm, vorzugsweise in einem Bereich von 100 nm bis 10 μm aufweisen.Conductor tracks have a thickness in an area less than 200 microns, preferably in a range of 100 nm to 10 microns.
35. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 28 bis 34, wobei die Leiterbahnen die zweite und/oder die erste Elektrodenfläche (400, 200) durchstoßen.35. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims 28 to 34, wherein the conductor tracks pierce the second and / or the first electrode surface (400, 200).
36. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Leiterbahnen eine isolierende Schicht an den Oberflächen zur organischen Funktionsschicht (300) und zweiten oder ersten Elektrodenfläche (400, 200) aufweisen.36. The radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the conductor tracks have an insulating layer on the surfaces of the organic functional layer (300) and second or first electrode surface (400, 200).
37. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der37. Radiation-emitting device according to one of
Ansprüche 5 bis 6, 26 bis 31 und 33 bis 36, wobei die erste und/oder dritte Kontaktierung (210,410) an allen Seiten der ersten und/oder zweiten Elektrodenfläche (200,400) vorhanden ist.Claims 5 to 6, 26 to 31 and 33 to 36, wherein the first and / or third contact (210,410) at all Side of the first and / or second electrode surface (200,400) is present.
38. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 26 bis 31 und 33 bis 37, wobei die Leiterbahnen in einer periodischen Struktur angeordnet sind.38. The radiation-emitting device according to one of claims 26 to 31 and 33 to 37, wherein the conductor tracks are arranged in a periodic structure.
39. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die periodische Struktur ein Gitter umfasst.39. A radiation emitting device according to the preceding claim, wherein the periodic structure comprises a grating.
40. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Gitter einen Gitterabstand (325) zwischen benachbarten Leiterbahnen aufweist, der mit zunehmendem Abstand von der ersten und/oder dritten Kontaktierung (210,410) zunimmt.40. A radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the grid has a grid spacing (325) between adjacent conductor tracks, which increases with increasing distance from the first and / or third contact (210, 410).
41. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei zumindest zwischen den Leiterbahnen die Funktionsschicht (300) vorhanden ist, deren Schichtdicke mit zunehmendem Gitterabstand (325) der Leiterbahnen abnimmt.41. Radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein at least between the conductor tracks, the functional layer (300) is present, the layer thickness decreases with increasing grid spacing (325) of the conductor tracks.
42. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Intensität der emittierten Strahlung mit zunehmender Schichtdicke der Funktionsschicht (300) abnimmt.42. A radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the intensity of the emitted radiation decreases with increasing layer thickness of the functional layer (300).
43. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19 und 26 bis 36, wobei die erste43. The radiation-emitting device according to one of claims 1 to 19 and 26 to 36, wherein the first
Elektrodenfläche (200) eine zweite Kontaktierung (220) zum Anlegen einer Spannung aufweist. Electrode surface (200) has a second contact (220) for applying a voltage.
44. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19 und 26 bis 37, wobei die zweite Elektrodenfläche (400) eine vierte Kontaktierung (420) aufweist .44. The radiation emitting device of claim 1, wherein the second electrode surface has a fourth contact.
45. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 43 oder 44, bei der elektrisch leitfähige Leiterbahnen vorhanden sind, die von der zweiten Kontaktierung (220) und/oder vierten Kontaktierung (420) ausgehend sich über die erste und/oder zweite Elektrodenfläche (200, 400) erstrecken.45. Device according to one of the preceding claims 43 or 44, are present in the electrically conductive interconnects, which from the second contact (220) and / or fourth contact (420) starting over the first and / or second electrode surface (200, 400 ).
46. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Verteilungsdichte der Leiterbahnen (320) mit zunehmendem Abstand von der ersten (210) und zweiten Kontaktierung (220) und/oder der dritten (410) und vierten Kontaktierung (420) abnimmt, und sich die von der ersten und zweiten Kontaktierung und/oder von der dritten (410) und vierten Kontaktierung (420) ausgehenden Leiterbahnen nicht überschneiden.46. The radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the distribution density of the conductor tracks (320) decreases with increasing distance from the first (210) and second contact (220) and / or the third (410) and fourth contact (420) do not overlap the traces originating from the first and second contacts and / or from the third (410) and fourth contacts (420).
47. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 45 oder 46, wobei benachbarte Leiterbahnen unterschiedliche Längen aufweisen und die Längenverteilung der Leiterbahnen ausgehend von der ersten (210) und zweiten Kontaktierung (220) und/oder der dritten (410) und vierten Kontaktierung (420) jeweils zumindest ein Maximum und ein Minimum ausweist.47. Radiation-emitting device according to claim 45 or 46, wherein adjacent interconnects have different lengths and the length distribution of the interconnects originates from the first (210) and second contact (220) and / or the third (410) and fourth contact (420). each indicates at least a maximum and a minimum.
48. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei sich die Maxima und Minima der Längenverteilung der von der ersten (210) und zweiten Kontaktierung (220) und/oder von der dritten (410) und vierten Kontaktierung (420) ausgehenden Leiterbahnen gegenüberliegen.48. Radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the maxima and minima of the length distribution of the first (210) and second contact (220) and / or of the third (410) and fourth contact (420) outgoing traces lie opposite.
49. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 47, wobei die Maxima und Minima der Längenverteilung der von der ersten (210) und zweiten Kontaktierung (220) und/oder von der dritten (410) und vierten Kontaktierung (420) ausgehenden Leiterbahnen gegeneinander verschoben angeordnet sind.49. Radiation-emitting device according to claim 47, wherein the maxima and minima of the length distribution of the first (210) and second contact (220) and / or third (410) and fourth contact (420) outgoing conductor tracks are arranged offset from each other.
50. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 28 oder 29, wobei die Leiterbahnen Verzweigungen (340) aufweisen.50. The radiation-emitting device according to claim 28 or 29, wherein the conductor tracks have branches (340).
51. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei mit zunehmendem Abstand von der ersten Kontaktierung (210) und/oder von der dritten Kontaktierung (410) zunehmend mehr Verzweigungen (340) vorhanden sind.51. Radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein with increasing distance from the first contact (210) and / or from the third contact (410) increasingly more branches (340) are present.
52. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 43, 44, 45, 50 oder 51, wobei die Dicke und/oder Breite (a) der Leiterbahnen mit zunehmendem Abstand von der ersten Kontaktierung (210) und/oder von der dritten Kontaktierung (410) abnimmt.52. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims 43, 44, 45, 50 or 51, wherein the thickness and / or width (a) of the conductor tracks with increasing distance from the first contact (210) and / or from the third contact (410 ) decreases.
53. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in den Teilbereichen53. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims, wherein in the sub-areas
(330) das Elektrodenmaterial der ersten (200) und/oder zweiten Elektrodenfläche (400) Strukturierungen aufweist.(330) the electrode material of the first (200) and / or second electrode surface (400) has structuring.
54. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Verteilungsdichte der Teilbereiche (330) mit zunehmendem Abstand von der ersten Kontaktierung (210) abnimmt.54. The radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the distribution density of the Part areas (330) decreases with increasing distance from the first contact (210).
55. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in den Teilbereichen (330) die zumindest eine Funktionsschicht (300) eine durch fehlende Dotierung herabgesetzte Leitfähigkeit und/oder eine erhöhte Betriebsspannung aufweist.55. Radiation-emitting device according to one of the preceding claims, wherein in the subregions (330) the at least one functional layer (300) has a reduced conductivity due to lack of doping and / or an increased operating voltage.
56. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Verteilungsdichte der Teilbereiche (330) mit zunehmendem Abstand von der ersten Kontaktierung (210) abnimmt.56. The radiation-emitting device according to the preceding claim, wherein the distribution density of the partial regions (330) decreases with increasing distance from the first contact (210).
57. Verfahren zur Herstellung einer Strahlungsemittierenden57. Method for producing a radiation-emitting
Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, mit den VerfahrensschrittenDevice according to one of the preceding claims, comprising the method steps
Anordnen einer Schichtenfolge auf einem Substrat (100) , wobei eine Vielzahl von Teilbereichen (330) in derArranging a layer sequence on a substrate (100), wherein a plurality of subregions (330) in the
Schichtenfolge eingebracht wird, die so modifiziert ist, dass aus ihnen heraus die Emission der für einen äußeren Betrachter sichtbaren Strahlung unterbrochen ist, wobei die Verteilungsdichte dieser Teilbereiche in Abhängigkeit ihres Abstandes von der ersten Kontaktierung (210) variiert .Layer sequence is introduced, which is modified so that the emission of the visible to an external observer radiation is interrupted out of them, wherein the distribution density of these portions varies depending on their distance from the first contact (210).
58. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei zwischen die erste (200) und zweite Elektrodenfläche (400) eine Vielzahl von isolierenden (310) und/oder für die Strahlung nicht-transparenten Elementen (320) in den Teilbereichen (330) mit einer Aufdampfmaske erzeugt wird. 58. The method according to the preceding claim, wherein between the first (200) and second electrode surface (400) a plurality of insulating (310) and / or radiation-non-transparent elements (320) in the sub-regions (330) with a Aufdampfmaske is produced.
59. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 57 oder 58, wobei die erste (200) und/oder zweite Elektrodenfläche (400) in den Teilbereichen (330) strukturiert wird.59. The method according to any one of the preceding claims 57 or 58, wherein the first (200) and / or second electrode surface (400) in the subregions (330) is patterned.
60. Verfahren nach Anspruch 57, wobei die zumindest eine Funktionsschicht (300) in den Teilbereichen (330) nicht dotiert wird. 60. The method of claim 57, wherein the at least one functional layer (300) is not doped in the subregions (330).
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