JPH1140362A - Electroluminescent element and its manufacture - Google Patents

Electroluminescent element and its manufacture

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JPH1140362A
JPH1140362A JP9203915A JP20391597A JPH1140362A JP H1140362 A JPH1140362 A JP H1140362A JP 9203915 A JP9203915 A JP 9203915A JP 20391597 A JP20391597 A JP 20391597A JP H1140362 A JPH1140362 A JP H1140362A
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JP
Japan
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electrode
layer
light
organic el
emitting layer
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JP9203915A
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Japanese (ja)
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Hiroyasu Sadabetto
Kazuhito Sato
Hiroyasu Yamada
和仁 佐藤
裕康 定別当
裕康 山田
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Casio Comput Co Ltd
カシオ計算機株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED];
    • H01L51/5012Electroluminescent [EL] layer

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroluminescent element with no uneven luminance and its manufacturing method. SOLUTION: An organic EL(electroluminescent) panel 1 is formed by stacking an anode 11, a low resistant metal electrode 12, an organic EL layer 13, and a cathode 14 on a transparent glass substrate 10. The anode 11 is constituted with ITO (indium tin oxide) and has high sheet resistance. The low resistant metal electrode 12 is formed on the circumferential end of the anode 11. The low resistant metal electrode 12 has low sheet resistance. The organic EL layer 13 is made thinner with increase in distance from the low resistant metal electrode 12. Voltage applied from an anode extraction terminal 11a is almost not dropped in the low resistant metal electrode 12, but produces voltage drop in the anode 11. Since the organic EL layer 13 is made thin in the central part where voltage between the anode and the cathode is low, light having almost the same brightness is emitted in the whole organic EL panel 1.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電界発光素子及びその製造方法に関し、特に大面積化しても輝度むらが生じない電界発光素子及びその製造方法に関する。 The present invention relates to relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof, relates to electroluminescent device and a manufacturing method thereof no uneven brightness even particularly large area.

【0002】 [0002]

【従来の技術】液晶ディスプレイなどの平面型ディスプレイのバックライトとして有機EL(エレクトロルミネッセンス)パネルが知られている。 Organic EL (electroluminescence) panel is known as the Related Art Backlight flat display such as a liquid crystal display. 従来より、バックライトとして用いられていた有機ELパネル3は、例えば、図7に示すように、透明のガラス基板30上に積層されたアノード電極31と、有機EL層32と、カソード電極33とから構成されていた。 Conventionally, organic EL panel 3 which has been used as a backlight, for example, as shown in FIG. 7, an anode electrode 31 which are laminated on the glass substrate 30 of the transparent, organic EL layer 32, a cathode electrode 33 It was composed of. そして、アノード電極31の一端には、アノード電極取り出し端子31aが設けられている。 Then, the one end of the anode electrode 31, the terminal 31a is provided extraction anode electrode. カソード電極33の一端には、カソード電極取り出し端子33aが設けられている。 At one end of the cathode electrode 33, cathode electrode takeout terminal 33a is provided.

【0003】ここで、アノード電極取り出し端子31a [0003] Here, the anode electrode takeout terminal 31a
及びカソード電極取り出し端子33aのそれぞれに所定の電圧を印加し、有機ELパネル3のアノード電極31 And a predetermined voltage is applied to each of the cathode electrode leading terminals 33a, the anode electrode 31 of the organic EL panel 3
とカソード電極33との間に閾値以上の所定の電圧を印加することで、有機EL層32を電流が流れ、電子と正孔との再結合によって生じたエネルギーを有機EL層3 And by applying a threshold value above the predetermined voltage between the cathode electrode 33, an organic EL layer 32 current flows, electrons and holes with the organic EL layer of energy generated by the recombination of 3
2内の発光層が吸収することで発光する。 Emitting layer in the 2 emits light by absorbing.

【0004】有機EL層32で発光した光は、アノード電極31及びガラス基板30を透過して表示される。 [0004] Light emitted from the organic EL layer 32 is displayed through the anode electrode 31 and the glass substrate 30. このため、アノード電極31には、一般に透明のITO Therefore, the anode electrode 31, generally transparent ITO
(Indium Tin Oxide)が、カソード電極33には、反射性を有する低抵抗のMg(Magnesium)合金が用いられる。 (Indium Tin Oxide) is a cathode electrode 33, the low-resistance Mg (Magnesium) alloy is used having reflectivity.

【0005】しかしながら、アノード電極31を構成するITOはカソード電極33より抵抗が高く、アノード電極取り出し端子31aからの距離が遠くなるに従って印加した電圧が降下する。 However, ITO composing the anode electrode 31 has a higher resistance than the cathode electrode 33, the voltage applied in accordance with the distance from the anode electrode takeout terminal 31a farther drops. このため、アノード電極31 Therefore, the anode electrode 31
とカソード電極33との間の電圧は、アノード電極取り出し端子31aからの距離が遠くなるに従って小さくなり、有機EL層32を流れる電流が減少する。 A voltage between the cathode electrode 33, the distance from the anode electrode takeout terminal 31a decreases as becomes longer, the current flowing through the organic EL layer 32 is reduced. このため、従来の有機ELパネル3では、アノード電極取り出し端子31aからの距離によって輝度にむらができるという問題があった。 Therefore, in the conventional organic EL panel 3, there is a problem that it is uneven in brightness by the distance from the anode electrode takeout terminal 31a.

【0006】このようなアノード電極31における電圧降下による有機ELパネル3の輝度むらを解決するため、アノード電極31を厚く形成することが考えられる。 In order to solve the luminance non-uniformity of the organic EL panel 3 by a voltage drop in such a anode electrode 31, it is considered to form a thick anode electrode 31. すなわち、アノード電極31を厚く形成することによってアノード電極31の抵抗値を小さくし、アノード電極31での電圧降下を防ぐものである。 That is, to reduce the resistance of the anode electrode 31 by forming a thick anode electrode 31, is intended to prevent the voltage drop at the anode electrode 31.

【0007】しかしながら、低抵抗化のためにアノード電極31を厚く形成した場合には、有機EL層32で発した光のうちアノード電極31で吸収される光の量が増加する。 However, when forming thick anode electrode 31 for the resistance is reduced, the amount of light absorbed by the anode electrode 31 among the light emitted by the organic EL layer 32 is increased. 特にアノード電極31が有機EL層32で発した光の波長より長い厚さとなると、光の吸収がより多くなり、このため、有機ELパネル3に表示される光が暗くなってしまうという問題があった。 In particular, when the anode electrode 31 is longer than the wavelength thickness of the light emitted by the organic EL layer 32, absorption of light becomes more, Therefore, a problem of light displayed on the organic EL panel 3 becomes dark It was.

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技術の問題点を解消するためになされたものであり、輝度むらがない電界発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 [0008] The present invention has been made to solve the problems of the prior art, and an object thereof is to provide an electroluminescent device and a manufacturing method thereof with no uneven brightness.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明の第1の観点に係る電界発光素子は、この第1の電極に対向して設けられ、電圧を印加するための第2の端子を設けた、前記第1の電極より低いシート抵抗値を示す第2の電極(14)と、前記第1、第2の電極間に設けられ、前記第1、第2の電極間の電圧とその厚さとに応じた輝度で光を発する発光領域を有する発光層とを備え、前記発光層は、発光領域の輝度が均一になるように層厚方向の厚さが異なっている、ことを特徴とする。 Means for Solving the Problems] To achieve the above object, electroluminescent device according to the first aspect of the present invention is provided to face the first electrode, the second for applying a voltage It provided the terminal, and a second electrode exhibiting a low sheet resistance value than the first electrode (14), the first, is provided between the second electrode, between the first and second electrodes and a light emitting layer having a light emitting region which emits light at a luminance corresponding to a voltage and its thickness, the emission layer, the thickness of the layer thickness direction so that the luminance of the light emitting region becomes uniform is different, it the features.

【0010】ここで、前記第2の電極は、前記第1の電極より低いシート抵抗値を示し、言い換えれば第2の電極が厚さ方向に、より低抵抗な材料からなるか、もしくは、同一材料で厚さ及び/または幅を広げることにより達成され、この低抵抗値に基づいて第2の電極からの発光層の発光領域への印加電圧のばらつきが、発光輝度がばらつかない程度に均一であることが望ましい。 [0010] Here, the second electrode, the first shows the sheet resistance value lower than the electrode, the second electrode thickness direction in other words, whether consisting of lower resistance material, or the same is achieved by increasing the thickness and / or width of a material, the variation of the voltage applied to the light emitting region of the light emitting layer from the second electrode on the basis of the low resistance, uniform to the extent that emission luminance does not vary it is desirable that.

【0011】この電界発光素子によれば、前記第1の電極における電圧降下によって、前記第1の電極における電位が発光領域に応じて変わり、各発光領域での前記第1、第2の電極間の電圧が変わっても、前記発光層の厚さもこれに合わせて変えているため、発光輝度が変化しない。 According to the electroluminescent device, the voltage drop in the first electrode, instead potential at the first electrode in response to the light emitting region, the first in the light emitting regions, between the second electrode be varied voltage is, since the change to suit also the thickness of the light-emitting layer, light emission luminance does not change. このため、この電界発光素子は、例えば、液晶ディスプレイなどの平面型ディスプレイなどのバックライトとして使用する場合など、大面積化しても全体が一様の輝度で発光し、輝度むらを生じることがない。 Therefore, the electroluminescent device, for example, when used as a backlight, such as flat-panel displays such as a liquid crystal display, the whole even if a large area to emit light at uniform brightness, does not occur uneven luminance .

【0012】上記電界発光素子は、さらに、前記第1の電極の周縁部に形成された低抵抗の周縁電極を備え、前記発光層は、前記周縁電極からの距離に従ってその厚さを変えているものとすることができる。 [0012] The electroluminescent device further includes a first peripheral electrode having a low resistance formed on the peripheral portion of the electrode, the light emitting layer is changing its thickness as the distance from the peripheral electrode it can be a thing.

【0013】このように前記第1の電極の周縁部に形成した低抵抗の周縁電極における電圧は、場所によって変化することがほとんどない。 [0013] Voltage in this manner the first electrode resistance of the peripheral electrode formed on a peripheral portion of the almost do not change depending on the location. このため、前記第1の電極における電圧の変化は、前記周縁電極からの距離によって決めることができる。 Therefore, the change of the voltage at the first electrode may be determined by the distance from the peripheral edge electrode. このため、前記発光層を、例えば、周縁部では厚く、中心部では薄くすることができるので、前記発光層を形成するとき、輝度むらが生じないように場所によってその厚さを変えることが容易になる。 Therefore, the light emitting layer, for example, thicker in the periphery, it is possible to thin at the center, when forming the light-emitting layer, easy to change its thickness by location so as not to cause brightness irregularities become. このとき、周縁電極は、発光層の周縁全体に連続して形成しても、周縁に断続的に形成してもよい。 In this case, the peripheral electrode may be formed continuously throughout the circumference of the light-emitting layer may be intermittently formed on the periphery.

【0014】上記電界発光素子において、前記第1の電極は、透明の部材によって構成され、前記第2の電極及び前記周縁電極は、低抵抗の金属によって構成されていることを好適とする。 [0014] In the electroluminescent device, the first electrode is constituted by a transparent member, said second electrode and the peripheral electrode, and preferably by being composed by a low-resistance metal.

【0015】すなわち、前記発光層が発した光を外部に放出するためには、一方の電極を透明の部材で構成し、 [0015] That is, in order to emit light the luminescent layer is emitted to the outside, constitutes the one electrode of a transparent member,
反射性を有する金属とすることが望ましい。 It is desirable that the metal having reflectivity. ここで、前記第2の電極として用いられる低抵抗の金属には、M Here, the low resistance of the metal used as the second electrode, M
g、Tiなどのシート抵抗が低い様々な金属があるが、 g, although the sheet resistance, such as Ti and there is a low variety of metals,
金属であるが故に可視光に対して反射性を有するものである。 Is a metal because those having a reflectivity to visible light. 一方、電極として用いられる透明の部材は、IT On the other hand, the transparent member used as an electrode, IT
Oが一般的であるが、Mg、Tiなどの金属に比べると比較的シート抵抗が高く、電圧降下が生じやすい。 O Although it is common, Mg, high metal than a relatively sheet resistance, such as Ti, a voltage drop is likely to occur. IT IT
Oで構成された電極における電圧降下を防ぐためには、 To prevent the voltage drop in the electrode configured in is O,
電極を厚くすればよいが、こうすると放射される光の光量が減少する。 May be thicker electrodes, but the amount of light emitted to said decreases. このため、低抵抗の金属で周縁抵抗を構成することにより、放射される光の光量を減少させることなく、前記第1の電極における電圧降下をかなりの範囲で防ぐことができる。 Therefore, by forming the peripheral resistance of the low-resistance metal, without reducing the amount of light emitted, it is possible to prevent a voltage drop in the first electrode in a substantial range.

【0016】上記電界発光素子において、前記発光層は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス層によって構成されているものとすることができる。 [0016] In the electroluminescent device, the light emitting layer, for example, can be assumed to be constituted by the organic electroluminescent layer.

【0017】また、上記目的を達成するため、本発明の第2の観点に係る電界発光素子の製造方法は、基板上に第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、一部に浮遊マスク部を設けたマスクを用い、このマスクに設けられた窓から発光層材料を蒸着させる工程を経ることで、 [0017] To achieve the above object, a manufacturing method of an electroluminescent device according to a second aspect of the present invention includes a first electrode forming step of forming a first electrode on a substrate, a part using a mask provided with a floating masking portion, by going through the steps of depositing a light emitting layer material from the window provided in the mask,
前記第1の電極形成工程で形成した前記第1の電極の上に、厚さが発光領域によって異なる発光層を形成する発光層形成工程と、この発光層形成工程で形成した前記発光層の上に第2の電極を形成する第2の電極形成工程と、を含むことを特徴とする。 On the first electrode formed in the first electrode forming step, a light-emitting layer forming step of thickness to form a different layer by the light-emitting region, on the light emitting layer formed in the light-emitting layer forming step a second electrode forming step of forming a second electrode, to include features to.

【0018】この電界発光素子の製造方法では、前記発光層材料を蒸着させる工程で、前記浮遊マスク部と前記第1の電極形成工程で形成した前記第1の電極との間の隙間に、蒸発した前記半導体物質が回り込む。 [0018] In the manufacturing method of the electroluminescent device, in the step of depositing the light emitting layer material, the gap between the first electrode formed in the said floating mask portion first electrode forming step, evaporated the semiconductor material goes around you. この半導体物質が回り込む量は、前記窓からの距離が遠くなるのに従って少なくなる。 The amount of the semiconductor material from flowing is smaller in accordance with the distance from the window is farther. このため、厚さが発光領域に応じて異なる発光層を容易に形成することができる。 Therefore, it is possible thickness to easily form different emission layer according to the light emitting region.

【0019】上記電界発光素子の製造工程において、前記発光層形成工程は、それぞれ浮遊マスク部及び窓の形状が異なる複数のマスクを使用し、発光層を形成する工程を複数回繰り返すことによって、前記発光層形成するものとすることができる。 [0019] In the manufacturing process of the light emitting element, the light-emitting layer forming step, using a plurality of masks having different shapes of the respective floating mask portion and the window, by repeating several times the step of forming the light-emitting layer, wherein It may be for forming the light emitting layer.

【0020】この場合、面積が大きい電界発光素子を形成する場合にも、発光領域に応じて前記発光層の厚さを変えることを容易に行うことができる。 [0020] In this case, even in the case of forming the electroluminescent device area is large, it can be easily performed by changing the thickness of the light-emitting layer according to the light emitting region.

【0021】また、上記電界発光素子の製造工程において、前記第1の電極は、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極であり、前記第2の電極は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子のカソード電極であり、前記発光層は、正孔輸送層と電子輸送層とを有する前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス層であり、前記発光層形成工程は、前記マスクを使用して、厚さが場所によって異なる前記正孔輸送層を形成する第1の工程と、前記電子輸送層を順に、所定の配置で形成する第2の工程とを含む、ものとすることができる。 Further, in the manufacturing process of the light emitting element, the first electrode is an anode electrode of the organic electroluminescence element, the second electrode is a cathode electrode of the organic electroluminescent device, wherein emitting layer is an organic electroluminescent layer of the organic electroluminescence element having a hole transport layer and an electron transporting layer, the light-emitting layer forming step, using the mask, the positive thickness differs depending on the location a first step of forming a hole transport layer, sequentially the electron transport layer, and a second step of forming in a predetermined arrangement, it is possible to stuff.

【0022】 [0022]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, illustrating the embodiments of the present invention. この実施の形態では、本発明を液晶パネルを備える携帯情報端末のバックライトとして用いられる有機ELパネルに適用した場合について説明する。 In this embodiment, the case where the present invention is applied to the organic EL panel used as a backlight of a mobile information terminal including the liquid crystal panel.

【0023】図1は、この実施の形態の有機ELパネル1の構成を模式的に示す図であり、図2は、図1の有機ELパネル1のA−A線断面図である。 [0023] Figure 1, the structure of the organic EL panel 1 of this embodiment is a diagram schematically illustrating, FIG. 2 is an A-A line cross-sectional view of an organic EL panel 1 of FIG. 1. 図示するように、この有機ELパネル1は、透明なガラス基板10上にアノード電極11、低抵抗金属電極12、有機EL層13、及びカソード電極14が順に積層されて形成されたものである。 As shown, the organic EL panel 1, an anode electrode 11 on a transparent glass substrate 10, a low-resistance metal electrode 12, in which the organic EL layer 13, and the cathode electrode 14 is formed by stacking a.

【0024】アノード電極11は、ガラス基板10の上にフォトリソグラフィー法によって形成されている。 [0024] The anode electrode 11 is formed by photolithography on a glass substrate 10. アノード電極11は、膜厚が2200Åの透明のITOからなり、有機EL層13で発した光を透過する。 The anode electrode 11 has a film thickness of a transparent of ITO of 2200 Å, for transmitting light emitted by the organic EL layer 13. アノード電極11のシート抵抗は、8Ω/□である。 The sheet resistance of the anode electrode 11 is 8ohms / □. アノード電極11の一端部には、アノード電極11に電圧を印加するためのアノード電極取り出し端子11aが設けられている。 At one end of the anode electrode 11, the terminal 11a is provided taking out the anode electrodes for applying a voltage to the anode electrode 11.

【0025】低抵抗金属電極12は、アノード電極11 The low-resistance metal electrode 12, anode electrode 11
の周縁部上に真空蒸着法によって形成されている。 It is formed by vacuum deposition on the periphery on. 低抵抗金属電極12は、MgまたはMg合金から構成されており、アノード電極取り出し端子11aから遠い部分においても、アノード電極取り出し端子11aから印加した電圧の電圧降下が生じないようにするものである。 Low-resistance metal electrode 12 is composed of Mg or Mg alloy, even in the portion far from the anode electrode lead-out terminals 11a, in which the voltage drop of the voltage applied from the anode electrode lead-out terminals 11a does not occur.

【0026】有機EL層13は、バックライトとして用いるための白色光を発するために、真空蒸着法によって、赤(R)、緑(G)、青(B)用の3種類の有機E The organic EL layer 13, in order to emit white light for use as a backlight, by a vacuum deposition method, red (R), green (G), 3 kinds of organic E for blue (B)
L層を所定の順序で複数形成している。 The L layer are a plurality of formed in a predetermined order. 有機EL層13 The organic EL layer 13
は、図3に示すように、アノード電極11の上に正孔輸送層13aがR、G、B共通に形成されている。 As shown in FIG. 3, the hole transport layer 13a is formed to R, G, B commonly on the anode electrode 11. 正孔輸送層13aは、図2に示すように、低抵抗金属電極12 Hole transport layer 13a, as shown in FIG. 2, the low-resistance metal electrode 12
からの距離に応じて層厚が異なるようにその層厚を変えて形成されている。 Layer thickness depending on the distance from are formed by changing the thickness differently. 正孔輸送層13aの上には、R用の電子輸送性発光層13r、G用の電子輸送性発光層13 On the hole transport layer 13a, the electron transport light-emitting layer 13r for R, electron transport light-emitting layer for G 13
g、B用の発光層13ba及び電子輸送層13bbが所定の順序で形成されている。 g, the light-emitting layer 13ba and an electron transport layer 13bb is formed in a predetermined order for B.

【0027】R、G、B共通の正孔輸送層13aは、α [0027] R, G, B common hole transport layer 13a is, alpha
−NPDからなる。 Consisting of -NPD. R用の電子輸送性発光層13rは、 Electron transport light-emitting layer 13r for R is,
DCM1が分散されたAlq3からなる。 DCM1 consists of Alq3 which has been distributed. G用の電子輸送性発光層13gは、Bebq2からなる。 Electron transport light-emitting layer 13g for G is made of Bebq2. B用の発光層13baは、96重量%のDPVBiと4重量%のB Emitting layer 13ba for B is 96 wt% DPVBi and 4 wt% of B
CzVBiからなる。 Consisting of CzVBi. B用の電子輸送層13bbは、A Electron transport layer 13bb for B is, A
lq3からなる。 Consisting of lq3. これらの電子輸送性発光層あるいは電子輸送層及び発光層は、マスクを用いることによって、 These electron transporting light-emitting layer or the electron transport layer and the emission layer, by using a mask,
R、G、Bのそれぞれのものが順に形成される。 R, G, those of each B are sequentially formed.

【0028】アノード電極11とカソード電極14との間に閾値以上の電圧を印加したときに、正孔輸送層13 [0028] When the threshold or more voltage is applied between the anode electrode 11 and cathode electrode 14, a hole transport layer 13
aからは正孔が注入され、電子輸送性発光層13r、1 From a holes are injected, the electron transport light-emitting layer 13r, 1
3gあるいは電子輸送層13bbからは電子が注入される。 Electrons are injected from 3g or the electron transport layer 13bb. この正孔と電子とが再結合することによって励起されたエネルギーを電子輸送性発光層13r、13gまたは発光層13baが吸収することによって、それぞれR、G、Bの光が発せられる。 The holes and electrons and recombine electron transport light-emitting layer excited energy by 13r, by 13g or the light emitting layer 13ba absorbs, respectively R, G, B light is emitted. 有機ELパネル1は、 The organic EL panel 1,
R、G、B用それぞれの有機EL層から発したR、G、 R, emitted G, from each of the organic EL layer for B R, G,
Bの3色が加法混色されることで、白色光を発するものである。 By three colors of B is additive color mixing, in which emits white light. このとき、発光する領域は、有機EL層13のアノード電極11とカソード電極14とが重なる部分である。 At this time, light emitting area is a portion where the anode electrode 11 and cathode electrode 14 of the organic EL layer 13 overlap.

【0029】正孔輸送層13aを低抵抗金属電極12からの距離に応じて層厚が異なるように形成することで、 [0029] By the layer thickness according to the distance of the hole transport layer 13a from the low-resistance metal electrode 12 is formed differently,
有機EL層13全体の層厚が低抵抗金属電極12からの距離に応じて異なるものとなっている。 Layer thickness of the entire organic EL layer 13 is made by a different response to the distance from the low-resistance metal electrode 12. すなわち、低抵抗金属電極12から距離が遠くなる中央部の領域(a) That is, the area of ​​the central portion of the distance from the low-resistance metal electrode 12 becomes longer (a)
では、有機EL層13の層厚は、900Å程度である。 In, the layer thickness of the organic EL layer 13 is about 900 Å.
一方、低抵抗金属電極12近傍の領域(b)では、有機EL層13の層圧は、1000Å程度である。 On the other hand, the low-resistance metal electrode 12 near the region (b), So圧 organic EL layer 13 is about 1000 Å. このように低抵抗金属電極12からの距離に応じて有機EL層1 The organic EL layer 1 thus according to the distance from the low-resistance metal electrode 12
3の層厚を変えることによって、有機EL層13の電圧−輝度特性が場所毎に異なるものとなる。 By varying the third thickness, the voltage of the organic EL layer 13 - the ones luminance characteristics are different for each location.

【0030】カソード電極14は、有機EL層13の上に真空蒸着法によって形成されている。 The cathode electrode 14 is formed by vacuum deposition on the organic EL layer 13. カソード電極1 Cathode electrode 1
4は、膜厚が5500ÅのMgまたはMg合金等の低仕事関数材料からなり、有機EL層13で発した光を反射する。 4, the film thickness is made from a low work function material, such as Mg or Mg alloy 5500 Å, reflecting the light emitted by the organic EL layer 13. カソード電極14のシート抵抗は、0.3Ω/□ The sheet resistance of the cathode electrode 14, 0.3 [Omega / □
である。 It is. カソード電極14の一端部のアノード電極取り出し端子11aの対角線側には、カソード電極14に電圧を印加するためのカソード電極取り出し端子14aが設けられている。 The diagonal side of the anode electrode lead-out terminals 11a of the one end portion of the cathode electrode 14, cathode electrode takeout terminal 14a for applying a voltage to the cathode electrode 14 is provided.

【0031】この有機ELパネル1は、前述したように携帯情報端末の液晶ディスプレイのバックライトとして使用されるものであり、ガラス基板10を光が透過する部分(表示領域)の面積は、6×9cm程度である。 [0031] The organic EL panel 1 is intended to be used as a backlight of a liquid crystal display of the mobile information terminal as described above, the area of ​​a portion (display area) for transmitting the glass substrate 10 light is 6 × it is about 9cm. また、有機ELパネル1の有機EL層13の厚さは低抵抗金属電極12からの距離によって異なっており、電圧− The thickness of the organic EL layer 13 of the organic EL panel 1 are different by distance from the low-resistance metal electrode 12, a voltage -
輝度特性は、領域(a)では図4(A)に、領域(b) Luminance characteristic, in the area (a) FIG. 4 (A), the region (b)
では図4(B)に示すものとなる。 In the one shown in FIG. 4 (B).

【0032】この有機ELパネル1は、ガラス基板10 [0032] The organic EL panel 1 includes a glass substrate 10
にアノード電極11、低抵抗金属電極12、有機EL層13及びカソード電極14が形成されたものであった。 The anode electrode 11, the low-resistance metal electrode 12 was achieved, the organic EL layer 13 and the cathode electrode 14 is formed on.
これらは実際には、封止部材(図示せず)によって封止されている。 These are in fact, are sealed by a sealing member (not shown).

【0033】以下、この実施の形態の有機ELパネル1 [0033] Hereinafter, the organic EL panel 1 of this embodiment
の製造方法について、図5(A)〜(F)を参照して説明する。 The method of manufacturing will be described with reference to FIG. 5 (A) ~ (F). ここでは、図1のA−A線断面に従って有機E Here, an organic E according line A-A section of FIG. 1
Lパネル1の製造工程を順次説明する。 Sequentially illustrating the L panel 1 of the manufacturing process.

【0034】まず、ガラス基板10の上の全面にスパッタ法でITOの薄膜を堆積させる。 Firstly, depositing a thin film of ITO by sputtering on the entire surface of the glass substrate 10. そして、堆積させたITOのうち不要部分、すなわちアノード電極取り出し端子11aの部分を残した周辺部をフォトリソグラフィー法により取り除く。 Then, unnecessary portions of the deposited ITO, i.e. removing the periphery leaving a portion of the anode electrode lead-out terminals 11a by photolithography. これにより、ガラス基板10上にアノード電極11を形成する(工程(A))。 This forms anode electrode 11 on the glass substrate 10 (Step (A)).

【0035】次に、工程(A)で形成したアノード電極11の周縁部の部分に窓を設けたメタルマスクを使用し、MgまたはMg合金を真空蒸着して低抵抗金属電極12を形成する(工程(B))。 Next, using a metal mask with a window in the peripheral portion of the anode electrode 11 formed in step (A), the Mg or Mg alloy was vacuum deposited to form a low-resistance metal electrode 12 ( step (B)).

【0036】次に、メタルマスク2を使用して、α−N [0036] Next, using a metal mask 2, α-N
PDを真空蒸着する。 The PD to vacuum deposition. 図6(A)はメタルマスク2の平面図、図6(B)は図6(A)のB−B線断面図である。 FIG 6 (A) is a plan view of a metal mask 2, FIG. 6 (B) is a sectional view taken along line B-B of FIG. 6 (A). ここで用いるメタルマスク2は、図6(A)(B) Metal mask 2 used here, FIG. 6 (A) (B)
に示すように、平面マスク部2aと、平面マスク部2a As shown in, a plane mask portion 2a, the plane mask portion 2a
と高さを変えて形成した浮遊マスク部2bと、窓2cとからなるものである。 A floating mask portion 2b formed by changing preparative height, is made of a window 2c. このメタルマスク2を使用して真空蒸着を行う場合、蒸発したα−NPDは窓2cから侵入し、窓2cの部分に蒸着する。 When subjected to vacuum deposition using this metal mask 2, the evaporated alpha-NPD is entering from the window 2c, deposited on a portion of the window 2c. また、工程(A)で形成したアノード電極11と浮遊マスク部2bとの間に隙間があることにより、この隙間に蒸発したα−NPDが回り込んで蒸着する。 Also, by that there is a gap between the step and the anode electrode 11 formed by (A) and the floating mask portion 2b, deposited wraps around the alpha-NPD evaporated into this gap. ここで、回り込むα−NPDの量は、窓から遠くなるに従って少なくなる。 Wherein the amount of wrap around alpha-NPD is less as the distance from the window. これにより、 As a result,
所定の傾斜がついたα−NPDの層、すなわち正孔輸送層13aの一部が形成される(工程(C))。 Given layer of inclination with the alpha-NPD, i.e. a part of the hole transport layer 13a is formed (step (C)).

【0037】次に、浮遊マスク部がなく、窓のみが開けられたメタルマスクを使用し、工程(A)で形成したアノード電極11及び工程(C)で形成したα−NPDの層の上に、さらにα−NPDを真空蒸着して正孔輸送層13a全体を形成する(工程(D))。 Next, there is no floating mask portion, using a metal mask only window is opened, on the layer of alpha-NPD was formed in step the anode electrode 11 and the step formed in (A) (C) further alpha-NPD to form a whole by vacuum vapor-deposit of a hole transport layer 13a (step (D)).

【0038】次に、B用の発光層13baを形成する部分の配置に合わせて窓を開けた、メタルマスクを使用して、工程(C)、(D)で形成した正孔輸送層13aの青色発色領域上にDPVBiとBCzVBiとを所定の比率で混合して真空蒸着し、B用の発光層13baを形成する。 Next, I opened the window in accordance with the arrangement of the portion forming the light-emitting layer 13ba for B, and using a metal mask, step (C), the hole transport layer 13a formed in (D) was vacuum-deposited and DPVBi and BCzVBi on blue color regions and then mixed in predetermined proportions, forming a light-emitting layer 13ba for B. その上に、同じメタルマスクを使用して、Al On it, using the same metal mask, Al
q3を真空蒸着し、B用の電子輸送層13bbを形成する。 The q3 vacuum deposited to form an electron transport layer 13bb for B. さらに、窓の配置がそれぞれ異なるメタルマスクを使用して、工程(C)、(D)で形成した正孔輸送層1 Furthermore, by using different metal mask arrangement of windows respectively, step (C), a hole transport layer was formed by (D) 1
3aの赤色発色領域上にDCM1が分散されたAlq Alq that DCM1 are dispersed 3a of the red color region
3、及び緑色発色領域上にBebq2を真空蒸着し、R 3, and the Bebq2 green color region by vacuum deposition, R
用及びG用の電子輸送性発光層13r、13gを形成する。 Electron transport light-emitting layer 13r for use and G, to form a 13 g. これにより、有機EL層全体が形成される(工程(E))。 Thus, the whole organic EL layer is formed (step (E)).

【0039】次に、工程(E)で形成した電子輸送性発光層13r、13gあるいは電子輸送層13bbの上に、これらの層よりわずかに面積が小さく、かつ、カソード電極取り出し端子14aの部分にも窓を開けたメタルマスクを使用して、カソード電極14を形成する(工程(F))。 Next, step (E) by forming the electron transport light-emitting layer 13r, over 13g or the electron transport layer 13bb, slightly area smaller than those of the layers, and the portion of the cathode electrode takeout terminal 14a be used a metal mask opened the window, to form a cathode electrode 14 (step (F)).

【0040】そして、以上の(A)から(F)の工程で形成したアノード電極11、低抵抗金属電極12、有機EL層13、及びカソード電極を封止部材で封止して、 [0040] Then, over the anode electrode 11 formed in the step of (A) from (F), the low-resistance metal electrode 12, the organic EL layer 13, and a cathode electrode is sealed with a sealing member,
有機ELパネル1が製造される(この工程は、図示せず)。 The organic EL panel 1 is manufactured (this step is not shown).

【0041】以下、この実施の形態の有機ELパネル1 [0041] Hereinafter, the organic EL panel 1 of this embodiment
の発光動作について説明する。 Description will be given of the light-emitting operation. 有機ELパネル1を発光させるために、領域(b)における有機EL層13の厚さ方向への供給電圧がほぼ4Vとなるように、アノード電極取り出し端子11aとカソード電極取り出し端子1 The organic EL panel 1 to emit light, so that the supply voltage to the thickness direction of the organic EL layer 13 in the region (b) is substantially 4V, the terminal 1 is taken out anode electrode takeout terminal 11a and the cathode electrode
4aとの間にドライバ(図示せず)から所定の電圧を印加する。 Applying a predetermined voltage from the driver (not shown) between the 4a. ここでは、アノード電極取り出し端子11aに4V、カソード電極取り出し端子14aに0Vの電圧を印加する。 Here, the anode electrode lead 4V to the terminal 11a, a voltage of 0V to the cathode electrode takeout terminal 14a.

【0042】アノード電極取り出し端子11aに印加した電圧は、低抵抗金属電極12にも印加される。 The voltage applied to the anode electrode takeout terminal 11a is applied to a low-resistance metal electrode 12. 低抵抗金属電極12は抵抗が小さいため、有機EL層13を電流が流れても、この印加された電圧はほとんど降下せず、低抵抗金属電極12の電位は全面がほぼ4Vとなる。 Since the low-resistance metal electrode 12 is a low resistance, even when the current flows through the organic EL layer 13, the applied voltage hardly drops, the potential of the low-resistance metal electrode 12 is the entire surface substantially 4V. アノード電極11aはシート抵抗が8Ω/□と大きいため、低抵抗金属電極12と接する部分での4Vの電圧が、有機EL層13を電流が流れることにより低抵抗金属電極12から遠くなるに従って降下する。 Since the anode electrode 11a is larger sheet resistance and 8ohms / □, the voltage of 4V at a portion in contact with the low-resistance metal electrode 12 drops as the distance from the low-resistance metal electrode 12 by flowing through the organic EL layer 13 current . そして、 And,
アノード電極11aの中央部の領域(a)での電圧は、 The voltage in the region of the central portion of the anode electrode 11a (a),
ほぼ3.6Vとなる。 It becomes almost 3.6V. 一方、領域(b)ではさほど電圧が降下しておらず、電圧がほぼ4Vとなる。 On the other hand, the region not less the voltage drops (b), the voltage becomes almost 4V.

【0043】一方、カソード電極取り出し端子14aに印加した電圧は、カソード電極14のシート抵抗が0. On the other hand, the voltage applied to the cathode electrode takeout terminal 14a, the sheet resistance of the cathode electrode 14 is 0.
3Ω/□と小さいため、カソード電極14において有機EL層13を流れる電流によってもほとんど変わらない。 Smaller and 3 [Omega] / □, hardly changed even by the current flowing through the organic EL layer 13 in the cathode electrode 14. すなわち、カソード電極14全体の電圧はほぼ0V That is, the cathode electrode 14 voltage across almost 0V
となる。 To become.

【0044】これにより、アノード電極11とカソード電極14との間の電圧は、領域(a)においては約3. [0044] Thus, the voltage between the anode electrode 11 and cathode electrode 14, in the area (a) of about 3.
6V、領域(b)においては約4Vとなる。 6V, is about 4V in the region (b). 従って、図4(A)、(B)の電圧−輝度特性図に示すように、有機ELパネル1は、領域(a)においては約560cd/m Accordingly, the voltage of FIG. 4 (A), (B) - as shown in the luminance characteristic diagram, the organic EL panel 1 is in the area (a) of about 560 cd / m
2の輝度で、領域(b)においても約560cd/m 2の輝度で発光する。 2 of luminance, also emits light at a luminance of approximately 560 cd / m 2 in the area (b).

【0045】なお、領域(a)と領域(b)との中間の領域におけるアノード電極11とカソード電極14との間の電圧は、3.6Vと4Vの間の値となるが、有機E [0045] The voltage between the anode electrode 11 and the cathode electrode 14 in the middle area of ​​the region (a) and region (b), becomes a value between 3.6V and 4V, organic E
L層13の厚さも両者における厚さの間になる。 The thickness of the L layer 13 also between the thickness in both. このため、領域(a)及び領域(b)以外における発光輝度も領域(a)及び領域(b)における発光輝度とほぼ同じ約560cd/m 2になる厚さに設定されている。 Therefore, set to the light emitting luminance region (a) and the region (b) is substantially the same approximately 560 cd / m 2 and luminance of the thickness in the other regions (a) and the region (b).

【0046】以上説明したように、この実施の形態の有機ELパネル1は、電圧降下に応じて有機EL層13の層厚を変えたことによって、表示領域のどの場所でもほぼ同一輝度で発光する。 [0046] As described above, the organic EL panel 1 of this embodiment, by changing the thickness of the organic EL layer 13 in accordance with the voltage drop, emits light at substantially the same luminance anywhere in the display area . このため、有機ELパネル1の場所の違いによる輝度むらを生じることがない。 Therefore, it does not cause luminance unevenness due to the difference in location of the organic EL panel 1. この実施の形態の有機ELパネル1は、大面積化しても輝度むらを生じないため、液晶ディスプレイなどの平面型ディスプレイのバックライトとして用いるのに好適である。 The organic EL panel 1 of this embodiment, because even a large area no uneven brightness, it is suitable for use as a backlight of flat display such as a liquid crystal display.

【0047】また、この実施の形態の有機ELパネル1 Further, the organic EL panel 1 of this embodiment
では、ITOからなるアノード電極11の周縁部に、M In, the peripheral portion of the anode electrode 11 made of ITO, M
gまたはMg合金からなる低抵抗金属電極12を設けている。 Consisting g or Mg alloy is provided with a low-resistance metal electrode 12. ここで、低抵抗金属電極12においては、アノード電極取り出し端子11aから印加した電圧がほとんど降下することがない。 Here, the low-resistance metal electrode 12, it is not that the voltage applied from the anode electrode lead-out terminals 11a almost drops. このため、アノード電極11による電圧降下は、低抵抗金属電極12からの距離によって定まるので、有機EL層13の厚さを中心部では薄く、 Therefore, the voltage drop due to the anode electrode 11, so determined by the distance from the low-resistance metal electrode 12, thin at the center of the thickness of the organic EL layer 13,
周縁部では厚くすることができる。 It can be thick at the edge. また、低抵抗金属電極12を設けたことによってITOからなるアノード電極11を薄く形成してもかなりの部分で電圧降下を防ぐことができ、放射する光の輝度を高くすることができる。 Further, the anode electrode 11 made of ITO by providing the low-resistance metal electrode 12 formed thinner can prevent a voltage drop in significant part, it is possible to increase the brightness of the radiation light.

【0048】また、この実施の形態の有機ELパネル1 [0048] Further, the organic EL panel 1 of this embodiment
の製造工程において、メタルマスク2の浮遊マスク部2 In the manufacturing process, the floating mask portion 2 of the metal mask 2
bと形成されたアノード電極11との間に、α−NPD Between the anode electrode 11 formed as b, alpha-NPD
が回り込んで真空蒸着されるので、正孔輸送層13aひいては有機EL層13の層厚を変えることが容易に出来るようになる。 Since is vacuum deposited wraps around, it is readily possible to vary the thickness of the hole transport layer 13a and thus the organic EL layer 13.

【0049】上記の実施の形態では、ITOからなるアノード電極11の周縁部上に、MgまたはMg合金からなる低抵抗金属電極12を形成していた。 [0049] In the aforementioned embodiment, on the periphery of the anode electrode 11 made of ITO, it was formed a low-resistance metal electrode 12 made of Mg or Mg alloy. そして、この低抵抗金属電極12からの距離に従って有機EL層13 Then, the organic EL layer 13 as the distance from the low-resistance metal electrode 12
の厚さを決めていた。 I had decided the thickness of. しかしながら、アノード電極上に低抵抗金属電極を形成しなくても、カソード電極取り出し端子から距離が遠くなるに従って、すなわちアノード電極において電圧降下が生じるのに従って有機EL層1 However, even without forming the low-resistance metal electrode on the anode electrode, in accordance with the distance from the take-out cathode terminal becomes longer, i.e. the organic EL layer in accordance with the voltage drop occurs in the anode electrode 1
3の厚さを薄くしてもよい。 Thickness of 3 may be thinner.

【0050】上記の実施の形態では、ITOからなるアノード電極11をガラス基板10側に形成し、有機EL [0050] In the aforementioned embodiment, the anode electrode 11 made of ITO was formed on the glass substrate 10 side, the organic EL
層13で発した光がアノード電極11及びガラス基板1 Light anode emitted by the layers 13 11 and the glass substrate 1
0を透過して表示されるようにしていた。 0 transmitted by the had to be displayed. しかしながら、ITOからなるアノード電極をカソード電極に対して基板から遠い方に形成してもよい。 However, it may be formed away from the substrate relative to the cathode electrodes an anode electrode made of ITO. この場合、基板側に形成したMgまたはMg合金からなるカソード電極の上に電子輸送性発光層あるいは電子輸送層及び発光層を形成してから、メタルマスクを用いて領域により層厚が異なる正孔輸送層を形成すればよい。 In this case, after forming the electron-transporting light emitting layer or the electron transport layer and a light emitting layer on the cathode electrode made of Mg or Mg alloy was formed on the substrate side, a hole layer thickness by the area by using a metal mask differs it may be formed transport layer. そして、この正孔輸送層の周縁部上にMgまたはMg合金からなる低抵抗金属電極を形成し、その上にITOからなるアノード電極を形成すればよい。 Then, this consists of Mg or Mg alloy on the peripheral portion of the hole transport layer to form a low-resistance metal electrode may be an anode electrode made of ITO thereon. この場合、有機EL層で発した光は、アノード電極を透過し、基板の反対側に表示されることとなる。 In this case, light emitted by the organic EL layer is transmitted through the anode electrode, and is displayed on the opposite side of the substrate.

【0051】上記の実施の形態では、アノード電極11 [0051] In the aforementioned embodiment, the anode electrode 11
に透明のITOを、カソード電極14にMgまたはMg A transparent ITO to the cathode electrode 14 Mg or Mg
合金などの低抵抗金属を使用していた。 It was using a low-resistance metal such as alloy. しかしながら、 However,
カソード電極にITOを、アノード電極に低抵抗金属を使用してもよい。 An ITO cathode electrode, may be used low-resistance metal to the anode electrode. この場合も、カソード電極周縁部に設ける低抵抗金属電極及び有機EL層の層厚によって、有機ELパネル内での発光輝度を一様にすることができる。 Again, the layer thickness of the cathode electrode provided on the periphery low-resistance metal electrode and the organic EL layer can be made uniform emission luminance of an organic EL panel. また、カソード電極及び低抵抗金属電極には、Ti Also, the cathode electrode and the low-resistance metal electrode, Ti
(Titanium)など、シート抵抗が小さいMgまたはMg (Titanium), such as a sheet resistance of small Mg or Mg
合金以外の他の金属を用いることもできる。 It is also possible to use other metals than alloys.

【0052】上記の実施の形態では、有機ELパネル1 [0052] In the aforementioned embodiment, the organic EL panel 1
にR、G、Bの3種類の有機EL層を所定の順序で配置し、R、G、Bの3色の光の加法混色によって白色光を表示していた。 The R, G, and arranged in three organic EL layers predetermined order of B, R, G, has been displaying white light by additive color mixing of three colors of light B. このようにR、G、Bの3種類の有機E Thus R, G, 3 kinds of organic E of B
L層を配置する代わりに、白色光を発する層を有する電界発光素子に本発明を適用することもできる。 Instead of placing the L layer, it is also possible to apply the present invention in an electroluminescent device having a layer emitting white light. また、 Also,
R、G、B用の3種類の有機ELパネルを重ねて配置することで、白色光を発する有機ELパネルを形成することもできる。 R, G, by arranging superimposed three types of the organic EL panel for B, it is possible to form the organic EL panel that emits white light. この場合は、R、G、B用の有機ELパネルのそれぞれについて上記のように有機EL層の厚さを変えることができる。 In this case, it is possible to change R, G, for each of the organic EL panel for B the thickness of the organic EL layer as described above. また、本発明は白色光を発するものばかりでなく、任意の色の光を発する電界発光素子に適用することができる。 Further, the present invention is not only intended to emit white light, it can be applied to the electroluminescent device that emits light of any color.

【0053】上記の実施の形態では、有機ELパネル1 [0053] In the aforementioned embodiment, the organic EL panel 1
の正孔輸送層13aの層厚を低抵抗金属電極12からの距離に応じて異ならせるため、浮遊マスク部2bを設けたメタルマスク2を用いていた(図5の工程(C))。 For varying the layer thickness of the hole transport layer 13a according to the distance from the low-resistance metal electrode 12, it has been used a metal mask 2 having a floating mask portion 2b (Fig. 5 step (C)).
この工程において、形状の異なる複数のメタルマスクを用いて、複数工程を経て正孔輸送層13aを形成してもよい。 In this step, by using a plurality of metal masks having different shapes, it may be to form a hole transport layer 13a through a plurality of steps. この場合、有機ELパネルが大面積のものであっても、場所によって正孔輸送層13aの厚さを変えることが容易になる。 In this case, the organic EL panel be of large area, it is easy to vary the thickness of the hole transport layer 13a by location.

【0054】上記の実施の形態では、浮遊マスク部2b [0054] In the above-described embodiment, the floating mask portion 2b
を設けたメタルマスク2を用いることによって、正孔輸送層13aに層厚を場所によって変えていた。 By using a metal mask 2 having a was changed by site layer thickness on the hole transport layer 13a. しかしながら、正孔輸送層の層厚を場所に応じて異ならせるための方法はこれに限られない。 However, a method for varying in accordance with the layer thickness of the hole transport layer to place is not limited to this. 例えば、窓の位置、大きさが異なる複数のメタルマスクを使用し、それぞれのメタルマスクを使用した複数工程の真空蒸着を経ることで、 For example, the position of the window, using a plurality of metal masks having different sizes, by going through the vacuum deposition of a multi-step using the respective metal mask,
正孔輸送層13aの層厚が低抵抗金属電極12からの距離に応じて異なるようにしてもよい。 It may be different depending on the distance from the layer thickness of the hole transport layer 13a is a low-resistance metal electrode 12.

【0055】上記の実施の形態では、本発明を液晶パネルを備える携帯情報端末のバックライトとして用いる有機ELパネル1に適用した場合について説明した。 [0055] In the aforementioned embodiment, the present invention has been described as applied to the organic EL panel 1 is used as a backlight of a mobile information terminal including the liquid crystal panel. しかしながら、本発明は、電極間に所定の電圧を印加することで発光する他の用途に用いられる有機EL素子にも用いることができる。 However, the present invention can also be used for the organic EL elements used in other applications that emits light by applying a predetermined voltage between the electrodes. また、無機EL素子など、電界によって発光し、電極間に同一の電圧を印加しても電極間の層厚によって発光量が変化する他の発光素子にも適用することができる。 Further, an inorganic EL element emits light by an electric field can be applied to other light emitting element emitting amount is changed by the layer thickness between the even electrodes by applying the same voltage between the electrodes. さらに、大きさも大小さまざまなものに適用することができる。 Furthermore, it is also applicable to those sizes various sizes.

【0056】 [0056]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電界発光素子によれば、電極に印加した電圧の電圧降下によって輝度むらを生じることがない。 As described in the foregoing, according to the electroluminescent device of the present invention, it does not cause luminance unevenness due to a voltage drop of the voltage applied to the electrode.

【0057】また、電極の周縁部に低抵抗の周縁電極を設けることによって、電極での電圧降下による電圧の変化を、ほぼ周縁電極からの距離によって決めることができる。 [0057] Further, by providing the peripheral electrode of low resistance in the peripheral portion of the electrode, the change in voltage due to a voltage drop at the electrode can be determined by the distance from the substantially peripheral electrode. このため、発光層の厚さを、例えば、周縁部では厚く、中心部では薄くすることができるので、輝度むらが生じないように場所によってその厚さを変えた発光層を形成することが容易になる。 Therefore, the thickness of the light-emitting layer, for example, thicker in the periphery, it is possible to thin at the center, easy to form a luminescent layer which changes its thickness depending on the location so as not to cause brightness irregularities become.

【0058】また、本発明の電界発光素子の製造方法によれば、浮遊マスク部を設けたマスクを用いることで、 [0058] Further, according to the manufacturing method of the electroluminescent device of the present invention, by using a mask having a floating mask portion,
窓から浮遊マスクの領域に発光層を潜り込ませることができるので、場所によって厚さが異なる発光層を容易に形成することができる。 It is possible to submerge the light emitting layer in the area of ​​the floating mask from the window, the light-emitting layer having different thicknesses depending on the location can be easily formed.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態の有機ELパネルの構成を模式的に示す図である。 1 is a diagram schematically showing a structure of an organic EL panel according to the embodiment of this invention.

【図2】図1の有機ELパネルのA−A線断面図である。 2 is an A-A line cross-sectional view of an organic EL panel of FIG.

【図3】図1の有機ELパネルの有機EL層で白色光を発生するための赤、緑、青の3種類の有機EL層の構造を示す図である。 [Figure 3] red for generating white light in the organic EL layer of the organic EL panel of Figure 1 showing green, the structure of the three kinds of organic EL layers and blue.

【図4】図1の有機ELパネルの電圧−輝度−効率特性を示す図であり、(A)は領域(a)におけるもの、 [4] The organic EL panel of the voltage of FIG. 1 - brightness - a diagram showing the efficiency characteristics, (A) those in the area (a),
(B)は領域(b)におけるものである。 (B) is one in the area (b).

【図5】図1の有機ELパネルの製造工程の説明図である。 5 is an explanatory diagram of a manufacturing process of the organic EL panel of FIG.

【図6】図5の工程(C)で用いられるメタルマスクの構成を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A) [Figure 6] is a diagram showing a configuration of a metal mask used in FIG. 5 step (C), (A) is a plan view, (B) is (A)
のB−B線断面図である。 Which is a sectional view taken along line B-B.

【図7】従来例の有機ELパネルの構成を模式的に示す図である。 7 is a diagram schematically showing a structure of an organic EL panel of the conventional example.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1・・・有機ELパネル、10・・・ガラス基板、11・・・アノード電極、11a・・・アノード電極取り出し端子、1 1 ... organic EL panel, 10 ... glass substrate, 11 ... anode electrode, 11a ... anode electrode lead terminal, 1
2・・・低抵抗金属電極、13・・・有機EL層、13a・・・ 2 ... low-resistance metal electrode, 13 ... organic EL layer, 13a ...
正孔輸送層、13r、13g・・・電子輸送性発光層、1 A hole transport layer, 13r, 13 g · · · electron transporting light emitting layer, 1
3ba・・・発光層、13bb・・・電子輸送層、14・・・カソード電極、14・・・カソード電極取り出し端子、2・・・ 3ba ... light-emitting layer, 13bb ... electron transport layer, 14 ... cathode electrode, 14 ... cathode extraction terminal, 2 ...
メタルマスク、2a・・・平面マスク部、2b・・・浮遊マスク部、2c・・・窓 Metal mask, 2a ··· plane mask portion, 2b ··· floating mask portion, 2c ··· window

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】電圧を印加するための第1の端子を設けた第1の電極と、 この第1の電極に対向して設けられ、電圧を印加するための第2の端子を設けた、前記第1の電極より低いシート抵抗値を示す第2の電極(14)と、 前記第1、第2の電極間に設けられ、前記第1、第2の電極間の電圧とその厚さとに応じた輝度で光を発する発光領域を有する発光層とを備え、 前記発光層は、発光領域の輝度が均一になるように層厚方向の厚さが異なっている、 ことを特徴とする電界発光素子。 A first electrode 1. A provided first terminal for applying a voltage, disposed opposite to the first electrode, is provided a second terminal for applying a voltage, and the second electrode showing a sheet resistance value lower than the first electrode (14), the first, is provided between the second electrode, the first, the voltage between the second electrode and its thickness and a light emitting layer having a light emitting region that emits light in accordance with the luminance, the emission layer, the luminance of the light emitting region is different from the thickness direction of the layer thickness to be uniform, electroluminescent, characterized in that element.
  2. 【請求項2】前記第1の電極の周縁部に形成された低抵抗の周縁電極を備え、 前記発光層は、前記周縁電極からの距離に従ってその厚さを変えている、 ことを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。 Wherein with the first peripheral electrode having a low resistance formed on the peripheral portion of the electrode, the light emitting layer is changing its thickness as the distance from the peripheral edge electrode, characterized in that electroluminescent device according to claim 1.
  3. 【請求項3】前記第1の電極は、透明の部材によって構成され、 前記第2の電極及び前記周縁電極は、低抵抗の金属によって構成されている、 ことを特徴とする請求項1または2に記載の電界発光素子。 Wherein the first electrode is constituted by a transparent member, said second electrode and the peripheral electrode, according to claim 1 or 2, characterized in that it is constituted by a low-resistance metal, electroluminescent device according to.
  4. 【請求項4】前記発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層によって構成されている、 ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電界発光素子。 Wherein said light emitting layer, the electroluminescent device according to any one of claims 1 to 3, wherein is constituted by the organic electroluminescence layer, the.
  5. 【請求項5】基板上に第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、 一部に浮遊マスク部を設けたマスクを用い、このマスクに設けられた窓から発光層材料を蒸着させる工程を経ることで、前記第1の電極形成工程で形成した前記第1の電極の上に、厚さが発光領域によって異なる発光層を形成する発光層形成工程と、 この発光層形成工程で形成した前記発光層の上に第2の電極を形成する第2の電極形成工程と、 を含むことを特徴とする電界発光素子の製造方法。 5. A first electrode forming step of forming a first electrode on a substrate, using a mask having a floating mask portion in a part, to deposit a light emitting layer material from the window provided in the mask step by going through, said on the first electrode forming step wherein the first electrode formed in a light emitting layer forming step of thickness to form a different layer by the light-emitting region, formed in the light-emitting layer forming step manufacturing method of an electroluminescent device which comprises a second electrode forming step, the forming a second electrode on the light emitting layer was.
  6. 【請求項6】前記発光層形成工程は、それぞれ浮遊マスク部及び窓の形状が異なる複数のマスクを使用し、発光層を形成する工程を複数回繰り返すことによって、前記発光層形成するものである、 ことを特徴とする請求項5に記載の電界発光素子の製造方法。 Wherein said light emitting layer forming step, using a plurality of masks having different shapes of the respective floating mask portion and the window, by repeating several times the step of forming the light-emitting layer is for forming the light-emitting layer the method of an electroluminescent device according to claim 5, characterized in that.
  7. 【請求項7】前記第1の電極は、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極であり、 前記第2の電極は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子のカソード電極であり、 前記発光層は、正孔輸送層と電子輸送層とを有する前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス層であり、 前記発光層形成工程は、 前記マスクを使用して、厚さが場所によって異なる前記正孔輸送層を形成する第1の工程と、 前記電子輸送層を順に、所定の配置で形成する第2の工程とを含む、 ことを特徴とする請求項5または6に記載の電界発光素子の製造方法。 Wherein said first electrode is an anode electrode of the organic electroluminescence element, the second electrode, wherein a cathode electrode of the organic electroluminescent device, the emission layer, a hole transport layer an organic electroluminescent layer of the organic electroluminescence device having an electron transporting layer, the light-emitting layer forming step, using the mask, first forming the hole transport layers having different thickness depending on the location a step, in order to the electron transport layer, the manufacturing method of a field emission device according to claim 5 or 6, characterized in that, and a second step of forming in a predetermined arrangement.
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