EP2005803B8 - Reduced power loss in electronic ballasts - Google Patents

Reduced power loss in electronic ballasts

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EP2005803B8
EP2005803B8 EP07727835A EP07727835A EP2005803B8 EP 2005803 B8 EP2005803 B8 EP 2005803B8 EP 07727835 A EP07727835 A EP 07727835A EP 07727835 A EP07727835 A EP 07727835A EP 2005803 B8 EP2005803 B8 EP 2005803B8
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electronic ballast
semiconductor
ballast according
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    • H05B41/14—Circuit arrangements
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic ballast (ECG) with a first hogurlei ⁇ ter, in particular a MOS-FET whose power is dimensioned to a starting power.
  • ECG electronic ballast
  • Electronic ballasts are in particular ⁇ sondere in lamps used for this is that a mainfre ⁇ -frequency mains voltage is first rectified and is converted to ⁇ closing by means of a high-frequency AC rectifier into a high frequency square wave voltage.
  • a high-frequency AC rectifier into a high frequency square wave voltage.
  • discharge lamps such as fluorescent tubes or energy-saving lamps
  • the ignition of the lamp must be done with a high voltage, for which the ECG must provide a high so-called starting power.
  • this starting power can amount to several hundred volts to several kV.
  • the static loading ⁇ powered - that is, after ignition of the gas discharge - the current may be reduced again, as a low enough voltage to operate the discharge lamp.
  • a power semiconductor is responsible in the ballast, des- dimension must be adapted to the required starting power. Therefore, mostly powerful MOSFET transistors are used, but they have a high power dissipation when the lamp goes into static operation.
  • Object of the present invention is therefore to provide an electronic ballast, the efficiency is improved over conventional solutions.
  • the power semiconductors are dimensioned differently.
  • the power of the second power semiconductor can be only 1/3 of the power of the first power semiconductor.
  • a control unit which controls the activation or deactivation of the power semiconductors. If the power semiconductors are also arranged parallel to one another, the drive can be that a switch, for example a breaker contact, is activated, which deactivates the first power semiconductor, so that only the second power semiconductor provides the power.
  • FIG. 1 shows a schematic partial view of a circuit diagram of a prior art electronic ballast
  • FIG. 2a shows a schematic partial view of a circuit diagram of a first embodiment of the electronic ballast according to the invention in a start-up phase
  • FIG. 2b shows a schematic partial view of a circuit diagram in FIG. 2a of an embodiment of the electronic ballast according to the invention in a static mode
  • Fig. 3 is a schematic partial view of a circuit diagram of a second embodiment of the electronic ballast according to the invention.
  • FIG. 1 shows a partial view of a circuit diagram of a conventional electronic ballast and shows as a selected component
  • MOSFETs can provide Shaped ⁇ -made power for igniting a gas discharge lamp while easily, but also consume in static operation of the lamp - so after lighting - a lot of energy, so a high power dissipation that is established. This in turn results in a lower efficiency of the electronic ballast.
  • MOSFETs used here are relatively large, so that a desired miniatu ⁇ ization of electronic ballasts Component-related limitations.
  • FIGS. 2a and 2b Such an electronic ballast according to the invention is shown in FIGS. 2a and 2b.
  • FIG. 2a shows the circuit of the electronic ballast in the starting state
  • FIG. 2b the circuit of the electronic ballast in static operation.
  • a first power semiconductor 4 and a second power semiconductor 4 ' are used in the embodiment shown here, which are connected in parallel.
  • a switching element 10 is provided, which is suitable for activating or deactivating the power semiconductor 4.
  • FIG. 2a the startup phase of an ECG is shown, i. the state in which a high voltage must be available to ignite, for example, a gas discharge lamp.
  • the switch 10 in a closed position, whereby both power semiconductors 4, 4 'are connected in parallel, so that complement their performance.
  • the first power semiconductor 4 can be deactivated fourth.
  • the switch 10 is opened, so that a power is delivered only via the second power semiconductor 4 '. Since the second power semiconductor 4 'alone has to provide only a smaller power, it can also be optimized for this smaller power. This significantly reduces the power loss of the electronic ballast.
  • the power of the second power semiconductor 4 ' is additionally lower than the power of the first power semiconductor 4. This is possible because often only 1/3 of the power required for the starting process is provided in stati ⁇ rule operation got to. This is schematically illustrated in FIGS. 2 a and 2 b in that the second power semiconductor 4 'has a smaller diameter. is set as the first power semiconductor 4. This results in even further power savings.
  • FIG. 3 shows the partial view of a circuit diagram of a second exemplary embodiment of the electronic ballast according to the invention. This differs from the exemplary embodiment shown in FIGS. 2a and 2b in that the switch 10 is integrated in the driver 2.
  • This can be realized, for example, by a control unit 12 which either makes both lines 14 and 14 'accessible, so that the first and second power semiconductors 4, 4' can provide power, or blocks the line 14, so that the power semiconductor 4 is disabled.
  • an electronic ballast in particular for the operation of gas discharge lamps, in which to the conventionally existing power semiconductor, a further power semiconductor is provided, which provides the necessary power for static operation.

Landscapes

  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

An electronic ballast is disclosed, in particular for operation of gas-discharge lamps, in which a further power semiconductor is provided in addition to the conventional power semiconductor, and provides the power required for steady-state operation. This avoids the high-power MOSFET transistors, whose power losses are high, also being used for steady-state operation.

Description

Beschreibung description
Reduzierte Verlustleistung in Elektronischen Vorschaltge- räten (EVG' s)Reduced power loss in electronic ballasts (ECGs)
Technisches GebietTechnical area
Vorliegende Erfindung betrifft ein Elektronisches Vorschaltgerät (EVG) mit einem ersten Leistungshalblei¬ ter, insbesondere einem MOS-FET, dessen Leistung auf eine Anlaufleistung dimensioniert ist.The present invention relates to an electronic ballast (ECG) with a first Leistungshalblei ¬ ter, in particular a MOS-FET whose power is dimensioned to a starting power.
Stand der TechnikState of the art
Elektronische Vorschaltgeräte (EVGs) werden insbe¬ sondere bei Lampen dafür verwendet, dass eine niederfre¬ quente Netzspannung zunächst gleichgerichtet wird und an¬ schließend mittels eines Hochfrequenzwechselgleichrichters in eine hochfrequente Rechteckspannung umgeformt wird. Dadurch wird beispielsweise der Wirkungsgrad der Lampen erhöht und eine längere Lebensdauer erzielt.Electronic ballasts (EBs) are in particular ¬ sondere in lamps used for this is that a niederfre ¬-frequency mains voltage is first rectified and is converted to ¬ closing by means of a high-frequency AC rectifier into a high frequency square wave voltage. As a result, for example, the efficiency of the lamps is increased and achieved a longer life.
Insbesondere Entladungslampen, wie Leuchtstoffröhren oder Energiesparlampen, müssen zur Strombegrenzung mit Vorschaltgeräten betrieben werden. Dabei muss das Zünden der Lampe mit einer hohen Spannung erfolgen, wofür das EVG eine hohe so genannte Anlaufleistung bereitstellen muss. Diese Anlaufleistung kann je nach Lampentyp einige hundert Volt bis mehrere kV betragen. Im statischen Be¬ trieb - also nach Zünden der Gasentladung - kann der Strom wieder reduziert werden, da für den Betrieb der Entladungslampe eine geringe Spannung ausreicht.In particular, discharge lamps, such as fluorescent tubes or energy-saving lamps, must be operated to limit the current with ballasts. In this case, the ignition of the lamp must be done with a high voltage, for which the ECG must provide a high so-called starting power. Depending on the lamp type, this starting power can amount to several hundred volts to several kV. In the static loading ¬ powered - that is, after ignition of the gas discharge - the current may be reduced again, as a low enough voltage to operate the discharge lamp.
Für die Bereitstellung der Spannung ist in dem Vorschaltgerät ein Leistungshalbleiter verantwortlich, des- sen Dimension an die geforderte Anlaufleistung angepasst sein muss. Es kommen deshalb meist leistungsstarke MOS- FET-Transistoren zum Einsatz, die jedoch eine hohe Verlustleistung aufweisen, wenn die Lampe in den statischen Betrieb übergeht.To supply the voltage, a power semiconductor is responsible in the ballast, des- dimension must be adapted to the required starting power. Therefore, mostly powerful MOSFET transistors are used, but they have a high power dissipation when the lamp goes into static operation.
Darstellung der ErfindungPresentation of the invention
Aufgabe vorliegender Erfindung ist es deshalb, ein elektronisches Vorschaltgerät bereitzustellen, dessen Wirkungsgrad gegenüber herkömmlichen Lösungen verbessert ist .Object of the present invention is therefore to provide an electronic ballast, the efficiency is improved over conventional solutions.
Diese Aufgabe wird durch ein elektronisches Vor¬ schaltgerät mit einem ersten Leistungshalbleiter, insbesondere einem MOS-FET, dessen Leistung auf eine Anlaufleistung dimensioniert ist, gelöst, wobei das elektroni¬ sche Vorschaltgerät mindestens einen zweiten Leistungs- halbleiter umfasst.This object is achieved by an electronic on ¬ switching device with a first power semiconductor, in particular a MOS-FET whose power is dimensioned for a starting power, solved, wherein the electronic ballast ¬ at least one second power semiconductor comprises.
Dadurch können in der Anlaufphase - also beim Starten - beide Leistungshalbleiter verwendet werden, was die Bereitstellung einer sehr hohen Anlaufleistung ermöglicht, während im statischen Betrieb der erste Leistungs- halbleiter deaktiviert wird und nur noch der zweite Leis¬ tungshalbleiter die statische Leistung bereitstellt. Dies erlaubt die Verwendung von kleiner dimensionierten Leistungshalbleitern, wodurch sich deutliche Leistungsersparnisse ergeben, was wiederum den Gesamtwirkungsgrad des Systems verbessert.This allows the start-up phase - that is when you start - both power semiconductors are used, which enables the delivery of a very high starting performance, while the first power semiconductor is disabled in static mode and only the second Leis ¬ provides processing semiconductor static performance. This allows the use of smaller sized power semiconductors, resulting in significant power savings, which in turn improves the overall efficiency of the system.
Darüber hinaus wird durch die Verwendung von kleiner dimensionierten Leistungshalbleitern, das Problem beseitigt, dass die sehr hohen Treiberleistungen, die bei der Verwendung von nur einem Leistungshalbleiter nötig wären, den Vorteil der hohen Schaltfrequenzen negieren, da sie den Wirkungsgrad verschlechtern. Spezielle, für sehr hohe Frequenzen gut geeignete Leistungshalbleiter aber sind sehr teuer, was sich wiederum negativ auf die Herstellungskosten auswirkt. Zudem haben kleinere Leistungshalb¬ leiter den Vorteil, dass die Baugröße der Gehäuse, in die sie eingebaut werden, kleiner sein kann.In addition, the use of smaller sized power semiconductors eliminates the problem that the very high driving power required by the Using only one power semiconductor would be necessary to negate the advantage of high switching frequencies, since they degrade the efficiency. Special, for very high frequencies well suited power semiconductor but are very expensive, which in turn has a negative effect on the manufacturing cost. In addition, smaller power semi-conductor ¬ have the advantage that the size of the housing in which they are installed, can be smaller.
Besonders vorteilhaft ist ein Ausführungsbeispiel, bei dem die Leistungshalbleiter unterschiedlich dimensioniert sind. Insbesondere ist es vorteilhaft für den sta¬ tischen Betrieb einen zweiten Leistungshalbleiter zu verwenden, dessen Leistung deutlich geringer ist als die Leistung des ersten Leistungshalbleiters.Particularly advantageous is an embodiment in which the power semiconductors are dimensioned differently. In particular, it is advantageous for the sta ¬ automatic operation a second power semiconductor to be used, whose power is considerably lower than the power of the first power semiconductor.
Nimmt man an, dass im statischen Betrieb nur etwa 1/3 der Anlaufleistung benötigt werden, kann beispielsweise auch die Leistung des zweiten Leistungshalbleiters nur 1/3 der Leistung des ersten Leistungshalbleiters betragen .Assuming that only about 1/3 of the starting power is required in static operation, for example, the power of the second power semiconductor can be only 1/3 of the power of the first power semiconductor.
In einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel, ist eine Steuereinheit vorgesehen, die das Aktivieren bzw. Deaktivieren der Leistungshalbleiter steuert. Sind die Leistungshalbleiter zudem parallel zueinander angeordnet, kann die Ansteuerung darin bestehen, dass ein Schalter, bspw. ein Unterbrecherkontakt, angesteuert wird, der den ersten Leistungshalbleiter deaktiviert, so dass nur der zweite Leistungshalbleiter die Leistung bereitstellt .In a further preferred embodiment, a control unit is provided which controls the activation or deactivation of the power semiconductors. If the power semiconductors are also arranged parallel to one another, the drive can be that a switch, for example a breaker contact, is activated, which deactivates the first power semiconductor, so that only the second power semiconductor provides the power.
Weitere Vorteile und bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen definiert. Kurze Beschreibung der ZeichnungenFurther advantages and preferred embodiments are defined in the subclaims. Brief description of the drawings
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Zeichnungen weiter verdeutlicht. Dabei sollen die beispielhaften Zeichnungen allerdings nicht dazu herangezogen werden, die vorliegende Erfindung auf die dargestellten Ausfüh- rungsbeispiele einzuschränken.In the following the invention will be further clarified by means of drawings. However, the exemplary drawings should not be used to limit the present invention to the illustrated embodiments.
Es zeigen:Show it:
Fig. 1: eine schematische Teilansicht eines Schaltplans eines EVG 's aus dem Stand der Technik;FIG. 1 shows a schematic partial view of a circuit diagram of a prior art electronic ballast; FIG.
Fig. 2a: eine schematische Teilansicht eines Schalt- plans eines ersten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen EVG's in eine Anlaufphase;2a shows a schematic partial view of a circuit diagram of a first embodiment of the electronic ballast according to the invention in a start-up phase;
Fig. 2b: eine schematische Teilansicht eines Schaltplans in Figur 2a gezeigten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen EVG's in einem statischen Betrieb; undFIG. 2b shows a schematic partial view of a circuit diagram in FIG. 2a of an embodiment of the electronic ballast according to the invention in a static mode; and
Fig. 3: eine schematische Teilansicht eines Schaltplans eines zweiten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen EVG's.Fig. 3 is a schematic partial view of a circuit diagram of a second embodiment of the electronic ballast according to the invention.
Bevorzugte Ausführung der ErfindungPreferred embodiment of the invention
In den Figuren 1 bis 3 sind lediglich die für die Erfindung relevanten Bauelemente des elektronischen Vor- schaltgeräts gezeigt. Dabei bezeichnen gleiche Bezugszeichen identische oder analoge Bauelemente.In Figures 1 to 3, only the components of the electronic ballast relevant to the invention are shown. In this case, the same reference numerals designate identical or analogous components.
Figur 1 zeigt eine Teilansicht eines Schaltplans eines herkömmlichen EVG's und zeigt als ausgewählte Bautei-FIG. 1 shows a partial view of a circuit diagram of a conventional electronic ballast and shows as a selected component
!ERICHTtGTES BLATT(REGEL91) Ie des EVG ' s einen Treiber 2, der ein Rechtecksteuersig¬ nal ausgibt, einen Leistungshalbleiter 4, der dazu ausgelegt ist, die für den Startvorgang einer hier nicht dargestellten Lampe nötige Leistung auszugeben, einen Trans- formator 6 zum Kontrollieren der an die Lampe abgegebenen Spannung mit einem Ausgang 8, der beispielsweise mit ei¬ ner solchen Lampe verbunden sein kann. ! HE I CHTtGTES SHEET (REGEL91) Ie of the ECG 's a driver 2, which outputs a Rechtecksteuersig ¬ nal, a power semiconductor 4, which is designed to output the necessary for the starting process of a lamp not shown here power, a transformer 6 for controlling the output to the lamp Voltage with an output 8, which may be connected for example with ei ¬ ner such a lamp.
Der im Stand der Technik verwendete Leistungshalb¬ leiter 4 muss die für eine Zündung von Gasentladungslam- pen nötige Spannung bereitstellen. Dazu sind aufgrund der hohen Spannungsanforderung leistungsstarke Leistungshalb¬ leiter, wie beispielsweise leistungsstarke MOS-FETs von Nöten. Solche MOS-FETs können zwar problemlos die gefor¬ derte Leistung für das Zünden einer Gasentladungslampe bereitstellen, verbrauchen jedoch auch im statischen Betrieb der Lampe - also nach dem Zündvorgang - viel Energie, so dass sich eine hohe Verlustleistung einstellt. Dies wiederum resultiert in einem schlechteren Wirkungsgrad des EVG ' s . Darüber hinaus sind die hier verwendeten MOS-FETs relativ groß, so dass einer erwünschten Miniatu¬ risierung des EVG ' s Bauteilbedingte Grenzen gesetzt sind.Must for ignition of Gasentladungslam- pen voltage necessary to provide the power semi ¬ used in the prior art ladder fourth For this purpose due to the high voltage requirement are powerful power semi ¬ conductor, such as high-performance MOSFETs needed. Such MOS-FETs can provide Shaped ¬-made power for igniting a gas discharge lamp while easily, but also consume in static operation of the lamp - so after lighting - a lot of energy, so a high power dissipation that is established. This in turn results in a lower efficiency of the electronic ballast. In addition, the MOSFETs used here are relatively large, so that a desired miniatu ¬ ization of electronic ballasts Component-related limitations.
Deshalb wird in vorliegender Erfindung vorgeschlagen, zwei kleine Leistungshalbleiter zu verwenden, die zusammen, die für die Zündung hohe Leistung bereitstellen können, im statischen Betrieb jedoch nur ein Leistungshalbleiter verwendet wird.Therefore, it is proposed in the present invention to use two small power semiconductors, which together, which can provide high power for the ignition, in static operation, however, only one power semiconductor is used.
Ein solches erfindungsgemäßes EVG ist in Figuren 2a und 2b dargestellt. Dabei zeigt Figur 2a die Schaltung des EVG ' s im Startzustand und Figur 2b die Schaltung des EVG 's im statischen Betrieb. Erfindungsgemäß werden in dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ein erster Leistungshalbleiter 4 und ein zweiter Leistungshalbleiter 4' verwendet, die parallel geschaltet sind. Des Weiteren ist ein Schaltelement 10 vorgesehen, das geeignet ist, den Leistungshalbleiter 4 zu aktivieren bzw. zu deaktivieren.Such an electronic ballast according to the invention is shown in FIGS. 2a and 2b. FIG. 2a shows the circuit of the electronic ballast in the starting state and FIG. 2b the circuit of the electronic ballast in static operation. According to the invention, a first power semiconductor 4 and a second power semiconductor 4 'are used in the embodiment shown here, which are connected in parallel. Furthermore, a switching element 10 is provided, which is suitable for activating or deactivating the power semiconductor 4.
In Figur 2a ist die Anlaufphase eines EVG ' s gezeigt, d.h. der Zustand bei dem eine hohe Spannung zur Verfügung stehen muss, um bspw. eine Gasentladungslampe zu zünden. Dazu ist der Schalter 10 in einer geschlossenen Position, wodurch beide Leistungshalbleiter 4, 4' parallel geschaltet sind, so dass sich ihre Leistungen ergänzen.In Figure 2a, the startup phase of an ECG is shown, i. the state in which a high voltage must be available to ignite, for example, a gas discharge lamp. For this purpose, the switch 10 in a closed position, whereby both power semiconductors 4, 4 'are connected in parallel, so that complement their performance.
Geht die Gasentladungslampe in ihren statischen Be¬ trieb über, kann der erste Leistungshalbleiter 4 deakti- viert werden. Dazu wird, wie in Figur 2b gezeigt, der Schalter 10 geöffnet, so dass eine Leistung nur noch über den zweiten Leistungshalbleiter 4' abgegeben wird. Da der zweite Leistungshalbleiter 4 ' allein nur noch eine kleinere Leistung zur Verfügung stellen muss, kann er auch auf diese kleinere Leistung optimiert sein. Dadurch wird die Verlustleistung des EVG ' s deutlich reduziert.Goes the gas discharge lamp in their static loading ¬ drifted over, the first power semiconductor 4 can be deactivated fourth. For this purpose, as shown in Figure 2b, the switch 10 is opened, so that a power is delivered only via the second power semiconductor 4 '. Since the second power semiconductor 4 'alone has to provide only a smaller power, it can also be optimized for this smaller power. This significantly reduces the power loss of the electronic ballast.
Besonders vorteilhaft ist ein Ausführungsbeispiel, bei dem die Leistung des zweiten Leistungshalbleiters 4 ' zusätzlich noch geringer ist als die Leistung des ersten Leistungshalbleiters 4. Dies ist möglich, da im stati¬ schen Betrieb oft nur 1/3 der für den Startvorgang benötigten Leistung bereitgestellt werden muss. Dies ist in den Figuren 2a, und 2b dadurch schematisch gekennzeichnet, dass der zweite Leistungshalbleiter 4' kleiner dar- gestellt ist, als der erste Leistungshalbleiter 4. Dies resultiert in einer noch weiteren Leistungsersparnis.Particularly advantageous is an embodiment in which the power of the second power semiconductor 4 'is additionally lower than the power of the first power semiconductor 4. This is possible because often only 1/3 of the power required for the starting process is provided in stati ¬ rule operation got to. This is schematically illustrated in FIGS. 2 a and 2 b in that the second power semiconductor 4 'has a smaller diameter. is set as the first power semiconductor 4. This results in even further power savings.
Zudem ist für Schaltvorgänge nur noch ein kleiner Leistungshalbleiter anzusprechen, was deutlich weniger Energie verbraucht, wodurch sich der Gesamtwirkungsgrad des Systems verbessern lässt.In addition, only a small power semiconductor is to be addressed for switching operations, which consumes significantly less energy, which can improve the overall efficiency of the system.
In Figur 3 ist die Teilansicht eines Schaltplans ei¬ nes zweiten Ausführungsbeispiels des erfindungemäßen EVG ' s gezeigt. Dieses unterscheidet sich von dem in Figur 2a und 2b gezeigten Ausführungsbeispiel dadurch, dass der Schalter 10 in den Treiber 2 integriert ist. Dies kann beispielsweise durch eine Steuereinheit 12 realisiert sein, die entweder beide Leitungen 14 und 14' zugänglich macht, so dass der ersten und der zweite Leistungshalb- leiter 4, 4' eine Leistung bereitstellen können, oder die Leitung 14 blockiert, so dass der Leistungshalbleiter 4 deaktiviert ist.FIG. 3 shows the partial view of a circuit diagram of a second exemplary embodiment of the electronic ballast according to the invention. This differs from the exemplary embodiment shown in FIGS. 2a and 2b in that the switch 10 is integrated in the driver 2. This can be realized, for example, by a control unit 12 which either makes both lines 14 and 14 'accessible, so that the first and second power semiconductors 4, 4' can provide power, or blocks the line 14, so that the power semiconductor 4 is disabled.
Offenbart wird ein elektronisches Vorschaltgerät , insbesondere für den Betrieb von Gasentladungslampen, bei dem zu dem herkömmlich vorhanden Leistungshalbleiter ein weiterer Leistungshalbleiter vorhanden ist, der die für den statischen Betrieb nötige Leistung bereitstellt. Disclosed is an electronic ballast, in particular for the operation of gas discharge lamps, in which to the conventionally existing power semiconductor, a further power semiconductor is provided, which provides the necessary power for static operation.

Claims

Ansprüche claims
1. Elektronisches Vorschaltgerät (EVG) mit einem ersten Leistungshalbleiter (4), insbesondere einem MOS-FET, dessen Leistung auf eine Anlaufleistung dimensioniert ist, dadurch gekennzeichnet, dass das elektro- nische Vorschaltgerät mindestens einen zweiten Leis¬ tungshalbleiter (4') umfasst.1. An electronic ballast (EVG) having a first power semiconductor (4), in particular a MOS-FET, whose power is dimensioned for a start-up power, characterized in that the electronic ballast at least one second Leis ¬ tung semiconductor (4 ') comprises.
2. Elektronisches Vorschaltgerät nach Anspruch 1, wobei der zweite Leistungshalbleiter (4') eine andere Leistung aufweist als der erste Leistungshalbleiter (4) .2. Electronic ballast according to claim 1, wherein the second power semiconductor (4 ') has a different power than the first power semiconductor (4).
3. Elektronisches Vorschaltgerät nach Anspruch 1 oder 2, wobei der zweite Leistungshalbleiter (4') eine geringere Leistung aufweist als der erste Leistungs¬ halbleiter (4) .3. Electronic ballast according to claim 1 or 2, wherein the second power semiconductor (4 ') has a lower power than the first power semiconductor ¬ (4).
4. Elektronisches Vorschaltgerät nach Anspruch 1, 2, oder 3, wobei der ersten und der zweite Leistungs¬ halbleiter (4, 4') parallel angeordnet sind.4. Electronic ballast according to claim 1, 2, or 3, wherein the first and the second power semiconductor ¬ semiconductors (4, 4 ') are arranged in parallel.
5. Elektronisches Vorschaltgerät nach einem der vorher¬ gehenden Ansprüche, wobei weiterhin eine Steuerein- heit (12) vorgesehen ist, die den ersten und den zweiten Leistungshalbleiter (4, 4') ansteuert.5. Electronic ballast according to one of the preceding ¬ claims, further comprising a control unit (12) is provided, which controls the first and the second power semiconductor (4, 4 ').
6. Elektronisches Vorschaltgerät nach einem der vorher¬ gehenden Ansprüche, wobei die Steuereinheit (12) den ersten und den zweiten Leistungshalbleiter (4, 4') derart ansteuert, dass für die Bereitstellung der Anlaufleistung der erste und der zweite Leistungs- halbleiter (4, 4') parallel geschaltet sind, wodurch die Anlaufleistung von beiden Leistungshalbleiter bereitgestellt ist.6. Electronic ballast according to one of the preceding ¬ preceding claim, wherein the control unit (12) controls the first and second power semiconductor (4, 4 ') such that for the provision of the start-up performance of the first and second power Semiconductor (4, 4 ') are connected in parallel, whereby the starting power of both power semiconductors is provided.
7. Elektronisches Vorschaltgerät nach einem der vorher- gehenden Ansprüche, wobei das Vorschaltgerät nach dem Startvorgang mit der Anlaufleistung in einen statischen Betrieb mit einer statischen Leistung wechselt und die Leistung für den statischen Betrieb von dem zweiten Leistungshalbleiter (4') bereitge- stellt ist.7. Electronic ballast according to one of the preceding claims, wherein the ballast after the starting operation with the starting power in a static operation with a static power changes and the power for the static operation of the second power semiconductor (4 ') is provided.
8. Elektronisches Vorschaltgerät nach Anspruch 7, wobei die Steuereinheit (12) den ersten und/oder den zweiten Leistungshalbleiter (4, 4') derart ansteuert, dass die statische Leistung von dem zweiten Leis- tungshalbleiter bereitgestellt ist.8. Electronic ballast according to claim 7, wherein the control unit (12) the first and / or the second power semiconductor (4, 4 ') drives such that the static power is provided by the second power semiconductor.
9. Elektronisches Vorschaltgerät nach einem der vorher¬ gehenden Ansprüche, wobei weiterhin ein Schaltele¬ ment (10) vorgesehen ist, das dazu ausgelegt ist, den ersten Leistungshalbleiter (4) zu deaktivieren.9. Electronic ballast according to one of the preceding ¬ claims, further comprising a Schaltele ¬ ment (10) is provided, which is adapted to deactivate the first power semiconductor (4).
10. Elektronisches Vorschaltgerät nach Anspruch 9, wobei das Schaltelement (10) mittels einer Steuereinheit ansteuerbar ist. 10. Electronic ballast according to claim 9, wherein the switching element (10) is controllable by means of a control unit.
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