EP1842098A1 - Method for removing defective material from a lithography mask - Google Patents

Method for removing defective material from a lithography mask

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Publication number
EP1842098A1
EP1842098A1 EP06703614A EP06703614A EP1842098A1 EP 1842098 A1 EP1842098 A1 EP 1842098A1 EP 06703614 A EP06703614 A EP 06703614A EP 06703614 A EP06703614 A EP 06703614A EP 1842098 A1 EP1842098 A1 EP 1842098A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
defect
region
absorber
mask
area
Prior art date
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Pending
Application number
EP06703614A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Christian Crell
Christoph Noelscher
Martin Verbeek
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qimonda AG
Original Assignee
Qimonda AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qimonda AG filed Critical Qimonda AG
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Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50

Definitions

  • the present invention relates to a method for removing defect material in a transmissive region of a lithographic mask, which comprises transmitting carrier material and absorber material.
  • the invention further relates to a lithographic mask having a transmissive area.
  • photolithographic structuring methods are generally used.
  • a radiation-sensitive photoresist layer is applied to a surface of the substrate wafer to be structured and exposed by means of electromagnetic radiation through a lithography mask.
  • mask structures which are transmitted through adjacent and transmitting. are predetermined areas of the lithographic mask, imaged by means of a lens system on the photoresist layer and transferred by means of a subsequent development process in the photoresist layer.
  • the photoresist layer structured in this way can be used directly as a mask in an etching process or an implantation doping for the production of electronic circuit structures in the surface of the substrate wafer.
  • RET resolution enhancement techniques
  • PSM phase shifting mask
  • phase masks In contrast to standard chromium masks or binary masks, in which the structures to be imaged are reproduced by means of a structured absorptive chromium layer arranged on a transmitting support, phase masks differ in that they have two types of transmissive regions between which a phase difference of 180 ° exists. This results in a sharp light-dark transition of the exposure radiation transmitted through a phase mask at the edges of the mask structures, which leads to an improved resolving power.
  • phase mask is the so-called alternating phase shifting mask (AItPSM), which alternately transmits regions of 0 ° phase and JP-hash or Ehase-ver-s-chiebun-g
  • AItPSM alternating phase shifting mask
  • phase shift regions are etched into the transmissive carrier material of the phase masks as a rule, whereby a transit time difference of the exposure radiation used and thus the desired phase shift of 180 ° is achieved.
  • a major problem with alternating phase masks are leftover remnants of transmissive carrier material in the Phase shift ranges, which should be completely etched to achieve the phase shift of 180 ° actually.
  • the cause of these residues referred to below as defect material, are above all excess residues of the absorber material or else particles which lie above the respective phase shift ranges to be produced before the etching of the transmitting carrier material.
  • defects which are in or at the phase shift regions, cause a phase of 0 ° exposure radiation.
  • the exposure radiation at the edges of the defects due to destructive interference is extinguished, causing the defects to be dark and therefore detrimental even at small lateral dimensions.
  • the defects are particularly critical, especially in narrowly delimited or narrow phase shift regions, which are formed for example as lines or trenches or contact holes, as well as in so-called "180 ° phase assists.”
  • Transparent or even partially or non-transparent defects with curved edges are also critical Surface in trenches of the mask.
  • the absorbing regions of the phase masks are usually inspected prior to the etching of the transmissive carrier material with regard to excess absorber residues and if necessary repaired with a focused ion beam.
  • residues of the absorber material can be overlooked and, moreover, that particles can be made to be produced phase shift regions of a phase mask between the inspection and the etching of the carrier material, by which the defects are formed.
  • phase shift areas of alternating phase masks that have been produced by means of an atomic force microscope (AFM) and to detect interfering defect material by means of the measurement peak.
  • plane of the atomic force microscope d. H . to remove in layers.
  • the planed defect material is then removed in a cleaning process.
  • AFM atomic force microscope
  • the object of the present invention is to provide an improved method for removing defect material in a transmissive region of a lithographic mask as well as a defect-free lithography mask.
  • a method for removing defect material in a transmissive region of a lithographic mask which has transmitting substrate material and absorber material.
  • defect material and inherently intact absorber material are removed in a processing area and in a second process step an absorbing material is applied in an outer area, wherein the outer area depends on the portion of the processing area that was previously covered with absorber material. This eliminates the defect and restores the desired absorption geometry.
  • the method according to the invention is based on initially removing both defect material and absorber material in a processing region and transmitting material arranged below the absorber material, and then applying absorbing material in an outer region to again form a predetermined transmittent region of desired phase shift on the lithography mask.
  • the method according to the invention offers the possibility of reliably removing a defect in a transmissive region even in the case of limited space conditions, as present, for example, in holes or at trench ends.
  • the method can be used in particular for eliminating defects in phase-shifting regions of alternating phase masks, but can also be used for defect removal on other lithographic masks, such as binary masks.
  • a focused ion beam is used in the first process step for removing the defect material and the absorber material and optionally also the transmitting carrier material.
  • This embodiment enables a simple and rapid removal of a defect in a transmissive region of a litho. graphiemaske.
  • the relevant materials are preferably removed up to or below a plane which is predetermined by the bottom of the transmitting region.
  • an auxiliary hole is formed adjacent to or in the vicinity of the transmitting region and subsequently defect material or defect material and absorber material and optionally transmissive carrier material are removed by means of a micro planer.
  • the formation of an auxiliary hole creates a sufficient travel path for the micro planer used, which is, for example, the measuring tip of an atomic force microscope.
  • this embodiment of the method is particularly suitable for removing defect material in a transmissive region of a lithography mask with limited space, for example at a trench end of a transmissive region present as a trench. Due to the
  • a transmissive area repaired in this way has a bottom and side surfaces with a flat and smooth surface and straight edges.
  • the respective mask materials according to the embodiment described above are preferably removed up to or below a plane which is predetermined by the bottom of the transmitting region.
  • auxiliary holes are formed adjacent to and / or in the vicinity of opposite sides of the transmitting region. Subsequently, defect material or defect material and absorber material as well as optionally transmitting substrate material are removed with the aid of a micro planer.
  • This embodiment can also be Partially used for removing a defect in a transmitting area with limited space available, as they are present for example in a narrow hole, as by means of the two auxiliary holes sufficient travel for the micro-plane is created.
  • the lithographic mask after removal of the defect material or the defect material and the absorber material and, if appropriate, of the transmissive carrier material using the micro planer to an additional cleaning process. In this way, the material removed by the micro-planer is completely removed from the lithography mask.
  • ions of the ion beam may be implanted in the transmissive region of the lithography mask, resulting in a reduction in the transmittance of the repaired transmissive region.
  • the absorbing material is applied in the outer region or in the auxiliary holes in such a way that an enlarged transmission area of the lithographic mask is formed, which is larger than the original transmissive area.
  • the area to be etched is possibly. a little larger from the outset than would be necessary to remove the defect.
  • a transmissive region of a lithography mask repaired at an edge exhibits an increased transmission of exposure radiation compared to a defect-free ideal transmitting region.
  • causes these effects is a reduced dispersion of Exposure radiation at the edge due to an edge structure deviating from an ideal edge structure after the defect removal.
  • the method may be preferable for embodiments of the method to simulate the optical imaging behavior of the lithography mask before carrying out the second method step.
  • the absorbent material can be applied according to a desired optimal imaging behavior.
  • the mask geometry is used before and if necessary. measured during repair with methods of the prior art, ie z. With an optical microscope (AIMS), electron microscope, ion microscope or atomic force microscope.
  • a lithography mask with a transmissive region is furthermore proposed in which defect material is removed by the method according to the invention or one of the preferred embodiments. Since defects can be removed reliably and, in particular, also in transmissive areas with limited space, with the aid of the method or the preferred embodiments, such a defect-free lithography mask is distinguished by good optical imaging behavior.
  • such a lithographic mask has a transmissive region, which with respect to a surface of the lithographic mask is replaced by a respective one.
  • several Absorbermateri- alien is enclosed, wherein the or the absorber materials are arranged in different horizontal planes on the lithography mask. The invention will be explained in more detail below with reference to FIGS. Show it :
  • FIGS. 1 to 4 show a detail of a transmitting phase shift range of a phase mask with a defect and its removal according to a first embodiment of a method according to the invention, respectively in plan view and in a lateral sectional illustration;
  • FIGS. 5 to 8 show a further transmitting phase shift range of a phase mask with a defect and its removal according to a second embodiment of a method according to the invention, in each case in plan view and in a lateral sectional view;
  • FIG. 1 shows a detail of a transmissive phase shift region of an alternating phase mask, hereinafter referred to as transmitting region 1, in a schematic plan view and in a schematic
  • the transmissive region 1 is present as a trench in a surface of the phase mask and, as can be seen from the plan view of FIG. 1, is bordered with respect to the surface by an absorber material 3 such as, for example, chromium.
  • the transmissive region 1 has a width of, for example, 400 nm.
  • the phase mask has a layer of a transnaittierenden carrier material 5 and another arranged between the absorber 3 and the substrate 5 layer of a transmissive carrier material 4.
  • the carrier materials 4, 5 are the same transmitting material as, for example, quartz.
  • the carrier material 4 not covered by the absorber material 3 is etched away to the surface of the carrier material 5 in order to produce the above-described phase shift of 180 ° of an electromagnetic radiation used in a lithographic exposure.
  • the absorber 3 has, for example, a thickness of 80 nm.
  • the layer of the transmissive carrier material 4 has, for example, a thickness of 170 nm in order to produce a phase shift of 180 ° at an exposure wavelength of 193 nm.
  • FIG. 1 further shows a defect 40 at a trench end of the transmissive region 1, which emerges from a residue of non-etched-away carrier material 4.
  • the cause of such a defect 40 is, for example, an excess residue of the absorber material 3 or a particle arranged on the carrier material 4 before the etching.
  • this defect 40 results in a phase of exposure radiation of only 0 °, which extinguishes the exposure radiation at the edge of the defect 40 due to destructive interference.
  • the defect 40 causes disturbing darkening of the edge or trench end during lithographic exposure.
  • Corresponding darkening effects can also occur at phase shifts other than 0 ° due to a defect or scattering at the defect.
  • an auxiliary hole 6 is etched by means of a focused ion beam.
  • absorber material 3 and carrier material 4 and, as can be seen from FIG. 2, if appropriate, also a small part of the carrier material 5 are removed.
  • the defect material 40 is removed by means of a micro planer (not shown).
  • the defect material 40 is preferably in
  • the measuring tip of an atomic force microscope acts as a microhob. This atomic force microscope can be used in advance for measuring the transmissive region 1 and the defect 40 at the same time.
  • a layer of an absorbent material 7 having a thickness of, for example, 40 nm is applied to the exposed outer region or the auxiliary hole 6.
  • the absorbent material 7 is preferably carbon or a metal such as chromium, which is deposited in the exterior area, for example, by means of a standard process. In this way, a new transmissive region 10 of the phase mask is formed.
  • the absorbent material 7 protrudes into the original transmissive region 1, as a result of which the transmissive region 10 is laterally slightly smaller than the original transmissive region 1.
  • the cause of this increased transmission is a reduced scattering of the exposure radiation due to a defect removal at the repaired defect-free trench end of the transmissive region 10 changed edge structure, which deviates from an ideal edge structure.
  • phase mask it is preferable to subject the phase mask to an additional cleaning process prior to application of the absorbent material 7.
  • the defect material 40 removed from the micro-planer is completely removed from the phase mask, so that the absorbent material 7 only on the substrate 5 and not in the auxiliary hole 6 or at the edge of the auxiliary hole 6 befindliches
  • Defective material is applied.
  • the displaced defect material can also be covered with absorber, if the repaired structure is then still stable against subsequent cleaning, or can be dispensed with such a cleaning.
  • auxiliary hole 6 adjacent to the transmissive region as shown in Fig. 2
  • auxiliary hole it is also possible to form the auxiliary hole at a short distance in the vicinity of the transmissive region.
  • additional absorbent material 3 present between the defect 40 and the auxiliary hole 3 and support material 4 located below the absorber material 3 are also removed by means of the micro planer.
  • FIG. 5 shows a further transmitting phase-shifting region of a phase mask, referred to below as a transposing region 2, with a defect 40, which in turn emerges from a residue of non-etched-off carrier material 4 at one end of the transmitting region 2.
  • the transmissive region 2 embodied as a hole is correspondingly encompassed by an absorber material 3 such as, for example, chromium with respect to a surface of the phase mask and has, for example, a width of 400 nm and a length of 800 nm.
  • an absorber material 3 such as, for example, chromium with respect to a surface of the phase mask and has, for example, a width of 400 nm and a length of 800 nm.
  • the absorber 3 again has, for example, a thickness of 80 nm.
  • the thickness of the layer of the transmitting carrier material 4 is again 170 nm, for example, in order to produce a phase shift of the exposure radiation of 180 ° at an exposure wavelength of 193 nm.
  • two auxiliary holes 6 are formed by using a focused ion beam in an outer region on opposite sides of the transmitting region 2.
  • absorber material 3 and carrier material 4 and optionally also a small part of the carrier material 5 are removed.
  • the left auxiliary hole 6 is formed, for example, adjacent to the transmitting region 2 and the right auxiliary hole 6, for example, at a short distance near the transmitting region 2.
  • both auxiliary holes 6 together adjacent to or in the vicinity of the transmitting region 2.
  • the defect material 40 and the absorber material 3 located at the edge of the right auxiliary hole 6 and the substrate material 4 arranged below are removed by means of a micro planer, which may again be the measuring tip of an atomic force microscope.
  • the materials in question are preferably pushed in the direction of or into the auxiliary holes 6.
  • the outer area or the auxiliary holes 6 are covered, as shown in FIG. 8, with a layer of absorbent material 7 such as carbon or metal, so that one is transmitted - The area 20 is provided.
  • the layer of absorbent material 7 again has a thickness of, for example, 40 nm.
  • the repaired phase masks each have a transmissive region 10 or 20 which is in relation to a surface of the phase masks of an absorber material or in the case that the applied absorbent material 7 of the Absorber material 3 differs, is bordered by several absorber materials.
  • the or the absorber materials are arranged in different horizontal planes on the phase masks.
  • Figures 9 to 11 show the removal of the defect 40 in the formed as a hole transmitting region 2 of the phase mask according to a third embodiment of a method according to the invention, in which dispensed with the use of a micro planer.
  • auxiliary hole 6 is formed, which occupies a relatively large portion of the transmissive region 2.
  • This third embodiment of a method according to the invention can also be used for eliminating defects on transmissive areas with a different geometry. In this way, it would also be possible, for example, to remove the defect 40 in the transmissive region 1 shown in FIG. 1 as a trench.
  • the transmissive region 21 is laterally slightly larger than the original transmissive region 2. In this way, a reduced transmission of exposure radiation in the transmitting region 21 is compensated.
  • the cause of the reduced transmission are ions of the ion beam implanted in the transmissive region 21 which, as described above, are used in a relatively large portion of the original transmissive region 2 for material removal.
  • the absorbing material 7 can then be applied in accordance with a desired optimum imaging behavior of the phase mask, so that an area which is larger or smaller than the original transmitting area is formed. It is also possible to form a transmissive area matching the dimensions of the original transmitting area.
  • a common "aerial image measuring system” AIMS can be used.
  • the method according to the invention or the described embodiments can be used not only for removing defect material in transmitting phase-shift regions of alternating phase masks.
  • the method or the described embodiments can also be used for defect or. Material removal in transmitting areas with a phase of 0 ° and in principle also for material removal or for removing particles in the transmitting areas of other lithographic masks such For example, use binary lithography masks or reflective EUV masks.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

The invention relates to a method for removing defective material in a transmitting region of a lithography mask that has transmitting supporting material and absorbing material. In a first method step, defective material and absorbing material are removed in a processing area. In a second method step, an absorbent material is applied in an outer area, this outer area being dependent on the partial area of the processing area that was previously covered with absorbing material.

Description

Beschreibungdescription
Verfahren zum Entfernen von Defektmaterial einer LithographiemaskeMethod for removing defect material of a lithographic mask
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Defektmaterial in einem transmittierenden Bereich einer Lithographiemaske, welche transmittierendes Trägermaterial und Absorbermaterial aufweist . Die Erfindung betrifft fer- ner eine Lithographiemaske mit einem transmittierenden Bereich .The present invention relates to a method for removing defect material in a transmissive region of a lithographic mask, which comprises transmitting carrier material and absorber material. The invention further relates to a lithographic mask having a transmissive area.
Zur Herstellung hochintegrierter elektrischer Schaltkreise mit geringen Strukturdimensionen auf einer Halbleitersub- stratscheibe werden in der Regel photolithographische Struk- turierungsverfahren eingesetzt . Hierbei wird eine strahlungsempfindliche Photolackschicht auf eine zu strukturierende O- berfläche der Substratscheibe aufgebracht und mithilfe von elektromagnetischer Strahlung durch eine Lithographiemaske belichtet . Bei dem Belichtungsvorgang werden Maskenstrukturen, welche durch aneinander grenzende transmittierende und . absorbierende Bereiche der Lithographiemaske vorgegeben sind, mithilfe eines Linsensystems auf die Photolackschicht abgebildet und mittels eines nachfolgenden Entwicklungsprozesses in die Photolackschicht übertragen. Die auf diese Weise strukturierte Photolackschicht kann direkt als Maske in einem Ätzprozess oder einer Implantationsdotierung zur Herstellung von elektronischen Schaltkreisstrukturen in der Oberfläche der Substratscheibe eingesetzt werden .For the production of highly integrated electrical circuits with small structural dimensions on a semiconductor substrate wafer, photolithographic structuring methods are generally used. In this case, a radiation-sensitive photoresist layer is applied to a surface of the substrate wafer to be structured and exposed by means of electromagnetic radiation through a lithography mask. In the exposure process, mask structures which are transmitted through adjacent and transmitting. are predetermined areas of the lithographic mask, imaged by means of a lens system on the photoresist layer and transferred by means of a subsequent development process in the photoresist layer. The photoresist layer structured in this way can be used directly as a mask in an etching process or an implantation doping for the production of electronic circuit structures in the surface of the substrate wafer.
Hauptzielsetzung der Halbleiterindustrie ist die stetige Leistungssteigerung durch immer schnellere Schaltkreise, welche verknüpft ist mit einer Miniaturisierung der elektronischen Strukturen . Zur Herstellung kleinerer Strukturen be- steht vor allem die Möglichkeit, zu kürzeren Wellenlängen der eingesetzten Belichtungsstrahlung überzugehen . Aus wirtschaftlichen Gründen wird jedoch gleichzeitig angestrebt, die j eweils verwendete Lithographietechnik möglichst lange zu nutzen, bevor zur Erzielung weiterer Strukturverkleinerungen zur nächstkürzeren Belichtungswellenlänge übergegangen wird. Um bei gleichbleibender Belichtungswellenlänge die Auflö- sungsgrenze zur Herstellung kleinerer Strukturen zu erhöhen werden in der Photo- bzw. Mikrolithographie deshalb zunehmend sogenannte „resolution enhancement techniques" (RET) eingesetzt . Hierunter fällt insbesondere der Einsatz sogenannter Phasenschiebermasken ( „phase shifting mask" , PSM) , welche auch als Phasenmasken bezeichnet werden.The main objective of the semiconductor industry is the steady increase in performance through ever faster circuits, which is associated with a miniaturization of the electronic structures. In particular, the possibility of changing to shorter wavelengths of the exposure radiation used for producing smaller structures exists. For economic reasons, however, the aim is at the same time In each case, the lithographic technique used should be used as long as possible before proceeding to the next shorter exposure wavelength in order to achieve further structural reductions. Therefore, so-called "resolution enhancement techniques" (RET) are increasingly used in photolithography or microlithography in order to increase the resolution limit for the production of relatively small exposure wavelengths, in particular the use of so-called "phase shifting mask" (PSM) ), which are also referred to as phase masks.
Gegenüber Standardchrommasken bzw. binären Masken, bei welchen die abzubildenden Strukturen mittels einer auf einem transmittierenden Träger angeordneten strukturierten absor- bierenden Chromschicht wiedergegeben werden, unterscheiden sich Phasenmasken dadurch, dass sie zwei Arten von transmittierenden Bereichen aufweisen, zwischen denen eine Phasendifferenz von 180° besteht . Hierdurch resultiert ein scharfer hell-dunkel Übergang der durch eine Phasenmaske transmittier- ten Belichtungsstrahlung an den Kanten der Maskenstrukturen, was zu einem verbesserten Auflösungsvermögen führt .In contrast to standard chromium masks or binary masks, in which the structures to be imaged are reproduced by means of a structured absorptive chromium layer arranged on a transmitting support, phase masks differ in that they have two types of transmissive regions between which a phase difference of 180 ° exists. This results in a sharp light-dark transition of the exposure radiation transmitted through a phase mask at the edges of the mask structures, which leads to an improved resolving power.
Ein bedeutender Phasenmaskentyp sind die sogenannten alternierenden Phasenmasken ( „alternating phase shifting mask", AItPSM) , welche abwechselnd transmittierende Bereiche mit einer Phase von 0 ° und einer-JP-hase—bzw-—Ehasen-ver-s-chiebun-g—von 180 ° aufweisen, zwischen denen jeweils mit Absorbermaterial versehene absorbierende Bereiche angeordnet sind. Die transmittierenden Bereiche mit einer Phasenverschiebung von 180° , im Folgenden als Phasenverschiebungsbereiche bezeichnet, sind dabei in der Regel in das transmittierende Trägermaterial der Phasenmasken eingeätzt, wodurch ein Laufzeitunterschied der eingesetzten Belichtungsstrahlung und damit die gewünschte Phasenverschiebung von 180 ° erzielt wird.One important type of phase mask is the so-called alternating phase shifting mask (AItPSM), which alternately transmits regions of 0 ° phase and JP-hash or Ehase-ver-s-chiebun-g The transmitting regions with a phase shift of 180 °, hereinafter referred to as phase shift regions, are etched into the transmissive carrier material of the phase masks as a rule, whereby a transit time difference of the exposure radiation used and thus the desired phase shift of 180 ° is achieved.
Ein Hauptproblem bei alternierenden Phasenmasken sind übrig gebliebene Reste von transmittierendem Trägermaterial in den Phasenverschiebungsbereichen, welche zur Erzielung der Phasenverschiebung von 180° eigentlich vollständig freigeätzt sein sollten . Ursache dieser im Folgenden als Defektmaterial bezeichneten Reste sind vor allem überschüssige Reste des Ab- sorbermaterials oder auch Partikel, die vor der Ätzung des transmittierenden Trägermaterials über den jeweiligen herzustellenden Phasenverschiebungsbereichen liegen .A major problem with alternating phase masks are leftover remnants of transmissive carrier material in the Phase shift ranges, which should be completely etched to achieve the phase shift of 180 ° actually. The cause of these residues, referred to below as defect material, are above all excess residues of the absorber material or else particles which lie above the respective phase shift ranges to be produced before the etching of the transmitting carrier material.
Häufig rufen derartige Defekte, welche in oder an den Phasen- Verschiebungsbereichen liegen, eine Phase der Belichtungsstrahlung von 0 ° hervor . Infolgedessen wird die Belichtungsstrahlung an den Kanten der Defekte aufgrund von destruktiver Interferenz ausgelöscht, wodurch die Defekte dunkel wirken und daher selbst bei kleinen lateralen Dimensionen schädlich sind. Insbesondere in eng begrenzten bzw. schmalen Phasenverschiebungsbereichen, welche beispielsweise als Linien bzw. Gräben oder Kontaktlöcher ausgebildet sind, sowie in sogenannten „180 ° - Phasenassists", sind die Defekte besonders kritisch. Ebenfalls kritisch sind transparente oder auch teil- oder intransparente Defekte mit gekrümmter Oberfläche in Gräben der Maske .Often, such defects, which are in or at the phase shift regions, cause a phase of 0 ° exposure radiation. As a result, the exposure radiation at the edges of the defects due to destructive interference is extinguished, causing the defects to be dark and therefore detrimental even at small lateral dimensions. The defects are particularly critical, especially in narrowly delimited or narrow phase shift regions, which are formed for example as lines or trenches or contact holes, as well as in so-called "180 ° phase assists." Transparent or even partially or non-transparent defects with curved edges are also critical Surface in trenches of the mask.
Zur Vermeidung solcher Defekte werden die absorbierenden Bereiche der Phasenmasken vor dem Ätzen des transmittierenden Trägermaterials in der Regel im Hinblick auf überschüssige Absorberreste inspiziert und diese gegebenenfalls mit einem fokussierten Ionenstrahl repariert . Nachteilig ist j edoch, dass Reste des Absorbermaterials übersehen werden können und darüber hinaus zwischen der Inspektion und der Ätzung des Trägermaterials Partikel auf herzustellende Phasenverschiebungsbereiche einer Phasenmaske gelangen können, durch welche die Defekte gebildet werden.To avoid such defects, the absorbing regions of the phase masks are usually inspected prior to the etching of the transmissive carrier material with regard to excess absorber residues and if necessary repaired with a focused ion beam. However, it is disadvantageous that residues of the absorber material can be overlooked and, moreover, that particles can be made to be produced phase shift regions of a phase mask between the inspection and the etching of the carrier material, by which the defects are formed.
Des weiteren ist es bekannt, hergestellte Phasenverschie- bungsbereiche von alternierenden Phasenmasken mithilfe eines Rasterkraftmikroskops ( „atomic force microscope" , AFM) zu vermessen und störendes Defektmaterial mithilfe der Messspit- ze des Rasterkraftmikroskops abzuhobeln, d. h . , schichtweise abzutragen . Das abgehobelte Defektmaterial wird anschließend in einem Reinigungsprozess entfernt . Diese auch als „nanoma- chining" bezeichnete und beispielsweise in M. Verbeek et al . , „High precision mask repair using nanomachining" , Seiten 1 bis 8 , EMC 2002 sowie in Y . Morikawa et al . , „Alternating-PSM repair by nanomachining" , Seiten 18 bis 20 , Microlithography World, November 2003 beschriebene Vorgehensweise kann jedoch nur dann effektiv angewendet werden, wenn an beiden Seiten der Hobelrichtung genügend Verfahrweg existiert . Das Verfahren lässt sich daher nicht dazu einsetzen, um Defekte in Phasenverschiebungsbereichen mit eingeschränkten lateralen Platzverhältnissen wie beispielsweise in Kontaktlöchern und an Grabenenden zu beseitigen.Furthermore, it is known to measure phase shift areas of alternating phase masks that have been produced by means of an atomic force microscope (AFM) and to detect interfering defect material by means of the measurement peak. plane of the atomic force microscope, d. H . to remove in layers. The planed defect material is then removed in a cleaning process. This is also referred to as "nanomachine" and described, for example, in M. Verbeek et al., "High precision mask repair using nanomachining," pages 1-8, EMC 2002, and in Y. Morikawa et al. However, the procedure described in "Alternating-PSM repair by nanomachining", pages 18 to 20, Microlithography World, November 2003, can only be used effectively if there is sufficient travel on both sides of the planing direction, so the method can not be used to Eliminate defects in phase shift areas with limited lateral space such as vias and trench ends.
Alternativ ist die Möglichkeit gegeben, Defektmaterial in Quarzgräben mithilfe eines fokussierten Ionenstrahls zu entfernen. Von Nachteil ist j edoch eine ungenügende Ortsauflö- sung dieses Verfahrens, welche sich insbesondere bei kleinen Löchern bemerkbar macht . Darüber hinaus wird der Transmissionsgrad eines auf diese Weise reparierten Phasenverschiebungsbereichs durch implantierte Ionen des eingesetzten Ionenstrahls reduziert . Ferner kann der Einsatz eines fokussierten Ionenstrahls eine störende Oberflächenrauhigkeit des Bodens sowie der Kanten des bearbeiteten Phasenverschiebungsbereichs zur Folge haben .Alternatively, it is possible to remove defect material in quartz trenches using a focused ion beam. Of disadvantage, however, is an insufficient spatial resolution of this method, which is particularly noticeable in the case of small holes. In addition, the transmittance of a thus-repaired phase shift region is reduced by implanted ions of the ion beam used. Furthermore, the use of a focused ion beam can result in a disturbing surface roughness of the bottom as well as the edges of the processed phase shift region.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein verbessertes Verfahren zum Entfernen von Defektmaterial in einem transmittierenden Bereich einer Lithographiemaske sowie eine defektfreie Lithographiemaske bereit zu stellen .The object of the present invention is to provide an improved method for removing defect material in a transmissive region of a lithographic mask as well as a defect-free lithography mask.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und eine Lithographiemaske gemäß der Ansprüche 10 und 12 gelöst . Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Entfernen von Defektmaterial in einem transmittierenden Bereich einer Lithographiemaske vorgeschlagen, welche transmittierendes Trägermaterial und Absorbermaterial aufweist . Hierbei werden in einem ersten Verfahrensschritt Defektmaterial und an sich intaktes Absorbermaterial in einem Bearbeitungsbereich abgetragen und in einem zweiten Verfahrensschritt ein absorbierendes Material in einem Außenbereich aufgebracht, wobei der Außenbereich von dem Teilbereich des Bearbeitungsbereichs abhängt, der zu- vor mit Absorbermaterial bedeckt war . Damit wird der Defekt beseitigt und die gewünschte Absorptionsgeometrie wieder hergestellt .This object is achieved by a method according to claim 1 and a lithographic mask according to claims 10 and 12. Further advantageous embodiments are specified in the dependent claims. According to the invention, a method for removing defect material in a transmissive region of a lithographic mask is proposed, which has transmitting substrate material and absorber material. Here, in a first method step, defect material and inherently intact absorber material are removed in a processing area and in a second process step an absorbing material is applied in an outer area, wherein the outer area depends on the portion of the processing area that was previously covered with absorber material. This eliminates the defect and restores the desired absorption geometry.
Das erfindungsgemäße Verfahren basiert darauf, zunächst in einem Bearbeitungsbereich sowohl Defektmaterial als auch Absorbermaterial und gegebenenfalls unterhab des Absorbermaterials angeordnetes transmittierendes Trägermaterial zu entfernen und anschließend absorbierendes Material in einem Außenbereich aufzubringen, um erneut einen vorgegebenen trans- mittierenden Bereich gewünschter Phasenverschiebung auf der Lithographiemaske auszubilden. Auf diese Weise bietet das erfindungsgemäße Verfahren die Möglichkeit, einen Defekt in einem transmittierenden Bereich selbst bei eingeschränkten Platzverhältnissen, wie sie beispielsweise in Löchern bzw. an Grabenenden vorliegen, zuverlässig zu entfernen. Das Verfahren kann insbesondere zum Beseitigen von Defekten in Phasenverschiebungsbereichen von alternierenden Phasenmasken eingesetzt werden, lässt sich aber auch zur Defektentfernung auf andere Lithographiemasken wie beispielsweise binäre Masken anwenden .The method according to the invention is based on initially removing both defect material and absorber material in a processing region and transmitting material arranged below the absorber material, and then applying absorbing material in an outer region to again form a predetermined transmittent region of desired phase shift on the lithography mask. In this way, the method according to the invention offers the possibility of reliably removing a defect in a transmissive region even in the case of limited space conditions, as present, for example, in holes or at trench ends. The method can be used in particular for eliminating defects in phase-shifting regions of alternating phase masks, but can also be used for defect removal on other lithographic masks, such as binary masks.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird in dem ersten Verfahrensschritt zum Abtragen von Defektmaterial und Absorbermaterial sowie gegebenenfalls von transmittierendem Trägerma- terial ein fokussierter Ionenstrahl eingesetzt . Diese Ausführungsform ermöglicht eine einfache und schnelle Beseitigung eines Defekts in einem transmittierenden Bereich einer Litho- graphiemaske . Die betreffenden Materialien werden hierbei vorzugsweise bis zu einer bzw. bis unterhalb einer Ebene abgetragen, welche durch den Boden des transmittierenden Bereichs vorgegeben wird.In a preferred embodiment, a focused ion beam is used in the first process step for removing the defect material and the absorber material and optionally also the transmitting carrier material. This embodiment enables a simple and rapid removal of a defect in a transmissive region of a litho. graphiemaske. In this case, the relevant materials are preferably removed up to or below a plane which is predetermined by the bottom of the transmitting region.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird in dem ersten Verfahrensschritt zunächst bevorzugt mithilfe eines fokussierten Ionenstrahls ein Hilfsloch angrenzend an den oder in der Nähe des transmittierenden Bereichs ausgebildet und nachfolgend mithilfe eines Mikrohobels Defektmaterial oder Defektmaterial und Absorbermaterial sowie gegebenenfalls transmittierendes Trägermaterial entfernt . Durch die Ausbildung eines Hilfs- lochs wird ein ausreichender Verfahrweg für den eingesetzten Mikrohobel geschaffen, bei dem es sich beispielsweise um die Messspitze eines Rasterkraftmikroskops handelt . Infolgedessen ist diese Ausführungsform des Verfahrens insbesondere zum Entfernen von Defektmaterial in einem transmittierenden Bereich einer Lithographiemaske mit engen Platzverhältnissen, beispielsweise an einem Grabenende eines als Graben vorlie- genden transmittierenden Bereichs, geeignet . Aufgrund desIn a preferred embodiment, in the first method step, preferably by means of a focused ion beam, an auxiliary hole is formed adjacent to or in the vicinity of the transmitting region and subsequently defect material or defect material and absorber material and optionally transmissive carrier material are removed by means of a micro planer. The formation of an auxiliary hole creates a sufficient travel path for the micro planer used, which is, for example, the measuring tip of an atomic force microscope. As a result, this embodiment of the method is particularly suitable for removing defect material in a transmissive region of a lithography mask with limited space, for example at a trench end of a transmissive region present as a trench. Due to the
Einsatzes eines Mikrohobels weist ein auf diese Weise reparierter transmittierender Bereich einen Boden und Seitenflächen mit einer ebenen und glatten Oberfläche sowie gerade Kanten auf. Bei der Ausbildung des Hilfslochs werden die betreffenden Maskenmaterialien entsprechend der vorstehend beschriebenen Ausführungsform vorzugsweise bis zu bzw. bis unterhalb einer Ebene abgetragen, welche durch den Boden des transmittierenden Bereichs vorgegeben ist .Using a micro planer, a transmissive area repaired in this way has a bottom and side surfaces with a flat and smooth surface and straight edges. In the formation of the auxiliary hole, the respective mask materials according to the embodiment described above are preferably removed up to or below a plane which is predetermined by the bottom of the transmitting region.
Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform werden in dem ersten Verfahrensschritt zunächst bevorzugt mithilfe eines fokussierten Ionenstrahls zwei Hilfslöcher angrenzend an und/oder in der Nähe von gegenüber liegende (n) Seiten des transmittierenden Bereichs ausgebildet . Nachfolgend wird mit- hilfe eines Mikrohobels Defektmaterial oder Defektmaterial und Absorbermaterial sowie gegebenenfalls transmittierendes Trägermaterial entfernt . Auch diese Ausführungsform kann vor- teilhaft zum Entfernen eines Defekts in einem transmittieren- den Bereich mit eingeschränkten Platzverhältnissen eingesetzt werden, wie sie beispielsweise in einem engen Loch vorliegen, da mittels der zwei Hilfslöcher ein ausreichender Verfahrweg für den Mikrohobel geschaffen wird.According to an alternative preferred embodiment, in the first method step, first, preferably by means of a focused ion beam, two auxiliary holes are formed adjacent to and / or in the vicinity of opposite sides of the transmitting region. Subsequently, defect material or defect material and absorber material as well as optionally transmitting substrate material are removed with the aid of a micro planer. This embodiment can also be Partially used for removing a defect in a transmitting area with limited space available, as they are present for example in a narrow hole, as by means of the two auxiliary holes sufficient travel for the micro-plane is created.
Des weiteren ist es bevorzugt, die Lithographiemaske nach Entfernen des Defektmaterials oder des Defektmaterials und des Absorbermaterials sowie gegebenenfalls des transmittie- renden Trägermaterials mithilfe des Mikrohobels einem zusätzlichen Reinigungsprozess zu unterziehen. Auf diese Weise wird das bzw. werden die durch den Mikrohobel abgetragenen Materialien vollständig von der Lithographiemaske entfernt .Furthermore, it is preferable to subject the lithographic mask after removal of the defect material or the defect material and the absorber material and, if appropriate, of the transmissive carrier material using the micro planer to an additional cleaning process. In this way, the material removed by the micro-planer is completely removed from the lithography mask.
Sofern zur Materialentfernung ein fokussierter Ionenstrahl eingesetzt wird, kann es vorkommen, dass Ionen des Ionenstrahls in dem transmittierenden Bereich der Lithographiemaske implantiert werden, was eine Erniedrigung des Transmissionsgrads des reparierten transmittierenden Bereichs zur Folge hat . Um diesen Effekt zu kompensieren, wird in dem zweiten Verfahrensschritt das absorbierende Material derart in dem Außenbereich bzw. in dem/den Hilfslöchern aufgebracht, dass ein gegenüber dem ursprünglichen transmittierenden Bereich vergrößerter transmittierender Bereich der Lithographiemaske ausgebildet wird. Um die Transmissionsreduktion kompensieren zu können wird der wegzuätzende Bereich ggfs . von vornherein etwas größer gewählt als allein zur Entfernung des vorliegenden Defekts nötig wäre . Nach der oben beschriebenen Aufbringung des Absorbermaterials sind dann sowohl das Defektmateri- al entfernt als auch die in der Abbildung optisch wirksame lokale Transmission nahe am Idealzustand.If a focused ion beam is used for material removal, ions of the ion beam may be implanted in the transmissive region of the lithography mask, resulting in a reduction in the transmittance of the repaired transmissive region. In order to compensate for this effect, in the second method step, the absorbing material is applied in the outer region or in the auxiliary holes in such a way that an enlarged transmission area of the lithographic mask is formed, which is larger than the original transmissive area. In order to be able to compensate the transmission reduction, the area to be etched is possibly. a little larger from the outset than would be necessary to remove the defect. After the above-described application of the absorber material, both the defect material and the optically effective local transmission in the image are then close to the ideal state.
Andererseits besteht die Möglichkeit, dass ein an einer Kante reparierter transmittierender Bereich einer Lithographiemaske gegenüber einem defektfreien idealen transmittierenden Bereich eine erhöhte Transmission von Belichtungsstrahlung zeigt . Ursache diese Effekts ist eine reduzierte Streuung der Belichtungsstrahlung an der Kante aufgrund einer nach der Defektbeseitigung vorliegenden von einer idealen Kantenstruktur abweichenden Kantenstruktur. In einem solchen Fall ist es bevorzugt, in dem zweiten Verfahrensschritt das absorbierende Material derart in dem Außenbereich aufzubringen, dass ein gegenüber dem ursprünglichen transmittierenden Bereich verkleinerter transmittierender Bereich der Lithographiemaske ausgebildet wird, um diesen Effekt auszugleichen .On the other hand, there is the possibility that a transmissive region of a lithography mask repaired at an edge exhibits an increased transmission of exposure radiation compared to a defect-free ideal transmitting region. Cause these effects is a reduced dispersion of Exposure radiation at the edge due to an edge structure deviating from an ideal edge structure after the defect removal. In such a case, it is preferable in the second method step to apply the absorbent material in the outer region in such a way that a transmissive region of the lithography mask that is smaller than the original transmissive region is formed in order to compensate for this effect.
Im Hinblick auf die beiden letztgenannten gegensätzlichenWith regard to the latter two opposing ones
Ausführungsformen des Verfahrens ist es gegebenenfalls vorzuziehen, vor Durchführen des zweiten Verfahrensschritts das optische Abbildungsverhalten der Lithographiemaske zu simulieren. Auf diese Weise kann das absorbierende Material ent- sprechend einem gewünschten optimalen Abbildungsverhalten aufgebracht werden. Um die Parameter der Simulation zu bestimmen wird die Maskengeometrie vor und ggfs . während der Reparatur mit Verfahren nach dem Stand der Technik vermessen, also z . B. mit einem optischen Mikroskop (AIMS) , Elektronen- mikroskop, Ionenmikroskop oder Rasterkraftmikroskop .It may be preferable for embodiments of the method to simulate the optical imaging behavior of the lithography mask before carrying out the second method step. In this way, the absorbent material can be applied according to a desired optimal imaging behavior. To determine the parameters of the simulation, the mask geometry is used before and if necessary. measured during repair with methods of the prior art, ie z. With an optical microscope (AIMS), electron microscope, ion microscope or atomic force microscope.
Erfindungsgemäß wird ferner eine Lithographiemaske mit einem transmittierenden Bereich vorgeschlagen, bei welcher Defektmaterial mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. einer der bevorzugten Ausführungsformen entfernt ist . Da mithilfe des Verfahrens bzw. der bevorzugten Ausführungsformen Defekte zuverlässig und insbesondere auch in transmittierenden Bereichen mit engen Platzverhältnissen effizient entfernt werden können, zeichnet sich eine derartige defektfreie Lithogra- phiemaske durch ein gutes optisches Abbildungsverhalten aus .According to the invention, a lithography mask with a transmissive region is furthermore proposed in which defect material is removed by the method according to the invention or one of the preferred embodiments. Since defects can be removed reliably and, in particular, also in transmissive areas with limited space, with the aid of the method or the preferred embodiments, such a defect-free lithography mask is distinguished by good optical imaging behavior.
In der Regel weist eine solche Lithographiemaske einen transmittierenden Bereich auf, welcher bezüglich einer Oberfläche der Lithographiemaske von einem bzw . mehreren Absorbermateri- alien eingefasst wird, wobei das bzw. die Absorbermaterialien in unterschiedlichen horizontalen Ebenen auf der Lithographiemaske angeordnet sind. Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert . Es zeigen :As a rule, such a lithographic mask has a transmissive region, which with respect to a surface of the lithographic mask is replaced by a respective one. several Absorbermateri- alien is enclosed, wherein the or the absorber materials are arranged in different horizontal planes on the lithography mask. The invention will be explained in more detail below with reference to FIGS. Show it :
Figuren 1 bis 4 einen Ausschnitt eines transmittierenden Phasenverschiebungsbereichs einer Phasenmaske mit einem Defekt sowie dessen Entfernung gemäß einer ersten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens jeweils in der Draufsicht und in einer seitlichen Schnittdarstellung;FIGS. 1 to 4 show a detail of a transmitting phase shift range of a phase mask with a defect and its removal according to a first embodiment of a method according to the invention, respectively in plan view and in a lateral sectional illustration;
Figuren 5 bis 8 einen weiteren transmittierenden Phasenverschiebungsbereich einer Phasenmaske mit einem Defekt sowie dessen Entfernung gemäß einer zweiten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens j eweils in der Draufsicht und in einer seitlichen Schnittdarstellung; undFIGS. 5 to 8 show a further transmitting phase shift range of a phase mask with a defect and its removal according to a second embodiment of a method according to the invention, in each case in plan view and in a lateral sectional view; and
Figuren 9 bis 11 die Entfernung des Defekts des Phasenverschiebungsbereichs von Figur 5 gemäß einer dritten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens j eweils in der Draufsicht und in einer seitlichen Schnittdarstellung.Figures 9 to 11, the removal of the defect of the phase shift region of Figure 5 according to a third embodiment of a method according to the invention in each case in the plan view and in a side sectional view.
Figur 1 zeigt einen Ausschnitt eines transmittierenden Phasenverschiebungsbereichs einer alternierenden Phasenmaske, im Folgenden als transmittierender Bereich 1 bezeichnet, in ei- ner schematischen Draufsicht sowie in einer schematischenFIG. 1 shows a detail of a transmissive phase shift region of an alternating phase mask, hereinafter referred to as transmitting region 1, in a schematic plan view and in a schematic
Schnittdarstellung . Die Schnittlinie für die Schnittdarstellung verläuft hierbei wie auch in den folgenden Figuren entlang der Schnittlinie AA der entsprechenden Draufsicht . Der transmittierende Bereich 1 liegt als Graben in einer Oberflä- che der Phasenmaske vor und wird, wie anhand der Draufsicht von Figur 1 erkennbar ist, bezüglich der Oberfläche von einem Absorbermaterial 3 wie beispielsweise Chrom eingefasst . Der transmittierende Bereich 1 weist eine Breite von beispielsweise 400 nm auf .Sectional view. The section line for the sectional view here, as well as in the following figures along the section line AA of the corresponding plan view. The transmissive region 1 is present as a trench in a surface of the phase mask and, as can be seen from the plan view of FIG. 1, is bordered with respect to the surface by an absorber material 3 such as, for example, chromium. The transmissive region 1 has a width of, for example, 400 nm.
Anhand der seitlichen Schnittdarstellung von Figur 1 ist der weitere Aufbau der Phasenmaske erkennbar . Die Phasenmaske weist eine Schicht eines transnaittierenden Trägermaterials 5 sowie eine weitere zwischen dem Absorber 3 und dem Trägermaterial 5 angeordnete Schicht eines transmittierenden Trägermaterials 4 auf. Üblicherweise handelt es sich bei den Trä- germaterialien 4 , 5 um das gleiche transmittierende Material wie beispielsweise Quarz .On the basis of the lateral sectional view of Figure 1, the further construction of the phase mask can be seen. The phase mask has a layer of a transnaittierenden carrier material 5 and another arranged between the absorber 3 and the substrate 5 layer of a transmissive carrier material 4. Usually, the carrier materials 4, 5 are the same transmitting material as, for example, quartz.
Im Rahmen der Herstellung der Phasenmaske wird das nicht von dem Absorbermaterial 3 bedeckte Trägermaterial 4 bis zur O- berfläche des Trägermaterials 5 weggeätzt, um die oben beschriebene Phasenverschiebung von 180 ° einer bei einer lithographischen Belichtung eingesetzten elektromagnetischen Strahlung hervorzurufen . Der Absorber 3 weist beispielsweise eine Dicke von 80 nm auf . Die Schicht des transmittierenden Trägermaterials 4 weist beispielsweise eine Dicke von 170 nm auf, um bei einer Belichtungswellenlänge von 193 nm eine Phasenverschiebung von 180° hervorzurufen.In the context of the production of the phase mask, the carrier material 4 not covered by the absorber material 3 is etched away to the surface of the carrier material 5 in order to produce the above-described phase shift of 180 ° of an electromagnetic radiation used in a lithographic exposure. The absorber 3 has, for example, a thickness of 80 nm. The layer of the transmissive carrier material 4 has, for example, a thickness of 170 nm in order to produce a phase shift of 180 ° at an exposure wavelength of 193 nm.
Figur 1 zeigt weiter einen Defekt 40 an einem Grabenende des transmittierenden Bereichs 1, welcher aus einem Rest von nicht weggeätztem Trägermaterial 4 hervorgeht . Ursache eines derartigen Defekts 40 ist beispielsweise ein vor der Ätzung auf dem Trägermaterial 4 angeordneter überschüssiger Rest des Absorbermaterials 3 bzw. ein Partikel . Dieser Defekt 40 führt beispielsweise zu einer Phase einer Belichtungsstrahlung von lediglich 0 ° , wodurch die Belichtungsstrahlung an der Kante des Defekts 40 aufgrund von destruktiver Interferenz ausgelöscht wird. Infolgedessen ruft der Defekt 40 eine störende Verdunkelung der Kante bzw. des Grabenendes während einer Ii- thographischen Belichtung hervor . Entsprechende Verdunkelungseffekte können auch bei von 0 ° verschiedenen Phasenverschiebungen aufgrund eines Defekts oder bei Streuung an dem Defekt auftreten .FIG. 1 further shows a defect 40 at a trench end of the transmissive region 1, which emerges from a residue of non-etched-away carrier material 4. The cause of such a defect 40 is, for example, an excess residue of the absorber material 3 or a particle arranged on the carrier material 4 before the etching. For example, this defect 40 results in a phase of exposure radiation of only 0 °, which extinguishes the exposure radiation at the edge of the defect 40 due to destructive interference. As a result, the defect 40 causes disturbing darkening of the edge or trench end during lithographic exposure. Corresponding darkening effects can also occur at phase shifts other than 0 ° due to a defect or scattering at the defect.
Um den Defekt bzw. Defektmaterial 40 zu entfernen, wird gemäß einer ersten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens wie in Figur 2 dargestellt zunächst in einem Außenbe- reich in der Nähe des Defekts 40 angrenzend an den transmit- tierenden Bereich 1 ein Hilfsloch 6 mithilfe eines fokussier- ten Ionenstrahls geätzt . Hierbei wird Absorbermaterial 3 und Trägermaterial 4 sowie, wie anhand von Figur 2 ersichtlich wird, gegebenenfalls auch ein kleiner Teil des Trägermaterials 5 abgetragen .In order to remove the defect or defect material 40, according to a first embodiment of a method according to the invention, as shown in FIG. In the vicinity of the defect 40 adjacent to the transmitting region 1, an auxiliary hole 6 is etched by means of a focused ion beam. In this case, absorber material 3 and carrier material 4 and, as can be seen from FIG. 2, if appropriate, also a small part of the carrier material 5 are removed.
Nachfolgend wird wie in Figur 3 dargestellt mithilfe eines nicht dargestellten Mikrohobels das Defektmaterial 40 ent- fernt . Hierbei wird das Defektmaterial 40 vorzugsweise inSubsequently, as shown in FIG. 3, the defect material 40 is removed by means of a micro planer (not shown). Here, the defect material 40 is preferably in
Richtung des bzw. in das Hilfsloch 6 geschoben . Als Mikroho- bel fungiert beispielsweise die Messspitze eines Rasterkraftmikroskops . Dieses Rasterkraftmikroskops kann gleichzeitig vorab zum Ausmessen des transmittierenden Bereichs 1 sowie des Defekts 40 herangezogen werden .Direction of or pushed into the auxiliary hole 6. For example, the measuring tip of an atomic force microscope acts as a microhob. This atomic force microscope can be used in advance for measuring the transmissive region 1 and the defect 40 at the same time.
Anschließend wird wie in Figur 4 dargestellt auf den freigelegten Außenbereich bzw. das Hilfsloch 6 eine Schicht eines absorbierenden Materials 7 mit einer Dicke von beispielsweise 40 nm aufgebracht . Als absorbierendes Material 7 wird vorzugsweise Kohlenstoff oder ein Metall wie Chrom eingesetzt, welches beispielsweise mithilfe eines Standardprozesses in dem Außenbereich abgeschieden wird. Auf diese Weise wird ein neuer transmittierender Bereich 10 der Phasenmaske ausgebil- det .Subsequently, as shown in FIG. 4, a layer of an absorbent material 7 having a thickness of, for example, 40 nm is applied to the exposed outer region or the auxiliary hole 6. The absorbent material 7 is preferably carbon or a metal such as chromium, which is deposited in the exterior area, for example, by means of a standard process. In this way, a new transmissive region 10 of the phase mask is formed.
Wie anhand der punktierten Linie der Figuren 1 bis 4 erkennbar ist, ragt das absorbierende Material 7 in den ursprünglichen transmittierenden Bereich 1 hinein, wodurch der trans- mittierende Bereich 10 lateral etwas kleiner ausgebildet ist als der ursprüngliche transmittierende Bereich 1. Hierdurch wird eine erhöhte Transmission von Belichtungsstrahlung bei einer Belichtung ausgeglichen. Ursache dieser erhöhten Transmission ist eine an dem reparierten defektfreien Grabenende des transmittierenden Bereichs 10 reduzierte Streuung der Belichtungsstrahlung aufgrund einer durch die Defektbeseitigung geänderten Kantenstruktur, welche von einer idealen Kantenstruktur abweicht .As can be seen from the dotted line in FIGS. 1 to 4, the absorbent material 7 protrudes into the original transmissive region 1, as a result of which the transmissive region 10 is laterally slightly smaller than the original transmissive region 1. This results in an increased transmission compensated by exposure radiation during an exposure. The cause of this increased transmission is a reduced scattering of the exposure radiation due to a defect removal at the repaired defect-free trench end of the transmissive region 10 changed edge structure, which deviates from an ideal edge structure.
Gegebenenfalls ist es vorzuziehen, die Phasenmaske vor dem Aufbringen des absorbierenden Materials 7 einem zusätzlichen Reinigungsprozess zu unterziehen. Auf diese Weise wird das von dem Mikrohobel abgetragene Defektmaterial 40 vollständig von der Phasenmaske entfernt, so dass das absorbierende Material 7 lediglich auf das Trägermaterial 5 und nicht auf in dem Hilfsloch 6 bzw. am Rand des Hilfslochs 6 befindlichesOptionally, it is preferable to subject the phase mask to an additional cleaning process prior to application of the absorbent material 7. In this way, the defect material 40 removed from the micro-planer is completely removed from the phase mask, so that the absorbent material 7 only on the substrate 5 and not in the auxiliary hole 6 or at the edge of the auxiliary hole 6 befindliches
Defektmaterial aufgebracht wird. Gegebenenfalls kann das verschobene Defektmaterial auch mit Absorber bedeckt werden, wenn die reparierte Struktur dann noch stabil gegen eine spätere Reinigung ist, oder auf eine solche Reinigung verzichtet werden kann .Defective material is applied. Optionally, the displaced defect material can also be covered with absorber, if the repaired structure is then still stable against subsequent cleaning, or can be dispensed with such a cleaning.
Anstelle das Hilfsloch 6 wie in Figur 2 dargestellt angrenzend an den transmittierenden Bereich auszubilden, ist es auch möglich, das Hilfsloch mit einem geringen Abstand in der Nähe des transmittierenden Bereichs auszubilden. Infolgedessen, werden mithilfe des Mikrohobels neben dem Defektmaterial 40 auch zusätzlich zwischen dem Defekt 40 und dem Hilfsloch vorliegendes Absorbermaterial 3 und unterhalb des Absorbermaterials 3 befindliches Trägermaterial 4 abgetragen .Instead of forming the auxiliary hole 6 adjacent to the transmissive region as shown in Fig. 2, it is also possible to form the auxiliary hole at a short distance in the vicinity of the transmissive region. As a result, in addition to the defect material 40, additional absorbent material 3 present between the defect 40 and the auxiliary hole 3 and support material 4 located below the absorber material 3 are also removed by means of the micro planer.
Darüber hinaus besteht die Möglichkeit, anstelle lediglich eines Hilfsloch 6 zwei Hilfslöcher angrenzend an und/oder in der Nähe von gegenüberliegenden Seiten des transmittierenden Bereichs 1 auszubilden. Diese Hilfslöcher werden beispiels- weise an den beiden Längsseiten des transmittierenden Bereichs 1 in der Nähe des Defekts 40 ausgebildet . Die Ausbildung von zwei Hilfslöchern ist insbesondere zur Defektbeseitigung bei einem als Loch mit relativ kleinen lateralen Abmessungen vorliegenden transmittierenden Bereich einer Pha- senmaske vorzuziehen . Dies wird anhand der folgenden Figuren 5 bis 8 näher erläutert . Figur 5 zeigt einen weiteren transmittierenden Phasenverschiebungsbereich einer Phasenmaske, im Folgenden als trans- raittierender Bereich 2 bezeichnet, mit einem Defekt 40 , welcher wiederum aus einem Rest von nicht weggeätztem Trägerma- terial 4 an einem Ende des transmittierenden Bereichs 2 hervorgeht . Der als Loch ausgebildete transmittierende Bereich 2 ist entsprechend bezüglich einer Oberfläche der Phasenmaske von einem Absorbermaterial 3 wie beispielsweise Chrom einge- fasst und weist beispielsweise eine Breite von 400 nm und ei- ne Länge von 800 nm auf .Moreover, instead of merely one auxiliary hole 6, it is possible to form two auxiliary holes adjacent to and / or in the vicinity of opposite sides of the transmitting region 1. These auxiliary holes are formed, for example, on the two longitudinal sides of the transmitting region 1 in the vicinity of the defect 40. The formation of two auxiliary holes is to be preferred in particular for the removal of defects in a present as a hole with relatively small lateral dimensions transmissive region of a phase mask. This will be explained in more detail with reference to the following figures 5 to 8. FIG. 5 shows a further transmitting phase-shifting region of a phase mask, referred to below as a transposing region 2, with a defect 40, which in turn emerges from a residue of non-etched-off carrier material 4 at one end of the transmitting region 2. The transmissive region 2 embodied as a hole is correspondingly encompassed by an absorber material 3 such as, for example, chromium with respect to a surface of the phase mask and has, for example, a width of 400 nm and a length of 800 nm.
Unterhalb des Absorbers 3 sind wiederum zwei Schichten aus transmittierendem Trägermaterial 4, 5 angeordnet, welche üblicherweise beide aus Quarz bestehen . Der Absorber 3 weist erneut beispielsweise eine Dicke von 80 nm auf. Die Dicke der Schicht des transmittierenden Trägermaterials 4 beträgt wiederum beispielsweise 170 nm, um bei einer Belichtungswellenlänge von 193 nm eine Phasenverschiebung der Belichtungsstrahlung von 180 ° hervorzurufen.Below the absorber 3, two layers of transmissive carrier material 4, 5 are again arranged, which usually both consist of quartz. The absorber 3 again has, for example, a thickness of 80 nm. The thickness of the layer of the transmitting carrier material 4 is again 170 nm, for example, in order to produce a phase shift of the exposure radiation of 180 ° at an exposure wavelength of 193 nm.
Zum Entfernen des Defekts 40 werden wie in Figur 6 dargestellt zwei Hilfslöcher 6 mithilfe eines fokussierten Ionenstrahls in einem Außenbereich an gegenüberliegenden Seiten des transmittierenden Bereichs 2 ausgebildet . Bei der Her- Stellung der Hilfslöcher 6 wird Absorbermaterial 3 und Trägermaterial 4 sowie gegebenenfalls auch ein kleiner Teil des Trägermaterials 5 abgetragen .In order to remove the defect 40, as shown in FIG. 6, two auxiliary holes 6 are formed by using a focused ion beam in an outer region on opposite sides of the transmitting region 2. When producing the auxiliary holes 6, absorber material 3 and carrier material 4 and optionally also a small part of the carrier material 5 are removed.
Anhand von Figur 6 ist weiter ersichtlich, dass das linke Hilfsloch 6 beispielsweise angrenzend an den transmittierenden Bereich 2 und das rechte Hilfsloch 6 beispielsweise in einem geringen Abstand in der Nähe des transmittierenden Bereichs 2 ausgebildet ist . Selbstverständlich besteht die Möglichkeit, beide Hilfslöcher 6 zusammen angrenzend an oder in der Nähe des transmittierenden Bereichs 2 auszubilden . Nachfolgend wird wie in Figur 7 dargestellt mithilfe eines nicht dargestellten Mikrohobels, bei dem es sich wiederum um die Messspitze eines Rasterkraftmikroskops handeln kann, das Defektmaterial 40 sowie am Rand des rechten Hilfslochs 6 be- findliches Absorbermaterial 3 und darunter angeordnetes Trägermaterial 4 abgetragen . Die betreffenden Materialien werden dabei vorzugsweise in Richtung der bzw. in die Hilfslöcher 6 geschoben .It is further apparent from FIG. 6 that the left auxiliary hole 6 is formed, for example, adjacent to the transmitting region 2 and the right auxiliary hole 6, for example, at a short distance near the transmitting region 2. Of course, it is possible to form both auxiliary holes 6 together adjacent to or in the vicinity of the transmitting region 2. Subsequently, as shown in FIG. 7, the defect material 40 and the absorber material 3 located at the edge of the right auxiliary hole 6 and the substrate material 4 arranged below are removed by means of a micro planer, which may again be the measuring tip of an atomic force microscope. The materials in question are preferably pushed in the direction of or into the auxiliary holes 6.
Nach einem optionalen Reinigungsprozess der Phasenmaske, in welchem die mithilfe des Mikrohobels abgetragenen Materialien vollständig beseitigt werden, werden der Außenbereich bzw. die Hilfslöcher 6 wie in Figur 8 dargestellt mit einer Schicht eines absorbierenden Materials 7 wie beispielsweise Kohlenstoff oder Metall bedeckt, so dass ein transmittieren- der Bereich 20 bereitgestellt wird. Die Schicht des absorbierenden Materials 7 weist wiederum eine Dicke von beispielsweise 40 nm auf .After an optional cleaning process of the phase mask, in which the materials removed with the micro planer are completely removed, the outer area or the auxiliary holes 6 are covered, as shown in FIG. 8, with a layer of absorbent material 7 such as carbon or metal, so that one is transmitted - The area 20 is provided. The layer of absorbent material 7 again has a thickness of, for example, 40 nm.
Anhand der in den Figuren 5 bis 8 dargestellten punktierten Linien ist ersichtlich, dass der transmittierende Bereich 20 wiederum kleiner ausgebildet ist als der ursprüngliche transmittierende Bereich 2. Auf diese Weise wird erneut eine durch eine reduzierte Streuung von Belichtungsstrahlung an der Kan- te des transmittierenden Bereichs 20 hervorgerufene erhöhte Transmission kompensiert .It can be seen from the dotted lines shown in FIGS. 5 to 8 that the transmitting region 20 is again smaller than the original transmitting region 2. In this way, another effect is the reduced scattering of exposure radiation at the edge of the transmitting region 20 compensated increased transmission compensated.
Wie anhand der Figuren 4 und 8 erkennbar ist, weisen die reparierten Phasenmasken jeweils einen transmittierenden Be- reich 10 bzw. 20 auf, welcher bezüglich einer Oberfläche der Phasenmasken von einem Absorbermaterial bzw. für den Fall, dass sich das aufgebrachte absorbierende Material 7 von dem Absorbermaterial 3 unterscheidet, von mehreren Absorbermaterialien eingefasst wird. Hierbei ist das bzw. sind die Absor- bermaterialien in unterschiedlichen horizontalen Ebenen auf den Phasenmasken angeordnet . Die Figuren 9 bis 11 zeigen die Entfernung des Defekts 40 in dem als Loch ausgebildeten transmittierenden Bereich 2 der Phasenmaske gemäß einer dritten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens, in welchem auf den Einsatz eines Mikrohobels verzichtet wird. Hierbei wird lediglich ein fo- kussierter Ionenstrahl eingesetzt, um Defektmaterial 40, Absorbermaterial 3 sowie darunter liegendes Trägermaterial 4 und gegebenenfalls einen geringen Teil des Trägermaterials 5 wie in Figur 10 dargestellt abzutragen. Auf diese Weise wird ein Hilfsloch 6 ausgebildet, welches einen relativ großen Teilbereich des transmittierenden Bereichs 2 einnimmt . Nach einem optionalen Reinigungsprozess der Phasenmaske wird wiederum, wie in Figur 11 gezeigt, absorbierendes Material 7 in einem Außenbereich aufgebracht, um einen transmittierenden Bereich 21 der Phasenmaske auszubilden.As can be seen with reference to FIGS. 4 and 8, the repaired phase masks each have a transmissive region 10 or 20 which is in relation to a surface of the phase masks of an absorber material or in the case that the applied absorbent material 7 of the Absorber material 3 differs, is bordered by several absorber materials. Here, the or the absorber materials are arranged in different horizontal planes on the phase masks. Figures 9 to 11 show the removal of the defect 40 in the formed as a hole transmitting region 2 of the phase mask according to a third embodiment of a method according to the invention, in which dispensed with the use of a micro planer. In this case, only one focused ion beam is used in order to remove defect material 40, absorber material 3 and underlying carrier material 4 and possibly a small portion of carrier material 5 as shown in FIG. In this way, an auxiliary hole 6 is formed, which occupies a relatively large portion of the transmissive region 2. After an optional cleaning process of the phase mask, in turn, as shown in FIG. 11, absorbing material 7 is applied in an outer region in order to form a transmissive region 21 of the phase mask.
Diese dritte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens lässt sich ebenfalls zur Defektbeseitigung an transmittierenden Bereichen mit einer anderen Geometrie einsetzen . Auf diese Weise könnte beispielsweise auch der Defekt 40 in dem in Figur 1 dargestellten als Graben vorliegenden transmittierenden Bereich 1 entfernt werden.This third embodiment of a method according to the invention can also be used for eliminating defects on transmissive areas with a different geometry. In this way, it would also be possible, for example, to remove the defect 40 in the transmissive region 1 shown in FIG. 1 as a trench.
Anhand der punktierten Linien der Figuren 9 bis 11 ist er- kennbar, dass der transmittierende Bereich 21 gegenüber dem ursprünglichen transmittierenden Bereich 2 lateral etwas größer ausgebildet ist . Auf diese Weise wird eine reduzierte Transmission von Belichtungsstrahlung in dem transmittierenden Bereich 21 ausgeglichen. Ursache der reduzierten Trans- mission sind in dem transmittierenden Bereich 21 implantierte Ionen des Ionenstrahls, welcher wie oben beschrieben in einem relativ großen Teilbereich des ursprünglichen transmittierenden Bereichs 2 zur Materialentfernung eingesetzt wird.It can be seen from the dotted lines of FIGS. 9 to 11 that the transmissive region 21 is laterally slightly larger than the original transmissive region 2. In this way, a reduced transmission of exposure radiation in the transmitting region 21 is compensated. The cause of the reduced transmission are ions of the ion beam implanted in the transmissive region 21 which, as described above, are used in a relatively large portion of the original transmissive region 2 for material removal.
Grundsätzlich ist es vorzuziehen, vor einem Aufbringen des absorbieren Materials 7 das optische Abbildungsverhalten der Phasenmaske mithilfe von Simulationen vorauszuberechnen. Auf der Grundlage dieser Simulationen kann das absorbierende Material 7 anschließend entsprechend einem gewünschten optimalen Abbildungsverhalten der Phasenmaske aufgebracht werden, so dass ein gegenüber dem ursprünglichen transmittierenden Bereich vergrößerter oder auch verkleinerter transmittieren- der Bereich ausgebildet wird. Möglich ist es auch, einen mit den Abmessungen des ursprünglichen transmittierenden Bereichs übereinstimmenden transmittierenden Bereich auszubilden .In principle, it is preferable to predict the optical imaging behavior of the phase mask by means of simulations before applying the absorbing material 7. On On the basis of these simulations, the absorbing material 7 can then be applied in accordance with a desired optimum imaging behavior of the phase mask, so that an area which is larger or smaller than the original transmitting area is formed. It is also possible to form a transmissive area matching the dimensions of the original transmitting area.
Gegebenenfalls ist es zusätzlich vorzuziehen, an einer mithilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens bzw. der beschriebenen Ausführungsformen reparierten Phasenmaske vor einem Lithographieeinsatz eine als „aerial image" bezeichnete Intensitätsverteilung einer Belichtungsstrahlung nach Durchstrahlen der Phasenmaske und eines Linsensystems zu messen und dadurch das Abbildungsverhalten der Phasenmaske zu überprüfen . Hierzu kann ein gängiges „aerial image measuring System" (AIMS ) eingesetzt werden.Optionally, it is additionally preferable to measure an intensity distribution of an exposure radiation referred to as "aerial image" on a phase mask repaired by the method according to the invention or the described embodiments before irradiating the phase mask and a lens system, thereby checking the imaging behavior of the phase mask. For this purpose, a common "aerial image measuring system" (AIMS) can be used.
Neben den anhand der Figuren beschriebenen Ausführungsformen des Verfahrens sind weitere Ausführungsformen vorstellbar . Beispielsweise ist es denkbar, in einem ersten Verfahrensschritt lediglich Defekt- und Absorbermaterial und kein un- terhalb des Absorbers befindliches transmittierendes Trägermaterial in einem Bearbeitungsbereich zu entfernen .In addition to the embodiments of the method described with reference to the figures, further embodiments are conceivable. For example, it is conceivable to remove only defect and absorber material in a first method step and no transmissive carrier material located below the absorber in a processing region.
Darüber hinaus sind das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die beschriebenen Ausführungsformen nicht nur zum Entfernen von Defektmaterial in transmittierenden Phasenverschiebungsbereichen von alternierenden Phasenmasken einsetzbar . Das Verfahren bzw. die beschriebenen Ausführungsformen lassen sich auch zur Defekt- bzw . Materialentfernung in transmittierenden Bereichen mit einer Phase von 0 ° sowie grundsätzlich auch zur Materialentfernung oder auch zum Entfernen von Partikeln in transmittierenden Bereichen anderer Lithographiemasken wie beispielsweise binärer Lithographiemasken oder reflektierender EUV-Masken heranziehen. In addition, the method according to the invention or the described embodiments can be used not only for removing defect material in transmitting phase-shift regions of alternating phase masks. The method or the described embodiments can also be used for defect or. Material removal in transmitting areas with a phase of 0 ° and in principle also for material removal or for removing particles in the transmitting areas of other lithographic masks such For example, use binary lithography masks or reflective EUV masks.

Claims

Ansprüche claims
1. Verfahren zum Entfernen von Defektmaterial ( 40 ) in einem transmittierenden Bereich (1; 2) einer Lithogra- phiemaske, welche transmittierendes Trägermaterial (4 ; 5) und Absorbermaterial (3) aufweist, umfassend die Verfahrensschritte : a) Abtragen von Defektmaterial ( 40 ) und Absorbermaterial (3 ) in einem Bearbeitungsbereich; und b) Aufbringen eines absorbierenden Materials (7) in einem Außenbereich, wobei der Außenbereich von dem Teilbereich des Bearbeitungsbereichs abhängt, der zuvor mit Absorbermaterial (3) bedeckt war .1. A method for removing defect material (40) in a transmissive region (1; 2) of a lithographic mask which has transmitting carrier material (4; 5) and absorber material (3), comprising the method steps: a) removal of defect material (40 ) and absorber material (3) in a processing area; and b) applying an absorbent material (7) in an outdoor area, said outdoor area depending on the portion of the processing area previously covered with absorbent material (3).
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei in Verfahrensschritt a) zum Abtragen von Defektmaterial (40 ) und Absorbermaterial (3) ein fokussierter Ionenstrahl eingesetzt wird.2. The method of claim 1, wherein in step a) for the removal of defect material (40) and absorber material (3), a focused ion beam is used.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei in Verfahrensschritt a) zunächst ein Hilfsloch ( 6) angrenzend an den oder in der Nähe des transmittierenden Bereichs (1) ausgebildet und nachfolgend mithilfe eines Mikrohobels Defektmaterial (40) oder Defektmaterial (40) und Absorbermaterial (3) entfernt wird.3. The method of claim 1, wherein in step a) first an auxiliary hole (6) formed adjacent to or in the vicinity of the transmitting region (1) and subsequently using a micro planer defect material (40) or defect material (40) and absorber material (3 ) Will get removed.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei in Verfahrensschritt a) zunächst zwei Hilfslöcher (6) angrenzend an und/oder in der Nähe von gegenüberliegende (n) Seiten des trans- mittierenden Bereichs (2) ausgebildet werden und nachfolgend mithilfe eines Mikrohobels Defektmaterial (40) oder Defektmaterial ( 40 ) und Absorbermaterial (3 ) entfernt wird.4. The method of claim 1, wherein in step a) first two auxiliary holes (6) adjacent to and / or in the vicinity of opposite (s) sides of the trans mittmittierenden area (2) are formed and subsequently using a micro planer defect material (40 ) or defect material (40) and absorber material (3) is removed.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4 , wobei zur Hilfslochbildung ein fokussierter Ionenstrahl einge- setzt wird .5. The method according to any one of claims 3 or 4, wherein for the auxiliary hole formation a focused ion beam inserted. is set.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die Lithographiemaske nach Entfernen des Defektmaterials (40) oder des Defektmaterials (40) und des Absorbermaterials (3) mithilfe des Mikrohobels einem zusätzlichen Reinigungsprozesses unterzogen wird.6. The method according to any one of claims 3 to 5, wherein the lithographic mask after removal of the defect material (40) or the defect material (40) and the absorber material (3) using the micro planer is subjected to an additional cleaning process.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wo- bei in Verfahrensschritt b) das absorbierende Material7. The method according to any one of the preceding claims, wherein in process step b) the absorbent material
(7 ) derart in dem Außenbereich aufgebracht wird, dass ein gegenüber dem ursprünglichen transmittierenden Bereich (2 ) vergrößerter transmittierender Bereich (21) der Lithographiemaske ausgebildet wird.(7) is applied in the outer region in such a way that an enlarged transmission region (21) of the lithographic mask is formed, which is larger than the original transmissive region (2).
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei in Verfahrensschritt b) das absorbierende Material ( 7 ) derart in dem Außenbereich aufgebracht wird, dass ein gegenüber dem ursprünglichen transmittierenden Bereich ( 1 ; 2 ) verkleinerter transmittierender Bereich (10 ; 20 ) der Lithographiemaske ausgebildet wird.8. Method according to one of claims 1 to 6, wherein in method step b) the absorbent material (7) is applied in the outer area in such a way that a transmissive area (10, 20) which is smaller than the original transmitting area (1; Lithography mask is formed.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in Verfahrensschritt b) als absorbierendes Material ( 7 ) Kohlenstoff oder Metall eingesetzt wird.9. The method according to any one of the preceding claims, wherein in step b) as absorbent material (7) carbon or metal is used.
10. Lithographiemaske mit einem transmittierenden Bereich ( 10 ; 20 ; 21) , bei welcher Defektmaterial (40 ) mit einem10. lithography mask having a transmissive region (10; 20; 21), in which defect material (40) with a
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche ent- fernt ist .Method according to one of the preceding claims is removed.
11. Lithographiemaske nach Anspruch 10, die wenigstens ein Hilfsloch ( 6) angrenzend an den oder in der Nähe des transmittierenden Bereichs (10; 20 ; 21) aufweist .A lithographic mask according to claim 10, comprising at least one auxiliary hole (6) adjacent to or near the transmitting region (10; 20; 21).
12. Lithographiemaske mit einem transmittierenden Bereich (10 ; 20) , welcher bezüglich einer Oberfläche der Litho- graphiemaske von einem bzw. mehreren Absorbermaterialen (3 ; 7 ) eingefasst wird, wobei das bzw. die Absorbermaterialien ( 3 ; 7 ) in unterschiedlichen horizontalen Ebenen auf der Lithographiemaske angeordnet sind. 12. lithographic mask having a transmissive region (10; 20) which is oriented relative to a surface of the litho graphiemaske of one or more absorber materials (3; 7) is enclosed, wherein the or the absorber materials (3; 7) are arranged in different horizontal planes on the lithography mask.
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