EP1722440B1

EP1722440B1 - Optoelectronically controlled switch, modulator or attenuator

Info

Publication number: EP1722440B1
Application number: EP20060007730
Authority: EP
Inventors: Gerhard Kahmen
Original assignee: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG
Current assignee: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG
Priority date: 2005-05-09
Filing date: 2006-04-12
Publication date: 2009-08-12
Anticipated expiration: 2026-04-12
Also published as: EP1722440A1; DE502006004484D1; DE102005021298A1

Description

Die Erfindung betrifft einen optoelektronisch gesteuerten Abschwächer.The invention relates to an optoelectronic controlled attenuator.

Das Ausnutzen des photoelektrischen Effekts zum Realisieren eines elektrischen Schalters ist in der EP 0 812 067 B1 beschrieben. Dort werden mit Hilfe eines Lasers kurze Lichtpulse erzeugt, mit denen eine aktive Zone eines Photoleitermaterials belichtet wird. An zwei Seiten des Photoleitermaterials ist jeweils eine Elektrode aufgebracht, so dass durch das einfallende Licht eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den beiden Leitern erzeugt wird. Um große Stromflüsse zu ermöglichen, ohne das Photoleitermaterial thermisch zu zerstören, wird die Lichtenergie des einfallenden Laserlichts so gewählt, dass das verbotene Band innerhalb des Photoleitermaterials nur durch eine Mehrfachanregung überwunden werden kann. Auf diese Weise wird die Eindringtiefe der Photonen in das Material erhöht und damit letztlich der leitende Querschnitt vergrößert.The exploitation of the photoelectric effect for realizing an electric switch is in EP 0 812 067 B1 described. There, short laser pulses are generated by means of a laser, with which an active zone of a photoconductor material is exposed. In each case an electrode is applied to two sides of the photoconductive material, so that an electrically conductive connection between the two conductors is generated by the incident light. In order to allow large current flows without thermally destroying the photoconductive material, the light energy of the incident laser light is chosen so that the forbidden band within the photoconductive material can only be overcome by multiple excitation. In this way, the penetration depth of the photons is increased in the material and thus ultimately increases the conductive cross-section.

Die beschriebene Anordnung hat den Nachteil, dass eine Verwendung im Hochfrequenzbereich nicht möglich ist. Durch die nur teilweise beleuchtete Fläche zwischen den beiden auf dem Photoleitermaterial aufgebrachten Kontakten sowie die große Eindringtiefe wird die Abstimmung einer Hochfrequenzschaltung nachteilig beeinflusst. Daher war es in der Hochfrequenztechnik, z. B. zur Herstellung von Dämpfungsleitungen, bisher notwendig, die Schaltelemente durch ggf. beleuchtete Feldeffekt-Transistoren zu realisieren, was z. B. aus der DE 102 28 810 A1 bekannt ist.The described arrangement has the disadvantage that use in the high-frequency range is not possible. Due to the only partially illuminated surface between the two contacts applied to the photoconductor material contacts and the large penetration depth tuning of a high-frequency circuit is adversely affected. Therefore, it was in high frequency technology, z. B. for the production of attenuation lines, previously necessary to realize the switching elements by possibly illuminated field effect transistors, which z. B. from the DE 102 28 810 A1 is known.

Ferner ist aus der Veröffentlichung "Photoconductivity effects in polycristalline silicon and optically controlled coplanar waveguide switch" ( Twarowski, et al.; Annales des Telecommunications - Annals of Telecommunication, Get Lavoisier, Paris, FR, Bd. 56, Nr. 3/4, März 2001, Seiten 208-214 , ) bekannt, auf einem Halbleitermaterial zumindest einen ersten Leitungsabschnitt und einen davon beabstandeten zweiten Leitungsabschnitt anzuordnen, die gemeinsam ein Leitungsabschnittspaar bilden. Zwischen den beiden Leitungsabschnitten ist ein Bereich des Halbleitermaterials ausgebildet, welcher durch eine Lichtquelle beleuchtbar ist. Dabei maskieren die Leitungsabschnitte das Halbleitermaterial. Es wird damit ein optoelektronisch gesteuerter Schalter Modulator ausgebildet.Furthermore, the publication "Photoconductivity effects in polycrystalline silicon and optically controlled coplanar waveguide switch" (US Pat. Twarowski, et al .; Annales of Telecommunications - Annals of Telecommunication, Get Lavoisier, Paris, FR, Vol. 56, No. 3/4, March 2001, pages 208-214 ,) are known to arrange on a semiconductor material at least a first line section and a second line section spaced therefrom, which together form a line section pair. Between the two line sections, a region of the semiconductor material is formed, which can be illuminated by a light source. In this case, the line sections mask the semiconductor material. It is thus formed an opto-electronically controlled switch modulator.

Aus der US 3,793,521 , als nächstliegender Stand der Technick, ist ferner ein Spannungsteiler bekannt, bei dem photosensitive Elemente mit einer Lichtquelle belichtet werden. Zwischen der Lichtquelle und dem photosensitiven Element sind ein Analysator und ein Polarisator angeordnet. In Abhängigkeit von der relativen, mechanisch einstellbaren Position des Polarisators und des Analysators zueinander wird die Lichtintensität, welche auf das photosensitive Element trifft, eingestellt.From the US 3,793,521 as the closest prior art, a voltage divider is further known, are exposed in the photosensitive elements with a light source. Between the light source and the photosensitive element, an analyzer and a polarizer are arranged. Depending on the relative, mechanically adjustable position of the polarizer and the analyzer relative to one another, the light intensity which strikes the photosensitive element is adjusted.

Aus JP63-033727 A ist es bekannt um zwischen einem Polarisator und einem Analysator ein spannungsgesteuertes elektrooptisches Element anzuordnen, um die Polarisationsrichtung eines Lichtstrahls rotieren zu können.Out JP63-033727 A It is known to arrange a voltage-controlled electro-optical element between a polarizer and an analyzer in order to be able to rotate the polarization direction of a light beam.

Aus der DE-OS 1 800 123 ist ein regelbares Dämpfungsglied bekannt. Bei dem regelbaren Dämpfungsglied wird ein Photowiderstand mit wenigstens einer Lichtquelle beleuchtet. Zur Veränderung des Widerstands wird die Beleuchtungsstärke eingestellt.From the DE-OS 1 800 123 is known a controllable attenuator. In the variable attenuator, a photoresistor is illuminated with at least one light source. To change the resistance, the illuminance is set.

Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen optoelektronisch gesteuerten Abschwächer für den Einsatz in Hochfrequenzschaltungen zu schaffen.It is the object of the invention to provide an opto-electronically controlled attenuator for use in high-frequency circuits.

Die Aufgabe wird durch den erfindungsgemäßen Abschwächer mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.The object is achieved by the attenuator according to the invention with the features of claim 1.

Bei dem erfindungsgemäßen optoelektronisch gesteuerten Abschwächer wird ein Halbleitermaterial verwendet, auf das ein Leiterabschnittspaar aufgebracht wird. Das Leitungsabschnittspaar besteht aus einem ersten Leitungsabschnitt und einem zweiten Leitungsabschnitt, die beabstandet zueinander auf dem Halbleitermaterial angeordnet sind. Das Halbleitermaterial wird dabei durch die beiden Leitungsabschnitte maskiert, so dass in dem nicht maskierten Bereich der beiden Leitungsabschnitte eine definierte Fläche entsteht, in der das Halbleitermaterial mit Licht beleuchtet werden kann. Im übrigen wird das Halbleitermaterial durch die beiden Leitungsabschnitte maskiert, so dass bei Beleuchten des Halbleitermaterials mit einer Lichtquelle lediglich der nicht maskierte Bereich zwischen den beiden Leitungsabschnitten mit der Lichtquelle bestrahlt wird. Die Beleuchtung in dem nicht maskierten Bereicht ist dabei vollständig. Die Lichtintensität in dem nicht maskierten Bereich ist stufenlos einstellbar, so dass eine stufenlose Einstellung des Widerstands des Schalters oder Modulators möglich ist. Zwischen der Lichtquelle und dem zu beleuchtenden Halbleitermaterial ist eine Anordnung aus einem Analysator und einem Polarisator vorgesehen. Durch den Polarisator wird das einfallende Licht der Lichtquelle zunächst polarisiert, wobei nur bei einer entsprechenden Ausrichtung des Analysators die Kombination aus Analaysator und Polarisator für das Licht durchlässig ist und so das Halbleitermaterial beleuchtet. Zum Ausschalten wird die Orientierung der Polarisationsrichtung entweder des Polarisators oder des Analysators geändert, wodurch die Kombination des Analysators mit dem Polarisator für das einfallende Licht undurchlässig wird. Auf das Halbleitermaterial fällt infolgedessen kein Licht und es werden keine Ladungsträger generiert, so dass der Schalter geöffnet ist. Die Änderung der Polarisationsrichtung wird durch Anlegen einer Spannung an ein entsprechendes elektrooptisches Kristallmaterial realisiert.In the optoelectronic controlled attenuator according to the invention, a semiconductor material is used, to which a conductor section pair is applied. The line section pair consists of a first line section and a second line section, which are arranged spaced apart on the semiconductor material. In this case, the semiconductor material is masked by the two line sections, so that a defined area arises in the non-masked area of the two line sections, in which the semiconductor material can be illuminated with light. Moreover, the semiconductor material is masked by the two line sections, so that when the semiconductor material is illuminated with a light source, only the unmasked area between the two line sections is irradiated with the light source. The lighting in the unmasked area is complete. The light intensity in the unmasked area is infinitely adjustable, so that a stepless adjustment of the resistance of the switch or modulator is possible. Between the light source and the semiconductor material to be illuminated, an arrangement of an analyzer and a polarizer is provided. The incident light of the light source is first polarized by the polarizer, whereby only if the analyzer has a corresponding orientation, the combination of analog and polarizer is transparent to the light and thus illuminates the semiconductor material. To turn off, the orientation of the polarization direction is either of the polarizer or analyzer, whereby the combination of the analyzer with the polarizer becomes opaque to the incident light. As a result, no light falls on the semiconductor material and no charge carriers are generated so that the switch is open. The change of polarization direction is realized by applying a voltage to a corresponding electro-optic crystal material.

Bei dem erfindungsgemäßen Abschwächer nach Anspruch 1 werden zumindest drei Abschwächelemente in T-Anordnung oder in π-Anordnung verwendet, wobei die einzelnen Abschwächelemente in ihrem Aufbau jeweils einem optoelektronisch gesteuerten Schalter oder Modulator entsprechen. D. h. jedes der drei Abschwächelemente weist ein Halbleitermaterial auf, auf dem jeweils ein Leitungsabschnittspaar angeordnet ist. Die Leitungsabschnittspaare weisen jeweils einen ersten Leitungsabschnitt sowie einen zweiten Leitungsabschnitt auf, die das Halbleitermaterial maskieren. In dem zwischen den beiden Leitungsabschnitten ausgebildeten Bereich ist das Halbleitermaterial nicht maskiert und durch eine Lichtquelle vollständig beleuchtbar. Durch eine unterschiedliche Lichtintensität in den Bereichen der einzelnen Abschwächelemente lässt sich damit die Abschwächung einstellen, ohne dass eine Leitungsanpassung zerstört wird.In the attenuator according to the invention according to claim 1, at least three attenuating elements are used in T-arrangement or in π-arrangement, wherein the individual attenuation elements each correspond in structure to an opto-electronically controlled switch or modulator. Ie. Each of the three attenuation elements has a semiconductor material, on each of which a line section pair is arranged. The line section pairs each have a first line section and a second line section which mask the semiconductor material. In the region formed between the two line sections, the semiconductor material is not masked and can be fully illuminated by a light source. By means of a different light intensity in the areas of the individual attenuation elements, the attenuation can be adjusted without destroying a line adaptation.

Der Abschwächer ist insbesondere im Bereich von Mikrowellenschaltungen und Millimeterwellensignalen einsetzbar.The attenuator can be used in particular in the field of microwave circuits and millimeter-wave signals.

Die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen betreffen vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Abschwächers.The measures listed in the dependent claims relate to advantageous developments of the attenuator according to the invention.

Insbesondere ist es vorteilhaft, das Halbleitermaterial als dünne Schicht auf einem Substrat aus Keramik, Glas oder Quarz aufzubringen. Damit ist eine unmittelbare Integration des optoelektronisch gesteuerten Abschwächers in eine Hochfrequenzschaltung möglich. Insbesondere werden die Leitungsabschnitte beispielsweise durch auf dem Halbleitermaterial weitergeführte Leiterbahnen des Substrats gebildet. Die Leiterbahnen auf dem Substrat können insbesondere Streifenleiter sein. Die Verbindung zwischen den Leiterbahnen des Substrats und den Leitungsabschnitten kann beispielsweise durch Bonddrähte erfolgen.In particular, it is advantageous to use the semiconductor material as a thin layer on a substrate made of ceramic, glass or to apply quartz. Thus, a direct integration of the opto-electronically controlled attenuator in a high-frequency circuit is possible. In particular, the line sections are formed, for example, by conductor tracks of the substrate carried on the semiconductor material. The conductor tracks on the substrate may in particular be strip conductors. The connection between the conductor tracks of the substrate and the line sections can be effected for example by bonding wires.

Eine besonders vorteilhafte Form einen Schalter oder Modulator zu realisieren besteht darin, eine Lichtquelle vorzusehen, welche kontinuierlich Licht emittiert.A particularly advantageous form of implementing a switch or modulator is to provide a light source which emits light continuously.

Bei dem Abschwächer ist es insbesondere vorteilhaft, bei zwei der drei Abschwächelemente eine identische Ausrichtung des Analysators vorzusehen. Der dritte Analysator kann hierzu senkrecht angeordnet sein und ist unabhängig von den anderen beiden Analysatoren in seiner Polarisationsrichtung steuerbar. Die Polarisationsrichtung der identisch ausgerichteten Analysatoren wird dagegen durch Anlegen einer Spannung an einen Polarisationskristall relativ zu der Orientierung der Polarisationsrichtung der Polarisatoren geändert. Durch eine kontinuierliche Änderung der Polarisationsrichtung der Analysatoren relativ zu der Polarisationsrichtung des Polarisators ist ein stufenloses Einstellen der Abschwächung in dem T- bzw. π-Glied möglich. Insbesondere ist es vorteilhaft, dass die Gesamtimpedanz der Schaltung über eine kontinuierlich einstellbare Abschwächung nicht geändert wird.In the case of the attenuator, it is particularly advantageous to provide an identical alignment of the analyzer in two of the three attenuation elements. For this purpose, the third analyzer can be arranged vertically and can be controlled independently of the other two analyzers in its polarization direction. On the other hand, the polarization direction of the identically aligned analyzers is changed by applying a voltage to a polarization crystal relative to the orientation of the polarization direction of the polarizers. By continuously changing the polarization direction of the analyzers relative to the polarization direction of the polarizer, continuous adjustment of the attenuation in the T or π element is possible. In particular, it is advantageous that the total impedance of the circuit is not changed via a continuously adjustable attenuation.

Zu betonen ist, dass es sich bei dem Halbleitermaterial um keine Transistorstruktur handelt und das Schalten nicht durch Schalten eines Transistors sondern durch Verändern der Lichtbestrahlung, z. B. durch Schalten der Lichtquelle oder eines Polarisators, hervorgerufen wird.It should be emphasized that the semiconductor material is not a transistor structure and the switching is not by switching a transistor but by changing the light irradiation, e.g. B. by switching the light source or a polarizer caused.

Bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen optoelektronisch gesteuerten Abschwächers sind in der Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1: eine schematische Darstellung eines Schalters oder Modulators;
Fig. 2: eine schematische Darstellung eines optoelektronisch gesteuerten Schalters oder Modulators;
Fig. 3: eine Darstellung eines zweiten Schalters oder Modulators;
Fig. 4: eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Abschwächers in T-Anordung und
Fig. 5: eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Abschwächers in π-Anordnung.

Preferred embodiments of the optoelectronic controlled attenuator according to the invention are shown in the drawing and are explained in more detail in the following description. Show it:

Fig. 1: a schematic representation of a switch or modulator;
Fig. 2: a schematic representation of a opto-electronically controlled switch or modulator;
Fig. 3: a representation of a second switch or modulator;
Fig. 4: a schematic representation of an attenuator according to the invention in T-arrangement and
Fig. 5: a schematic representation of an attenuator according to the invention in π-arrangement.

In der Fig. 1 ist eine erste einfache Ausführungsform eines optoelektronisch gesteuerten Schalters oder Modulators dargestellt. Der einfacheren Darstellung wegen wird nachfolgend im allgemeinen nur der Begriff Schalter verwendet. Der Schalter 1 umfasst einen ersten Leitungsabschnitt 2 und einen zweiten Leitungsabschnitt 3. Der erste Leitungsabschnitt 2 und der zweite Leitungsabschnitt 3 sind, wie es der Querschnitt der Fig. 1 zeigt, so angeordnet, dass sie ein Halbleitermaterial 4 teilweise bedecken. Das Halbleitermaterial 4 ist so gewählt, dass es unter Bestrahlung einer Lichtquelle 5 leitend wird, in dem durch die auftreffenden Photonen angeregt Elektron-Loch-Paare generiert werden. Bei einer Beleuchtung des Halbleitermaterials 4 mit einer Lichtquelle 5 wird daher eine leitende Verbindung zwischen dem ersten Leitungsabschnitt 2 und dem zweiten Leitungsabschnitt 3 erzeugt.In the Fig. 1 a first simple embodiment of an opto-electronically controlled switch or modulator is shown. For the sake of simplicity, only the term switch will be used hereinafter. The switch 1 comprises a first line section 2 and a second line section 3. The first line section 2 and the second line section 3 are, as is the cross section of FIG Fig. 1 shows arranged so that they partially cover a semiconductor material 4. The semiconductor material 4 is chosen so that it becomes conductive under the irradiation of a light source 5 in which electron-hole pairs excited by the incident photons are generated. When the semiconductor material 4 is illuminated with a light source 5, a conductive connection is therefore produced between the first line section 2 and the second line section 3.

Das Halbleitermaterial 4 ist auf einem Substrat 6 angeordnet, welches beispielsweise aus Keramik, Glas oder Quarz besteht und auch als Träger der mit den Leitungsabschnitten 2 und 3 verbundenen ersten Leitung 12 und zweiten Leitung 13 fungiert. Die Leitungen 12, 13 können insbesondere Streifenleiter einer auf einer Leiterplatte angeordneten Hochfrequenzschaltung sein, die mit den Leitungsabschnitten 2 bzw. 3 durch Bonddräthe verbunden sind. Das Halbleitermaterial 4 wird so durch einen ersten Leitungsabschnitt 2 und den zweiten Leitungsabschnitt 3 bedeckt, dass eine Maskierung des Halbleitermaterials 4 entsteht. Lediglich in dem Abstand zwischen dem ersten Leitungsabschnitt 2 und dem zweiten Leitungsabschnitt 3 ist ein Bereich 7 ausgebildet, der nicht maskiert ist. Damit ist die Maskierung des Halbleitermaterials 4 durch das Leitungsabschnittspaar bestehend aus den beiden Leitungsabschnitten 2, 3 so ausgebildet, dass das Halbleitermaterial 4 lediglich in einem definierten, nicht maskierten Bereich 7 durch die Lichtquelle 5 beleuchtet werden kann. Der nicht maskierte Bereich 7 wird von der Lichtquelle 5 zum Schließen des Schalters vollständig beleuchtet.The semiconductor material 4 is arranged on a substrate 6 which, for example, consists of ceramic, glass or quartz and also acts as a carrier of the first line 12 and second line 13 connected to the line sections 2 and 3. The lines 12, 13 may in particular be strip conductors of a circuit disposed on a circuit board high-frequency circuit, the are connected to the line sections 2 and 3 by Bonddräthe. The semiconductor material 4 is covered by a first line section 2 and the second line section 3 such that a masking of the semiconductor material 4 is produced. Only in the distance between the first line section 2 and the second line section 3, a region 7 is formed, which is not masked. Thus, the masking of the semiconductor material 4 is formed by the pair of line sections consisting of the two line sections 2, 3 so that the semiconductor material 4 can be illuminated only in a defined, non-masked area 7 by the light source 5. The unmasked area 7 is completely illuminated by the light source 5 for closing the switch.

Die dargestellte Anordnung des Schalters 1 erzeugt lediglich geringe parasitäre Kapazitäten zwischen den Leitungsabschnitten 2, 3. Aufgrund der geringen Zeiten zur Generation eines Elektron-Loch-Paares in dem nicht maskierten Bereich 7 des Halbleitermaterials 4 ergeben sich extrem kurze Schaltzeiten. Durch Einstellen der Lichtstärke, die den nicht maskierten Bereich 7 des Halbleitermaterials 4 beleuchtet, wird der Widerstand der Verbindung der beiden Leitungsabschnitte 2 und 3 kontinuierlich eingestellt. Der in der Fig.1 dargestellte Schalter wird damit zu einem Modulator. Die Möglichkeit der kontinuierlichen Änderung des Widerstands des Modulators erlaubt es, Leistungsrampen für HF-Signale oder beispielsweise Pulsmodulationen zu erzeugen.The illustrated arrangement of the switch 1 generates only small parasitic capacitances between the line sections 2, 3. Due to the low times for generation of an electron-hole pair in the unmasked area 7 of the semiconductor material 4 results in extremely short switching times. By adjusting the light intensity illuminating the unmasked area 7 of the semiconductor material 4, the resistance of the connection of the two line sections 2 and 3 is continuously adjusted. The Indian Fig.1 shown switch is thus a modulator. The possibility of continuously changing the resistance of the modulator makes it possible to generate power ramps for RF signals or, for example, pulse modulations.

Bei der in der Fig. 1 dargestellten Anordnung des Schalters 1 erfolgt das Schalten durch Einstellen des Stromflusses durch die Lichtquelle 5. Wie es bereits erläutert wurde, kann neben dem reinen Ein- und Ausschalten auch ein definierter Widerstand erzeugt werden, indem die Stromstärke für die Lichtquelle 5 und damit die Lichtintensität so gewählt wird, dass nur eine reduzierte Anzahl von Ladungsträgern in dem Bereich 7 des Halbleitermaterials 4 generiert wird.When in the Fig. 1 As already explained, in addition to the pure switching on and off, a defined resistance can also be generated by the current intensity for the light source 5 and thus the light intensity in this way is chosen only one reduced number of charge carriers in the region 7 of the semiconductor material 4 is generated.

In der Fig. 2 ist ein optoelektronischen Schalter 1' dargestellt. Im Gegensatz zu der Anordnung der Fig. 1 ist in der Fig. 2 eine Laserdiode als Lichtquelle 5' vorgesehen. Die Laserdiode 5' wird im Dauerbetrieb betrieben, so dass von der Laserdiode 5' permanent Licht ausgesendet wird. Um den Lichteinfall in dem Bereich 7 des Halbleitermaterials 4 steuern zu können, ist oberhalb der Anordnung bestehend aus dem Halbleitermaterial 4 sowie dem Leitungsabschnittspaar mit den Leitungsabschnitten 2 und 3 ein Analysator 8 angeordnet. Anstelle der in den Beispielen angegebenen Laserdiode 5' kann auch eine LED mit einem Licht geeigneter Wellenlänge verwendet werden.In the Fig. 2 is an optoelectronic switch 1 'shown. In contrast to the arrangement of Fig. 1 is in the Fig. 2 a laser diode as the light source 5 'is provided. The laser diode 5 'is operated in continuous operation, so that light is emitted by the laser diode 5' permanently. In order to be able to control the incidence of light in the area 7 of the semiconductor material 4, an analyzer 8 is arranged above the arrangement consisting of the semiconductor material 4 and the line section pair with the line sections 2 and 3. Instead of the laser diode 5 'indicated in the examples, an LED with a light of suitable wavelength can also be used.

Der Analysator 8 ist lediglich für Licht einer bestimmten Polarisationsrichtung durchlässig. Oberhalb des Analysators 8, jedoch unterhalb der Lichtquelle 5' ist ein Polarisator 9 angeordnet. Der Polarisator 9 ist ebenfalls nur für Licht einer bestimmten Polsarisationsrichtung durchlässig. Unterscheiden sich die Polarisationsrichtungen des Analysators 8 sowie des Polarisators 9, so trifft kein Licht in dem Bereich 7 auf das Halbleitermaterial 4 auf. Die Polarisationsrichtung entweder des Analysators 8 oder des Polarisators 9 ist änderbar. Dies wird durch Verwendung eines entsprechenden Kristalls erreicht , der die Polarisationsrichtung durch Anlegen einer Spannung ändert. Die Polarisationsrichtung des Analysators 8 sowie des Polarisators 9 liegen jeweils parallel zu der Fläche, in der das Halbleitermaterial 4 angeordnet ist.The analyzer 8 is transparent only to light of a certain polarization direction. Above the analyzer 8, but below the light source 5 ', a polarizer 9 is arranged. The polarizer 9 is also permeable only to light of a certain Polsarisationsrichtung. If the polarization directions of the analyzer 8 and the polarizer 9 are different, no light strikes the semiconductor material 4 in the region 7. The polarization direction of either the analyzer 8 or the polarizer 9 is changeable. This is achieved by using a corresponding crystal which changes the polarization direction by applying a voltage. The polarization direction of the analyzer 8 and of the polarizer 9 are in each case parallel to the surface in which the semiconductor material 4 is arranged.

Die Änderung der Polarisationsrichtung kann entweder durch den Analysator 8 oder den Polarisator 9 erfolgen. Bei einer Drehung der Polarisationsrichtung des Analysators 8 relativ zu der Polarisationsrichtung des Polarisators 9 ist eine kontinuierliche Abstimmung der einfallenden Lichtintensität in dem nicht maskierten Bereich 7 auf dem Halbleitermaterial 4 möglich. Die höchste Leitfähigkeit in dem Halbleitermaterial 4 wird erreicht, wenn die Polarisationsrichtungen des Analysators 8 und des Polarisators 9 parallel zueinander orientiert sind. Die Leitfähigkeit wird dann durch die maximal erreichbare Leitfähigkeit des Halbleitermaterials 4 begrenzt. Ausgehend von dieser parallelen Anordnung der Polarisationsrichtungen des Analysators 8 sowie des Polarisators 9 ist eine kontinuierliche Drehung der Polarisationsrichtungen relativ zueinander möglich. In der Endposition sind die Polarisationsrichtungen das Analysators 8 und des Polarisators 9 senkrecht zueinander orientiert, so dass das durch den Polarisator 9 polarisierte Licht nicht durch den Analysator 8 hindurch treten kann und kein Lichteinfall in dem Bereich 7 des Halbleitermaterials 4 erfolgt. Das Halbleitermaterial 4 ist daher hochohmig und die Leitungsabschnitte 2 und 3 sind voneinander isoliert.The change of polarization direction can be done either by the analyzer 8 or the polarizer 9. With a rotation of the polarization direction of the analyzer 8 relative to the polarization direction of the polarizer. 9 a continuous tuning of the incident light intensity in the unmasked area 7 on the semiconductor material 4 is possible. The highest conductivity in the semiconductor material 4 is achieved when the polarization directions of the analyzer 8 and the polarizer 9 are oriented parallel to each other. The conductivity is then limited by the maximum achievable conductivity of the semiconductor material 4. Starting from this parallel arrangement of the polarization directions of the analyzer 8 and of the polarizer 9, a continuous rotation of the polarization directions relative to one another is possible. In the end position, the polarization directions of the analyzer 8 and the polarizer 9 are oriented perpendicular to each other, so that the light polarized by the polarizer 9 can not pass through the analyzer 8 and no light is incident in the region 7 of the semiconductor material 4. The semiconductor material 4 is therefore high impedance and the line sections 2 and 3 are insulated from each other.

Um den Widerstand des Schalters 1 in geschlossenem Zustand zu reduzieren, wird das Halbleitermaterial 4 auf einem lichtdurchlässigen Substrat 6 angeordnet. Zusätzlich zu den Leitungsabschnitten 2 und 3 werden auch auf der gegenüberliegenden Seite des Halbleitermaterials 4 entsprechende Leitungsabschnitte ausgebildet, die ebenfalls mit den Leitern 12, 13 verbunden sind. Auch auf der gegenüberliegenden Seite des Halbleitermaterials 4 wird durch die entsprechenden Leitunsabschnitte das Halbleitermaterial maskiert, so dass zwischen den Leitungsabschnitten ein nicht maskierter Bereich entsteht. Auf dieser gegenüberliegenden Seite ist ebenfalls eine Lichtquelle vorgesehen, mit der der nicht maskierte Bereich vollständig beleuchtbar ist. Aufgrund des lichtdurchlässigen Substrats 6 kann das Halbleitermaterial 4 nun beidseitig beleuchtet werden und damit der minimale Schalterwiderstand in geschlossenem Zustand des Schalters 1 halbiert werden. Zum Einstellen der Lichtstärke, die auf den nicht maskierten Bereich dieser gegenüberliegenden Seite fällt sind alle Maßnahmen anwendbar, die auf auf der anderen Seite angewendet werden.In order to reduce the resistance of the switch 1 in the closed state, the semiconductor material 4 is arranged on a transparent substrate 6. In addition to the line sections 2 and 3, corresponding line sections, which are likewise connected to the conductors 12, 13, are also formed on the opposite side of the semiconductor material 4. Also on the opposite side of the semiconductor material 4 is masked by the corresponding Leitunsabschnitte the semiconductor material, so that between the line sections an unmasked area is formed. On this opposite side, a light source is also provided, with which the unmasked area can be fully illuminated. Due to the translucent substrate 6, the semiconductor material 4 can now be illuminated on both sides and thus the minimum switch resistance in the closed state of the switch 1 are halved. For adjusting the light intensity, the on If the unmasked area of this opposite side falls, then all the measures applied to the other side are applicable.

In der Fig. 3 ist eine weitere bevorzugte Form des Schalters dargestellt. Der dort dargestellte Schalter 11 weist ein erstes Schaltelement 11.1 und ein zweites Schaltelement 11.2 auf. Das erste Schaltelement 11.1 entspricht in seinem Aufbau dem Schalter 1', wie er in der Fig. 2 dargestellt ist.In the Fig. 3 another preferred form of the switch is shown. The switch 11 shown there has a first switching element 11.1 and a second switching element 11.2. The first switching element 11.1 corresponds in its construction to the switch 1 ', as in the Fig. 2 is shown.

Auch das zweite Schaltelement 11.2 entspricht in seinem Aufbau dem Schalter 1' der Fig. 2. Das zweite Schaltelement 11.2 weist ebenfalls einen ersten Leitungsabschnitt 16 und einen zweiten Leitungsabschnitt 17 auf, die auf einem Halbleitermaterial ausgebildet sind. Der erste Leitungsabschnitt 16 des zweiten Schaltelements 11.2 bildet zusammen mit dem zweiten Leitungsabschnitt 17 des zweiten Schaltelements 11.2 ein zweites Leitungsabschnittspaar. Über das zweite Leitungsabschnittspaar bestehend aus dem ersten Leitungsabschnitt 16 und dem zweiten Leitungsabschnitt 17 kann bei geschlossenem Schaltelement 11.2 eine leitende Verbindung zwischen dem ersten Leitungsabschnitt 16 und dem zweiten Leitungsabschnitt 17 und damit zwischen einer dritten Leitung 14 und einer vierten Leitung 15 hergestellt werden. Die dritte Leitung 14 ist an einem Knotenpunkt 20 mit der ersten Leitung 12 verbunden.Also, the second switching element 11.2 corresponds in its construction to the switch 1 'of Fig. 2 , The second switching element 11.2 likewise has a first line section 16 and a second line section 17, which are formed on a semiconductor material. The first line section 16 of the second switching element 11.2, together with the second line section 17 of the second switching element 11.2, forms a second line section pair. With the switching element 11.2 closed, a conductive connection between the first line section 16 and the second line section 17 and thus between a third line 14 and a fourth line 15 can be established via the second line section pair consisting of the first line section 16 and the second line section 17. The third line 14 is connected to the first line 12 at a node 20.

Die Analysatoren 8, 19 der beiden Schaltelemente 11.1 und 11.2 sind so über den nicht maskierten Bereichen 7 bzw. 18 des ersten Schaltelements 11.1 und des zweiten Schaltelements 11.2 angeordnet, dass die Polarisationsrichtungen beider Analysatoren 8 bzw. 19 parallel zu der Oberfläche des Halbleitermaterials, das in der Fig. 3 nicht sichtbar dargestellt ist, sind. Gleichzeitig stehen die beiden Polarisationsrichtungen des Analysators 8 und des Analysator 19 senkrecht aufeinander. Oberhalb des Analysators 8 und des Analysators 19 ist, in der Zeichnung ebenfalls nicht dargestellt, ein Polarisator angeordnet. Der Polarisator ist vorzugsweise so groß, dass er beide Analysatoren 8 und 19 gemeinsam abdeckt. Durch den Polarisator wird ein von einer ebenfalls nicht dargestellten Lichtquelle erzeugtes Licht polarisiert. Bei Verwendung zweier getrennter Polarisatoren oberhalb des Analysators 8 sowie des Analysators 19 ist sicherzustellen, dass die beiden Polarisationsrichtungen der beiden Polarisatoren des ersten Leitungsabschnittspaars sowie des zweiten Leitungsabschnittspaars parallel zueinander orientiert sind.The analyzers 8, 19 of the two switching elements 11.1 and 11.2 are so arranged over the unmasked areas 7 and 18 of the first switching element 11.1 and the second switching element 11.2 that the polarization directions of both analyzers 8 and 19 parallel to the surface of the semiconductor material, the in the Fig. 3 is not visible, are. At the same time, the two polarization directions of the analyzer 8 and the analyzer 19 are perpendicular to each other. Above the analyzer 8 and the analyzer 19 is, in the drawing also not shown, arranged a polarizer. The polarizer is preferably large enough to cover both analyzers 8 and 19 together. The polarizer polarizes a light generated by a light source, also not shown. When using two separate polarizers above the analyzer 8 and the analyzer 19 is to ensure that the two polarization directions of the two polarizers of the first line section pair and the second line section pair are oriented parallel to each other.

Die Polarisationsrichtung der Polarisatoren bzw. des gemeinsamen Polarisators wird durch Anlegen einer Spannung geändert. Die Polarisationsrichtung des Polarisators wird somit im Hinblick auf die Polarisationsrichtungen der Analysatoren 8 und 19 gemeinsam verändert. Während sich in einer ersten Endposition die Polarisationsrichtung des Polarisators mit beispielsweise der Polarisationsrichtung des Analysators 8 deckt, so wird nach dem Umschalten durch Anlegen einer Spannung an einen Polarisatorkristall die Polarisationsrichtung in Übereinstimmung mit der Polarisationsrichtung des Analysators 19 des zweiten Schaltelements 11.2 gebracht. Die Drehung um 90° in der Polarisationsrichtung des Polarisators bewirkt damit eine Unterbrechung z. B. des ersten Schaltelements 11.2 bei gleichzeitigem Schließen des Schaltelements 11.2. Eine kontinuierliche Änderung der Widerstände der beiden Schaltelemente 11.1 und 11.2 ist hierbei ebenfalls möglich, wie es bereit bei den Schaltern nach Fig. 1 bzw. 2 erläutert wurde.The polarization direction of the polarizers or the common polarizer is changed by applying a voltage. The polarization direction of the polarizer is thus changed together with respect to the polarization directions of the analyzers 8 and 19. While in a first end position, the polarization direction of the polarizer coincides with, for example, the polarization direction of the analyzer 8, after switching by applying a voltage to a polarizer crystal, the polarization direction is made to coincide with the polarization direction of the analyzer 19 of the second switching element 11.2. The rotation through 90 ° in the polarization direction of the polarizer thus causes an interruption z. B. the first switching element 11.2 with simultaneous closing of the switching element 11.2. A continuous change in the resistances of the two switching elements 11.1 and 11.2 is also possible, as it is ready in the switches after Fig. 1 or 2 has been explained.

Bei der vorstehenden Beschreibung sowohl des Schalters 1' als auch der Schaltelemente 11.1 und 11.2 wurde jeweils davon ausgegangen, dass die Polarisationsrichtung des Polarisators veränderbar ist. Für die Funktionsweise des Schalters 11 spielt es jedoch keine Rolle, ob die Änderung der Polarisationsrichtung durch den Polarisator oder durch den Analysator erfolgt. Entscheidend ist lediglich, dass die Polarisationsrichtungen von Analaysator und Polarisator relativ zueinander geändert werden.In the above description of both the switch 1 'and the switching elements 11.1 and 11.2 each was assumed that the polarization direction of the polarizer is variable. For the operation of the switch 11, however, it does not play It depends on whether the polarization direction is changed by the polarizer or by the analyzer. All that matters is that the polarization directions of the analyzer and the polarizer are changed relative to each other.

In der Fig. 4 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Abschwächers dargestellt. Der Abschwächer 20 ist in einer sog. T-Anordnung ausgeführt. Der Abschwächer 20 basiert auf einer Anordnung, die dem Schalter 11 entspricht. Die Schaltelemente 11.1 und 11.2 bilden dabei die Abschwächelemente 11.1' und 11.2' und werden durch ein drittes Abschwächelement 11.3 ergänzt. Das dritte Abschwächelement 11.3 entspricht in seinem Aufbau wiederum dem Schalter 1' der Fig. 2.In the Fig. 4 a first embodiment of an attenuator according to the invention is shown. The attenuator 20 is implemented in a so-called T-arrangement. The attenuator 20 is based on an arrangement that corresponds to the switch 11. The switching elements 11.1 and 11.2 form the attenuation elements 11.1 'and 11.2' and are supplemented by a third attenuation element 11.3. The third attenuation element 11.3 in turn corresponds in its structure to the switch 1 'of Fig. 2 ,

Das dritte Abschwächelement 11.3 umfasst damit ein drittes Leitungsabschnittspaar bestehend aus einem weiteren ersten Leitungsabschnitt 22 und einem weiteren zweiten Leitungsabschnitt 23, die erneut auf einem Halbleitermaterial angeordnet sind. Die beiden Leitungsabschnitte 22 und 23 maskieren in bereits beschriebener Weise den Halbleiter, der in einem zwischen dem erstem Leitungsabschnitt 22 des dritten Abschwächelements 11.3 und dem zweiten Leitungsabschnitt 23 des dritten Abschwächelements 11.3 ausgebildeten nicht maskierten Bereich 24 durch eine Lichtquelle belichtbar ist. Oberhalb des dritten Leitungsabschnittspaars ist ein Analysator 25 angeordnet, dessen Polarisationsrichtung identisch mit der Polarisationsrichtung des Analysators 8 des ersten Abschwächelements 11.1' ist.The third attenuation element 11.3 thus comprises a third line section pair consisting of a further first line section 22 and a further second line section 23, which are again arranged on a semiconductor material. The two line sections 22 and 23 mask in the manner already described the semiconductor which can be exposed by a light source in a non-masked area 24 formed between the first line section 22 of the third attenuation element 11.3 and the second line section 23 of the third attenuation element 11.3. Above the third line section pair, an analyzer 25 is arranged whose polarization direction is identical to the polarization direction of the analyzer 8 of the first attenuation element 11.1 '.

Der erste Leitungsabschnitt 22 ist mit einem fünften Leiter 21 verbunden. Der zweite Leitungsabschnitt 23, der zusammen mit dem Leitungsabschnitt 22 das Leitungsabschnittspaar des dritten Abschwächelements 11.3 bildet, ist mit dem ersten Leiter 12 verbunden, an dessen anderem Ende der erste Leitungsabschnitt 2 des ersten Leitungsabschnittspaars des Abschwächelements 11.1' ausgebildet ist. Die Leiter 21, 12 und 13 bilden zusammen z. B. eine Signalleitung, in der der Abschwächer 20 angeordnet ist. Der vierte Leiter 15, der mit dem zweiten Leitungsabschnitt 17 des zweiten Abschwächelements 11.2' verbunden ist, ist auf der von dem zweiten Abschwächelement 11.2' abgewandten Ende mit einem Massepotential verbunden.The first line section 22 is connected to a fifth conductor 21. The second line section 23, which forms the line section pair of the third attenuation element 11.3 together with the line section 22, is connected to the first conductor 12, at the other end of which the first line section 2 of the first Line section pair of Abschwächelements 11.1 'is formed. The conductors 21, 12 and 13 together form z. B. a signal line in which the attenuator 20 is arranged. The fourth conductor 15, which is connected to the second line section 17 of the second attenuation element 11.2 ', is connected to a ground potential on the end remote from the second attenuation element 11.2'.

Die drei Abschwächelemente 11.1', 11.2' und 11.3 werden mittels einer Lichtquelle gemeinsam beleuchtet, wobei zwischen der Lichtquelle und den Analysatoren 8, 19 und 25 ein Polarisator angeordnet ist. Der Polarisator kann aus mehreren einzelnen Polarisatorelementen bestehen, wobei die Polarisatorelemente in diesem Fall die selbe Polarisationsrichtung aufweisen. Eine Änderung der Abschwächung wird erreicht, indem an den Analysatoren 8, 19 und 25 durch Anlegen einer entsprechenden Spannung die Polarisationsrichtung relativ zu der Polarisationsrichtung des Polarisators geändert wird. Durch das gemeinsame Ändern der Polarisationsrichtung des Analysatoren und damit einer Änderung des Widerstands der Abschwächelemente 11.1' und 11.3 gemeinsam in Richtung kleinerer Werte oder gemeinsam in Richtung größerer Werte sowie einer gleichzeitigen Änderungen des Widerstands des Abschwächelements 11.2' in entgegengesetzter Richtung lässt sich die Abschwächung in der Signalleitung variieren, ohne den Wellenwiderstand der Signalleitung zu verändern. Um dies zu erreichen sind die Polarisationsrichtungen der Analysatoren 8 und 25 gemeinsam veränderbar. Die Polarisationsrichtung des Analysators 19 ist dagegen unabhängig hiervon änderbar und wird in Abhängigkeit von der Einstellung der Polarisationsrichtung der Analysatoren 8 und 25 so eingestellt, dass der Wellenwiderstand der Signalleitung konstant bleibt.The three attenuation elements 11.1 ', 11.2' and 11.3 are illuminated together by means of a light source, wherein between the light source and the analyzers 8, 19 and 25, a polarizer is arranged. The polarizer may consist of a plurality of individual polarizer elements, the polarizer elements in this case having the same polarization direction. A change in the attenuation is achieved by changing the polarization direction relative to the polarization direction of the polarizer at the analyzers 8, 19 and 25 by applying a corresponding voltage. By jointly changing the polarization direction of the analyzer and thus a change in the resistance of the attenuation elements 11.1 'and 11.3 together in the direction of smaller values or together in the direction of larger values and a simultaneous changes in the resistance of the attenuator 11.2' in the opposite direction, the attenuation in the Signal line vary without changing the characteristic impedance of the signal line. In order to achieve this, the polarization directions of the analyzers 8 and 25 can be changed together. On the other hand, the polarization direction of the analyzer 19 can be changed independently of this and is adjusted in dependence on the adjustment of the polarization direction of the analyzers 8 and 25 so that the characteristic impedance of the signal line remains constant.

Eine alternative Ausführungsform ist in der Fig. 5 dargestellt. Die Fig. 5 zeigt einen Abschwächer in π-Anordnung. Zusätzlich zu einem ersten und zweiten Abschwächelement 11.1'' und 11.2'' ist auf der von dem zweiten Abschwächelement 11.2'' abgewandten Seite des ersten Abschwächelements 11.1'' ein drittes Abschwächelement 11.3' angeordnet. In seinem Aufbau entspricht auch das dritte Abschwächelement 11.3' dem optoelektronisch gesteuerten Schalter 1' der Fig. 2, wobei die Orientierung des Analysators 29 der Orientierung des Analysators 19 des zweiten Abschwächelements 11.2" entspricht.An alternative embodiment is in Fig. 5 shown. The Fig. 5 shows an attenuator in π-arrangement. In addition to a first and second attenuation element 11.1 "and 11.2", a third attenuation element 11.3 'is arranged on the side of the first attenuation element 11.1 "facing away from the second attenuation element 11.2". In its construction, the third attenuation element 11.3 'also corresponds to the optoelectronically controlled switch 1' of FIG Fig. 2 , wherein the orientation of the analyzer 29 corresponds to the orientation of the analyzer 19 of the second attenuation element 11.2 ".

Das dritte Abschwächelement 11.3' weist ein drittes Leitungsabschnittspaar auf, welches aus einem ersten Leitungsabschnitt 32 und einem zweiten Leitungsabschnitt 33 besteht. Der erste Leitungsabschnitt 32 und der zweite Leitungsabschnitt 33 des dritten Abschwächelements 11.3' sind wiederum beabstandet voneinander auf einem Halbleitermaterial angeordnet und maskieren dieses. Der zweite Leitungsabschnitt 33 ist über einen sechsten Leiter 28 mit einem Massepotential verbunden. Ebenso ist der vierte Leiter 15 des zweiten Abschwächelements 11.2'' mit dem Massepotential verbunden. Während die Polarisationsrichtungen des Analysators 29 und des Analysators 19 des zweiten und dritten Abschwächelements 11.2" bzw. 11.3' parallel zueinander angeordnet sind, ist die Polarisationsrichtung des Analysators 8 des ersten Abschwächelements 11.1'' in einer Ausgangsstellung dazu senkrecht angeordnet.The third attenuation element 11.3 'has a third line section pair, which consists of a first line section 32 and a second line section 33. The first line section 32 and the second line section 33 of the third attenuation element 11.3 'are in turn spaced from each other on a semiconductor material and mask it. The second line section 33 is connected via a sixth conductor 28 to a ground potential. Likewise, the fourth conductor 15 of the second attenuation element 11.2 "is connected to the ground potential. While the polarization directions of the analyzer 29 and the analyzer 19 of the second and third attenuation elements 11.2 "and 11.3 'are arranged parallel to each other, the polarization direction of the analyzer 8 of the first attenuation element 11.1" is arranged perpendicular thereto in an initial position.

Die Analysatoren 8, 19, 29 werden gemeinsam mit polarisiertem Licht beleuchtet. Das polarisierte Licht wird z. B. durch eine Laserdiode im Dauerbetrieb erzeugt, welches anschließend einen Polarisator durchläuft. Die Energie der Photonen des Lasers ist dabei größer als die Bandlücke des Halbleitermaterials. Der Polarisator, der in der Fig. 5 ebenfalls nicht dargestellt ist, kann beispielsweise ein Kristall sein, der alle drei Analaysatoren 8, 19 und 29 gemeinsam abdeckt. Die Einstellung der Abschwächung erfolgt in entsprechender Weise, wie es bereits zu dem Abschwächer 20 der Fig. 4 beschrieben wurde, wobei die Polarisationsrichtung des Analysators 8 nun unabhängig von den Polarisationsrichtungen der Analysatoren 19 und 29 änderbar ist. Dagegen sind die Polarisationsrichtungen der Analysatoren 19 und 29 gemeinsam einstellbar.The analyzers 8, 19, 29 are illuminated together with polarized light. The polarized light is z. B. generated by a laser diode in continuous operation, which then passes through a polarizer. The energy of the photons of the laser is greater than the band gap of the semiconductor material. The polarizer used in the Fig. 5 is also not shown, for example, may be a crystal that covers all three Analaysatoren 8, 19 and 29 together. The adjustment of the attenuation takes place in appropriate Way, as has already become the attenuator 20 of the Fig. 4 has been described, wherein the polarization direction of the analyzer 8 is now independent of the polarization directions of the analyzers 19 and 29 changeable. In contrast, the polarization directions of the analyzers 19 and 29 are adjustable together.

Claims

Attenuator with at least three attenuation elements (11.1', 11.2', 11.3, 11.1", 11.2", 11.3') in a T-configuration or π-configuration, wherein the resistance of the attenuation elements (11.1', 11.2', 11.3, 11.1", 11.2", 11.3') is adjustable via the illumination from a light source (5), and an analyser (8, 19, 25, 29) and a polariser, of which the relative polarisation directions are variable in each case, is arranged between the light source (5) and the attenuation elements (11.1', 11.2', 11.3, 11.1", 11.2", 11.3") in order to realise the adjustability of the illumination in this manner,
characterised in that
the attenuation elements (11.1', 11.2', 11.3, 11.1", 11.2", 11.3') each comprise a line-portion pair, which provide respectively a first line portion (2, 16, 22, 32) and a second line portion (3, 17, 23, 33), which are arranged at a spacing distance on a semiconductor material (4) and which mask the semiconductor material (4), wherein, in each case, an un-masked region (7, 18, 24, 31) between the line portions (2, 3; 16, 17; 22, 23; 32, 33) is illuminated by the light source (5) in its switched-on condition, and the relative polarisation directions of the analyser (8, 19, 25, 29) and of the polariser are variable through the application of a voltage to an electro-optical crystal material.
Attenuator according to claim 1,
characterised in that
the semiconductor material (4) is disposed on a substrate (6) of ceramic, glass or quartz.
Attenuator according to claim 2,
characterised in that
the polarisation directions of the analysers (8, 25; 19, 29) of two attenuation elements (11.1', 11.3; 11.2", 11.3') are orientated in an identical direction, and that the polarisation directions of the corresponding polarisers of these attenuation elements (11.1', 11.3; 11.2", 11.3') are identical to the latter.
Attenuator according to claim 3,
characterised in that
the polarisation direction of the analyser (19, 8) or of the polariser of the other attenuation element (11.2' or respectively 11.1") is orientated in a starting position perpendicular to it.
Attenuator according to any one of claims 1 to 4,
characterised in that
the polarisation directions of the analysers (8, 19, 25, 29) are variable relative to the polarisation directions of the polarisers.