EP1597774A1 - Optoelektronisches bauelement mit einer leuchtdiode und einem lichtsensor - Google Patents

Optoelektronisches bauelement mit einer leuchtdiode und einem lichtsensor

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EP1597774A1
EP1597774A1 EP03735418A EP03735418A EP1597774A1 EP 1597774 A1 EP1597774 A1 EP 1597774A1 EP 03735418 A EP03735418 A EP 03735418A EP 03735418 A EP03735418 A EP 03735418A EP 1597774 A1 EP1597774 A1 EP 1597774A1
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EP
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light
emitting diode
optoelectronic component
substrate
sensor
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Heinrich GRÜGER
Torsten Schneider
Jörg AMELUNG
Bodo Sauer
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Definitions

  • Optoelectronic component with a light emitting diode and a light sensor
  • the present invention relates to an optoelectronic component with a light-emitting diode and a light sensor, which can be used in particular for detecting a path length, an angle of rotation, a distance or a position, and to a method for its production.
  • optoelectronic components or systems are used to record distances, distances, angles of rotation, positions and other variables.
  • optoelectronic components which comprise a light source or radiation source and a light sensor or a light-sensitive detector.
  • Light emitted by the light source is directed onto the light sensor by an optical component.
  • the optical component is, for example, a reflector, a mirror or another reflective component, an optical grating or another light diffraction device.
  • the intensity of the light received by the light sensor depends on the distance of the optical component from the optoelectronic component or on its spatial orientation. The light received by the light sensor can therefore be used to infer the distance, the location or the spatial orientation of the optical component relative to the optoelectronic component.
  • no optical component is used, but the light emitted by the light-emitting diode is reflected by an object to be detected. From the reflected light received by the light sensor can be deduced from the location, arrangement, size or other properties of the object.
  • One example is the “out of position ⁇ V detection of a passenger in a motor vehicle in relation to an airbag.
  • Photodiodes, phototransistors, photoresistors or similar semiconductor components are often used as light sensors. Instead of a single light sensor, multiple light sensors are often used, which can be arranged one-dimensionally as a row or two-dimensionally as an array. The use of multiple light sensors enables the detection of simple geometrical images or of diffraction or interference patterns.
  • Light-emitting diodes or light-emitting diodes are often used as light sources. In order to distinguish light that is emitted by the light source and directed onto the light sensor from light of another origin, the light source frequently emits a characteristic signature or a light signal with a time dependency that is known to an evaluation electronics connected downstream of the light sensor.
  • FIG. 2 is a schematic representation of a section through an optoelectronic component as described in DE 19720300.
  • An Si substrate or chip 10 has a depression 14 on a surface 12.
  • An SMD light-emitting diode 16 is arranged in the recess 14 as the light source of the optoelectronic component.
  • a plurality of light-sensitive diodes 18 are arranged as light sensors on the surface of the substrate 10 outside the recess 14.
  • the SMD light-emitting diode 16 and the light-sensitive diodes 18 are connected to conductor tracks or contacted by conductor tracks in order to supply and tap electrical signals.
  • the SMD light-emitting diode 16 is connected to a conductor track 22 via one or more bond wires 20.
  • a disadvantage of the conventional optoelectronic component shown in FIG. 2 is that the production of the pit or recess 14 requires special or additional process steps. This increases the manufacturing costs and, like every process step, the likelihood of a defect and thus the rejection of production.
  • Another disadvantage is that metallization or the generation of a conductor track in the recess 14, for example for contacting the side of the SMD light-emitting diode 16 facing the Si substrate 10, is critical. Furthermore, the requirement for precision when mounting the SMD light-emitting diode 16 in the recess 14 is high.
  • the bonding wire or wires 20 required for contacting the SMD light-emitting diode 16 require installation space and in particular protrude into the half-space delimited by the plane of the surface 12 and opposite the Si substrate 10. This limits the minimum possible distance between the optoelectronic component and its surface 12 on the one hand and the optical component or the reflecting object on the other. Furthermore, depending on the precision achieved when mounting the SMD light-emitting diode 16, a calibration of the system is required. A function test is only possible after the system or the optoelectronic component has been completed.
  • the object of the present invention is to provide an optoelectronic component and a method for its production, as well as an optical sensor, which enable production with little effort.
  • the present invention provides an optoelectronic component with a substrate, a light sensor and a light-emitting diode with a light-emitting layer made of an organic material, the light sensor and the light-emitting diode being monolithically integrated with the substrate.
  • the present invention provides an optical sensor with an optoelectronic component according to the invention and an optical component, which is arranged opposite the light sensor and the light-emitting diode, for directing light which is emitted by the light-emitting diode to the light sensor, wherein one property of the light received by the light sensor is dependent on the location or the orientation of the optical component.
  • the present invention also provides a method for producing an optoelectronic component, comprising the following steps:
  • the present invention is based on the idea of integrating an organic light-emitting diode or a light-emitting diode with a light-emitting layer made of an organic material and a light sensor monolithically on a substrate, in particular on a semiconductor substrate, or on a chip.
  • An advantage of the present invention is that the optoelectronic component can be manufactured with little production effort and thus easily in large quantities.
  • the production of the optoelectronic component according to the invention does not require the creation of a recess, as is required according to the prior art.
  • the optoelectronic component according to the invention is produced by means of known and well-controlled semiconductor technologies and using existing devices or equipment.
  • the manufacture is simplified in that it does not require the creation of a metallization in a recess. Furthermore, all process steps for producing, metallizing and passivating a recess are omitted.
  • Conductor tracks are preferably used to contact the light-emitting diode. Bond wires are not required. In comparison to the prior art, all steps for assembling the SMD light-emitting diode are omitted in the manufacture of the optoelectronic component according to the invention.
  • the lateral precision of the manufacturing and the arrangement of the light-emitting diode corresponds to the accuracy of a semiconductor manufacturing process. This is typically below the micrometer scale and is therefore a factor of 10 to 100 better than with the conventionally required assembly of the SMD light-emitting diode, whose lateral inaccuracy is always a few 10 ⁇ m. Furthermore, steps for adjusting or calibrating the installation position of the conventional SMD light-emitting diode 16 are omitted.
  • Another advantage of the present invention is that the overall height of a light-emitting diode with a light-emitting layer made of an organic material is extremely small with 150 nm to 160 nm.
  • the organic light-emitting diode is thus thinner than passivation layers over conductor tracks of a semiconductor chip.
  • Another important advantage of the present invention is that the optoelectronic component is completely finished at the wafer level or before a singulation.
  • the optoelectronic component can therefore be tested in the wafer assembly, which enables inexpensive production, in particular in the case of large quantities.
  • the optoelectronic component according to the invention can be made very flat and can be brought much closer to an object.
  • Another advantage of the present invention is that the optoelectronic component according to the invention can replace a conventional optoelectronic component without requiring changes to a higher-level or downstream system.
  • the present invention thus significantly reduces the development and manufacturing costs.
  • An essential aspect of the present invention is the combination of light sensors, which are preferably semiconductor light sensors, with an organic light-emitting diode or a light-emitting diode with a light-emitting layer made of an organic material.
  • the present invention thus agrees the simple and well-controlled technology of producing semiconductor light sensors, for example photodiodes, phototransistors or photoresistive components, with the advantages of the organic light-emitting diode that is easy to manufacture.
  • FIG. 1 shows a schematic perspective illustration of an optoelectronic component in accordance with a preferred exemplary embodiment of the present invention.
  • Fig. 2 is a schematic representation of a section through a conventional optoelectronic component.
  • FIG. 1 is a schematic illustration of a perspective view of an optoelectronic component in accordance with a preferred exemplary embodiment of the present invention.
  • An Si substrate 30 has eight light sensors 34a,... 34h and a light-emitting diode 36 on a surface 32.
  • the light sensors 34a,... 34h and the light-emitting diode 36 each have an essentially rectangular or square shape.
  • the light sensors 34a, ..., 34h and the light-emitting diode 36 are arranged in the form of a grid in the form of three adjacent rows of three components, the light-emitting diode 36 being in the middle and being surrounded on all sides by the light sensors 34a, ..., 34h ,
  • the light sensors 34a, ..., 34h are preferably semiconductor light sensors, for example photodiodes, phototransistors, photoresistive components or other photosensitive components which have an electrical property, which is changed in a known manner by incident light.
  • the light diode 36 comprises a light emitting layer made of an organic material or an organic compound.
  • the light-emitting layer can be part of a layer stack composed of a plurality of layers, layers of the layer stack containing different organic compounds.
  • the light diode 36 is electrically contacted by means of conductor tracks 38a, 38b.
  • the conductor tracks 38a, 38b are each arranged between two light sensors 34b, 34c and 34f, 34g.
  • the conductor tracks 38a, 38b connect the light-emitting diode 36 to connection contact surfaces or connection pads 40a, 40b, which are arranged on the sides of the light sensors 34c, 34g facing away from the light-emitting diode 36.
  • the contact pads 40a, 40b are contacted, for example, by means of bond wires.
  • through-hole conductors lead from the connection contact surfaces 40a, 40b to the surface 42 of the Si substrate 30 facing away from the light sensors 34a, ..., 34h and the light-emitting diode 36.
  • Further contact connection surfaces are then preferably formed on the surface 42 of the Si substrate 30, which are provided for flip-chip mounting of the chip or the Si substrate 30 on a further substrate, for example a printed circuit board.
  • Corresponding conductor tracks and connection contact surfaces are preferably also provided for the light sensors 34a,... 34h, but not shown in the sense of a clear representation in FIG. 1.
  • the light-emitting diode 36 can have a very low overall height. It preferably has a height of approximately 150 nm to 160 nm.
  • a semiconductor light-emitting diode typically has an overall height that is several orders of magnitude larger and emits on the macroscopic side surface light. Direct irradiation of light from the semiconductor light-emitting diode onto the surrounding light sensors is prevented, for example, in the conventional optoelectronic component illustrated at the beginning with reference to FIG. 2 by arranging the light-emitting diode in a recess 14.
  • the light-emitting diode 36 of the optoelectronic component according to the present invention has such a low overall height that it emits very little light at its edges in the lateral direction.
  • Direct radiation of light from the light-emitting diode 36 onto the light sensors 34a,... 34h is furthermore preferably reduced or prevented by a suitable shaping of the border of the light-emitting diode 36.
  • a suitable shaping of the border is, for example, an arrangement of narrow conductor tracks or corresponding metallization structures between the light-emitting diode 36 and the adjacent or adjacent light sensors 34a,... 34h.
  • These conductor tracks or metallization structures then represent a type of rampart that prevents a linear propagation of light from the light-emitting diode 36 to one of the light sensors 34a,... 34h.
  • these walls are formed from semiconductor oxide or further increased by a passivation layer applied over the conductor tracks.
  • An alternative arrangement for reducing stray light or a direct irradiation of light from the light-emitting diode 36 onto the light sensors 34a,... 34h is the arrangement of the light-emitting diode 36 in a recess or recess in the surface 32 of the Si substrate 30.
  • a substantially smaller depth of the recess is sufficient to sufficiently radiate scattered light from the light-emitting diode 36 onto the light sensors 34a,... 34h to reduce.
  • the depth of the recess is preferably at least as great as the overall height of the light-emitting diode 36. Special the depth of the recess is preferably only a few to a few ⁇ m.
  • the optoelectronic component according to the invention shown in FIG. 1 is integrated monolithically or in one piece.
  • a completely produced and functional light-emitting diode 16 is inserted into the depression 14 of the substrate 10.
  • the light-emitting diode 36 of the optoelectronic component according to the invention is only produced on the surface 32 of the Si substrate 30.
  • one or more optically active or light-emitting layers made of an organic material or an organic chemical substance, electrically conductive layers and possibly further layers with predetermined electrical or optical properties are generated in succession.
  • the light-emitting diode 36 is thus only produced on the surface 32 of the Si substrate 30.
  • the light emitting diode 36 is connected to the Si substrate 30 in one piece and is inseparable. It cannot be easily separated from the Si substrate 30 without destroying its function.
  • a function-maintaining separation of the light-emitting diode 36 from the Si substrate 30 would only be possible with an extreme technological effort. For example, the Si substrate 30 could be removed from the back of the light emitting diode 36 by etching. However, this would destroy the Si substrate 30.
  • an optical component is arranged opposite and preferably parallel to the surface 32 of the Si substrate 30.
  • the optical component is rigidly connected to a device which is relative to the optoelectronic see component is rotatable about an axis which is preferably arranged substantially perpendicular to the surface 32 of the Si substrate 30 and further preferably substantially in the middle of the light emitting diode 36.
  • the optical component reflects, diffracts or directs light from the light-emitting diode 36 onto the light sensors 34a, ..., 34h in another way.
  • the optical component has an optical property which has the consequence that not all light sensors 34a,... 34h receive light of the same intensity.
  • the optical component preferably comprises an optical grating or a grating structure on which the light from the light-emitting diode 36 is diffracted by interference.
  • the diffracted light has intensity maxima in different solid angle ranges, which are separated from one another by intensity minima in between.
  • the solid angle ranges in which the intensity maxima occur and thus the intensity distribution on the light sensors 34a,... 34h is dependent on the angular position of the optical grating relative to the optoelectronic component.
  • the angular position of the optical grating can thus be inferred from the light intensities received by the individual light sensors 34a,... 34h.
  • the evaluation of the light intensities received by the light sensors 34a, ..., 34h or the measurement signals generated by the light sensors 34a, ..., 34h is preferably carried out by a logic circuit, which is also particularly preferred with the light sensors 34a, ..., 34h and the light-emitting diode 36 is integrated or embodied in one piece on the Si substrate 30.
  • the logic circuit determines the angular position of the optical grating relative to the optoelectronic component from the measurement signals of the light sensors 34a,... 34h representing the received intensities. This angular position is preferably output in the form of an analog or digital electrical signal.
  • the optical component alternatively comprises one or more other structures which direct light from the light-emitting diode 36 to the light sensors 34a,... 34h in a manner which depends on the angular position of the optical component relative to the optoelectronic component.
  • the optoelectronic component according to the invention alternatively has a plurality of light-emitting diodes or a different number of light sensors.
  • the light-emitting diode or the plurality of light-emitting diodes and the light sensor or the plurality of light sensors have any shapes and any arrangement which are suitable for the intended application of the optoelectronic component.
  • the light sensors and one or more light-emitting diodes are preferably arranged linearly.
  • the optoelectronic component preferably has a single light sensor and a single light-emitting diode.
  • the optoelectronic component preferably has a plurality of light sensors which are arranged in an array.
  • One or more light emitting diodes 36 are also arranged in the array or on its edge.
  • the optoelectronic component can be combined with an imaging optical system comprising one or more mirrors or lenses for the acquisition of simple geometric images or for other applications.
  • Polarization of light can be evaluated in order to determine a location, an orientation or an angular position, a distance, a size or another property of an optical component or a light-reflecting object.
  • the light sensor or the plurality of light sensors and the light-emitting diode or the plurality of light-emitting diodes are preferably arranged on one and the same surface of a substrate and thus essentially coplanar.
  • the light sensor or the plurality of light sensors and the light-emitting diode or the plurality of light-emitting diodes are arranged on a curved surface of a substrate or on two or more non-parallel surfaces.
  • the light sensors are arranged on a surface of a substrate on which components are usually formed, the light-emitting diode or the plurality of light-emitting diodes being arranged on a lateral surface which is arranged at right angles to the first surface. This is possible in particular because the light-emitting organic layer and the further layers of the light-emitting diode can be produced independently of the crystallographic property or a layer structure of a semiconductor substrate.
  • the starting point is a Si wafer or an Si substrate 30.
  • the Si substrate 30 has the typical specifications that a substrate for light sensors or light-sensitive sensors and for the corresponding semiconductor manufacturing process for the production of light sensors must have. In particular, it is preferably a high-resistance Si wafer.
  • any substrate can be used, which preferably has a semiconductor material.
  • lateral areas are defined using masking and lithography methods.
  • the light sensors 34a,... 34h are produced in the Si substrate 30 in accordance with the conventional semiconductor manufacturing technology by implantation or diffusion of dopants.
  • the space for the light-emitting diode 36 to be produced later is preferably left free.
  • the light sensors 34a,... 34h of the optoelectronic component according to the invention are preferably produced using CMOS technology. Alternatively, another technology can be used.
  • the light-emitting diode 36 is produced by applying the corresponding starting materials.
  • an optically active or light-emitting layer is produced from an organic material or an organic chemical compound.
  • a layer system made of organic materials is produced, one or more layers of the layer system being provided for light emission.
  • the layers of the light-emitting diode 36 are generated in an in-line production system.
  • the Si substrate 30 is transferred to the process-compatible production for the organic light-emitting diode 36.
  • the organic light-emitting diode or the light-emitting diode 36 with the light-emitting organic layer is produced in the free space on the surface 32 of the Si substrate 30 that was left out when the light sensors 34a,... 34h were generated.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • the finished circuit or the finished optoelectronic component is provided with a thin layer passivation.
  • the passivation is opened at the intended locations to form connection contact areas.
  • the passivation is applied directly using a shadow mask.
  • the production described is preferably carried out at the wafer level or wafer level. Before the wafer is separated into individual optoelectronic components, the finished circuits in the wafer assembly are tested. This testing is preferably carried out according to standard methods on a conventional wafer tester. The optoelectronic components of the wafer are contacted using so-called needle cards. In contrast to the conventional optoelectronic components described at the outset with reference to FIG. 2, the optoelectronic component according to the invention is not completely and completely functional only after singling and bonding but before the singling, that is to say in the wafer assembly. The optoelectronic component according to the invention is therefore preferably completely tested with regard to its entire functionality, i. H.
  • optical or electro-optical properties of each individual optoelectronic component of the wafer are also recorded or measured.
  • optical components or corresponding patterns or structures are preferably arranged opposite the optoelectronic components of the wafer.
  • defective optoelectronic components are identified by marking or by marking or in a wafer map registered and discarded immediately after separation.

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Description

Optoelektronisches Bauelement mit einer Leuchtdiode und einem Lichtsensor
Beschreibung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein optoelektronisches Bauelement mit einer Leuchtdiode und einem Lichtsensor, die insbesondere zur Erfassung einer Weglänge, eines Drehwinkels, eines Abstands oder einer Position verwendbar sind, sowie auf ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Auf zahlreichen Gebieten der Technik werden optoelektroni- sehe Bauelemente bzw. Systeme verwendet, um Abstände, Wegstrecken, Drehwinkel, Positionen und andere Größen zu erfassen. Dazu werden insbesondere optoelektronische Bauelemente verwendet, die eine Lichtquelle bzw. Strahlungsquelle und einen Lichtsensor bzw. einen lichtempfindlichen Detektor umfassen.
Von der Lichtquelle emittiertes Licht wird von einem optischen Bauelement auf den Lichtsensor gelenkt. Das optische Bauelement ist beispielsweise ein Reflektor, ein Spiegel oder ein anderes reflektierendes Bauelement, ein optisches Gitter oder eine andere lichtbeugende Einrichtung. Die Intensität des von dem Lichtsensor empfangenen Lichts ist vom Abstand des optischen Bauelements von dem optoelektronischen Bauelement oder von seiner räumlichen Orientierung abhängig. Aus dem durch den Lichtsensor empfangenen Licht kann deshalb auf den Abstand, den Ort oder die räumliche Orientierung des optischen Bauelements relativ zu dem optoelektronischen Bauelement geschlossen werden.
Bei manchen Anwendungen wird kein optisches Bauelement verwendet, sondern das von der Leuchtdiode emittierte Licht wird von einem zu erfassenden Gegenstand reflektiert. Von dem von dem Lichtsensor empfangenen reflektierten Licht kann auf Ort, Anordnung, Größe oder andere Eigenschaften des Gegenstands geschlossen werden. Ein Beispiel ist die „Out of PositionλV-Detektion eines Beifahrers in einem Kraftfahrzeug in Bezug zu einem Airbag.
Als Lichtsensoren werden häufig Photodioden, Phototransistoren, Photowiderstände oder ähnliche Halbleiterbauelemente verwendet. Anstelle eines einzelnen Lichtsensors werden häufig mehrere Lichtsensoren verwendet, die eindimensional als Zeile oder zweidimensional als Array angeordnet sein können. Die Verwendung mehrerer Lichtsensoren ermöglicht eine Erfassung von einfachen geometrischen Abbildungen oder auch von Beugungs- oder Interferenz-Mustern.
Als Lichtquellen werden häufig lichtemittierende Dioden bzw. Leuchtdioden (LED; LED = Light Emitting Diode) verwendet. Um Licht, das von der Lichtquelle emittiert und auf den Lichtsensor gelenkt wird, von Licht anderer Herkunft zu unterscheiden, emittiert die Lichtquelle häufig eine cha- rakteristische Signatur bzw. ein Lichtsignal mit einer Zeitabhängigkeit, die einer dem Lichtsensor nachgeschalteten Auswerteelektronik bekannt ist.
Die technologisch einfachste und anspruchloseste Realisie- rung eines optoelektronischen Bauelementes mit einem Lichtsensor und einer Lichtquelle ist der Aufbau der entsprechenden Geber- und Detektor-Strukturen aus diskreten Bauelementen auf einer Platine. Fertigungstechnisch ist diese Realisierung jedoch sehr aufwendig. Ferner ist eine Minia- turisierung auch bei Verwendung von oberflächenmontierten Bauelementen nur eingeschränkt möglich.
Insbesondere in größerer Stückzahl herzustellende oder stärker miniaturisierte optoelektronische Bauelemente werden deshalb in der Regel mit einer Anordnung realisiert, wie sie in der DE 19720300 AI beschrieben ist. Diese Anordnung ermöglicht ein deutlich kleineres optoelektronisches Bauelement, das mit geringerem Aufwand montierbar ist. Fig. 2 ist eine schematische Darstellung eines Schnitts durch ein optoelektronisches Bauelement, wie es in der DE 19720300 beschrieben ist. Ein Si-Substrat bzw. Chip 10 weist an einer Oberfläche 12 eine Vertiefung bzw. Ausneh- mung 14 auf. In der Ausnehmung 14 ist eine SMD-Leuchtdiode 16 als Lichtquelle des optoelektronischen Bauelements angeordnet. An der Oberfläche des Substrats 10 ist außerhalb der Ausnehmung 14 eine Mehrzahl von lichtempfindlichen Dioden 18 als Lichtsensoren angeordnet. Die SMD-Leuchtdiode 16 und die lichtempfindlichen Dioden 18 sind mit Leiterbahnen verbunden bzw. durch Leiterbahnen kontaktiert, um elektrische Signale zuzuführen und abzugreifen. Die SMD- Leuchtdiode 16 ist über einen oder mehrere Bonddrähte 20 mit einer Leiterbahn 22 verbunden.
Ein Nachteil des Anhand der Fig. 2 dargestellten herkömmlichen optoelektronischen Bauelements ist, daß die Erzeugung der Grube bzw. Ausnehmung 14 besondere bzw. zusätzliche Prozeßschritte erfordert. Dies erhöht die Herstellungsko- sten und wie jeder Prozeßschritt die Wahrscheinlichkeit eines Defekts und damit den Ausschuß der Produktion. Ein weiterer Nachteil ist, daß eine Metallisierung bzw. die Erzeugung einer Leiterbahn in der Ausnehmung 14, beispielsweise zur Kontaktierung der dem Si-Substrat 10 zugewandten Seite der SMD-Leuchtdiode 16, kritisch ist. Ferner ist die Anforderung an die Präzision bei der Montage der SMD- Leuchtdiode 16 in der Ausnehmung 14 hoch. Der oder die zur Kontaktierung der SMD-Leuchtdiode 16 erforderliche Bonddrähte 20 erfordern Bauraum und ragen insbesondere in den durch die Ebene der Oberfläche 12 begrenzten und dem Si- Substrat 10 gegenüberliegenden Halbraum hinein. Dadurch wird der minimal mögliche Abstand zwischen dem optoelektronischen Bauelement und seiner Oberfläche 12 einerseits und dem optischen Bauelement oder dem reflektierenden Objekt andererseits begrenzt. Ferner ist abhängig von der bei der Montage der SMD-Leuchtdiode 16 erzielten Präzision eine Kalibrierung des Systems erforderlich. Ein Funktionstest ist erst nach Fertigstellung des Systems bzw. des optoelektronischen Bauelements möglich.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung sowie einen optischen Sensor zu schaffen, die eine Herstellung mit geringem Aufwand ermöglichen.
Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, einen optischen Sensor nach Anspruch 9 und ein Verfahren nach Anspruch 12 gelöst.
Die vorliegende Erfindung schafft ein optoelektronisches Bauelement mit einem Substrat, einem Lichtsensor und einer Leuchtdiode mit einer lichtemittierenden Schicht aus einem organischen Material, wobei der Lichtsensor und die Leuchtdiode monolithisch mit dem Substrat integriert sind.
Gemäß einem besonderen Aspekt schafft die vorliegende Erfindung einen optischen Sensor mit einem erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelement und einem optischen Bauelement, das gegenüber dem Lichtsensor und der Leuchtdiode angeordnet ist, zum Lenken von Licht, das von der Leuchtdiode emittiert wird, zu dem Lichtsensor, wobei eine Eigenschaft des von dem Lichtsensor empfangenen Lichts von dem Ort oder der Ausrichtung des optischen Bauelements abhängig ist.
Ferner schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, mit folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Substrats;
Erzeugen eines Lichtsensors an dem Substrat; und
Erzeugen einer Leuchtdiode mit einer lichtemittierenden Schicht aus einem organischen Material an dem Substrat, wobei der Lichtsensor und die Leuchtdiode monolithisch mit dem Substrat integriert werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Idee zugrunde, eine organische Leuchtdiode bzw. eine Leuchtdiode mit einer lichtemittierenden Schicht aus einem organischen Material und einen Lichtsensor monolithisch auf einem Substrat, insbesondere auf einem Halbleitersubstrat, bzw. auf einem Chip zu integrieren.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß das optoelektronische Bauelement mit geringem Herstellungsaufwand und damit ohne weiteres in großen Stückzahlen herstellbar ist. Insbesondere erfordert die Herstellung des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements keine Erzeugung einer Ausnehmung, wie sie gemäß dem Stand der Technik erforderlich ist. Die Herstellung des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements erfolgt mittels be- kannter und gut beherrschter Halbleitertechnologien und unter Verwendung vorhandener Vorrichtungen bzw. vorhandenen Equip ents .
Die Herstellung wird dadurch vereinfacht, daß sie keine Erzeugung einer Metallisierung in einer Ausnehmung erfordert. Ferner entfallen sämtliche Prozeßschritte zum Erzeugen, Metallisieren und Passivieren einer Ausnehmung.
Zur Kontaktierung der Leuchtdiode werden vorzugsweise Leiterbahnen verwendet. Bonddrähte sind nicht erforderlich. Im Vergleich zum Stand der Technik entfallen bei der Herstellung des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements alle Arbeitsschritte zur Montage der SMD-Leuchtdiode.
Die laterale Präzision der Fertigung und der Anordnung der Leuchtdiode entspricht der Genauigkeit eines Halbleiterherstellungsprozesses. Diese liegt typischerweise unterhalb der Mikrometerskala und ist damit um einen Faktor 10 bis 100 besser als bei der herkömmlich erforderlichen Montage der SMD-Leuchtdiode, deren laterale Ortsungenauigkeit immer einige 10 μm beträgt. Ferner entfallen Schritte zur Justage oder Kalibrierung der Einbauposition der herkömmlichen SMD- Leuchtdiode 16.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß die Bauhöhe einer Leuchtdiode mit einer lichtemittierenden Schicht aus einem organischen Material mit 150 nm bis 160 nm extrem klein ist. Die organische Leuchtdiode ist damit dünner als Passivierungsschichten über Leiterbahnen eines Halbleiterchips.
Ein weiterer wichtiger Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß das optoelektronische Bauelement vollständig auf Waferniveau bzw. vor einer Vereinzelung fertiggestellt wird. Das optoelektronische Bauelement ist deshalb im Waferverbund testbar, was eine kostengünstige Herstellung insbesondere bei großen Stückzahlen ermöglicht.
Aufgrund des Wegfalls von Bonddrähten ist das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement sehr flach ausführbar und kann wesentlich näher an einen Gegenstand herangeführt werden.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement ersetzen kann, ohne daß Änderungen eines übergeordneten oder nachgeschalteten Systems erforderlich sind. Die vorliegende Erfindung vermindert somit den Entwicklung- und Herstellungsaufwand signifikant.
Ein wesentlicher Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Kombination von Lichtsensoren, die vorzugsweise Halbleiter- Lichtsensoren sind, mit einer organischen Leuchtdiode bzw. einer Leuchtdiode mit einer lichtemittierenden Schicht aus einem organischen Material. Die vorliegende Erfindung vereinbart damit die einfache und gut beherrschte Technologie der Erzeugung von Halbleiter-Lichtsensoren, beispielsweise Photodioden, Phototransistoren oder photoresistiven Bauelementen mit den Vorteilen der einfach herzustellenden organischen Leuchtdiode.
Bevorzugte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den ünteransprüchen definiert.
Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beiliegenden Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Schnitts durch ein herkömmliches optoelektronischen Bauelement.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer perspektivischen Ansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Ein Si-Substrat 30 weist an einer Oberfläche 32 acht Lichtsensoren 34a, ..., 34h und eine Leuchtdiode 36 auf. Die Lichtsensoren 34a, ..., 34h und die Leuchtdiode 36 weisen jeweils eine im wesentlichen rechteckige oder qua- dratische Form auf. Die Lichtsensoren 34a, ..., 34h und die Leuchtdiode 36 sind gitterartig in Form von drei nebeneinanderliegenden Reihen ä drei Bauelementen angeordnet, wobei die Leuchtdiode 36 in der Mitte liegt und an allen Seiten von den Lichtsensoren 34a, ..., 34h umgeben ist. Die Licht- sensoren 34a, ..., 34h sind vorzugsweise Halbleiter- Lichtsensoren, beispielsweise Photodioden, Phototransistoren, photoresistive Bauelemente oder andere Photosensitive Bauelemente, die eine elektrische Eigenschaft aufweisen, die durch eingestrahltes Licht auf eine bekannte Art und Weise verändert wird.
Die Lichtdiode 36 umfaßt eine lichtemittierende Schicht aus einem organischen Material bzw. einer organischen Verbindung. Die lichtemittierende Schicht kann Bestandteil eines Schichtstapels aus einer Mehrzahl von Schichten sein, wobei Schichten des Schichtstapels verschiedene organische Verbindungen enthalten.
Die Lichtdiode 36 ist mittels Leiterbahnen 38a, 38b elektrisch kontaktiert. Die Leiterbahnen 38a, 38b sind jeweils zwischen zwei Lichtsensoren 34b, 34c bzw. 34f, 34g angeordnet. Die Leiterbahnen 38a, 38b verbinden die Leuchtdiode 36 mit Anschlußkontaktflächen bzw. Anschlußpads 40a, 40b, die an von der Leuchtdiode 36 abgewandten Seiten der Lichtsensoren 34c, 34g angeordnet sind. Die Anschlußkontaktflächen 40a, 40b werden beispielsweise mittels Bonddrähten kontaktiert. Alternativ führen von den Anschlußkontaktflächen 40a, 40b Durchgangslochleiter zu der von den Lichtsensoren 34a, ..., 34h und der Leuchtdiode 36 abgewandten Oberfläche 42 des Si-Substrats 30. An der Oberfläche 42 des Si- Substrats 30 sind dann vorzugsweise weitere Kontaktanschlußflächen ausgebildet, die für eine Flip-Chip-Montage des Chips bzw. des Si-Substrats 30 an einem weiteren Substrat, beispielsweise einer Leiterplatte, vorgesehen sind.
Entsprechende Leiterbahnen und Anschlußkontaktflächen sind vorzugsweise auch für die Lichtsensoren 34a, ..., 34h vorgesehen, im Sinne einer übersichtlichen Darstellung in Fig. 1 jedoch nicht gezeigt.
Ein Vorteil des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements ist, daß die Leuchtdiode 36 eine sehr geringe Bauhöhe aufweisen kann. Vorzugsweise weist sie eine Bauhöhe von ca. 150 nm bis 160 nm auf. Eine Halbleiter-Leuchtdiode weist typischerweise eine um mehrere Größenordnungen größere Bauhöhe auf und emittiert an den makroskopischen Seiten- flächen Licht. Eine direkte Einstrahlung von Licht von der Halbleiter-Leuchtdiode auf die umgebenden Lichtsensoren wird beispielsweise bei dem eingangs anhand der Fig. 2 dargestellten herkömmlichen optoelektronischen Bauelement durch Anordnung der Leuchtdiode in einer Ausnehmung 14 verhindert.
Im Gegensatz dazu weist die Leuchtdiode 36 des optoelektronischen Bauelements gemäß der vorliegenden Erfindung eine so geringe Bauhöhe auf, daß sie nur sehr wenig Licht an ihren Rändern in lateraler Richtung emittiert. Eine direkte Einstrahlung von Licht von der Leuchtdiode 36 auf die Lichtsensoren 34a, ..., 34h wird ferner vorzugsweise durch eine geeignete Ausformung der Umrandung der Leuchtdiode 36 vermindert oder verhindert. Eine geeignete Ausformung der Umrandung ist beispielsweise eine Anordnung von schmalen Leiterbahnen oder entsprechenden Metallisierungsstrukturen zwischen der Leuchtdiode 36 und den benachbarten bzw. angrenzenden Lichtsensoren 34a, ..., 34h. Diese Leiterbah- nen oder Metallisierungsstrukturen stellen dann eine Art von Wällen dar, die eine geradlinige Ausbreitung von Licht von der Leuchtdiode 36 zu einem der Lichtsensoren 34a, ... , 34h verhindern. Alternativ werden diese Wälle aus Halbleiteroxid gebildet oder durch eine über den Leiterbahnen aufgebrachte Passivierungsschicht weiter erhöht.
Eine alternative Anordnung zur Reduzierung von Streulicht bzw. einer direkten Einstrahlung von Licht von der Leuchtdiode 36 auf die Lichtsensoren 34a, ..., 34h ist die Anord- nung der Leuchtdiode 36 in einer Vertiefung bzw. Ausnehmung in der Oberfläche 32 des Si-Substrats 30. Im Gegensatz zu dem oben anhand der Fig. 2 dargestellten herkömmlichen optoelektronischen Bauelemente ist jedoch eine wesentlich geringere Tiefe der Ausnehmung ausreichend, um eine Ein- Strahlung von Streulicht von der Leuchtdiode 36 auf die Lichtsensoren 34a, ... , 34h in ausreichendem Maße zu verringern. Vorzugsweise ist die Tiefe der Ausnehmung mindestens so groß wie die Bauhöhe der Leuchtdiode 36. Besonders bevorzugt beträgt die Tiefe der Ausnehmung nur wenige bis einige μm.
Das anhand der Fig. 1 dargestellte erfindungsgemäße optoe- lektronische Bauelement ist monolithisch bzw. einstückig integriert. Bei dem oben anhand der Fig. 2 dargestellten herkömmlichen optoelektronischen Bauelemente wird eine vollständig erzeugte und funktionsfähige Leuchtdiode 16 in die Vertiefung 14 des Substrats 10 eingesetzt. Im Gegensatz dazu wird die Leuchtdiode 36 des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements erst an der Oberfläche 32 des Si- Substrats 30 erzeugt. Dazu werden nacheinander eine oder mehrere optisch aktive bzw. lichtemittierende Schichten aus einem organischen Material bzw. einer organisch-chemischen Substanz, elektrisch leitfähige Schichten und ggf. weitere Schichten mit vorbestimmten elektrischen oder optischen Eigenschaften erzeugt. Keines der zur Bildung der Leuchtdiode 36 schichtweise auf die Oberfläche 32 des Substrats 30 aufgebrachten Materialien hat vor dem Aufbringen die Funktion oder Wirkung eine Leuchtdiode. Die Leuchtdiode 36 wird somit erst auf der Oberfläche 32 des Si-Substrats 30 erzeugt. Die Leuchtdiode 36 ist mit dem Si-Substrat 30 einstückig und untrennbar verbunden. Sie kann von dem Si- Substrat 30 nicht ohne weiteres getrennt werden, ohne ihre Funktion zu zerstören. Eine funktionserhaltende Trennung der Leuchtdiode 36 von dem Si-Substrat 30 wäre nur mit einem extremen technologischen Aufwand möglich. Beispielsweise könnte das Si-Substrat 30 durch Ätzen von der Rückseite der Leuchtdiode 36 entfernt werden. Dabei würde jedoch das Si-Substrat 30 zerstört.
Eine Anwendung für das anhand der Fig. 1 dargestellte erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement ist ein Drehwinkelsensor zur Erfassung eines Drehwinkels. Dazu wird der Oberfläche 32 des Si-Substrats 30 gegenüber und vorzugsweise parallel zu derselben ein optisches Bauelement angeordnet. Das optische Bauelement ist starr mit einer Vorrichtung verbunden, die relativ zu dem optoelektroni- sehen Bauelement um eine Achse drehbar ist, die vorzugsweise im wesentlichen senkrecht zu der Oberfläche 32 des Si- Substrats 30 und ferner vorzugsweise im wesentlichen in der Mitte der Leuchtdiode 36 angeordnet ist. Das optische Bauelement reflektiert, beugt oder lenkt auf andere Weise Licht von der Leuchtdiode 36 auf die Lichtsensoren 34a, ..., 34h.
Das optische Bauelement weist eine optische Eigenschaft auf, die zur Folge hat, daß nicht alle Lichtsensoren 34a, ..., 34h Licht der gleichen Intensität empfangen. Das optische Bauelement umfaßt vorzugsweise ein optisches Gitter bzw. eine Gitterstruktur, an der durch Interferenz das Licht von der Leuchtdiode 36 gebeugt wird. Das gebeugte Licht weist in verschiedenen Raumwinkelbereichen Intensi- tätsmaxima auf, die durch dazwischenliegende Intensitätsmi- nima voneinander getrennt sind. Die Raumwinkelbereiche, in denen die Intensitätsmaxima auftreten und damit die Intensitätsverteilung auf den Lichtsensoren 34a, ... , 34h ist von der Winkelposition des optischen Gitters relativ zu dem optoelektronischen Bauelement abhängig. Aus den von den einzelnen Lichtsensoren 34a, ... , 34h empfangenen Lichtintensitäten kann somit auf die Winkelposition des optischen Gitters geschlossen werden.
Die Auswertung der von den Lichtsensoren 34a, ... , 34h empfangenen Lichtintensitäten bzw. der durch die Lichtsensoren 34a, ..., 34h erzeugten Meßsignale erfolgt vorzugsweise durch eine Logikschaltung, welche besonders bevorzugt ebenfalls mit den Lichtsensoren 34a, ... , 34h und der Leuchtdiode 36 auf dem Si-Substrat 30 integriert bzw. einstückig ausgeführt ist. Die Logikschaltung bestimmt aus den die empfangenen Intensitäten darstellenden Meßsignale der Lichtsensoren 34a, ... , 34h die Winkelposition des optischen Gitters relativ zu dem optoelektronischen Bauelement. Diese Winkelposition wird vorzugsweise in Form eines analogen oder digitalen elektrischen Signals ausgegeben. Anstelle eines Beugungsgitters umfaßt das optische Bauelement alternativ eine oder mehrere andere Strukturen, welche Licht von der Leuchtdiode 36 in einer Weise auf die Lichtsensoren 34a, ..., 34h lenken, die von der Winkelposition des optischen Bauelements relativ zu dem optoelektronischen Bauelement abhängt.
Abweichend von dem oben anhand der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel weist das erfindungsgemäße optoelektro- nische Bauelement alternativ mehrere Leuchtdioden oder eine andere Anzahl von Lichtsensoren auf. Die Leuchtdiode oder die Mehrzahl von Leuchtdioden und der Lichtsensor oder die Mehrzahl von Lichtsensoren weisen beliebige Formen und eine beliebige Anordnung auf, die für die vorgesehene Anwendung des optoelektronischen Bauelements geeignet sind.
Zur Erfassung einer linearen Koordinate oder einer linearen Bewegung eines Gegenstands oder eines optischen Bauelements relativ zu dem optoelektronischen Bauelement sind die Lichtsensoren und eine oder mehrere Leuchtdioden vorzugsweise linear angeordnet. Zur Erfassung einer Abstandskoordinate senkrecht zu der Oberfläche des Substrats aufgrund der Intensität reflektierten Lichts weist das optoelektronische Bauelement vorzugsweise einen einzigen Lichtsensor und eine einzige Leuchtdiode auf.
Zur Erfassung einfacher geometrischer Abbildungen weist das optoelektronische Bauelement vorzugsweise eine Mehrzahl von Lichtsensoren auf, die in einem Array angeordnet sind. Eine oder mehrere Leuchtdioden 36 sind ebenfalls in dem Array oder an dessen Rand angeordnet. Für die Erfassung einfacher geometrischer Abbildungen oder auch für andere Anwendungen ist das optoelektronische Bauelement mit einem abbildenden optischen System aus einem oder mehreren Spiegeln oder Linsen kombinierbar.
Neben Intensität und Richtung bzw. Ortsabhängigkeit der Intensität auf einem Array aus Lichtsensoren ist auch die Polarisation von Licht auswertbar, um einen Ort, eine Ausrichtung bzw. eine Winkelposition, einen Abstand, eine Größe oder eine andere Eigenschaft eines optischen Bauelements oder eines lichtreflektierenden Gegenstandes zu bestimmen.
Vorzugsweise sind der Lichtsensor oder die Mehrzahl von Lichtsensoren und die Leuchtdiode oder die Mehrzahl von Leuchtdioden an ein und derselben Oberfläche eines Sub- strats und damit im wesentlichen koplanar angeordnet. Alternativ sind der Lichtsensor oder die Mehrzahl von Lichtsensoren und die Leuchtdiode oder die Mehrzahl von Leuchtdioden an einer gekrümmten Oberfläche eines Substrats oder an zwei oder mehreren nichtparallelen Oberflächen angeordnet. Beispielsweise sind die Lichtsensoren an einer Oberfläche eines Substrats angeordnet, an der gewöhnlich Bauelemente gebildet werden, wobei die Leuchtdiode oder die Mehrzahl von Leuchtdioden an einer seitlichen Oberfläche angeordnet sind, die im rechten Winkel zu der ersten Ober- fläche angeordnet ist. Dies ist insbesondere deshalb möglich, da die lichtemittierende organische Schicht und die weiteren Schichten der Leuchtdiode unabhängig von kristal- lographischen Eigenschaft oder einer Schichtstruktur eines Halbleitersubstrats erzeugbar sind.
Nachfolgend wird eine Herstellung eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel beschrieben. Ausgangspunkt ist ein Si- Wafer bzw. ein Si-Substrat 30. Das Si-Substrat 30 weist die typischen Spezifikationen auf, die ein Substrat für Lichtsensoren bzw. lichtempfindliche Sensoren und für den entsprechenden Halbleiterherstellungsprozeß für die Herstellung von Lichtsensoren aufweisen muß. Vorzugsweise handelt es sich insbesondere um einen hochohmigen Si-Wafer. Alter- nativ ist ein beliebiges Substrat verwendbar, das vorzugsweise ein Halbleitermaterial aufweist. Für die Erzeugung der Lichtsensoren 34a, ..., 34h und der Leuchtdiode 36 werden mittels Maskierungs- und Lithographie-Verfahren jeweils laterale Bereiche definiert.
In dem Si-Substrat 30 werden die Lichtsensoren 34a, ..., 34h entsprechend der gängigen Halbleiterfertigungstechnologie durch Implantation oder Eindiffusion von Dotierstoffen erzeugt. Der Platz für die später zu erzeugende Leuchtdiode 36 wird vorzugsweise freigelassen.
Die Erzeugung der Lichtsensoren 34a, ..., 34h des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements erfolgt vorzugsweise in CMOS-Technologie. Alternativ ist eine andere Technologie verwendbar.
Die Leuchtdiode 36 wird durch Aufbringen der entsprechenden Ausgangsmaterialien erzeugt. Insbesondere wird eine optisch aktive bzw. lichtemittierende Schicht aus einem organischen Material bzw. einer organisch-chemischen Verbindung er- zeugt. Alternativ wird ein Schichtsystem aus organischen Materialien erzeugt, wobei eine oder mehrere Schichten des Schichtsystems für eine Lichtemission vorgesehen sind. Die Erzeugung der Schichten der Leuchtdiode 36 erfolgt in einer In-Line-Fertigungsanlage. Dazu wird das Si-Substrat 30 in die prozeßkompatible Fertigung für die organische Leuchtdiode 36 transferiert. Die organische Leuchtdiode bzw. die Leuchtdiode 36 mit der lichtemittierenden organischen Schicht wird in dem Freiraum an der Oberfläche 32 des Si- Substrats 30 erzeugt, der bei der Erzeugung der Lichtsenso- ren 34a, ..., 34h ausgespart wurde.
Erst nach der Erzeugung der Leuchtdiode 36 in der OLED- Herstellungsanlage (OLED = Organic Light Emitting Diode) wird die zur Verdrahtung der Schaltung bzw. des optoelek- tronischen Bauelements und zur Kontaktierung der Leuchtdiode 36 und der Lichtsensoren 34a, ..., 34h erforderliche Metallisierung aufgebracht. Die Metallisierung wird vorzugsweise durch Sputtern mittels eines entsprechenden Targets erzeugt. Die Erzeugung der Metallisierung stellt somit einen der letzten Arbeitsschritte dar. Die Metallisierung wird durch ein geeignetes Ätzverfahren lateral strukturiert, um Verdrahtungsleiterbahnen zu erzeugen.
Der fertige Schaltkreis bzw. das fertige optoelektronische Bauelement wird mit einer Dünnschichtpassivierung versehen. Die Passivierung wird an den vorgesehenen Stellen geöffnet, um Anschlußkontaktflächen zu bilden. Alternativ wird die Passivierung mittels einer sogenannten Schattenmaske direkt aufgebracht.
Die beschriebene Herstellung erfolgt vorzugsweise auf Waferlevel bzw. Waferebene. Noch vor dem Vereinzeln des Wafers in einzelne optoelektronische Bauelemente erfolgt eine Testung der fertigen Schaltkreise im Waferverbund. Diese Testung erfolgt vorzugsweise nach Standardverfahren auf einem herkömmlichen Waferprober. Dabei werden die optoelektronischen Bauelemente des Wafers mittels sogenann- ter Nadelkarten kontaktiert. Das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement ist im Gegensatz zu dem eingangs anhand der Fig. 2 beschriebenen herkömmlichen optoelektronischen Bauelemente nicht erst nach Vereinzeln und Bonden sondern bereits vor dem Vereinzeln, also noch im Waferver- bund, vollständig und vollständig funktionsfähig. Das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement wird deshalb vorzugsweise hinsichtlich seiner gesamten Funktionalität vollständig getestet, d. h. neben seinen elektrischen Eigenschaften werden auch die optischen bzw. elektroopti- sehen Eigenschaften jedes einzelnen optoelektronischen Bauelements des Wafers erfaßt bzw. vermessen. Dazu werden vorzugsweise optische Bauelemente bzw. entsprechende Muster oder Strukturen den optoelektronischen Bauelementen des Wafers gegenüber angeordnet.
Nach dem Test der optoelektronischen Bauelemente des Wafers werden fehlerhafte optoelektronische Bauelemente durch Markieren bzw. Inken gekennzeichnet oder in einer Wafermap eingetragen und unmittelbar nach dem Vereinzeln ausgesondert.
Bezugszeichenliste
10 Si-Substrat
12 Oberfläche des Si-Substrats
14 Ausnehmung
16 SMD-Leuchtdiode
18 lichtempfindliche Diode
20 Bonddraht
22 Leiterbahn
30 Si-Substrat
32 Oberfläche des Si-Substrats 30
34a, ... , 34h Lichtsensor
36 Leuchtdiode
38a, 38b Leiterbahn
40a, 40b Anschlußkontaktfläche
42 Oberfläche des Si-Substrats 30

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement mit:
einem Substrat (30) ;
einem Lichtsensor (34a, ..., 34h); und
einer Leuchtdiode (36) mit einer lichtemittierenden Schicht aus einem organischen Material,
wobei der Lichtsensor (34a, ..., 34h) und die Leuchtdiode (36) monolithisch mit dem Substrat (30) integriert sind.
2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, bei dem der Lichtsensor (34a, ..., 34h) ein Halbleitermaterial aufweist.
3. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 2, bei dem der Lichtsensor (34a, ..., 34h) ein CMOS-Lichtsensor ist.
4. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Lichtsensor (34a, ..., 34h) und die Leuchtdiode (36) an einer Oberfläche (32) des Substrats (30) angeordnet sind.
5. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 4, ferner mit:
einer Leiterbahn (38a, 38b) zum Kontaktieren des Lichtsensors (34a, ..., 34h) oder der Leuchtdiode (36) ; und
einer Passivierungsschicht, die einen Teil der Leiterbahn bedeckt.
6. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 5, bei dem die lichtemittierende Schicht der Leuchtdiode dünner als die Passivierungsschicht ist.
7. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Lichtsensor (34a, ..., 34h) zum Empfangen eines Lichtsignals vorgesehen ist, das von der Leuchtdiode (36) erzeugt und von einem optischen Bauelement zu dem Lichtsensor (34a, ..., 34h) gelenkt wird.
8. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, mit einer Mehrzahl von Lichtsensoren (34a, ..., 34h), die monolithisch mit dem Substrat (30) in- tegriert sind.
9. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, mit einer Mehrzahl von Leuchtdioden (36) , die mit dem Substrat (30) monolithisch integriert sind und jeweils eine lichtemittierende Schicht aus einem organischen Material aufweisen.
10. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem der Lichtsensor (34a, ..., 34h) eine Photodiode oder einen Phototransistor umfaßt.
11. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Oberfläche (32) des Substrats (30) so ausgebildet ist, daß eine Einstrahlung von Streulicht von der Leuchtdiode (36) zu dem Lichtsensor reduziert oder verhindert wird.
12. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 11, bei dem die Leuchtdiode (36) in einer Ausnehmung in der Oberfläche (32) des Substrats (30) angeordnet ist.
13. Optischer Sensor mit: einem optoelektronischen Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12; und
einem optischen Bauelement, das gegenüber dem Licht- sensor (34a, ..., 34h) und der Leuchtdiode (36) angeordnet ist, zum Lenken von Licht, das von der Leuchtdiode (36) emittiert wird, zu dem Lichtsensor (34a, ... , 34h) , wobei eine Eigenschaft des von dem Lichtsensor (34a, ..., 34h) empfangenen Lichts von dem Ort oder der Ausrichtung oder einer anderen Eigenschaft des optischen Bauelements abhängig ist.
14. Optischer Sensor nach Anspruch 13, bei dem das optische Bauelement ein optisches Gitter zur Beugung von Licht mittels Interferenz umfaßt.
15. Optischer Sensor nach Anspruch 14, bei dem das optoelektronische Bauelement eine Mehrzahl von Lichtsensoren (34a, ..., 34h) aufweist, die lateral benachbart zu der Leuchtdiode (36) angeordnet sind, wobei der optische Sensor ein optischer Drehwinkelsensor ist.
16. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, mit folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Substrats (30) ;
Erzeugen eines Lichtsensors (34a, ..., 34h) an dem Substrat (30) ; und
Erzeugen einer Leuchtdiode (36) mit einer lichtemittierenden Schicht aus einem organischen Material an dem Substrat.
17. Verfahren nach Anspruch 16, bei dem der Lichtsensor (34a, ..., 34h) an einer Oberfläche (32) des Substrats (30) erzeugt wird, und bei dem die Leuchtdiode (36) an der Oberfläche (32) des Substrats (30) erzeugt wird.
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, bei dem zunächst der Lichtsensor (34a, ..., 34h) und im Anschluß die Leuchtdiode (36) erzeugt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18,
bei dem der Schritt des Erzeugens des Lichtsensors
(34a, ..., 34h) einen Schritt des Erzeugens einer Mehrzahl von Lichtsensoren (34a, .., 34h) umfaßt, bei dem Platz für die Leuchtdiode (36) freigelassen wird, und
bei dem der Schritt des Erzeugens der Leuchtdiode (36) einen Schritt des Erzeugens der Leuchtdiode an dem im Schritt des Erzeugens des Lichtsensors freigelassenen Platz umfaßt.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, bei dem der Lichtsensor (34a, ... , 34h) durch Implantation oder Diffusion eines Dotierstoffes in ein Halbleitermaterial des Substrats (30) zum Erzeugen einer Photodiode, eines Photowiderstands oder eines Phototransistors erzeugt wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20, ferner mit folgenden Schritten:
Erzeugen einer Leiterbahn (38a, 38b) zum Kontaktieren des Lichtsensors (34a, ..., 34h) oder der Leuchtdiode
(36) nach dem Erzeugen der Leuchtdiode (36) ; und
Erzeugen einer Passivierungsschicht auf der Leiterbahn (38a, 38b) .
22. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem die lichtemittierende Schicht der Leuchtdiode (36) dünner als die Passivierungsschicht ist.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006040790B4 (de) * 2006-08-31 2012-04-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Reflexkoppler mit integriertem organischen Lichtemitter sowie Verwendung eines solchen Reflexkopplers
US8405115B2 (en) * 2009-01-28 2013-03-26 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor using wafer-level packaging
GB201020024D0 (en) 2010-11-25 2011-01-12 St Microelectronics Ltd Radiation sensor
GB201020023D0 (en) 2010-11-25 2011-01-12 St Microelectronics Ltd Radiation sensor
GB2486000A (en) 2010-11-30 2012-06-06 St Microelectronics Res & Dev Optical proximity detectors with arrangements for reducing internal light propagation from emitter to detector
GB2485998A (en) 2010-11-30 2012-06-06 St Microelectronics Res & Dev A single-package optical proximity detector with an internal light baffle
GB2485996A (en) 2010-11-30 2012-06-06 St Microelectronics Res & Dev A combined proximity and ambient light sensor
US20130240744A1 (en) * 2011-05-03 2013-09-19 Trusted Semiconductor Solutions, Inc. Neutron detection chip assembly
US8686543B2 (en) * 2011-10-28 2014-04-01 Maxim Integrated Products, Inc. 3D chip package with shielded structures
AT513747B1 (de) * 2013-02-28 2014-07-15 Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab Bestückungsverfahren für Schaltungsträger und Schaltungsträger
CN113594104B (zh) * 2021-08-10 2024-05-28 南方科技大学 一种单片集成芯片及其应用

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06275864A (ja) * 1993-03-24 1994-09-30 Mitsui Toatsu Chem Inc 光−光変換素子
US5629533A (en) * 1995-02-06 1997-05-13 Motorola Optical sensor and method
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
US6392617B1 (en) * 1999-10-27 2002-05-21 Agilent Technologies, Inc. Active matrix light emitting diode display
US6509574B2 (en) * 1999-12-02 2003-01-21 Texas Instruments Incorporated Optocouplers having integrated organic light-emitting diodes
US20040252867A1 (en) * 2000-01-05 2004-12-16 Je-Hsiung Lan Biometric sensor
JP2001203078A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Tdk Corp 発光受光素子の駆動装置、発光受光装置、通信システムおよび表示装置
GB0014961D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements
US6320325B1 (en) * 2000-11-06 2001-11-20 Eastman Kodak Company Emissive display with luminance feedback from a representative pixel

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2004102681A1 *

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