Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Erzeugung
eines optischen Wellenleiters mit einer
Reflexionseinrichtung nach der Gattung des unabhängigen
Anspruchs.
Aus den Tagungsberichten zur 20. Europäischen Konferenz über
optische Kommunikation, 25. - 29.9.1994 in Florenz, Seite
205 ist schon ein Verfahren zur Erzeugung eines optischen
Wellenleiters mit einer Reflexionseinrichtung bekannt. In
einem Silizium-Substrat wird eine Vertiefung hergestellt,
welche in etwa die Form des herzustellenden Wellenleiters
besitzt. Diese Vertiefung wird in einem darauffolgenden
Schritt mit dem Wellenleitermaterial, beispielsweise
Siliziumoxynitrid, aufgefüllt. Während der Abscheidung wird
Wasser in das Wellenleitermaterial eingebaut, welches durch
einen der Abscheidung folgenden Temperschritt entfernt wird.
An einem Ende der Wellenleiterstruktur wird dann das
Wellenleitermaterial wieder aus der Vertiefung ausgelöst.
Auf der dem Wellenleiterende gegenüberliegenden Wand der
Vertiefung wird dann eine Spiegelschicht aus Gold
aufgebracht. Gegebenenfalls muß die Wandfläche vor dem
Aufbringen der Spiegelschicht geglättet werden oder durch
einen anisotropen Ätzprozeß relativ zur
Siliziumsubstratoberfläche angeschrägt werden. Somit kann
Licht von einer Ausbreitungsrichtung in etwa senkrecht zur
Substratoberfläche in eine Ausbreitungsrichtung, in etwa
parallel zur Substratoberfläche, umgelenkt werden. Dies ist
insbesondere notwendig, um beispielsweise eine vertikal
emittierende Laserdiode mit einer mikrostrukturtechnisch
hergestellten Wellenleiterstruktur zu koppeln oder auch um
eine optische Verbindung zwischen einem vorfabrizierten
Sensorelement und einer solchen Wellenleiterstruktur
herzustellen.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden
Merkmalen der unabhängigen Ansprüche hat demgegenüber den
Vorteil, daß ein aufwendiger Prozeßschritt entfällt, da das
bereits in die Vertiefung eingebrachte Wellenleitermaterial
nicht wieder partiell entfernt werden muß. Insbesondere
ergibt sich somit eine deutliche Senkung der
Produktionskosten. Als weiterer Vorteil ist anzusehen, daß
ein mit Hilfe dieses Verfahrens gefertigtes Bauteil auch für
spätere Fertigungsschritte und im Einsatz eine geringere
Wärmeempfindlichkeit aufweist. Hiermit ergibt sich eine
größere Flexibilität, beispielsweise beim Einsatz von Wafer-Bonding-Verfahren
in der Fertigung. Schließlich ist es als
weiterer Vorteil anzusehen, daß die Spiegelschicht vom
Wellenleitermaterial bedeckt wird, welches gleichzeitig den
Spiegel vor schädlichen Einflüssen während der Produktion
und später vor Umwelteinflüssen schützt.
Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten
Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und
Verbesserungen des im unabhängigen Anspruch angegebenen
Verfahrens möglich.
Die Wärmebehandlung des Wellenleiters nach dem Einbringen
des Wellenleitermaterials in die Vertiefung ermöglicht es,
Wellenleiter mit geringeren Verlusten zu produzieren.
Durch die Verwendung von Silizium als Substrat und der
Herstellung der Vertiefung durch einen anisotropen
naßchemischen Ätzprozeß ist es möglich, eine Vertiefung im
Siliziumsubstrat herzustellen, deren Seitenwände extrem
glatt sind und mit der Oberfläche einen Winkel von 54,7°
bilden. Diese Wände können ohne weitere Bearbeitung als
Träger für das Spiegelmaterial dienen.
Durch die Herstellung einer dachförmigen Vertiefung im
Substrat, welche bereits die für den Wellenleiter
vorgesehene Form aufweist, das Aufbringen der
Spiegelschicht, und schließlich das Einbringen des
Wellenleitermaterials ergibt sich ein besonders rationelles
und kostengünstiges Verfahren.
Durch die Herstellung einer ersten dachförmigen Vertiefung,
an deren mindestens eine Seitenwand eine Spiegelschicht
aufgebracht wird, und die darauffolgende Herstellung der
Vertiefungen für die Wellenleiter, ergibt sich ein sehr
flexibles Verfahren, welches erlaubt, komplexe Strukturen
herzustellen. Beispielsweise können auf diese Art mehrere
Wellenleiterstrukturen, welche verschieden tief in das
Substrat eingebettet sind, hergestellt werden.
Zeichnung
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen
Figuren 1 a-c die wichtigsten Zwischenschritte zur
Herstellung eines Spiegels für Wellenleiter in integriertoptischen
Bauelementen, Figur 2 ein Anwendungsbeispiel für einen solchen Spiegel, Figuren 3 a-e ein abgewandeltes Verfahren zur Herstellung
eines Spiegels für Wellenleiter in integriert-optischen
Bauelementen, welches auch zur Herstellung von komplexeren
Bauteilen geeignet ist, Figur 4 ein Anwendungsbeispiel für einen Spiegel, welcher
nach dem in Figur 3 a-e gezeigten Verfahren hergestellt ist.
Beschreibung
Figuren 1 a-c zeigen ein Siliziumsubstrat 1 in drei Stufen
des Fertigungsprozesses.
Im ersten Fertigungsschritt wird in dem Siliziumsubstrat 1
eine später als Wellenleitergraben dienende Vertiefung
erzeugt. Figur 1 a zeigt das Siliziumsubstrat 1 nach diesem
Fertigungsschritt. Das Siliziumsubstrat 1 weist eine
längliche dachförmige Vertiefung 10 auf mit einem in etwa
parallel zur Oberfläche verlaufenden Boden 2, zwei
Längswänden 3, von welchen in Figur 1 a nur eine sichtbar
ist, und einer Stirnwand 4. Die Stirnwand 4 und die
Längswände 3 der dachförmigen Vertiefung 10 stehen nicht
genau senkrecht zum Boden 2 der dachförmigen Vertiefung 10,
sondern stehen in einem Winkel 54,7° zum Boden 2. Die in
Figur 1 a gezeigte dachförmige Vertiefung 10 im
Siliziumsubstrat 1 kann durch naßchemisches anisotropes
Ätzen besonders einfach hergestellt werden. Hierzu wird ein
Siliziumsubstrat mit [100]-Orientierung gewählt. Es wird mit
einer Maske versehen, welche die nicht zu ätzenden Flächen
schützt, und in Kaliumhydroxid bei einer leicht erhöhten
Temperatur von beispielsweise 70 °C geätzt. Es entsteht dann
eine dachförmige Vertiefung, deren Begrenzungsflächen 3 und
4 jeweils [111]-Flächen mit einem Neigungswinkel von 54,7°
relativ zur Substratoberfläche sind. Bei längerer Ätzung
verschwindet der Boden 2 der dachförmigen Vertiefung 10, so
daß die dachförmige Vertiefung 10 einen V-förmigen
Querschnitt aufweist. Ätzverfahren, welche für andere
Materialien oder andere kristallographische Orientierungen
geeignet sind, finden sich in der einschlägigen Literatur
und sind dem Fachmann bekannt.
In Figur 1 b zeigt dasselbe Siliziumsubstrat 1 mit derselben
länglichen dachförmigen Vertiefung 10 im Siliziumsubstrat 1
nach einem weiteren Prozessschritt. Hierbei wird auf die
Stirnfläche 4 der dachförmigen Vertiefung 10 eine aus
Wolfram bestehende spiegelnde Metallschicht 5 aufgebracht.
Figur 1 c zeigt das Bauteil nach einem weiteren Schritt. Die
längliche Vertiefung 10 mit den Seitenwänden 3, dem Boden 2
und der mit einer Metallschicht 5 beschichteten Stirnwand 4
wurde mit einem Wellenleitermaterial 20, in diesem Fall
Siliziumoxynitrid, aufgefüllt, so daß sich eine
Wellenleiterstruktur ergibt. Um diese Wellenleiterstruktur
zu erhalten, sind beim Auffüllen passende Vorkehrungen zum
Erhalt eines Brechungsindexgradienten im
Wellenleitermaterial 20 zu treffen, welche dem Fachmann
bekannt sind.
Um die Lichtabsorption im Wellenleitermaterial 20 so gering
wie möglich zu halten, muß das gesamte Bauteil nach dem
Einbringen des Wellenleitermaterials 20 in die längliche
dachförmige Vertiefung 10 bei 1100°C getempert werden,
wodurch in das Wellenleitermaterial 20 eingebautes Wasser
ausgetrieben wird. Die Temperatur für den Temperschritt
kann, je nach verwendetem Wellenleitermaterial 20, auch von
den o.g. 1100°C abweichen.
Anstelle von Wolfram können auch andere Metalle mit einem
hohen Schmelzpunkt für die Herstellung der Metallschicht 5
verwendet werden, wie beispielsweise Platin oder Rhodium.
Gold, welches häufig als Material für optische Spiegel
verwendet wird, ist jedoch nicht einsetzbar. Der
Schmelzpunkt von Gold liegt bei 1063 °C. Schon bei deutlich
unterhalb des Schmelzpunkts liegenden Temperaturen verändert
Gold durch Rekristallisation seine Kornstruktur, was zu
einer diffusen Reflexion des Lichts führt.
Eine Anwendung des Bauteils, welches nach dem oben
geschilderten Verfahren erzeugt wurde, ist in dem
Querschnitt in Figur 2 zu sehen. Im Substrat 1 befindet sich
eine längliche dachförmige Vertiefung 10, entlang deren
Längsachse der in Figur 2 dargestellte Schnitt vorgenommen
wurde. Auf der Stirnfläche 4 der länglichen dachförmigen
Vertiefung 10 ist die aus der Beschreibung zu Figur 1
bekannte Metallschicht 5 aufgebracht. In der Vertiefung 10
befindet sich das Wellenleitermaterial 20. Im hier gewählten
Ausführungsbeispiel jedoch wird die längliche dachförmige
Vertiefung 10 vollständig vom Wellenleitermaterial 20
aufgefüllt, so daß die Oberfläche des Wellenleiters und die
Substratoberfläche eine glatte Fläche bilden. Auf dieser
Oberfläche, in etwa über der Stirnfläche 4 mit der
Metallschicht 5 ist ein vertikal emittierender
Halbleiterlaser 30 angebracht. Vom vertikal emittierenden
Halbleiterlaser 30 ausgestrahltes Licht 40 pflanzt sich in
etwa senkrecht zur Substratoberfläche fort, bis es auf die
Metallschicht 5 trifft. Das von der Metallschicht 5
reflektierte Licht 41 ist in etwa parallel zur
Substratoberfläche gerichtet. Abweichungen von der
parallelen Richtung ergeben sich beispielsweise durch einen
von 45 ° abweichenden Winkel zwischen Stirnfläche 4 der
länglichen dachförmigen Vertiefung 10 und der
Substratoberfläche. Durch die Führung des reflektierten
Lichts 41 durch den Wellenleiter ist diese Abweichung jedoch
unerheblich.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in den Figuren 3 a-e
gezeigt.
In einem Siliziumsubstrat 1 wurde mittels der schon in der
Beschreibung zu Figur 1 erläuterten Ätztechnik eine
pyramidenförmige Vertiefung 6 mit vier Pyramidenflächen 7
erzeugt, wie in Figur 3 a zu sehen ist.
In Figur 3 b ist das Substrat 1 mit der pyramidenförmigen
Vertiefung 6 zu sehen, wobei auf zwei der vier
Pyramidenflächen 7 eine Metallschicht 5 aufgebracht wurde.
Diese Metallschicht 5 besteht, wie im vorhergehenden
Beispiel, aus einem Metall mit hohem Schmelzpunkt,
beispielsweise Platin.
Im Gegensatz zum in den Figuren 1 a-c gezeigten
Ausführungsbeispiel werden im hier gezeigten
Ausführungsbeispiel die Vertiefungen für die
Wellenleiterstrukturen erst nach Aufbringen der
Metallschicht 5 fertiggestellt. Im hier gezeigten
Ausführungsbeispiel erfolgt diese Fertigstellung in einem
Zweischrittprozeß. Im ersten dieser beiden Schritte wird
eine erste längliche dachförmige Vertiefung 11 hergestellt.
Dieser Ätzprozeß wird jedoch nach einiger Zeit unterbrochen,
so daß die erste längliche dachförmige Vertiefung 11 noch
einen zur Substratoberfläche parallelen Boden 2 aufweist und
beispielsweise 200 Mikrometer tief ist. Figur 3 c zeigt das
Siliziumsubstrat zu diesem Zeitpunkt.
Nach einer Änderung an den die Substratoberfläche
bedeckenden Schutzschichten oder Masken, welche hier nicht
im Detail gezeigt ist, wird der Ätzprozeß fortgesetzt.
Hierbei wird die erste längliche dachförmige Vertiefung 11
weitergeätzt, bis der Boden 2 verschwunden ist und die erste
längliche dachförmige Vertiefung 11 einen dreieckigen
Querschnitt aufweist. Gleichzeitig entsteht eine zweite
längliche dachförmige Vertiefung 12, welche bei Erreichen
eines dreieckigen Querschnitts für die erste längliche
dachförmige Vertiefung 11 noch einen trapezförmigen
Querschnitt aufweist. Beispielsweise seien die erste
längliche dachförmige Vertiefung 11 1 mm tief und die zweite
längliche dachförmige Vertiefung 12 400 Mikrometer. Die so
erhaltene Struktur ist in Figur 3 d dargestellt.
In einem darauffolgenden Prozeßschritt, welcher zu der
Struktur in Figur 3 e führt, wird die in Figur 3 d gezeigte
Struktur mit dem Wellenleitermaterial 20 aufgefüllt. Bei dem
Wellenleitermaterial handelt es sich wie im vorhergehenden
Beispiel um Siliziumoxynitrid. Wiederum schließt sich an das
Auffüllen der Vertiefungen mit dem Wellenleitermaterial 20
ein Temperschritt an, um die Verluste der
Wellenleiterstrukturen so gering wie möglich zu halten. Das
so erhaltene Bauteil umfaßt einen ersten Wellenleiter 31,
einen zweiten Wellenleiter 32, welche beide in eine
Spiegelkammer 33 münden, wobei sämtliche
Wellenleiterstrukturen im Siliziumsubstrat 1 versenkt sind.
Eine Anwendung dieses Bauteils ist in Figur 4 dargestellt.
Hierbei ist das in Figur 3 e dargestellte Bauteil entlang
der gestrichelten Linie, welche eine Längsachse des zweiten
Wellenleiters 32 darstellt, aufgeschnitten. Zu sehen ist das
Siliziumsubstrat 1, welches die als Spiegelkammer 33
ausgebildete pyramidenförmige Vertiefung aufweist. Die linke
Pyramidenfläche ist mit einer Metallschicht 5 versehen, die
zweite mit einer Metallschicht 5 versehene Pyramidenfläche
liegt nicht in der Schnittfläche und ist deshalb in Figur 4
unsichtbar. Von der Spiegelkammer 33 nach rechts führt der
zweite Wellenleiter 32, der erste Wellenleiter 31 führt von
der Spiegelkammer 33 aus der Schnittfläche heraus und ist
ebenfalls nicht sichtbar. Auf dem Substrat 1 ist ein
optischer Detektor 50 angebracht, welcher hier als
positionssensitiver Detektor ausgebildet ist.
Das aus dem zweiten Wellenleiter 32 kommende Licht 42 wird
in einen ersten Bereich 43 des positionssensitiven Detektors
50 reflektiert, das aus dem ersten Wellenleiter 31 kommende
Licht 44 wird in einen zweiten Bereich 45 des
positionssensitiven Detektors 50 reflektiert. Da die
Lichtstrahlen 42 und 44 sich in unterschiedlichem Abstand
von der Substratoberfläche fortpflanzen, und sich ihre Wege
auch in der Spiegelkammer 33 nicht überschneiden, wird der
Effekt des optischen Übersprechens verringert. Durch die
Herstellung einer Spiegelkammer mit Metallspiegelflächen aus
Metall mit hohem Schmelzpunkt und darauffolgender
Fertigstellung der länglichen Vertiefungen für die
Wellenleiter, ergibt sich eine größere Flexibilität in der
Ausgestaltung der Wellenleiter und ihrer Anordnung.
Die hier gezeigten Anwendungen von Wellenleitern mit
Reflexionseinrichtungen, welche nach dem Verfahren erzeugt
wurden, liegen in der Umleitung von Licht, welches sich
parallel zur Substratoberfläche fortpflanzt, in Licht,
welches sich senkrecht zur Substratoberfläche ausbreitet.
Sie sind jedoch nicht hierauf beschränkt.
Ebenso ist es vorgesehen, das Verfahren zur Herstellung von
etwa rechtwinkligen Strahlumlenkungen in der Oberfläche zu
verwenden. Hierbei steht die reflektierende Fläche, auf
welcher die Metallschicht 5 aufgebracht wird, etwa senkrecht
zur Substratoberfläche. Auch bei dieser Anwendung kommen die
oben geschilderten Vorteile der Erfindung voll zum Tragen.
Zu diesem Zweck kann eine anisotrope naßchemische Ätztechnik
mit anderer Orientierung des Substrats gewählt werden.
Ebenso ist es jedoch möglich, auf eine ganz andere Technik
wie beispielsweise die LIGA-Technik zurückzugreifen.
Eine weitere vorgesehene Anwendung besteht darin, die
Spiegelschicht dazu zu benutzen, den Lichtstrahl in etwa in
sich selbst zurück zu reflektieren. In dieser Konfiguration
dient das Verfahren zur Herstellung von Spiegeln an
optischen Resonatoren.