EP0588073A1

EP0588073A1 - Pyroelectric sensor for passive infrared motion detectors

Info

Publication number: EP0588073A1
Application number: EP93113077A
Authority: EP
Inventors: Martin Forster; Peter Ryser
Original assignee: Cerberus AG
Current assignee: Cerberus AG
Priority date: 1992-08-14
Filing date: 1993-08-16
Publication date: 1994-03-23
Also published as: CH684446A5

Abstract

An improved pyroelectric sensor for detecting the intrusion of objects radiating infrared radiation is obtained by all costly parts, IR filters (9) and pyroelectric material (31) being very small and permanently connected to one another. Manufacture is particularly simple since it can be produced in batches by producing the pyroelectric elements (31) and the IR filters (9) as large plates by gluing them together as a flat constructional unit and then sawing them apart to form individual pyroelectric sensors. In a particularly advantageous embodiment, a Fresnel lens zone optics module plate (7) is glued onto the IR filter plate (9) before sawing. Sawing them provides completed IR detectors. <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft einen pyroelektrischen Sensor für passive Infrarotbewegungsdetektoren gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen pyroelektrischen Sensors. Passive Infrarotbewegungsdetektoren sind allgemein bekannt, sie dienen zur Detektion von sich bewegenden, Infrarotstrahlung aussendenden Objekten, beispielsweise in Anlagen zur Überwachung von Räumen.The invention relates to a pyroelectric sensor for passive infrared motion detectors according to the preamble of claim 1 and a method for producing such a pyroelectric sensor. Passive infrared motion detectors are generally known, they are used to detect moving objects emitting infrared radiation, for example in systems for monitoring rooms.

Außer dem pyroelektrischen Strahlungsempfänger (Sensor) weisen die Infrarotbewegungsdetektoren eine in Strahlungsrichtung vor dem Sensor angeordnete Optik (Spiegel oder Linse) zur Bündelung der aus dem zu überwachenden Bereich eintreffenden Strahlung auf dem Sensor und eine elektronische Auswerteschaltung auf.In addition to the pyroelectric radiation receiver (sensor), the infrared motion detectors have an optical system (mirror or lens) arranged in front of the sensor in the radiation direction for focusing the radiation arriving from the area to be monitored on the sensor and an electronic evaluation circuit.

Die verwendeten pyroelektrischen Strahlungssensoren bestehen aus pyroelektrischen Materialien mit an entgegengesetzten Flächen angeordneten Elektroden. Als pyroelektrische Materialien dienen beispielsweise zu dünnen Schichten geschliffene Plättchen aus Lithiumtantalat oder Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) oder Folien aus Polyvinylidendifluorid (PVDF). Die Sensorelemente bilden Kondensatoren, die im allgemeinen eine Kapazität von etwa 10 pF aufweisen. Bei einer Temperaturänderung des pyroelektrischen Materials, beispielsweise als Folge der Absorption von Infrarotstrahlung, ändert sich die Polarisation des Materials. Die sich daraus ergebende Umverteilung von an der Oberfläche des Materials liegenden Ausgleichsladungen bewirkt das Fließen eines Stromes im Sensorschaltkreis.The pyroelectric radiation sensors used consist of pyroelectric materials with electrodes arranged on opposite surfaces. For example, platelets made of lithium tantalate or lead zirconate titanate (PZT) or foils made of polyvinylidene difluoride (PVDF) ground to thin layers serve as pyroelectric materials. The sensor elements form capacitors which generally have a capacitance of approximately 10 pF. When the temperature of the pyroelectric material changes, for example as a result of the absorption of infrared radiation, the polarization of the material changes. The resulting redistribution of equalization charges on the surface of the material causes a current to flow in the sensor circuit.

Die bei Eintritt eines Objekts, dessen Temperatur sich von der Temperatur der Umgebung unterscheidet, in einen zu überwachenden Raum auftretende Infrarotstrahlung wird durch eine fokussierende Optik (Spiegel oder Linse) auf den im Brennpunkt oder in der Nähe des Brennpunktes der Optik angeordneten Strahlungsempfänger geleitet. Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn die Optik in der Weise in getrennte Elemente unterteilt ist, daß der zu überwachende Raum in diskrete Empfindlichkeitsbereiche (Überwachungsbereiche) unterteilt ist, wie es in der US-A1-3,703,718 vorgeschlagen wurde. Jedesmal, wenn ein Eindringling einen der Empfindlichkeitsbereiche betritt oder verläßt, ändert sich die auf den Strahlungsempfänger fallende Strahlung plötzlich, und diese plötzlichen Strahlungsänderungen ergeben eine erheblich verläßlichere Detektion eines Eindringlings, da die durch das Betreten, bzw. Verlassen eines Empfindlichkeitsbereichs verursachte Signaländerung erheblich größer ist als die durch die Bewegung eines Eindringlings innerhalb eines Bereichs verursachte Signaländerung.The infrared radiation that occurs when an object whose temperature differs from the temperature of the surroundings enters a room to be monitored is directed through a focusing optic (mirror or lens) to the radiation receiver arranged at or near the focal point of the optics. It has proven to be particularly advantageous if the optics is divided into separate elements in such a way that the space to be monitored is divided into discrete sensitivity areas (monitoring areas), as was proposed in US-A1-3,703,718. Whenever an intruder enters or leaves one of the sensitivity areas, The radiation falling on the radiation receiver changes suddenly, and these sudden radiation changes result in a considerably more reliable detection of an intruder, since the signal change caused by entering or leaving a sensitivity range is considerably greater than the signal change caused by the movement of an intruder within a range .

Infrarotbewegungsdetektoren der beschriebenen Art sind beispielsweise in der CA-A-1'261'941, der EP-A1-0'218'055 und der EP-A2-0'209'385 geoffenbart. Ein Nachteil dieser Systeme besteht darin, daß die Baulänge der Infrarotbewegungsdetektoren - durch die Länge der Brennweiten der Spiegel oder Linsen bedingt - ziemlich groß ist. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß sie aus mehreren Teilen (z.B. Spiegeloptik, Fresnellinsen, Sensoren, Printplatte) bestehen, die aufeinander abgestimmt (justiert) werden müssen. Dies bewirkt eine komplizierte Herstellung der Infrarotbewegungsdetektoren, und eine minimale Baugröße kann nicht unterschritten werden.Infrared motion detectors of the type described are disclosed, for example, in CA-A-1'261'941, EP-A1-0'218'055 and EP-A2-0'209'385. A disadvantage of these systems is that the length of the infrared motion detectors - due to the length of the focal lengths of the mirrors or lenses - is quite large. Another disadvantage is that they consist of several parts (e.g. mirror optics, Fresnel lenses, sensors, printed circuit boards) that have to be coordinated (adjusted) with one another. This causes a complicated manufacture of the infrared motion detectors and a minimum size cannot be undershot.

Infrarotbewegungsdetektoren werden heute so vielfältig eingesetzt, daß ihre Massenproduktion unumgänglich ist; dies setzt voraus, daß die Herstellung nicht als Einzelanfertigung erfolgt, sondern daß eine große Anzahl in einem Arbeitsgang gemeinsam hergestellt werden kann (Batchwise Production).Infrared motion detectors are so widely used today that their mass production is inevitable; this presupposes that the production is not made as a one-off, but that a large number can be produced together in one work step (batchwise production).

In der WO-88/04038 ist ein pyroelektrischer Bewegungsdetektor beschrieben, bei dem die aktive Fläche ein runder Zylinder ist. Der Nachteil des dort beschriebenen Sensors besteht darin, daß er nicht auf Silicium gefertigt werden kann und sich nicht für eine Massenproduktion eignet. In der EP-A1-0'347'704 ist ein pyroelektrischer Sensor beschrieben, der aus mit Epoxidharz umspritzten Blechteilen aufgebaut ist. Er enthält keine Linse für die Zonenabbildung und kann nur in einer Dimension massengefertigt werden. Außerdem weist er einen ungenügenden Schutz gegen elektrostatische Felder und gegen Feuchtigkeit auf.WO-88/04038 describes a pyroelectric motion detector in which the active area is a round cylinder. The disadvantage of the sensor described there is that it cannot be manufactured on silicon and is not suitable for mass production. EP-A1-0'347'704 describes a pyroelectric sensor which is constructed from sheet metal parts overmolded with epoxy resin. It does not contain a lens for zone mapping and can only be mass-produced in one dimension. In addition, it has insufficient protection against electrostatic fields and against moisture.

Von diesem Stand der Technik ausgehend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die Nachteile der bisher verwendeten pyroelektrischen Sensoren für passive Infrarotbewegungsdetektoren zu vermeiden und insbesondere solche pyroelektrischen Sensoren zu schaffen, die eine vereinfachte Herstellung, insbesondere eine "batchwise production", ermöglichen und die klein und präzis sind.Starting from this prior art, the object of the invention is to avoid the disadvantages of the pyroelectric sensors used previously for passive infrared motion detectors and, in particular, to create those pyroelectric sensors which enable simplified production, in particular batchwise production, and which are small and precise are.

Diese Aufgabe wird bei einem pyroelektrischen Sensor für passive Infrarotbewegungsdetektoren der eingangs genannten Art durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 und bei einem Verfahren zur Herstellung eines solchen pyroelektrischen Sensors durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 8 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen und Ausgestaltungen sind in den abhängigen Patentansprüchen definiert.This object is achieved in a pyroelectric sensor for passive infrared motion detectors of the type mentioned at the outset by the characterizing features of patent claim 1 and in a method for producing such a pyroelectric sensor by the characterizing features of patent claim 8. Preferred embodiments and refinements are defined in the dependent claims.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen pyroelektrischen Sensors befindet sich das Infrarotfilter oberhalb einer in einer Siliciumplatte zum Durchtritt einfallender Infrarotstrahlung angeordneten Öffnung; auf der dem Infrarotfilter abgewandten Seite der Siliciumplatte sind eine Blei-Zirkonat-Titanat-Schicht und Elektroden zum Ableiten der Signale angeordnet.According to a preferred embodiment of the pyroelectric sensor according to the invention, the infrared filter is located above an opening arranged in a silicon plate for the passage of infrared radiation; A lead-zirconate-titanate layer and electrodes for deriving the signals are arranged on the side of the silicon plate facing away from the infrared filter.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen pyroelektrischen Sensors befindet sich an der Oberseite der Siliciumplatte ein Luftausgleich.According to a further preferred embodiment of the pyroelectric sensor according to the invention, an air equalization is located on the top of the silicon plate.

Bei einer anderen bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen pyroelektrischen Sensors befindet sich zwischen der Siliciumplatte und der Blei-Zirkonat-Titanat-Schicht eine Siliciumdioxidschicht und eine Edelmetallschicht, wobei sich die Edelmetallschicht in unmittelbarem Kontak mit der Blei-Zirkonat-Titanat-Schicht befindet. Besonders bevorzugt ist es, wenn die Edelmatallschicht aus Platin besteht.In another preferred embodiment of the pyroelectric sensor according to the invention, a silicon dioxide layer and a noble metal layer are located between the silicon plate and the lead zirconate titanate layer, the noble metal layer being in direct contact with the lead zirconate titanate layer. It is particularly preferred if the precious metal layer consists of platinum.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen pyroelektrischen Sensors ist die Oberseite der Siliciumplatte und der nicht von der Siliciumplatte bedeckte Teil der Siliciumdioxidschicht von einer Absorberschicht bedeckt.In a particularly preferred embodiment of the pyroelectric sensor according to the invention, the top of the silicon plate and the part of the silicon dioxide layer not covered by the silicon plate is covered by an absorber layer.

Weiterhin ist es besonders bevorzugt, bei der Herstellung nach dem Aufleimen der Infrarotfilterplatte auf die verbleibenden Stege der Siliciummodulplatte über die aus der Siliciummodulplatte herausgeätzten Öffnungen eine Fresnellinsen-Zonenoptik-Platte aufzuleimen und die so erhaltene Kombination aus Siliciumscheibe, Infrarotfilterplatte und Fresnellinsen-Zonen-Optik in einzelne Chips zu zersägen und direkt zu einem passiven Infrarotbewegungsdetektor weiterzuverarbeiten.Furthermore, it is particularly preferred to glue a Fresnel lens zone optical plate onto the remaining webs of the silicon module plate via the openings etched out of the silicon module plate and to glue the resulting combination of silicon wafer, infrared filter plate and Fresnel lens zone optics in separate Sawing chips and processing them directly into a passive infrared motion detector.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen

Figur 1: einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäßen pyroelektrischen Sensor,
Figur 2: einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäßen pyroelektrischen Sensor gemäß Figur 1 in vergrößertem Maßstab,
Figur 3: eine Draufsicht (von unten) auf einen pyroelektrischen Strahlungsempfänger gemäß Figur 1,
Figur 4: einen Querschnitt durch einen pyroelektrischen Strahlungsempfänger gemäß Figur 3,
Figur 5: eine Schaltung für einen pyroelektrischen Sensor gemäß Figur 1,
Figur 6: eine Draufsicht auf eine Anordnung aus IR-Filter und Si-PZT-Membran zur Herstellung eines pyroelektrischen Sensors gemäß Figur 1,
Figur 7: einen Querschnitt durch einen passiven Infrarotdetektor mit einem pyroelektrischen Sensor gemäß Figur 1 und
Figur 8: einen Querschnitt durch einen passiven Infrarotdetektor gemäß Figur 7 in vergrößertem Maßstab.

The invention is explained in more detail below on the basis of the exemplary embodiments illustrated in the drawings. Show it

Figure 1: 3 shows a cross section through a pyroelectric sensor according to the invention,
Figure 2: 2 shows a cross section through an inventive pyroelectric sensor according to FIG. 1 on an enlarged scale,
Figure 3: 2 shows a plan view (from below) of a pyroelectric radiation receiver according to FIG. 1,
Figure 4: 3 shows a cross section through a pyroelectric radiation receiver according to FIG. 3,
Figure 5: 1 a circuit for a pyroelectric sensor according to FIG. 1,
Figure 6: 2 shows a top view of an arrangement of IR filter and Si-PZT membrane for producing a pyroelectric sensor according to FIG. 1,
Figure 7: a cross section through a passive infrared detector with a pyroelectric sensor according to Figure 1 and
Figure 8: a cross section through a passive infrared detector according to Figure 7 on an enlarged scale.

Wenn im folgenden die Zeichnungen beschrieben werden, so versteht es sich, daß die Darstellung so weit vereinfacht wurde, daß nur soviel von dem Aufbau des pyroelektrischen Sensors dargestellt ist, wie erforderlich ist, damit ein Fachmann die zugrunde liegenden Prinzipien und Begriffe leicht verstehen kann.When the drawings are described in the following, it is understood that the illustration has been simplified to such an extent that only as much of the structure of the pyroelectric sensor is shown as is necessary so that a person skilled in the art can easily understand the underlying principles and terms.

In Figur 1 ist ein erfindungsgemäßer pyroelektrischer Sensor im Querschnitt dargestellt. Der pyroelektrische Sensor besteht im wesentlichen aus einem Sockel 1, welcher eine Kappe 3 trägt. Die Kappe 3 umschließt den Innenraum des pyroelektrischen Sensors; in ihrer oberen Abdeckung 5 weist sie eine Öffnung 5 auf, die durch ein IR-Filter 9 verschlossen ist.In Figure 1, a pyroelectric sensor according to the invention is shown in cross section. The pyroelectric sensor essentially consists of a base 1 which carries a cap 3. The cap 3 encloses the interior of the pyroelectric sensor; in its upper cover 5 it has an opening 5 which is closed by an IR filter 9.

Der Sockel 9 bildet den unteren Abschluß des Innenraums des pyroelektrischen Sensors. Auf seiner Oberseite befindet sich ein Hybrid 13 und darauf ein angepaßter system-integrierter Schaltkreis (ASIC) 15 oder ein Mikroprozessor. Die Verbindung zwischen dem Sensor und dem Hybrid 13 wird durch einen Kontaktbügel 17 hergestellt. Die mechanische und elektrische Verbindung mit den Bauteilen erfolgt über die Kontaktstifte 19.The base 9 forms the lower end of the interior of the pyroelectric sensor. There is a hybrid 13 on its upper side and an adapted system-integrated circuit (ASIC) 15 or a microprocessor thereon. The connection between the sensor and the hybrid 13 is established by a contact bracket 17. The mechanical and electrical connection to the components takes place via the contact pins 19.

Figur 2 zeigt einen Ausschnitt eines Querschnitts durch einen erfindungsgemäßen, pyroelektrischen Sensor gemäß Figur 1 in vergrößertem Maßstab. Auf einer in der Mitte eine zum Durchtritt von Infrarotstrahlung geeignete Aussparung aufweisende Siliciumscheibe 11 befinden sich übereinander (in Figur 2 von oben nach unten dargestellt) eine Siliciumdioxidschicht 27, eine Platinschicht 29 und eine Schicht aus Blei-Zirkonat-Titanat (PZT-Schicht) 31, die den eigentlichen Sensor darstellt. Auf der PZT-Schicht 31 befinden sich die beiden Elektroden 33, welche die elektrischen Signale ableiten und über die Kontakstifte 19 (Figur 1) einer nicht dargestellten Auswerteschaltung zuführen.FIG. 2 shows a section of a cross section through a pyroelectric sensor according to the invention according to FIG. 1 on an enlarged scale. A silicon dioxide layer 27, a platinum layer 29 and a layer of lead-zirconate-titanate (PZT layer) 31 are located on top of one another (in FIG. 2 from top to bottom) on a silicon wafer 11 which has a recess in the middle suitable for the passage of infrared radiation that represents the actual sensor. The PZT layer 31 contains the two electrodes 33, which derive the electrical signals and feed them via the contact pins 19 (FIG. 1) to an evaluation circuit (not shown).

Auf der den Elektroden 33 abgewandten Seite ist die Siliciumscheibe 11 von einer Absorberschicht 25 bedeckt; darüber befindet sich eine planparallele Platte 9, welche das Infrarotfilter darstellt. An der Oberseite der Siliciumscheibe 11 ist unterhalb des IR-Filters 9 ein Luftausgleich 23 vorgesehen.On the side facing away from the electrodes 33, the silicon wafer 11 is covered by an absorber layer 25; there is a plane-parallel plate 9, which represents the infrared filter. At the top of the silicon wafer 11, an air equalizer 23 is provided below the IR filter 9.

In Figur 3 ist die Anordnung der Elektroden 33 auf der PZT-Schicht 31 zu erkennen. Die Elektroden 33 sind auf die PZT-Schicht 31 aufgedampft. Figur 4 zeigt die Anordnung gemäß Figur 3 im Querschnitt.The arrangement of the electrodes 33 on the PZT layer 31 can be seen in FIG. The electrodes 33 are evaporated onto the PZT layer 31. Figure 4 shows the arrangement of Figure 3 in cross section.

In Figur 5 ist eine Schaltung für einen erfindungsgemäßen pyroelektrischen Sensor dargestellt. Die beiden Sensorelemente 35 sind entgegengesetzt polarisiert seriell zueinander geschaltet (Dual-Sensor). Parallel dazu ist ein Arbeitswiderstand 37 geschaltet. Als Verstärkerelement dient ein Feldeffekttranssistor 39.FIG. 5 shows a circuit for a pyroelectric sensor according to the invention. The two sensor elements 35 are oppositely polarized, connected in series with one another (dual sensor). A load resistor 37 is connected in parallel. A field effect transistor 39 serves as the amplifier element.

In Figur 6 ist eine bevorzugte Verwendung eines pyroelektrischen Sensors gemäß Figur 1 im Querschnitt dargestellt. Die Figur 6 zeigt einen passiven Infrarotbewegungsdetektor, der dadurch erhalten wurde, daß auf die Infrarotfilterplatte 9 eine Fresnellinsen-Zonenoptik 7 aufgeklebt ist. Dies ermöglicht eine besonders einfache Herstellung eines passiven Infrarotbewegungsdetektors, vgl. Ausführungsbeispiel 2. Der Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß die einzelnen Bestandteile des Detektors fest miteinander verbunden sind, so daß eine spezielle Justierung entfällt.FIG. 6 shows a preferred use of a pyroelectric sensor shown in cross section according to FIG. FIG. 6 shows a passive infrared motion detector which was obtained by gluing Fresnel lens zone optics 7 onto the infrared filter plate 9. This enables a particularly simple manufacture of a passive infrared motion detector, cf. Embodiment 2. The advantage of this arrangement is that the individual components of the detector are firmly connected to each other, so that a special adjustment is not necessary.

Ein Herstellungsverfahren für einen erfindungsgemäßen pyroelektrischen Sensor gemäß vorliegender Erfindung ist in dem folgendem Ausführungsbeispiel 1 beschrieben. Die Herstellung eines passiven Infrarotbewegungsdetektors unter Verwendung eines erfindungsgemäßen pyroelektrischen Sensors ist in Ausführungsbeispiel 2 beschrieben.

A manufacturing method for a pyroelectric sensor according to the present invention is described in the following embodiment 1. The production of a passive infrared motion detector using a pyroelectric sensor according to the invention is described in embodiment 2.

Eine Siliciummodulplatte geeigneter Größe und Dicke (400 µm) wird zur Entfernung der Oxidschicht mit verdünnter Flußsäure gereinigt. Durch chemisches Aufdampfen wird eine 1 bis 2 µm dicke Siliciumdioxidschicht 27 aufgetragen. Auf diese Siliciumdioxidschicht 27 wird eine dünne Platinschicht 29 aufgedampft.A silicon module plate of suitable size and thickness (400 µm) is cleaned with dilute hydrofluoric acid to remove the oxide layer. A 1 to 2 μm thick silicon dioxide layer 27 is applied by chemical vapor deposition. A thin platinum layer 29 is evaporated onto this silicon dioxide layer 27.

Auf die so hergestellte Platinschicht 29 wird eine organische PZT-Lösung aufgesponnen, und das organische Lösungsmittel wird bei ca. 400°C durch Kurz-Wärme-Behandlung verdampft. Diese Behandlung wird mehrfach wiederholt, bis eine ca. 1 µm dicke Schicht von amorphem Blei-Zirkonat-Titanat entstanden ist. Diese PZT-Schicht 31 wird durch Aufheizen auf 600 bis 800°C zum Kristallisieren gebracht. Auf diese PZT-Schicht 31 werden die Elektroden 33 aufgedampft. Auf der den Elektroden 33 abgewandten Seite der Siliciumscheibe 11 werden etwa 300 µm breite Schlitze in das Silicium eingesägt, die später als Luftausgleich 23 dienen.An organic PZT solution is spun onto the platinum layer 29 produced in this way, and the organic solvent is evaporated at about 400 ° C. by brief heat treatment. This treatment is repeated several times until an approximately 1 µm thick layer of amorphous lead zirconate titanate has formed. This PZT layer 31 is brought to crystallization by heating to 600 to 800 ° C. The electrodes 33 are evaporated onto this PZT layer 31. On the side of the silicon wafer 11 facing away from the electrodes 33, approximately 300 μm wide slots are sawn into the silicon, which later serve as air compensation 23.

Dann wird auf der Rückseite der Siliciumscheibe an den Stellen, die nicht geätzt werden sollen, ein Fotolack aufgetragen, und an den nicht abgedeckten Stellen wird das Silicium bis auf die Siliciumdioxidschicht 27 anisotrop geätzt. Auf das geätzte Silicium 11 wird eine Absorberschicht 25 aufgetragen. Diese bedeckt an den Stellen, an denen das Silicium vollständig weggeätzt wurde, die Siliciumdioxidschicht 27. Auf die Absorberschicht 25 wird das Infrarotfilter 9 aufgeleimt. Dadurch, daß das Silicium teilweise weggeätzt wurde, entstehen zwischen IR-Filter 9 und Siliciumdioxidschicht 27 Hohlräume, die über die in die Siliciumschicht 11 geschliffenen Schlitze einen Luftausgleich herstellen.Then, a photoresist is applied to the back of the silicon wafer at the locations that are not to be etched, and the silicon is anisotropically etched down to the silicon dioxide layer 27 at the locations that are not covered. An absorber layer 25 is applied to the etched silicon 11. This covers the silicon dioxide layer 27 at the points at which the silicon has been completely etched away. The infrared filter 9 is glued onto the absorber layer 25. Because the silicon has been partially etched away, cavities are created between the IR filter 9 and the silicon dioxide layer 27, which provide air compensation via the slots cut into the silicon layer 11.

Anschliessend wird die Kombination von Siliciummodulplatte 11 und IR-Filter 9 in einzelne Chips zersägt, die dann in eine Kappe 3 geleimt werden.The combination of silicon module plate 11 and IR filter 9 is then sawn into individual chips, which are then glued into a cap 3.

Getrennt von den vorgenannten Bauteilen wird der Hybrid 13 mit den Elektronikbauteilen ASIC 15 auf den Sockel 1 geleimt, und auf den Hybrid 13 wird ein Kontaktbügel 17 zur elektrisch leitenden Verbindung zwischen der PZT-Schicht 31 und dem ASIC 15 geleimt. Die Kappe 3 mit dem eingeleimten Chip (bestehend aus Siliciummodulplatte 11 und IR-Filter 9) wird auf den Sockel 1 geschweißt und ergibt den fertigen pyroelektrischen Sensor.

Separately from the aforementioned components, the hybrid 13 with the electronic components ASIC 15 is glued onto the base 1, and a contact bracket 17 for the electrically conductive connection between the PZT layer 31 and the ASIC 15 is glued onto the hybrid 13. The cap 3 with the glued-in chip (consisting of silicon module plate 11 and IR filter 9) is welded onto the base 1 and results in the finished pyroelectric sensor.

Wie in Beispiel 1 wird von einer Siliciummodulplatte geeigneter Größe und Dicke ausgegangen, die genau wie in Beispiel 1 beschrieben, bearbeitet wird. Nachdem die Absorberschicht 25 auf die Infrarotfilterschicht 9 (unter Ausbildung des Luftausgleichs 23) aufgeleimt worden ist, wird auf die der Absorberschicht 25 abgewandten Seite der Infrarotfilterschicht eine Fresnel-Zonenoptik-Modulplatte 7 geleimt. Anschließend wird, anaolg wie in Ausführungsbeispiel 1 beschrieben, das gesamte Paket aus Siliciummodulplatte 11, Infrarotfilterplatte 9 und Fresnel-Zonenoptik-Modulplatte 7 in einzelne Chips zersägt, die dann einzeln in Kappe 3 geleimt werden.As in Example 1, a silicon module plate of suitable size and thickness is used, which is processed exactly as described in Example 1. After the absorber layer 25 has been glued onto the infrared filter layer 9 (with the formation of the air balance 23), a Fresnel zone optical module plate 7 is glued onto the side of the infrared filter layer facing away from the absorber layer 25. The entire package of silicon module plate 11, infrared filter plate 9 and Fresnel zone optical module plate 7 is then sawn into individual chips, which are then individually glued into cap 3, as described in exemplary embodiment 1.

Die weitere Verarbeitung erfolgt analog dem in Ausführungsbeispiel 1 beschriebenen Verfahren und ergibt einen fertigen passiven Infrarotbewegungsmelder.The further processing is carried out analogously to the method described in exemplary embodiment 1 and results in a finished passive infrared motion detector.

Abwandlungen des vorbeschriebenen pyroelektrischen Sensors, bzw. des Verfahrens zu seiner Herstellung sind im Rahmen der Erfindung gemäß den Ansprüchen möglich und dem Fachmann geläufig.

Modifications of the above-described pyroelectric sensor or the method for its production are possible within the scope of the invention according to the claims and are familiar to the person skilled in the art.

Claims

Pyroelectric sensor for passive infrared motion detectors for detecting the penetration of objects emitting infrared radiation into rooms to be monitored, characterized in that it has a pyroelectric radiation receiver (31) provided with an infrared filter (9) and having small pyroelectric areas.

Pyroelectric radiation detector according to Claim 1, characterized in that the infrared filter (9) is located above an opening arranged in a silicon plate (11) for the passage of infrared radiation and that on the inside of the silicon plate (11) there is a lead-zirconate-titanate layer ( 31) and electrodes (33) are arranged to derive the electrical signals.

Pyroelectric radiation detector according to claim 2, characterized in that an air equalizer (23) is located on the top of the silicon plate (11).

Pyroelectric radiation detector according to one of Claims 2 and 3, characterized in that a silicon dioxide layer (27) and a noble metal layer (29) are located between the silicon plate (11) and the lead zirconate titanate layer (31), the noble metal layer (29) is in direct contact with the lead zirconate titanate layer (31).

Pyroelectric radiation detector according to claim 4, characterized in that the precious metal layer (29) consists of platinum.

Pyroelectric radiation detector according to one of Claims 2 to 5, characterized in that the top of the silicon plate and the part of the silicon dioxide layer (27) which is not covered by the silicon plate (11) is covered by an absorber layer (25).

Use of the pyroelectric radiation detector according to one of Claims 2 to 6 in a passive infrared motion detector, characterized in that the pyroelectric radiation receiver (31) provided with an infrared filter (9) is rigidly connected to Fresnel lens zone optics (7).

Method for producing a pyroelectric radiation detector according to one of Claims 1 to 7, characterized in that a thin silicon dioxide layer (27) is applied to a surface of a silicon module plate (11) which has been freed from oxide by chemical vapor deposition, and in that this silicon dioxide layer (27) has a thin noble metal layer (29) is coated so that by repeatedly applying an organic lead zirconate titanate solution and evaporating the solvent, a thin lead zirconate titanate layer (31) is applied to the noble metal layer (29) so that the lead zirconate Titanate layer (31) is brought to crystallization by heating to a temperature of over 400 ° C and that two electrodes (33) are evaporated onto the lead zirconate titanate layer (31), that on the surface facing away from the electrodes Silicon module plate (11) slots are sawn in such a way that they act as air balancers in the pyroelectric sensor I (23) can serve that a photoresist is applied to the same surface of the silicon module plate (11) and exposed in such a way that after removing the unexposed areas, approximately square areas remain on the silicon module plate (11), that these areas are anisotropic except for the Silicon dioxide layer (27) are etched, that an absorber layer (25) is applied to the exposed silicon dioxide surfaces (27) and the remaining webs of the silicon module plate (11), that an infrared filter plate (9) is placed over the silicon module plate (11) and over the absorber layer ( 25) is glued onto the remaining webs of the silicon module plate (11), that the combination of silicon wafer (11) and infrared filter plate (9) is sawn into individual chips, that the individual chips are glued into the upper opening of a cap (3), that a hybrid (13) with electronic components ASIC (15) is glued to a transistor base (1) that au f the hybrid (13) a contact bracket (17) is glued and that the transistor base (1) with the chip is welded into the lower opening of the cap (3).

Method according to Patent Claims 1 to 8, characterized in that after the gluing of an infrared filter plate (9) onto the remaining webs of the silicon module plate (11) via the openings etched out of the silicon module plate (11), a Fresnel lens zone optical plate (7) is glued on and that the combination of silicon wafer (11), infrared filter plate (9) and Fresnel lens zone optics (7) thus obtained is sawn into individual chips and processed into a passive infrared motion detector.