CH684446A5

CH684446A5 - Passive infrared motion detector.

Info

Publication number: CH684446A5
Application number: CH254692A
Authority: CH
Inventors: Martin Forster; Peter Ryser
Original assignee: Cerberus Ag
Priority date: 1992-08-14
Filing date: 1992-08-14
Publication date: 1994-09-15
Also published as: EP0588073A1

Description

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CH 684 446 A5 CH 684 446 A5

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Beschreibung description

Die Erfindung betrifft einen passiven Infrarotbewegungsdetektor gemäss dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Infrarotbewegungsdetektors. The invention relates to a passive infrared motion detector according to the preamble of claim 1 and a method for producing such an infrared motion detector.

Die Verwendung von passiven Infrarotbewegungsmeldern ist allgemein bekannt. Sie dienen zur Detektion von sich bewegenden, Infrarotstrahlung aussendenden Objekten, beispielsweise in Eindringüberwachungsanlagen. Solche Infrarotbewegungsmelder bestehen im allgemeinen aus einem pyro-elektrischen Strahlungsempfänger (Sensor), einer in Strahlungsrichtung davor angeordneten Optik (Spiegel oder Linsen) zur Bündelung der aus dem zu überwachenden Bereich eintreffenden Strahlung auf dem Detektor und einer Auswerteschaltung. The use of passive infrared motion detectors is generally known. They are used to detect moving objects that emit infrared radiation, for example in intrusion monitoring systems. Such infrared motion detectors generally consist of a pyro-electric radiation receiver (sensor), optics (mirrors or lenses) arranged in front of it in the radiation direction for focusing the radiation arriving from the area to be monitored on the detector and an evaluation circuit.

Die verwendeten pyroelektrischen Strahlungsempfänger (Sensoren) bestehen aus flächenförmig angeordneten Plättchen oder Folien aus pyroelektrischen Materialien mit an entgegengesetzten Flächen angeordneten Elektroden. Als pyroelektrische Materialien dienen beispielsweise zu dünnen Schichten geschliffene Plättchen aus Lithiumtantalat oder Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) oder Folien aus Polyvinylidenfluorid (PVDF). Die Sensorelemente bilden Kondensatoren, die im allgemeinen eine Kapazität von etwa 10 pF aufweisen. Bei einer Temperaturänderung des pyroelektrischen Materials, beispielsweise als Folge der Absorption von Infrarotstrahlung, ändert sich die Polarisation des Materials. Die sich daraus ergebende Umverteilung von an der Oberfläche des Materials liegenden Ausgleichsladungen bewirkt das Fliessen eines Stromes im Sensorschaltkreis. The pyroelectric radiation receivers (sensors) used consist of flat plates or foils made of pyroelectric materials with electrodes arranged on opposite surfaces. For example, platelets made of lithium tantalate or lead zirconate titanate (PZT) or foils made of polyvinylidene fluoride (PVDF) are used as pyroelectric materials to form thin layers. The sensor elements form capacitors which generally have a capacitance of approximately 10 pF. When the temperature of the pyroelectric material changes, for example as a result of the absorption of infrared radiation, the polarization of the material changes. The resulting redistribution of equalization charges on the surface of the material causes a current to flow in the sensor circuit.

Die beim Eintritt eines Objekts, dessen Temperatur sich von der Temperatur der Umgebung unterscheidet, in einen zu überwachenden Raum auftretende Infrarotstrahlung wird durch eine fokussieren-de Optik (Spiegel oder Linse) auf den im Brennpunkt oder in der Nähe des Brennpunktes der Optik angeordneten Strahlungsempfänger geleitet. Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn die Optik in der Weise in getrennte Elemente unterteilt ist, dass der zu überwachende Raum in diskrete Empfindlichkeitsbereiche (Überwachungsbereiche) unterteilt ist, wie es in der US-A1 3 703 718 vorgeschlagen wurde. Jedesmal wenn ein Eindringling einen der Empfindlichkeitsbereiche betritt oder diesen verlässt, ändert sich die auf den Strahlungsempfänger fallende Strahlung plötzlich, und diese plötzlichen Strahlungsänderungen ergeben eine erheblich verlässlichere Detektion eines Eindringlings, da die durch das Betreten oder Verlassen eines Empfindlichkeitsbereichs verursachte Signaländerung erheblich grösser ist als die durch die Bewegung eines Eindringlings innerhalb eines Bereichs verursachte Signaländerung. The infrared radiation that occurs when an object, whose temperature differs from the temperature of the surroundings, enters a room to be monitored is directed through a focusing optic (mirror or lens) to the radiation receiver located at or near the focal point of the optics . It has proven to be particularly advantageous if the optics are divided into separate elements in such a way that the space to be monitored is divided into discrete sensitivity areas (monitoring areas), as was proposed in US Pat. No. 3,703,718. Every time an intruder enters or leaves one of the sensitivity areas, the radiation falling on the radiation receiver changes suddenly, and these sudden radiation changes result in a significantly more reliable detection of an intruder, since the signal change caused by entering or leaving a sensitivity area is considerably greater than that signal change caused by the movement of an intruder within a range.

Infrarot-Bewegungsmelder der beschriebenen Art sind beispielsweise in der CA-A 1 261 941, der EP-A1 0 218 055 und der EP-A2 0 209 385 geoffenbart. Ein Nachteil dieser Systeme besteht darin, dass die Baulänge der Infraroteindringdetektoren -durch die Länge der Brennweiten der Spiegel oder Linsen bedingt - ziemlich gross wird. Ein weiterer Infrared motion detectors of the type described are disclosed, for example, in CA-A 1 261 941, EP-A1 0 218 055 and EP-A2 0 209 385. A disadvantage of these systems is that the length of the infrared intrusion detectors - due to the length of the focal lengths of the mirrors or lenses - becomes quite large. Another

Nachteil besteht darin, dass sie aus mehreren Teilen (z.B. Spiegeloptik, Fresnellinsen, Sensoren, Printplatte) bestehen, die aufeinander abgestimmt (justiert) werden müssen. Dies bewirkt eine komplizierte Herstellung des Melders und eine minimale Baugrösse kann nicht unterschritten werden. The disadvantage is that they consist of several parts (e.g. mirror optics, Fresnel lenses, sensors, printed circuit boards) that have to be coordinated (adjusted). This causes the detector to be manufactured in a complicated manner and a minimum size cannot be undershot.

Von diesem Stand der Technik ausgehend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die Nachteile der bisher verwendeten Infrarotbewegungsdetektoren zu vermeiden und insbesondere solche Infrarotbewegungsdetektoren zu schaffen, die eine vereinfachte Herstellung ermöglichen und die klein und präzis sind. Starting from this prior art, the invention is based on the object of avoiding the disadvantages of the infrared motion detectors used hitherto and, in particular, of creating those infrared motion detectors which enable simplified production and which are small and precise.

Diese Aufgabe wird bei einem passiven Infrarotbewegungsdetektor der eingangs genannten Art durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 und bei einem Verfahren zur Herstellung eines solchen Detektors durch die Merkmale des Patentanspruchs 7 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung und Ausgestaltungen sind in den abhängigen Patentansprüchen definiert. This object is achieved in a passive infrared motion detector of the type mentioned at the outset by the characterizing features of patent claim 1 and in a method for producing such a detector by the features of patent claim 7. Preferred embodiments of the invention and refinements are defined in the dependent claims.

Gemäss einer bevorzugten Ausführungsform befindet sich bei dem passiven Infrarotbewegungsdetektor das Infrarotfilter oberhalb einer in einer Sili-ciumplatte zum Durchtritt einfallender Infrarotstrahlung angeordneten Öffnung; auf dem Infrarotfilter und fest damit verbunden ist die Fresnellinsen-Zo-nenoptik angeordnet, und auf der dem Infrarotfilter abgewandten Seite der Siliciumplatte sind eine Blei-Zirkonat-Titanat-Schicht und Elektroden zum Ableiten der Signale angeordnet. According to a preferred embodiment, in the passive infrared motion detector, the infrared filter is located above an opening arranged in a silicon plate for the passage of infrared radiation. the Fresnel lens zoom lens is arranged on the infrared filter and firmly connected to it, and a lead-zirconate-titanate layer and electrodes for deriving the signals are arranged on the side of the silicon plate facing away from the infrared filter.

Gemäss weiteren bevorzugten Ausführungsformen befinden sich in der Fresnellinsen-Zonenoptik ein Druckausgleich und/oder an der Oberseite der Siliciumplatte ein Luftausgleich. According to further preferred embodiments, there is pressure compensation in the Fresnel lens zone optics and / or air compensation on the top of the silicon plate.

Bei einer anderen bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemässen passiven Infrarotbewegungsdetektors befindet sich zwischen der Siliciumplatte und der Blei-Zirkonat-Titanat-Schicht eine Siliciumdioxidschicht und eine Edelmetallschicht, wobei sich die Edelmetallschicht in unmittelbarem Kontakt mit der Blei-Zirkonat-Titanat-Schicht befindet. Vorzugsweise besteht die Edeimetallschicht aus Platin. In another preferred embodiment of the passive infrared motion detector according to the invention, a silicon dioxide layer and a noble metal layer are located between the silicon plate and the lead zirconate titanate layer, the noble metal layer being in direct contact with the lead zirconate titanate layer. The Edei metal layer preferably consists of platinum.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemässen passiven Infrarotbewegungsdetektors ist die Oberseite der Siliciumplatte und der nicht von der Siliciumplatte bedeckte Teil der Siliciumdioxidschicht von einer Absorberschicht bedeckt. In a particularly preferred embodiment of a passive infrared motion detector according to the invention, the top of the silicon plate and the part of the silicon dioxide layer not covered by the silicon plate is covered by an absorber layer.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen The invention is explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments shown in the drawings. Show it

Fig. 1 einen Querschnitt durch einen erfindungsgemässen Infrarotbewegungsdetektor, 1 shows a cross section through an infrared motion detector according to the invention,

Fig. 2 einen Querschnitt durch einen erfindungsgemässen Infrarotbewegungsdetektor gemäss Fig. 1 in vergrössertem Massstab, 2 shows a cross section through an infrared motion detector according to the invention according to FIG. 1 on an enlarged scale,

Fig. 3 eine Draufsicht (von unten) auf einen pyroelektrischen Strahlungsempfänger, wie er in einem Infrarotbewegungsdetektor gemäss Fig. 1 verwendbar ist, 3 shows a plan view (from below) of a pyroelectric radiation receiver, as can be used in an infrared motion detector according to FIG. 1,

Fig. 4 einen Querschnitt durch einen pyroelektrischen Strahlungsempfänger gemäss Fig. 3, wie er Fig. 4 shows a cross section through a pyroelectric radiation receiver according to FIG. 3, as he

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in einem Infrarotbewegungsdetektor gemäss Fig. 1 verwendbar ist, 1 can be used in an infrared motion detector,

Fig. 5 eine elektrische Schaltung für einen pyroelektrischen Strahlungsempfänger, wie er in einem Infrarotbewegungsdetektor gemäss Fig. 1 verwendbar ist und 5 shows an electrical circuit for a pyroelectric radiation receiver, as can be used in an infrared motion detector according to FIG. 1 and

Fig. 6 eine Draufsicht auf eine Anordnung aus Fresnellinsen-Zonenoptik, IR-Filter und Si-PZT-Membran zur Herstellung eines pyroelektrischen Strahlungsempfängers wie er in einem Infrarotbewegungsdetektor gemäss Fig. 1 verwendbar ist. 6 shows a plan view of an arrangement of Fresnel lens zone optics, IR filter and Si-PZT membrane for producing a pyroelectric radiation receiver as can be used in an infrared motion detector according to FIG. 1.

In Fig. 1 ist ein erfindungsgemässer Infrarotbewegungsdetektor im Querschnitt dargestellt. Der Infrarotbewegungsdetektor besteht im wesentlichen aus einem Sockel 1, welcher eine Kappe 3 trägt. Die Kappe 3, die den Innenraum des Infrarotbewegungsdetektors umschliesst, weist in ihrer oberen Abdeckung 5 eine Öffnung auf, in die eine Optik 7 zusammen mit einem Infrarotfilter 9 und einer einen Sensor tragenden Siliciumplatte 11 eingesetzt ist. In Fig. 1 an infrared motion detector according to the invention is shown in cross section. The infrared motion detector essentially consists of a base 1 which carries a cap 3. The cap 3, which encloses the interior of the infrared motion detector, has an opening in its upper cover 5, into which an optical system 7 is inserted together with an infrared filter 9 and a silicon plate 11 carrying a sensor.

Der Sockel 1 bildet den unteren Abschluss des Innenraums des Infrarotbewegungsdetektors. Auf seiner Oberseite befindet sich ein Hybrid 13 und darauf ein angepasster, systemintegrierter Schaltkreis (ASIC) 15 oder ein Mikroprozessor. Die Verbindung zwischen der Siliciumplatte 11 mit dem Sensor und dem Hybrid 13 wird durch einen Kon-taktbügei 17 hergestellt. Die mechanische und elektrische Verbindung mit den anderen Bauteilen erfolgt über Kontaktstifte 19. The base 1 forms the lower end of the interior of the infrared motion detector. There is a hybrid 13 on its upper side and an adapted, system-integrated circuit (ASIC) 15 or a microprocessor thereon. The connection between the silicon plate 11 with the sensor and the hybrid 13 is established by a contact wire 17. The mechanical and electrical connection to the other components takes place via contact pins 19.

Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt eines Querschnitts durch den Infrarotbewegungsdetektor von Fig. 1 in einem vergrösserten Massstab, d.h. nur die aus Optik 7 und Siliciumplatte 11 mit dem Sensor bestehenden Baueinheit. Auf der in der Mitte eine zum Durchtritt von Infrarotstrahlung geeignete Aussparung 2 aufweisenden Siliciumplatte 11 befinden sich übereinander (in Fig. 2 von oben nach unten) eine Siliciumdioxidschicht 27, eine Platinschicht 29 und eine Schicht 31 aus Blei-Zirkonat-Titanat (PZT-Schicht), die den eigentlichen Infrarotsensor bildet. Auf der PZT-Schicht 31 befinden sich zwei Elektroden 33, welche die elektrischen Signale ableiten und über die Kontaktstifte 19 (Fig. 1) einer nicht dargestellten Auswerteschaltung zuführen. Fig. 2 shows a detail of a cross section through the infrared motion detector of Fig. 1 on an enlarged scale, i.e. only the unit consisting of optics 7 and silicon plate 11 with the sensor. A silicon dioxide layer 27, a platinum layer 29 and a layer 31 made of lead-zirconate-titanate (PZT layer) are located one above the other (from top to bottom in FIG. 2) on the silicon plate 11 which has a recess 2 suitable for the passage of infrared radiation in the middle ), which forms the actual infrared sensor. There are two electrodes 33 on the PZT layer 31, which derive the electrical signals and feed them via the contact pins 19 (FIG. 1) to an evaluation circuit, not shown.

Auf der den Elektroden 33 abgewandten Seite ist die Siliciumplatte 11 von einer Absorberschicht 25 bedeckt; darüber befindet sich eine das Infrarotfilter 9 bildende planparallele Platte. An der Oberseite der Siliciumscheibe 11 ist unterhalb des Infrarotfil-ters 9 ein Luftausgleich 23 vorgesehen. Auf der Oberseite des Infrarotfilters 9 ist eine Fresnellinsen-Zonenoptik 7 aufgeklebt, in der ein Druckausgleich 21 vorgesehen ist. On the side facing away from the electrodes 33, the silicon plate 11 is covered by an absorber layer 25; there is a plane-parallel plate forming the infrared filter 9. An air equalizer 23 is provided on the top of the silicon wafer 11 below the infrared filter 9. On the top of the infrared filter 9, a Fresnel lens zone optic 7 is glued, in which a pressure compensation 21 is provided.

In Fig. 3 ist die Anordnung der Elektroden 33 auf der PZT-Schicht 31 zu erkennen. Die Elektroden 33 sind auf die PZT-Schicht 31 aufgedampft. Fig. 4 zeigt die Anordnung gemäss Fig. 3 im Querschnitt. The arrangement of the electrodes 33 on the PZT layer 31 can be seen in FIG. 3. The electrodes 33 are evaporated onto the PZT layer 31. FIG. 4 shows the arrangement according to FIG. 3 in cross section.

In Fig. 5 ist eine Schaltung für einen erfindungsgemässen Infrarotbewegungsdetektor dargestellt, der als sogenannter Dual-Sensor ausgebildet ist und zwei Sensorelemente 35 aufweist. Diese sind entgegengesetzt polarisiert seriell zueinander geschaltet. Parallel dazu ist ein Arbeitswiderstand 37 5 shows a circuit for an infrared motion detector according to the invention, which is designed as a so-called dual sensor and has two sensor elements 35. These are oppositely polarized in series with each other. In parallel there is a load resistor 37

geschaltet. Als Verstärkerelement dient ein Feldeffekttransistor 39. switched. A field effect transistor 39 serves as an amplifier element.

Die Herstellung eines pyroelektrischen Strahlungsempfängers für einen erfindungsgemässen Infrarotbewegungsdetektor kann gemäss folgendem Ausführungsbeispiel erfolgen: A pyroelectric radiation receiver for an infrared motion detector according to the invention can be produced in accordance with the following exemplary embodiment:

BEISPIEL EXAMPLE

Eine Siliciumplatte 11 geeigneter Grösse und Dicke (400 jim) wird zur Entfernung der Oxidschicht mit verdünnter Flusssäure gereinigt. Durch chemisches Aufdampfen wird eine 1 bis 2 (im dicke Siliciumdioxidschicht 27 aufgetragen, auf die eine dünne Platinschicht 29 aufgedampft wird. A silicon plate 11 of suitable size and thickness (400 μm) is cleaned with dilute hydrofluoric acid to remove the oxide layer. A 1 to 2 (in the thick silicon dioxide layer 27 is applied by chemical vapor deposition, onto which a thin platinum layer 29 is evaporated.

Auf die so hergestellte Platinschicht 29 wird eine organische PZT-Lösung aufgesponnen, und das organische Lösungsmittel wird bei ca. 400°C durch Kurz-Wärmebehandlung verdampft. Diese Behandlung wird mehrfach wiederholt, bis eine ca. 1 um dicke PZT-Schicht 31 von amorphem Blei-Zirkonat-Titanat entstanden ist. Diese wird durch Aufheizen auf 600 bis 800°C zum Kristallisieren gebracht. Auf die PZT-Schicht 31 werden die Elektroden 33 aufgedampft. An der den Elektroden 33 abgewandten Seite der Siliciumplatte 11 werden etwa 300 um breite Schlitze in das Silicium eingesägt oder eingeschliffen, die später als Luftausgleich 23 dienen. An organic PZT solution is spun onto the platinum layer 29 produced in this way, and the organic solvent is evaporated at about 400 ° C. by brief heat treatment. This treatment is repeated several times until an approximately 1 μm thick PZT layer 31 of amorphous lead zirconate titanate has formed. This is brought to crystallization by heating to 600 to 800 ° C. The electrodes 33 are evaporated onto the PZT layer 31. On the side of the silicon plate 11 facing away from the electrodes 33, slots about 300 μm wide are sawn or ground into the silicon, which later serve as air compensation 23.

Dann wird auf die Rückseite der Siliciumplatte 11 an den Stellen, die nicht geätzt werden sollen, ein Fotolack aufgetragen, und an den nicht abgedeckten Stellen wird das Silicium bis auf die Siliciumdioxidschicht 27 anisotrop geätzt. Auf die geätzte Siliciumscheibe 11 wird eine Absorberschicht 25 aufgetragen, die an den Stellen, an denen das Silicium vollständig weggeätzt wurde, die Siliciumdioxidschicht 27 bedeckt. Auf die Absorberschicht 25 wird das Infrarotfilter 9 aufgeleimt. Dadurch, dass das Silicium teilweise weggeätzt worden ist, entstehen zwischen Infrarotfilter 9 und Siliciumdioxidschicht 27 Hohlräume, die über die in der Siliciumscheibe 11 angebrachten Schlitze den erwähnten Luftausgleich 23 herstellen. Auf das Infrarotfilter 9 wird eine Fresnellinsen-Zonenoptik-Modulplatte geleimt, und das gesamte Paket aus Siliciumplatte 11, Infrarotfilter 9 und Fresnellinsen-Zonenoptik-Mo-dulplatte wird in einzelne Chips zersägt, die dann in die Kappe 3 (Fig. 1) geleimt werden. Then, a photoresist is applied to the back of the silicon plate 11 at the locations not to be etched, and the silicon is anisotropically etched down to the silicon dioxide layer 27 at the locations not covered. An absorber layer 25 is applied to the etched silicon wafer 11 and covers the silicon dioxide layer 27 at the points at which the silicon has been completely etched away. The infrared filter 9 is glued onto the absorber layer 25. The fact that the silicon has been partially etched away creates cavities between the infrared filter 9 and the silicon dioxide layer 27, which produce the aforementioned air compensation 23 via the slots in the silicon wafer 11. A Fresnel lens zone optical module plate is glued onto the infrared filter 9, and the entire package of silicon plate 11, infrared filter 9 and Fresnel lens zone optical module plate is sawn into individual chips, which are then glued into the cap 3 (FIG. 1) .

Getrennt von den bisher genannten Bauteilen wird der Hybrid 13 mit dem ASIC 15 auf den Sok-kel 1 geleimt und auf den Hybrid 13 wird der Kontaktbügel 17 zur elektrisch leitenden Verbindung zwischen der PZT-Schicht 31 und dem ASIC 15 geleimt. Die Kappe 3 mit dem eingeleimten Chip (bestehend aus Siliciumplatte 11, Infrarotfilter 9 und Fresnellinsen-Zonenoptik 7) wird auf den Sockel 1 geschweisst und ergibt den fertigen passiven Infra-rotbewegu ngsmelder. Separately from the previously mentioned components, the hybrid 13 is glued to the base 1 with the ASIC 15 and the contact bracket 17 is glued to the hybrid 13 for the electrically conductive connection between the PZT layer 31 and the ASIC 15. The cap 3 with the glued-in chip (consisting of silicon plate 11, infrared filter 9 and Fresnel lens zone optics 7) is welded onto the base 1 and results in the finished passive infrared motion detector.

Abwandlungen dieses Infrarotbewegungsmelders und des Verfahrens zu seiner Herstellung sind im Rahmen der Erfindung gemäss den Patentansprüchen möglich und dem Fachmann geläufig. Modifications of this infrared motion detector and the method for its production are possible within the scope of the invention according to the patent claims and are familiar to the person skilled in the art.

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Claims

1. Passive infrared motion detector for detecting the penetration of infrared radiation emitting objects into rooms to be monitored, with an infrared sensor and a Fresnel lens arranged in front of it in the beam direction for focusing the infrared radiation onto the infrared sensor, characterized in that the infrared sensor is provided with a pyroelectric provided with an infrared filter (9) Radiation receiver (31) is formed with a plurality of pyroelectric surfaces, and that the radiation receiver is rigidly connected to Fresnel lens zone optics (7).

2. Passive infrared motion detector according to claim 1, characterized in that the infrared filter (9) is located above an opening (2) arranged in a silicon plate (11) for the passage of incident infrared radiation, that on the infrared filter and firmly connected to the Fresnel lenses Zone optics (7) is arranged, and that a lead zirconate titanate layer (31) and electrodes (33) are arranged on the side of the silicon plate facing away from the infrared filter.

3. Passive infrared motion detector according to claim 2, characterized in that in the Fresnel lens zone optics (7) there is a pressure compensation (21) and on the top of the silicon plate (11) there is an air compensation (23).

4. Passive infrared motion detector according to claim 2 or 3, characterized in that a silicon dioxide layer (27) and a noble metal layer (29) are provided between the silicon plate (11) and the lead-zirconate-titanate layer (31), wherein the precious metal layer is in direct contact with the lead zirconate titanate layer.

5. Passive infrared motion detector according to claim 4, characterized in that the noble metal layer (29) consists of platinum.

6. Passive infrared motion detector according to claim 4 or 5, characterized in that the side of the silicon plate (11) facing away from the noble metal layer (29) and the part of the silicon dioxide layer (27) not covered by the silicon plate are covered by an absorber layer (25).

7. A method for producing a passive infrared motion detector according to one of claims 1 to 6, characterized in that a thin silicon dioxide layer (27) is applied to a surface of a silicon plate (11) that has been freed from oxide by chemical vapor deposition, and that this is coated with a thin noble metal layer (29 ) is coated that by repeatedly applying an organic lead-zirconate-titanate solution and evaporating the solvent onto the noble metal layer, a thin lead-zirconate-titanate layer (31) is applied and this is heated to a temperature of over 400 ° C. Crystallization is brought about that two electrodes (33) are evaporated onto the lead-zirconate-titanate layer and slots are cut into the surface of the silicon plate opposite the electrodes in such a way that they can serve as air compensation (23) in the infrared motion detector the same surface of the silicon plate is applied a photoresist and is exposed in such a way that after removal of the unexposed areas, approximately square areas remain on the silicon plate, these areas are anisotropically etched down to the silicon dioxide layer, and an absorber layer (25) is applied to the exposed silicon dioxide areas and the remaining webs of the silicon plate , an infrared filter plate (9) is placed over the silicon plate and glued over the absorber layer to the remaining webs of the silicon plate, that a Fresnel lens zone optical plate (7) is glued onto the infrared filter plate via the openings etched out of the silicon plate and the combination of silicon plate, Infrared filter plate and Fresnel lens zone optical plate is sawn into individual chips, which are each glued into the upper opening of a cap (3), and that a hybrid (13) with electronic components (15) on a transistor base (1) and on the hybrid a contact bracket ( 17) glued and the T transistor socket with the chip is welded into the lower opening of the cap.

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