EP0199455B1 - Einführung einer Plasmaprobe in eine Vakuumkammer - Google Patents

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EP0199455B1
EP0199455B1 EP19860301974 EP86301974A EP0199455B1 EP 0199455 B1 EP0199455 B1 EP 0199455B1 EP 19860301974 EP19860301974 EP 19860301974 EP 86301974 A EP86301974 A EP 86301974A EP 0199455 B1 EP0199455 B1 EP 0199455B1
Authority
EP
European Patent Office
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orifice
plasma
voltage
vacuum chamber
plate
Prior art date
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Expired
Application number
EP19860301974
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0199455A3 (en
EP0199455A2 (de
Inventor
Donald James Douglas
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nordion Inc
Original Assignee
MDS Inc
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Publication date
Application filed by MDS Inc filed Critical MDS Inc
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Publication of EP0199455A3 publication Critical patent/EP0199455A3/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/105Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation, Inductively Coupled Plasma [ICP]

Definitions

  • This invention relates to method and apparatus for sampling an inductively generated plasma through an orifice into a vacuum chamber and to method and apparatus for mass analysis using such sampling.
  • the invention relates to an alternative to the method and apparatus described in my U.S. patent No. 4,501,965, which alternative can also be used in conjunction with the method and apparatus shown in that patent. The present invention will be described with reference to mass analysis.
  • the present invention supplements the arrangement shown in my above identified U.S. patent.
  • the voltage swing in the plasma was greatly reduced, but some residual voltage swing remains because of heating currents in the plasma and because of other effects not fully understood. At least the voltage from the heating currents cannot be eliminated. The residual voltage swing may still cause some residual arcing, particularly adjacent the entrance to the second stage of the vacuum chamber shown in such U.S. patent.
  • Use of the invention shown in my above identified U.S. patent, combined with RF biasing of the orifice plate into the second stage of the vacuum chamber according to the present invention, has been found to produce a further improvement in ion signal transmission into the second stage of the vacuum chamber.
  • the present invention provides apparatus for sampling a plasma into a vacuum chamber comprising:
  • Fig. 1 shows a plasma tube 10 around which is wound an electrical induction coil 12.
  • the carrier gas e.g. argon
  • used to form the plasma is supplied from a source 14 and is directed by a conduit 16 into the plasma tube 10.
  • a further stream of the carrier gas is directed from the source 14 through an inner tube 18 within the plasma tube 10 and exits via a flared end 20 just upstream of the coil 12.
  • the sample gas containing the trace substance to be analyzed is supplied in a carrier gas, e.g. argon, from source 22 and is fed into the plasma tube 10 through a tube 24 within and coaxial with the tube 18.
  • a carrier gas e.g. argon
  • a sample of the RF voltage is picked off the generator 26 via lead 58, adjusted in phase at phase adjusting network 60, adjusted in amplitude in amplifier 62, and applied via lead 64 to the sampler plate 32.
  • the sampler plate 32 is d.c. electrically insulated from ground by insulating ring 66 but may have a considerable capacitance to ground. No special means (of the kind shown in my above identified U.S. patent) were used to reduce the voltage swing in the plasma 24.
  • the ion optic system 56' may more favourably accept an ion beam if the skimer plate 46' has a constant potential difference with respect to the plasma 30'. Ion optic transmission depends on the ion energy, which depends partly on the voltage on the skimmer plate 46' and partly on the voltage in the plasma. If the voltage difference between the skimmer plate 46' and the plasma 30' is kept constant, then it appears that the ion optic system 56' may be better able to transmit a consistently high proportion of the ions which enter it, as opposed to an arrangement in which the voltage is constantly varying.
  • ion optics lens systems may more favorably accept an ion beam if the skimmer plate 46' is a few volts positive or negative with respect to the plasma.
  • a suitable RF bias may be expected to optimize the ion transmission through the ion optics lens system 56.

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  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
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Claims (18)

1. Vorrichtung zum Entnehmen von Ionen in einem Plasma in einer Unterdruckkammer, enthaltend:
(a) eine Einrichtung zum Erzeugen eines Plasma enthaltend (i) eine elektrische Induktionsspule mit ersten und zweiten Anschlüssen und wenigstens einer Windung zwischen den ersten und zweiten Anschlüssen, welche Windung einen Raum innerhalb der Spule zur Erzeugung des Plasma definiert, und (ii) eine Erzeugungseinrichtung zum Erzeugen einer ersten HF-Spannung, die an die Spule anzulegen ist, um in dem genannten Raum zu erwärmen, um das Plasma zu erzeugen,
(b) eine Unterdruckkammer mit einer Lochplatte, die eine Wand der Unterdruckkammer darstellt,
(c) welche Lochplatte eine Öffnung darin aufweist, die nahe dem genannten Raum angeordnet ist, um einen Teil des Plasma durch die genannte Öffnung in die Unterdruckkammer zu entnehmen,
(d) eine zweite Erzeugungseinrichtung zum Erzeugen einer zweiten HF-Spannung von gleicher Frequenz wie die erste HF-Spannung und mit der ersten HF-Spannung phasenverriegelt,
(e) und einer Einrichtung, die zwischen die Lochplatte und die zweite Erzeugungseinrichtung geschaltet ist, um die Lochplatte mit der zweiten HF-Spannung vorzuspannen, um die Strömung der genannten Ionen durch die Öffnung zu vergrößern.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste Erzeugungseinrichtung eine Einrichtung zum Erzeugen der zweiten HF-Spannung enthält, so daß die genannte erste Erzeugungseinrichtung die zweite Erzeugungseinrichtung enthält.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2 und enthaltend eine Einrichtung zum Einstellen der Phase der zweiten HF-Spannung.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3 und enthaltend eine Einrichtung zum Einstellen der Amplitude der zweiten HF-Spannung.
5. Vorrichtung zum Entnehmen einer Plasmaprobe in eine Unterdruckkammer, enthaltend:
(a) eine Einrichtung zum Erzeugen eines Plasma, enthaltend (i) eine elektrische Induktionsspule mit ersten und zweiten Anschlüssen und wenigstens einer Windung zwischen den ersten und zweiten Anschlüssen, welche Windung einen Raum innerhalb der Spule zur Erzeugung des Plasma definiert, und (ii) eine HF-Erzeugungseinrichtung zum Erzeugen einer ersten HF-Spannung, die der Spule zuzuführen ist, um den genannten Raum zu erwärmen, um das Plasma zu erzeugen,
(b) eine Unterdruckkammer mit ersten und zweiten Unterdruckstufen und enthaltend eine Probennahmeplatte, die eine Außenwand der Unterdruckkammer definiert, welche Probennahmeplatte eine Probennahmeöffnung darin aufweist, und eine Blendenplatte innerhalb der Unterdruckkammer mit einer Blendenöffnung darin, welche Probennahmeplatte und welche Blendenplatte voneinander Abstand haben, um zwischen sich die erste Unterdruckstufe auszubilden, wobei die Unterdruckkammer eine zweite Wand hat, die im Abstand zu der Blendenplatte angeordnet ist, welche zweite Wand und die Blendenplatte zwischen sich die zweite Unterdruckstufe ausbilden,
(c) wobei die Probennahmeöffnung und die Blendenöffnung so angeordnet sind, daß eine Teil des Plasma durch die Probennahmeöffnung in die erste Unterdruckstufe und durch die Blendenöffnung in die zweite Unterdruckstufe entnommen wird,
(d) und eine Einrichtung, die mit der HF-Erzeugungseinrichtung verbunden ist, um eine erste HF-Vorspannung zu erzeugen und um diese HF-Vorspannung wenigstens der Blendenplatte zuzuführen, um die Strömung der Ionen durch die Blendenöffnung zu steigern.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, enthaltend eine mit der Erzeugungseinrichtung verbundene Einrichtung zum Erzeugen einer zweiten HF-Vorspannung und zum Anlegen der zweiten HF-Vorspannung an die Probennahmenplatte, um dadurch die Strömung von Ionen durch die Probennahmeöffnung zu steigern.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6 und enthaltend eine Einrichtung zum Einstellen der Phase der zweiten Vorspannung.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7 und enthaltend eine Einrichtung zum Einstellen der Amplitude der zweiten Vorrspannung.
9. Vorrichtung nach Anspruch 6 und enthaltend eine Einrichtung zum unabhängigen Einstellen der Phasen jeder der ersten und zweiten Vorspannungen.
10. Vorrichtung nach Anspruch 7 und enthaltend eine Einrichtung zum unabhängigen Einstellen der Amplituden jeder der ersten und zweiten Vorspannungen.
11. Vorrichtung nach Anspruch 5 und enthaltend eine Schaltungseinrichtung, die mit der Spule verbunden ist, um den Spannungshub von Spitze zu Spitze in dem Plasma zu reduzieren.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11 und enthaltend eine einrichtung zum Einstellen der Phase der ersten Vorspannung.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12 und enthaltend eine Einrichtung zum Einstellen der Amplitude der ersten Vorspannung.
14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Unterdruckkammer einen Massenanalysator darin enthält.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 13, bei der die Unterdruckkammer einen Massenanalysator in der zweiten Unterdruckstufe enthält, welcher Massenanalysator ein Vierpol-Massenspektrometer enthält.
16. Verfahren zum Entnehmen von Tonen in einem Plasma in eine Unterdruckkammer, umfassend:
(a) Anlegen eines hochfrequenten elektrischen Stroms an eine Spule zur Erzeugung eines Plasma innerhalb der Spule,
(b) Vermindern der Spitze-zu-Spitze-Spannungsschwankungen in dem Plasma durch Begrenzen der Spannungsschwankungen in der Spule an einer Position zwischen den Enden derselben,
(c) Richten eines Teils des Plasma durch eine Probennahmeöffnung in eine erste Stufe der Unterdruckkammer und dann durch eine Blendenöffnung in eine zweite Stufe der Unterdruckkammer,
(d) und Anlegen einer HF-Vorspannung gleicher Frequenz wie die des elektrischen Stroms und phasenverriegelt mit diesem an die Blendenöffnung, um den lonendurchlaß durch sie zu steigern.
17. Verfahren nach Anspruch 16 und enthaltend den Schritt des Einstellens der Phase und der Amplitude der HF-Vorspannung zur optimalen lonendurchleitung.
18. Verfahren nach Anspruch 17 und enthaltend den Schritt des Analysierens der lonen, die in die zweite Stufe der Unterdruckkammer eintreten.
EP19860301974 1985-04-24 1986-03-18 Einführung einer Plasmaprobe in eine Vakuumkammer Expired EP0199455B1 (de)

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CA000479934A CA1246246A (en) 1985-04-24 1985-04-24 Method and apparatus having rf biasing for sampling a plasma into a vacuum chamber
CA479934 1985-04-24

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Publication Number Publication Date
EP0199455A2 EP0199455A2 (de) 1986-10-29
EP0199455A3 EP0199455A3 (en) 1987-05-13
EP0199455B1 true EP0199455B1 (de) 1989-08-30

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EP (1) EP0199455B1 (de)
JP (1) JPH0821363B2 (de)
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DE (1) DE3665379D1 (de)

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EP0199455A3 (en) 1987-05-13
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JPH0821363B2 (ja) 1996-03-04
CA1246246A (en) 1988-12-06
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