EP0015807A1 - Procédé de fabrication d'une source radioactive et source obtenue par ledit procédé - Google Patents

Procédé de fabrication d'une source radioactive et source obtenue par ledit procédé Download PDF

Info

Publication number
EP0015807A1
EP0015807A1 EP19800400238 EP80400238A EP0015807A1 EP 0015807 A1 EP0015807 A1 EP 0015807A1 EP 19800400238 EP19800400238 EP 19800400238 EP 80400238 A EP80400238 A EP 80400238A EP 0015807 A1 EP0015807 A1 EP 0015807A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
substrate
radio
source
deposited
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP19800400238
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0015807B1 (fr
Inventor
Jean-Pierre Galmiche
Francine Moser
Denise Remy
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of EP0015807A1 publication Critical patent/EP0015807A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0015807B1 publication Critical patent/EP0015807B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21G—CONVERSION OF CHEMICAL ELEMENTS; RADIOACTIVE SOURCES
    • G21G4/00—Radioactive sources
    • G21G4/04—Radioactive sources other than neutron sources
    • G21G4/06—Radioactive sources other than neutron sources characterised by constructional features

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a radioactive source and the source obtained by said method.
  • French patent 2,279,206 discloses a process for producing sources of ionizing radiation according to which an active layer of a radio-element is deposited on a nickel substrate, and then the substrate thus coated is subjected to a heat treatment. so as to cause the formation of an inactive layer of nickel oxide allowing the protection of the active layer of radio-element, this nickel oxide being formed by oxidation of nickel which constitutes the substrate and which has diffused through the layers of atoms of the active radio-element coating.
  • the deposition of the radio-element layer on the nickel substrate is carried out by evaporation under vacuum or by cathode sputtering of the oxide of the radio-element.
  • French patent 2,028,679 illustrates a process for manufacturing a radiation source, which consists in depositing on a support coated with enamel a radioactive material and then depositing on this material a layer waterproof metal oxide by hydrolyzing a chloride of this metal on the heated radioactive layer.
  • This method has the drawback of requiring an intermediate decontamination operation to remove the radioactive material which is not fixed on the support and of being unsuitable for industrial manufacture.
  • Also known from Swiss Patent 225,654 is a process for producing a radioactive source, according to which a radioactive substance is introduced into the pores of a porous layer produced on the surface of a support. metallic, which cannot lead to obtaining a source having satisfactory safety characteristics.
  • the process according to the invention overcomes the drawbacks of the processes mentioned above, in particular in that it makes it possible to carry out directly on the substrate the deposition of the active layer of radio-element from a nitric solution of this radio element.
  • the process which is the subject of the invention is characterized in that a metal substrate capable of resisting corrosion by nitric solutions is deposited on a substrate, chosen from the group comprising titanium, zirconium, a thin active layer d '' a radioelement by contacting a nitric solution of said radioelement with said substrate and dry evaporation of said solution, the substrate thus coated is subjected to a heat treatment so as to obtain a layer of an inactive coating consisting of a oxide of the metal constituting said substrate, then a refractory material is deposited by sputtering.
  • a layer of tantalum is also deposited on said refractory material.
  • the radioelement used as active layer of the considered source is generally a radioelement such as americium 241, plutonium 238 and curium 242 or 244.
  • a radioelement such as americium 241, plutonium 238 and curium 242 or 244.
  • the subsequent heat treatment causes the oxidation of the metal constituting the substrate, the metal oxide layer thus formed developing by oxidation of this metal which has diffused through the layers atoms constituting the active coating; therefore, the active radioelement layer is always at the metal-oxide interface.
  • a 4N radioactive element nitric solution is used.
  • a refractory material for example an enamel
  • a refractory material is deposited on the inactive coating layer.
  • the deposition of this layer of enamel preferably between 3 and 10 microns thick, is carried out by sputtering, the enamel being, for example a compound based on silicates.
  • the enamel instead of enamel, we can use a glass, calcium fluoride, titanium oxide or alumina.
  • the purpose of this refractory coating is to protect the inactive deposit in case of abrasion or accidental scratches, its role is also to perfect the source by the multilayer process.
  • a layer of tantalum is also deposited on the layer of refractory material; this deposition of a tantalum layer, preferably between 1 and 2 microns thick, is carried out by sputtering.
  • This tantalum layer allows the radioactive source to retain its safety character during use, can appropriately resist corrosion and undergo no degradation, either in air or in humidity. In addition, it can resist any rise in temperature: in fact, if the temperature remains below 600 ° C, the source does not undergo any destruction; moreover, if the temperature becomes higher than 600 ° C., the tantalum oxidizes.
  • the active layer of radio-element can be deposited from a nitric solution of this radio-element; B. 6472.3 MDT this allows a simpler, less expensive deposition technique and easier to automate than the implementation of vacuum evaporation or sputtering techniques involved in the prior process mentioned above.
  • the nitric solutions used are very stable and allow automation for mass production.
  • the resistance of titanium or zirconium to corrosion is very good and the radioactive sources obtained are of good quality.
  • the invention also relates to radioactive sources as obtained by the process considered. These sources are characterized in that they successively comprise a substrate made of a metal chosen from the group comprising titanium, zirconium, an active thin layer of a radio-element such as americium, plutonium, curium , a layer of an inactive coating. consisting of an oxide of said metal and a layer of a refractory material.
  • the sources further comprise a layer of tantalum deposited on the layer of refractory material.
  • FIGS. 1 to 3 This description refers to the appended FIGS. 1 to 3 in which curves have been shown which give for different sources, on the one hand, on the ordinate the number N of the particles leaving the sources and, on the other hand, on the abscissa the energy E in MeV of the particles.
  • a source of americium 241 is prepared in the following manner.
  • the energy of the particles is lower in the case of a source of the invention with coating of tantalum (curve C 5 ) compared to a source of the invention without coating of tantalum (curve C 3 ).
  • the radioactive sources according to the invention are more particularly intended for use in devices liable to undergo high temperature increases such as fire detectors, lightning conductors, or static electricity eliminators.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

La présente Invention concerne un procédé de fabrication d'une source radioactive.
Selon ce procédé, on dépose sur un substrat en un métal susceptible de résister à la corrosion par des solutions nitriques, choisi dans le groupe comprenant le titane, le zirconium, une couche mince active d'un radio-élément par mise en contact d'une solution nitrique dudit radio-élément avec ledit substrat et évaporation à sec de ladite solution, on fait subir au substrat ainsi revêtu un traitement thermique de façon à obtenir une couche d'un revêtement inactif constitué d'un oxyde du métal constituant ledit substrat, puis on dépose un matériau réfractaire par pulvérisations cathodiques.
Application des sources radioactives ainsi obtenues à la réalisation de détecteurs d'incendie, paratonnerres ou d'éliminateurs d'électricité statique.

Description

  • La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'une source radioactive et la source obtenue par ledit procédé.
  • On connaît par le brevet français 2.279.206 un procédé de réalisation de sources de rayonnements ionisants selon lequel on dépose, sur un substrat en nickel, une couche active d'un radio-élément, puis on fait subir au substrat ainsi revêtu un traitement thermique de façon à provoquer la formation d'une couche inactive d'oxyde de nickel permettant la protection de la couche active de radio-élément, cet oxyde de nickel étant formé par oxydation du nickel qui constitue le substrat et qui a diffusé à travers les couches d'atomes du revêtement actif de radio- élément. Selon ce procédé, le dépôt de la couche de radio- élément sur le substrat en nickel est réalisé par évaporation sous vide ou par pulvérisation cathodique de l'oxyde du radioélément. En effet, on ne peut utiliser la technique de dépôt d'un radio-élément sur le substrat en nickel à partir d'une solution d'acide minéral du radio-élément étant donné que le nickel ne résisterait pas à la corrosion par cet acide minéral. On est donc obligé, selon le procédé considéré, de partir d'une solution alcoolique du radio- élément, dépourvue d'acide minéral, pour effectuer le dépôt de la couche active de radio-élément sur le substrat en nickel. Ceci pose un certain nombre de problèmes ; par exemple, lorsqu'on veut déposer une couche de plutonium sur le substrat en nickel, on se heurte à un certain nombre de difficultés du fait que le plutonium ayant une forte tendance à l'hydrolyse, les solutions alcooliques de ce composé sont peu stables et les précipités d'hydroxyde de plutonium y apparaissent très rapidement. D'autre part, il est dommage de ne pouvoir utiliser une solution acide de radioélément car l'utilisation de cette dernière permet d'obtenir une certaine migration dudit radioélément dans le substrat.
  • Le brevet français 2.028.679 illustre un procédé de fabrication d'une source de rayonnements, qui consiste à déposer sur un support revêtu d'émail une matière-radioactive et à déposer ensuite sur cette matière une couche étanche d'oxyde métallique en hydrolysant un chlorure de ce métal sur la couche radioactive chauffée.
  • Ce procédé présente l'inconvénient de nécessiter une opération de décontamination intermédiaire pour éliminer la matière radioactive non fixée sur le support et d'être peu adapté à une fabrication industrielle.
  • On connaît encore par le brevet suisse 225.654 un procédé de réalisation d'une source radioactive., selon lequel on introduit une substance radioactive dans les pores d'une couche poreuse réalisée sur la surface d'un support. métallique, ce qui ne peut conduire à l'obtention d'une source présentant des caractéristiques de sécurité satisfaisantes .
  • Le procédé conforme à l'invention pallie les inconvénients des procédés rappelés ci-dessus, notamment en ce qu'il permet d'effectuer directement sur le substrat le dépôt de la couche active de radio-élément à partir d'une solution nitrique de ce radio-élément.
  • Le procédé objet de l'invention, se caractérise en ce que l'on dépose sur un substrat en un métal susceptible de résister à la corrosion par des solutions nitriques, choisi dans le groupe comprenant le titane, le zirconium, une couche mince active d'un radioélément par mise en contact d'une solution nitrique dudit radioélément avec ledit substrat et évaporation à sec de ladite solution, on fait subir au substrat ainsi revêtu un traitement thermique de façon à obtenir une couche d'un revêtement inactif constitué d'un oxyde du métal constituant ledit substrat, puis on dépose un matériau réfractaire par pulvérisation cathodique.
  • Selon une caractéristique de l'invention, on dépose en outre sur ledit matériau réfractaire une couche de tantale.
  • Le radioélément utilisé en tant que couche active de la source considérée est en général un radioélément tel que l'américium 241, le plutonium 238 et le curium 242 ou 244. Après évaporation à sec de la solution nitrique du radio- élément, le traitement thermique subséquent provoque l'oxydation du métal constituant le substrat, la couche d'oxyde du métal ainsi formée se développant par oxydation de ce métal qui a diffusé à travers les couches d'atomes constituant le revêtement actif ; de ce fait, la couche active de radioélément se trouve toujours à l'interface métal-oxyde. De préférence, on utilise une solution nitrique de radio-élément 4N.
  • Selon le procédé de l'invention, on dépose sur la couche de revêtement inactif un matériau réfractaire, par exemple un émail. Le dépôt de cette couche d'émail, d'une épaisseur de préférence comprise entre 3 et 10 microns, s'effectue par pulvérisation cathodique, l'émail étant, par exemple un composé à base de silicates. A la place de l'émail, on peut utiliser un verre, le fluorure de calcium, l'oxyde de titane où l'alumine. Le but de ce revêtement réfractaire est de protéger le dépôt inactif en cas d'abrasion ou d'éraflures accidentelles, son rôle est aussi de parfaire la source par le procédé multicouche.
  • Selon un mode de réalisation du procédé de l'invention, on dépose en outre sur la couche du matériau réfractaire une couche de tantale ; ce dépôt d'une couche de tantale, d'une épaisseur de préférence comprise entre 1 et 2 microns, s'effectue par pulvérisation cathodique. La présence de cette couche de tantale permet que la source radioactive conserve son caractère de sécurité en cours d'utilisation, puisse résister de façon appropriée à la corrosion et ne subir aucune dégradation, ni à l'air, ni à l'humidité. De plus, elle peut résister à toute élévation de température : en effet, si la température demeure inférieure à 600°C, la source ne subit aucune destruction ; par ailleurs, si la température devient supérieure à 600°C, le tantale s'oxyde.
  • Ainsi, grâce au procédé conforme à l'invention, on peut effectuer le dépôt de la couche active de radio-élément à partir d'une solution nitrique de ce radio-élément ; B. 6472.3 MDT
    ceci permet une technique de dépôt plus simple, moins onéreuse, et plus facile à automatiser que la mise en oeuvre des techniques d'évaporation sous vide ou de pulvérisation cathodique intervenant dans le procédé antérieur rappelé ci-dessus. Les solutions nitriques utilisées sont très stables et permettent l'automatisation pour la réalisation de grande série. La résistance du titane ou du zirconium à la corrosion est très bonne et les sources radioactives obtenues sont de bonne qualité.
  • L'invention a également pour objet les sources radioactives telles qu'obtenues par le procédé considéré. Ces sources se caractérisent en ce qu'elles comportent successivement un substrat constitué d'un métal choisi dans le groupe comprenant le titane, le zirconium, une couche mince active d'un radio-élément tel que l'américium, le plutonium, le curium, une couche d'un revêtement inactif. constitué par un oxyde dudit métal et une couche d'un matériau réfractaire.
  • Selon un mode de réalisation, les sources comportent en outre une couche de tantale déposée sur la couche du matériau réfractaire.
  • La description qui suit se rapporte à un exemple de fabrication d'une source radioactive selon l'invention, cet exemple étant donné à titre illustratif et non limitatif.
  • Cette description se réfère aux figures 1 à 3 annexées sur lesquelles on a représenté des courbes qui donnent pour différentes sources, d'une part, en ordonnée le nombre N des particules sortant des sources et, d'autre part, en abscisse l'énergie E en MeV des particules.
  • Selon l'invention, on prépare une source d'américium 241 de la façon suivante.
  • On dépose sur un support en titane d'une épaisseur de 2mm et d'un diamètre de 10 mm, 10 pl d'une solution d'acide nitrique 4N contenant 0,1 g d'américium 241 par litre. Après évaporation de la solution par chauffage à 80°C, le support est porté à 700°C pendant 10 mn afin de provoquer l'oxydation superficielle du support et l'apparition d'une couche d'oxyde de titane au-dessus du dépôt d'américium 241. Le support est ensuite introduit dans une enceinte à vide équipée d'un dispositif de pulvérisation cathodique qui est un système diode fonctionnant en radiofréquence. Après obtention d'un vide de 10-4 torr, une pression d'argon d'environ 10-2 torr est introduite dans la cloche à vide et la pulvérisation cathodique du verre est mise en route pendant 30 mn environ, l'épaisseur du dépôt est de 3 p. En dernier lieu, on procède au dépôt d'un film de tantale de 2 p d'épaisseur par pulvérisation cathodique,
  • On a représenté sur la figure 1 :
    • - une courbe C1, donnant, pour une source qui comporte successivement sur un substrat en titane, une couche d'américium, une couche d'oxyde de titane et une couche de tantale, l'énergie E en MeV des particules en fonction du nombre N des particules sortant de la source,
    • - une courbe C2 donnant, pour une source "nue" formée simplement d'un dépôt d'américium sur un substrat de titane, l'énergie E en MeV des particules en fonction du nombre N des particules sortant de cette source.
  • On a représenté sur la figure 2 :
    • - une courbe C3 donnant, pour une source conforme à l'invention sans revêtement de tantale, l'énergie E en MeV des particules en fonction du nombre N des particules sortant de la source,
    • - une courbe C4 qui est celle obtenue pour une source "nue" formée simplement d'un dépôt d'américium sur un support de titane.
  • On a représenté sur la figure 3 :
    • - une courbe Cs donnant pour la source obtenue selon l'exemple décrit ci-dessus, c'est-à-dire une source conforme à l'invention avec revêtement de tantale, l'énergie E en MeV des particules en fonction du nombre N des particules sortant de la source,
    • - une courbe C6 qui est celle obtenue pour la source "nue".
  • On voit que l'énergie E des particules sortant des sources correspondant aux courbes C1, C3 et Ce est plus faible que pour une source "nue" formée simplement d'un dépôt du même radio-élément sur un substrat.
  • On peut noter également que l'énergie des particules est plus faible dans le cas d'une source de l'invention avec revêtement de tantale (courbe C5) par rapport à une source de l'invention sans revêtement de tantale (courbe C3).
  • Les sources radioactives conformes à l'invention sont plus particulièrement destinées à être utilisées dans des appareils susceptibles de subir de fortes élévations de températures tels que des détecteurs d'incendies, des paratonnerres, ou des éliminateurs d'électricité statique.

Claims (7)

1. Procédé de fabrication d'une source radioactive, caractérisé en ce que l'on dépose sur un substrat en titane ou en zirconium, une couche mince active d'un radio- élément par mise en contact d'une solution nitrique dudit radio-élément avec ledit substrat et évaporation à sec de ladite solution, on fait subir au substrat ainsi revêtu un traitement thermique de façon à obtenir une couche d'un revêtement inactif constitué d'un oxyde du métal constituant ledit substrat, puis on dépose un matériau réfractaire par pulvérisation cathodique,
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on dépose en outre sur ledit matériau réfractaire une couche de tantale.
3. Procédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le matériau réfractaire est choisi dans le groupe constitué par un émail, un verre, le fluorure de calcium, l'oxyde de titane, l'alumine.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la solution nitrique du radio-élément est constituée par une solution nitrique d'un radio-élément choisi dans le groupe comprenant le plutonium, l'américium, le curium.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la solution nitrique du radio-élément est une solution d'acide nitrique 4N.
6. Source radioactive, caractérisée en ce qu'elle comporte successivement un substrat constitué d'un métal choisi dans le groupe comprenant le titane, le zirconium, une couche mince active d'un radio-élément tel que l'américium, le plutonium, le curium, une couche d'un revêtement inactif constitué par un oxyde dudit métal, et enfin une couche d'un matériau réfractaire.
7. Source selon la revendication 6, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre une couche de tantale déposée sur la couche du revêtement réfractaire.
EP19800400238 1979-03-02 1980-02-19 Procédé de fabrication d'une source radioactive et source obtenue par ledit procédé Expired EP0015807B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7905498 1979-03-02
FR7905498A FR2450498A1 (fr) 1979-03-02 1979-03-02 Procede de fabrication d'une source radioactive et source obtenue par ledit procede

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0015807A1 true EP0015807A1 (fr) 1980-09-17
EP0015807B1 EP0015807B1 (fr) 1983-04-13

Family

ID=9222700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP19800400238 Expired EP0015807B1 (fr) 1979-03-02 1980-02-19 Procédé de fabrication d'une source radioactive et source obtenue par ledit procédé

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0015807B1 (fr)
JP (1) JPS55119100A (fr)
DE (1) DE3062662D1 (fr)
FR (1) FR2450498A1 (fr)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0980077A1 (fr) * 1998-08-10 2000-02-16 Centro De Investigaciones Energeticas Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) Procédé d'incorporation de substances dangereuses ou coûteuses dans des supports en aluminium avec une épaisseur anodisée trés réduite
WO2006004075A2 (fr) * 2004-06-30 2006-01-12 Noriyoshi Tsuyuzaki Source génératrice de pulsion émissent au hasard et dispositif semi-conducteur, méthode et programme pour générer des nombres au hasard et/ou une probabilité en utilisant la source

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH225654A (de) * 1940-12-19 1943-02-15 Robert Dr Haefeli Radioaktiver Gegenstand.
FR2028679A1 (en) * 1969-01-21 1970-10-16 Drabkina Lidiya Radioactive source for eliminating static charges
FR2279206A1 (fr) * 1973-12-17 1976-02-13 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de sources de rayonnements ionisants scellees et sources obtenues par ce procede

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH225654A (de) * 1940-12-19 1943-02-15 Robert Dr Haefeli Radioaktiver Gegenstand.
FR2028679A1 (en) * 1969-01-21 1970-10-16 Drabkina Lidiya Radioactive source for eliminating static charges
FR2279206A1 (fr) * 1973-12-17 1976-02-13 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de sources de rayonnements ionisants scellees et sources obtenues par ce procede

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0980077A1 (fr) * 1998-08-10 2000-02-16 Centro De Investigaciones Energeticas Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) Procédé d'incorporation de substances dangereuses ou coûteuses dans des supports en aluminium avec une épaisseur anodisée trés réduite
ES2152840A2 (es) * 1998-08-10 2001-02-01 Ct Investig Energeticas Ciemat Procedimiento para la incorporacion de sustancias peligrosas o de elevado coste en soportes de aluminio con muy bajo espesor de anodizado.
WO2006004075A2 (fr) * 2004-06-30 2006-01-12 Noriyoshi Tsuyuzaki Source génératrice de pulsion émissent au hasard et dispositif semi-conducteur, méthode et programme pour générer des nombres au hasard et/ou une probabilité en utilisant la source
WO2006004075A3 (fr) * 2004-06-30 2007-02-15 Noriyoshi Tsuyuzaki Source génératrice de pulsion émissent au hasard et dispositif semi-conducteur, méthode et programme pour générer des nombres au hasard et/ou une probabilité en utilisant la source
US8001168B2 (en) 2004-06-30 2011-08-16 Noriyoshi Tsuyuzaki Random pulse generation source, and semiconductor device, method and program for generating random number and/or probability using the source
EP1771946B1 (fr) * 2004-06-30 2019-07-31 Noriyoshi Tsuyuzaki Dispositif semi-conducteur utilisant une source generatrice de impulsion aleatoire pour generer des nombres aleatoires et/ou probabilite

Also Published As

Publication number Publication date
FR2450498A1 (fr) 1980-09-26
JPS55119100A (en) 1980-09-12
EP0015807B1 (fr) 1983-04-13
FR2450498B1 (fr) 1982-03-19
DE3062662D1 (en) 1983-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4784849B2 (ja) アルカリ金属拡散障壁層
KR20200035285A (ko) 다이아몬드상 탄소를 포함하는 열처리 가능한 코팅
GB2043280A (en) Optical recording medium
US4178404A (en) Immersed reticle
FR2865420A1 (fr) Procede de nettoyage d'un substrat
EP0015807B1 (fr) Procédé de fabrication d'une source radioactive et source obtenue par ledit procédé
FR2671798A1 (fr) Procede pour la protection anti-oxydation d'un materiau qui, au moins en surface, est constitue d'une ceramique formee par un compose du silicium, et materiau tel qu'obtenu par le procede.
US3486217A (en) Method of fabricating laser cavities
FR2937798A1 (fr) Substrat verrier avec electrode notamment destine a un dispositif a diode electroluminescente organique
FR2542278A1 (fr) Perfectionnements apportes aux revetements aptes a resister a des contraintes thermiques elevees et notamment aux revetements pour satellites et vaisseaux spatiaux et aux procedes de production de ces revetements
US5312685A (en) Atomic oxygen protective coating with resistance to undercutting at defect sites
FR3056579A1 (fr) Substrat revetu d'un revetement bas-emissif
EP1788110B1 (fr) Revêtement à base d'argent résistant à la sulfuration, procédé de dépôt et utilisation.
EP3148949A1 (fr) Materiau comprenant une couche fonctionnelle a base d'argent cristallisee sur une couche d'oxyde de nickel
FR2911406A1 (fr) Film reflechissant excellent en termes de resistance a la cohesion et de resistance au soufre
LU87246A1 (fr) Produit comprenant une feuille de verre portant un revetement depose par pyrolyse et procede de fabrication d'un tel produit
US2427592A (en) Thorium compound protective coatings for reflecting surfaces
CA2495457A1 (fr) Procede de revetement de la surface d'un materiau metallique, dispositif pour sa mise en oeuvre et produit ainsi obtenu
EP2647606A1 (fr) Vitrage comprenant une couche a base d'oxyde de silicium
EP0127078B1 (fr) Boîte de montre
CH621206A5 (en) Process for the manufacture of a source of alpha radiations and source obtained by this process
CH623163A5 (en) Process for the manufacture of sealed sources of ionising radiations and sources obtained by this process
WO2015087011A1 (fr) Traitement anticorrosion d'un substrat métallique et substrat ainsi obtenu
Hüpkes Influence of atmosphere and material properties on damp heat stability of ZnO: Al
JP3320148B2 (ja) 金属ミラーの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Designated state(s): BE CH DE GB IT

17P Request for examination filed

Effective date: 19810223

ITF It: translation for a ep patent filed
GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Designated state(s): BE CH DE GB IT

REF Corresponds to:

Ref document number: 3062662

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19830519

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Payment date: 19840206

Year of fee payment: 5

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Payment date: 19840331

Year of fee payment: 5

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 19850126

Year of fee payment: 6

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Effective date: 19880229

BERE Be: lapsed

Owner name: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETS DE CARACTER

Effective date: 19880228

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Effective date: 19881101

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee
PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19881118

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Effective date: 19890228

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT