EP0014647B1 - Zweidimensionale elektro-akustische Vorrichtung zum Speichern und Verarbeiten von Information - Google Patents

Zweidimensionale elektro-akustische Vorrichtung zum Speichern und Verarbeiten von Information Download PDF

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EP0014647B1
EP0014647B1 EP80400161A EP80400161A EP0014647B1 EP 0014647 B1 EP0014647 B1 EP 0014647B1 EP 80400161 A EP80400161 A EP 80400161A EP 80400161 A EP80400161 A EP 80400161A EP 0014647 B1 EP0014647 B1 EP 0014647B1
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EP
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signal
waves
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auxiliary
signals
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EP80400161A
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French (fr)
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EP0014647A1 (de
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Charles Maerfeld
Hervé Gautier
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Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06G—ANALOGUE COMPUTERS
    • G06G7/00—Devices in which the computing operation is performed by varying electric or magnetic quantities
    • G06G7/12—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers
    • G06G7/19—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for forming integrals of products, e.g. Fourier integrals, Laplace integrals, correlation integrals; for analysis or synthesis of functions using orthogonal functions
    • G06G7/195—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for forming integrals of products, e.g. Fourier integrals, Laplace integrals, correlation integrals; for analysis or synthesis of functions using orthogonal functions using electro- acoustic elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values

Definitions

  • the subject of the present invention is an acousto-electric device capable of storing information, in analog form, at any point on a surface, and of performing this processing on various information, such as the Fourier transformation for example.
  • acoustoelectric devices have already been used for memorization and information processing. They generally consist of a piezoelectric substrate and a semiconductor substrate placed facing each other; acoustic waves, also called elastic waves, are generated on the surface of the piezoelectric substrate; their interactions create spatially differentiated domains which represent them and which are memorized in the semiconductor substrate. Other acoustic waves are subsequently generated on the surface of the piezoelectric substrate and interact with the stored information, thus processing the information carried by the elastic waves, such as correlation or convolution.
  • Such a device is for example described in French patent n ° 73-45234 in the name of Thomson-CSF (publication n °: 2 254 908), or in American patent n ° 3 935 564.
  • the device according to American patent 3,935,564 requires the use of two electrical switches making it possible to select an interaction zone from among several, arranged in a matrix in a two-dimensional piezoelectric medium.
  • the present invention relates to a device for storing analog information at any point but distinct from a two-dimensional surface, and the processing of this information, which has obvious advantages of compactness of the device, as well as simplification. in carrying out certain treatments, which will be described below.
  • the signal thus memorized is subsequently processed using two, three or four auxiliary reading signals which, depending on their frequency, shape and direction of emission, provide the processing of the signal S (t) in particular by correlation, convolution or Fourier transform.
  • two auxiliary write signals are used in the following manner.
  • the signal S (t) to be memorized is of a duration less than the travel time of the interaction surface by an elastic wave and that it is carried by a pulsation wave ⁇ s , and that the two signals writing, U (t) and W (t) are respectively pulsation waves ⁇ u and ⁇ w .
  • the currents i L , i NL2 , i NL3 are the resulting currents, respectively linear, non-linear of order 2 and non-linear of order 3.
  • the nonlinear medium can be a homogeneous semiconductor substrate: in fact, we know that there exists on the surface of a semiconductor a zone enriched or depleted in electrons compared to the rest of the volume of this semiconductor; this results in the appearance of a surface capacity whose value can be, according to well known theories (varicap effect), modified by the existence of a surface potential.
  • This potential can for example be created by an elastic wave traveling on the surface of a piezoelectric medium close to the semiconductor medium. There is then a storage of this potential representing the elastic wave.
  • nonlinear medium it is also possible to use a matrix of discrete elements, each of them having a characteristic of the diode type, that is to say that the current which crosses them in the direct direction is notably higher to the current flowing through them in the opposite direction.
  • the surface of the semiconductor medium which is opposite the interaction surface in this case carries, for example, an array of diodes. The potential associated with the elastic waves propagating on the surface of the piezoelectric medium then polarizes these diodes and, with each alternation for which the diodes are polarized in direct, it flows in the semiconductor a normal current on the surface of this one. On the other hand, no current flows in the other half-waves.
  • the operating modes described above include a storage function and therefore allow the storage means and the non-linear medium mentioned above to be produced in a single medium. However, it is the second mode of operation which gives the best memory effects, and it is on this that the following description is based.
  • this embodiment is illustrated in FIG. 3.
  • the device according to the invention can use one or the other of the types of non-linear media.
  • FIG. 3 therefore represents a partial sectional view of a variant of the device according to the invention, in which a network of diodes is used as a non-linear medium and storage medium.
  • Each of the diodes 6 has a zone 62, produced in the substrate 2 of a conductivity type opposite to that of the substrate; the substrate 2 is covered with an insulating layer 60 interrupted in line with the zones 62; the diode 6 is terminated by a conductive pad 61 deposited in the holes made in the layer 60.
  • PN type diodes described above can of course be replaced by other electrically non-linear semiconductor elements, such as another type of diode, or by MOS or MIS elements.
  • the device according to the invention uses two auxiliary addressing signals U (t) and W (t).
  • this transducer can be any one of the electro-mechanical transducers T 1 or T 2 or the pair of electrodes 3 and 4.
  • Formulas (4) and (5) constitute selection rules linking the signals S (t), U (t) and W (t), and more precisely linking their frequencies to their modes of application (electrodes 3-4 or transducers T 1 ... T 4 ).
  • ⁇ u and ⁇ w should preferably not be too close to one another in order to avoid the formation of a beat of U and W giving rise to a network which is superimposed on the network of period K.
  • auxiliary writing signals U (t) and W (t) of impulse form are used to memorize a signal S (t).
  • the load is equal to the maximum amplitude of the signals which circulated, that is to say the largest of the signals U or W, since we have here
  • FIG. 2 are represented only the plane XOY and the two transducers T, and T 2 which emit the pulses, as well as the interaction surface ABCD.
  • intersection zone 5 of these two zones constitutes the preceding "point" M.
  • the two pulses U and W propagate, their intersection 5 describes the line L.
  • the angle which this line makes with L with OX depends only on the directions of emission and on the velocities of the waves U and W.
  • the writing of a line does not erase the writing of the previous lines: in fact, there is coincidence of the three signals U, W and S that on the line (for example L ') whose registration is in progress.
  • the maximum existing potential is equal to the largest of the U or W signals, and therefore less than the potential of the line previously written where it will therefore not be taken into account.
  • the inscription of the largest of the signals U or W on the whole of the interaction surface during the inscription of the line L does not prevent the inscription of the line L-on this same surface, that -ci being characterized by a potential higher than that existing there previously.
  • the device of Figure 1 having five inputs, that is to say four electromechanical transducers (T, ... T 4 ) and the pair of electrodes 3-4, it is possible to make variants of this first mode always using two impulse auxiliary waves but applied to different inputs.
  • three surface waves can be used.
  • the three signals which are now surface waves are present at a point M such that:
  • the quantity of charges stored is then of the form, according to formula (3): It should be noted, compared to the previous case, the change of sign of S and the compression by two of the memorized signal. As before, the signal S (t) fits, when t varies, on a line L of equation
  • the charge Q (x) is memorized in the storage medium which is constituted, as said above, for example by surface traps in a semiconductor, by a network of capacities or by the internal capacities of the diode network which constitute the nonlinear medium.
  • the diodes are at the end of the reverse polarized writing; their reverse current being weak, the charges which are accumulated therein disappear only very slowly: for example, it is possible to reach with PN type diodes storage times of the order of 10 seconds at Room temperature. There is therefore in the storage medium, for the entire duration of this storage, a fixed wave: plus a polarization potential equal to U + W.
  • the reading is carried out by non-linear interaction between the fixed wave S m and two auxiliary reading waves N (t) and P (t), in a manner analogous to the writing process: it uses at the end i NL3 of equation (2) above:
  • the same signal N (t) can be applied to the transducer T I , the same signal P (t) to the transducer T 4 : the read signal S L will then be available at the terminals of the electrodes 3 and 4. From in the same way, the point of interaction of the three waves then sweeps a diagonal line of equation:
  • this second mode of reading makes it possible to reverse rows and columns of the matrix stored during reading, by hearing by lines the information recorded parallel to the previous line (L).
  • the previously memorized signal is considered and the following two read signals are used: applied to the transducer T 1 , and applied to the T 2 transducer. They are no longer impulse signals, but long signals, that is to say of which the duration is at least equal to the time of scanning of the interaction surface by an elastic wave, of constant amplitude, which may for example be equal to unity.
  • the output signal L L is as before and with the same selection rules, for example collected between the electrodes 3 and 4: It is a point of the two-dimensional Fourier transform of the signal S (x, y). To obtain another point of this transform, it suffices to repeat the reading operation with values different from ⁇ N and ⁇ p . We thus obtain the scanning of the whole Fourier transformed space.
  • the electrical signal available between the electrodes 3 and 4 represents useful information only when the elastic waves cover the entire interaction zone: it must then of course only be taken at this time.
  • Another disadvantage of this reading mode appears here: to treat another point of the transform, it is necessary to wait until the reading waves have disappeared from the interaction surface and that new reading waves of different pulsation occupy this whole surface, which is equal to the travel time of the whole interaction surface by an elastic wave.
  • the reading speed is greatly increased. Indeed, it is no longer necessary to wait for the time T mentioned above to read a second point of the Fourier transform: a time 1 / B, where B is the passband of the system, is sufficient here; this means that the reading is B. T times faster, BT being also equal to the number of independent resolvable points of a line of the image.
  • This variant which uses four frequency ramps for reading, however has the drawback of using a fourth order nonlinear interaction.
  • the writing phase of the signal S (t) is modified by modulating the latter beforehand by a frequency ramp.
  • the signal to be memorized being always assumed to be carried by a pulse wave ⁇ s
  • the signal applied to one of the inputs of the device is of the form: 65 ⁇ being a coefficient of proportionality.
  • the signals are written as previously in lines parallel to the previous one, by varying the delay ⁇ of W with respect to U; the signals S m stored on the entire interaction surface is written:
  • the output signal S L is then collected between the electrodes 3 and 4.
  • the signal S L (t) is of the form: It is a line of the two-dimensional Fourier transform of S (x, y).
  • a second order interaction for the reading phase only, in a manner analogous to what has just been described.
  • two of the three signals used for writing are linearly frequency modulated, for example S (t) and U (t).
  • the reading is then done, as before, using two long signals N (t) and P (t), but both linearly frequency modulated, with the same coefficients as two which were used for writing. .
  • a device has been produced according to the invention in which Dirac pulses lasting 30 ns, carrier waves of frequency 100 MHz for U, 150 MHz for W and 250 MHz have been used.
  • the dimensions of the intersection area 5 of the waves are 100 ⁇ m x 100 ⁇ m, which leads to an interaction area of 1 cm ⁇ 1 cm at 10 "memory points.

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Claims (16)

1. Zweidimensionale akusto-elektrische Vorrichtung für die Speicherung und die Verarbeitung von Informationen, mit:
- einem piezoelektrischen Milieu (1), das mindestens zwei elektromechanische Transduktoren (T1-T4) trägt, die elastische Wellen an der Oberfläche des piezoelektrischen Milieus aussenden können,
- einem elektrisch nicht-linearen Milieu (2), in dem sich nichtlineare Interaktionen zwischen den zu den sich auf dem piezoelektrischen Milieu fortpflanzenden elastischen Wellen gehörenden elektrischen Felderns ergeben können,
- einem Speichermilieu für elektrische Ladungen, das elektrisch an das nicht-lineare Milieu gekoppelt ist und ein Analogsignal speichern kann,
- einer Vorrichtung zum Anlegen und zur Entnahme eines elektrischen Signals,

dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherung eines analogen Eingangssignals (S(t)) mithilfe zweier Holfsschreibsignale (U(t)), W(t)) geschieht, wobei zwei dieser drei Signale (S(t), U(t), W(t)) an zwei elektromechanische Transduktoren angelegt werden, die elastische Wellen in zwei unterychiedliche Richtungen (Ox und Oy) aussenden, die einander nicht entgegengerichtet sind, und das andere Signal an einen dritten elektromechanischen Transduktor oder an die Vorrichtung (3, 4) zum Anlegen eines elektrischen Signals angelegt ist, das auf die Interaktionsoberfläche wirkt, wobei die Frequenzen der Hilfssignale so gewählt sind, daß die nicht-lineare Interaktion der drei Signale ein Signal (SM) ergibt, das das Eingangssignal (S(t)) unabhängig von der Zeit darstellt, in Form einer periodisch-räumlichen Verteilung von elektrischen Ladungen die im Speichermilieu gespeichert wind, wobei die beiden Hilfsschreibsignale (U(t), W(t)) Impulszüge einer größeren Amplitude als die des Eingangssignals (S(t)) sind und die Schnittfläche dieser beiden Impulse eine elementare Interaktionszone (5) bildet, wobei diese Impulse mit einer Periode ausgesandt werden, die mindestens bleich der Überstreichzeit der Interaktions-Oberfläche durch die elementare Zone ist, und mit veränderlichen Relativverzögerungen (τ), wodurch das Überstreichen Zeile für Zeile (L) der Interaktions-Oberfläche durch die elementare Zone (5) und anschließend die Speicherung Zeile für Zeile des aus aufeinanderfolgenden nicht-linearen Interaktionene resultierenden Signals Sm bewirkt werden.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Richtungen zueinander senkrecht verlaufen.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Hilfsschreibsignale (U(t), W(t)) je an die beiden elektro-mechanischen Transduktoren (T1, Tz) angelegt werden und daß das Eingangssignal (S(t)) zwischen zwei kontinuierlichen Elektroden (3, 4) einer Vorrichtung zum Anlegen eines elektrischen Signals angelegt ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine dritter Transduktor und einer der beiden elektromechanischen Transduktoren (T3) elastische Wellen an der Oberfläche des piezoelektrischen Milieus in entgegengesetzte Richtungen aussenden, daß die beiden Hilfsschreibsignale (U(t), W(t)) je an einen der beiden Transduktoren (T1, T2) angelegt werden und daß das Eingangssignal (S(t)) an den dritten Transduktor (T3) angelegt wird.
5. Virrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eines der Schreibsignale (W(t) zwischen zwei kontinuierliche Elektroden (3, 4) der Vorrichtung zum Anlegen eines elektrischen Signals angelegt wird und daß das andere Schreibsignal (U(t)) und das Eingangssignal (S(t)) je an einen der beiden elektromechanischen Transduktoren (T1, TZ) angelegt werden.
6. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Lesen des gespeicherten Sighals (SM) mithilfe zweier Hilfslesewellen (N, P) erfolgt, die in zwei bestimmte Richtungen mit Ausnahme der einander entgegengesetzen Richtungen ausgesandt werden und deren Frequenzen (ωN, ωp) so gewählt sind, daß die nicht-lineare Interaktion des gespeicherten Signals (SM) und der zwei Hilfslesewellen (N, P) ein Ausgangssignal (SL) ergibt, dessen Anzahl von Wellen (KL) der Periodizität (P) einer Vorrichtung entspricht, die dieses Signal auffängt, wobei die Hilfslesesignale (N, P) lmpulszüge sind und die Schnittfläche dieser beiden Impulse eine elementare Interaktionszqne (5) bildet, wobei diese Impulse mit einer Periode ausgesandt werden, die mindestens gleich der Überstreichzeit der Interaktions-Oberfläche durch die elementare Zone ist, und mit veränderlichen Relativ-Verzögerungen (T), wodurch das Überstreichen Zeile für Zeile (L) der Interaktions-Oberfläche durch die elementare Zone (5) bewirkt wird.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Hilfslesewellen (N(t), P(t)) je an einen der beiden elektromechanischen Transduktoren (T,, T2) angelegt werden, wobei das Ausgangssignal (SL) zwischen zwei Elektroden (3, 4) der Vorrichtung zur Entnahme entnommen wird.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Lesen des gespeicherten Signals (SM) mithilfe zweier langer Hilfslesewellen (N(t), P(t)) erfolgt, die in zwei bestimmte Richtungen mit Ausnahme der einander entgegengesetzten Richtungen ausgesandt werden und deren Dauer mindestens gleich der Überstreichzeit der Interaktions-Oberfläche durch eine elastische Welle ist und deren Frequenzen so gewählt sind, daß die nicht-lineare Interaktion des gespeicherten Signals (SM) und der beiden Hilfslesewellen (N, P) ein Ausgangssignal (SL) ergibt, dessen Wellenanzahl der Period izität einer dieses Signal auffangenden Vorrichtung entspricht, wobei diese Interaktion einen Punkt der Fourier-Transformation des Eingangssignals (S(t)) ergibt, während die anderen Punkte der Transformation von der Frequenzvariation der Hilfslesewellen geliefert werden.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Lesen des gespeicherten Signals (SM) mithilfe von vier linear frequenzmodulierten Hilfslesewellen (S1 ... 54) erfolgt, die in einer ersten und zweiten Richtung (Ox, Oy) und einer dritten und vierten Richtung (-Ox, -Oy) ausgesandt werden, wobei die letzteren Richtungen den ersteren je an der Oberfläche des piezoelektrischen Milieus entgegengerichtet sind und die in der ersten und der dritten Richtung bzw. die in der zweiten und vierten Richtung ausgesandten Wellen dieselbe Frequenz (ω1, oder ω2) und entgegengesetzte Modulationsflanken besitzen und wobei die Wellenzüge in der zweiten und vierten Richtung (Oy, -Oy) mit einer variablen Verzögerung oder Frequenzverschiebung bezüglich der in der ersten und der dritten Richtung (Ox, -Ox) ausgesandten Wellenzüge ausgesandt werden, und daß die Vorrichtung (3, 4) zur Entnahme eines Signals im nicht-linearen Milieu die Entnahme des Signals bewirkt, das von der Interaktion der vorgenannten Wellenzüge stammt und das Zeile für Zeile die Fouriertransformation des Eingangssignals (S(t)) wiedergibt.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Eingangssignal (S(t)) vor der nichtlinearen Interaktion mit den beiden Hilfsschreibsignalen (U(t), W(t)) linear frequenzmoduliert wird und daß das Auslesen des gespeicherten Signals (SM) mithilfe von zwei Hilfslesewellen (N(t), P(t)) erfolgt, die in zwei bestimmten, aber einander nicht entgegengesetzten Richtungen ausgesandt werden, wobei die erste Welle eine lange Welle ist, deren Dauer mindestens gleich der Überstreichungszeit der Interaktionsoberfläche durch eine elastische Welle ist, während die zweite Welle eine lange Welle ist, deren Dauer mindestens gleich der vorhergehenden Welle ist, die linear frequenzmoduliert ist, mit derselben Modulationsflanke wie das Eingangssignal (S(t)), wobei die Frequenzen der Hilfslesewellen so gewählt sind, daß die nichtlineare Interaktion des gespeicherten Signals (SM) und der Hilfslesewellen (N, P) ein Ausgangssignal (5L) ergibt, dessen Wellenanzahl der Periodizität einer dieses Signal auffangenden Vorrichtung entspricht, und wobei das Ausgangssignal eine Zeile der Fourier-Transformation des Eingangssignais (S(t)) wiedergibt.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Eingangssignal (S(t)) und eines der Hilfsschreibsignale (U(t), W(t)) vor der nicht-linearen Interaktion mit dem anderen Hilfsschreibsignal linear frequenzmoduliert wird und daß das Auslesen des gespeicherten Signals (SM) mithilfe von zwei Hilfslesewellen (N(t), P(t)) erfolgt, die in zwei bestimmten, aber einander nicht entgegengesetzten Richtungen ausgesandt werden, die frequenzmoduliert sind mit denselben Flanken wie die Hilfsschreibsignale und deren Dauer mindestens der Überstreichungszeit der Interaktionsoberflächen durch eine Elastische Welle gleicht, wobei die Frequenzen der Hilfslesesignale so gewählt sind, daß die Nicht-lineare Interaktion des gespeicherten Signals (SM) und der beiden Hilfslesewellen (N, P) ein Ausgangssignal (SL) ergibt, dessen Wellenanzahl der Periodizität einer dieses Signal auffangenden Vorrichtung entspricht, und wobei das Ausgangssignal (SL) eine Zeile der Fourier- Transformation des Eingangssignals (S(t)) wiedergibt.
12. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das piezoelektrische Milieu aus einem ersten Plättschen (1) und das nicht-lineare Milieu aus einem zweiten Plättchen (2) aus einem halbleitenden Material besteht, wobei die beiden Plättchen durch eine Luftschicht voneinander getrennt sind und sich die elastischen Wellen auf einer ersten Fläche des halbleitenden Plättchens (2) fortpflanzen und wobei die Vorrichtung zum Anlegen und zur Entnahme eines elektrischen Signals aus Elektroden (3-4) besteht, die je auf einer der Außenflächen der beiden Plättchen angeordnet sind.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden kontinuierlich sind.
14. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermilieu von dem halbleitenden Plättchen gebildet wird.
15. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das nicht-lineare Milieu und das Speichermilieu aus ein- und demselben Netz von PN-Dioden oder Schottky-Dioden oder MIS-Elementen oder MOS-Elementen besteht, die in den halbleitenden Plättchen auf der Fläche ausgebildet sind, welche dem piezoelektrischen Plättchen gegenüberliegt.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermilieu ein Netz von Speicherelementen aufweist.
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EP0014647A1 EP0014647A1 (de) 1980-08-20
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FR2448211B1 (de) 1982-10-01
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