EA025255B1

EA025255B1 - Способ получения подложки, обеспеченной покрытием

Info

Publication number: EA025255B1
Application number: EA201391292A
Authority: EA
Inventors: Маттье Билен; Ли-Я Йех
Original assignee: Сэн-Гобэн Гласс Франс
Priority date: 2011-03-08
Filing date: 2012-03-07
Publication date: 2016-12-30
Also published as: NO2683669T3; AU2012226643B2; CA2823906A1; WO2012120238A1; JP6054890B2; MX2013010285A; KR101982357B1; US9580807B2; FR2972447A1; EP2683669B1; PT2683669T; CN103402940B; FR2972447B1; CA2823906C; EA201391292A1; CN103402940A; US20140106088A1; EP2683669A1; ES2645936T3; BR112013017834A2

Abstract

Предметом изобретения является способ получения подложки (1), обеспеченной по меньшей мере на одной из ее сторон покрытием (2), содержащий этап осаждения указанного покрытия (2), затем этап термической обработки указанного покрытия при использовании основного лазерного излучения (4), при этом указанный способ отличается тем, что по меньшей мере одну часть (5, 14) основного лазерного излучения (4), проходящую через указанную подложку (1) и/или отражаемую указанным покрытием (2), перенаправляют в направлении указанной подложки, чтобы сформировать по меньшей мере одно вторичное лазерное излучение (6, 7, 18).

Description

Изобретение относится к термической обработке подложек, обеспеченных покрытиями, с использованием лазерного излучения.

Из заявок \νϋ 2008/096089, νθ 2010/139908 или же νθ 2010/142926 известны способы термической обработки лазерным излучением покрытий, осажденных на подложках, в частности на стеклянных подложках. Обрабатываемые покрытия содержат, например, тонкие слои серебра, оксида титана или же прозрачных электропроводных оксидов. Лазерное излучение позволяет быстро нагревать эти слои и повышать их электронную удельную проводимость или их излучательную способность (в случае слоев серебра или прозрачных электропроводных оксидов) или же их фотокаталитическую активность (в случае слоев оксида титана). При быстром нагреве слоев подложка нагревается незначительно, не подвергается воздействию больших термомеханических напряжений и может быть сразу же транспортирована и складирована без выполнения этапа медленного и управляемого охлаждения, как в случае обычного отжига.

Задача изобретения заключается в улучшении этого способа, чтобы иметь возможность использовать лазеры, которые являются менее энергоемкими и поэтому менее затратными, при той же самой скорости обработки, или чтобы иметь возможность обрабатывать покрытия более быстро при той же самой мощности лазера, или же чтобы иметь возможность при той же самой скорости обработки и той же самой мощности лазера дополнительно улучшать свойства обрабатываемых покрытий.

Для решения этой задачи одним объектом изобретения является способ получения подложки, обеспеченной по меньшей мере на одной из ее сторон покрытием, содержащий этап осаждения указанного покрытия, затем этап термической обработки указанного покрытия при использовании основного лазерного излучения, при этом указанный способ отличается тем, что по меньшей мере одну часть основного лазерного излучения, проходящую через указанную подложку и/или отражаемую указанным покрытием, перенаправляют в направлении указанной подложки, чтобы сформировать по меньшей мере одно вторичное лазерное излучение.

Изобретатели смогли показать, что в зависимости от характера покрытий и длины волны лазерного излучения большая часть лазерного излучения проходит через подложку или отражается покрытием и поэтому не используется для обработки покрытия. Было обнаружено, что при возврате по меньшей мере одной части этого теряемого излучения и при перенаправлении ее к подложке обработка значительно улучшается. Выбор между использованием части основного излучения, проходящей через подложку (режимом пропускания), или части основного излучения, отражаемой многослойной структурой (режимом отражения), или использованием по выбору обеих частей зависит от характера слоя и длины волны лазерного излучения. Обычно режим отражения следует выбирать, если при длине волны лазера отражение многослойной структурой больше, чем квадрат прохождения через подложку.

Согласно первому варианту осуществления (режиму отражения) единственное вторичное излучение формируют из части основного лазерного излучения, отражаемой покрытием. Это обычно является случаем, когда покрытие содержит по меньшей мере один слой серебра и когда длина волны лазера находится в пределах диапазона, простирающегося от 500 (в частности, 700) до 2000 нм.

Согласно второму варианту осуществления (режиму пропускания) единственное вторичное излучение формируют из части основного лазерного излучения, проходящей через подложку.

Согласно третьему варианту осуществления (в котором сочетают режимы отражения и пропускания) формируют два вторичных излучения, одно из части, отражаемой многослойной структурой, другое из части, проходящей через подложку.

Режим отражения предпочтительно использовать в случае покрытий, которые являются сильно отражающими при длине волны лазера, обычно отражение ими составляет по меньшей мере 20%.

Покрытие может быть отдельным тонким слоем или наиболее часто может быть многослойной структурой из тонких слоев, при этом считается, что свойства по меньшей мере одного из них улучшаются при термической обработке.

В контексте режима отражения предпочтительно, чтобы отражение основного излучения покрытием происходило благодаря слою, включенному в покрытие, свойства которого улучшаются при термической обработке. Тем самым исключаются слои, преднамеренно размещенные в многослойной структуре, единственной целью которых является отразить основное излучение, и присутствие которых в конечном счете нежелательно в готовом изделии. И наоборот, предпочтительно использовать естественное отражение слоем, подлежащим обработке. Например, когда многослойная структура содержит отражающий слой (обычно слой серебра), кристаллизационные свойства которого желательно улучшить, то предпочтительно перенаправлять на многослойную структуру часть основного излучения, отражаемую самим отражающим слоем, а не слоями, расположенными под этим отражающим слоем.

Подложку предпочтительно изготавливать из стекла или из полимерного органического материала. Предпочтительно, чтобы она была прозрачной, бесцветной (в этом случае из прозрачного или особо прозрачного стекла) или цветной, например голубой, серой, зеленой или красновато-коричневой (бронзовой).

Предпочтительно чтобы стекло было натриево-кальциевым силикатным стеклом, но оно также может быть боросиликатным или алюмоборосиликатным стеклом. Предпочтительными полимерными органическими материалами являются поликарбонат, полиметилметакрилат, полиэтилентерефталат (ПЭТ),

- 1 025255 полиэтиленнафталат (ПЭН) или же фторполимеры, такие как этилен-тетрафторэтилен (ЭТФЭ). Предпочтительно, чтобы подложка имела по меньшей мере один размер больше чем или равный 1 или 2 м, и даже 3 м. Толщина подложки обычно варьируется между 0,5 и 19 мм, предпочтительно между 0,7 и 9 мм, в частности между 2 и 8 мм или между 4 и 6 мм. Подложка может быть плоской или криволинейной, или даже гибкой.

Предпочтительно, чтобы стеклянная подложка была из флоат-стекла, т.е. стекла, получаемого способом, который включает в себя разливку жидкого стекла в ванну расплавленного олова (флоат-ванну). В этом случае слой, подлежащий обработке, равным образом может быть осажден как на сторону олова, так и на сторону атмосферы подложки. Термины стороны атмосферы и олова означают стороны подложки, которые при пребывании ее во флоат-ванне находились соответственно в контакте с атмосферой и в контакте с расплавленным оловом. Сторона олова содержит небольшое количество олова вблизи поверхности, которое диффундировало в структуру стекла. Кроме того, стеклянную подложку можно получать прокаткой между двумя валками, способом, который позволяет наносить тиснением рисунки на поверхность стекла.

Предпочтительно, чтобы обрабатываемое покрытие содержало тонкий слой, выбираемый из слоев серебра, слоев оксида титана и прозрачных электропроводных слоев. Предпочтительно, чтобы покрытие было покрытием с низкой излучательной способностью, в частности с излучательной способностью, которая составляет самое большее 20 или 10%, содержащим, например, по меньшей мере один слой серебра. Таким покрытиям обычно присущи большие отражения при длинах волн лазера между 700 и 2000 нм, так что эффективность обработки согласно изобретению значительно повышается.

Предпочтительно, чтобы на этапе термической обработки не происходило плавление, даже частичное плавление, слоев, имеющихся в многослойной структуре. В таком случае при термической обработке можно получать достаточную энергию для содействия кристаллизации тонкого слоя с помощью физикохимического механизма роста кристаллической структуры вокруг ядер, уже имеющихся в слое, при сохранении твердой фазы. При этой обработке не используют механизм кристаллизации путем охлаждения расплавленного материала, с одной стороны вследствие того, что для этого требуются очень высокие температуры, а с другой стороны вследствие того, что могут изменяться толщины и показатели преломления слоев и поэтому их свойства при таких изменениях, например, их внешний вид. Прозрачные электропроводные слои обычно основаны на смешанных оксидах индия и олова (называемых ΙΤΟ), основаны на смешанных оксидах индия и цинка (называемых ΙΖΟ), основаны на легированном галлием или легированным алюминием оксиде цинка, основаны на легированном ниобием оксиде титана, основаны на станнате кадмия или цинка или основаны на оксиде олова, легированном фтором и/или сурьмой. Эти различные слои имеют отличительный признак, заключающийся в том, что слои являются прозрачными и тем не менее проводящими или полупроводящими, и используются во многих системах, в которых необходимы эти два свойства: в жидкокристаллических дисплеях (ЖКД), солнечных или фотогальванических коллекторах, электрохромных или электролюминесцентных устройствах (в частности, в светоизлучающих диодах, органических светоизлучающих диодах) и т.д. Толщина их, обычно определяемая требуемым поверхностным сопротивлением, обычно находится между 50 и 1000 нм, предельные значения включены.

В случае слоев оксида индия и олова предпочтительно использовать режим пропускания (путем повторного использования части основного излучения, проходящей через подложку) при длине волны в пределах диапазона, простирающегося от 400 до 1200 нм, в частности от 800 до 1000 нм. В случае слоев из оксида цинка или олова предпочтительно использовать режим пропускания при длине волны в пределах диапазона, простирающегося от 400 нм до 12 мкм, в частности от 1 до 12 мкм.

Тонкие слои на основе металлического серебра, а также на основе металлического молибдена или металлического ниобия обладают электропроводностью и способностью отражать инфракрасное излучение, поэтому их используют в остеклении с регулируемой инсоляцией, в частности в солнцезащитном остеклении (для снижения количества поступающей солнечной энергии) или остеклении с низкой излучательной способностью (для снижения количества энергии, рассеиваемой наружу из здания или транспортного средства). Физическая толщина слоев обычно находится между 4 и 20 нм (предельные значения включены). Многослойные структуры с низкой излучательной способностью часто могут содержать несколько слоев серебра, обычно два или три. Эти слои или каждый слой серебра обычно окружают диэлектрическими слоями, которые защищают от коррозии и позволяют корректировать внешний вид покрытия при отражении. В случае слоев серебра, имеющих толщину по меньшей мере 11 нм, предпочтительно использовать режим отражения при длине волны в диапазоне от 400 (в частности, 700) до 2000 нм или даже от 800 до 1200 нм (в частности, 1000 нм). В случае слоев серебра, имеющих толщину меньше чем 11 нм, и в случае слоев ниобия предпочтительно использовать режим пропускания при длине волны в диапазоне от 400 (в частности, 700) до 2000 нм или даже от 800 до 1200 нм (в частности, 1000 нм).

Тонкие слои на основе оксида титана обладают отличительной особенностью, заключающейся в том, что они являются самоочищающимися благодаря возможности разложения органических соединений под действием ультрафиолетового излучения и удаления минеральной грязи (пыли) под действием стока воды. Предпочтительно, чтобы физическая толщина их была между 2 и 50 нм, в частности между 5

- 2 025255 и 20 нм, предельные значения включены. В случае слоев этого вида предпочтительно использовать режим пропускания при длине волны в пределах диапазона, простирающегося от 400 нм до 12 мкм, в частности от 500 до 1000 нм.

Различные упомянутые слои имеют общую отличительную особенность, заключающуюся в том, что свойства их лучше, когда они находятся, по меньшей мере, в частично кристаллизованном состоянии. Обычно желательно максимизировать степень кристаллизации этих слоев (пропорцию кристаллизованного материала по весу или по объему) и размер кристаллитов (или размер областей когерентной дифракции, измеряемый методами дифракции рентгеновских лучей) или же в определенных случаях придавать конкретную кристаллографическую форму.

Для оксида титана известно, что оксид титана, кристаллизованный до анатазной формы, является намного более эффективным в части разложения органических соединений, чем аморфный оксид титана или оксид титана, кристаллизованной до рутиловой или брукитовой формы.

Кроме того, известно, что слои серебра, имеющие высокую степень кристаллизации и следовательно, низкое остаточное содержание аморфного серебра, имеют более низкую излучательную способность и более низкое удельное сопротивление, чем слои преимущественно аморфного серебра. Поэтому электропроводность и свойства низкой излучательной способности этих слоев улучшаются.

Аналогичным образом, упомянутые выше прозрачные проводящие слои, особенно слои на основе легированного оксида цинка или легированные оловом слои оксида индия, имеют еще более высокую электропроводность, когда степень кристаллизации их является высокой.

Когда покрытие является проводящим, предпочтительно, чтобы при термической обработке его поверхностное сопротивление снижалось по меньшей мере на 10%, или 15%, или даже 20%. В данном случае имеется в виду относительное снижение, происходящее относительно значения поверхностного сопротивления до обработки.

Использование лазерного излучения дает преимущество, заключающееся в получении температуры на стороне, противоположной первой стороне подложки (т.е., например, на непокрытой стороне), обычно ниже чем 100°С и даже часто ниже чем 50°С. Эта особенность очень выгодна вследствие того, что коэффициент теплопередачи является очень высоким, обычно выше чем 400 Вт/(м²-с). Предпочтительно, чтобы поверхностная плотность мощности лазерного излучения на обрабатываемой многослойной структуре была больше чем или равна 20 или 30 кВт/см² Эта очень большая плотность энергии позволяет очень быстро достигать требуемой температуры на покрытии (в общем случае за время, которое меньше чем или равно 1 с) и следовательно, соответственно ограничивать время обработки, при этом продолжительности обработки недостаточно для распространения вырабатываемой теплоты в подложку. Поэтому предпочтительно, чтобы каждая точка покрытия подвергалась обработке согласно изобретению (и в частности, чтобы температура становилась выше чем или равной 300°С) в течение времени, которое обычно меньше чем или равно 1 с или даже 0,5 с. В противоположность этому обычно используемые инфракрасные лампы (без устройства фокусировки излучения) не позволяют получать такие высокие мощности на единицу площади поверхности, поэтому время обработки должно быть больше для достижения требуемых температур (часто составляет несколько секунд) и в таком случае температура подложки неизбежно становится высокой вследствие распространения теплоты, даже если длина волны излучения подобрана так, что теплота поглощается только покрытием, а не подложкой.

Вследствие очень высокого коэффициента теплообмена, связанного со способом согласно изобретению, часть стекла, расположенная на расстоянии 0,5 мм от покрытия, обычно не подвергается воздействию температур выше чем 100°С. Предпочтительно, чтобы температура стороны подложки, противоположной стороне, обрабатываемой по меньшей мере одним лазерным излучением, не превышала во время термической обработки 100°С, в частности 50°С и даже 30°С.

Для большей простоты реализации лазеры, используемые в контексте изобретения, могут быть обеспечены оптическим волокном, и это означает, что лазерное излучение будет инжектироваться в оптическое волокно и затем выводиться вблизи обрабатываемой поверхности через фокусирующую головку. Кроме того, лазер может быть волоконным лазером в том смысле, что усиливающая среда сама является оптическим волокном.

Лазерный пучок может быть точечным лазерным пучком, и в этом случае необходимо предусматривать систему для перемещения лазерного пучка в плоскости подложки.

Однако предпочтительно, чтобы основное лазерное излучение создавалось по меньшей мере одним лазерным пучком, формирующим линию, называемую в остальной части текста лазерной линией, с одновременным облучением подложки по всей ширине или части ширины. Этот вариант осуществления является предпочтительным, поскольку исключается использование дорогих систем перемещения, которые обычно являются объемными и трудными в обслуживании. В частности, линейный лазерный пучок можно получать при использовании систем лазерных диодов высокой мощности в сочетании с фокусирующей оптикой. Предпочтительно, чтобы толщина линии составляла между 0,01 и 1 мм. Длина линии обычно составляет между 5 мм и 1 м. В частности, профиль линии может следовать гауссовой кривой или иметь конфигурацию меандра.

- 3 025255

Лазерную линию, одновременно облучающую подложку по всей ширине или части ее, можно создавать из единственной линии (в этом случае она облучает подложку по всей ширине) или множества линий, при желании разделенных. При использовании множества линий предпочтительно располагать каждую линию так, чтобы многослойная структура обрабатывалась по всей площади. Предпочтительно располагать эти линии или каждую линию перпендикулярно к направлению перемещения подложки или располагать наклонно. Различными линиями подложку можно обрабатывать одновременно или с задержкой. Важный момент заключается в том, что обрабатывается вся поверхность.

Для обработки всей поверхности слоя предпочтительно использовать относительное перемещение подложки, с одной стороны, и каждой лазерной линии, с другой стороны. Поэтому подложку можно перемещать, в частности перемещать поступательно мимо неподвижной лазерной линии, обычно под ней, но по желанию над указанной лазерной линией. Этот вариант осуществления является особенно выгодным при непрерывной обработке. В качестве варианта подложка может быть неподвижной, а лазер можно перемещать. Для гарантии высокой скорости обработки предпочтительно, чтобы разность между соответствующими скоростями подложки и лазера была больше чем или равна 1 м/мин, или 4 м/мин, или даже 6, 8, 10 или 15 м/мин.

Когда перемещают подложку, особенно поступательно, ее можно перемещать с использованием любого механического транспортирующего средства, перемещающегося поступательно, содержащего, например, ремни, ролики или лотки.

Транспортирующую систему используют для контроля и регулирования скорости перемещения. Если подложка изготовлена из гибкого полимерного органического материала, ее можно перемещать при использовании лентопротяжного механизма в виде последовательности роликов.

Кроме того, лазер можно перемещать для регулирования его расстояния от подложки, что может быть особенно полезным при изогнутой подложке, но не только в этом случае. В действительности предпочтительно фокусировать лазерный пучок на обрабатываемое покрытие так, чтобы последнее располагалось на расстоянии от фокальной плоскости, меньшем чем или равном 1 мм. Если система для перемещения подложки или перемещения лазера не является достаточно точной в отношении поддержания расстояния между подложкой и фокальной плоскостью, то предпочтительно иметь возможность регулировки расстояния между лазером и подложкой. Эта регулировка может быть автоматической, в частности с измерением расстояния выше по потоку относительно обработки.

Когда перемещают лазерную линию, необходимо предусматривать систему для перемещения лазера, расположенную над или под подложкой. Продолжительность обработки регулируют скоростью перемещения лазерной линии.

Конечно, всякие относительные положения подложки и лазера возможны при условии, что поверхность подложки можно будет надлежащим образом облучать. Более конкретно, подложку располагают горизонтально, но ее также можно располагать вертикально или под любым возможным углом наклона. Когда подложку располагают горизонтально, лазер обычно располагают так, чтобы облучалась верхняя сторона подложки. Кроме того, лазером можно облучать нижнюю сторону подложки. В этом случае для подложки необходима поддерживающая система и по желанию система транспортировки подложки, когда подложку перемещают, чтобы излучение подводилось в обрабатываемую зону. Этот случай является примером, когда используют транспортирующие ролики. Поскольку ролики являются отдельными элементами, лазер можно помещать в зоне, расположенной между двумя последовательными роликами.

Когда необходимо обрабатывать обе стороны подложки, можно использовать несколько лазеров, расположенных на каждой стороне подложки, независимо от того, в каком положении последняя находится, в горизонтальном, вертикальном или под любым углом наклона. Эти лазеры могут быть идентичными или различными, в частности, их длины волн могут быть различными, особенно настроенными для каждого из покрытий, подлежащих обработке. Например, первое покрытие (например, покрытие с низкой излучательной способностью), расположенное на первой стороне подложки, можно обрабатывать излучением первого лазера, который излучает, например, в видимой или в ближней инфракрасной области, тогда как второе покрытие (например, фотокаталитическое покрытие), расположенное на второй стороне указанной подложки, можно обрабатывать излучением второго лазера, который излучает, например, в дальней инфракрасной области.

Устройство излучения, например линейный лазер, можно встраивать в технологическую линию осаждения слоев, например линию осаждения магнетронным распылением или линию химического осаждения из паровой фазы, в частности в линию плазмостимулированного химического осаждения из паровой фазы в вакууме или при атмосферном давлении. В общем случае технологическая линия включает в себя устройства транспортировки подложек, установку осаждения, оптические устройства контроля и устройства для формирования многослойных структур. Например, подложки перемещаются по транспортирующим роликам последовательно мимо каждого устройства или каждой установки.

Устройство излучения, например линейный лазер, предпочтительно располагать сразу после установки осаждения покрытий, например на выходе установки осаждения. Поэтому покрытую подложку можно обрабатывать на технологической линии после того, как покрытие осаждено, на выходе установки осаждения и до оптических устройств контроля или после оптических устройств контроля и до уст- 4 025255 ройства для формирования многослойных структур на подложках.

Кроме того, устройство излучения может быть встроено в установку осаждения. Например, лазер может быть введен в одну из камер установки осаждения распылением, в частности в камеру с разреженной атмосферой, особенно при давлении между 10^-6 мбар (10^-4 Па) и 10^-2 мбар (1 Па). Лазер можно также помещать вне установки осаждения, но обрабатывать подложку, расположенную внутри указанной установки. Для этого всего лишь требуется образовать окно, прозрачное для излучения с используемой длиной волны, через которое лазерный пучок будет проходить для обработки слоя. Поэтому слой (например слой серебра) можно будет обрабатывать перед последующим осаждением другого слоя в той же самой установке.

Независимо от того, находится ли устройство излучения вне установки осаждения или встроено в нее, эти процессы на технологической линии являются предпочтительными для способа, включающего в себя операции вне линии, которые необходимы для многослойной структуры стеклянной подложки между этапом осаждения и этапом термической обработки.

Однако процессы, включающие в себя операции вне технологической линии, могут быть предпочтительными в случаях, когда термическую обработку согласно изобретению выполняют на другом месте, а не на месте, где выполняют осаждение, например на месте, где происходит преобразование стекла. Поэтому устройство излучения можно встраивать в другие технологические линии, а не в линию осаждения слоев. Например, его можно встраивать в линию производства многорядного остекления (особенно двойного или тройного остекления) или в линию производства многослойного остекления. В этих различных случаях термическую обработку согласно изобретению предпочтительно выполнять до изготовления многорядного остекления или многослойного остекления.

Многослойную структуру можно осаждать на подложку с использованием процесса любого вида, в частности процессов формирования преимущественно аморфных или нанокристаллических слоев, таких как процесс распыления, особенно магнетронного распыления, процесс плазмостимулированного химического осаждения из паровой фазы, процесс вакуумного испарения или золь-гель процесс.

Предпочтительно осаждать многослойную структуру путем распыления, особенно магнетронного распыления.

Для большей простоты предпочтительно, чтобы лазерная обработка происходила в воздухе и/или при атмосферном давлении. Однако можно выполнять термическую обработку слоя в реальной камере вакуумного осаждения, например, перед последующим осаждением.

Предпочтительно, чтобы длина волны лазерного излучения была между 500 и 2000 нм, в частности между 700 и 1100 нм. Этот диапазон длин волн особенно хорошо подходит для слоев серебра. Предпочтительно, чтобы поглощение покрытием при длине волны лазера, обычно определяемое как равенство 100% суммы отражения и пропускания, было по меньшей мере 20%, в частности 30%. Однако на самом деле в этом диапазоне длин волн поглощение стеклом (особенно чистым или сверхчистым стеклом) и большей частью пластиков является небольшим, так что подложка лишь немного нагревается излучением. Предпочтительно использовать лазерные диоды, излучение которых имеет, например, длину волны порядка 808 нм, 880 нм, 915 нм или даже 940 нм или 980 нм. С помощью систем диодов можно получать очень высокие уровни мощности, при этом поверхностные плотности мощности на обрабатываемой многослойной структуре могут быть больше 20 кВт/см² или даже 30 кВт/см²

Предпочтительно осуществлять формирование вторичного лазерного излучения путем отражения части основного лазерного излучения, проходящей через подложку и/или отражаемой по меньшей мере одним покрытием, с использованием по меньшей мере одного зеркала или по меньшей мере одной призмы и по желанию по меньшей мере одной линзы.

При формировании этих вторичных излучений или каждого вторичного излучения предпочтительно использовать оптический узел, который содержит только оптические элементы, выбранные из зеркал, призм и линз, предпочтительно узел, состоящий из двух зеркал и одной линзы или из одной призмы и одной линзы. В отличие от случая, когда узел содержит такие элементы, как расщепители пучка или фазовые пластинки (четвертьволновые пластинки, полуволновые пластинки и т.д.), в этом случае оптический узел совершенно не зависит от длины волны лазера. Поэтому один и тот же оптический узел можно использовать для различных слоев.

Предпочтительно, чтобы вторичное лазерное излучение не было поляризованным. Благодаря этому оптический узел, используемый для формирования и перенаправления вторичного лазерного излучения, значительно упрощается за счет исключения таких элементов, как расщепители пучка или фазовые пластинки (четвертьволновые пластинки, полуволновые пластинки и т.д.), которые могут работать только в очень узком диапазоне длин волн, следствием чего являются потери энергии.

Для предотвращения любого повреждения лазера отражением основного или вторичного отражения предпочтительно, чтобы угол, образуемый основным излучением (и/или вторичным излучением) и нормалью к подложке, был ненулевым, обычно меньше чем 45°, в частности между 8 и 13°. По тем же соображениям предпочтительно, чтобы угол, образуемый основным излучением и нормалью к подложке, отличался от угла, образуемого вторичным излучением (в режиме пропускания) или отражаемой частью вторичного излучения (в режиме отражения) и нормалью к подложке.

- 5 025255

Для повышения эффективности обработки предпочтительно, чтобы вторичное лазерное излучение имело такой же профиль, как и основное лазерное излучение.

Для повышения эффективности обработки предпочтительно, чтобы вторичное лазерное излучение попадало на то же самое место подложки, что и основное лазерное излучение. Выражение то же самое место означает, что два излучения отделены расстоянием самое большее 0,1 или даже 0,05 мм (расстоянием, измеряемым в пределах обрабатываемой поверхности). Для оптимизации эффективности обработки предпочтительно, чтобы глубина фокусировки вторичного лазерного излучения была такой же, как глубина фокусировки основного лазерного излучения.

Различные оптические узлы, которые делают возможной реализацию способа согласно изобретению, показаны на фиг. с 1 по 3.

В первом узле (непоказанном) часть основного излучения отражается покрытием, а единственное зеркало расположено так, что отражает эту часть излучения к подложке. Предпочтительно, чтобы основное излучение и вторичное излучение попадали на одно и то же место покрытия. Этот очень простой узел содержит только одно зеркало. Для предотвращения всякого повреждения лазера отражением основного излучения предпочтительно, чтобы угол, образуемый основным излучением и нормалью к подложке, был ненулевым. Предпочтительно, чтобы этот угол был меньше чем 45°, обычно между 2 и 20°, в частности между 8 и 13°. Предпочтительно использовать этот узел для сильно отражающих многослойных структур, таких как многослойные структуры, содержащие по меньшей мере один слой серебра.

Второй узел, также используемый для сильно отражающих покрытий, но не исключительно для них, показан на фиг. 1. Он состоит из сборки, в которой отражаемое основное излучение отражается первым зеркалом 8 ко второму зеркалу 10, которое при отражении формирует вторичное излучение 6, 7. При желании линза позволяет регулировать вторичное излучение 7 и фокусировать его на точное место, на котором основное излучение 4 воздействует на покрытие 2 (и в этом случае с максимальным допуском 0,1 мм или даже 0,05 мм).

Более конкретно, лазер 3 (обычно линейный лазер) излучает основное излучение 4 к подложке 1, покрытой многослойной структурой 2, при этом излучение 4 образует угол Θ1 с нормалью к подложке 1.

Часть этого основного излучения 4 отражается многослойной структурой 2 в виде излучения 5, которое также образует такой же угол 91 с нормалью к подложке. Угол 91 является ненулевым, в частности, находится между 5 и 15° или даже между 8 и 13°, так что повреждение лазера 3 излучением 5 предотвращается. В таком случае отражаемая часть 5, в свою очередь отражается первым зеркалом 8, далее вторым зеркалом 10 с формированием вторичного излучения 6, 7, которое при использовании линзы 11 фокусируется на покрытие 2. Излучения 5 и 9 образуют с нормалью к первому зеркалу 8 ненулевой угол Θ2, обычно между 5 и 15°, в частности между 8 и 13°.

Этот узел является несколько более сложным, чем первый узел, но его преимущество заключается в том, что часть 12 вторичного излучения, отражаемая покрытием 2, не может повредить лазер 3 вследствие того, что угол Θ4 между вторичным излучением 7 и нормалью к подложке 2 больше, чем угол Θ1. Предпочтительно, чтобы угол Θ4 находился между 10 и 20°, в частности между 13 и 18°. Путем простой регулировки ориентации зеркал 8 и 10 и следовательно, углов Θ2 и Θ3 можно обеспечить точное попадание вторичного излучения на то же самое место покрытия 2, на которое попадает основное излучение 4.

В соответствии с одним вариантом этого второго узла, показанного на фиг. 2, первое и второе зеркала заменены призмой 13, при этом достигается преимущество, заключающееся в более простой регулировке.

На фиг. 3 показан третий узел, в котором используется режим пропускания способа согласно изобретению, применяемый для обработки покрытий, которые не являются сильно отражающими. В этом варианте осуществления часть 14 основного излучения 4, проходящая через подложку 1, отражается первым зеркалом 15, далее вторым зеркалом 17 с формированием вторичного излучения 18, которое после фокусировки с помощью линзы 19 попадает на то же самое место подложки 2, что и основное излучение 4. Использование двух зеркал позволяет выбирать ненулевые углы Θ5 и Θ6 (между излучением 16 и нормалями к зеркалам, соответственно 15 и 17) так, чтобы угол Θ4 между проходящей частью вторичного излучения 18 и нормалью к подложке 1 отличался от угла Θ1. Такой узел опять позволяет исключить повреждение лазера 3 благодаря направлению отражения проходящего излучения 14.

Согласно одному варианту, который не представлен, подложка 1 может быть обеспечена на стороне, противоположной стороне, содержащей покрытие 2, идентичным или отличающимся покрытием 2', которое к тому же можно обрабатывать в то же самое время, что и покрытие 2.

Для дальнейшего улучшения конечных свойств покрытия после этапа термической обработки согласно изобретению подложку можно передать на этап закалки. Термическую закалку обычно проводят после обрезания стекла до требуемых конечных размеров.

Когда обрабатываемое покрытие представляет собой многослойную структуру с низкой излучательной способностью, то предпочтительно, чтобы многослойная структура содержала, начиная от подложки, первое покрытие, содержащее, по меньшей мере, первый диэлектрический слой, по меньшей мере, слой серебра, при желании верхний блокирующий слой, и второе покрытие, содержащее, по меньшей

- 6 025255 мере, второй диэлектрический слой.

Предпочтительно, чтобы физическая толщина каждого слоя серебра была между 6 и 20 нм.

Верхний блокирующий слой предназначен для защиты слоя серебра во время осаждения последующего слоя (например, если последний осаждают в окисляющей или азотирующей атмосфере) и во время выполняемой по желанию термической обработки типа закалки или гибки.

Кроме того, слой серебра можно осаждать на нижний блокирующий слой или в контакт с ним. Поэтому многослойная структура может содержать верхний блокирующий слой и/или нижний блокирующий слой, прилегающий к конкретному или каждому слою серебра.

Блокирующие (нижние блокирующие и/или верхние блокирующие) слои обычно основаны на металле, выбранном из никеля, хрома, титана, ниобия или сплава этих различных металлов. В частности, можно упомянуть никель-титановые сплавы (особенно сплавы, содержащие около 50 вес.% каждого металла) и никель-хромовые сплавы (особенно сплавы, содержащие 80 вес.% никеля и 20 вес.% хрома). Верхний блокирующий слой может также состоять из нескольких наложенных слоев; например, при удалении от подложки, из слоя титана и затем слоя из никелевого сплава (особенно никель-хромового сплава) или наоборот. Упомянутые различные металлы или сплавы также могут быть частично оксидированными и могут, в частности, проявлять субстехиометрию по отношению к кислороду (например, ΤίΘ_χ или №СгО_х).

Эти блокирующие (нижние блокирующие и/или верхние блокирующие) слои являются очень тонкими, обычно имеющими толщину меньше чем 1 нм, так что они не влияют на пропускание света многослойной структурой и могут частично оксидироваться во время термической обработки согласно изобретению. В общем случае блокирующие слои представляют собой защитные слои, способные захватывать кислород, поступающий из атмосферы или из подложки, благодаря чему предотвращается оксидирование слоя серебра.

Первый и/или второй диэлектрический слой обычно является оксидом (особенно оксидом олова) или предпочтительно нитридом, особенно нитридом кремния (в частности, в случае второго диэлектрического слоя, слоя, отстоящего дальше от подложки). В общем случае нитрид кремния может быть легирован, например, алюминием или бором, для облегчения осаждения его способами распыления. Степень легирования (соответствующая атомной процентной концентрации относительно количества кремния) обычно не превышает 2%. Функция этих диэлектрических слоев заключается в защите слоя серебра от химического или механического воздействия, а благодаря эффекту интерференции они также могут влиять на оптические свойства, особенно на отражение, многослойной структуры.

Первое покрытие может содержать один диэлектрический слой или множество, обычно от 2 до 4, диэлектрических слоев. Второе покрытие может содержать один диэлектрический слой или множество, обычно от 2 до 3, диэлектрических слоев. Предпочтительно выполнять эти диэлектрические слои из материала, выбранного из нитрида кремния, оксида титана, оксида олова и оксида цинка, или любой из их смесей или твердых растворов, например оксида олова и цинка или оксида титана и цинка. Предпочтительно, чтобы физическая толщина диэлектрического слоя или общая физическая толщина всех диэлектрических слоев в первом покрытии или во втором покрытии была между 15 и 60 нм, в частности между 20 и 50 нм.

Предпочтительно, чтобы непосредственно под слоем серебра или под используемым по желанию нижним блокирующим слоем первое покрытие содержало смачивающий слой, функция которого заключается в повышении смачивания и сцепления слоя серебра. В этом случае оксид цинка, особенно легированный алюминием, оказывается особенно предпочтительным.

Непосредственно под смачивающим слоем первое покрытие может также содержать сглаживающий слой, который представляет собой частично или полностью аморфный смешанный оксид (и поэтому сглаживающий слой имеет очень небольшую шероховатость), функция которого заключается в содействии росту смачивающего слоя в предпочтительной кристаллографической ориентации и тем самым в содействии кристаллизации серебра вследствие эпитаксии. Предпочтительно, чтобы сглаживающий слой состоял из смешанного оксида по меньшей мере двух металлов, выбранных из δη, Ζη, Ιη, Са и 8Ь. Предпочтительным оксидом является легированный сурьмой оксид индия и олова.

В первом покрытии смачивающий слой или используемый по желанию сглаживающий слой предпочтительно осаждать непосредственно на первый диэлектрический слой. Первый диэлектрический слой предпочтительно осаждать непосредственно на подложку. Для оптимальной настройки оптических свойств (особенно проявляющихся при отражении) многослойной структуры первый диэлектрический слой можно как вариант осаждать на другой слой оксида или нитрида, например слой оксида титана.

Во втором покрытии второй диэлектрический слой может быть осажден непосредственно на слой серебра или предпочтительно на верхний блокирующий слой или же на другие слои оксида или нитрида, предназначенные для настройки оптических свойств многослойной структуры. Например, слой оксида цинка, особенно оксида цинка, легированного алюминием, или слой оксида олова может быть помещен между верхним блокирующим слоем и вторым диэлектрическим слоем, который предпочтительно выполнен из нитрида кремния. Оксид цинка, особенно легированный алюминием оксид цинка, способствует повышению адгезии между слоем серебра и верхним слоем.

- 7 025255

Таким образом, предпочтительно, чтобы многослойная структура, обрабатываемая в соответствии с изобретением, содержала по меньшей мере одну последовательность ΖηΟ/Α§/ΖηΟ. Оксид цинка может быть легирован алюминием. Нижний блокирующий слой может быть помещен между слоем серебра и нижележащим слоем. Как вариант или дополнительно верхний блокирующий слой можно помещать между слоем серебра и вышележащим слоем.

Наконец, завершать второе покрытие может верхний слой, в области техники, к которой относится изобретение, иногда называемый наружным покрытием. Этот последний слой многослойной структуры, который стало быть находится в контакте с окружающим воздухом, предназначен для защиты многослойной структуры от любого механического воздействия (царапаний и т.д.) или химического воздействия. Это наружное покрытие обычно делают очень тонким, чтобы оно не мешало проявлению отражения многослойной структурой (его толщина обычно находится между 1 и 5 нм). Предпочтительно, чтобы оно было на основе оксида титана или смешанного оксида олова и цинка, особенно оксида, легированного сурьмой, осажденного в субстехиометрической форме.

Многослойная структура может содержать один или несколько слоев серебра, особенно два или три слоя серебра. При наличии более одного слоя серебра общую архитектуру, представленную выше, можно повторить. В этом случае второе покрытие, относящееся к данному слою серебра (и следовательно, расположенное выше этого слоя серебра), обычно совпадает с первым покрытием, относящимся к следующему слою серебра.

Покрытые подложки, получаемые в соответствии с изобретением, можно использовать в одинарном, многорядном или многослойном остеклении, зеркалах и стеклянных покрытиях стен. Если покрытие представляет собой многослойную структуру с низкой излучательной способностью, и в случае, когда многорядное остекление содержит по меньшей мере два листа стекла, разделенных газонаполненной полостью, предпочтительно помещать многослойную структуру на сторону, находящуюся в контакте с указанной газонаполненной полостью, особенно на вторую сторону относительно наружной стороны (т.е. на ту сторону подложки, находящейся в контакте с наружной стороной здания, которая противоположна стороне, обращенной к наружной стороне), или на третью сторону (т.е. на сторону второй подложки, отсчитываемую от наружной стороны здания, обращенную к наружной стороне). Если покрытие представляет собой фотокаталитический слой, то предпочтительно помещать его на первую сторону, следовательно, в контакт с наружной стороной здания.

Покрытые подложки, получаемые в соответствии с изобретением, можно также использовать в фотогальванических элементах, стеклянных или солнечных панелях, при этом покрытием, обрабатываемым в соответствии с изобретением, является, например, электрод на основе ΖηΟ:Α1 или ΖηΟ:ΟΆ в многослойных структурах на основе халькопиритов (в частности, С18-типа, т.е. ίΤιΙηδο:). или на основе аморфного и/или поликристаллического кремния, или же на основе СбТе.

Покрытые подложки, получаемые в соответствии с изобретением, можно также использовать в экранах жидкокристаллических дисплеев (ЖКД), дисплеев на основе органических светоизлучающих диодов или дисплеев с автоэлектронной эмиссией, при этом покрытием, обрабатываемым в соответствии с изобретением, является, например, электропроводный слой оксида индия и олова. Их можно также использовать в электрохромном остеклении, при этом тонким слоем, обрабатываемым в соответствии с изобретением, является, например, прозрачный электропроводный слой, показанный в заявке РК-2 833 107 А.

Изобретение будет пояснено с помощью нижеследующих, не создающих ограничения примеров вариантов осуществлений.

Пример 1.

Многослойную структуру с низкой излучательной способностью осаждали на чистую стеклянную подложку толщиной 4 мм, поставляемую заявителем под названием δΟΟ ΡΙαηίΙυχ. Многослойную структуру осаждали известным способом на технологической линии распыления (магнетронным способом), на которой подложку перемещали под различными мишенями.

В табл. 1 показана физическая толщина слоев, выраженная в нанометрах. Первая строка соответствует самому отдаленному от подложки слою, находящемуся в контакте с открытым воздухом.

- 8 025255

Таблица 1

Ниже в табл. 2 приведены параметры осаждения, использовавшиеся для различных слоев.

Таблица 2

Слой	Использованная мишень	Давление осаждения	Гаа
3ί₂Ν₄	5ί:Α1 при 92:8 вес. %	1, 5х10“³ мбар (0,15 Па)	Аг/ (Αγ+Ν₂) при 45%
ΤΪΟ₂	ΤίΟ_χ при х порядка 1,9	1,5x10³ мбар (0,15 Па)	Аг/ (Аг+0₂) при 95%
гпзпзьо,.	5ηΖη:5β при 34:65:1 вес.%	2х10“³ мбар (0,2 Па)	Аг/ (Аг+0₂) при 58%
Ζη0:Α1	Ζη:Α1 при 98:2 вес.%	2x10³ мбар (0,2 Па)	Аг/ (Аг+Ог) при 52%
τί	Τί	2х10“³ мбар (0,2 Па)	Аг
Ад	Ад	2х10³ мбар (0,2 Па)	Аг при 100%

Образцы обрабатывали при использовании линейного лазера, испускавшего излучение с длиной волны 980 нм, после чего покрытую подложку перемещали поступательно. Линейная мощность составляла 40 Вт/мм, а толщина пучка была 63 мкм. Поэтому поверхностная плотность мощности составляла 63 кВт/см². Скорость перемещения подложки составляла 5 м/мин.

При длине волны лазера покрытие имело отражение 65% и пропускание 25%.

В соответствии с первой конфигурацией зеркало помещали напротив покрытия, что делало возможным отражение основного излучения с формированием вторичного излучения, которое попадало точно на то же самое место покрытия, что и основное излучение. В этом случае после термической обработки снижение поверхностного сопротивления было от 20 до 21% в относительных величинах.

В соответствии со второй конфигурацией два зеркала и линзу помещали напротив покрытия. Часть основного излучения, которая отражалась покрытием, в свою очередь отражалась первым зеркалом, далее вторым зеркалом на линзу, расположенную так, что она фокусировала вторичное излучение точно на место покрытия, на которое попадало основное излучение. В этом случае после термической обработки снижение поверхностного сопротивления было от 21 до 23% в относительных величинах.

Без повторного использования отраженной части основного излучения снижение поверхностного сопротивления было 18%.

Высокая эффективность обработки, связанная с этим выигрышем в снижении поверхностного сопротивления, позволила повысить скорость обработки примерно на 30% при таком же снижении.

Пример 2.

Многослойную структуру с низкой излучательной способностью осаждали на чистую стеклянную подложку толщиной 4 мм, поставляемую заявителем под названием 800 Р1аш1их. Многослойную структуру осаждали известным способом на технологической линии распыления (магнетронным способом), на которой подложку перемещали под различными мишенями.

Ниже в табл. 3 показана физическая толщина слоев многослойной структуры, выраженная в нанометрах. Первая строка соответствует самому отдаленному от подложки слою, находящемуся в контакте с открытым воздухом.

- 9 025255

Таблица 3

Параметры осаждения, использовавшиеся для различных слоев, являются параметрами осаждения из табл. 2.

Образцы обрабатывали при использовании линейного лазера, испускавшего излучение с длиной волны 980 нм, после чего покрытую подложку перемещали поступательно. Линейная мощность составляла 40 Вт/мм, а толщина пучка была 63 мкм. Поэтому поверхностная плотность мощности составляла 63 кВт/см². Скорость перемещения подложки составляла 7,5 м/мин.

При длине волны лазера покрытие имело отражение 9% и пропускание 73%.

Зеркало помещали напротив покрытия, что делало возможным отражение основного излучения с формированием вторичного излучения, которое попадало точно на то же самое место покрытия, что и основное излучение. В этом случае после термической обработки снижение поверхностного сопротивления было 21,3% в относительных величинах.

Пример 3.

Слой легированного алюминием оксида цинка, толщина которого составляла 190 нм, осаждали на чистую стеклянную подложку толщиной 4 мм, поставляемую заявителем под названием §00 Р1аш1их. Многослойную структуру осаждали известным образом на технологической линии распыления (магнетронным способом).

Образцы обрабатывали при использовании СО₂-лазера, испускавшего основное излучение в виде лазерной линии, длина волны которого была 10,6 мкм. Мощность лазера составляла 300 Вт, а ширина линии была порядка 0,5 мм.

При длине волны лазера покрытие имело отражение 18,5% и пропускание 74,4%.

При сравнительном испытании для обработки и покрытия использовали только основное излучение. При скорости перемещения подложки под лазером 1,6 м/с повышение удельного сопротивления было 57%, конечное значение составило 7,7х10^-4 Ом-см.

При испытании с использованием способа согласно изобретению оптический узел, который состоял из двух зеркал и одной линзы, как представленный на фиг. 3, помещали под подложкой, для отражения к подложке пропущенной части основного излучения (режим пропускания). Вторичное излучение, сформированное таким образом, точно попадало на то же самое место подложки, что и основное излучение.

Использование способа согласно изобретению сделало возможным получение такого же повышения удельного сопротивления, но при скорости перемещения подложки 1,73 м/с, т.е. рост производительности составил 8%.

Пример 4.

Слой диоксида кремния толщиной 20 нм, затем тонкий слой оксида титана, имевший толщину 10 нм, и в заключение тонкий слой титана, имевший толщину 5 нм, осаждали на чистую стеклянную подложку толщиной 4 мм, поставляемую заявителем под названием §00 Р1аш1их. Многослойную структуру осаждали известным способом на технологической линии распыления (магнетронным способом), при этом подложку перемещали под различными мишенями (в этом случае мишени были выполнены из легированного алюминием кремния и титана).

Между выходом магнетронной линии и накопителем лазерное устройство излучения на основе лазерных диодов, излучающих на длине волны 808 нм, создавало основное лазерное излучение, фокусировавшееся на слой титана вдоль линии, соответствующей ширине подложки.

При сравнительном испытании для обработки и покрытия использовали только основное излучение. При скорости перемещения подложки под лазером 4 м/мин фотокалитическая активность, измеренная в соответствии с процедурой, описанной в заявке \УО 2011/039488 (путем контроля разложения стеариновой кислоты), составляла 22х10^-4 см^-1-мин^-1. Линейная мощность лазера составляла 37,5 Вт/мм.

- 10 025255

При проверке способа согласно изобретению оптический узел, состоявший из призмы и линзы, представленный на фиг. 2, помещали перед подложкой для отражения к подложке отраженной части основного излучения (режим отражения). Вторичное излучение, образованное таким образом, попадало точно на то же самое место подложки, что и основное излучение.

Использование способа согласно изобретению позволило в результате иметь такой же уровень фотокаталитической активности при такой же мощности лазера, но при более высокой скорости перемещения, составлявшей 4,2 м/мин, т.е. с выигрышем в производительности 4%.

С другой стороны, при такой же скорости перемещения, как при сравнительном испытании (4 м/мин), был получен такой же уровень фотокаталитической активности, но при меньшей мощности лазера, составлявшей только 36,8 Вт/мм.

Claims

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Способ получения подложки (1) с покрытием (2) по меньшей мере на одной из ее сторон, причем способ содержит этапы, на которых осаждают покрытие (2) и затем термически обрабатывают покрытие при помощи исходного лазерного излучения (4);

причем при термической обработке не происходит плавление покрытия или какой-либо его части;

при этом по меньшей мере часть (5, 14) исходного лазерного излучения (4), прошедшего сквозь подложку (1) и/или отраженного покрытием (2), перенаправляют на подложку, чтобы сформировать по меньшей мере один источник вторичного лазерного излучения (6, 7, 18); и при этом углы падения исходного лазерного излучения на подложку и излучения по меньшей мере от одного источника вторичного лазерного излучения являются ненулевыми и различаются между собой.
2. Способ по п.1, в котором подложку (1) изготавливают из стекла или из полимерного органического материала.
3. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором покрытие (2) содержит по меньшей мере один тонкий слой, выбираемый из слоев серебра, слоев оксида титана и прозрачных электропроводных слоев.
4. Способ по одному из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что покрытие (2) подвергается термической обработке в течение времени, которое меньше чем или равно 1 с или даже 0,5 с, таким образом, что температура стороны подложки (1), противоположной стороне, обрабатываемой по меньшей мере одним лазерным излучением, во время термической обработки не превышает 100°С, в частности 50 или 30°.
5. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором исходное лазерное излучение (4) проистекает по меньшей мере из одного лазерного луча, причем проекция луча на подложку (1) представляет полосу и подложка облучается одновременно этой полосой по всей ширине или некоторой части ее.
6. Способ по предшествующему пункту, в котором скорость перемещения подложки (1) относительно каждой лазерной полосы больше чем или равна 4 м/мин, в частности 6 м/мин.
7. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором длина волны лазерного излучения (4) находится между 500 и 2000 нм, в частности между 700 и 1100 нм.
8. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором вторичное лазерное излучение (6, 7, 18) направляют путем отражения прошедшего через подложку (1) и/или отраженного от покрытия (2) лазерного излучения, используя по меньшей мере одно зеркало (8, 10, 15, 17).
9. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором вторичное лазерное излучение (6, 7, 18) попадает на то же самое место подложки (1), что и исходное лазерное излучение (4).
10. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором вторичное лазерное излучение (6, 7, 18) имеет такой же профиль, как и исходное лазерное излучение (4).
11. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором глубина фокусировки вторичного лазерного излучения (6, 7, 18) такая же, как глубина фокусировки исходного лазерного излучения (4).
12. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором угол, образуемый исходным лазерным излучением (4) и/или вторичным излучением (6, 7, 18) и нормалью к подложке (1), является ненулевым, меньше чем 45°, в частности находится между 8 и 13°.
13. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором при формировании этих вторичных лазерных излучений или каждого вторичного лазерного излучения (6, 7, 18) используют оптический узел, который содержит только оптические элементы, выбираемые из зеркал (8, 10, 15, 17), призм (13) и линз (11, 19).
14. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором оптический узел состоит из двух зеркал (8, 10, 15, 17) и из одной линзы (11, 19) или из одной призмы (13) и из одной линзы (11).
15. Способ по одному из предшествующих пунктов, в котором упомянутое покрытие (2) осаждают посредством магнетронного распыления.