EA021016B1 - Микрополосковый диплексер - Google Patents

Микрополосковый диплексер Download PDF

Info

Publication number
EA021016B1
EA021016B1 EA201200640A EA201200640A EA021016B1 EA 021016 B1 EA021016 B1 EA 021016B1 EA 201200640 A EA201200640 A EA 201200640A EA 201200640 A EA201200640 A EA 201200640A EA 021016 B1 EA021016 B1 EA 021016B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
frequency
low
strip conductors
resonators
diplexer
Prior art date
Application number
EA201200640A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201200640A1 (ru
Inventor
Борис Афанасьевич Беляев
Владимир Вениаминович Тюрнев
Алексей Михайлович Сержантов
Original Assignee
Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет" filed Critical Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет"
Publication of EA201200640A1 publication Critical patent/EA201200640A1/ru
Publication of EA021016B1 publication Critical patent/EA021016B1/ru

Links

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для объединения или разделения сигналов на двух несущих частотах. Микрополосковый диплексер содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую нанесены полосковые проводники, образующие двухмодовые резонаторы, и расположены три ёмкости, связывающие три порта с крайними двухмодовыми резонаторами. Один из полосковых проводников имеет Т-образную форму, и частоты его первых двух мод колебаний настроены на центральные частоты полос пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов. Остальные полосковые проводники частично расщеплены продольной щелью с одного конца и принадлежат одной из двух групп, формирующих полосы пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов, в которых расщеплённые полосковые проводники электромагнитно связаны между собой и с полосковым проводником Т-образной формы. Техническим результатом изобретения является то, что полосы пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов можно расположить как угодно близко по частоте. Другим результатом является повышение частотно-селективных свойств диплексера.

Description

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для объединения или разделения сигналов на двух несущих частотах.
Известен микрополосковый диплексер, содержащий диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую нанесен Т-образный полосковый проводник и две электромагнитно связанные с его противоположными концами группы полосковых проводников со ступенчато увеличенной шириной центрального участка. Полосковые проводники в группах электромагнитно связаны между собой и являются резонаторами двух полоснопропускающих фильтров, которые образуют каналы диплексера, различающиеся частотами полос пропускания. Общим портом устройства является свободный конец Т-образного полоскового проводника [Л.Р. 5>Нс1а. ТР. Соирс/. О. Тайпе апй δ.Ρ. Тои1аш. ΜίηίαΙιιΐΌ писгсМпр 51сррсй 1шрейаисе геюпаЮг Ьапйра88 П11ег5 апй й1р1ехег8 Бот шоЬйе сошшитсайопк // ΙΕΕΕ ΜΤΤ-δ 1п1егпаИопа1 Мюготауе Бутрокшт Όίдей. 1996. V. 2. Р. 607-610].
Недостатком такого диплексера является невозможность достижения высоких частотноселективных свойств при малых размерах устройства (так как его резонаторы нельзя использовать в двухмодовом режиме, при котором сразу две моды колебаний резонатора вовлечены в формирование единой полосы пропускания), а также наличие паразитной полосы пропускания вблизи рабочей полосы пропускания высокочастотного канала. Паразитную полосу пропускания в этой конструкции диплексера формирует вторая мода колебаний резонаторов, частота которой приближена к частоте первой моды колебаний из-за скачка ширины полосковых проводников на центральном участке.
Наиболее близким аналогом является микрополосковый диплексер, содержащий диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую нанесены два электромагнитно связанных полосковых проводника со ступенчато увеличенной шириной центрального участка, образующие резонаторы со скачком волнового сопротивления. Один из резонаторов связан с общим портом низкочастотного и высокочастотного каналов через ёмкость, подключаемую к точке вблизи максимумов напряжения первой и второй моды колебаний. Второй резонатор связан с раздельными портами низкочастотного и высокочастотного каналов через ёмкости, подключаемые в точках узла напряжения, соответственно, для второй и первой моды колебаний [Б.А. Беляев, В.В. Тюрнев, Ю.Г. Шихов. Микрополосковый диплексер на двухмодовых резонаторах // Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. 1997. № 2. С. 20-24].
Недостатком наиболее близкого аналога является то, что полосы пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов сильно разнесены и не допускают сближения. Это связано с тем, что в этой конструкции диплексера разность между центральными частотами полос пропускания высокочастотного и низкочастотного каналов определяется разностью частот второй и первой моды колебаний резонатора. Уменьшение этой разности требует неприемлемо большого скачка ширины полосковых проводников, при котором резко падает собственная добротность резонаторов и возбуждаются паразитные поперечные моды колебаний. Кроме того, наиболее близкий аналог не обладает высокими частотно-селективными свойствами из-за того, что порты низкочастотного и высокочастотного каналов привязаны к одному и тому же резонатору.
Техническим результатом изобретения является повышение частотно-селективных свойств диплексера за счет того, что полосы пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов диплексера можно расположить как угодно близко по частоте.
Технический результат достигается тем, что в микрополосковом диплексере, содержащем диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую нанесены полосковые проводники, образующие двухмодовые резонаторы, и расположены три ёмкости, связывающие три порта с крайними двухмодовыми резонаторами, новым является то, что один из полосковых проводников имеет Т-образную форму, и частоты его первых двух мод колебаний настроены на центральные частоты полос пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов, а остальные полосковые проводники частично расщеплены продольной щелью с одного конца и принадлежат одной из двух групп, формирующих полосы пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов, в которых расщеплённые полосковые проводники электромагнитно связаны между собой и с полосковым проводником Т-образной формы.
Отличие заявляемого устройства от наиболее близкого аналога заключается в том, что полосковый проводник, связанный через ёмкость с общим портом низкочастотного и высокочастотного канала, имеет Т-образную форму, а остальные полосковые проводники частично расщеплены продольной щелью с одного конца и принадлежат одной из двух групп, формирующих полосы пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов, в которых расщеплённые полосковые проводники электромагнитно связаны между собой и с полосковым проводником Т-образной формы.
Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критериям новизна и изобретательский уровень.
Сущность изобретений поясняется графическими материалами.
На фиг. 1 изображён заявляемый микрополосковый диплексер.
- 1 021016
На фиг. 2 изображён пример выполнения микрополоскового диплексера с тремя резонаторами.
На фиг. 3 приведена расчётная амплитудно-частотная характеристика микрополоскового диплексера с тремя резонаторами.
На фиг. 4 приведена измеренная амплитудно-частотная характеристика действующего макета микрополоскового диплексера с тремя резонаторами.
Микрополосковый диплексер (фиг. 1) содержит диэлектрическую подложку (1), одна сторона которой металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую нанесены полосковые проводники (2, 3, 4), образующие двухмодовые резонаторы, и расположены три ёмкости (5, 6, 7), связывающие три порта устройства с оконечными двухмодовыми резонаторами. При этом один из проводников (2) имеет Т-образную форму, и частоты его первых двух мод колебаний настроены на центральные частоты полос пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов. Остальные проводники (3, 4) частично расщеплены продольной щелью с одного конца и принадлежат одной из двух групп, формирующих полосы пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов, в которых расщеплённые проводники (соответственно 3 и 4) электромагнитно связаны между собой внутри группы и с проводником (2).
Микрополосковый диплексер работает следующим образом. Его каналы представляют собой два полосно-пропускающих фильтра, в которых один двухмодовый резонатор (2) является общим. Первая мода колебаний резонатора (2) вместе с чётными и нечётными модами колебаний двухмодовых расщеплённых резонаторов (3) участвует в формировании полосы пропускания низкочастотного канала, а вторая мода резонатора (2) вместе с чётными и нечётными модами резонаторов (4) участвует в формировании полосы пропускания высокочастотного канала. Поэтому порт, связанный через ёмкость (5) с крайним резонатором (2), является общим портом для низкочастотного и высокочастотного каналов. Отдельный порт низкочастотного канала связан через ёмкость (6) с оконечным резонатором группы резонаторов (3), а отдельный порт высокочастотного канала связан через ёмкость (7) с оконечным резонатором группы резонаторов (4). Ёмкости (5, 6, 7) позволяют обеспечить оптимальную связь крайних резонаторов с портами устройства. Длина резонаторов (3) задаёт центральную частоту полосы низкочастотного канала, а длина резонаторов (4) задаёт центральную частоту высокочастотного канала. Поэтому длина резонаторов (3) больше длины резонаторов (4). Длина расщеплённого участка резонаторов (3) и резонаторов (4) задаёт ширину полосы пропускания соответственно низкочастотного и высокочастотного каналов [У.У. Туитису, А.М. 8сг/Наи1оу. Эиа1-тобс 8ρ1ίί тюто8йтр гсюпаЮг ίοτ сотрас! пагго\\Ъапб Ьаибра88 ПНсгк // Ргодгс88 Ιη Е1сс1готадисйс8 Кезсатсй С. 2011. V. 23. Р. 151-160].
Пример выполнения микрополоскового диплексера с тремя резонаторами приведён на фиг. 2. Диплексер содержит три двухмодовых резонатора - один резонатор Т-образной формы и по одному расщеплённому резонатору в фильтрах низкочастотного и высокочастотного каналов. Диэлектрическая подложка устройства выполнена из поликора, имеющего диэлектрическую проницаемость εΓ = 9.8. Она имеет форму пластины размерами 58 ммх26 ммх1 мм. Ёмкости связи имеют величину 1.03 пФ для общего порта обоих каналов, 0.612 пФ для порта низкочастотного канала и 0.425 пФ для порта высокочастотного канала. Для удобства подключения устройства наружные проводники расщеплённых резонаторов изогнуты к краю подложки. Такой изгиб не оказывает принципиального влияния на работу устройства.
Расчётная амплитудно-частотная характеристика микрополоскового диплексера, показанного на фиг. 2, представлена на фиг. 3. На зависимости 811 (сплошная линия) наблюдаются три минимума отражения мощности в полосе частот низкочастотного канала и три минимума отражения в полосе частот высокочастотного канала, указывающих на то, что селективные свойства низкочастотного и высокочастотного каналов соответствуют полосно-пропускающим фильтрам третьего порядка. Это значит, что в формировании полос пропускания обоих каналов действительно участвуют по одной моде колебаний Т-образного двухмодового резонатора и сразу обе моды колебаний одного из расщеплённых двухмодовых резонаторов.
Измеренная амплитудно-частотная характеристика действующего макета диплексера, показанного на фиг. 2, представлена на фиг. 4. Полоса пропускания низкочастотного канала имеет центральную частоту ί[0 = 1.7 ГГц, ширину Δί1 = 0.2 ГГц по уровню -3 дБ, минимальные потери Ц = 0.7 дБ. Полоса пропускания высокочастотного канала имеет центральную частоту ί20 = 2.1 ГГц, ширину Δί2 = 0.2 ГГц по уровню -3 дБ, минимальные потери Ь2 = 1.1 дБ.

Claims (1)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    Микрополосковый диплексер, содержащий диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую нанесены полосковые проводники, образующие двухмодовые резонаторы, и расположены три ёмкости, связывающие три порта с крайними двухмодовыми резонаторами, отличающийся тем, что один из полосковых проводников имеет Т-образную форму, частоты его первых двух мод колебаний настроены на центральные частоты полос пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов, а остальные полосковые проводники образуют разделённые продольным зазором две группы проводников, формирующих полосы пропускания низкочастотного и высокочастотного каналов, в которых полосковые проводники электромагнитно связаны между собой и с полосковым проводником Т-образной формы.
EA201200640A 2012-02-03 2012-05-25 Микрополосковый диплексер EA021016B1 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012103871/08A RU2488200C1 (ru) 2012-02-03 2012-02-03 Микрополосковый диплексер

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201200640A1 EA201200640A1 (ru) 2013-08-30
EA021016B1 true EA021016B1 (ru) 2015-03-31

Family

ID=48791286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201200640A EA021016B1 (ru) 2012-02-03 2012-05-25 Микрополосковый диплексер

Country Status (2)

Country Link
EA (1) EA021016B1 (ru)
RU (1) RU2488200C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11424525B2 (en) 2020-10-19 2022-08-23 Wi-LAN Research Inc. Duplexers and related devices for 5G/6G and subsequent protocols and for mm-wave and terahertz applications

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2584342C1 (ru) * 2014-12-31 2016-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) Широкополосный полосно-пропускающий фильтр
RU2697891C1 (ru) * 2018-11-27 2019-08-21 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф. Решетнева) Микрополосковый диплексер
CN114447546B (zh) * 2022-01-22 2023-04-11 北京邮电大学 一种通信用高隔离度超小型平面双工器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2060571C1 (ru) * 1991-12-23 1996-05-20 Виктор Григорьевич Цыкалов Частотный разделитель на коаксиальных диэлектрических резонаторах
GB2359197A (en) * 1999-12-11 2001-08-15 Bsc Filters Ltd Enhanced performance waveguide diplexers
US20070139135A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-21 Xytrans, Inc. Waveguide diplexer
RU2321108C2 (ru) * 2006-05-10 2008-03-27 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга Свч-диплексер
RU81002U1 (ru) * 2008-06-23 2009-02-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ (ТУ)") Диплексер
RU99248U1 (ru) * 2009-06-17 2010-11-10 Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук Полосковый резонатор на двойной подвешенной подложке

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1578776A1 (ru) * 1988-06-14 1990-07-15 Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции СВЧ-диплексер
JPH04212A (ja) * 1990-02-23 1992-01-06 Mitsubishi Electric Corp 地絡検出装置
GB9606593D0 (en) * 1996-03-29 1996-06-05 Symmetricom Inc An antenna system
US6690251B2 (en) * 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
US8736397B2 (en) * 2006-09-07 2014-05-27 Omnitracs, Llc Ku-band coaxial to microstrip mixed dielectric PCB interface with surface mount diplexer

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2060571C1 (ru) * 1991-12-23 1996-05-20 Виктор Григорьевич Цыкалов Частотный разделитель на коаксиальных диэлектрических резонаторах
GB2359197A (en) * 1999-12-11 2001-08-15 Bsc Filters Ltd Enhanced performance waveguide diplexers
US20070139135A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-21 Xytrans, Inc. Waveguide diplexer
RU2321108C2 (ru) * 2006-05-10 2008-03-27 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга Свч-диплексер
RU81002U1 (ru) * 2008-06-23 2009-02-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ (ТУ)") Диплексер
RU99248U1 (ru) * 2009-06-17 2010-11-10 Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук Полосковый резонатор на двойной подвешенной подложке

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11424525B2 (en) 2020-10-19 2022-08-23 Wi-LAN Research Inc. Duplexers and related devices for 5G/6G and subsequent protocols and for mm-wave and terahertz applications
EP4274039A2 (en) 2020-10-19 2023-11-08 Wi-LAN Research Inc. Duplexers and related devices for 5g/6g and subsequent protocols and for mm-wave and terahertz applications

Also Published As

Publication number Publication date
EA201200640A1 (ru) 2013-08-30
RU2488200C1 (ru) 2013-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9876262B2 (en) Multi resonator non-adjacent coupling
KR20090098822A (ko) 폐쇄 회로 커플링을 구비한 고주파 필터
RU2488200C1 (ru) Микрополосковый диплексер
KR900002449B1 (ko) 마이크로파 분파기
CN110061333B (zh) 一种高抑制度和宽调谐范围的微波电调带阻滤波器
RU2480866C1 (ru) Микрополосковый двухполосный полосно-пропускающий фильтр
Wang et al. Design of the quarter-mode substrate integrated waveguide in-phase and out-of-phase filtering power divider
Bharathi et al. Design and analysis of interdigital microstrip bandpass filter for centre frequency 2.4 GHz
JP5344983B2 (ja) フィルタ装置
RU97867U1 (ru) Микрополосковый полосно-пропускающий фильтр
RU79718U1 (ru) Микрополосковый свч полосно-пропускающий фильтр
RU2675206C1 (ru) Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр
RU2533691C1 (ru) Микрополосковый свч диплексор
RU2715358C1 (ru) Высокоселективный полосковый фильтр верхних частот
RU2607303C1 (ru) Микрополосковый полосно-пропускающий фильтр
RU2401490C1 (ru) Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр
US7479856B2 (en) High-frequency filter using coplanar line resonator
RU157847U1 (ru) Миниатюрный микрополосковый резонатор
US6809615B2 (en) Band-pass filter and communication apparatus
CN109980327B (zh) 一种具有高选择性和恒定带宽的可调双模带通滤波器
RU2562369C1 (ru) Микрополосковый двухполосный полосно-пропускающий фильтр
RU182127U1 (ru) Компактный свч мост
RU2321108C2 (ru) Свч-диплексер
RU2623715C2 (ru) Микрополосковый СВЧ диплексор
RU2657311C1 (ru) Полосно-пропускающий свч фильтр

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ KZ KG TJ TM RU

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): BY