DK98387C - Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederspærrelagssystem med en halvleder af silicium. - Google Patents

Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederspærrelagssystem med en halvleder af silicium.

Info

Publication number
DK98387C
DK98387C DK415961A DK415961A DK98387C DK 98387 C DK98387 C DK 98387C DK 415961 A DK415961 A DK 415961A DK 415961 A DK415961 A DK 415961A DK 98387 C DK98387 C DK 98387C
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
semiconductor
manufacturing
barrier layer
layer system
silicon semiconductor
Prior art date
Application number
DK415961A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Application granted granted Critical
Publication of DK98387C publication Critical patent/DK98387C/da

Links

DK415961A 1960-10-22 1961-10-19 Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederspærrelagssystem med en halvleder af silicium. DK98387C (da)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL98387X 1960-10-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK98387C true DK98387C (da) 1964-04-06

Family

ID=19760481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK415961A DK98387C (da) 1960-10-22 1961-10-19 Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederspærrelagssystem med en halvleder af silicium.

Country Status (1)

Country Link
DK (1) DK98387C (da)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK119934B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederorgan.
BE604729A (fr) Dispositif semi-conducteur a zones successives contigues.
DK122554B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederorgan.
DK135071B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederelementer.
DK118413B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en halvlederkomponent.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
DK128629B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et sammensat metalelement, især et bæreorgan for en halvleder.
DK117847B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederapparat indeholdende en felteffekttransistor.
DK126461B (da) Fremgangsmåde til epitaktisk aflejring af et monokrystallinsk, højohmigt lag af silicium på et monokrystallinsk underlag af lavohmigt, med donatormateriale stærkt doteret silicium.
DK116949B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederorganer.
CH417329A (de) Photopolymerisierbare Schicht
DK112889B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederorgan.
DK120090B (da) Fremgangsmåde ved fremstilling af halvlederelementer med et siliciumoxidlag.
FR1397154A (fr) Procédé pour déposer du silicium ou un autre élément semi-conducteur
DK100065C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederelement.
DK119168B (da) Fremgangsmåde til dannelse af en ensrettende barriere i en halvlederskive.
DK99473C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af halvledende spærrelagssystemer.
DK96849C (da) Fremgangsmåde til forbedring af spærremodstanden af en P-N fladehalvleder.
DK105583C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af små kapsler.
DK106101C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en halvlederindretning.
DK98514C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter.
BE604107A (fr) Procédé de fabrication de dispositif semi-conducteurs.
BE601416A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur en silicium.
DK99937C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af halvledende organer med mindst en p-n overgang.
FR1418803A (fr) Procédé de diffusion sur un substrat semiconducteur