DK179539B1 - Semiconductor switch measuring circuit - Google Patents
Semiconductor switch measuring circuit Download PDFInfo
- Publication number
- DK179539B1 DK179539B1 DKPA201770767A DKPA201770767A DK179539B1 DK 179539 B1 DK179539 B1 DK 179539B1 DK PA201770767 A DKPA201770767 A DK PA201770767A DK PA201770767 A DKPA201770767 A DK PA201770767A DK 179539 B1 DK179539 B1 DK 179539B1
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- measuring
- measuring circuit
- voltage
- circuit
- analog
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Claims (14)
1. Målekredsløb (1), der faciliterer overvågning af en spænding af en halvlederomskifter (5), hvilket målekredsløb (1) er kendetegnet ved, at det omfatter en flerhed af måleceller (2), hvor hver af målecellerne (2) omfatter mindst én normally-on field-effect transistor (3), hvor hver af normally-on field-effect transistorne (3) styres af et gate-signal fra en kontrolmodstand (4), der er serieforbundet med normally-on field-effect transistorens (3) source ben , og hvor flerheden af måleceller (2) er serieforbundet med den første ende af de serieforbundne måleceller (2), elektrisk forbundet til en terminal af halvlederomskifteren, og med den anden ende af de serieforbundne måleceller (2), elektrisk forbundet til et analogbehandlingskredsløb.
2. Målekredsløb (1) ifølge krav 1, hvor analogbehandlingskredsløbet omfatter mindst én fra listen, der omfatter: operationsforstærker, instrumentforstærker, analog buffer, analogt filter, analog multiplexer (14), analog-til-digital-konverter, voltag clamp.
3. Målekredsløb (1) ifølge krav 1 eller 2, hvor en zenerdiode (8) med en gennemslagsspænding, der er lavere end normally-on field-effect transistorens (3) blokeringsspænding, er parallelforbundet med målecellens normally-on field-effect transistor (3).
4. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor målecellens normally-on field-effect transistor (3) er en avalanch rated normally-on field-effect transistor (3).
5. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor målecellen endvidere omfatter en beskyttelsesmodstand (7), der er forbundet med normally-on field-effect transistorens (3) gate-terminal.
6. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor målecellen endvidere omfatter en diode til blokering af strøm i zenerdiodens (8) fremadgående retning.
7. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor målekredsløbets (1) normally-on field-effect transistor (3) styres af et selvstyret gate drive-kredsløb, der omfatter en kontrolmodstand (4) mellem normally-on field-effect transistorens (3) source-terminal og gate-terminal.
8. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor målekredsløbet (1) endvidere omfatter en analog-til-digital-konverter, hvor den anden ende af de serieforbundne måleceller (2) er forbundet med analog-til-digitalkonverteren.
9. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor målekredsløbet (1) endvidere omfatter et clamping kredsløb, som begrænser analogtil-digital-konverterens indgangsspænding.
10. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor en strømsensor (21) måler udgangsstrøm fra halvlederomskifteren (5).
11. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor målekredsløbet (1) kan konfigureres som single ended eller som differential mode.
12. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor en øverste halvlederomskifter og en nederste halvlederomskifter er forbundet i en halvbrokonfiguration, hvor et første målekredsløb (1) måler spændingen over den øverste halvlederomskifter, og et andet målekredsløb (1) måler den nederste halvlederomskifters spænding, hvor én ende af hver af de første og anden målekredsløb (1) er forbundet med en multiplexer (14), hvor multiplexeren (14) er forbundet med en analog-til-digitalkonverter.
13. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor et komparatorkredsløb detekterer, om øverste Vce-on eller nederste Vce-on er aktiv, og hvor en analog multiplexer (14) styres af komparatorsignalet.
14. Målekredsløb (1) ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor målecellen er implementeret i en konverterovervågningsenhed, der faciliterer overvågning af en spænding over en øverste effektomskifter og en nederste effektomskifter af et halvledereffektomskifterpar, som er en del af strømvejen gennem en inverter i en backto-back-konverter, der forbinder en effektgenereringsindretning med et offentligt effektforsyningsnetværk.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DKPA201670795 | 2016-10-10 | ||
| DKPA201670795 | 2016-10-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK201770767A1 DK201770767A1 (en) | 2018-04-23 |
| DK179539B1 true DK179539B1 (da) | 2019-02-08 |
Family
ID=61968314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DKPA201770767A DK179539B1 (da) | 2016-10-10 | 2017-10-10 | Semiconductor switch measuring circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DK (1) | DK179539B1 (da) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4145702B1 (en) | 2021-09-06 | 2024-04-24 | Axis AB | Normally closed solid state relay using normally open components |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10351843B4 (de) * | 2003-11-06 | 2013-11-21 | Converteam Gmbh | Verfahren und elektrische Schaltungen zur Ermittlung einer Temperatur eines Leistungshalbleiters |
| EP2568268A1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-13 | kk-electronic a/s | Method for estimating the temperature of a semiconductor chip |
| DE102012203165A1 (de) * | 2012-02-29 | 2013-08-29 | Beuth Hochschule Für Technik Berlin | Anordnung und verfahren zum überwachen eines elektrischen objekts |
| DK177863B1 (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-13 | Electronic As Kk | Intelligent gate drive unit |
| EP2933646B1 (en) * | 2014-04-17 | 2019-04-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Precision measurement of voltage drop across a semiconductor switching element |
-
2017
- 2017-10-10 DK DKPA201770767A patent/DK179539B1/da active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK201770767A1 (en) | 2018-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10890493B2 (en) | Systems and methods for measuring transistor junction temperature while operating | |
| US10263412B2 (en) | System and method for desaturation detection | |
| US8446206B2 (en) | Current balancing of parallel connected semiconductor components | |
| Mao et al. | Passive balancing of peak currents between paralleled MOSFETs with unequal threshold voltages | |
| JP2019512685A (ja) | 高分解能電力電子測定 | |
| Gerber et al. | Gate unit with improved short-circuit detection and turn-off capability for 4.5-kV press-pack IGBTs operated at 4-kA pulse current | |
| JP6187904B2 (ja) | 電子回路 | |
| JP2016220481A (ja) | 電力変換装置 | |
| Yang et al. | A method for junction temperature estimation utilizing turn-on saturation current for SiC MOSFET | |
| Kumar et al. | An intelligent medium voltage gate driver with enhanced short circuit protection scheme for 10kV 4H-SiC MOSFETs | |
| Mocevic et al. | Phase current reconstruction based on Rogowski coils integrated on gate driver of SiC MOSFET half-bridge module for continuous and discontinuous PWM inverter applications | |
| JP5405492B2 (ja) | スイッチ装置、および試験装置 | |
| Wang et al. | A study of dynamic high voltage output charge measurement for 15 kV SiC MOSFET | |
| CN111919129A (zh) | 用于监测多晶片功率的装置及方法 | |
| Barón et al. | Online monitoring of degradation sensitive electrical parameters in inverter operation for sic-mosfets | |
| Mao et al. | Balancing of peak currents between paralleled SiC MOSFETs by source impedances | |
| DK179539B1 (da) | Semiconductor switch measuring circuit | |
| EP3540451B1 (en) | Voltage sensing | |
| US20150208467A1 (en) | Induction heating generator and an induction cooking hob | |
| Krone et al. | On-line semiconductor switching loss measurement system for an advanced condition monitoring concept | |
| US20230314487A1 (en) | On-state voltage measurement of high-side and low-side power transistors in a half-bridge for in-situ prognostics | |
| Ghadrdan et al. | Floating-reference on-state voltage measurement strategy for condition monitoring application | |
| Rannestad et al. | Converter monitoring in a wind turbine application | |
| Laumen et al. | Ultra-Fast Short-Circuit Detection for SiC-MOSFETs Using DC-Link Voltage Monitoring | |
| Hoeer et al. | Online collector-emitter saturation voltage measurement for the in-situ temperature estimation of a high-power 4.5 kV IGBT module |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PME | Patent granted |
Effective date: 20190208 |