DK142668B - Apparat til omsætning af et fysisk mønster til et elektrisk signal som funktion af tiden. - Google Patents
Apparat til omsætning af et fysisk mønster til et elektrisk signal som funktion af tiden. Download PDFInfo
- Publication number
- DK142668B DK142668B DK214269AA DK214269A DK142668B DK 142668 B DK142668 B DK 142668B DK 214269A A DK214269A A DK 214269AA DK 214269 A DK214269 A DK 214269A DK 142668 B DK142668 B DK 142668B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor circuit
- recording
- voltage
- circuit element
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 45
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000010399 physical interaction Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 101150041594 soti gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
- H01L27/1055—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components comprising charge coupled devices of the so-called bucket brigade type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
(11) FREHUi66ElSESSKRIFT H2668 DANMARK ""·c,-’h "i » s/ts §(21) Ansøgning nr. 2142/69 (22) Indleveret den l8. apr· 19^9 (24) Løbedag 18. apr. 1969 (44) Ansøgningen fremlagt øg - ,
fremlæggelsesekrtftet offentliggjort den O. O.ØC · 1 yOU
DIREKTORATET FOR ^ PATENT-OG VAREMÆRKEVÆSENET (»» Prioritet begæret fra den
23. apr. 1968, 6805706, NL
(71) N.V. PHILIPS* GLOEILAMPENFABRIEKEN, Emmasingel 29 a Eindhoven, NL.
(72) Opfinder: Kees Teer, Emmasingel 29, Eindhoven, NL: Frederik Leonard Johan Sangster,“Snma6ingel 2Si Eindhoven, NL.
(74) Fuldmægtig under tagene behandling:
Internationalt Patent-Bureau.
(64) Apparat til omsætning af et fysisk mønster til et elektrisk signal som funktion af tiden.
Opfindelsen angår et apparat til omsætning af et fysisk mønster til et elektrisk signal som en funktion af tiden, hvilket apparat har mindst en række optageelementer, i hvilke optageelementer, som indeholder et halvlederkredsløbselement, det fysiske mønsters information omsættes til en værdimæssigt tilsvarende elektrisk spænding over en kapacitet i et optageelament.
Et sådant apparat,der eksempelvis anvendes til iagttagelse af en scene,optisk eller i det infrarøde område, er kendt fra artiklen nCharge Storage Lights the Way for Solid-State Image Sensors" af G.P. Weckler i "Electronics'*, fra 1. maj 1967, side 75-78.
I denne artikel beskrives der bl.a. optageelementer, som indeholder halvledende metaloxidtransistorer (MOS-transistorer). En pn-overgang i en MOS-transia-tor af p-kanaltypen, som er bragt i den blokerede tilstand, tjener soam kapacitet.
2 142668
Strålingen fra den scene, som skal iagttages, falder ind på den nævnte kapacitet. Afhængigt af strålingens intensitet frembringes der flere eller faarre huller og elektroner i grænselaget mellem de halvledende p- og n-lag, hvilket aflader kapaciteten ved rekombination med den på kapaciteten tilvejebragte ladning. Ved en efterfølgende genopladning af kapaciteten ved hjælp af en impulsformet spænding og ved bestemmelse af den til det formål fornødne ladning opnås der for et optageelement en angivelse vedrørende intensiteten af den indfaldende stråling i form af et elektrisk signal.
I artiklen beskrives der også optageelementer, som udgør et optagepanel, hvor de strålingen opsamlende kapaciteter udgøres af fototransistorer, hvorhos den impulsformede opladningsspænding tilføres gennem MOS-transistorer, der tjener som koblere. Det er foreslået at anvende et anlæg af krydsstænger til opnåelse af det elektriske signal, som repræsenterer den fysiske information fra optageelementerne. Optageelementerne er anbragt mellem skæringspunkterne mellem to hinanden krydsende par af parallelle ledere.Optagealementerne er således forbundet i rækker og søjler ved hjælp af lederne. Ved tilførsel af et koblesignal til en af rækkelederne og en af søjlelederne opnås det elektriske signal, som repræsenterer strålingen, fra det mellem de pågældende ledere anbragte optageelement gennem den som kobler fungerende MOS-transistor.
Udlæsningen af optagepanelet ved hjælp af et krydsstangsanlæg medfører mange problemer og ulemper, idet krydsstangsanlæggets hinanden skærende ledere er beliggende tæt ved hinanden, således at der optræder forholdsvis store spredningskapaciteter mellem lederne. Da der til optageelementernes udlæsning kræves et højfrekvent koblesignal, medfører de nævnte spredningskapaciteter en generende kryds-taleeffekt.
Da der består den fordring, at kun et optageelement i en række eller i en søjle skal afgive sin information, er resultatet det, at der skal forefindes en lille modstand mellem det pågældende optageelement og lederen, medens der skal findes en stor modstand mellem de andre optageelementer og lederen. Til det formål er det i den forannævnte artikel angivet, at der for hver som kapacitet fungerende fototransistor skal findes en MOS-transistor, der tjener som kobler. Det gælder også, at en leder skal være meget lavohmsk, således at koblesignalet dæmpes mindst muligt af lederen. Dæmpningen og f.eks. det herfra hidrørende spændingsfald over lederen kan nemlig have til følge, at også et andet optageelement end det ønskede afgiver information. Fordringen af et godt ledende materiale til lederen, hvortil f.eks. aluminium er egnet, medfører vanskeligheder i forbindelse med integrationsmetoderne for de med halvledende materiale udformede optageelementer med hensyn til anbringelsen og de nødvendige forbindelser.
Endvidere kræves der mindst to skifteregistre til tilførsel af koble signalet til rækkerne og til søjlerne.
142668 3
Ved opfindelsen tilsigtes tilvejebragt et apparat, som ikke udviser de forannævnte ulemper, der er knyttet til et krydsstangsanlæg, og hvor også indvirkningen hidrdrende fra optrædende spredningskapaciteter udnyttes med fordel« Apparatet i-følge opfindelsen muliggør en helt ny udlæsningsmetode for optageelementer, og det er ejendommeligt ved, at den nævnte kapacitet i et optageelement findes mellem en udgangselektrode og en styreelektrode i halvlederkredsløbselementet, hvilken styreelektrode over en spændingskilde, der kan frembringe en spænding med en halv-lederkredsløbselementet blokerende værdi som funktion af tiden, er forbundet med en styreelektrode på et andet halvlederkredsløbselement, mellem hvis udgangselektrode og styreelektrode der findes en anden kapacitet, hvorhos det ene halvleder-kredsløbselements udgangselektrode er koblet med det andet halviederkredsløbselements indgangselektrode, i hvilken kobling der fremkommer en af det fysiske mønsters oplagrede information afhængig ladningstransport mellem den ene kapacitet og den anden kapacitet som følge af, at det andet halvlederkredsløbselement bringes i den ledende tilstand ved hjælp af den nævnte.spændingskilde.
Opfindelsen skal i det følgende forklares nærmere på grundlag af nogle udførelseseksempler under henvisning til tegningen, hvor fig. 1 viser et apparat ifølge opfindelsen, hvor optageelementerne er forsynet med halvlederkredsløbselementer, der er udformet som MOS-transistorer, fig. 2 nogle diagrammer som funktion af tiden til forklaring af virkemåden af det i fig. 1 viste apparat, fig. 3 et apparat ifølge opfindelsen med flere rækker af optageelementer, og fig. 4 et eksempel på en udførelsesform for optageelementer i form af et integreret kredsløb i et apparat ifølge opfindelsen.
Fig. 1 viser et apparat ifølge opfindelsen, som er udformet med et antal optageelementer 1-n, der kollektivt er antydet som optageelementer B^-B^, hvoraf de tre første optageelementer Β^,Β^ °8 er v^st detaljeret.Da optageelementerne ^ll"^ln βΓ konstrueret på den samme måde, gives der kun en detaljeret beskrivelse af optageelementet B^. Optageelementet omfatter to halvlederkredsløbselementer, der er vist som transistorer og T^> der er udformet som halvledende metaloxidtransistorer (MOS-transistorer) af n-kanaltypen. En indgangs- eller kildeelektrode på MOS-transistoren T^, som er betegnet med S og med en strømretningen angivende pil, er forbundet med en med D betegnet udgangs- eller drænelektrode på MOS-transistoren T^, medens en masse- eller forspændingselektrodeB på MOS-transistorerne og T£, som er anbragt på hver transistors underlag, er forbundet med en klemme med et negativt potential -V . Den på potentialet -V liggende klemme udgør på ikke vist måde en del af en jævnspændingskiIde V , hvis anden klemme er jordforbundet.
Det samme gælder for yderligere jævnspændingskilder, eom omtales i denne leskrivelse.
4 142668
En styre- eller portelektrode G på MOS-transistorerne og T2 er koblet med drænelektroden D gennem en kapacitet, der er vist som en kondensator henholdsvis og C2.
Optageelementerne B^-B^ er forbundet med hinanden ved i hvert optageelement undtagen det sidste optageelement at forbinde kildeelektroden S på MQS-transistoren T2 med drænelektroden IX på MOS-transistoren i det efterfølgende optageelement og ved indbyrdes forbindelse af portelektroderne G på MOS-transistorerne henholdsvis og T2< Kildeelektroden S på MOS-transistoren T2 i det ikke viste optageelement B^n kan være forbundet med en klemme med et positivt potential, eller den kan være uforbundet, hvilket vil sige, at den holdes svævende. Drænelek-tro'den D på MOS-transistoren i optageelementet B^ er forbundet med kildeelektroden S på en MOS-transistor Tq, hvis forspændingselektrode B er forbundet med klemmen med et negativt potential -V og hvis portelektrode G er forbundet med portelektroderne på MOS-transistorerne Τ2· I optageelementerne B^, B^2 og B^ er potentialerne på drænelektroderne D på MOS-transistorerne henholdsvis og T2 betegnet med henholdsvis V^, V^2, V g og V^’, V^», V^».
De indbyrdes forbundne portelektroder G på MOS-transistorerne og på MOS-transistorerne T2 og Tq er forbundet til jord gennem spændingskilder henholdsvis P^ og P2· Spændingskilderne og P2 frembringer de i fig. 1 viste spændinger U og U2 som funktion af tiden, hvilke spændinger varierer mellem jordpotential, som er angivet ved nul, og en potentialeværdi +E. Den af spændingskilden P2 frembragte spænding U2 er forsinket med en halv periode i forhold til spændingen Uj, som frembringes af spændingskilden P^. Drænelektroden D på MOS-transistoren 1^ er jordforbundet gennem en kondensator CQ. Parallelt med kondensatoren er der forbundet en spændingskilde Pg, der som vist leverer en spænding Ug gennem en diode Dg, hvis katode er forbundet med kondensatoren Cq . Spændingen Ug, der har en firkantet bølgeform som funktion af tiden, varierer mellem potentialeværdien +E og en referenceværdi +2E. Kondensatoren C^' s klemme, som har et potential på V^, er forbundet med portelektroden G på en MOS-transistor Tg af n-kanaltypen, hvoraf forspændingselektroden B og drænelektroden D er forbundet med henholdsvis en klemme med et potential -V og en klemme med et potential +V . Kildeelektroden S på MOS-
El D
transistoren Tg er jordforbundet gennem en modstand Rg, og den over modstanden Rg frembragte spænding, som er afhængig af værdien af potentialet V^, fremkommer over en udgangsklemme Z på apparatet.
I stedet for MOS-transistorer kan der alternativt anvendes germaniumtransistorer eller siliciumtransistorer i apparatet. Indgangs- eller kildeelektroden S og udgangs- eller drænelektroden D svarer henholdsvis til emitterelektroden og kollek-torelektroden. Portelektroden G svarer til en basiselektrode, hvilke to elektroder kollektivt kan omtales som styreelektroder.
Udformningen af de nævnte transistorer T^ T^, T2 og Tg som MOS-transistorer 5 1A 2 6 6 8 medfører som bekendt i sammenligning med normale germaniumtransistorer eller siliciumtransistorer til den samme udstyring den fordel, at der går en langt svagere strøm gennem portelektroden G end gennem basiselektroderne på normale transistorer. Der kan naturligvis anvendes normale transistorer i den kendte Darlington- kobling til opnåelse af den samme effekt, eller ladningstabet svarende til den nævnte basisstrøm kan elimineres ved anbringelse af ladningsforstærkere mellem enkelte optageelementer. Også transistorer med en felteffekt (såkaldte felteffekttransisto-rer) kommer i betragtning.
I den viste udførelsesform påvirker det fysiske mønster, som skal omsættes til et elektrisk signal, spændingerne over kondensatorerne Cl og C2 og dermed værdierne af potentialerne V^, V^’ V^» og V^g* osv. ved hjælp af en fysisk vekselvirkning, som er angivet skematisk ved hjælp af punkterede pile. Som det er angivet i den forannævnte artikel, kan vekselvirkningen vare fotoelektrisk. Kondensatorerne Cj og Cg angiver kapaciteten af pn-overgangen i den underlag-drændiode i MQS-tran-sistorerne og Tg, som findes mellem portelektroderne G og drænelektroderne D.
I de viste kondensatorer og Cg er også spredningskapaciteterne i MOS-transisto-rerne og Tg indeholdt, og disse spredningskapaciteter nyttiggøres ligeledes.
Det er også muligt at udforme kondensatorerne og Cg som separate komponenter med en lækmodstand, hvis værdi afhænger af antallet af fotoner, som eksem-pelvis rammer en parallelkoblet fotomodstands dieelektrikum. Alternativt kan et mønster, som er karakteriseret ved en trykfordeling eller en geometri af ujævnheder, indvirke på dieelektrikummet, som er udformet med piezooxider, eller f.eks. på trykfølsomme modstande, som er parallelforbundet med kondensatorerne og Cg.
Det samme gælder for et magnetiseringsmønster, hvis magnetiske feltfordeling påvirker værdien af en modstand, som er følsom over for magnetiske felter. Til det formål kan modstanden f.eks. bestå af en InSb-masse, hvori der forekommer NiSb-nåle. Det magnetiske felt påvirker beliggenheden af de elektrisk godt ledende NiSb-nåle i den elektrisk dårligt ledende InSb-masse.
Virkemåden af det i fig. 1 viste apparat ifølge opfindelsen skal nu forklares nærmere under henvisning til de i fig. 2 viste diagrammer. De i fig. 2 viste diagrammer som funktion af tiden angiver spændingerne U^, og Ug, som leveres af spændingskilderne P3, P^ og Pg, samt potentialerne V^, V^, V^', V^g V^g«, og V^', som fremkommer på de i fig. 1 viste steder. Til forklaring af virkemåden af det i fig. 1 viste apparat er det tilstrækkeligt at betragte et apparat med kun tre optageelementer B^, B^g og Bj^. Det antages at kildeelektroden S på MOS-transistoren Tg i optageelementet B^ holdes svævende. Til opnåelse af en sammenhængende forklaring af apparatets cykliske virkemåde gås der ud fra en bestemt tilstand. Det indses, at efter den periode, som skal forklares, genindtræder den antagne bestemte tilstand automatisk. Perioden for firkantspændingen er vist i fig. 2 med nogle få tidsintervaller tQ-t , t^-tjg, tj^-tjj· 6 142668 I fig. 2 er vist et tidsrum t -Atkort efter hvilket de viste potentia-ler V^, V^', Vl2, V.^', og V^' alle viser sig at have værdien +E, medens potentialet er lig med +2E. Udgående fra tidspunktet tQ-^tR, hvori der ligger et med At^ betegnet tidsinterval til fjernsyn af størrelsesordenen nogle få gange ti millisekunder, sker der følgende i tidsintervalletAt^: Værdien af spændingerne Ui og U„, som under tidsintervalletΔί leveres til portelektroderne G på MOS-transistorerne TQ, og T2 ved hjælp af spændingskilderne og P2, er lig med jordpotential, således at de nævnte transistorer er blokeret under tidsintervallet som følge af det højere potential på kildeelektroderne S. I tidsintervallet /*s.t^ varierer værdien af spændingen U^, som leveres af spændingskilden , mellem potentialerne +2E og +E. Da potentialet V^ har værdien +E og beholder denne værdi under tidsintervallet,&tD, når der ses bort fra læktab, vil dioden D ikke være ledende. Med henblik på at vise at tidsintervallet^t^ f.eks. til fjernsyn er forholdsvis langt i forhold til spændingen ’s repetitionsperiode er spændingen U^, som i det tidsrum, hvor tidsaksen er tegnet med en punkteret linie, er afkortet i forhold til det tidsrum, hvor tidsaksen er tegnet med en optrukket linie, vist igen med en tilsyneladende hurtigere varierende firkantspænding. Under det forholdsvis lange tidsintervalAt„ påvirker det fysiske mønster, som skal omsættes, spændingen over kondensatorerne og C2 og får den til at aftage i afhængighed af værdien'af informationen. Idet det antages, at informationen i form af fotoner skal repræsentere en scene, som skal optages, hvor lyset fra scenen varierer i lysstyrke fra helt hvidt over gråt til sort, kan det eksempelvis antages, at det helt hvide lys rammer kondensatoren i optageelementet B^, og at intet lys rammer kondensatoren C2 i optageelementet B^s hvorhos de mellemliggende værdier er ensartet fordelt mellem de andre kondensatorer og C2· Resultatet er, at potentialerne ν^,-V^', , V2.2* °§ V13 a^taSer under tidsintervalletΔ^, medens po tentialet forbliver konstant, hvis mørkestrømmen er ubetydelig. Potentialefaldet under tidsintervallet^t^ er vist lineært i fig. 2, hvilket imidlertid ikke er nødvendigt. Et ulineært, f.eks. eksponentielt fald er også let muligt. Som det vil fremgå af den efterfølgende beskrivelse, bør den mindste optrædende potentialeværdi for en maksimal værdi af lysets lysstyrke ikke være mindre end +1/2E. Denne værdi nås for helt hvidt af potentialet ved afslutningen af tidsintervallet dvs. til tidspunktet tQ. Det ses, at potentialerne Vll-V13 ' ved afslutningen af tidsintervallethar værdier, som i afhængighed af lysets lysstyrke varierer fra +1/2E for helt hvidt til +E for sort.
Til tidspunktet t^ springer værdien af spændingen U^, som leveres af spændingskilden P^, fra jordpotential 0 til +E. Resultatet er, at dette potentialespring påtrykkes portelektroderne G på MOS-transistorerne og de hermed forbundne klemmer på kondensatorerne C^. Som følge heraf vil potentialespringet med værdien E over kondensatorerne samtidigt optræde i potentialerne V.^, V^2 og V^j 7 142668 således at disse til tidspunktet tQ når værdier, som ligger mellem +1/2E og cirka +2E. Potentialespringet fra 0 til +E på portelektroden G af en MOS-transistor bringer denne transistor 1 den ledende tilstand, hvis potentialet på kildeelektroden S er mindre end +E. Som følge heraf forbindes kondensatorerne og C2 i optageelementerne og B^2 med hinanden, indtil-bortset fra tærskelspændingerne-værdien af potentialet på kildeelektroden S er blevet lig med potentialet på portelektroden G på MOS-transistoren T^. Den hertil nødvendige ladning kan ikke leveres gennem portelektroden G, men skal leveres fra kondensatoren gennem drænelektroden D og kildeelektroden S til kondensatoren C2· Hvis der gås ud fra hovedsageligt lige store værdier af kondensatorerne og Cj, viser det sig, som det er vist i fig. 2 i tidsintervallet t^-t^', at de respektive potentialer Vjj og V^2 skal aftage lige så meget, som de respektive potentialer V^’ og V^* tiltager.
Da der ikke er fluidet lys ind på kondensatoren C2 i optageelementet > er kondensatoren C2's ladning forblevet konstant. Potentialespringet fra 0 til +E på portelektroden G på MOS-transistoren i optageelementet vil derfor ikke få denne til at blive ledende.
Resultatet af potentialespringet i spændingen til tidspunktet tQ er, at ladningstabet i kondensatorerne C2 i et optageelement som følge af opladningen til potentialet +E er blevet overført til kondensatoren gennem kildeelektroden S og drænelektroden D på den ledende MOS-transistor T^, Potentialerne V^, og opnår således en bestemt værdi i forhold til værdien +2E* hvilken differenceværdi svarer til lysstyrken af det lys, som falder ind på optageelementerne Bjj, B^ °8 B13*
Til tidspunktet t^' springer værdien af spændingerne og U^, som leveres af spændingskilderne henholdsvis P^ og P^, tilbage fra værdien henholdsvis +E og +2E til henholdsvis jordpotential og potentialeværdien +E. Samtidigt springer spændingen Uj, scan leveres af spændingskilden Pj, fra jordpotential til værdien +E. Potentialespringet i spændingerne henholdsvis og Uj udviser henholdsvis et potentialespring E nedefter og opefter. I optageelementerne B^, B^ °g vil de hidtil blokerede MQS-transistorer blive ledende i stedet for MOS-transistorerne T^, hvilket også gælder for MOS-transistoren Tq. Som følge heraf forbindes klemmen på kondensatoren CQ, som har et potential lig med +2E, gennem MOS-transistoren Tq med klemmen på kondensatoren i optageelementet B^, som har et potential V^. Da potentialet er lavere end +E, hvilken værdi påtrykkes portelektroden G på MOS-transistoren ved hjælp af spændingskilden Pj med spændingen Uj, vil potentialet tiltage til værdien +E. Som beskrevet i døt foranstående skal den til det formål nødvendige ladning leveres af kondensatoren C^-For en værdi af kondensatoren Cq, som er lig med værdien af kondensatoren Cj i optageelementerne B^, vil forøgelsen af potentialet være lig med potentialefaldet V^.
8 142668
Det samme fænomen optræder mellem optageelementerne B^, B^ °8 Β^3> hvorhos ladningstabet i kondensatorerne i optageelementerne og B^3 overføres til kondensatoren i optageelementerne B^ og B^· Dette kommer til udtryk i fig. 2, når potentialerne V^, V^* og V^' sammenlignes med potentialerne henholdsvis V^, V^2 og under det nævnte tidsinterval t^'-t^. Under dette tidsinterval t^’-t.^ forbliver dioden D^ blokeret, idet værdien af spændingen U^ er lig med +E.
Potentialet VQ, som aftager fra +2E til cirka +E, forårsager gennem transistoren T3 en mindre strømgennemgang gennem modstanden R^, således at der fremkommer en spænding i forhold til jord over apparatets udgangsklemme Z, som er lig med potentialet VQ. Det over udgangsklemmen Z optrædende spændingsfald repræsenterer således lysstyrken af det lys, som falder ind på optageelementet B^.
Til tidspunktet t^ fremkommer der et potentialespring i spændingerne U^,
Ug og U3, hvorefter disse spændinger opnår den samme værdi som kort efter tidspunktet tn Resultatet er den samme virkemåde af apparatet som allerede beskrevet for tidspunktet tQ. En forskel består imidlertid i, at potentialet VQ i tidsintervallet t^-t^’ vil tiltage til værdien +2E, idet denne værdi påtrykkes af spændingskilden P3 gennem den ledende diode D3.
Til illustration viser fig. 2 en del af potentialevariationerne, som svarer til lysstyrken af det lys, der falder ind på optageelementet B^i som et skraveret område. Det kan let ses, at under tidsintervallet hiiver den information, som er givet ved værdien af potentialet V^* i forhold til +E, overført til potentialet V^2 dg overlejret på dette i forhold til værdien +2E. Under tidsintervallet t^’-t^ bliver den totale information, som leveres til optageelementet B^ under tidsintervallet&tD, overført til kondensatoren C_ i optageelementet B ., som følge af hvilket potentialet V^’ varierer i forhold til værdien +2E. Under perio-dem bliver optageelementet B^1 s information i optageelementet B^ over ført fra kondensatoren Cj» som har et potential V^’, til kondensatoren C^, , som har ét potential Resultatet er, at i tidsintervallet t^2,-t12 ^-*-iver den optageelementet B^ afgivne information overført til kondensatoren og dermed til udgangsklemmen Z. Optageelementet B^3*s information bliver tilgængelig på udgangsklemmen Z med henblik på viderebehandling i tidsintervallet t^'-t.^.
Det har vist sig, at det til udlæsning af et apparat med tre optageelementer er nødvendigt og tilstrækkeligt, at de af spændingskilderne P^ og P2 leverede spændinger U^ og U2 har tre firkantformede impulser under tidsintervallet tQ-t^3- Det fremgår heraf, at værdien af potentialerne V^, V^1, V^, og V^3, V^3’ kort efter tidspunktet t^3 er lig med +E, medens værdien af potentialet er lig med +2E. Som nævnt i det foranstående har det vist sig, at man efter apparatets udlæsning automatisk når frem til den tilstand, hvori forklaringen tog sit udgangspunkt. Resultatet er, at tidspunktet t^3 ved en cyklisk drift af apparatet svarer til tids- 9 142668 punktet t0- £ I et apparat med n-optageelementer Β^» ®χ3-®ιη s*ca^ et tidsinterval ^ i hvilket lyset fra scenen, som skal optages, indvirker på potentialerne Vll’ vn* * V12’ V12' ’ V13' * vi3“vi„» ν1π*> være forholdsvis stort i forhold til tidsintervallet tQ-t^n. Denne fordring gælder ikke for et apparat, hvor det fysiske mønsters information indskrives øjeblikkeligt uden tidsmæssig integration. Et eksempel herpå kan være et apparat, hvor et mønster, som er karakteriseret ved en trykfordeling, på øjeblikkelig måde indvirker på potentialebilledet af kondensatorerne og Cj’s med et piesooxid udformede dleelektrikum.
Ud fra variationen af potentialerne og V^f fremgår det klart, at potentialefaldet under indvirkning af lyset fra scenen ved helt hvidt ikke kan være mere end 1/2E. Hvis lyset i virkeligheden rammer begge kondensatorer og Cj i optageelementet med maksimal lysstyrke, dvs. helt hvidt, vil potentialet V11 aftage fra +1/2E til +E i tidsintervallet tg-t^’. Resultatet er, at potentialet på drænelektroden D, potentialet V^' på kildeelektroden S og potentialet på portelektroden G på MOS-transistoren i optageelementet B^ kort før tidspunktet t^’ alle har værdien +E. Hvis imidlertid potentialerne og V^* skulle udvise et større fald end 1/2E og f.eks. nå værdien +2/5E, vil potentialet aftage fra +1 2/5E til +E i tidsintervallet t0-t^'. Som følge heraf kan potentialet V^' kun tiltage med 2/5E til værdien +4/5E. Da det til en korrekt funktion af apperatet kræves, at potentialet V^* på kildeelektroden S tiltager til referenceværdien +E, fremkommer den allerede satte grænse.
Den nævnte grænse på 1/2E for potentialefaldet gælder Ikke for det tilfælde, hvor spændingen over kondensatoren eller i hvert optageelement ikke påvirkes af den fysiske information, men holdes konstant på referenceværdien +E, således at referenceværdien altid er til rådighed i et optageelement. Som følge heraf kan den anden kondensator i optageelementet udvise et spændingsfald med værdien E, og således hovedsageligt blive afladet uden generende indvirkning på apparatets korrekte drift. Dette kan eksempelvis realiseres ved afskærmning af dieelektrikummet i en kondensator eller Cj i hvert optageelement fra den fysiske information eller ved at gøre det ufølsomt over for denne.
Når apparatet aktiveres, fremkommer opladningen af kondensatorerne og C2 i optageelementerne B^» B^-B^ P® enkel måde ved hjælp af speddingskil-derne P^, P2 og P^, som det allerede er beskrevet under henvisning til fig. 1. Den af spændingskilden P^ leverede firkantformede spænding oplader kondensatoren Cq til værdien +2E over dioden Dg, således at potentialet VQ opnår værdien +2E. Den af spændingskilden P2 leverede spænding gør derefter MOS-transistoren Tq ledende ved værdien +E, således at potentialerne VQ og opnår værdien +E på den allerede beskrevne måde. Den af spændingskilden P^ leverede spænding gør derefter MOS-transistoren ledende ved værdien+E, således at potentialerne Vj^ og °P" 10 142668 når værdien +1/2E som følge af ladningsfordelingen mellem to kondensatorer. Samtidigt oplades kondensatoren CQ påny, således at potentialet VQ igen får værdien +2E. Under en følgende periode opnås det, at potentialerne og V^’ n^r v®*dien 1/8E. Efter n perioder er potentialerne og ’ lig med 2(l-2n)E,hvilken -værdi derefter hurtigt tiltager som følge af den fortsatte opladning af de forudgående kondensatorer og C2, indtil der efter nogen tid er en spænding, som hovedsageligt har en værdi +E, til rådighed over alle kondensatorer og Cj i optageelementerne B^- B^n* Dette tidspunkt svarer til tidspunktet t^-i fig.
2. Opladningen kan naturligvis fremskyndes ved forøgelse af frekvensen af spændingerne U^, U2 og U^.
Til analysering af optiske, magnetiske eller andre fysisk bestemte fænomener, som manifesterer sig i et en-dimensionalt mønster, er det som vist i fig. 1 muligt at anvende en enkelt række af optageelementer til omsætning af det fysiske mønster til et elektrisk signal som en funktion af tiden. Hvis det skulle være ønskeligt at omsætte informationen på todimensional måde, udgør det i fig. 3 viste apparat en løsning.
Fig. 3 viser et apparat ifølge opfindelsen, som har m rækker med n optageelementer. Da en række af optageelementer B^, B^s Β^-Β^ allerede er beskrevet under henvisning til fig. 1, og da rækkerne i fig. 3 er konstrueret på ækvivalent måde, er optageelementernes komponenter ikke vist detaljeret. Yderligere komponenter, som allerede er vist i fig. 1, er i fig. 3 i det mindste hovedsageligt forsynet med de samme henvisningsbetegnelser. Den til rækken i fig. 1 knyttede MOS-transistor T^, som til udlæsning af en række af optageelementer forbinder disse med kondensatoren CQ, er udformet m-dobbelt i fig. 3, og den er for rækkerne 1, 2, 3, ......'..m betegnet med TQ^, T^j T^ ...........T^. I stedet for kildeelektroden S på MOS-transistoren T2 i det sidste optageelement B^, som ved forklaringen af fig. 1 blev antaget afc være svævende, er de tilsvarende kildeelektroder S på MOS- transistorerne T„ i de sidste optageelementer B, , B_ , B. -B i fig. 3 forbundet 2 ro In’ 2n 3n mn 0 med hinanden og med en klemme med potentialet +ν^. Alt dette er ikke væsentligt for opfindelsen.
Det i fig. 3 viste apparat kan f.eks. tjene som et fjernsynskamera, hvor lyset fra den scene, som skal optages, falder ind på optageelementerne B^-B . Til opnåelse af det af kameraet frembragte billedsignal på udgangsklemmen Z er spændingen vist på en indgangsklemme X på kameraet, hvilken spænding frembringes af en ikke vist spændingskilde P^. Til opnåelse af spændingerne og er der vist en kombineret spændingskilde (P^ Pj), som f.eks. kan omfatte et symmetrisk bistabilt triggerkredsløb, som aktiveres af spændingen U^. Spændingen leveres også til en n-deler, som er betegnet med n. N-delerens udgangsspænding leveres til en m-deler, som er betegnet med m, og til hvert af skifteregistertrinnene K^, K2, K^-K^, som udgør et skifteregister. Den af m-deleren leverede spænding Π 142668 leveres til det første skifteregistertrin Udgangene på skifteregistertrinnene Κχ, K^, Kg-K^ er forbundet aed en indgang på portkredse (L^, L^')» (L2, Ι*2’)* (L3, L3') til (L^, L^'), hvorhos en anden indgang på portkredsene L også får tilført spændingen U^, og en anden indgang på portkredsene L' også får tilført spændingen U2· Udgangene på portkredsene L og L* leverer spændingerne U^ og U2 til en række af optageelementer i afhængighed af den spænding, som leveres af det tilknyttede skifteregistertrin K.
Den af m-deleren leverede spænding har en repetitionsperiode, som er lig med m x n perioder af spændingerne U^, U2 og Ug, og den tjener som startspænding for det første registertrin K^. Dette sidstnævnte leverer da en spænding til portkredsene og L^* under n perioder, som følge af hvilket spændingerne og U2 overføres til optageelementerne B^-B^. Det af den første række af optageelementer leverede billedsignal fremkommer på udgangsklemmen Z under de n perioder. Efter de n-perioder ændres den af skifteregistertrinnet leverede spænding, således at portkredsene og L^' lukkes, og skifteregistertrinnet K2 startes, således at portkredsene L2 og I^' som følge af den af trinnet K2 leverede ændrede spænding åbnes for det andet antal på n perioder. Efter det ra'te antal på n perioder har rækken af optageelementer B^-B leveret sit billedsignal til udgangsklemmen Z.
I forbindelse med beskrivelsen af figurerne 1 og 2 vistes tidsintervallet ^t^, som fremkommer mellem to successive udlæsningsprocesser af en række af optageelementer B^-B^. For det 1 fig· 3 viste apparat, som har m rækker af optage-elementer, viser tidsintervallet ved cyklisk drift sig at være lig med (m-1) gange udlæsningsintervallet for en række af optageelementer. I et fjernsynssystem med 25 hver af 625 linier opbyggede billeder per sekund er tidsintervallet tilnærmelsesvis lig med 40 ms minus 64^us.
Det er klart, at det kendte liniespring æd to delbilleder kan opnås på enkel måde ved tilførsel af den af skifteregistertrinnene K2 afgivne spænding til portkredsene Lg og Lg*, medens portkredsene L2 og L,,* forbindes med et skifteregistertrin, som åbner disse efter cirka l/2m x n perioder.
Det er klart, at man til opnåelse af et videosignal med den såkaldte linie-slukning ud fra billedsignalet, som fremkommer på udgangsklemmen Z, både kan lade en del af den af rækkerne af optageelementer leverede information ubenyttet og indrette skifteregistres til i trinnene K at indbygge en forsinkelse, soti svarer til linieslukketiden eller f.eks. til delbilledslukketiden.
En dobbelt eller tredobbelt udformning af det i fig. 3 viste apparat resulterer i et kamera, som er egnet til farvefjernsyn ved opdeling af det fra scenen indkommende lys i to eller tre grundfarver.
Et halvlederapparat, der er udformet som et optagepanel, i hvilket optage-elementerne fortrinsvis er integreret i et halvlederlegeme, skal nu forklares nær- 12 142668 mere under henvisning til fig. 4. Fig. 4 viser på diagramform en del af et planbillede af en udførelsesform for et sådant halvlederapparat, medens fig. 4b på diagramfom viser et snit langs linien IVb-IVb i fig. 4a.
Den i fig. 4 viste udførelsesform omfatter et underlag 40, som f.eks. kan være af et isolerende materiale, hvilket underlag er forsynet med et eller flere overfladeområder af et halvledermateriale eller som i det foreliggende eksempel i sig selv består af et halvledermateriale, f.eks. p-ledende silicium. På en måde, som er almindeligt anvendt inden for halvlederteknikken, f.eks. ved hjælp af en konventionel fotoætsnings- og diffussionsmetode, tilvejebringes der overfladeom-råder 41 med den modsatte ledertype, f.eks. med dimensionerne 64^um x 64^um, på en overfladedel af underlaget 40. Disse overfladeområder 41 udgør sammen med de mellemliggende områder 42 halvlederområderne i et antal MOS-transistorer. Disse MOS-transistorer er anbragt i rækker, i hvilke hvert af de viste områder 41 udgør udgangs- eller drænelektroden på en MOS-transistor i en række og også udgør indgangs- eller kildeelektroden i den efterfølgende MOS-transistor i denne række.
De mellemliggende områder 42 hvis bredde eksempelvis andrager 6^um, udgør kanalområderne mellem kilde- og drænelektroden på hver MOS-transistor .MOS-transistorerne er endvidere forsynet med portelektroder 47,hvis dimensioner andrager cirka 60 ym x 60^um, og som er isoleret fra halvlederoverfladen ved hjælp af et isolerende lag 43', f.eks. ét lag af siliciumoxid med en tykkelse på 0,lyum. Portelektroderne 47 er skiftevis forbundet med et af de ledende spor henholdsvis 43, 44 og 45, 46. Tykkelsen af det isolerende lag under de ledende spor 43-46 er fortrinsvis større end under portelektroderne 47, f.eks. cirka 0,5^um, med henblik på hindring af uønskede kanaldannelser. Alternativt kan der anvendes kanalafbrydere, f.eks. diffunderede kanalafbrydere.
Portelektroderne 47 og metalsporené 43-46 består f.eks. af guld, og de har en tykkelse på cirka 250 A. Sådanne guldelektroder er transparente, således at stråling, som falder ind på overfladen, kan absorberes i halvlederlegemet, og fotofølsomheden af pn-overgangene mellem overfladeområderne 41 og det omgivende overfladeområde af underlaget 40 kan udnyttes. I forbindelse hermed er afstanden mellem overfladen af halvlederlegemet og de nævnte pn-overgange fortrinsvis cirka l^um. I driftstilstanden er de nævnte pn-overgange forspændt i lederetningen. Til det formål er det omgivende overfladeområde forbundet med et negativt potential, i dette tilfælde over en forbindelsesleder, som er forbundet med underlaget 40, men som ikke er vist.
Hvert af optageelementerne i optagepanelet udgøres af to successive transistorer. De to kapaciteter, mellem hvilke der kan fremkomme en ladningstransport i afhængighed af det fysiske mønsters information, findes mellem portelektroden og drænelektroden på de to MOS-transistorer i optageelementet. I det foreliggende eksempel udgøres kapaciteterne af den indre kapacitet mellem portelektroden og dræn
Claims (4)
1. Apparat til omsætning af et fysisk mønster til et elektrisk signal som en funktion af tiden, hvilket apparat har mindst en række optageelementer,i hvilke optageelementer, som indeholder et halvlederkredsløbselement, det fysiske mønsters information omsættes til en værdimæssigt tilsvarende elektrisk spænding over en kapacitet i et optageelement, kendetegnet ved, at den nævnte kapacitet (C2) i et optageelement (Β^,Β^) ^ini^es meHem en udgangs elektrode (D) og en styreelektrode (G) i halvlederkredsløbselementet (Tg), hvilken styreelektrode (G) over en spændingskilde (P^, Pg), der kan frembringe en spænding med en halvlederkredsløbselementet (T2) blokerende værdi som funktion af tiden, er forbundet med en styreelektrode (G) på et andet halvlederkredsløbselement (T^), mellem hvis udgangselektrode (D) og styreelektrode (G) der findes en anden kapacitet (C^), hvorhos det ene halvlederkredsløbselements (Tg) udgangselektrode (D) er koblet med det andet halvlederkredsløbselements (T^) indgangselektrode (S), i hvilken kobling der fremkommer en af det fysiske mønsters oplagrede information afhængig ladningstransport mellem den ene kapacitet (Cg) og den anden kapacitet (C^) som følge af, at det andet halvlederkredsløbselement (T^) bringes i den ledende tilstand ved hjælp af den nævnte spændingskilde (P^, Pg).
2. Apparat ifølge krav 1, kendetegnet ved, at der i det som en metaloxidtransistor udformede halvlederkredsløbselement (T2) findes en fotofølsom halvlederovergang i afladningskredsen for den førstnævnte kapacitet (Cg).
3. Apparat ifølge krav 1 eller 2, kendetegnet ved, at optageelementerne (B-q, B^2) indgår i rækken ved, at indgangselektroden (S) på det ene halvlederkredsløbselement (Tg) i et optageelement (B^, B^g) er forbundet med udgangselektroden (D) på det andet halvlederkredsløbselement (T^) i det efterfølgende optageelement (B^g, B^), hvorhos styreelektroden (G) på det ene og det andet kredsløbselement (Tg og T^) i et optageelement i rækken af optageelementer (Bil’ Bj2^ er f°rBundet med styreelektroderne (G) på de tilsvarende halvlederkreds løbselementer (Tg eller T^) i de øvrige optageelementer.
4. Apparat ifølge krav 3, kendetegnet ved, at det til udlæsning omfatter et halvlederkredsløbselement (To), hvis styreelektrode (G) og indgangselektrode (S) er forbundet med henholdsvis styreelektroden (G) på det ene (Tg) og
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL686805706A NL155155B (nl) | 1968-04-23 | 1968-04-23 | Inrichting voor het omzetten van een fysisch patroon in een elektrisch signaal als functie van de tijd, daarmede uitgevoerde televisiecamera, alsmede halfgeleiderinrichting voor toepassing daarin. |
| NL6805706 | 1968-04-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK142668B true DK142668B (da) | 1980-12-08 |
| DK142668C DK142668C (da) | 1981-08-10 |
Family
ID=19803414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK214269AA DK142668B (da) | 1968-04-23 | 1969-04-18 | Apparat til omsætning af et fysisk mønster til et elektrisk signal som funktion af tiden. |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3621283A (da) |
| AT (1) | AT286391B (da) |
| BE (1) | BE731975A (da) |
| DE (1) | DE1917324C3 (da) |
| DK (1) | DK142668B (da) |
| ES (1) | ES366283A1 (da) |
| FR (1) | FR2006763B1 (da) |
| GB (1) | GB1225071A (da) |
| NL (1) | NL155155B (da) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3918081A (en) * | 1968-04-23 | 1975-11-04 | Philips Corp | Integrated semiconductor device employing charge storage and charge transport for memory or delay line |
| US3816769A (en) * | 1969-12-17 | 1974-06-11 | Integrated Photomatrix Ltd | Method and circuit element for the selective charging of a semiconductor diffusion region |
| US3651349A (en) * | 1970-02-16 | 1972-03-21 | Bell Telephone Labor Inc | Monolithic semiconductor apparatus adapted for sequential charge transfer |
| IE34899B1 (en) * | 1970-02-16 | 1975-09-17 | Western Electric Co | Improvements in or relating to semiconductor devices |
| US3858232A (en) * | 1970-02-16 | 1974-12-31 | Bell Telephone Labor Inc | Information storage devices |
| US3700932A (en) * | 1970-02-16 | 1972-10-24 | Bell Telephone Labor Inc | Charge coupled devices |
| US3789240A (en) * | 1970-10-26 | 1974-01-29 | Rca Corp | Bucket brigade scanning of sensor array |
| US4646119A (en) * | 1971-01-14 | 1987-02-24 | Rca Corporation | Charge coupled circuits |
| CA948331A (en) * | 1971-03-16 | 1974-05-28 | Michael F. Tompsett | Charge transfer imaging devices |
| NL170480C (nl) * | 1971-03-19 | 1982-11-01 | Philips Nv | Opnemer voor het omzetten van een twee-dimensionaal fysisch patroon in een televisiesignaal. |
| US3902187A (en) * | 1971-04-01 | 1975-08-26 | Gen Electric | Surface charge storage and transfer devices |
| US3890633A (en) * | 1971-04-06 | 1975-06-17 | Rca Corp | Charge-coupled circuits |
| US3789267A (en) * | 1971-06-28 | 1974-01-29 | Bell Telephone Labor Inc | Charge coupled devices employing nonuniform concentrations of immobile charge along the information channel |
| NL165870C (nl) * | 1971-09-16 | 1981-05-15 | Philips Nv | Analoog schuifregister. |
| US3746883A (en) * | 1971-10-04 | 1973-07-17 | Rca Corp | Charge transfer circuits |
| US3811055A (en) * | 1971-12-13 | 1974-05-14 | Rca Corp | Charge transfer fan-in circuitry |
| NL7202070A (da) * | 1972-02-17 | 1973-08-21 | ||
| US3801826A (en) * | 1972-05-12 | 1974-04-02 | Teletype Corp | Input for shift registers |
| GB1444541A (en) * | 1972-09-22 | 1976-08-04 | Mullard Ltd | Radiation sensitive solid state devices |
| GB1436110A (en) * | 1972-09-25 | 1976-05-19 | Rca Corp | Circuit for amplifying charge |
| US3909803A (en) * | 1972-11-02 | 1975-09-30 | Ibm | Multi-phase CCD shift register optical sensor with high resolution |
| US3886359A (en) * | 1974-01-04 | 1975-05-27 | Texas Instruments Inc | Time interval compression address sequentially |
| DE2504317B2 (de) * | 1974-09-05 | 1977-09-29 | The General Corp, Kawasaki, Kanagawa (Japan) | Farbfernsehkamera |
| JPS53112040A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Citizen Watch Co Ltd | Shift register circuit |
| JPS605108B2 (ja) * | 1977-08-01 | 1985-02-08 | 株式会社日立製作所 | 固体擦像装置 |
| US4344001A (en) * | 1978-12-19 | 1982-08-10 | Sony Corporation | Clocking signal drive circuit for charge transfer device |
| JPS5597097A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-23 | Sony Corp | Feedback circuit for charge transfer element |
| US4468798A (en) * | 1980-10-24 | 1984-08-28 | American Microsystems, Inc. | Dual charge pump envelope generator |
| GB2146504A (en) * | 1983-09-09 | 1985-04-17 | Electronic Automation Ltd | Image recording device |
| EP0308169B1 (en) * | 1987-09-14 | 1994-12-28 | Fujitsu Limited | Charge injection circuit |
| WO1999053687A1 (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-21 | Lygent, Inc. | A wide-range, low-voltage active imaging pixel apparatus and method of using the same |
| FR2801970B1 (fr) * | 1999-12-07 | 2002-02-15 | St Microelectronics Sa | Capteur magnetique de tres haute sensibilite |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3172043A (en) * | 1961-12-11 | 1965-03-02 | Daniel E Altman | Signal delay utilizing plurality of samplers each comprising switch, amplifier, andstorage element connected serially |
| DE1474510B2 (de) * | 1965-12-14 | 1971-11-25 | Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München | Durch schiebeimpulse gesteuerte schieberegister insbesondere fuer zeitmultiplex systeme |
| US3446973A (en) * | 1966-07-14 | 1969-05-27 | Philco Ford Corp | Shift register directly settable by optical means |
| US3390273A (en) * | 1966-08-08 | 1968-06-25 | Fairchild Camera Instr Co | Electronic shutter with gating and storage features |
| NL6615058A (da) * | 1966-10-25 | 1968-04-26 |
-
1968
- 1968-04-23 NL NL686805706A patent/NL155155B/xx unknown
-
1969
- 1969-04-03 DE DE1917324A patent/DE1917324C3/de not_active Expired
- 1969-04-17 US US816954A patent/US3621283A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-04-18 GB GB09855/69A patent/GB1225071A/en not_active Expired
- 1969-04-18 DK DK214269AA patent/DK142668B/da not_active IP Right Cessation
- 1969-04-21 AT AT383269A patent/AT286391B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-04-21 ES ES366283A patent/ES366283A1/es not_active Expired
- 1969-04-22 FR FR6912627A patent/FR2006763B1/fr not_active Expired
- 1969-04-23 BE BE731975D patent/BE731975A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES366283A1 (es) | 1971-03-16 |
| DE1917324A1 (de) | 1969-11-20 |
| DE1917324C3 (de) | 1979-10-25 |
| AT286391B (de) | 1970-12-10 |
| GB1225071A (en) | 1971-03-17 |
| NL155155B (nl) | 1977-11-15 |
| US3621283A (en) | 1971-11-16 |
| FR2006763A1 (da) | 1970-01-02 |
| DK142668C (da) | 1981-08-10 |
| NL6805706A (da) | 1969-10-27 |
| BE731975A (da) | 1969-10-23 |
| DE1917324B2 (de) | 1975-01-16 |
| FR2006763B1 (da) | 1974-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DK142668B (da) | Apparat til omsætning af et fysisk mønster til et elektrisk signal som funktion af tiden. | |
| US3378688A (en) | Photosensitive diode array accessed by a metal oxide switch utilizing overlapping and traveling inversion regions | |
| EP0046396B1 (en) | Solid state image pickup device | |
| US3805062A (en) | Method and apparatus for sensing radiation and providing electrical readout | |
| US3435138A (en) | Solid state image pickup device utilizing insulated gate field effect transistors | |
| GB1370449A (en) | Sensing apparatus and arrays | |
| US4189749A (en) | Solid state image sensing device | |
| CA1289242C (en) | Device and method of photoelectrically converting light into electrical signal | |
| JPS5850030B2 (ja) | 光電変換装置およびそれを用いた固体撮像板 | |
| EP0187047A2 (en) | Image sensor device | |
| US4980546A (en) | Photosensitive device of the type with amplification of the signal at the photosensitive dots | |
| US4197469A (en) | Capacitively coupled array of photodetectors | |
| US4233632A (en) | Solid state image pickup device with suppressed so-called blooming phenomenon | |
| US4011441A (en) | Solid state imaging apparatus | |
| US4360732A (en) | Infrared charge transfer device (CTD) system | |
| US4242706A (en) | Visible light and near infrared imaging device | |
| US3521244A (en) | Electrical circuit for processing periodic signal pulses | |
| EP1850387A1 (en) | Solid-state image pickup device | |
| US3390273A (en) | Electronic shutter with gating and storage features | |
| US3624428A (en) | Electric signal processing circuit employing capacitively scanned phototransistor array | |
| US3562418A (en) | Solid state image converter system | |
| JP2771221B2 (ja) | 感光ドットマトリクス | |
| US3391282A (en) | Variable length photodiode using an inversion plate | |
| US4263620A (en) | Picture pickup target and reading device assembly | |
| US3882531A (en) | Apparatus for sensing radiation and providing electrical read out |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PUP | Patent expired |