DE955414C - Process for the production of silicon subbromides - Google Patents

Process for the production of silicon subbromides

Info

Publication number
DE955414C
DE955414C DEK23364A DEK0023364A DE955414C DE 955414 C DE955414 C DE 955414C DE K23364 A DEK23364 A DE K23364A DE K0023364 A DEK0023364 A DE K0023364A DE 955414 C DE955414 C DE 955414C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
subbromides
production
bromine
tetrabromide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEK23364A
Other languages
German (de)
Inventor
Dr Martin Schmeisser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kali Chemie AG
Original Assignee
Kali Chemie AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kali Chemie AG filed Critical Kali Chemie AG
Priority to DEK23364A priority Critical patent/DE955414C/en
Application granted granted Critical
Publication of DE955414C publication Critical patent/DE955414C/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen

Description

Verfahren zur Herstellung von Siliciumsubbromiden Siliciumsubchloride, wie z. B. SiloC122, sind schon in kleinen Mengen durch thermische Behandlung von Siliciumtetrachlorid im Abschreckrohr oder durch Einwirkung von Wasserstoff auf Siliciumtetrachlorid oder Silicochloroform im Entladungsrohr hergestellt worden.Process for the production of silicon subbromides silicon subchlorides, such as B. SiloC122, are already in small quantities by thermal treatment of Silicon tetrachloride in the quench tube or by exposure to hydrogen Silicon tetrachloride or silicochloroform has been produced in the discharge tube.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren, nach welchem speziell Siliciumsubbromide, insbesondere das bisher noch unbekannte (SiBr2)x, in technischem Verfahren und mit großer Ausbeute in der Weise hergestellt werden, daß Siliciumtetrabromid bei Temperaturen zwischen etwa 1000 und i2oo° im Vakuum durch eine Schicht von metallischem Silicium geführt wird, und zwar kann man dazu Siliciumbromiddampf durch eine Schicht von grießförmigem Silicium mittels einer Hochvakuumpumpe hindurchsaugen, wobei die Strömungsgeschwindigkeit selbstverständlich so einzustellen ist, daß keine wesentlichen Mengen unverbrauchtes Siliciumtetrabromid an der Saugseite aus der Siliciumschicht austreten.The invention relates to a process by which silicon subbromides, in particular the hitherto unknown (SiBr2) x, are produced in an industrial process and with high yield in such a way that silicon tetrabromide is passed through a layer at temperatures between about 1000 and 1200 ° in a vacuum is guided by metallic silicon, namely, silicon bromide vapor can be sucked through a layer of granular silicon by means of a high vacuum pump, the flow rate of course being adjusted so that no significant amounts of unused silicon tetrabromide escape from the silicon layer on the suction side.

Die Vorteile des Verfahrens gemäß der Erfindung sind vor allem darin zusehen, daß es in guten Ausbeuten Siliciumsubbromi.de liefert. Außerdem entsteht neben (SiBr2)x primär nur 'Si2Br. als Nebenprodukt, so daß ersteres leicht isoliert werden kann. Damit hat man die Möglichkeit, die gegenüber den Siliciumsubchloriden bequem in großen Mengen herstellbaren einheitlichen Siliciumsubbromide, z. B. al's Ausgangsprodukte für die Herstellung von Sil-iconen bzw. anderen Kunststoffen, heranzuziehen.The advantages of the method according to the invention are mainly therein ensure that it delivers Siliciumsubbromi.de in good yields. Also arises besides (SiBr2) x primarily only 'Si2Br. as a by-product so that the former is easily isolated can be. This gives you the option of comparing the silicon subchlorides unitary silicon subbromides conveniently prepared in large quantities, e.g. B. al's Use raw materials for the production of silicone or other plastics.

Zum Beweise der Patentwürdigkeit der Erfindung wird noch folgendes ausgeführt: Von Prof. S c h w a r z und seinen Mitarbeitern sind seit 1937 Siliciumsubchloride, unter anderem Silo C122 oder S125 C152, eingehend bearbeitet worden. An die Erforschung der Subchloride schloß sich die der Siliciumsubjodide, wie z. B. Sie J6 oder Si J, an. Die Subbromide blieben aber anscheinend unbearbeitet; jedenfalls fehlen darüber Veröffentlichungen, offenbar weil sich die für die Darstellung der Subchloride und Subjodide geltenden Methoden nicht ohne weiteres auf die Subbromide übertragen ließen.To prove the patentability of the invention, the following is stated: Since 1937, silicon subchlorides, including Silo C122 or S125 C152, have been worked on in detail by Prof. Schwarz and his colleagues. The research into the subchloride was followed by that of the silicon subiodides, such as. B. Call them J6 or Si J. The subbromides apparently remained unprocessed; In any case, there are no publications about this, apparently because the methods applicable to the preparation of the subchlorides and subiodides cannot simply be transferred to the subbromides.

So zeigt es sich z. B., daß gewisse komplizierte Chlor-.und Jodverhindungen oft viele Jahrzehnte bekannt, waren, während die entsprechenden Bromverbindungen erst in viel späterer Zeit auf früher nicht bekannten. Wegen dargestellt werden konnten. Dias trifft z. B. auf die Oxyde Cl. O, Cl 02, C12 0s, c12071 j205 zu, die seit langem bekannt waren, während Bromoxyde erst 1937 durch Einwirkung elektrischer@Entladungen gefunden wurden. - Die Nitri.de N C13 und Nj, waren ebenfalls altbekannt; ein N Brr (in Form des Ammoniakats) konnte erst 194o aus Brom und Ammoniak bei höheren Temperaturen und durch anschließendes Abschrecken erhalten werden.So it shows z. For example, certain complicated chlorine and iodine preventions were often known for many decades, while the corresponding bromine compounds were not known until much later on. Because of could be represented. Slide hits z. B. on the oxides Cl. O, Cl 02, C12 0s, c12071 j205, which had been known for a long time, while bromine oxides were not found until 1937 through the action of electrical @ discharges. - The Nitri.de N C13 and Nj, were also well known; an N Brr (in the form of ammonia) could only be obtained in 1940 from bromine and ammonia at higher temperatures and by subsequent quenching.

Während Perchlorate und Perjodate seit langem bekannt sind, konnten Perbromate bisher überhaupt nicht dargestellt werden.While perchlorates and periodates have long been known, could Perbromate have not yet been represented at all.

Das am Silicium gebundene Fluor und Chlor ist weniger beweglich und daher weniger reaktionsfähig als das am Silicium gebundene Brom oder Jod. Silicium-Brom- und -Jod-Verhindungen sollten daher besonders günstige Ausgangsmaterialien: für die Herstellung weiterer Siliciumverbindungen sein. Da Siliciumjodide aber einerseits wegen ihres Preises, andererseits wegen ihrer Sauerstoffempfindlichkeit für die technische Verwendung ausscheiden, stellen sich Silicium-Brom-Verbindungen als technisch besonders günstig urid wertvoll dar. Beispiel i Darstellung von Siliciumsubbromiden aus Siliciumtetrabromid und Silicium Durch eine Schicht von grießförmigem Silicium, das sich in einem Porzellanrohr bei etwa i i 5o0 befand, wurde ein Strom von Siliciumtetrabromiddampf mittels einer Höchvakuumpumpe durchgesaugt. Die Verdampfungsgeschwindigkeit des Si Br4 wurde durch Einstellen des Si Br4 Vorrats in ein Wasserbad geeigneter Temperatur geregelt. Die flüchtigen Reaktionsprodukte wurden in einer auf -30° gekühlten Falle aufgefangen. Sie wurden mit den nach Erkalten der Apparatur im Porzellanrohr hinter dem unumgesetzten Silicium entstandenen festen Produkten vereinigt und anschließend der Destillation im Vakuum unterworfen, wobei das in geringen Mengen vorhandene unumgesetzte SiBr4 sowie das als Nebenprodukt entstandene Sie Brs abdestilliert.The fluorine and chlorine bonded to silicon is less mobile and therefore less reactive than the bromine or iodine bonded to silicon. Silicon bromine and iodine compounds should therefore be particularly favorable starting materials: for be the production of other silicon compounds. Since silicon iodide on the one hand because of their price, on the other hand because of their sensitivity to oxygen for them ruled out technical use, silicon-bromine compounds present themselves as technical particularly cheap and valuable. Example i Preparation of silicon subbromides of silicon tetrabromide and silicon through a layer of granular silicon, which was in a porcelain tube at about i i 50 0 became a stream of silicon tetrabromide vapor sucked through by means of a high vacuum pump. The rate of evaporation of the Si Br4 was prepared by placing the Si Br4 supply in a water bath of the appropriate temperature regulated. The volatile reaction products were in a trap cooled to -30 ° caught. They were put in the porcelain tube after the apparatus had cooled down the unreacted silicon resulting solid products combined and then subjected to distillation in vacuo, the existing in small amounts unreacted SiBr4 and the by-product you Brs are distilled off.

Beispiel 2 Darstellung von Siliciumsubbromiden aus Silicium und Brom Der Versuch wurde in an sich gleicher Weise durchgeführt, wie im Beispiel i angegeben, :mit der Abänderung, daß statt SiBr4 Brom zur Anwendung kam und daß die Temperatur des Broms bei der Versuchsdurchführung auf -qo bis -30° gehalten wurde. Die Reaktionsprodukte waren die gleichen wie im Beispiel i.Example 2 Preparation of silicon subbromides from silicon and bromine The experiment was carried out in the same way as indicated in Example i, : with the modification that bromine was used instead of SiBr4 and that the temperature of the bromine was kept at -qo to -30 ° during the test. The reaction products were the same as in example i.

Claims (2)

PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Siliciumsubbromiden, dadurch gekennzeichnet, daß Siliciumtetrabromid bei Temperaturen etwa zwischen iooo und i2oo° im Vakuum durch eine Schicht von- metallischem Silicium geführt wird und die Reaktionsprodukte nach Abkühlung im Vakuum destilliert werden, wobei das gewünschte Produkt als Rückstand verbleibt. PATENT CLAIMS: i. Process for the production of silicon subbromides, characterized in that silicon tetrabromide is passed through a layer of metallic silicon at temperatures between about 100 and 1200 ° in vacuo and the reaction products are distilled in vacuo after cooling, the desired product remaining as a residue. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle von Sil:iciümtetrabromid elementares Brom verwendet wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Ki.rk-Othmer, Enc. of Chem. Technology, VOL 12, S. 369; deutsche Patentschrift Nr. 685 728; britische Patentschrift Nr. 141 908.2. The method according to claim i, characterized in that that elemental bromine is used instead of silicon tetrabromide. Into consideration Extracted publications: Ki.rk-Othmer, Enc. of Chem. Technology, VOL 12, p. 369; German Patent No. 685 728; British Patent No. 141 908.
DEK23364A 1954-09-04 1954-09-04 Process for the production of silicon subbromides Expired DE955414C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEK23364A DE955414C (en) 1954-09-04 1954-09-04 Process for the production of silicon subbromides

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEK23364A DE955414C (en) 1954-09-04 1954-09-04 Process for the production of silicon subbromides

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE955414C true DE955414C (en) 1957-01-03

Family

ID=7216706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEK23364A Expired DE955414C (en) 1954-09-04 1954-09-04 Process for the production of silicon subbromides

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE955414C (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010025948A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Spawnt Private S.À.R.L. Medium chain polysilanes and process for their preparation
US9617391B2 (en) 2008-05-27 2017-04-11 Nagarjuna Fertilizers And Chemicals Limited Halogenated polysilane and thermal process for producing the same
US9701795B2 (en) 2008-05-27 2017-07-11 Nagarjuna Fertilizers And Chemicals Limited. Halogenated polysilane and plasma-chemical process for producing the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB141908A (en) * 1919-04-23 1920-04-29 Gen Electric Company Of Schene Improvements in and relating to the production of fluid halogen compounds of silicon, boron or titanium
DE685728C (en) * 1936-02-13 1939-12-22 Goldschmidt Ag Th Process for the continuous production of chlorides and bromides of silicon

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB141908A (en) * 1919-04-23 1920-04-29 Gen Electric Company Of Schene Improvements in and relating to the production of fluid halogen compounds of silicon, boron or titanium
DE685728C (en) * 1936-02-13 1939-12-22 Goldschmidt Ag Th Process for the continuous production of chlorides and bromides of silicon

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9617391B2 (en) 2008-05-27 2017-04-11 Nagarjuna Fertilizers And Chemicals Limited Halogenated polysilane and thermal process for producing the same
US9701795B2 (en) 2008-05-27 2017-07-11 Nagarjuna Fertilizers And Chemicals Limited. Halogenated polysilane and plasma-chemical process for producing the same
DE102010025948A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Spawnt Private S.À.R.L. Medium chain polysilanes and process for their preparation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE925348C (en) Process for the production of complex compounds from aluminum hydrocarbons and alkali fluorides
DE955414C (en) Process for the production of silicon subbromides
DE1082238B (en) Process for producing silicon
DE2631658C2 (en) Process for the production of vinylidene fluoride
DE1668346B2 (en) PROCESS FOR THE PREPARATION OF 1,1,1-TRIFLUOROTRICHLORAETHANE BY REPOSITIONING
DEK0023364MA (en)
DE1593072C3 (en) 17alpha-Halogenäthiny 1-17betahydroxy-19-nor-4,9-androstadien-3 ones, process for their preparation and medicaments containing them. Elimination from: 1242607
DE1142848B (en) Process for the production of high purity silicon hexachloride
DE1132901B (en) Process for the preparation of pyrophoric silicon and polysilicon halides
DE1035639B (en) Process for the production of trimethylol acetic acid
DE1069137B (en) Process for the preparation of acetic acid chlorides containing fluorine and chlorine
DE848810C (en) Process for the preparation of diisocyanates of the aromatic series
DE890645C (en) Process for the preparation of cyanuric halides ^
DE525087C (en) Process for converting chromates into bichromates
DE1932830C3 (en) Process for the preparation of N-bis-chlorocarbonylamines
DE1160409B (en) Process for the preparation of sulfuryl fluoride
DE1188302B (en) Process for uniform hardening of titanium sponge
DE1134973B (en) Process for the production of high purity silicon halides
DE370972C (en) Process for the production of oxalic acid
DE10338731B4 (en) A method for producing a (RO) (R'O) (R''O) M = O compound, thin film forming material, thin film and semiconductor element
DE2102264C3 (en) Process for the production of 2-chloroethanephosphonic acid dichloride
DE1203796B (en) Process for the production of monochloro-cyclocarbonates
AT280311B (en) Process for the preparation of alkyl or cycloalkyl tin halides
DE974625C (en) Process for the production of pure silicon
DE738398C (en) Process for the production of ª ‰ -chloropropionyl chloride or ª ‰ -chloro-ª ‡ -methylpropionyl chloride