DE890379C - Electrical body resistance - Google Patents

Electrical body resistance

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DE890379C
DE890379C DES17579D DES0017579D DE890379C DE 890379 C DE890379 C DE 890379C DE S17579 D DES17579 D DE S17579D DE S0017579 D DES0017579 D DE S0017579D DE 890379 C DE890379 C DE 890379C
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DE
Germany
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body resistance
resistance
conductor
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semiconductors
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Expired
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DES17579D
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German (de)
Inventor
Paul Dr Conrath
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Siemens Plania Werke AG
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Siemens Plania Werke AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/24Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

Elektrischer Körperwiderstand Die Erfindung bezieht sich auf Körperwi-de,rstände zur möglichst stufenlosen Regelung starker elektrischer Ströme @bzw. hoher Spann:ungen,, mit welchen Strom und Spannung auf verhältnismäßig nieidrige Werte in kürzester Zeit, z. B. in einer Millisekunde, geregelt werden sollen. Der Wi@dersta:nd nach der Erfindung soll in der Hauptsache bei Schailteinrich.tungen verwendet werden, welche zum oder Regeln von Gleich- und Wechselströmen dienen und bei welchen der .Schaltvorgang in kürzester Zeit ohne Störungen durchgeführt und insbesondere der Reststrom leicht unterbrochen werden muß. Es sollen ferner mit dem Körperwiderstand nach ,der Erfindung die Schaltungen so durchgeführt werden., daß keine Funken entstehen, und zwar auch dann nicht, wenn nicht der Körperwiderstand, sondern besondere, mit ihm verbundene Metallteile den Kontakt bilden.Body Electrical Resistance The invention relates to body resistance for the most infinitely variable control of strong electrical currents @ or. high tension: with which current and voltage to relatively low values in the shortest possible time Time, e.g. B. should be regulated in a millisecond. The w @ dersta: nd after the invention is to be used mainly in Schailteinrich.tungen, which serve or regulate direct and alternating currents and which the .Switching process carried out in the shortest possible time without malfunctions and in particular the Residual current must be easily interrupted. It should also deal with the body resistance according to the invention, the circuits are carried out so that no sparks arise, and not even if it is not the body resistance, but special ones Metal parts connected to it form the contact.

Dias am;gegebene Ziel wird nach der Erfindung dadurch erreicht, daß sich der Widerstand je Län#,-eneirihei@t des Körpers von einem Ende zum anderen fortschreitend, und zwar in der Weise ändert, daß den K:ärperwiderstand bildende Anteile von zwei oder mehreren: untereinander innig verbundanen Leiter-, Halbleiter- und Nichtleiterstoffen in einem vorher bestimmten, sich ändernden Verhältnis in dem Körperwiderstand enthalten sind. Die Änderung kann nach einer linearen oder auch nach einer anderen Funktion durchgeführt werden. Beispielsweise kann der spezifische Widerstandswert auf der einen Seite -des Körperwiderstandes 0;0z7 Ohm je Quadratmillimeter und Meter sein und .sich so verändern., daß er am anderen Ende des Köirperwi.derstandes 2.ooooO!hm je Quadratmillimeter und Meter erreicht.Dias at the given goal is achieved according to the invention in that the resistance varies depending on the length of the body from one end to the other progressively, and changes in such a way that the body resistance forms Shares of two or more: closely connected conductor, semiconductor and non-conductive materials in a predetermined, changing ratio in the body resistance are included. The change can be linear or can also be performed after another function. For example can be the specific resistance value on the one hand - the body resistance 0; 0z7 ohms per square millimeter and meter and change in such a way that it is at the other end of the body resistance 2.ooooO! hm per square millimeter and meter achieved.

Bei der Herstellung .des Widerstandslc"örpers kann :man erstens von Nichtleitern für das Bindegerippe ausgehen und die schilechtleitenden Anteile des Körperwiderstandes, nach der gutleitenden Seite .des Widerstandes hin betrachtet, mehr und mehr zurüäkdrärngen, indem man Halbleiter- und Leiteranteile erhöht. Man kann zweitenis aber auch Halbleiter von :sehr hohem spezifischem Widerstand für das Bindegerippe vorsehen und, von. der schlechtleitenden Seite des iWrperwi@ders.tande-s nasch dessen gutleitender Seite hin betrachtet, immer größer werdendeAnteile von immer besser leitenden Halbleiterteilchen, sogar vron Leiterteilchen, verwenden, wodurch sich in beiden Fä14en ein hoher Änderungsbereich des spezifischen Widerstandes zwischen den banden Enden des Wiidersbandskörpers ergilbt. Drittens kann !man aber auch von gutleitenden Massen a'l.s Bindegerippe aiusgehen und .die Anteile ,der Halbleiter und der Nichtleiter in der angegebenen Weise ändern.During the production of the resistor body: Non-conductors for the binding framework and the schilechtleitenden portions of the Body resistance, viewed from the conductive side of the resistance, push back more and more by increasing the proportion of semiconductors and conductors. Man but can also be used for semiconductors of: very high specific resistance for provide the binding frame and, from. the poorly conducting side of iWrperwi@ders.tande-s nasch looking at its good leading side, ever-increasing proportions of use increasingly better conductive semiconductor particles, even from conductor particles, As a result, there is a large range of change in the specific resistance in both cases yellowed between the tied ends of the body of the strap. Thirdly, you can! also go out of well-conducting masses a'l.s binding framework and .the portions that Change the semiconductor and the dielectric in the specified manner.

Körperwiderstände auf der Nschtleiteribasis, also mit Nichtleitern als Gerippe, können z. B-. erhalten werden, indem man Porzellanmassen. oder sonstige keramische Massen nimmst und 'beim Aufbau der WideT.standäformkörper dafür sorgt, daß z. B. beim Einführender Massen in die Forma der Gehalt der Masse an Graphit oder Metalilpul!ver ständig zunimmt. Der Formkörper hat dann nach dem hintern den .gewünschten, sich je I.;änageneinheit ändernden Widerstand. An Stelle des keramischen BimdegerÜstes kann man aber auch ein phenollharziartiges, vor allem halbverkoktes P.olypIast verwenden, d. h. zurr Auifbau des Farmkörpers <benutzt man Polyplasemischungen, bei,denen die Füllstioffiamteile und die Anteile an Leitern. oder HallMeitern geändert werden. Die Siintertemperaturen liegen gemäß der Erfindung über den normalen Härtetemperaturen, zwischen 40o uind z. B. 50o° C; dabei bekommen die Polyplastanteile einen halbkoksartigen G`harakter, bleiben aber noch Nichtleiter: Solche WiiderstandskÖnper können starke Ströme bewältigen und hohen thermischen Beanspruchungen standhalten, die normale Polyplastkörper nicht vertragen.Body resistances on the basis of Nschtleiterib, i.e. with non-conductors as a framework, z. B-. can be obtained by making porcelain masses. or other take ceramic bodies and ensure when assembling the WideT.standäformkörper, that z. B. when introducing the masses in the form, the content of the mass of graphite or metal powder increases steadily. The shaped body then has to the rear .desired resistance that changes per I.; length unit. Instead of the ceramic BimdegerÜstes can also be made of phenolic resin, especially semi-coked Use P.olypIast, d. H. for the construction of the farm body <one uses polyplase mixtures, in which the Füllstioffiamteile and the proportions of ladders. or Hall masters changed will. According to the invention, the sintering temperatures are above the normal hardening temperatures, between 40o and z. B. 50o ° C; the polyplast parts get a semi-coke-like appearance Character, but still remain non-conductors: Such resistance bodies can be strong Cope with currents and withstand high thermal loads that are normal Polyplast bodies not tolerated.

Der Körperwiderstand kannaher auch ohne nichtleitendes Traggerüst aufgebaut werden, indem man von der Sintereiägenschaft bestimmter Halbleiter, z. B. von Metalloxyden, Gebrauch macht. Dias eine Ende _des Formkörpers enthält dann `sehr schlechtleltende sinterfähilge Halbleiter, deren Anteile dann mehr und mehr .durch gutleitende nach dem anderen Ende hin. verändert werden, so daß sich nach. dem Sintern des Formkörpers der gewünschte Änderungsbereich des spezifischen Widerstandes ergibt.The body resistance can therefore also be achieved without a non-conductive support structure be built up by the sintering certain semiconductors such. B. of metal oxides, makes use. One end of the shaped body then contains Very poor sinterable semiconductors, their proportions then more and more .through well-conducting towards the other end. can be changed so that according to. the desired range of change of the specific resistance after sintering the shaped body results.

Ein Aus.führungsbeispiel eines elektrischen Körperwiderstandes nach der Erfindung ist in der Figur schematisch perspektivisch dargestellt: Die Figur zeigt einen prismatischen Widerstandskö,rper, .der in Richtung des Pfeiles i für .die angegebenen Zwecke dadurch benutzt wird, daß ein Kontaktkörper mit ihm in Berührung kommt, indem sich z. B. ein Schaltseä@iient auf seiner Oberfläche -abwälzt. Der Körperwiderstand hat metallisierte Stirnflächen 2 und 3, welche zum Anschluß von elektrischen Leitungen dienen, mit denen der Körperwiderstand in den -,zu regelnden Stromkreis eingeischaltet wird. Der Körperwiderstand besteht z. B. aus einem Nichtleiiterbindegerippe in Form von halbkoksartigem Polyplast und veränderlichen Anteilen vio.n Halbleitern, z. B. Graphit, und von Leiterteilchen, iz. B. Kupferpulver. Die einzelnen Stoffe sind in -dem Teil des Körperwiderstandes in der Nähe (der Stirnfläche 2, z. B. nach einer Zusammensetzung"d. h. in soelichen Anteilen enthalten, daß ein hoher Prozentsatz von Leitern bzw. Halib'-leitern vorhanden ist, so da@ß sich ein spezifischer Widerstand an dieser Stelle von z. B. ioo Ohm je Quadratmillimeter und Meter ergilbt. In .dem Maße, wie .man, sich dem anderen Ende des Körperwiiderstandes nähert, ändert -sich nun dass Verhältnis der Anteilei der einzelnen .Stoffe in der Weise, daß der Wert des spazifischen Widerstandes stetig steigt, und zwar .bis zu einemEndhvertvon z. B. i Megohm je Quadratmillimeter und Meter.An exemplary embodiment of an electrical body resistance according to the invention is shown schematically in perspective in the figure: The figure shows a prismatic resistance body, which in the direction of the arrow i for .The stated purposes is used in that a contact body is in contact with it comes by z. B. a Schaltseä @ iient -wälzt on its surface. Of the Body resistance has metallized end faces 2 and 3, which are used to connect electrical lines are used to regulate the body resistance in the - Circuit is switched on. The body resistance consists e.g. B. from a non-conductor frame in the form of semi-coke-like polyplast and variable proportions of semiconductors, z. B. graphite, and conductor particles, iz. B. copper powder. The individual substances are in the part of the body resistance in the vicinity (the end face 2, e.g. after of a composition "i.e. contained in proportions such as that in a high percentage of ladders or Halib'-ladders is available, so that there is a specific resistance at this point of z. B. yields 100 ohms per square millimeter and meter. By doing The extent to which one approaches the other end of the body resistance changes now that the proportion of the individual substances is such that the value the Pacific resistance rises steadily, up to an end of z. B. i megohms per square millimeter and meter.

Je nach ider dem Änderungsverhältnis zugrunde gelegten linearen oder Kurvenfunktion lassen sich Wiederstände mit .ganz belieb'ia@en Eigenschaften erzeuge n, wobei auch die zu ihrem Aufbau verwendeten Stioffe selbstiverstämdlich eine gewisse Rolle spielen. Man kann alle pulverförmigenLeiter, z-B. Metalle, und a:Ile ibekannten pulverförmigen Halbleiter, z. B. Metalloxyde, und Nichtleiter, wie z.. B. Tonerde, ibenutzen und als Gerippestoffe z. B. Polyplast oder vorverkokte-s Polyplast oder keTa.-mische Massen, wie z. B. Ton, verwenden.Depending on the linear or With the curve function, resistances with any number of properties can be generated n, whereby the substances used to build them up are self-evident Role-play. You can use all powdery conductors, e.g. Metals, and a: Ile are known powdery semiconductors, e.g. B. metal oxides, and non-conductors such as alumina, iben use and z. B. Polyplast or vorverkokte-s Polyplast or keTa.-mixed masses, such as B. Sound, use.

Claims (4)

PATENTANSPRÜCHE: i. Blektrischer Körperwiiderstand zur stufen-IlosenReg!elun g starker elektrischer Ströme bizw. hoher Spannungen, dadurch gekennzeichnet, @daß er ein: Mehrs.toffsystem darstellt, bestehend aus innig miteinander verbundenem Leiter-, Halbleiter- .und Nichtleitertei-Ichen, deren Anteile sich von einem Ende zum anderen nach einer bestimmten Funktion ändern, wodurch sich der gewünschte Änderungsverlauf -des spezifischen Widerstandes ergibt. PATENT CLAIMS: i. Bleeding body resistance for stepless regulation g strong electrical currents bizw. high voltages, characterized in that @ it represents a: multi-substance system, consisting of intimately connected Conductor, semiconductor and nonconductor parts, the parts of which extend from one end on the other hand, change according to a specific function, which results in the desired change process -of the specific resistance results. 2. KörperwIdens.tand nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß für -dessen Bindegerippe Nichtleiter dienen und daß die schlecht-,leitenden Anteile, nach der giut!leitenden Seife des Körperwiderstandes hin betrachtet, mehr und mehr zu Gunsten der Halbleiter- undLeiterteiiIchen zurücktreten. 2. KörperwIdens.tand according to claim i, characterized characterized that non-conductors are used for its binding framework and that the poor, conductive ones Proportions, viewed from the point of view of the good conductive soap of body resistance, more and withdraw more in favor of the semiconductor and conductor parts. 3. KörperwHerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Nichtleiterbindegerippe halbverkoktes Polyplast verwendet wird. 3. Body resistance according to claim 2, characterized in that half-coked as a non-conductor binding frame Polyplast is used. 4. Körpenwsders.tand nach Anspruch i, da-,durch gekennzeichnet, daß für dessen Bindegerippe Halbleiter reit sehr hohem spezifischem Widerstand benutzt sind und daß., von der schlechtleitenden Seite ödes Kärperwiderstanides nach dessen gutleitender Seite hin betrachtet, immer größer -,verdende Anteile von immer besser leitenden Halbleibern bzw. Leitern benutzt werden, so daß sich ein hoher Änderungsbereich. des spezifischen Widerstandes zwischen den beiden Enden des Körperwiderstandes ergibt. Körperwitderstand nach Anspruch z, id.adurch gekennzeichnet, !daß für das Körperwider-@staüdsigerippe gutleitende Teinchen verwendet werden und daß die Anteile der Halbleiter und Nichtheiter in der Weise geändert werden, daß, von der gutleitenden Seite des Körperwi,derstandes nach der schlechtleitenden Seite hin ,betrachtet, invmer größer werdende Anteile von schlechter leitenden Haäbleitern bzw. von Nichtleiterteilchen verwendet werden. 6. Körperwiderstand. nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, daß seine Anschtlußenden metallisiert sinid.4. Körpenwsders.tand according to claim i, characterized by, that for its binding framework semiconductors is very specific resistance are used and that., from the poorly conducting side, desolate Kärperwiderstanides viewed from its good guiding side, always greater -, increasing proportions of ever better conductive semi-conductors or ladders are used, so that a high change range. the resistivity between the two ends of the body resistance results. Body resistance according to claim z, id. Characterized in that ! that for the body resistance @ staüdsigerippe well-conducting squares are used and that the proportions of semiconductors and non-heaters are changed in such a way that, from the good conducting side of the body, the position on the badly conducting side towards, considered, the ever-increasing proportions of less conductive semiconductors or are used by non-conductor particles. 6. Body resistance. according to claim r, characterized in that its connection ends are metallized.
DES17579D 1939-06-28 1939-06-28 Electrical body resistance Expired DE890379C (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2426348A1 (en) * 1973-05-30 1974-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd OVER TEMPERATURE AND OVERCURRENT RESISTANCE FUSE

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2426348A1 (en) * 1973-05-30 1974-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd OVER TEMPERATURE AND OVERCURRENT RESISTANCE FUSE

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