DE887380C - Electrode system with asymmetrical conductivity - Google Patents

Electrode system with asymmetrical conductivity

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DE887380C
DE887380C DES12443D DES0012443D DE887380C DE 887380 C DE887380 C DE 887380C DE S12443 D DES12443 D DE S12443D DE S0012443 D DES0012443 D DE S0012443D DE 887380 C DE887380 C DE 887380C
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Heinrich Dr Hinterberger
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Siemens AG
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Description

Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit Die Erfindung betrifft ein Elektrodensystem aus mindestens zwei Elektroden, von denen. die eine die andere jeweils nur auf engen Flächenbereichen: berührt, vorzugsweise ein Elektrodensys,tem von unsymmetrischer Leitfähigkeit. Gemäß der Erfindung besteht--das Elektrodensysten aus mindestens einem leitenden Körper, vorzugsweisse einem Metallkörper, der d::e eine Elektrode bildet und -auf einem mehr oder weniger großen Teil seiner Länge von einem Isolierkörper festumschlossen ist, der mit wenigstens einer Querfläche, an der auch der leitendes Körper mit einem kleinen Querschnitt endigt, an eine beispielsweise pulverförmige oder aufgedampfte halbleitende Masse angrenzt, welche mit einer Ableitung versehen isst und die zweite Elektrode bildet. Durch diesen Aufbau wird nicht nur die Herstellung des Elektrodensystenms vereinfacht, sondern vor allem eine überraschend gleichmäßige uinveränderliche Wirkung der Elektrodenkombinau!an ;erzielt.Electrode system with asymmetrical conductivity The invention relates to an electrode system consisting of at least two electrodes, one of which. one the other only in narrow areas: touched, preferably an electrode system of asymmetrical conductivity. According to the invention there is - the electrode system of at least one conductive body, preferably a metal body, the d :: e an electrode forms and over a more or less large part of its length is firmly enclosed by an insulating body with at least one transverse surface, at which the conductive body ends with a small cross-section, for example powdery or vapor-deposited semiconducting mass adjoins which with a derivation provided eats and forms the second electrode. This structure will not only the manufacture of the electrode system is simplified, but above all a surprising one uniform, invariable effect of the combination of electrodes is achieved.

Besonders vorteilhaft wirkt sich di!e letztere Tatsache dann aus, wenn das Elektrodensystem nach der Erfindung für die Herstellung von Detektoren verwendet wird. Die praktische Verwendung der bekannten Detektoren leidet im allgemeinen unter der Notwendigkeit der oftmaligen Nachstellung der Elektroden,. Eine solche Nachstellung wird; bei Ver-"verndung eines Systems nach .der Erfindung praktisch völlig überflüssig, es hat sich vielmehr gewägt, daß nach einmaligem Zusammenbau der Elektroden ein klagloser Dauerbetrieb ohne jeden weiteren Handgriff möglich ist, wobei sich außerdem .noch eine vorzügliche Detektorwirk.ung ergibt.The latter fact is particularly advantageous if when the electrode system according to the invention for the manufacture of detectors is used. The practical use of the known detectors generally suffers with the necessity of frequent readjustment of the electrodes. Such Reenactment will; practical when connecting a system according to the invention completely superfluous, it has rather weighed that after a one-time assembly of the electrodes a complaint-free continuous operation without anyone another handle is possible, and there is also an excellent detector effect.

Einei Detektor, der nach dem Grundgedanken der Erfindung aufgebaut ist, zeigt Fig. i. Die ene Elektrode besteht aus dem dünnen Draht i (es können natürlich auch mehrere solcher Drähte vorhanden sei), der in einen Stab 2 aus Glas oder.. einem anderen verschmelzbaren Isolierstoff e-ngeg ossen ist. Das Glas kann natürlich auch durch einten anderen Isolator ersetzt werden. Die Stirnfläche 3 des Isolierkörpers ist ,abgeschliffen, vorzugswaisie poliert. An sie grenzt ewne Masse 4, die vorzugsweise aus ,gepulvertem Halbleitermaterial, beispielsweise Bleisulfid, besteht. Diese Masse bildet die zweite Elektrode und wird durch den Stempel 5 gegen, die Stirnfläche 3 gepreßt. An der Stelle 6 kommt eine verläßliche punktförmige Berührung zwischen der Elektrode i und der ;anderen, H:albleitermiasse zustande. Das ganze System ist vorzugsweise in ein gegebenenfalls evaku-erhes Isolierrohr 7 eingeschlossen.A detector which is constructed according to the basic concept of the invention is shown in FIG. The ene electrode consists of the thin wire i (there can of course also be several such wires) which is cast into a rod 2 made of glass or some other fusible insulating material. The glass can of course also be replaced by another insulator. The end face 3 of the insulating body is ground, preferably polished. Adjacent to them is a mass 4, which preferably consists of powdered semiconductor material, for example lead sulfide. This mass forms the second electrode and is pressed against the end face 3 by the punch 5. At the point 6 there is a reliable point-like contact between the electrode i and the other, H: albleitermiasse. The entire system is preferably enclosed in an insulating tube 7 that may be evacuated.

Um die Detektorwirkung zu verstärken, kann man gemäß Füg. 2 mehrere Elektrpdiensysteme nach der Erfindung hintereinan@ders,chalten. Bei dem Ausführungsbeispiel nach dieser nagur sibid- in dem Rohr 7 sechs Systeme untergebracht. Die Spitzenelektrode jedes Systems, z. B. in der Figur die Elektrode 9, steht über eine Zwischenplatte io mit der Masseelektroide 8 dies folgenden Systems in leihender Verbindung. Den Abs@chluß des Ganzen bildet ,auf der einen Seihe der Stempel i i, ;auf der anderen Seite die Spitzenielektroide 12. Die Anordnung nasch Fig. 2 eignet sich besonders für hohe Spannungen.In order to increase the detector effect, one can according to Füg. 2 several Electrode systems according to the invention one behind the other, switching. In the embodiment According to this nagur sibid, six systems are housed in the pipe 7. The tip electrode any system, e.g. B. in the figure, the electrode 9, is on an intermediate plate io with the ground electrode 8 of this following system in borrowing connection. The The conclusion of the whole is formed by the stamp i i,; on the other The tip electroids 12. The arrangement shown in FIG. 2 is particularly suitable for high voltages.

Will man .größere Ströme durch den Detektor leiten, dann empfiehlt es .sich, statt eines Drahtes mehrere Drähte in dem Isolierkörper (2 in Fig. I) unterzubringen. Die Anwendung dieser Maßnahme ist besonders bei Anordnungen mit mehreren hintereinandergeschalteten Systemen empfehlenswert.If you want to pass larger currents through the detector, then it is recommended it .sich, instead of one wire, several wires in the insulating body (2 in Fig. I) accommodate. The application of this measure is particularly with arrangements with several systems connected in series are recommended.

Eine andere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung zeigt Fig.3. Bei: dieser ist in einem Rohr 13 ein Isolierkörper (Glaskörper) 16 angebracht, der von einem feinen Draht 17 durchzogen ist, der ,genau an den Endflächen 18 und i 9 des Isolierkörpers 16 endet. Zu beiden Seiten des Isolierkörpers befinden sich Halbleitermassen 20 .und 21, die Durch die Metallstempel 14 und i i gegen den Isolierkörper gepreßt werden. Die eine der beiden Massen 20 und 21 besteht aus einen, Halbleiter, der dadurch gekennzeichnet ist, da.ß an der Berührungsstelle zwischen dem: Halbleiter und dem Spitzenkontakt ein. Elektronenstrom praktisch nur in den Halbleiter hineinfießen kann (z. B. überschwefeltes Bleisulfid), während die andere der beiden Massen aus einem Halbleiter besteht, der in Berührung mit dem Metall einen merklichen Elektrenenstrom gerade .nur in. umgekehrter Richtung zuläßt (z. B. aus käuflichem Bleisulfid). Dadurch gelingt es, die Sperrspannung zu erhöhen.Another advantageous embodiment of the invention is shown in FIG. In: this an insulating body (glass body) 16 is attached in a tube 13, the is traversed by a fine wire 17, which, exactly at the end faces 18 and i 9 of the insulating body 16 ends. There are on both sides of the insulator Semiconductor masses 20. And 21, which through the metal stamp 14 and i i against the insulating body be pressed. One of the two masses 20 and 21 consists of a, semiconductor, which is characterized in that at the point of contact between the: semiconductor and the top contact. Electron stream practically only flows into the semiconductor can (e.g. sulphurized lead sulphide), while the other of the two masses consists of consists of a semiconductor which, in contact with the metal, generates a noticeable current of electrons straight only in the opposite direction (e.g. from commercially available lead sulfide). Through this succeeds in increasing the reverse voltage.

Der Erfindungsgedanke ist natürlich nicht nur auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele, soindtrn in allen den Fällen ,anwendbar, in welchen es sich darum handelt, eine punktförmige Berührung zwischen zwei Leitern bzw. Leiter und Halbleiter zu erzielen.The inventive idea is of course not limited to the ones described Embodiments, shouldtrn in all cases, applicable in which it is it is about a point-like contact between two conductors or conductors and To achieve semiconductors.

Claims (9)

PATENTANSPRÜCHE: i. Elektrodensystem aus min; d,estens zwei Elektroden, von denen die eine .die andere jeweils nur auf einem engen Flächenbereich berührt, vorzugsweise Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit, gekennzeichnet .durch mindestens einen leitenden Körper, vorzwgsweisie aus Metall, der die eine Elektrode bildet und. auf einem mehr oder weniger großen Teil seiner Länge von einem Isolierkörper fest umschlossen. ist, der mit wenigstens .einer Querfläche, ,an .der alwch der leitende Körper mit einem kleinen Querschnitt @endigt, ein eine vorzugsweise lialbIeitende Masse angrenzt, welche mit ,einer Ableitung versehen ist -und die zweite Elektrode bildet. PATENT CLAIMS: i. Electrode system from min; d, at least two electrodes, one of which only touches the other in a narrow area, preferably an electrode system with asymmetrical conductivity .by at least one conductive body, preferably made of metal, which the one Electrode forms and. over a more or less large part of its length by one Insulator tightly enclosed. is the one with at least .one transverse surface,, on .the alwhich the conductive body ends with a small cross-section, a preferably one conduction mass adjoins, which is provided with a derivative - and the second electrode forms. 2.' System -nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, (daß als leitende Körper innerhalb des Isolierkörpers ein oder mehrere dünne Metalldrähte .vorgesehen sind. 2. ' System -according to claim i, characterized in that (that one or more thin metal wires as a conductive body within the insulating body .are provided. 3. System nach Anspruch i bzw. 2, dadurch gekennzeichnet, idaß die dünnem leitenden Körper, z. B. .Metalldrähte, in einen Glaskörper oder Körperaus @ähnlichem verschmelzbarem Material eingeschmolzen sind. 3. System according to claim i or 2, characterized in that idaß the thin conductive bodies, e.g. Metal wires, into a glass body or body @ similar fusible material are melted down. 4. System nach Anspruch i, 2 icader 3, idIadurch gekennzeichnet, daß der Isolierkörper, z. B. Glaskörper, der den; bzw. die leitenden Körper der einen Elektrode umschließt, ,axi der bzw. den EnldRächen abgeschliffen ist, derart, daß die S.chlidf$fläch,e des Isolierkörpers die Endflächen ,der leitenden Körper enthält. 4. System according to claim i, 2 icader 3, idI characterized in that the insulating body, e.g. B. Glass body, of the; or encloses the conductive body of one electrode, axi the or the end surfaces is ground off in such a way that the sliding surface of the insulating body the end face, which contains conductive bodies. 5. System nach Anspruch i und einem oder mehreren. .der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß .die an den Isolierkörper angrenzende Masse raus einem gepulverten Halbleiter, insbesondere aus einer Metallverbinldung, z. B. Zinkoxyd ioder Bleisulfid, besteht. 5. System according to claim i and one or more. .of the following claims, characterized in that .the Insulating body adjoining mass out of a powdered semiconductor, in particular from a metal compound, e.g. B. zinc oxide ioder lead sulfide. 6. System nach Anspruch i und einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 4, dadurch ge" kennzeichnet, da:ß die an den Isollerkörper angrenzende Halbleitermusse ;auf diesen aufgedampft ist. . 6. System according to claim i and one or more of claims 2 to 4, characterized in that " da: ß the semiconductor must adjoining the insulating body; vapor-deposited onto it is. . System nach Anspruch i oder einem bzw. mehreren der folgenden Ansprüche, .dadurch gekennzeiicbiiet, daß dar stebförmige, die eine Elektrode -umschließende Isiolierkörper . in einer gegebenenfalls evakuierten. rohrförmigen; Hülse steckt wund @daß die die zweite Elektrode bildende Masse durch den Isolierkörper ;und durch einen von der anderen Seite in die Hülse eiugeführten Stempel unter Druck gehalten wird. B. System according to claim i or one or more of the following claims, .by the fact that it is rod-shaped, which encloses an electrode Insulating body. in a possibly evacuated. tubular; Sleeve is in place sore @ that the mass forming the second electrode passes through the insulating body; and through a plunger introduced into the sleeve from the other side is kept under pressure will. B. Hintereinanderschaltung mehrerer Systeme nach Anspruch i. Series connection of several systems according to claim i. 9. System nach Anspruch i und 8, dadurch gekennzeichnet, @daß innerhalb einer rohrförmigen Hülle .abwechselnd Elektroiden aas von Isolierkörpern umschlossenen Leitern (9), _nsbesondere Drähten und Elektroden aus Halbleztermaterial (8), hintereinander angeordnet sind, wobei die Spitzenelektrode (9) jedes Systems über eine Zwischenplatte (io) mit der Masseelektrode (8) des folgenden Systems verbunden ist. io. System nach Anspruch i und einem oder mehreren,der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß beiderseits vors einer von einem Isolierkörper umschlossenien Elektroide Halbleitermassen mit Stromableitungen angebracht sind, deren eine .aus einem Halbleitermaterial mit der bevorzugten Elektr.onenflußrichtung von der Spitze nach dem Halbleiter, die ,adere aus einem Halbleitermaterial mit umgekehrter Elektronenflußrichtung besteht. i i. Verwendung eines Systems nach Anspruch i oder :einem bzw. mehreren der folgenden Ansprüche als Detektor. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 654916, 684446.9. System according to Claims i and 8, characterized in that within a tubular casing . Alternating electroids aas of insulating bodies enclosed ladders (9), especially wires and electrodes made of semi-conductor material (8), one behind the other are arranged, the tip electrode (9) of each system via an intermediate plate (io) is connected to the ground electrode (8) of the following system. ok system according to claim i and one or more of the following claims, characterized in that that on both sides in front of an electroids enclosed by an insulating body with current conductors are attached, one of which. Made of a semiconductor material with the preferred direction of electron flow from the tip to the semiconductor, the , wire consists of a semiconductor material with reverse electron flow direction. i i. Use of a system according to claim i or: one or more of the following Claims as a detector. Attached publications: German patent specifications No. 654916, 684446.
DES12443D 1941-02-13 1941-02-14 Electrode system with asymmetrical conductivity Expired DE887380C (en)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE654916C (en) * 1935-07-29 1938-01-04 Philips Patentverwaltung Electrode system for rectifying or controlling high or medium frequency electrical oscillations
DE684446C (en) * 1936-06-14 1939-11-28 Aeg Method of manufacturing dry plate rectifiers

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