DE654916C - Electrode system for rectifying or controlling high or medium frequency electrical oscillations - Google Patents
Electrode system for rectifying or controlling high or medium frequency electrical oscillationsInfo
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D19/00—Regenerative heat-exchange apparatus in which the intermediate heat-transfer medium or body is moved successively into contact with each heat-exchange medium
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- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D19/00—Regenerative heat-exchange apparatus in which the intermediate heat-transfer medium or body is moved successively into contact with each heat-exchange medium
- F28D19/04—Regenerative heat-exchange apparatus in which the intermediate heat-transfer medium or body is moved successively into contact with each heat-exchange medium using rigid bodies, e.g. mounted on a movable carrier
- F28D19/047—Sealing means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
Elektrodensystem zum Gleichrichten oder Steuern hoch- oder mittelfrequenter - elektrischer Schwingungen Die Erfindung bezieht sich auf ein Elektrodensystem zum Gleichrichten oder Steuern hoch- oder mittelfrequenter elektrischer Schwingungen, bei dem die positive und negative Elektrode aus Stoffen mit gegenseitig stark verschiedenem Emissionsvermögen bestehen, die durch eine feste Isolierschicht getrennt sind.Electrode system for rectifying or controlling high or medium frequencies - electrical vibrations The invention relates to an electrode system for rectifying or controlling high or medium frequency electrical vibrations, in which the positive and negative electrodes are made up of substances that are very different from one another Emissivities exist, which are separated by a solid insulating layer.
Es ist bereits bekannt, auf einer als Stromzuführungsleiter in einem Cuprooxyddetektor benutzten Graphitschicht einen kegligen Bleikontakt anzubringen. Die Kapazität wird in diesem Fall durch die Oberfläche der unter dem Bleikegel vorhandenen Graphitschicht bedingt. Eine reproduzierbare kleine Oberfläche läßt sich mit einer solchen Schicht aber sehr schwer erzielen.It is already known on one as a power supply conductor in one Cuprooxide detector used a graphite layer to attach a conical lead contact. The capacity in this case is determined by the surface of the lead under the lead cone Graphite layer conditional. A reproducible small surface can be achieved with a but it is very difficult to achieve such a layer.
Ferner ist es bekannt, einen Kristall als Detektor zu verwenden. Ein Kristalldetektor hat aber nur an einem oder einigen beliebigen Punkten der Kristalloberfläche eine gleichrichtende Wirkung, und zwar dort, wo auf der Oberfläche eine Sperrhaut, und zwar solcher Stärke vorhanden ist, daß deren Widerstand einen nicht zu hohen Wert hat und der. angelegten gleichzurichtenden Spannung entspricht. Um einen Kristall als Detektor verwenden zu können, muß man also mit einem spitzen Metallkontakt die Kristalloberfläche so lange abtasten, bis ein Punkt mit gleichrichtender Wirkung ermittelt worden ist. In diesem Fall ist also zwar eine kleine Kontaktfläche, nämlich die der gutleitenden Elektrode auf der Sperrschicht vorhanden, aber die Sperrschichtstärke ist nicht exakt und reproduzierbar festzulegen, so daß die Kapazität eines solchen Detektors durchaus nicht kontrollierbar ist.It is also known to use a crystal as a detector. A However, the crystal detector only has one or a few arbitrary points on the crystal surface a rectifying effect, namely where there is a barrier skin on the surface, and indeed there is such strength that its resistance is not too high Has value and the. applied voltage to be rectified. To a crystal To be able to use it as a detector, you have to use a sharp metal contact with the Scan the crystal surface until a point with a rectifying effect has been determined. In this case there is indeed a small contact area, namely that of the highly conductive electrode is present on the barrier layer, but the barrier layer thickness cannot be specified exactly and reproducibly, so that the capacity of such a Detector is by no means controllable.
Gegenstand der Erfindung ist ein Elektrodensystem mit einer geringen und reproduzierbaren Eigenkapazität. Dies ist nämlich von ganz großer Bedeutung bei als Detektor oder als Steuerorgan für Hoch- oder Mittelfrequenzschwingungen verwendeten Elektrodensystemen.The invention is an electrode system with a low and reproducible self-capacitance. This is because this is very important as a detector or as a control element for high or medium frequency vibrations electrode systems used.
Es übt ja die Eigenkapazität eines solchen Systems einen bestimmten Einfluß auf einen die Zelle enthaltenden Kreis aus. Zur Erzielung der günstigsten Wirkung in einem solchen Kreis werden. beim Entwurf desselben bestimmte Maßnahmen getroffen. Sollten nun die verschiedenen Zellen gegeneinander eine verschiedene Eigenkapazität haben, so würden ungeachtet gewisser Maßnahmen diese sich trotzdem nicht geltend machen können, wenn die ursprüngliche dem Kreis angepaßte Zelle durch eine andere ersetzt werden sollte.The inherent capacity of such a system exercises a certain amount Influence on a circle containing the cell. To achieve the cheapest To be effective in such a circle. when designing the same certain measures met. The different cells should now be different from each other Have their own capacity, regardless of certain measures, they would still be can not assert if the original cell adapted to the circle by another should be replaced.
Die Kapazität wird unter anderem durch die Stärke der zwischen den Elektroden beflndlichen Sperrhaut bedingt. Diese liegt in den oben beschriebenen Systemen vollkommen fest, da sie gesondert angeordnet ist, und nicht wie bei Cuprooxyddetektoren aus. dem Grundmetall Kupfer gleichzeitig mit dem Halbleiter bei Oxydation wächst.The capacity is determined, among other things, by the strength of the between the Flare electrodes Conditional barrier skin. This is in the above systems described completely fixed, since it is arranged separately, and not as with cuprooxide detectors. the base metal copper at the same time as the semiconductor grows with oxidation.
Es gibt aber in einem Elektrodensystem' noch andere die Kapazität beeinflussende Faktoren, nämlich die Oberfläche der gut emittierenden Elektrode, und die Oberfläche des Stromzuführungsleiters für den Halbleiter.But there are other capacities in an electrode system influencing factors, namely the surface of the well-emitting electrode, and the surface of the power supply conductor for the semiconductor.
Man hat daher bereits bei solchen Systemen, nach Art der Kristalldetektoren einem der die Kapazität beeinflussenden leitenden Teile am Kontaktende einen geringen Querschnitt gegeben, d. h. zugespitzt. Diese Ausgestaltung bringt aber mancherlei Nachteile mit sich, insbesondere da die Spitze leicht in die Unterlage eindringen oder diese beschädigen kann. Auch die richtige Anordnung der Spitze macht Schwierigkeiten.One has therefore already with such systems, like the crystal detectors one of the conductive parts influencing the capacitance at the end of the contact Given cross-section, d. H. pointed. But this configuration brings a lot There are disadvantages, especially since the tip easily penetrates the substrate or damage them. The correct arrangement of the tip is also difficult.
Nach der Erfindung werden diese Nachteile dadurch behoben, daß das spitze Ende von einer Isoliermasse umgeben wird, die in der Ebene des Kontaktendes einen Querschnitt hat, dessen Oberfläche vielmals größer als die des Kontaktendes ist.According to the invention, these disadvantages are eliminated in that the pointed end is surrounded by an insulating compound in the plane of the contact end has a cross-section whose surface area is many times larger than that of the contact end is.
Das Ende des Leiters wird bei einer günstigen Ausführungsform keglig ausgebildet, wobei der Gipfel abgeplattet ist, so daß eine flache Oberfläche entsteht, die als Kontakt verwendet wird. Diese Oberfläche kann an Hand einer für ein, solches Elektrodensystem anzugebenden Eigenkapazität vorher bestimmt werden.In a favorable embodiment, the end of the conductor is conical formed, with the summit flattened, so that a flat surface is created, which is used as a contact. This surface can be on hand one for one such Electrode system to be specified self-capacitance to be determined beforehand.
Es ist ersichtlich, daß auf diese Weise eine gute elektrische Verbindung erhalten wird, während keine Gefahr besteht, daß der Gipfel des z. B. kegligen Leiters, der zweckmäßig eine geringe 0,25 mm' nicht übersteigende Oberfläche hat, durch die dünne halbleitende Schicht oder gegebenenfalls durch die Sperrschicht hindurchgedrückt wird, wodurch Kurzschluß im System herbeigeführt werden würde.It can be seen that in this way a good electrical connection is obtained while there is no risk of the summit of e.g. B. conical conductor, which expediently has a small 0.25 mm 'not exceeding surface, is pushed through the thin semiconducting layer or optionally through the barrier layer, whereby a short circuit would be brought about in the system.
Die Schwierigkeit, daß ein Kegel mit einer solchen kleinen Oberfläche auf der Fläche des Halbleiters ohne weiteres nicht aufrechterhalten werden kann, wird weiter durch die von der umhüllenden Isoliermasse gebildete große Grundfläche behoben. In einer günstigen Ausführungsform besteht dieser Stoff aus Kompound.The difficulty of having a cone with such a small surface area cannot be easily maintained on the surface of the semiconductor, is further through the large base area formed by the enveloping insulating compound Fixed. In a favorable embodiment, this material consists of a compound.
Es ist aber vorteilhaft, nicht nur den Kontakt einzugießen, sondern auch das ganze Elektrodensystem mit einer Gußmasse zu umgeben, wodurch das Ganze mechanisch fester wird.However, it is advantageous not only to pour in the contact, but also also to surround the entire electrode system with a casting compound, thereby making the whole thing becomes mechanically stronger.
Es folgt ein Herstellungsbeispiel eines Elektrodensystems nach der Erfindung, bei dem als Halbleiter Selen verwendet wird. Als Halbleiter i ist Selen gewählt, das in flüssigem Zustand auf einen z. B. aus Messing bestehenden Metallträger 2 aufgebracht wird, der gleichzeitig als Stromzuführungs-,Ieiter für das Selen verwendet wird, das bis zix einer Stärke von etwa 0,03 mm flach ausgestrichen wird. Der Träger mit dem Selen wird in einem. Ofen während 2 bis 24. Stunden auf ungefähr Zoo' C erhitzt, um das Selen in die leitende kristallinische Modifikation überzuführen. Auf dem Selen wird eine z. B. aus Polystyrol bestehende Sperrschicht 3 bis zu einer Stärke von 5 ic angebracht.The following is a production example of an electrode system according to the invention in which selenium is used as a semiconductor. Selenium is selected as the semiconductor i. B. made of brass metal carrier 2 is applied, which is also used as a power supply, Ileiter for the selenium, which is spread flat to a thickness of about 0.03 mm. The carrier with the selenium is in one. Oven heated to about Zoo'C for 2 to 24 hours to convert the selenium to the conductive crystalline modification. On the selenium a z. B. made of polystyrene barrier layer 3 up to a thickness of 5 ic attached.
Die gutleitende Elektrode, die aus einem Eisenstab q. mit einem an der Unterseite endigenden Kontakt von 0,25 mm2 bestehen kann, befindet sich in einem kubusförmigen oder zylindrischen Körper 5 aus Polystyrol oder Kompound, jedenfalls aus Isolierstoff, dessen untere Fläche in gleicher Höhe wie die Kontaktfläche 6 liegt. Das Ganze wird auf der Sperrschicht 3 derart angeordnet, daß die Isolierhülle. 5 an die Sperrschicht 3 festgeklebt wird.The highly conductive electrode, which consists of an iron rod q. with a contact of 0.25 mm2 ending at the bottom is located in a cube-shaped or cylindrical body 5 made of polystyrene or compound, in any case made of insulating material, the lower surface of which is at the same height as the contact surface 6. The whole is arranged on the barrier layer 3 in such a way that the insulating sleeve. 5 is glued to the barrier layer 3.
Es gibt im Rahmen der Erfindung noch andere Ausführungsformen unter anderem mit mehr als zwei Elektroden, z. B. Dreielektrodensysteme.There are other embodiments within the scope of the invention others with more than two electrodes, e.g. B. Three-electrode systems.
Ferner ist es möglich, das ganze in der Zeichnung dargestellte System außerdem mit einer Isolierhaut zu umgeben, wodurch es frei von äußeren mechanischen und atmosphärischen Einflüssen ist, und wodurch außerdem die Stromzuführungsdrähte an den Schweißstellen der Elektroden in viel geringerem Maße mechanisch beansprucht «-erden.It is also possible to use the entire system shown in the drawing also to be surrounded with an insulating skin, making it free from external mechanical and atmospheric influences, and thereby also the power supply wires mechanically stressed to a much lesser extent at the welding points of the electrodes "-earth.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEN38435D DE654916C (en) | 1935-07-29 | 1935-08-01 | Electrode system for rectifying or controlling high or medium frequency electrical oscillations |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE462579X | 1935-07-29 | ||
DEN38435D DE654916C (en) | 1935-07-29 | 1935-08-01 | Electrode system for rectifying or controlling high or medium frequency electrical oscillations |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE654916C true DE654916C (en) | 1938-01-04 |
Family
ID=25943987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN38435D Expired DE654916C (en) | 1935-07-29 | 1935-08-01 | Electrode system for rectifying or controlling high or medium frequency electrical oscillations |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE654916C (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE887380C (en) * | 1941-02-13 | 1953-08-24 | Siemens Ag | Electrode system with asymmetrical conductivity |
DE924997C (en) * | 1948-10-01 | 1955-03-10 | Siemens Ag | Director |
DE960915C (en) * | 1953-03-03 | 1957-03-28 | Licentia Gmbh | Modulator made up of dry rectifier elements |
-
1935
- 1935-08-01 DE DEN38435D patent/DE654916C/en not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE887380C (en) * | 1941-02-13 | 1953-08-24 | Siemens Ag | Electrode system with asymmetrical conductivity |
DE924997C (en) * | 1948-10-01 | 1955-03-10 | Siemens Ag | Director |
DE960915C (en) * | 1953-03-03 | 1957-03-28 | Licentia Gmbh | Modulator made up of dry rectifier elements |
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