DE887241C - Dry rectifier with a semiconductor that carries the barrier layer on the side facing away from the carrier electrode and process for its production - Google Patents

Dry rectifier with a semiconductor that carries the barrier layer on the side facing away from the carrier electrode and process for its production

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DE887241C
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Fritz Dr Phil Brunke
Werner Dr Phil Koch
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Description

Trockengleichrichter mit einem Halbleiter, der die Sperrschicht auf der der Trägerelektrode abgekehrten Seite trägt und Verfahren zu seiner Herstellung Das Patent 720 445 betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern vom Selentyp mit einer Leichtmetallträgerelektrode, in deren oberflächliche Oxydhaut zur Beseitigung von deren Sperrwirkung ein Metall eingelagert ist, indem die Elektrode kurze Zeit im Vakuum dem Atom- oder Dampfstrahl des betreffenden Metalls ausgesetzt wird. Gegenstand der Erfindung ist nun ein Trockengleichrichter vom Selentyp nach dem Hauptpatent, der sich dadurch auszeichnet, daß er besonders einfach herzustellen ist. Versuche haben nämlich gezeigt, daß sich für die Einlagerung besonders gut Kohlenstoff eignet, der wegen seiner guten metallischen Leitfähigkeit wie ein Metall wirkt. Nach der Erfindung bestehen also die in die Oxydhaut eingelagerten und sie einfärbenden Teilchen aus Kohlenstoff.Dry rectifier with a semiconductor that forms the barrier layer the side facing away from the carrier electrode and process for its production The 720,445 patent relates to a method of manufacturing dry-type rectifiers of the selenium type with a light metal carrier electrode, in its superficial oxide skin to remove their blocking effect, a metal is embedded by the electrode briefly exposed to the atomic or steam jet of the metal in question in a vacuum will. The invention now relates to a dry rectifier of the selenium type the main patent, which is characterized by the fact that it is particularly easy to manufacture is. Tests have shown that it is particularly good for storage Carbon is suitable, because of its good metallic conductivity like a metal works. According to the invention, there are those embedded in the oxide skin and they coloring particles of carbon.

Es ist zwar bekannt, Kohlenstoff als Unterlage für die Selenschicht bzw. als Zwischenlage zwischen dieser und der Trägerelektrode zu verwenden. Bei dein bekannten Gleichrichtern handelte es sich aber um eine starke Unterlage, die sich entweder selbst trug, oder aber, bei Auflagerung auf die Trägerelektrode, so dick bemessen war, daß sie eine Verbindung des Selens mit Elektrodenmetall mit Sicherheit verhinderte. Das Metall wirkte dort in der Tat dann nicht mehr als Elektrode, sondern nur noch als Träger, der den Kohleüberzug mechanisch stützte. Dabei sollte durch den Kohleüberzug die Haftfähigkeit des Selens auf der Unterlage verbessert werden.It is known that carbon is used as a substrate for the selenium layer or to be used as an intermediate layer between this and the carrier electrode. at your known rectifiers but it was a strong base, the either carried itself, or, if it was placed on the carrier electrode, like this that was thick they combine selenium with electrode metal certainly prevented. In fact, the metal no longer worked there Electrode, but only as a carrier that mechanically supported the carbon coating. The carbon coating should make the selenium stick to the substrate be improved.

Ferner war es bei Kupferoxydulzellen, bei denen die Sperrschicht zwischen der Trägerelektrode und der Halbleiterschicht liegt, bekannt, eine zusammenhängende Kohleschicht auf der der Trägerelektrode abgewandten Fläche des Halbleiters anzuordnen, um einen so guten Kontakt mit dem Halbleiter herzustellen, daß ein Andrücken der sogenannten Gegenelektrode unnötig wird. Mit der der Erfindung zugrunde liegenden Aufgabe, ein leicht oxydables Leichtmetall als Trägerelektrode für eine Selenschicht geeignet. zu machen, hat jene bekannte Anordnung nichts zu tun.Furthermore, it was in the case of copper oxide cells, in which the barrier layer was between the carrier electrode and the semiconductor layer is known to be a contiguous one To arrange the carbon layer on the surface of the semiconductor facing away from the carrier electrode, to make such a good contact with the semiconductor that pressing the so-called counter electrode becomes unnecessary. With the underlying of the invention Task, an easily oxidizable light metal as a carrier electrode for a selenium layer suitable. that known arrangement has nothing to do with making it.

Bei dem Erfindungsgegenstand hat die Kohleschicht ganz andere Zwecke. Sie dient nämlich dazu, die schädliche Sperrwirkung der oberflächlichen Oxydschicht der Leichtmetallträgerelektrode zu beseitigen, ohne im übrigen den iCharakter dieser Elektrode als solche aufzuheben. Dementsprechend darf die Schicht auch nur sehr dünn sein, so daß die Wirkung des Elektrodenmetalls auf die Halbleiterschicht nicht beeinflußt wird. Infolgedessen wird die Kohle, wie im Hauptpatent beschrieben, nur in die Oxydhaut eingelagert, gegebenenfalls mit einem geringen Überschuß auf der Oberfläche. Die obere Grenze für die Dicke der Kohlenstoffschicht ist dadurch gegeben, daß die Schicht eben erkennbar ist, ohne Interferenzfarben zu zeigen. Sie darf also jedenfalls höchstens io-5 mm stark sein.In the subject of the invention, the carbon layer has completely different purposes. This is because it serves to reduce the damaging barrier effect of the surface oxide layer to eliminate the light metal carrier electrode, without the rest of the iCharacter of this Pick up the electrode as such. Accordingly, the shift is only allowed to a very large extent be thin so that the effect of the electrode metal on the semiconductor layer is not being affected. As a result, the coal, as described in the main patent, is only embedded in the oxide skin, possibly with a small excess on the Surface. The upper limit for the thickness of the carbon layer is given by that the layer is just recognizable without showing interference colors. So she may in any case be no more than 10-5 mm thick.

Die Einlagerung braucht nicht nur durch Eindampfen zu erfolgen, sie kann auch in jeder anderen Weise erfolgen, die die Einlagerung von Kohlenstoffteilchen in der Größenordnung von Atomen gestattet. Bei Verwendung elektrisch geladener Teilchen z. B. kann durch Beschleunigungsfelder die Wucht des Aufpralls der Teilchen erheblich gesteigert und dadurch die Eindringung gefördert werden. Als Kriterium für die erfolgreiche Einlagerung bzw. die ordnungsgemäße Anbringung der Kohlenstoffschicht dient die Prüfung, ob unter Einhaltung der oben angegebenen Dickenmaße die unerwünschte Sperrwirkung der Oxydoberfläche bei der Leichtmetallelektrode beseitigt ist.Storage does not only have to be done by evaporation, they can also be done in any other way that involves the inclusion of carbon particles on the order of atoms. When using electrically charged particles z. B. the force of the impact of the particles can be considerable due to acceleration fields increased, thereby promoting penetration. As a criterion for successful Storage or the proper application of the carbon layer is used Check whether the undesired locking effect is achieved while observing the thickness dimensions given above the oxide surface has been removed from the light metal electrode.

Die - schematische Zeichnung zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Trockengleichrichters nach der Erfindung von der Seite gesehen, mit der Übersichtlichkeit halber verzerrten Abmessungen. Auf einer Trägerelektrode t aus handelsüblichem Magnesiumblech von i mm- Stärke und einem Kreisdurchmesser von 40 mm ist in die oberflächliche OXydschicht o, c der Trägerseite Kohlenstoff im Überschuß eingelagert. Der Überschuß ist durch die Schicht c angedeutet. Die Dicke der Schichten o, c -h c beträgt insgesamt io-5 mm. Auf der Einlagerungsschicht befindet sich die Selenschicht la, die etwa im geschmolzenen Zustand aufgestrichen sein kann. Sie hat eine Dicke von etwa 1/io mm. Selbstverständlich kann für die Aufbringung der Selenschicht auch jedes andere bekannte Verfahren angewendet worden sein. Auf die Sperrschicht s, die sich auf der freien Oberfläche der Selenschicht befindet, liegt die Gegenelektrode g auf, die aus Wood-Metall besteht und z. B. aufgespritzt ist.The - schematic drawing shows an embodiment of a dry rectifier according to the invention seen from the side, distorted for the sake of clarity Dimensions. On a carrier electrode t made of commercially available magnesium sheet from i mm thickness and a circle diameter of 40 mm is in the superficial oxide layer o, c of the carrier side carbon incorporated in excess. The excess is through the layer c indicated. The total thickness of the layers o, c -h c is io-5 mm. On the inclusion layer is the selenium layer la, which is about in the melted State can be painted on. It has a thickness of about 1/10 mm. Of course Any other known method can also be used for the application of the selenium layer have been. On the barrier layer s, which is on the free surface of the selenium layer is located, the counter electrode g, which consists of Wood metal and z. B. is sprayed on.

Die beschriebene Ausführung ist nur ein Beispiel. So kann statt des Magnesiums auch jedes andere Leichtmetall oder eine Legierung auf Aluminium- oder Magnesiumbasis verwendet sein, das bzw. die eine spontan sich bildende Oxydhaut trägt. Eine Aufbringung des Kohlenstoffs im Überschuß ist selbstverständlich nicht notwendig, erleichtert aber.die Herstellung der Einlagerungsschicht. An sich genügt eine Einlagerung ohne Überschuß. Ferner kann für die Halbleiterschicht jeder Halbleiter vom Selentyp benutzt werden, d. h. ein Halbleiter, der die Sperrschicht auf der der Trägerelektrode abgekehrten Seite trägt.The embodiment described is only an example. So instead of the Magnesium also any other light metal or an alloy on aluminum or Magnesium base be used, the or a spontaneously forming oxide skin wearing. An application of the carbon in excess is of course not possible necessary, but facilitates the production of the embedding layer. In itself it is enough storage without excess. Further, any semiconductor can be used for the semiconductor layer of the selenium type are used, d. H. a semiconductor that is the barrier layer on the the side facing away from the carrier electrode.

Die Einlagerung der Kohlenstoffschicht wird zweckmäßig in der Weise vorgenommen, daß die Leichtmetallelektrode in einer Entfernung von einigen Zentimetern in der Nähe eines Kohlelichtbogens aufgestellt wird, der unter vermindertem Druck von etwa i TOrr, zweckmäßig in Edelgasatmosphäre, brennt. Die Eindampfungsdauer beträgt einige Sekunden. Eine Interferenzfärbung der Oberfläche darf noch nicht sichtbar sein.The inclusion of the carbon layer is expedient in this way made that the light metal electrode at a distance of a few centimeters placed near a charcoal arc that is operated under reduced pressure of about i TOrr, expediently in a noble gas atmosphere, burns. The evaporation time takes a few seconds. An interference coloring of the surface must not yet being visible.

Claims (3)

PATENTANSPRÜCHE: i. Trockengleichrichter mit einem Halbleiter, der die Sperrschicht auf der der Trägerelektrode abgekehrten Seite trägt, und mit einer nach Patent 720 q.¢5 vorbehandelten, eine Oxydhaut aufweisenden Leichtmetallträgerelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß die in die Oxydhaut eingelagerten und sie einfärbenden Teilchen aus Kohlenstoff bestehen. PATENT CLAIMS: i. Dry rectifier with a semiconductor, which carries the barrier layer on the side facing away from the carrier electrode, and with a light metal carrier electrode pretreated according to patent 720 q. 2. Trockengleichrichter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Kohlenstoff im Überschuß bis zu einer Höchstgesamtstärke der Einlagerungs- und überschußschicht von io-5 mm aufgebracht ist. 2. Dry rectifier according to claim i, characterized characterized in that the carbon is in excess up to a maximum total strength the intercalation and excess layer of 10-5 mm is applied. 3. Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die gereinigte Trägerelektrode kurzzeitig in die Nähe eines unter vermindertem Druck brennenden Kohlelichtbogens gebracht wird. _-3. Procedure for the production of dry rectifiers according to claims i and 2, characterized in that that the cleaned carrier electrode briefly in the vicinity of an under reduced Pressure of burning carbon arc is brought. _-
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NL153851B (en) * 1949-05-30 Lonza Ag PROCESS FOR THE PREPARATION OF METHACRYLIC ACID FROM ALPHA-HYDROXYISOBUTIC ACID.

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