DE8534288U1

DE8534288U1 - Device for converting radiation image information carried in a storage layer into an electrical signal sequence

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Publication number: DE8534288U1
Application number: DE19858534288
Authority: DE
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1985-12-05
Filing date: 1985-12-05
Publication date: 1988-04-28

Description

Siemens Aktiengesellschaft Unser Zeichen
Berlin und München VPA 85 P 3 4 2 4 DESiemens Aktiengesellschaft Our symbol
Berlin and Munich VPA 85 P 3 4 2 4 DE

ii Vorrichtung zur Umsetzung von in einer SpeicherschichtDevice for converting in a storage layer

getragenen Strahlenbildinformatlonen in eine elektrische Signalfolgecarried radiation image information into an electrical signal sequence

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Umsetzung
von in einer Speicherschicht getragenen Strahlenbildinformationen in eine elektrische Signalfolge nach dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Derartige Vorrich-
f « tungen sind etwa bekannt aus der US-PS 38 59 527.The invention relates to a device for implementing
of radiation image information carried in a storage layer into an electrical signal sequence according to the
Preamble of claim 1. Such devices
f « tions are known from US-PS 38 59 527.

In Vorrichtungen der vorgenanntem Art werden Filme, wie
Röntgenaufnahmen, oder andere durchsichtige Vorlagen mittels eines Laserstrahls abgetastet. Das durch «ine solche | Vorlage hindurchgehende Licht wird mit einer Faseroptik | aufgefangen und auf einen Fotomultiplier zur Umsetzung ,i in elektrische Signale überführt (Querschnittswandlung). SIn devices of the aforementioned type, films such as
X-rays, or other transparent templates are scanned using a laser beam. The light passing through such a template is captured by a fiber optic and transferred to a photomultiplier for conversion into electrical signals (cross-section conversion). S

&iacgr; Solche Einrichtungen sind auch anwendbar bei der Aus- ⁵ leuchtung von in einem Speicherleuchtstoff aufgenommenen i Lichtbildern, insbesondere Röntgenbildern. Die Ausleuch- I &iacgr; Such devices are also applicable to the ^illumination of photographs recorded in a storage phosphor, in particular X-ray images. The illumination

I tung kann ebenfalls durch Abtastung mit Licht, otwa mit I I tion can also be done by scanning with light, for example with I

einem Laserstrahl, erfolgen. Das Ausleuchtlicht kann wie 1a laser beam. The illumination light can be as 1

das bei der erstgenannten Durchstrahlung von Filmbildern |which occurs during the first-mentioned irradiation of film images |

über eine Faseroptik auf einen Fotomultiplier gebracht |brought to a photomultiplier via a fiber optic |

und ii elektrische Signale umgesetzt werden. |and ii electrical signals are converted. |

Bei Fotomultipliern ändert sich die Verstärkung nach &iacgr;In photomultipliers, the gain changes according to &iacgr;

stark wechselnden einfallenden Lichtintensitäten, die \ strongly changing incident light intensities, which \

durch unterschiedliche Transparenz von Filmbildern oder fthrough different transparency of film images or f

unterschiedlicher Intensität von Ausleuchtbildern ent- |different intensity of illumination images |

stehen. Man erreicht daher mit Multipliern während der |Therefore, using multipliers during the |

Abtastung einer Vorlage nur eine Konstanz von 1 bis 2 %. &iacgr; Scanning a template only has a consistency of 1 to 2%. &iacgr;

Kn 2 Kof - 25.11.1985Kn 2 Kof - 25.11.1985

* I t ■ · · t ·* I t ■ · · t ·

-2- VPAB5P3424DI-2- VPAB5P3424DI

Dies läßt aber die bei einer Abtastung von Röntgenbildern angestrebten Kontraststeigerungen (Penstertechnik), mit der sehr kleine Unterschiede der Schwärzung sichtbar gemacht werden können, nicht zu. Hierzu ist eine Konstanz der Verstärkung auf etwa 0,1 % erforderlich, damitHowever, this does not allow the contrast increases sought when scanning X-ray images (Penster technique), with which very small differences in the density can be made visible. This requires a constant amplification of around 0.1% so that

Streifenartefakte vermieden werden. Dies ist mit Fotomultipliern nicht oder nur unter sehr großen Schwierigkeiten erreichbar, weil unter dem Einfluß des Dynodenstroms sich der Sekundäremissionskoeffizient der Dynoden to und damit die Verstärkung ändert, umso mehr, je größerStripe artifacts are avoided. This cannot be achieved with photomultipliers or only with great difficulty, because under the influence of the dynode current the secondary emission coefficient of the dynodes to and thus the amplification changes, the more so the larger

der Strom ist. Hält man den Strom klein (geringe MP-Hoch-Q ^ spannung), etwa unter 0,1 &mgr;&Agr;, dann ist wegen der hohenthe current is. If the current is kept small (low MP high-Q ^ voltage), for example below 0.1 μα, then due to the high

Dynamik von 1:1000 der kleinste Strom nur 0,1&mgr;&Agr; und erfordert hohen Aufwand in der Nachverstärkung.Dynamic range of 1:1000 the smallest current is only 0.1μα and requires high expenditure in the amplification.

1515

Ein Austausch der Multiplier durch Fotodioden würde zwar die Schwankungen der Verstärkung vermeiden, man hätte jedoch wegen der zur Bildabtastung erforderlichen großen Fläche einen hohen Sperrstrom, der zur Signal-Rausch-Verschlechterung führt. Man könnte daher auch mit diesemReplacing the multipliers with photodiodes would avoid the fluctuations in the gain, but due to the large area required for image scanning, there would be a high reverse current, which would lead to signal-to-noise deterioration. This could therefore also be used

Wandler keine sehr kleinen Intensitäten mehr nachweisen. Bei Röntgenbildern ist jedoch eine Auswertung von Schwärzungen bis etwa S = 3 sinnvoll. Die Herstellung von Foto- f dioden mit den bei bekannten Umsetzern erforderlichenconverters can no longer detect very small intensities. However, in the case of X-ray images, it is useful to evaluate blackenings up to about S = 3. The production of photo- diodes with the required

Flächen ist überdies schwierig, weil großflächige und über dieFlächen gleichmäßige Empfindlichkeiten schwer herstellbar sind.Furthermore, it is difficult to measure large areas and to achieve uniform sensitivities across them.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei Vorrichtungen der eingangs genannten Art ein Detektorsystern zur Abtastung von gespeicherten Röntgenbildern anzugeben, mit dem hohe Genauigkeit über einen großen Schwärzungsbereich erreichbar ist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstände der Unteransprüche.The invention is based on the object of specifying a detector system for scanning stored X-ray images in devices of the type mentioned at the beginning, with which high accuracy can be achieved over a large blackening range. This object is achieved according to the invention by the measures specified in the characterizing part of claim 1. Advantageous further developments are the subject matter of the subclaims.

«ce s e ce«this is what

-3- VPA 85 P 3 4 2 4 DE-3- VPA 85 P 3 4 2 4 EN

Durch die Verwendung eines Lichtleiterstreifens anstelle dör Faseroptik und Benutzung eines Lichtkonverters (Wellenlängenschieber) , d.h. in dem Streifen/ der das einfallende Licht zum Wandler leitet/ ist ein Stoff enthalten, der dieses Licht/ das etwa von einem Argonlaser ausgeht und eine Wellenlänge von 488 nm (blau) besitzt, in gelbes Licht von 570 nm umwandelt. Durch eine gute PoIi* tvs^r" cl^r Q^»^»*"·*¹'' sch**" kann cli** Ei^snschsft &**^a ctr^aif°n° als Lichtleiter noch gesteigert werden. Außerdem kann durch Ankopplung des Lichtleiters an den FotodetektorBy using a light guide strip instead of fiber optics and using a light converter (wavelength shifter), i.e. the strip that guides the incoming light to the converter contains a substance that converts this light, which comes from an argon laser and has a wavelength of 488 nm (blue), into yellow light of 570 nm. By using a good polarization of the fiber ^optics , the efficiency of the light guide can be further increased. In addition, by coupling the light guide to the photodetector ^, the light can be reduced ^to ⁵⁷⁰ nm.

über eine Immersionsflüssigkeit oder optischen Kitt der { ) Übergang des Lichtes verbessert werden. So ist es gelungen/ bei einem 440 mm langen und einen Querschnitt von 3 mm &khgr; 10 mm aufweisenden Lichtleiter, bezogen auf die in den Streifen einfallende Lichtintensität, mindestens 10 % an seinen schmalen Enden in Fotodioden nutzbar zu machen, d.h. in elektrische Signale umzusetzen.The { ) transfer of light can be improved using an immersion liquid or optical cement. For example, it was possible to use at least 10% of the light intensity incident on the strip at its narrow ends in photodiodes, i.e. to convert it into electrical signals, for a light guide that is 440 mm long and has a cross-section of 3 mm x 10 mm.

Bei Anordnung einer Fotodiode an jedem schmalen Ende des Lichtleiters ergibt die Fläche der beiden Fotodioden insgesamt nur etwa 2 % der Fläche des lichtleitenden Streifens. Das Verhältnis Signalstrom/Sperrstrom ist also wegen der kleineren Flächen mindestens um den Faktor 10 ( > höher, als wenn durch eine Faseroptik das Licht auf eine große Fotodiode übertragen werden würde (dabei ist für die zu vergleichende Faseroptik eine Lichtübertragung von 50 % vorausgesetzt).If a photodiode is arranged at each narrow end of the light guide, the total area of the two photodiodes is only about 2% of the area of the light-conducting strip. The ratio of signal current to blocking current is therefore at least a factor of 10 ( >) higher due to the smaller areas than if the light were transmitted to a large photodiode through a fiber optic (a light transmission of 50% is assumed for the fiber optic to be compared).

Im Rahmen der Erfindung kann die Abtastvorrichtung in üblicher Weise aufgebaut sein. Sie kann z.B. als Innen-Trommelabtaster oder als Flachbettabtaster ausgebildet sein. Dabei ist die Benutzung in Durchlichtabtastung oder Auflich tab tastung möglich. Es ist lediglich erforderlich, daß eine Vorlage in eine Folge von Lichtsignalen umgesetzt wird, die der Dichtevsrteilung optischer Kontraste entspricht. Diese Lichtsignale werden dann über denWithin the scope of the invention, the scanning device can be constructed in the usual way. It can be designed, for example, as an internal drum scanner or as a flatbed scanner. It can be used for transmitted light scanning or reflected light scanning. It is only necessary that a template is converted into a sequence of light signals that corresponds to the density distribution of optical contrasts. These light signals are then transmitted via the

S » CCS &bgr; S &iacgr;*S » CCS β S �iacgr;*

- 4 - VPA R5 P 3 U 2 4 PS- 4 - VPA R5 P 3 U 2 4 PS

Lichtleiter auf Fotodioden übertragen/ wo sie in die g®~ wünschte Folge elektrischer Signale umgesetzt werden,Light guides are transferred to photodiodes/ where they are converted into the desired sequence of electrical signals,

Die zum Transport der Lichtsignale verwendeten Lichtleiter können aus transparentem Kunststoff bestehen. Geeignet ist etwa ein Kunststoffkörper aus Acrylglas, der für eine Wellenlänge von 488 nm ausreicht, bzw. ein andererThe optical fibers used to transport the light signals can be made of transparent plastic. A plastic body made of acrylic glass, which is sufficient for a wavelength of 488 nm, or another

stoffmolekülen aingefärbt ist. Die Herstellung des in einer Abtastvorrichtung verwendeten Lichtleiters kannThe manufacture of the light guide used in a scanning device can

etwa so erfolgen, daß man von einer transparenten Kunst-( ) stoffplatte ausgeht, von der ein der gewünschten FormThis can be done by starting from a transparent plastic ( ) plate, from which a piece of the desired shape

des Lichtleiters entsprechendes Stück abgeschnitten oder -gesägt wird und das dann durch Polieren etc. eine die Lichtleitung begünstigende glatte Oberfläche erhält.A piece corresponding to the light guide is cut or sawn off and then, through polishing etc., is given a smooth surface that promotes light transmission.

Als Wellenlängenschieber sind Fluoreszenzstoffe der Gruppe 2,5-Dioxyterephtalsäurediäthylestter (blau) oder Dioxynaphtaldazin (gelb-grün) einsetzbar. Besonders gün-Fluorescent substances from the group 2,5-dioxyterephthalic acid diethyl ester (blue) or dioxynaphthalene (yellow-green) can be used as wavelength shifters. Particularly favorable

fr- 20 stig sind Stoffe, die auf das umzusetzende Licht gut anfr- 20 stig are materials that respond well to the light to be converted

sprechen und die als Fluoreszenzlicht solches abgeben, das auf die benutzten Fotodioden besonders wirksamand which emit fluorescent light that is particularly effective on the photodiodes used.

Außerdem sollten sie im Material des Lichtleiters lös-In addition, they should be soluble in the material of the light guide.

S { \ lieh sein, so daß sie auf einfache Weise gleichmäßigS { \ lieh so that they can be easily evenly

darin verteilt werden können.can be distributed in it.

Zur Realisierung der Erfindung sind alle Fotodioden anwendbar, die auf Licht ansprechen, das bei der Abtastung der Bildinformationen als Durchlicht oder Auflicht austritt. Günstig ist z.B. eine Fotodiode, bei der ein Laser mit 6 mW (Argon 488nm) direkt auf einer Fotodiode 1üA Strom ergibt, so daß der Summenstrom der Dioden an obigem Konverter 100&mgr;&Agr; ist ohne Filitiabsorption und bei Filmabsorption hinter Filmschleier auf 5&Ogr;&mgr;&Agr; und hinter einer S = 3 Absorption auf 50 nA zurückgeht.To implement the invention, all photodiodes can be used that respond to light that emerges as transmitted light or reflected light when the image information is scanned. A photodiode is advantageous, for example, in which a laser with 6 mW (argon 488 nm) produces 1 nA of current directly on a photodiode, so that the total current of the diodes on the above converter is 100 μα without film absorption and in the case of film absorption behind a film veil drops to 5 Ωμα and behind an S = 3 absorption to 50 nA.

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• IIII

-5- VPA85P3424DE Der Sperrstrom (Summe) von Dioden mit 0,8 cm² beträgt bei guten Grenzschichtzählern ca. 80 nA, so daß das vorgenannte Signal noch gut vom Sperrstrom unterscheidbar ist. (Der Sperrstrom kann vom Gesamtsignal abgezogen werden, sein Rauschen ist um viele Größenordnungen kleiner als er selbst. Wegen der starken Temperaturabhängigkeit des Sperrstroms sind jedoch regelmäßige Eichmessungen erforderlich, die gegebenenfalls automatisch in den Pausen zwischen zwei Abtastungen von Vorlagen erfolgen können.) Hierbei ist eine Sperrspannung von ca. -5- VPA85P3424DE The reverse current (sum) of diodes with 0.8 cm ² is about 80 nA for good boundary layer counters, so that the above-mentioned signal can still be easily distinguished from the reverse current. (The reverse current can be subtracted from the total signal, its noise is many orders of magnitude smaller than itself. However, due to the strong temperature dependence of the reverse current, regular calibration measurements are required, which can be carried out automatically in the pauses between two scans of templates.) A reverse voltage of approx.

10 bis 30 V vorausgesetzt, um ein hinreichend schnelles \ Abklingen des Signalstroms zu erreichen. Bei Fotodioden10 to 30 V is required to achieve a sufficiently fast decay of the signal current. For photodiodes

mit Sperrspannung zum Absaugen der Ladungsträger kann man eine Anstiegszeit von 30 ns erreichen. Man liegt dann weit unter der Meß zeit pro Pixel von 1 bis 2(is, die zur Zeit für die Digitaiisierung von RontgenbiIdem etwa mit einem 12 oder 14 Bit ADC benötigt werden. Damit der Kontrast von 1:1000 erfaßt werden kann und die unterste Stufe gerade noch in wenige Stufen aufgelöst werden kann, sind 12 Bit = 4096 erforderlich.With a blocking voltage to suck out the charge carriers, a rise time of 30 ns can be achieved. This is well below the measurement time per pixel of 1 to 2 ns, which is currently required for digitizing X-ray images with a 12 or 14 bit ADC. In order to capture the contrast of 1:1000 and to resolve the lowest level into just a few levels, 12 bits = 4096 are required.

Mit implantierten Fotodioden, d.h. in die eine Gegendotierung im Halbleitermaterial implantiert wird, z.B. BorWith implanted photodiodes, i.e. in which a counter doping is implanted in the semiconductor material, e.g. boron

&zgr; in Silizium zur Erzeugung eines p-Typ-Halbleiters, lassen ζ in silicon to produce a p-type semiconductor, let

sich etwa um eine Größenordnung niedrigere Sperrströme erzielen. Solche Dioden sind im Handel erhältlich.Reverse currents that are about an order of magnitude lower can be achieved. Such diodes are commercially available.

Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden nachfolgend anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele weiter erläutert.Further details and advantages of the invention are explained below with reference to the embodiments shown in the figures.

In der Figur 1 ist das über< .. ... -sschaubild einer erfindungsgemäß ausgestalteten Vorrichtung zur Umse^aung von Strahlenbildinformationen in eine Signalfölge dargestellt, Figure 1 shows the overview diagram of a device designed according to the invention for converting radiation image information into a signal sequence,

• · &igr; ti · ·• · &igr; ti · ·

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-6- VPA 85 P 3 4 2 4 DE-6- VPA 85 P 3 4 2 4 EN

in der Figur 2 eine Ansicht der in Figur 1 verwendeten Konverter mit trommelförmiger Anordnung der abzutastenden Vorlage (Innentrommelabtastung),Figure 2 shows a view of the converter used in Figure 1 with a drum-shaped arrangement of the original to be scanned (internal drum scanning),

in den Figuren 3 und 4 eine Frontal- und Seitenansicht eines Konverters für flache Bildanordnung (Flashbettabtastung) undFigures 3 and 4 show a front and side view of a converter for flat image arrangement (flash bed scanning) and

in der Figur 5 die Draufsicht auf einen Lichtwandler, der bei der Abtastung eines flachen Bildes entsprechend Figur 3 verwendet ist.Figure 5 shows a top view of a light converter used in scanning a flat image according to Figure 3.

In der Figur 1 ist mit 1 eine Vorrichtung zur Umset2ung gespeicherter Bildsignale bezeichnet. Sie besteht aus einer Lichtquelle 2, die über eine Abtastvorrichtung 3 auf eine in einer Trommel 4 befestigte, als Speicherplatte dienende Folie 5 (Figur 2), d.h. eine Röntgenfilmaufnahme, geleitet wird, die eine im Durchlicht betrachtbare Verteilung unterschiedlich transparenter Stellen aufweist.In Figure 1, 1 denotes a device for converting stored image signals. It consists of a light source 2 which is guided via a scanning device 3 onto a film 5 (Figure 2) which is fastened in a drum 4 and serves as a storage plate, i.e. an X-ray film recording which has a distribution of differently transparent areas which can be viewed in transmitted light.

Das dort ausgelöste Licht gelangt dann auf Fotodioden 6. Die von den Dioden 6 abgegebenen Signale gelangen über einen Verstärker 7, einen Analog-Digital-Wandler 8 in eine Bildverarbeitungseinrichtung 9. Letztere weist am Eingang der Leitung 10.1 vom Analog-Digital-Wandler 8 einen Mikroprozessor 10 auf. Dieser ist über eine Leitung 11 mit einem Speicher 12 verbunden, der seinerseits eine Leitung 13 zu einem Rechner 14 aufweist. Vom Rechner gelangen die Bildsignale über eine Leitung 15 auf einen Fernsehmonitor 16 und erzeugen auf dessen Bildschirm 17 ein sichtbares Bild. Dieses kann betrachtet oder etwa mit einer Kamera 18 fixiert werden. Zur Synchronisation der Abtastung der Speicherschicht der Folie 5 besteht noch eine Verbindung 19 zwischen dem Mikroprozessor 10 und der Abtastvorrichtung 3.The light triggered there then reaches photodiodes 6. The signals emitted by the diodes 6 reach an image processing device 9 via an amplifier 7 and an analog-digital converter 8. The latter has a microprocessor 10 at the input of line 10.1 from the analog-digital converter 8. This is connected via a line 11 to a memory 12, which in turn has a line 13 to a computer 14. From the computer, the image signals reach a television monitor 16 via a line 15 and produce a visible image on its screen 17. This can be viewed or captured with a camera 18. To synchronize the scanning of the storage layer of the film 5, there is also a connection 19 between the microprocessor 10 and the scanning device 3.

I· Mtl Mtl t It I« ·I· Mtl Mtl t It I« · III Il I I I I IIII I I I I I

lllll »II II* *lllll »II II* *

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-7- VPA85P3424DE-7- VPA85P3424DE

Die eigentliche Umsetzung in Bildsignale erfolgt in der Vorrichtung 1 in einem Konverter 20. Dieser besteht aur einer Halterung 21, die einen kreisförmigen Ausschnitt aufweist, der mit einem Radius von ca. 110 mm über die an der Trommel 20 gehalterte Folie 5 geführt werden kann. An der Innenseite des Ausschnittes liegt ein 30 mm breiter und 3 mm starker Lichtleiterstreifen 22 aus Acrylglas, das einen Fluoreszenzstoff als Wellenlängenschieber gelost enthält. Die Folienstärke von 3 mm bildet mit dem Radius von 110 mm einen Faktor von 110:3 37. Dies übersteigt den Faktor von 20, eine Faustformel für die Krüm- ^ mung von Lichtleitfasern, um Lichtverluste zu vermeiden. Bei starker Krümmung wird der Einfallswinkel auf der Außenseite zu klein und ergibt keine Totalreflexion.The actual conversion into image signals takes place in the device 1 in a converter 20. This consists of a holder 21 which has a circular cutout which can be guided over the film 5 held on the drum 20 with a radius of approx. 110 mm. On the inside of the cutout there is a 30 mm wide and 3 mm thick light guide strip 22 made of acrylic glass which contains a fluorescent substance dissolved as a wavelength shifter. The film thickness of 3 mm forms a factor of 110:3 37 with the radius of 110 mm. This exceeds the factor of 20, a rule of thumb for the curvature of optical fibers in order to avoid light losses. If the curvature is strong, the angle of incidence on the outside becomes too small and does not result in total reflection.

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Der von der Quelle 2, einem 6 mW Argon-Laser, kommende Abtaststrahl vird über einen Drehspiegel 24 umgelenkt und kann die Folie 5 durchdringen. In Abhängigkeit von der Transparenz des in der Folie 5 gespeicherten Bildes gelangen dann unterschiedliche Lichtmengen in den lichtleiter 22. Dort wird das Licht durch den Wellenlängenschieber absorbiert, welcher Licht anderer Wellenlänge emittiert, welches zu den Fotodioden 6 geleitet wird, in welchen der in der Vorlage vorhandenen Verteilung der Transparenz entsprechende Signale erzeugt werden. Diese können über die Verstärker 7 in die Einrichtung 9 gelangen und wie oben beschrieben sichtbar gemacht werden.The scanning beam coming from the source 2, a 6 mW argon laser, is deflected by a rotating mirror 24 and can penetrate the film 5. Depending on the transparency of the image stored in the film 5, different amounts of light then reach the light guide 22. There, the light is absorbed by the wavelength shifter, which emits light of a different wavelength, which is guided to the photodiodes 6, in which signals corresponding to the distribution of transparency present in the original are generated. These can reach the device 9 via the amplifiers 7 and be made visible as described above.

Die in den Figuren 3 bis 5 dargestellte Vorrichtung zur Umsetzung gespeicherter Bildsignale unterscheidet sich von derjenigen nach der Figur 2 nur dadurch, daß das gespeicherte Bild eben angeordnet ist. Eine Speicherschicht 5.3, d.h. im Phosphoreszenzspeicherschirm des Formates 40 &khgr; 40 cm, 1st gemäß Figur 3 eben auf einer durchsichtigen Glasplatte 30 gelagert. Die Fotoleiteranordnung liegtThe device for converting stored image signals shown in Figures 3 to 5 differs from that shown in Figure 2 only in that the stored image is arranged flat. A storage layer 5.3, i.e. in the phosphorescence storage screen of the format 40 x 40 cm, is mounted flat on a transparent glass plate 30 according to Figure 3. The photoconductor arrangement is located

It ( « · · 1*11 IIt ( « · · 1*11 I

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- 8 - VPAB5P3424DE in einem Abstand von 7 mm unterhalb der Platte 30 in einer Halterung 31, die in Übereinstimmung mit der zeilenweisen Verschiebung der Abtastbewegung des Lichtstrahls 23.3 verschoben werden kann.
5 - 8 - VPAB5P3424DE at a distance of 7 mm below the plate 30 in a holder 31 which can be moved in accordance with the line-by-line displacement of the scanning movement of the light beam 23.3.
5

Der abtastende Lichtstrahl 23.3, der von einer an sich bekannten, etwa mit 2 von Figur 1 übereinstimmenden Abtas tuch tquelle 2.3 kommt, löst in der Folie 5.3The scanning light beam 23.3, which comes from a known scanning source 2.3, which corresponds approximately to 2 in Figure 1, dissolves in the film 5.3

Phosphoreszenzlicht aus, das, wie durch 32 in asn Figuren 3 und 4 angedeutet, die Glasplatte 30 durchdringt, ;, Das ausgelöste Licht erreicht dann, wie in der Figur t>Phosphorescent light which, as indicated by 32 in Figures 3 and 4, penetrates the glass plate 30, ;, The triggered light then reaches, as shown in the figure t>

( ) mit 33 angedeutet, den eigentxichen 3 mm starken und , 10 mm breiten Lichtleiter 34, der es in die Fotodioden( ) indicated with 33, the actual 3 mm thick and 10 mm wide light guide 34, which leads it into the photodiodes

7.3 bringt. Die ganze Anordnung ruht auf einem Tisch 35. Die Wirkungsweise stimmt mit derjenigen der Vorrichtung nach Figur 2 überein.7.3. The entire arrangement rests on a table 35. The mode of operation corresponds to that of the device in Figure 2.

6 ansprüche
5 Figuren6 claims
5 figures

> I I &Igr;· ti> I I Λ· ti

lit III Ilit III I

IfI(I I · 11IfI(I I · 11

• I · ■ · ·• I · ■ · ·

Claims

Il I»· - 9 - VPA85P34240E sayings

1. Device for converting the image information contained in a storage layer into an electrical signal sequence with a surface/ to which means for fastening the storage layer are assigned, and a scanning light beam directed onto this surface, whereby the scanning beam coming from this and the surface are mounted so as to be displaceable longitudinally and transversely relative to one another in the sense of a line scan and a line change, and the scanning surface is connected to a photoelectric converter via a

C ^x light guide is in optical connection / characterized in that the light guide is a strip-shaped plate which lies on the storage layer on one large surface and at whose narrow ends a photodiode is arranged.

2. Device according to claim 1, characterized in that the plate contains a fluorescent substance as a wavelength shifter.

3. Device according to claim 1, characterized in that the wavelength shifter converts the incident light of an argon laser of 488 nm (blue) into light of 570 nm (yellow).

4. Device according to claim 2, characterized in that the fluorescent substance belongs to the group of dioxynaphthalene phosphors.

30

5. Device according to claim 4/ characterized in that the phosphor is made of europium (Eu) activated barium (Ba) multiple halide (FClBr), e.g. BaFClBr:Eu or lanthanum (La) oxybromide (OBr) activated with terbium, such as LaOBr:Tb, and the light guide is made of acrylic glass.

CS IfM I t ·CS IfM I t ·

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-10- &ngr;&Rgr;&Agr;&bgr;5&Rgr;3424 0&Egr;

6. Device according to claim 1, characterized in that the photodiodes are coupled to the light guides via immersion medium (oil, putty).