DE8212100U1 - DACHSTEIN - Google Patents
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Description
COHAUSZ & FLORACKCOHAUSZ & FLORACK
PATBNTAN WALTSBÜRO SCHUMANNSTR. 97 D-4000 DÜSSELDORF IPATBNTAN WALTS OFFICE SCHUMANNSTR. 97 D-4000 DÜSSELDORF I
PATENTANWÄLTE: Dipl.-Ing W. COHAUSZ · Dipl.-Ing. R. KNAUF ■ Dipl.-Ing. H B COHAUSZ · Dipl.-Ing. D. H. WERNERPATENT LAWYERS: Dipl.-Ing W. COHAUSZ Dipl.-Ing. R. KNAUF ■ Dipl.-Ing. H B COHAUSZ Dipl.-Ing. D. H. WERNER
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Imchemie Kunststoff GmbH
Adolf-Flöring-Str. 22Imchemie Kunststoff GmbH
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5678 Wermelskirchen5678 Wermelskirchen
DachsteinDachstein
Die Erfindung betrifft einen Dachstein zum einander überlappenden Bedecken geneigter Dachflächen.The invention relates to a roof tile for covering sloping roof surfaces in an overlapping manner.
Unter Dachsteinen werden Dachpfannen oder Dachziegel verstanden, die die Außenhaut eines geneigten Daches bilden. Es wurde bereits vorgeschlagen, Dachpfannen als Sonnenkollektore^. auszubilden. Diese bekannten Dachpfannen sind aber aufwendig in Herstellung urd Montage auf dem Dach als auch von geringer Leistung. Darüber hinaus liefern sie nur Wärme.Roof tiles are understood to mean roof tiles or roof tiles that form the outer skin of a sloping roof. It has already been proposed to use roof tiles as solar collectors ^. to train. These known roof tiles are expensive to manufacture and mount on the roof as well of low power. In addition, they only provide heat.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Dachstein der eingangs genannten Art derart zu verbessern, daß er bei einem optischen Eindruck nahe eines üblichen Dachsteins elektrischen Strom erzeugt und einfach in Herstellung und Montage ist.The object of the invention is to improve a roof tile of the type mentioned in such a way that it is optical Impression near a common roof tile generates electricity and is easy to manufacture and assemble.
Darüber hinaus ist es Aufgabe der Erfindung, einen Dachstein zu schaffen, der sowohl elektrischen Strom als auch Wärme abführt.In addition, it is an object of the invention to create a roof tile that can generate both electricity and heat discharges.
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Diese Aufgaben werden erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in dem von benachbarten Dachsteinen nicht überdeckten Bereich in die Oberseite Halbleiterphotoelemente angeordnet oder eingelassen sind und unterhalb der Halbleiterphotoelemente der Dachstein einen Hohlraum aufweist, der mit den Hohlräumen der darunter und des darüber liegenden Dachsteins verbunden ist.These objects are achieved according to the invention in that In the area not covered by adjacent roof tiles, semiconductor photo elements are arranged in the upper side or are let in and below the semiconductor photo elements the roof tile has a cavity which is connected to the cavities of the roof stone below and the roof stone above.
Bei diesem Dachstein bilden die miteinander verbundenen Hohlräume einer übereinander liegenden Reihe von Dachsteinen einen Luftkanal der von den Dachsteinen erwärmt wird und damit warme Luft erzeugt. Diese wanre Luft kann entweder direkt zum Wärmen verwendet werden oder aber durch Wärmepumpen erhöht und insbesondere gespeichert werden. Die auf der Oberseite der Dachsteine angeordneten Halbleiterphotoelemente erzeugen darüber hinaus Strom, so daß durch diese Dachsteine sowohl ein Absorberdach als auch ein Solarzellendach geschaffen wird. Die in Dachsteinen vorgesehenen Hohlräume bieten darüber hinaus den Vorteil, daß die durch sie hindurchströmende Luft die Halbleiterphotoelemente kühlt, wodurch die Leistung der Halbleiterphotoelemente bzw. der Solarzellen wesentlich erhöht wird.In this roof tile, the interconnected cavities form a row of roof tiles lying one above the other an air duct that is heated by the roof tiles and thus generates warm air. This wanre air can either can be used directly for warming or increased and in particular stored by heat pumps. The semiconductor photo elements arranged on the top of the roof tiles also generate electricity, so that These roof tiles create both an absorber roof and a solar cell roof. The ones in roof tiles provided cavities also offer the advantage that the air flowing through them, the semiconductor photo elements cools, whereby the performance of the semiconductor photo elements or the solar cells is significantly increased.
Eine besonders einfache und insbesondere gießtechni-dch vorteilhatte Herstellung der Dachsteine wird dadurch erreicht, d ii die Unterseite und Seitenwände von einem Grundkörper gebildet sind, der mindestens eine nach oben hin offene Ausnehmung als Hohlraum bildet, die von einer Platte oben abgedeckt ist, die die Halbleiterphotoelemente trägt. 30A particularly simple and in particular gießtechni-dch had advantage Production of the roof tiles is achieved by d ii the underside and side walls of a base body are formed, which forms at least one upwardly open recess as a cavity, which is from a plate above is covered, which carries the semiconductor photo elements. 30th
Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Grundkörper aus einem Material, insbesondere Beton, gegossen ist. Dieses Material ist besonders preiswert und eignet sich fürIt is particularly advantageous if the base body is cast from a material, in particular concrete. This Material is particularly inexpensive and is suitable for
Massenherstellung. Ferner erreicht hierdurch der Dachstein ein ausreichendes Gewicht. Dabei kann der Beton ein Polymerbeton sein.Mass production. This also gives the roof stone a sufficient weight. The concrete can be a polymer concrete be.
Um zu erreichen, daß nur aufgrund des Verlegens der Dachsteine in üblicher Weise auf den Dachlatten die Hohlräume der Dachsteine miteinander verbunden werden ohne jeglichen Mehraufwand an Montage, wird vorgeschlagen, daß der Hohlraum im oberen überlappenden Bereich mit dem Hohlraum des oberen Dachsteins über eine in der Oberseite befindliche Öffnung und im unteren überlappenden Bereich über eine in der Unterseite befindliche Öffnung verbunden ist.To achieve that only because of the laying of the roof tiles In the usual way, the cavities of the roof tiles are connected to one another on the roof battens without any Additional assembly work, it is proposed that the cavity in the upper overlapping area with the cavity of the upper Dachstein via an opening in the top and in the lower overlapping area via an in the opening located on the bottom is connected.
Die Abdeckplatten der Dachsteine können an ihrer Unterseite in den Hohlraum hineinragende Kühlrippen tragen, wodurch eine gute Kühlung der Halbleiterphotoelemente erreicht wird.The cover plates of the roof tiles can carry cooling ribs protruding into the cavity on their underside, as a result of which good cooling of the semiconductor photo elements is achieved.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn das Trägermaterial der Abdeckplatte ein gießfähiges Material, insbesondere Beton, z.B. ein Polymerbeton,ist. Hierdurch kann das Trägermaterial der Abdeckplatte denselben Ausdehnungskoeffizienten wie die Halbleiterphotoelemente besitzen, so daß die Halbleiterphotoelemente nicht angegriffen werden. Insbesondere kann der Polymerbeton einen Ausdehnungskoeffizienten von (JL= 2,33 besitzen. Aus diesem Grunde können auch die Halbleiterphotoelemente in das Trägermaterial der Abdeckplatte eingegossen werden.It is particularly advantageous if the carrier material of the cover plate is a pourable material, in particular concrete, e.g. a polymer concrete. As a result, the carrier material of the cover plate can have the same coefficient of expansion as the semiconductor photo elements have, so that the semiconductor photo elements are not attacked. In particular the polymer concrete can have a coefficient of expansion of (JL = 2.33. For this reason, the semiconductor photo elements be poured into the carrier material of the cover plate.
Zum Schutz der Halbleiterphotoelemente wird vorgeschlagen, daß oberhalb dieser eine Glasscheibe befestigt ist. Dabei kann zwischen der Glasscheibe und den Halbleiterphotoelementen eine transparente, elastische Ausgleichsschicht insbesondere aus Acrylglas angeordnet sein,um unterschied-To protect the semiconductor photo elements, it is proposed that a pane of glass be fastened above them. Included a transparent, elastic compensating layer can be placed between the glass pane and the semiconductor photo elements be arranged in particular made of acrylic glass in order to
liehe Ausdehnungen zuzulassen. Vorzugsweise ist die Oberseite der Glasscheibe gehärtet oder trägt einen harten, kratzfesten Überzug, um auch über längere Zeit einen optimalen Strahlendurchgang zuzulassen. Hierzu wird auch vorgeschlagen, daß die Oberseite der Glasscheibe gegen Reflexionen behandelt ist.allow lent expansions. Preferably the top is the glass pane is hardened or has a hard, scratch-resistant coating, so that it remains optimal over a longer period of time Allow beam passage. For this purpose, it is also proposed that the top of the glass pane against reflections is treated.
Alternativ wird vorgeschlagen, dar das Trägermaterial der Abdeckplatte Glas ist. In diesem Fall wird vorgeschlagen, daß zwischen der Glasschicht und den Halbleiterphotoelementen eine elastische Ausgleichsschicht, insbesondere aus ; Acrylglas, angeordnet ist. \ Alternatively, it is proposed that the carrier material of the cover plate is glass. In this case it is proposed that an elastic compensating layer, in particular made of; Acrylic glass, is arranged. \
i Vorzugsweise wird vorgeschlagen, daß zwischen dem umlaufenden Rand der Abdeckplatte und dem Grundkörper elastisches Material angeordnet ist. Dieses elastische Material hat die Aufgabe, die Abdeckplatte abzudichten, mit dem Grundkörper zu verbinden und einen Ausdehnungsausgleich zu schaffen. i Preferably, it is proposed that elastic material is disposed between the peripheral edge of the cover plate and the base body. This elastic material has the task of sealing the cover plate, connecting it to the base body and creating expansion compensation.
Ferner wird vorgeschlagen, daß die Anschlußleitungen für die Halbleiterphotoelemente zum Hohlraum durchgeführt sind und in diesem zur Verbindung mit benachbarten Dachsteinen einliegen. Die Hohlräume werden hiermit besonders jj vorteilhaft für die Führung der elektrischen Leitungen jj genutzt. Die elektrischen Leitungen liegen hier trocken \ und geschützt ein. Dabei können die Enden der Anschlußlei- iIt is also proposed that the connecting lines for the semiconductor photo elements are led through to the cavity and lie in this for connection to adjacent roof tiles. The cavities are hereby used particularly advantageously for guiding the electrical lines jj. The electrical lines are here dry \ and protected one. The ends of the connecting lines can i
I tungen Steckelemente tragen, wodurch schon während des Auf- ( legens der Dachsteine die Leitungen ohne großen Montageauf- \ wand aneinander angeschlossen werden können. ;I obligations male members wear, which already during the construction (legens of roof tiles, the lines without major assembly work \ wall to each other can be connected.
Ein besonders hoher Wirkungsgrad wird dann erreicht, wenn | die Oberseite der Dachsteine eben ist. Das Dach unterscheidetA particularly high level of efficiency is achieved when | the top of the roof tiles is flat. The roof makes a difference
• ••4t» (t· *t * t• •• 4t »(t · * t * t
-S--S-
sich von üblichen Dächern dann nicht, wenn die äußere Form der Dachsteine verkehrsüblichen Dachsteinen entspricht.not differ from conventional roofs if the outer shape of the roof tiles corresponds to conventional roof tiles.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:An embodiment of the invention is shown in the drawings and is described in more detail below. Show it:
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Dachstein; Fig. 2 einen Schnitt nach A-A in Fig. 1;1 shows a plan view of a roof tile; Fig. 2 is a section along A-A in Fig. 1;
Fig. 3 einen Schnitt nach B-B in Fig. 1; undFig. 3 is a section along B-B in Fig. 1; and
Fig. 4 einen Ausschnitt X in Fic. 2.FIG. 4 shows a section X in FIG. 2.
1515th
Der Dachstein 1 weist die Form eines hohlen Kastens auf, dessen äußere Abmessungen denen eines üblichen Dachsteins bzw. Dachpfanne oder Dachziegels entspricht. Im gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Länge größer als die Breite und die Höhe bzw. die Stärke nur einen Bruchteil der Breite. Der Dachstein besteht aus zwei Teilen, und zwar dem Grundkörper 2 und einer darauf liegenden Deckplatte 3. Der Grundkörper 2 ist entsprechend einem nach oben hin offenen Kasten ausgebildet, so daß er einen fJachen, nach oben hin offenen Hohlraum 4 besitzt, der noch durch eine senkrechte Mittelwand 5 geteilt ist und an zwei senkrechten Außenwänden vorspringende, angeformte Leisten 6 aufweist, die Falze tragen, in die Falze benachbarter Dachsteine überlappend einliegen.The roof tile 1 has the shape of a hollow box, the external dimensions of which are those of a conventional roof tile or roof tile or roof tile. In the embodiment shown, the length is greater than the width and the height or thickness is only a fraction of the width. The Dachstein consists of two parts, namely the base body 2 and a cover plate 3 lying on it. The base body 2 is corresponding to an upward open box, so that it is a fJachen, after Has open cavity 4 at the top, which is still divided by a vertical central wall 5 and on two vertical ones Has molded strips 6 protruding from the outer walls and carrying folds into the folds of adjacent roof tiles overlap.
3030th
Der Hohlraum 4 ist oben durch eine Abdeckplatte 3 abgeschlossen, die, wie auch der Grundkörper 2, aus Beton, insbesondere einem Polymerbeton, besteht. Dabei trägt dieThe cavity 4 is closed at the top by a cover plate 3, which, like the base body 2, consists of concrete, in particular a polymer concrete. The
3535
-ιοί Abdeckplatte 3 Halbleiterphotoelemente 7, die oben aufliegen
oder aber in den Beton eingegossen sind. Hierzu weist der Polymerbeton den gleichen Ausdehnungskoeffizienten
von ÖL· = 2,33 wie das Silizium der Halbleiterphotoelemente
7 auf. Oberhalb der Halbleiterphotoelemente liegt eine elastische Acrylausgleichsschicht 8 und
darüber eine Glasscheibe 9, deren Oberfläche gehärtet ist
und gegen Reflexe behandelt wurde.-ιοί cover plate 3 semiconductor photo elements 7, which rest on top or are poured into the concrete. For this purpose, the polymer concrete has the same expansion coefficient of oil = 2.33 as the silicon of the semiconductor photo elements 7. Above the semiconductor photo elements there is an elastic acrylic compensation layer 8 and
above a glass pane 9, the surface of which is hardened and treated against reflections.
Ein optisch einheitlicher und den üblichen nachsteinen entsprechender Eindruck wird dadurch erzielt, wenn der Polymerbeton und die Solarzellen schwarz gefärbt sind.An optically uniform impression corresponding to the usual nachsteinen is achieved if the polymer concrete and the solar cells are colored black.
An der Unterseite der Abdeckplatte 3 ragen in den Hohlraum
4 Kühlrippen 10 hinein, die in Richtung der durchströmenden Luft liegen. In den Bereichen, in denen die
Dachsteine einander oben und unten überlappen, weisen die Abdeckplatte 3 und der Grundkörper 2 miteinander übereinstimmende
bzw.. fluchtende öffnungen 12 und 13 auf, so
daß die Luft von dem untersten Dachstein zu dem darüber liegenden usw., nach oben durch alle Dachsteine strömen
kann. Eine an der Unterseite des Grundkörpers 2 angeordnete Nase 14 erlaubt einen Halt des Dachsteins an den
Dachlatten.
25On the underside of the cover plate 3, cooling fins 10 protrude into the cavity 4, which are in the direction of the air flowing through. In the areas in which the roof tiles overlap each other at the top and bottom, the cover plate 3 and the base body 2 have openings 12 and 13 that match or align with one another, see above
that the air from the lowest roof tile to the one above, etc., can flow up through all the roof tiles. A nose 14 arranged on the underside of the base body 2 allows the roof tile to be held on the
Roof battens.
25th
An der Unterseite aus der Abdeckplatte 3 herausragende Leitungen sind durch den Hohlraum 4 und die Öffnungen 12, 13 geführt und erlauben über Stecker und Buchsen einen elektrischen Anschluß mit den Halbleiterphotoelementen benachbarter Dachsteine.On the underside of the cover plate 3 protruding lines are through the cavity 4 and the openings 12, 13 out and allow an electrical connection with the semiconductor photo elements via plugs and sockets neighboring roof tiles.
Die Abdeckplatte 3 kann in einer alternativen Ausführung statt aus Beton auch aus Glas hergestellt sein, wobeiIn an alternative embodiment, the cover plate 3 can also be made of glass instead of concrete, with
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dann zwischen dieser Glasschicht und den Halbleiterphotoelementen eine weitere elastische Acrylausgleichsschicht angeordnet ist.then another elastic acrylic compensation layer between this glass layer and the semiconductor photo elements is arranged.
Claims (18)
HC/Be36 090
HC / Be
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE19828212100U DE8212100U1 (en) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | DACHSTEIN |
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| DE19828212100U DE8212100U1 (en) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | DACHSTEIN |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE8212100U1 true DE8212100U1 (en) | 1983-12-15 |
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ID=6739509
Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| DE (1) | DE8212100U1 (en) |
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